CN116157473A - 带有机功能膜的基板的制造方法 - Google Patents

Abstract

制造方法，是具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、和该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板的制造方法，该方法包括：用喷墨法在隔壁内涂布包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂的有机功能墨的工序；和通过减压从涂布于隔壁内的有机功能墨除去溶剂而形成有机功能膜的工序；低挥发性高粘度溶剂在25℃下的粘度为200mPa·s以上，在150℃下加热低挥发性高粘度溶剂的同时用1分钟从常压减压至140Pa时，该低挥发性高粘度溶剂的残存率为80质量％以上，上述溶剂中低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上。由此，可抑制因墨涂布时刻的不同引起的有机功能层的形状的偏差，可制造具有平坦性良好的有机功能膜的带有机功能膜的基板。

Description

带有机功能膜的基板的制造方法

技术领域

本发明涉及带有机功能膜的基板的制造方法。

背景技术

在有机电致发光(以下称为有机EL)元件中，作为发光层、电荷注入层，使用包含有机化合物的有机功能膜。特别地，空穴注入层承担阳极与空穴传输层或发光层的电荷的授受，为了实现有机EL元件的低电压驱动及高亮度，发挥重要的功能。

空穴注入层的形成方法大致分为以蒸镀法为代表的干法和以旋涂法为代表的湿法，若对这些各工艺进行比较，则湿法能够高效地制造在大面积平坦性高的薄膜。因此，在有机EL显示器的大面积化正在推进的当前，期望能够采用湿法形成的空穴注入层，报告了与能够采用湿法成膜的空穴注入层有关的技术(专利文献1)。

在有机EL显示器的制造中，在采用喷墨法等湿法形成空穴注入层、其他有机功能层的情况下，一般地，以包围层的形成区域的方式设置隔壁(围堰)，在该隔壁的开口部内涂布有机功能墨。此时，有时会产生与有机功能膜的不均匀性相关的问题，这可成为所得到的有机EL元件的发光不均匀的原因。

另外，在有机EL显示器的制造中，在设置于基板上的上述隔壁的开口部内依次涂布有机功能墨后，经通过加热、减压除去有机溶剂的工序等，形成有机功能层。

在该情况下，由于按涂布于基板上的顺序依次开始墨的干燥，因此在多个隔壁内，由于墨涂布的时刻的不同而导致有机功能层的形状产生偏差(专利文献2)。该问题在所使用的基板越大时越显著，随着近来的显示器的大型化，对与抑制这样的偏差相关的技术的要求也进一步提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/032616号

专利文献2：日本专利第5595102号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供带有机功能膜的基板的制造方法，该基板能够抑制因墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差，具有平坦性良好的有机功能膜。

用于解决课题的手段

上述专利文献2的技术通过控制从喷墨喷嘴喷出的液体的温度来使着落于基板的液体的干燥速度接近均匀的状态来解决上述课题，但由于需要特殊的装置而缺乏通用性。因此，本发明人等为了解决上述课题，从构成有机功能墨的溶剂的挥发性和粘度等观点出发反复进行了深入研究，结果发现，通过使用具有给定的挥发特性和给定的粘度特性的低挥发性高粘度溶剂作为有机功能墨的溶剂，从而在通过喷墨涂布将该墨涂布于隔壁内的情况下，能够抑制由墨涂布的时刻的不同引起的有机功能层的形状的偏差，能够制造具有平坦性良好的有机功能膜的带有机功能膜的基板，完成了本发明。

即，本发明提供：

1.带有机功能膜的基板的制造方法，其为具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、以及该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板的制造方法，其特征在于，

包括：利用喷墨法将包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂的有机功能墨涂布于所述隔壁内的工序；

通过减压从涂布在所述隔壁内的有机功能墨中除去溶剂而形成有机功能膜的工序；

所述低挥发性高粘度溶剂在25℃下的粘度为200mPa·s以上，

在150℃下加热所述低挥发性高粘度溶剂的同时用1分钟从常压减压至140Pa的情况下，该低挥发性高粘度溶剂的残存率为80质量％以上，

所述溶剂中的所述低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上，

2.根据1所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度有机溶剂为由下述式(S1)所表示的化合物，

[化1]

(式中，R表示可以被羟基或碳原子数1～10的烷氧基取代的、碳原子数1～10的1价烃基，R’表示2价烃基。)

3.根据2所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述R表示可以被羟基取代的碳原子数1～5的烷基，所述R’表示碳原子数1～5的亚烷基，

4.根据1～3中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂为选自2-乙酰胺基乙醇和N-(2-羟基乙基)乳酰胺中的至少1种，

5.根据1～4中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述溶剂中的所述低挥发性高粘度溶剂的含量为5.0质量％以上，

6.根据1～5中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述溶剂仅包含沸点180℃以上且比所述低挥发性高粘度溶剂挥发性高且粘度低的溶剂作为除所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂，

7.根据6所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂以15～40质量％的比例含有亲水性二醇系溶剂，

8.根据6所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂以30～50质量％的比例含有25℃下的表面张力为40mN/m以下的溶剂，

9.根据6所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂含有60～85质量％的25℃下的粘度为10mPa·s以下的溶剂，

10.根据1～9中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述有机功能材料为芳基胺衍生物或聚噻吩衍生物，

11.电子元件的制造方法，其包括：在采用根据1～10中任一项所述的制造方法得到的带有机功能膜的基板上进一步制造有机功能层的工序，

12.喷墨法用墨，其为在制造具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、以及在该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板时利用喷墨法涂布于所述隔壁内的喷墨法用墨，其特征在于，

包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂，

所述低挥发性高粘度溶剂在25℃下的粘度为200mPa·s以上，

在150℃下加热所述低挥发性高粘度溶剂的同时用1分钟从常压减压至140Pa的情况下，该低挥发性高粘度溶剂的残存率为80质量％以上，

所述溶剂中的所述低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上，

13.喷墨法用墨，其中，所述低挥发性高粘度有机溶剂为由下述式(S1)所表示的化合物，

[化2]

(式中，R表示可以被羟基或碳原子数1～10的烷氧基取代的、碳原子数1～10的1价烃基，R’表示2价烃基。)

14.根据13所述的喷墨法用墨，其中，所述R表示被羟基取代的碳原子数为1～5的烷基，所述R’表示碳原子数为1～5的亚烷基。

发明的效果

根据本发明的带有机功能膜的基板的制造方法，能够在多个隔壁内抑制因墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差，能够高效地制造具有平坦性良好的有机功能膜的带有机功能膜的基板。

即，本发明的制造方法中使用的墨由于含有给定的低挥发性高粘度溶剂，因此即使在涂布后放置一定时间，得到的涂膜的形状也难以变化，例如，最初的涂布于隔壁内的墨(涂膜)的形状与最后的涂布于隔壁内的墨(涂膜)的形状之间没有大的变化，能够稳定地制造平坦性良好的有机功能膜。

具体实施方式

以下对本发明进一步详细地说明。应予说明，在本发明中，与有机功能墨相关的“固体成分”意指该墨所含的除溶剂以外的成分。另外，电荷传输性与导电性同义，与空穴传输性同义。

本发明涉及的带有机功能膜的基板的制造方法是具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、以及在该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板的制造方法，其特征在于，包括：采用喷墨法在隔壁内涂布包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂的有机功能墨的工序；以及通过减压从涂布于隔壁内的有机功能墨中除去溶剂而形成有机功能膜的工序，作为上述溶剂，使用低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上的溶剂，同时作为上述低挥发性高粘度溶剂，使用在25℃下的粘度为200mPa·s以上、在150℃下加热的同时用1分钟从常压减压至140Pa时的残存率为80质量％以上的溶剂。

就本发明而言，作为有机功能墨的溶剂(以下也称为墨溶剂)，使用以2.5质量％以上的比例含有25℃下的粘度为200mPa·s以上、在150℃下加热的同时用1分钟从常压减压至140Pa时的残存率为80质量％以上的低挥发性高粘度有机溶剂的溶剂。

通过使用这样的溶剂，在隔壁内能够抑制由墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差，能够高效地制造隔壁内的膜的均匀性(平坦性)良好的具有有机功能膜的带有机功能膜的基板。

上述残存率只要为80质量％以上就没有特别限定，如果考虑进一步提高抑制由墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差的效果，则优选为85质量％以上，更优选为88质量％以上。

应予说明，具体而言，上述残存率例如可以采用以下方法求出。

将约0.04g的有机溶剂量取到铝盘(φ5×5、Cat.No.8579，(株)Rigaku制造)中，与铝盘一起称量有机溶剂的重量(质量Wt(B))。然后，将该铝盘置于加热减压装置(例如，柴田科学(株)制造钟罩型真空烘箱BV-001型)内的加热器上后，立即盖上装置的玻璃盖，用真空泵对内部进行减压，由此进行1分钟的加热减压处理。此时，用于减压的真空泵的减压度例如在10秒后为1000Pa、20秒后为450Pa、30秒后为300Pa、40秒后为210Pa、50秒后为150Pa、60秒后为140Pa。另外，例如，加热减压装置内的加热器设定为150℃。

在1分钟的加热减压处理后，立即取出铝盘并自然冷却，与铝盘一起称量有机溶剂的重量(质量Wt(A))。

使用采用上述方法求出的质量Wt(B)和质量Wt(A)，按照[质量Wt(A)/质量Wt(B)]×100的式子算出溶剂残存率(％)。

如上所述，墨溶剂中的低挥发性高粘度有机溶剂的含量为2.5质量％以上，从再现性良好地提高上述隔壁内的膜的均匀性的观点出发，优选为3.0质量％以上，更优选为3.5质量％以上，进一步优选为4.0质量％以上，更进一步优选为4.5质量％以上，再进一步优选为5.0质量％以上。另外，墨溶剂中的低挥发性高粘度有机溶剂的含量的上限只要膜的均匀性成为良好就没有特别限制，如果考虑抑制在隔壁内涂布的墨的爬升现象、提高有机功能材料的溶解性、提高隔壁内的墨的润湿扩展性、将墨粘度保持在适当范围等方面，则通常为50质量％，优选为40质量％，更优选为30质量％，进一步优选为20质量％，更进一步优选为15质量％。

另外，低挥发性高粘度有机溶剂在25℃下的粘度只要为200mPa·s以上就没有特别限制，从再现性良好地提高上述隔壁内的膜的均匀性的观点出发，优选为210mPa·s以上，更优选为220mPa·s以上。应予说明，粘度的上限只要能够调整为能够作为有机功能墨使用的粘度就没有限制，优选为2000mPa·s以下。

墨溶剂中使用的低挥发性高粘度有机溶剂只要是满足上述残存率的特性的化合物，就没有特别限定，在本发明中，特别优选由下述式(S1)所表示的化合物。

[化3]

式(S1)中，R表示可被羟基(羟基)、碳原子数1～10的烷氧基等取代基取代的、碳原子数1～10的1价烃基，R’表示可被羟基、碳原子数1～10的烷氧基等取代基取代的、碳原子数1～10的2价烃基。

上述R的1价烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳原子数1～10的烷基；乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、正-1-戊烯基、正-1-癸烯基等碳原子数2～10的烯基；苯基、甲苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等芳基；苄基、苯基乙基等芳烷基等。

应予说明，这些1价烃基的氢原子的1个以上可以被羟基、碳原子数1～10的烷氧基等取代基取代。

就碳原子数1～10的烷氧基而言，其中的烷基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、环戊氧基、正己氧基、环己氧基等。

上述R’的2价烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基、七亚甲基、八亚甲基、九亚甲基、亚癸基等亚烷基；1，3-亚苯基、1，4-亚苯基、1，5-亚萘基、1，6-亚萘基、1，7-亚萘基、2，6-亚萘基等亚芳基等。

其中，作为R，优选可以被羟基取代的碳原子数1～5的烷基，更优选可以被羟基取代的碳原子数1～3的烷基，进一步优选甲基、2-羟基丙基。

另外，作为R’，优选碳原子数1～5的亚烷基，更优选碳原子数1～3的亚烷基，进一步优选亚甲基、亚乙基。

因此，作为R和R’的组合，优选R为可以被羟基取代的碳原子数1～5的烷基、R’为碳原子数1～5的亚烷基的组合，更优选R为可以被羟基取代的碳原子数1～3的烷基、R’为碳原子数1～3的亚烷基的组合，进一步优选R为可以被羟基取代的碳原子数1～3的烷基、R’为亚乙基的组合。

作为满足上述残存率的特性和粘度特性的、由上述式(S1)所表示的低挥发性高粘度溶剂的具体实例，可举出2-乙酰胺基乙醇(粘度220mPa·s)、N-(2-羟基乙基)乳酰胺(粘度1633mPa·s)等，但并不限定于这些。本发明中的粘度例如可以采用东机产业(株)制造的、TVE-25型粘度计来测定(下同)。

应予说明，低挥发性高粘度溶剂只要满足上述溶剂中的含量的条件，则可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

应予说明，低挥发性高粘度溶剂只要满足上述溶剂中的含有率，则可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

本发明中使用的墨溶剂只要含有2.5质量％以上的上述的低挥发性高粘度溶剂就没有特别限定，作为剩余(97.5质量％以下)的溶剂成分(除低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂成分)，可以从有机功能墨中使用的溶剂中适当选择使用，从再现性良好地抑制隔壁内的墨的爬升的观点出发，优选使用在大气压(1.013×10⁵Pa)下沸点180℃以上且与低挥发性高粘度溶剂相比高挥发性且低粘度的溶剂。

作为这样的溶剂的具体实例，可以举出

乙二醇(沸点197℃)、丙二醇(沸点188℃)、二乙二醇(沸点244℃)、二丙二醇(沸点232℃)、三乙二醇(沸点287℃)、三丙二醇(沸点273℃)、己二醇(沸点197℃)、1，2-丁二醇(沸点193℃)、2，3-丁二醇(沸点182℃)、1，3-丁二醇(沸点207℃)、1，4-丁二醇(沸点228℃)、1，5-戊二醇(沸点239℃)等亲水性二醇系溶剂；

乙二醇单己基醚(沸点208℃)、二乙二醇单乙基醚(沸点196℃)、二丙二醇单丁基醚(沸点229℃)、二乙二醇单丁基醚(沸点230℃)、二乙二醇单异丁基醚(沸点230℃)、二丙二醇单甲基醚(沸点188℃)、二乙二醇单丙基醚(丙基卡必醇)、二乙二醇单己基醚(己基卡必醇)、2-乙基己基卡必醇(沸点272℃)、二丙二醇单丙基醚(沸点210℃)、三丙二醇单甲基醚(沸点243℃)、二乙二醇单甲基醚(沸点193℃)、三丙二醇单丁基醚(沸点274℃)、2-苯氧基乙醇(沸点245℃)等二醇单醚溶剂；

乙二醇二丁基醚(沸点202℃)、二乙二醇二乙基醚(沸点188℃)、丙二醇二丁基醚、二丙二醇甲基正丙基醚(沸点203℃)、二丙二醇二乙基醚(沸点221℃)、二丙二醇二丁基醚(沸点296℃)、三乙二醇二甲基醚(沸点216℃)、三乙二醇丁基甲基醚(沸点261℃)、四乙二醇二甲基醚(沸点276℃)等二醇二醚溶剂；

碳酸亚乙酯(沸点238℃)、碳酸亚丙酯(沸点242℃)等环状碳酸酯溶剂等，它们可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

特别地，从确保后述的有机功能材料在墨中的溶解性的观点、再现性良好地提高上述隔壁内的膜的均匀性的观点、抑制围堰时的堆积现象的观点等出发，本发明中使用的墨溶剂优选含有15～40质量％、更优选含有20～35质量％的亲水性二醇系溶剂。

作为该亲水性二醇系溶剂，可以举出与上述沸点180℃以上且与低挥发性高粘度溶剂相比为高挥发性且低粘度的溶剂中例示的二醇系溶剂同样的溶剂。

应予说明，所谓堆积现象，是指涂布在开口部内的墨在隔壁的侧面爬升、与隔壁的侧面接触的涂膜周缘部的厚度比涂膜中央部厚的所谓爬升现象。

另外，从确保隔壁内的墨的润湿扩展性的观点出发，本发明中使用的墨溶剂优选含有30～50质量％、更优选含有30～40质量％的25℃下的表面张力为40mN/m以下的溶剂。

作为这样的溶剂的具体实例，可以列举丙二醇(表面张力36.2mN/m)等亲水性二醇系溶剂；

乙二醇单己基醚(表面张力27.7mN/m)、丙二醇单丁基醚(表面张力26.3mN/m)、二乙二醇单乙基醚(表面张力31.3mN/m)、二丙二醇单丁基醚(表面张力31.3mN/m)、乙二醇单丁基醚(表面张力29.1mN/m)、二乙二醇单丁基醚(表面张力30.2mN/m)、二乙二醇单异丁基醚(表面张力28.4mN/m)、二丙二醇单甲基醚(表面张力27.9mN/m)、二乙二醇单丙基醚(丙基卡必醇)(表面张力29.9mN/m)、二乙二醇单己基醚(己基卡必醇)、2-乙基己基卡必醇、二丙二醇单丙基醚(表面张力27.6mN/m)、三丙二醇单甲基醚(表面张力30.0mN/m)、二乙二醇单甲基醚(表面张力34.3mN/m)、三丙二醇单丁基醚(表面张力29.7mN/m)等二醇单醚溶剂等，它们可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

应予说明，本发明中的表面张力例如可以采用协和界面科学(株)制造、自动表面张力计CBVP-Z型进行测定(下同)。

进而，从将墨的粘度调节至适当范围内的观点出发，本发明中使用的墨溶剂中，优选含有60～85质量％、更优选含有60～80质量％、进一步优选含有60～70质量％的25℃下的粘度为10mPa·s(cP)以下的溶剂。

作为这样的溶剂的具体实例，可列举出碳酸亚丙酯(粘度2.7mPa·s)等碳酸酯溶剂；

乙二醇单己基醚(粘度5.2mPa·s)、丙二醇单丁基醚(粘度2.9mPa·s)、二乙二醇单乙基醚(粘度3.9mPa·s)、二丙二醇单丁基醚(粘度4.9mPa·s)、乙二醇单丁基醚(粘度3.1mPa·s)、二乙二醇单丁基醚(粘度4.8mPa·s)、二乙二醇单异丁基醚(粘度5.3mPa·s)、二丙二醇单甲基醚(粘度3.6mPa·s)、二乙二醇单丙基醚(丙基卡必醇)、二乙二醇单己基醚(己基卡必醇)、2-乙基己基卡必醇、二丙二醇单丙基醚(粘度4.0mPa·s)、三丙二醇单甲基醚(粘度5.3cP)、二乙二醇单甲基醚(粘度3.5mPa·s)、三丙二醇单丁基醚(粘度6.8cP)、2-苯氧基乙醇(粘度20.4mPa·s)等二醇单醚溶剂等，它们可以分别单独使用，也可以将2种以上组合使用。

在本发明中使用的墨溶剂中，优选并用低挥发性高粘度溶剂、亲水性二醇系溶剂、表面张力为40mN/m以下的溶剂和粘度为10mPa·s以下的溶剂，此时的各溶剂的配混比率只要以由上述各溶剂的含量(配混量)合计成为100质量％的方式进行调整即可。

不过，墨溶剂中含有的某溶剂包含于“低挥发性高粘度溶剂”、“亲水性二醇系溶剂”、“表面张力为40mN/m以下的溶剂”和“粘度为10mPa·s以下的溶剂”这4个类别中的多个类别的情况下，该溶剂以包含的所有类别的溶剂的配混量予以考虑。

例如，在墨溶剂中含有10质量％的丙二醇的情况下，该配混量构成亲水性二醇系溶剂15～40质量％中的10质量％，同时也构成表面张力为40mN/m以下的溶剂30～50质量％中的10质量％。

在本发明中使用的墨溶剂中，只要不阻碍本发明的作用效果，除了上述的各种溶剂以外，以粘度、表面张力的调整等为目的，还可以含有用作墨溶剂的其他溶剂。

作为其他溶剂的具体实例，可举出乙二醇单丙基醚(沸点151℃)、丙二醇单丙基醚(沸点149℃)、丙二醇单丁基醚(沸点170℃)、乙二醇单丁基醚(沸点171℃)等二醇单醚溶剂；乙二醇二甲基醚(沸点84℃)、乙二醇二乙基醚(沸点121℃)、丙二醇二甲基醚(沸点97℃)、丙二醇二乙基醚(沸点124℃)、二乙二醇二甲基醚(沸点162℃)、二丙二醇二甲基醚(沸点175℃)等二醇二醚溶剂；碳酸亚乙烯酯(沸点162℃)等环状碳酸酯溶剂；二甲基亚砜、环丁砜等含硫溶剂；四甲基脲、N，N’-二甲基亚丙基脲等脲溶剂；N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺等酰胺溶剂；二氯甲烷等卤代烃溶剂；乙酸乙酯、乙酸正丙酯、乙酸正丁酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸甲酯、富马酸二乙酯、苯甲酸丁酯等酯溶剂；碳酸二甲酯、碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯等碳酸酯溶剂；乙腈、3-甲氧基丙腈、3-乙氧基丙腈等腈溶剂；丙酮、丙酮基丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、甲基异丁烯基酮、2-己酮、2-戊酮、苯乙酮、乙基苯基酮、环己酮、环戊酮等酮溶剂；甲醇、乙醇、三氟乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、叔丁醇、苄醇、2-(苄氧基)乙醇等醇溶剂；四氢呋喃、四氢吡喃、二噁烷、甲基苯甲醚、二甲基苯甲醚、乙基苯甲醚、丁基苯基醚、丁基苯甲醚、戊基苯甲醚、己基苯甲醚、庚基苯甲醚、辛基苯甲醚、苯氧基甲苯等醚溶剂；甲苯、二甲苯、戊基苯、己基苯、庚基苯、辛基苯、壬基苯、环己基苯、四氢萘等芳族烃溶剂等，它们可以分别单独使用，也可以组合使用2种以上。

在使用其他溶剂的情况下，墨溶剂中的其总含量通常小于10质量％，从进一步提高隔壁内的膜的均匀性的观点出发，优选小于5质量％(其中，使用的全部溶剂种的合计为100质量％)。

作为本发明中使用的墨溶剂的合适组成，可列举出低挥发性高粘度溶剂、丙二醇、三丙二醇、碳酸亚丙酯和二乙二醇单异丁基醚的组合，但并不限定于这些。

特别地，作为墨溶剂的组成，优选低挥发性高粘度溶剂2.5～15质量％、丙二醇5～20质量％、三丙二醇10～35质量％、碳酸亚丙酯35～70质量％、二乙二醇单异丁基醚10～25质量％(其中，合计100质量％，并且丙二醇与三丙二醇合计15～40质量％、丙二醇与二乙二醇单异丁基醚合计30～50质量％、以及二乙二醇单异丁基醚与碳酸亚丙酯合计60～85质量％)，

更优选低挥发性高粘度溶剂3～10质量％、丙二醇10～15质量％、三丙二醇15～30质量％、碳酸亚丙酯35～60质量％、二乙二醇单异丁基醚15～25质量％(其中，合计100质量％，并且丙二醇与三丙二醇合计15～40质量％、丙二醇与二乙二醇单异丁基醚合计30～50质量％、及二乙二醇单异丁基醚与碳酸亚丙酯合计60～85质量％)，

进一步优选2-乙酰胺基乙醇和N-(羟基乙基)乳酰胺中的至少1种5～10质量％、丙二醇10～15质量％、三丙二醇15～25质量％、碳酸亚丙酯35～55质量％、二乙二醇单异丁基醚15～25质量％(其中，合计100质量％，并且丙二醇与三丙二醇合计15～40质量％、丙二醇与二乙二醇单异丁基醚合计30～50质量％、以及二乙二醇单异丁基醚与碳酸亚丙酯合计60～85质量％)。

在本发明中，从抑制因墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差、再现性良好地获得具有平坦性良好的有机功能膜的带有机功能膜的基板的观点出发，墨溶剂优选不含有作为溶剂的水，但并不是否定使用的有机溶剂中所含的微量的水、固体成分中所含的水的存在。

如上所述，本发明的特征在于，使用以给定比例含有低挥发性高粘度溶剂的墨溶剂，因此，关于有机功能材料、涂布有机功能材料的带隔壁的基板、喷墨装置等，从各种材料及各种装置中适当选择使用即可。

作为有机功能材料，只要是作为电子元件的功能材料使用的材料即可，作为其具体实例，可以举出电荷传输性物质。

作为电荷传输性物质，没有特别限定，例如可以从在有机EL领域等中使用的电荷传输性化合物、电荷传输性低聚物、电荷传输性聚合物等中适当选择使用。

作为其具体实例，可举出低聚苯胺衍生物、N，N’-二芳基联苯胺衍生物、N，N，N’，N’-四芳基联苯胺衍生物等芳基胺衍生物；低聚噻吩衍生物、噻吩并噻吩衍生物、噻吩并苯并噻吩衍生物等噻吩衍生物；低聚吡咯等吡咯衍生物等各种电荷传输性化合物；电荷传输性低聚物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物、聚吡咯衍生物等电荷传输性聚合物等，其中，优选聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物。

另外，例如，从制造平坦性高的薄膜的观点出发，例如后述的由式(A1)或(A2)所表示的叔芳基胺化合物这样的电荷传输性化合物(低分子化合物)或电荷传输性低聚物优选为单分散(即，分子量分布为1)。这种情况下，从制备形成平坦性高的薄膜的均匀的墨的观点出发，电荷传输性物质的分子量通常为200～9000左右，从得到电荷传输性更优异的薄膜的观点出发，优选为300以上，更优选为400以上，从制备再现性更良好地形成平坦性高的薄膜的均匀的墨的观点出发，优选为8000以下，更优选为7000以下，进一步优选为6000以下，更进一步优选为5000以下。

作为电荷传输性物质，例如可举出日本特开2002-151272号公报、国际公开第2004/105446号、国际公开第2005/043962号、国际公开第2008/032617号、国际公开第2008/032616号、国际公开第2013/042623号、国际公开第2014/141998号、国际公开第2014/185208号、国际公开第2015/050253号、国际公开第2015/137391号、国际公开第2015/137395号、国际公开第2015/146912号、国际公开第2015/146965号、国际公开第2016/190326号、国际公开第2016/136544号、国际公开第2016/204079号等中公开的物质。

在一个优选方式中，上述电荷传输性物质为包含由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物。

[化4]

式中，R¹和R²各自独立地为氢原子、碳原子数1～40的烷基、碳原子数1～40的氟烷基、碳原子数1～40的烷氧基、碳原子数1～40的氟烷氧基、碳原子数6～20的芳氧基、-O-[Z-O]_h-R^e、或磺酸基、或者R¹和R²键合而形成的-O-Y-O-，Y可以含有醚键，为可以被磺酸基取代的碳原子数1～40的亚烷基，Z为可以被卤素原子取代的碳原子数1～40的亚烷基，p为1以上的整数，R^e为氢原子、碳原子数1～40的烷基、碳原子数1～40的氟烷基、或碳原子数6～20的芳基。

作为碳原子数1～40的烷基，可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、二十二烷基、三十烷基、四十烷基等。本发明中，优选碳原子数1～18的烷基，更优选碳原子数1～8的烷基。

作为碳原子数1～40的氟烷基，只要是碳原子上的至少1个氢原子被氟原子取代而成的碳原子数1～40的烷基，就没有特别限定，作为其具体实例，可举出氟甲基、二氟甲基、全氟甲基、1-氟乙基、2-氟乙基、1，2-二氟乙基、1，1-二氟乙基、2，2-二氟乙基、1，1，2-三氟乙基、1，2，2-三氟乙基、2，2，2-三氟乙基、1，1，2，2-四氟乙基、1，2，2，2-四氟乙基、全氟乙基、1-氟丙基、2-氟丙基、3-氟丙基、1，1-二氟丙基、1，2-二氟丙基、1，3-二氟丙基、2，2-二氟丙基、2，3-二氟丙基、3，3-二氟丙基、1，1，2-三氟丙基、1，1，3-三氟丙基、1，2，3-三氟丙基、1，3，3-三氟丙基、2，2，3-三氟丙基、2，3，3-三氟丙基、3，3，3-三氟丙基、1，1，2，2-四氟丙基、1，1，2，3-四氟丙基、1，2，2，3-四氟丙基、1，3，3，3-四氟丙基、2，2，3，3-四氟丙基、2，3，3，3-四氟丙基、1，1，2，2，3-五氟丙基、1，2，2，3，3-五氟丙基、1，1，3，3，3-五氟丙基、1，2，3，3，3-五氟丙基、2，2，3，3，3-五氟丙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基等。

作为碳原子数1～40的烷氧基，其中的烷基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、环丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基、正二十烷氧基。

作为碳原子数1～40的氟烷氧基，只要是碳原子上的至少1个氢原子被氟原子取代而成的碳原子数1～40的烷氧基就没有特别限定，作为其具体实例，可举出氟甲氧基、二氟甲氧基、全氟甲氧基、1-氟乙氧基、2-氟乙氧基、1，2-二氟乙氧基、1，1-二氟乙氧基、2，2-二氟乙氧基、1，1，2-三氟乙氧基、1，2，2-三氟乙氧基、2，2，2-三氟乙氧基、1，1，2，2-四氟乙氧基、1，2，2，2-四氟乙氧基、全氟乙氧基、1-氟丙氧基、2-氟丙氧基、3-氟丙氧基、1，1-二氟丙氧基、1，2-二氟丙氧基、1，3-二氟丙氧基、2，2-二氟丙氧基、2，3-二氟丙氧基、3，3-二氟丙氧基、1，1，2-三氟丙氧基、1，1，3-三氟丙氧基、1，2，3-三氟丙氧基、1，3，3-三氟丙氧基、2，2，3-三氟丙氧基、2，3，3-三氟丙氧基、3，3，3-三氟丙氧基、1，1，2，2-四氟丙氧基、1，1，2，3-四氟丙氧基、1，2，2，3-四氟丙氧基、1，3，3，3-四氟丙氧基、2，2，3，3-四氟丙氧基、2，3，3，3-四氟丙氧基、1，1，2，2，3-五氟丙氧基、1，2，2，3，3-五氟丙氧基、1，1，3，3，3-五氟丙氧基、1，2，3，3，3-五氟丙氧基、2，2，3，3，3-五氟丙氧基、全氟丙氧基等。

作为碳原子数1～40的亚烷基，可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、三亚甲基、四亚甲基、五亚甲基、六亚甲基、七亚甲基、八亚甲基、九亚甲基、亚癸基、亚十一烷基、亚十二烷基、亚十三烷基、亚十四烷基、亚十五烷基、亚十六烷基、亚十七烷基、亚十八烷基、亚十九烷基、亚二十烷基等。

作为碳原子数6～20的芳基的具体实例，可举出苯基、甲苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等，优选苯基、甲苯基、萘基。

作为碳原子数6～20的芳氧基的具体实例，可以举出苯氧基、蒽氧基、萘氧基、菲氧基、芴氧基等。

作为卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

上述式(1)中，R¹和R²各自独立地优选为氢原子、碳原子数1～40的氟烷基、碳原子数1～40的烷氧基、-O[C(R^aR^b)-C(R^cR^d)-O]_h-R^e、-OR^f或磺酸基、或者R¹和R²键合而形成的-O-Y-O-。

R^a～R^d各自独立地表示氢原子、碳原子数1～40的烷基、碳原子数1～40的氟烷基、或碳原子数6～20的芳基，作为这些基团的具体实例，可以举出与上述列举的基团同样的基团。

其中，R^a～R^d各自独立地优选为氢原子、碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的氟烷基或苯基。

R^e为氢原子、碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的氟烷基或苯基，优选为氢原子、甲基、丙基或丁基。

h优选为1～5，更优选为1、2或3。

R^f为氢原子、碳原子数1～40的烷基、碳原子数1～40的氟烷基或碳原子数6～20的芳基，优选为氢原子、碳原子数1～8的烷基、碳原子数1～8的氟烷基、或苯基，更优选为-CH₂CF₃。

上述R¹优选为氢原子或磺酸基，更优选为磺酸基，并且R²优选为碳原子数1～40的烷氧基或-O-[Z-O]_h-R^e，更优选为-O[C(R^aR^b)-C(R^cR^d)-O]_h-R^e或-OR^f，进一步优选为-O[C(R^aR^b)-C(R^cR^d)-O]_h-R^e、-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-CH₃、-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-OH或-O-CH₂CH₂-OH、或者R¹和R²相互键合而形成的-O-Y-O-。

例如，本发明的优选方式涉及的上述聚噻吩衍生物包含R¹为磺酸基、R²为磺酸基以外的重复单元，或者包含R¹和R²为键合而形成的-O-Y-O-的重复单元。

优选地，上述聚噻吩衍生物包含R¹为磺酸基、R²为碳原子数1～40的烷氧基或-O-[Z-O]_h-R^e的重复单元，或者包含R¹和R²为键合而形成的-O-Y-O-的重复单元。

更优选地，上述聚噻吩衍生物包含R¹为磺酸基、R²为-O[C(R^aR^b)-C(R^cR^d)-O]_h-R^e或-OR^f的重复单元。

更优选地，上述聚噻吩衍生物包含R¹为磺酸基、R²为-O[C(R^aR^b)-C(R^cR^d)-O]_h-R^e的重复单元，或者包含R¹和R²为键合而形成的-O-Y-O-的重复单元。

进一步优选地，上述聚噻吩衍生物包含R¹为磺酸基、R²为-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-O-CH₃、-O-CH₂CH₂-O-CH₂CH₂-OH、或-O-CH₂CH₂-OH的重复单元，或者包含R¹和R²相互键合而为由下述式(Y1)和(Y2)所表示的基团的重复单元。

[化5]

作为上述聚噻吩衍生物的优选的具体实例，例如可举出含有至少1种由下述式(1-1)～(1-5)所表示的重复单元的聚噻吩。

[化6]

另外，作为上述聚噻吩衍生物的合适的结构，例如可举出具有由下述式(1a)所表示的结构的聚噻吩衍生物。应予说明，在下述式中，各单元可以无规地键合，也可以作为嵌段聚合物键合。

[化7]

式中，a～d表示各单元的摩尔比，满足0≤a≤1、0≤b≤1、0＜a+b≤1、0≤c＜1、0≤d＜1、a+b+c+d＝1。

进而，上述聚噻吩衍生物可以为均聚物或共聚物(包括统计、无规、梯度及嵌段共聚物)。作为包含单体A及单体B的聚合物，嵌段共聚物例如包含A-B二嵌段共聚物、A-B-A三嵌段共聚物、及(AB)_k-多嵌段共聚物。聚噻吩可以包含衍生自其他类型的单体(例如噻吩并噻吩、硒吩、吡咯、呋喃、碲吩、苯胺、芳基胺、及亚芳基(例如亚苯基、苯乙炔、及芴等)等)的重复单元。

上述聚噻吩衍生物中的由式(1)所表示的重复单元的含量在聚噻吩衍生物中所含的全部重复单元中优选超过50摩尔％，更优选为80摩尔％以上，进一步优选为90摩尔％以上，更进一步优选为95摩尔％以上，最优选为100摩尔％。

上述聚噻吩衍生物可以根据聚合中使用的起始单体的纯度，含有由杂质衍生的重复单元。上述的“均聚物”这一用语意指包含由1种类型的单体衍生的重复单元的聚合物，但可以包含由杂质衍生的重复单元。上述聚噻吩衍生物优选为基本上全部的重复单元为由上述式(1)所表示的重复单元的聚合物，更优选为包含由上述式(1-1)～(1-5)所表示的重复单元的至少1个的聚合物。

在上述聚噻吩衍生物包含具有磺酸基的重复单元的情况下，从进一步提高对于有机溶剂的溶解性、分散性的观点出发，该聚噻吩衍生物优选为在其所含的磺酸基的至少一部分加成有胺化合物的胺加成物。

作为能够用于形成胺加成物的胺化合物，可以举出甲胺、乙胺、正丙胺、异丙胺、正丁胺、异丁胺、仲丁胺、叔丁胺、正戊胺、正己胺、正庚胺、正辛胺、2-乙基己胺、正壬胺、正癸胺、正十一胺、正十二胺、正十三胺、正十四胺、正十五胺、正十六胺、正十七胺、正十八胺、正十九胺、正二十胺等单烷基胺化合物；苯胺、甲苯胺、1-萘胺、2-萘胺、1-蒽胺、2-蒽胺、9-蒽胺、1-菲胺、2-菲胺、3-菲胺、4-菲胺、9-菲胺等单芳基胺化合物等伯胺化合物；N-乙基甲胺、N-甲基正丙胺、N-甲基异丙胺、N-甲基正丁胺、N-甲基仲丁胺、N-甲基叔丁胺、N-甲基异丁胺、二乙胺、N-乙基正丙胺、N-乙基异丙胺、N-乙基正丁胺、N-乙基仲丁胺、N-乙基叔丁胺、二丙胺、N-正丙基异丙胺、N-正丙基正丁胺、N-正丙基仲丁胺、二异丙胺、N-正丁基异丙胺、N-叔丁基异丙胺、二(正丁基)胺、二(仲丁基)胺、二异丁胺、氮丙啶(亚乙基亚胺)、2-甲基氮丙啶(亚丙基亚胺)、2，2-二甲基氮丙啶、氮杂环丁烷(三亚甲基亚胺)、2-甲基氮杂环丁烷、吡咯烷、2-甲基吡咯烷、3-甲基吡咯烷、2，5-二甲基吡咯烷、哌啶、2，6-二甲基哌啶、3，5-二甲基哌啶、2，2，6，6-四甲基哌啶、六亚甲基亚胺、七亚甲基亚胺、八亚甲基亚胺等二烷基胺化合物；二苯基胺、N-苯基-1-萘胺、N-苯基-2-萘胺、1，1’-二萘胺、2，2’-二萘胺、1，2’-二萘胺、咔唑、7H-苯并[c]咔唑、11H-苯并[a]咔唑、7H-二苯并[c，g]咔唑、13H-二苯并[a，i]咔唑等二芳基胺化合物；N-甲基苯胺、N-乙基苯胺、N-正丙基苯胺、N-异丙基苯胺、N-正丁基苯胺、N-仲丁基苯胺、N-异丁基苯胺、N-甲基-1-萘胺、N-乙基-1-萘胺、N-正丙基-1-萘胺、吲哚啉、异吲哚啉、1,2,3,4-四氢喹啉、1,2,3,4-四氢异喹啉等烷基芳基胺化合物等仲胺化合物；N，N-二甲基乙胺、N，N-二甲基正丙胺、N，N-二甲基异丙胺、N，N-二甲基正丁胺、N，N-二甲基仲丁胺、N，N-二甲基叔丁胺、N，N-二甲基异丁胺、N，N-二乙基甲胺、N-甲基二(正丙基)胺、N-甲基二异丙胺、N-甲基二(正丁基)胺、N-甲基二异丁胺、三乙胺、N，N-二乙基正丁胺、N，N-二异丙基乙胺、N，N-二(正丁基)乙胺、三(正丙基)胺、三(异丙基)胺、三(正丁基)胺、三(异丁基)胺、1-甲基氮杂环丁烷、1-甲基吡咯烷、1-甲基哌啶等三烷基胺化合物；三苯基胺等三芳基胺化合物；N-甲基二苯基胺、N-乙基二苯基胺、9-甲基咔唑、9-乙基咔唑等烷基二芳基胺化合物；N，N-二乙基苯胺、N，N-二(正丙基)苯胺、N，N-二(异丙基)苯胺、N，N-二(正丁基)苯胺等二烷基芳基胺化合物等叔胺化合物，若考虑胺加成物的溶解性、所得到的有机功能膜的电荷传输性等的平衡，则优选叔胺化合物，更优选三烷基胺化合物，进一步优选三乙胺。

可以通过向胺本身或其溶液中投入聚噻吩衍生物并充分搅拌而得到胺加成物。

另外，上述聚噻吩衍生物或其胺加成物也可以使用经还原剂处理的产物。

在聚噻吩衍生物或其胺加成物中，在构成它们的重复单元的一部分中，有时其化学结构成为被称为“醌型结构”的氧化型的结构。用语“醌型结构”是相对于用语“苯环型结构”而使用的，相对于作为包含芳环的结构的后者，前者意指该芳环内的双键移动至环外(其结果是芳环消失)、形成与残存于环内的其他双键共轭的2个环外双键的结构。对于本领域技术人员来说，这两种结构的关系可以由苯醌与氢醌的结构的关系而容易地理解。针对各种共轭聚合物的重复单元的醌型结构对于本领域技术人员来说是公知的。作为一例，在下述式(1’)示出与包含由上述式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物的重复单元对应的醌型结构。

[化8]

(式中，R¹和R²如上述式(1)中所定义。)

该醌型结构通过含有由上述式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物通过掺杂剂而受氧化反应的工艺、所谓的掺杂反应而产生，构成对聚噻吩衍生物赋予电荷传输性的被称为“极化子结构”及“双极化子结构”的结构的一部分。这些结构是公知的。在有机EL元件的制造中，“极化子结构”和/或“双极化子结构”的导入是必须的，实际上，在有机EL元件制造时，在对由电荷传输性清漆(有机功能墨)形成的薄膜进行烧成处理时，有意地使上述的掺杂反应发生，实现该导入。认为在发生该掺杂反应之前的聚噻吩衍生物中含有醌型结构是因为聚噻吩衍生物在其制造过程(特别是其中的磺化工序)中发生了与掺杂反应同等的、非有意的氧化反应。

上述聚噻吩衍生物中包含的醌型结构的量与聚噻吩衍生物相对于有机溶剂的溶解性、分散性之间存在相关性，如果醌型结构的量变多，则其溶解性、分散性倾向于降低。因此，由电荷传输性清漆(有机功能墨)形成薄膜后的醌型结构的导入不会产生问题，但若通过上述的非有意的氧化反应，向聚噻吩衍生物过量地导入醌型结构，则有时对电荷传输性清漆(有机功能墨)的制造造成障碍。已知在聚噻吩衍生物中，在相对于有机溶剂的溶解性、分散性上存在偏差，认为其原因之一在于，通过上述非有意的氧化反应而导入聚噻吩的醌型结构的量根据各个聚噻吩衍生物的制造条件的差异而变动。

因此，若将上述聚噻吩衍生物供于使用还原剂的还原处理，则即使向聚噻吩衍生物过量地导入醌型结构，也通过还原而使醌型结构减少，提高聚噻吩衍生物相对于有机溶剂的溶解性、分散性，因此能够稳定地制造形成均质性优异的薄膜的良好的电荷传输性清漆(有机功能墨)。

还原处理的条件只要能够将上述醌型结构还原而适当地转换为非氧化型的结构、即上述苯环型结构(例如，在包含由上述式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物中，将由上述式(1’)所表示的醌型结构转换为由上述式(1)所表示的结构)，则没有特别限制，例如，可以通过在适当的溶剂的存在下或非存在下，仅使聚噻吩衍生物、胺加成物与还原剂接触，从而进行该处理。

这样的还原剂只要适当地进行还原，则没有特别限制，例如，以市售品容易获得的氨水、肼等是适当的。

另外，就还原剂的量而言，根据要使用的还原剂的量而不同，因此不能一概而定，从适当地进行还原的观点出发，相对于应处理的聚噻吩衍生物、胺加成物100质量份，通常为0.1质量份以上，从使过量的还原剂不残留的观点出发，为10质量份以下。

作为还原处理的具体方法的一例，将聚噻吩衍生物、胺加成物在28％氨水中在室温下搅拌整夜。通过在这样的较温和的条件下的还原处理，聚噻吩衍生物、胺加成物相对于有机溶剂的溶解性、分散性充分提高。

在本发明中使用的有机功能墨中，在使用聚噻吩衍生物的胺加成物的情况下，上述还原处理可以在形成胺加成物之前进行，也可以在形成胺加成物后进行。

应予说明，通过该还原处理，聚噻吩衍生物或其胺加成物对于溶剂的溶解性、分散性发生变化，结果有时在处理开始时未溶解于反应体系中的聚噻吩衍生物或其胺加成物在处理结束时溶解。在这样的情况下，可以将与聚噻吩衍生物或其胺加成物非相容性的有机溶剂(在磺化聚噻吩的情况下为丙酮、异丙醇等)添加到反应体系中，产生聚噻吩衍生物或其胺加成物的沉淀，通过过滤等方法，回收聚噻吩衍生物或其胺加成物。

包含由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物的重均分子量优选为约1000～1000000，更优选为约5000～100000，进一步优选为约10000～约50000。通过使重均分子量为下限以上，再现性良好地得到良好的导电性，通过使重均分子量为上限以下，对于溶剂的溶解性提高。应予说明，重均分子量为基于凝胶渗透色谱法的聚苯乙烯换算值。

本发明中使用的有机功能墨所含的聚噻吩衍生物或其胺加成物可以仅为1种包含由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物，也可以为2种以上。

另外，包含由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物可以使用市售品，也可以使用采用以噻吩衍生物等为起始原料的公知的方法聚合而成的聚噻吩衍生物，在任一情况下都优选使用通过再沉淀、离子交换等方法精制的聚噻吩衍生物。通过使用精制的聚噻吩衍生物，从而能够进一步提高具备由本发明中使用的有机功能墨得到的薄膜的有机EL元件的特性。

应予说明，共轭聚合物的磺化和磺化共轭聚合物(包含磺化聚噻吩)记载于Seshadri等的美国专利第8017241号中。另外，关于磺化聚噻吩，记载于国际公开第2008/073149号及国际公开第2016/171935号中。

应予说明，包含由上述式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物的至少一部分溶解于上述的墨溶剂中。

在本发明中，在使用包含由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物的情况下，作为电荷传输性物质，可以并用该聚噻吩衍生物或其胺加成物、和除其以外的包含电荷传输性化合物的电荷传输性物质，优选仅包含含有由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物。

在使用包含由式(1)所表示的重复单元的聚噻吩衍生物或其胺加成物的情况下，考虑所希望的膜厚、清漆(墨)的粘度等，电荷传输性清漆(有机功能墨)中的电荷传输性物质的含量通常在固体成分中、在0.05～40质量％、优选为0.1～35质量％的范围内适当确定。

作为电荷传输性物质的优选的另一个方式，可以举出具有至少1个氮原子且全部氮原子具有叔芳基胺结构的叔芳基胺化合物。即，该叔芳基胺化合物具有至少1个氮原子，具有在全部氮原子上键合有3个芳族基团的结构。上述叔芳基胺化合物中，氮原子优选为2个以上。

作为叔芳基胺化合物的合适的例子，可举出由下述式(A1)或(A2)所表示的化合物等。

[化9]

式(A2)中，R^1’和R^2’各自独立地为氢原子、卤素原子、硝基或氰基、或可以被卤素原子取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基、碳原子数2～20的炔基、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。

作为卤素原子，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

碳原子数1～20的烷基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳原子数1～20的直链状或支链状烷基；环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基、双环癸基等碳原子数3～20的环状烷基等。

碳原子数2～20的烯基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、正-1-戊烯基、正-1-癸烯基、正-1-二十烯基等。

碳原子数2～20的炔基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可举出乙炔基、正-1-丙炔基、正-2-丙炔基、正-1-丁炔基、正-2-丁炔基、正-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、正-1-戊炔基、正-2-戊炔基、正-3-戊炔基、正-4-戊炔基、1-甲基-正丁炔基、2-甲基-正丁炔基、3-甲基-正丁炔基、1，1-二甲基-正丙炔基、正-1-己炔基、正-1-癸炔基、正-1-十五炔基、正-1-二十炔基等。

作为碳原子数6～20的芳基，可举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。

作为碳原子数2～20的杂芳基，可举出2-噻吩基、3-噻吩基、2-呋喃基、3-呋喃基、2-噁唑基、4-噁唑基、5-噁唑基、3-异噁唑基、4-异噁唑基、5-异噁唑基、2-噻唑基、4-噻唑基、5-噻唑基、3-异噻唑基、4-异噻唑基、5-异噻唑基、2-咪唑基、4-咪唑基、2-吡啶基、3-吡啶基、4-吡啶基等。

其中，作为R^1’和R^2’，优选氢原子、氟原子、氰基、可以被卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基、可以被卤素原子取代的碳原子数6～20的芳基、或可以被卤素原子取代的碳原子数2～20的杂芳基，更优选氢原子、氟原子、氰基、可以被卤素原子取代的碳原子数1～10的烷基、或可以被卤素原子取代的苯基，进一步优选氢原子或氟原子，氢原子是最适合的。

式(A1)和(A2)中，Ph¹为由式(P1)所表示的基团。

[化10]

式(P1)中，虚线为键合端。R³～R⁶各自独立地为氢原子、卤素原子、硝基或氰基、或者可以被卤素原子取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基、碳原子数2～20的炔基、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。作为它们的具体实例，可以举出与在R^1’和R^2’的说明中叙述的基团相同的基团。

特别地，作为R³～R⁶，优选为氢原子、氟原子、氰基、可以被卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基、可以被卤素原子取代的碳原子数6～20的芳基、或可以被卤素原子取代的碳原子数2～20的杂芳基，更优选为氢原子、氟原子、氰基、可以被卤素原子取代的碳原子数1～10的烷基、或可以被卤素原子取代的苯基，进一步优选为氢原子或氟原子，氢原子使最适合的。

作为适合作为Ph¹的基团，可列举出1，4-亚苯基，但并不限定于此。

式(A1)中，Ar¹各自独立地为由下述式(Ar1-1)～(Ar1-11)中的任一个所表示的基团，特别优选由下述式(Ar1-1’)～(Ar1-11’)中的任一个所表示的基团。

[化11]

[化12]

式(Ar1-1)～(Ar1-11)和式(Ar1-1’)～(Ar1-11’)中，虚线为键合端。R⁷～R²⁷、R³⁰～R⁵¹和R⁵³～R¹⁵⁴各自独立地为氢原子、卤素原子、硝基或氰基、或可以被卤素原子取代的、二苯基氨基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基、碳原子数2～20的炔基、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。R²⁸及R²⁹各自独立地为可被Z¹取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。R⁵²为可被Z¹取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。

Z¹为卤素原子、硝基或氰基、或者可被Z²取代的、碳原子数1～20的烷基、碳原子数2～20的烯基或碳原子数2～20的炔基。Z²为卤素原子、硝基或氰基、或者可被Z³取代的、碳原子数6～20的芳基或碳原子数2～20的杂芳基。Z³为卤素原子、硝基或氰基。

特别地，作为R⁷～R²⁷、R³⁰～R⁵¹和R⁵³～R¹⁵⁴，优选为氢原子、氟原子、氰基、可以被卤素原子取代的二苯基氨基、可以被卤素原子取代的碳原子数1～20的烷基、可以被卤素原子取代的碳原子数6～20的芳基、或可以被卤素原子取代的碳原子数2～20的杂芳基，更优选为氢原子、氟原子、氰基、可以被卤素原子取代的碳原子数1～10的烷基、或可以被卤素原子取代的苯基，进一步优选为氢原子或氟原子，氢原子是最适合的。

作为R²⁸及R²⁹，优选可以被卤素原子取代的碳原子数6～14的芳基、或可以被卤素原子取代的碳原子数2～14的杂芳基，更优选可以被卤素原子取代的苯基、或可以被卤素原子取代的萘基，进一步优选可以被卤素原子取代的苯基，更进一步优选苯基。

作为R⁵²，优选为氢原子、可以被Z¹取代的碳原子数6～20的芳基，更优选为氢原子、可以被Z¹取代的苯基或可以被Z¹取代的萘基，进一步优选为可以被Z¹取代的苯基，更进一步优选为苯基。

式(Ar1-10)、(Ar1-11)、(Ar1-10′)和(Ar1-11′)中，Ar⁴各自独立地为可被各个芳基为碳原子数6～20的芳基的二芳基氨基取代的碳原子数6～20的芳基。作为碳原子数6～20的芳基的具体实例，可以举出与上述R^1’和R^2’中说明的基团同样的基团。作为上述二芳基氨基的具体实例，可举出二苯基氨基、1-萘基苯基氨基、二(1-萘基)氨基、1-萘基-2-萘基氨基、二(2-萘基)氨基等。

作为Ar⁴，优选为苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、对(二苯基氨基)苯基、对(1-萘基苯基氨基)苯基、对(二(1-萘基)氨基)苯基、对(1-萘基-2-萘基氨基)苯基、对[二(2-萘基)氨基]苯基等，更优选为对(二苯基氨基)苯基。

式(A1)中，Ar²各自独立地为由式(Ar2-1)～(Ar2-18)中的任一个所表示的基团，特别优选由式(Ar2-1’-1)～(Ar2-18’-2)中的任一个所表示的基团。应予说明，下述式中，Ar⁴表示与上述相同的含义，DPA为二苯基氨基，虚线为键合端。

[化13]

[化14]

式(Ar2-16)、(Ar2-16’-1)及(Ar2-16’-2)中，R¹⁵⁵为氢原子、可被Z¹取代的碳原子数6～14的芳基、或可被Z¹取代的碳原子数2～14的杂芳基。作为芳基及杂芳基，可举出与在R^1’及R^2’的说明中叙述的基团同样的基团。其中，作为R¹⁵⁵，优选氢原子、可以被Z¹取代的苯基、可以被Z¹取代的1-萘基、可以被Z¹取代的2-萘基、可以被Z¹取代的2-吡啶基、可以被可被Z¹取代的苯基取代的3-吡啶基、或可以被Z¹取代的4-吡啶基，更优选可以被Z¹取代的苯基，进一步优选苯基或(2，3，5，6-四氟-4-(三氟甲基)苯基)基。

式(Ar2-17)、(Ar2-17’-1)及(Ar2-17’-2)中，R¹⁵⁶及R¹⁵⁷为可以被可被Z¹取代的苯基取代的碳原子数6～14的芳基、可以被可被Z¹取代的苯基取代的碳原子数2～14的杂芳基。作为这些芳基及杂芳基，可举出与在R^1’及R^2’的说明中叙述的基团同样的基团。其中，作为R¹⁵⁶和R¹⁵⁷，优选可以被可被Z¹取代的苯基取代的碳原子数6～14的芳基，更优选可以被可被Z¹取代的苯基取代的苯基、可以被可被Z¹取代的苯基取代的1-萘基、或可以被Z¹取代的2-萘基。

式(A2)中，Ar³为由式(Ar3-1)～(Ar3-8)中的任一个所表示的基团，特别优选由式(Ar3-1’)～(Ar3-8’)中的任一个所表示的基团。应予说明，下述式中，DPA表示与上述相同的含义，虚线为键合端。

[化15]

[化16]

式(A1)中，p为1～10的整数，从提高化合物对有机溶剂的溶解性的观点出发，优选为1～5，更优选为1～3，进一步优选为1或2，1是最合适的。式(A2)中，q为1或2。

由式(A1)所表示的苯胺衍生物和由式(A2)所表示的苯胺衍生物例如可以按照国际公开第2015/050253号中记载的方法来制造。

作为上述叔芳基胺化合物的其他合适的例子，例如可举出由下述式(A3)所表示的化合物。

[化17]

式(A3)中，r为2～4的整数。Ar¹¹为可以被取代的碳原子数6～20的r价的芳族基团。该芳族基团是从碳原子数6～20的芳族化合物的芳环上除去r个氢原子而得到的基团，特别优选由下述式(A3-1)～(A3-8)中的任一个所表示的化合物衍生的基团。

[化18]

式(A3-3)和(A3-4)中，L¹～L³各自独立地为单键、-(CR²⁰¹R²⁰²)_s-、-C(O)-、-O-、-S-、-S(O)-、-S(O₂)-或NR²⁰³-。s为1～6的整数。式(A3-5)～(A3-8)中，L⁴～L¹³各自独立地为单键、-CR²⁰¹R²⁰²-、-C(O)-、-O-、-S-、-S(O)-、-S(O₂)-或-NR²⁰³-。R²⁰¹和R²⁰²各自独立地为氢原子、或碳原子数1～20的1价烃基，R²⁰¹和R²⁰²可以相互键合并与它们所键合的碳原子一起形成环。应予说明，在-(CR²⁰¹R²⁰²)_s-中，s为2以上时，各R²⁰¹及R²⁰²可以彼此相同也可以不同。R²⁰³为氢原子或碳原子数1～20的1价烃基。

另外，上述芳族基团的氢原子的一部分或全部可以进一步被取代基取代。作为这样的取代基，可举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、硝基、氰基、羟基、氨基、硅烷醇基、硫醇基、羧基、磺酸酯基、磷酸基、磷酸酯基、酯基、硫酯基、酰胺基、1价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、磺基等，优选卤素原子、硝基、氰基、或碳原子数为1～20的1价烃基。

作为Ar¹¹，优选可以被取代的、1，4-亚苯基、芴-2，7-二基、9，9-二甲基芴-2，7-二基等，更优选可以被取代的、1，4-亚苯基、联苯-4，4’-二基。

式(A3)中，Ar¹²和Ar¹³各自独立地为可以被Z¹¹取代的碳原子数6～20的1价芳族基团，Ar¹²和Ar¹³可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成环。另外，各Ar¹²和Ar¹³可以彼此相同也可以不同。Z¹¹为卤素原子、硝基或氰基、或者可被卤素原子取代的、碳原子数1～20的1价脂肪族烃基或1价芳族基团、或聚合性基团。

作为上述1价芳族基团，可举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基等芳基等。

上述1价脂肪族烃可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基等碳原子数1～20的烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、己烯基等碳原子数2～20的烯基等。

作为上述聚合性基团，可举出由下述式所表示的基团，但并不限定于这些基团。

[化19]

(式中，虚线为键合端。)

R^g为氢原子或甲基。R^h和Rⁱ各自独立地为氢原子、或碳原子数1～6的烷基，优选为甲基、乙基。R^j、R^k及R^l各自独立地为单键、或可包含氧原子、硫原子或氮原子的碳原子数1～8的亚烷基。R^m、Rⁿ及R^o各自独立地为氢原子、或甲基、乙基、正丙基等碳原子数1～10的烷基。

Y^a和Y^b各自独立地为单键或碳原子数6～20的2价芳族基团。作为该2价芳族基团，可举出1，3-亚苯基、1，4-亚苯基、1，5-亚萘基、1，6-亚萘基、1，7-亚萘基、2，6-亚萘基、4，4’-亚联苯基等。其中，优选1，3-亚苯基、1，4-亚苯基。

Ar^a为可以具有取代基的碳原子数6～20的1价芳族基团，作为该1价芳族基团，可以举出与上述基团相同的基团。

作为Z¹¹，优选为甲基、乙基、由下述式所表示的聚合性基团等。

[化20]

/>

(式中，虚线为键合端。)

作为Ar¹²和Ar¹³，优选苯基、2-甲基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、2-乙基苯基、3-乙基苯基、4-乙基苯基、2-乙烯基苯基、3-乙烯基苯基、4-乙烯基苯基、1-萘基、2-萘基等。

由式(A3)所表示的化合物可以通过公知的方法合成，另外，也可以使用市售品。

作为上述叔芳基胺化合物的其他适合的例子，例如可举出由下述式(A4)所表示的化合物。

[化21]

式(A4)中，Ar²¹～Ar²³各自独立地为碳原子数6～20的2价芳族基团，作为该2价芳族基团，优选由上述的式(A3-1)、(A3-3)或(A3-4)所表示的化合物衍生的2价基团。

其中，作为Ar²¹～Ar²³，优选为1，4-亚苯基、联苯-4，4’-二基、三联苯-4，4”-二基等，更优选为1，4-亚苯基、联苯-4，4’-二基。

式(A4)中，Ar²⁴～Ar²⁹各自独立地为可被Z²¹取代的碳原子数6～20的1价芳族基团，作为其具体实例，可举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基等芳基等。

Z²¹为可被卤素原子、硝基或氰基取代的碳原子数1～20的1价脂肪族烃基、卤素原子、硝基、氰基、-N(Ar³⁰)(Ar³¹)或聚合性基团。

上述碳原子数1～20的1价脂肪族烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基等碳原子数1～20的烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、己烯基等碳原子数2～20的烯基等。作为上述聚合性基团，可列举出与上述基团相同的基团。

Ar³⁰和Ar³¹各自独立地为可以被Z²²取代的碳原子数6～20的芳基，它们可以相互键合并与它们所键合的氮原子一起形成环。Z²²为卤素原子、硝基或氰基、或者可被卤素原子、硝基或氰基取代的碳原子数1～20的1价脂肪族烃基。

作为上述碳原子数6～20的芳基和碳原子数1～20的1价脂肪族烃基，可以举出与上述基团相同的基团。

作为Ar³⁰及Ar³¹，优选苯基、1-萘基、2-萘基、1-联苯基等，更优选苯基、1-联苯基等。

特别地，作为-N(Ar³⁰)(Ar³¹)，优选二苯基氨基、苯基(4-联苯基)氨基、双(4-联苯基)氨基、N-咔唑基等。

作为Z²¹，优选为碳原子数1～10的烷基、-N(Ar³⁰)(Ar³¹)等。

作为Ar²⁴～Ar²⁹，优选苯基、4-联苯基、4-二苯基氨基苯基、4-苯基(4-联苯基)氨基苯基、双(4-联苯基)氨基苯基、4’-二苯基氨基-4-联苯基、4-苯基(4-联苯基)氨基-4-联苯基、4’-双(4-联苯基)氨基-4-联苯基、N-咔唑基苯基、4’-N-咔唑基-4-联苯基等。

由式(A4)所表示的化合物可以通过公知的方法合成，另外，也可以使用市售品。

作为上述叔芳基胺化合物的其他适合的例子，例如可举出由下述式(A5)所表示的化合物。

[化22]

式(A5)中，Ar⁴¹和Ar⁴²各自独立地为苯基、1-萘基或2-萘基。R³⁰¹和R³⁰²各自独立地为氢原子、各芳基为碳原子数6～20的芳基的二芳基氨基苯基、氯原子、溴原子、碘原子。作为上述芳基，可举出与式(A2)中的R^1’及R^2’的说明中所述的芳基相同的芳基。L²¹为包含丙烷-2，2-二基或1，1，1，3，3，3-六氟丙烷-2，2-二基的2价连接基团。x为1～10的整数。

由式(A5)所表示的化合物可以通过公知的方法合成，另外，也可以使用市售品。

上述叔芳基胺化合物只要具有至少1个氮原子、全部氮原子具有叔芳基胺结构，则并不限定于上述化合物。作为本发明中可使用的其他叔芳基胺化合物，例如可举出国际公开第2005/094133号中记载的芳基胺化合物、日本专利第5287455号公报中记载的具有三芳基胺部分结构和聚合性基团的聚合性化合物、日本专利第5602191号公报中记载的三芳基胺化合物、日本专利第6177771号公报的段落[0054]中记载的化合物等。

作为上述叔芳基胺化合物，优选举出以下所示的化合物，但并不限定于这些。

[化23]

[化24]

[化25]

[化26]

[化27]

[化28]

[化29]

[化30]

[化31]

[化32]

在本发明中使用的有机功能墨中，根据所得到的功能膜的用途，除了上述的电荷传输性物质等有机功能材料以外，还可以以提高其电荷传输能力等为目的而含有掺杂剂物质。

作为掺杂剂物质，只要是溶解于有机功能墨中使用的至少1种溶剂的物质就没有特别限定，可以使用无机系的掺杂剂物质、有机系的掺杂剂物质中的任一种。

另外，无机系和有机系的掺杂剂物质可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

进而，掺杂剂物质也可以是在从墨得到作为固体膜的有机功能膜的过程中，例如由于烧成时的加热等来自外部的刺激，例如分子内的一部分脱落而作为掺杂剂物质的功能初次显现或提高的物质，例如磺酸基被容易脱离的基团保护的芳基磺酸酯化合物。

芳基磺酸化合物、芳基磺酸酯化合物等有机系掺杂剂的分子量没有特别限定，若考虑与电荷传输性物质一起使用时在有机溶剂中的溶解性，则优选为4000以下，更优选为3000以下，进一步优选为2000以下。

特别地，在本发明中，作为无机系的掺杂剂物质，优选为杂多酸。

所谓杂多酸，代表性地具有由式(H1)所表示的Keggin型或由式(H2)所表示的Dawson型的化学结构所示的、杂原子位于分子的中心的结构，是作为钒(V)、钼(Mo)、钨(W)等的含氧酸的同多酸和不同种元素的含氧酸缩合而成的多酸。作为这样的不同种元素的含氧酸，主要可举出硅(Si)、磷(P)、砷(As)的含氧酸。

[化33]

作为杂多酸的具体实例，可举出磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、硅钨酸、磷钨钼酸等，它们可以单独使用，也可以组合使用2种以上。应予说明，这些杂多酸可以作为市售品获得，另外，也可以采用公知的方法合成。

特别是在使用1种杂多酸的情况下，该1种杂多酸优选磷钨酸或磷钼酸，磷钨酸是最适合的。另外，在使用2种以上的杂多酸的情况下，该2种以上的杂多酸的1个优选为磷钨酸或磷钼酸，更优选为磷钨酸。

应予说明，就杂多酸而言，在元素分析等定量分析中，即使元素的数量比通式所示的结构多或少，只要其为作为市售品获得的物质、或者按照公知的合成方法适当地合成的物质，就可以在本发明中使用。

即，例如，一般而言，磷钨酸用化学式H₃(PW₁₂O₄₀)·nH₂O表示，磷钼酸用化学式H₃(PMo₁₂O₄₀)·nH₂O表示，在定量分析中，即使该式中的P(磷)、O(氧)或W(钨)或Mo(钼)的数量多或少，只要其为作为市售品获得的物质、或者按照公知的合成方法适当合成的物质，就可以在本发明中使用。在该情况下，本发明中规定的杂多酸的质量不是合成物、市售品中的纯粹的磷钨酸的质量(磷钨酸含量)，而是意指在可作为市售品获得的形态及可采用公知的合成法分离的形态下包含水合水、其他杂质等的状态下的总质量。

就杂多酸的使用量而言，以质量比计，相对于聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物等电荷传输性物质1，可以设为0.001～50.0左右，优选为0.01～20.0左右，更优选为0.1～10.0左右。

另一方面，作为有机系的掺杂剂物质，可以使用四氰基醌二甲烷衍生物、苯醌衍生物。

作为四氰基醌二甲烷衍生物的具体实例，可列举出7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、由式(H3)所表示的卤代四氰基醌二甲烷等。

另外，作为苯醌衍生物的具体实例，可举出2，3-二氯-5，6-二氰基-1，4-苯醌(DDQ)、四氯-1，4-苯醌(氯醌)、三氟-1，4-苯醌、四氟-1，4-苯醌、四溴-1，4-苯醌、四氰基-1，4-苯醌等。其中，优选2，3-二氯-5，6-二氰基-对苯醌、三氟苯醌、四氟苯醌、四氰基苯醌，更优选DDQ、氯醌、四氟-1，4-苯醌、四氰基-1，4-苯醌，进一步优选DDQ。

[化34]

式中，R⁵⁰⁰～R⁵⁰³各自独立地表示氢原子或卤素原子，至少1个为卤素原子，优选至少2个为卤素原子，更优选至少3个为卤素原子，最优选全部为卤素原子。

作为卤素原子，可举出与上述相同的卤素原子，优选为氟原子或氯原子，更优选为氟原子。

作为这样的卤代四氰基醌二甲烷的具体实例，可举出2-氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、2，5-二氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(F4TCNQ)、四氯-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、2-氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、2-氯-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、2，5-二氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷、2，5-二氯-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷等，优选F4TCNQ。

就四氰基醌二甲烷衍生物和苯醌衍生物的使用量而言，相对于聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物等有机功能材料，优选为0.0001～100当量，更优选为0.01～50当量，进一步优选为1～20当量。

作为芳基磺酸化合物的具体实例，可举出苯磺酸、甲苯磺酸、对苯乙烯磺酸、2-萘磺酸、4-羟基苯磺酸、5-磺基水杨酸、对十二烷基苯磺酸、二己基苯磺酸、2，5-二己基苯磺酸、二丁基萘磺酸、6，7-二丁基-2-萘磺酸、十二烷基萘磺酸、3-十二烷基-2-萘磺酸、己基萘磺酸、4-己基-1-萘磺酸、辛基萘磺酸、2-辛基-1-萘磺酸、己基萘磺酸、7-己基-1-萘磺酸、6-己基-2-萘磺酸、二壬基萘磺酸、2，7-二壬基-4-萘磺酸、二壬基萘二磺酸、2，7-二壬基-4，5-萘二磺酸、国际公开第2005/000832号记载的1，4-苯并二噁烷二磺酸化合物、国际公开第2006/025342号记载的芳基磺酸化合物、国际公开第2009/096352号记载的芳基磺酸化合物等。

作为优选的芳基磺酸化合物的例子，可举出由式(H4)或(H5)所表示的芳基磺酸化合物。

[化35]

D¹表示O或S，优选为O。

D²表示萘环或蒽环，优选萘环。

D³表示2～4价的全氟联苯基，s表示D¹与D³的键合数，为满足2≤s≤4的整数，优选D³为全氟联苯二基、优选为全氟联苯-4，4’-二基，且s为2。

t表示与D²键合的磺酸基数，为满足1≤t≤4的整数，2是最适合的。

D⁴～D⁸各自独立地表示氢原子、卤素原子、氰基、硝基、碳原子数1～20的烷基、碳原子数1～20的卤代烷基、或碳原子数2～20的卤代烯基，D⁴～D⁸中至少3个为卤素原子。

作为碳原子数1～20的卤代烷基，可以举出三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、1，1，2，2，2-五氟乙基、3，3，3-三氟丙基、2，2，3，3，3-五氟丙基、1，1，2，2，3，3，3-七氟丙基、4，4，4-三氟丁基、3，3，4，4，4-五氟丁基、2，2，3，3，4，4，4-七氟丁基、1，1，2，2，3，3，4，4，4-九氟丁基等。

作为碳原子数2～20的卤代烯基，可举出全氟乙烯基、全氟丙烯基(全氟烯丙基)、全氟丁烯基等。

此外，作为卤素原子、碳原子数1～20的烷基的例子，可举出与上述同样的基团，作为卤素原子，优选氟原子。

其中，D⁴～D⁸优选为氢原子、卤素原子、氰基、硝基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的卤代烷基、或碳原子数2～10的卤代烯基，并且D⁴～D⁸中的至少3个为氟原子，更优选为氢原子、氟原子、氰基、硝基、碳原子数1～5的烷基、碳原子数1～5的氟代烷基、或碳原子数2～5的氟代烯基，并且D⁴～D⁸中的至少3个为氟原子，进一步优选为氢原子、氟原子、氰基、硝基、碳原子数1～5的全氟烷基、或碳原子数1～5的全氟烯基，并且D⁴、D⁵和D⁸为氟原子。

应予说明，全氟烷基是指烷基的氢原子全部被氟原子取代而成的基团，全氟烯基是指烯基的氢原子全部被氟原子取代而成的基团。

u表示与萘环键合的磺酸基数，为满足1≤u≤4的整数，优选为2～4，2是最适合的。

以下列举适合的芳基磺酸化合物的具体实例，但并不限定于这些。

[化36]

就芳基磺酸化合物的使用量而言，以物质量(摩尔)比计，相对于聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物等有机功能材料1，优选为0.01～20.0左右，更优选为0.4～5.0左右。

芳基磺酸化合物可以使用市售品，也可以采用国际公开第2006/025342号、国际公开第2009/096352号等中记载的公知的方法来合成。

芳基磺酸酯化合物只要是在芳环上键合有磺酸酯基的化合物，则没有特别限定。在本发明的一个优选方式中，上述芳基磺酸酯化合物的分子量优选为100以上，更优选为200以上，优选为5000以下，更优选为4000以下，进一步优选为3000以下，更进一步优选为2000以下。在本发明的一个优选方式中，上述芳基磺酸酯化合物所具有的磺酸酯基的数优选为2以上，更优选为3以上，优选为6以下，更优选为5以下。在本发明的一个优选方式中，上述芳基磺酸酯化合物优选包含被氟取代的芳环。

作为芳基磺酸酯化合物，优选由下述式(B1)或(B1’)所表示的化合物。

[化37]

式(B1)及(B1’)中，A¹为可以具有取代基的、包含1个以上的芳环的碳原子数6～20的m价烃基、或由下述式(B1a)或(B1b)所表示的化合物衍生的m价基团(即，除去由下述式(B1a)或(B1b)所表示的化合物的芳环上的m个氢原子而得到的基团)。

[化38]

(式中，W¹和W²各自独立地为-O-、-S-、-S(O)-或-S(O₂)-、或可以具有取代基的-N-、-Si-、-P-或-P(O)-。)

含有1个以上的芳环的碳原子数6～20的m价烃基是从含有1个以上的芳环的碳原子数6～20的烃中除去m个氢原子而得到的基团。作为上述含有1个以上的芳环的烃，可举出苯、甲苯、二甲苯、联苯、萘、蒽、芘等。其中，作为m价烃基，优选由苯、联苯等衍生的基团。

上述烃基的氢原子的一部分或全部可以进一步被取代基取代。作为该取代基，可举出卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、硝基、氰基、羟基、氨基、硅烷醇、硫醇、羧基、磺酸酯、磷酸、磷酸酯、酯、硫酯、酰胺、1价烃、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、磺基等。

其中，上述1价烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳原子数为1～10的烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、己烯基等碳原子数2～10的烯基；苯基、二甲苯基、甲苯基、1-萘基、2-萘基等碳原子数6～20的芳基；苄基、苯基乙基等碳原子数7～20的芳烷基等。

作为上述有机氧基的具体实例，可举出烷氧基、烯氧基、芳氧基等。作为它们中包含的烷基、烯基和芳基，可以举出与上述基团相同的基团。

作为上述有机氨基的具体实例，可举出甲基氨基、乙基氨基、丙基氨基、丁基氨基、戊基氨基、己基氨基、环己基氨基、庚基氨基、辛基氨基、壬基氨基、癸基氨基、十二烷基氨基等碳原子数1～12的烷基氨基；二甲基氨基、二乙基氨基、二丙基氨基、二丁基氨基、二戊基氨基、二己基氨基、二环己基氨基、二庚基氨基、二辛基氨基、二壬基氨基、二癸基氨基等各烷基为碳原子数1～12的烷基的二烷基氨基；吗啉代基等。

作为上述有机甲硅烷基的具体实例，可举出三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、三丙基甲硅烷基、三丁基甲硅烷基、三戊基甲硅烷基、三己基甲硅烷基、戊基二甲基甲硅烷基、己基二甲基甲硅烷基、辛基二甲基甲硅烷基、癸基二甲基甲硅烷基等各烷基为碳原子数1～10的烷基的三烷基甲硅烷基。

作为上述有机硫基的具体实例，可以举出甲硫基、乙硫基、丙硫基、丁硫基、戊硫基、己硫基、庚硫基、辛硫基、壬硫基、癸硫基、十二烷硫基等碳原子数1～12的烷硫基。

作为上述酰基，可举出甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、苯甲酰基等碳原子数1～10的酰基。

应予说明，这些1价烃基、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基及酰基的碳原子数优选为1～8。

这些各取代基中，更优选氟原子、磺酸基、烷基、有机氧基、有机甲硅烷基。

式(B1)中，A²为-O-、-S-或-NH-。其中，从合成容易的方面出发，优选-O-。

式(B1)中，A³为碳原子数6～20的(n+1)价的芳族基团。(n+1)价的芳族基团是从碳原子数6～20的芳族化合物中除去芳环上的(n+1)个氢原子而得到的基团。应予说明，在本发明中，芳族化合物意指芳族烃和芳族杂环式化合物。

作为上述芳族化合物，可举出苯、甲苯、二甲苯、联苯、萘、蒽、芘等，其中，作为由A³所表示的芳族基团，优选由萘或蒽衍生的基团。

式(B1)和(B1’)中，X¹为碳原子数2～5的亚烷基，另外，该亚烷基可以在其碳原子(碳-碳键)间存在-O-、-S-或羰基，其氢原子的一部分或全部可以进一步被碳原子数1～20的烷基取代。

作为X¹，优选亚乙基、三亚甲基、亚甲基氧基亚甲基、亚甲基硫基亚甲基等，这些基团的氢原子的一部分或全部可以进一步被碳原子数1～20的烷基取代。作为该烷基，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、双环己基等。

式(B1)和(B1’)中，X²为单键、-O-、-S-或NR-。R为氢原子或碳原子数1～10的1价烃基。作为该1价烃基，优选甲基、乙基、正丙基等烷基。

作为X²，优选单键、-O-或-S-，更优选单键或-O-。

式(B1)和(B1’)中，X³为可以被取代的碳原子数1～20的1价烃基。该1价烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、双环己基等碳原子数1～20的烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、己烯基等碳原子数2～20的烯基；苯基、二甲苯基、甲苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、2-联苯基、3-联苯基、4-联苯基等碳原子数6～20的芳基；苄基、苯基乙基、苯基环己基等碳原子数7～20的芳烷基等。另外，上述1价烃基的氢原子的一部分或全部可以进一步被取代基取代。作为该取代基，可举出与在A¹的说明中所述的基团同样的基团。作为X³，优选碳原子数1～20的烷基、或碳原子数6～20的芳基。

式(B1)和(B1’)中，m为满足1≤m≤4的整数，优选为2。n为满足1≤n≤4的整数，优选为2。

由式(B1)和(B1’)所表示的芳基磺酸酯化合物对于包括低极性溶剂的大范围的溶剂显示高溶解性，因此可以使用多种多样的溶剂来调整溶液的物性，涂布特性高。因此，优选在磺酸酯的状态下进行涂布，在涂膜的干燥时或烧成时产生磺酸。就由磺酸酯产生磺酸的温度而言，优选在室温下稳定且为烧成温度以下，因此可以为40～260℃。进而，若考虑清漆内的高稳定性和烧成时的脱离的容易性，则优选为80～230℃，更优选为120～180℃。

作为由式(B1)所表示的芳基磺酸酯化合物，优选由下述式(B1-1)～(B1-3)中的任一个所表示的化合物。

[化39]

式(B1-1)中，A¹¹为由全氟联苯衍生的m价的基团(即，从全氟联苯中除去m个氟原子而得到的基团)。A¹²为-O-或-S-，优选为-O-。A¹³为由萘或蒽衍生的(n+1)价的基团(即，从萘或蒽除去(n+1)个氢原子而得到的基团)，优选由萘衍生的基团。

式(B1-1)中，R^s1～R^s4各自独立地为氢原子、或者直链状或支链状的碳原子数1～6的烷基，R^s5为可以被取代的碳原子数2～20的1价烃基。

作为上述直链状或支链状的碳原子数1～6的烷基的具体实例，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基等。其中，优选碳原子数1～3的烷基。

上述碳原子数2～20的1价烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可举出乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基等烷基；苯基、萘基、菲基等芳基等。

R^s1～R^s4中，优选R^s1或R^s3为碳原子数1～3的直链烷基，其余为氢原子。进而，优选R^s1为碳原子数1～3的直链烷基，R^s2～R^s4为氢原子。作为上述碳原子数1～3的直链烷基，优选甲基。另外，作为R^s5，优选碳原子数2～4的直链烷基或苯基。

式(B1-1)中，m为满足1≤m≤4的整数，优选为2。n为满足1≤n≤4的整数，优选为2。

式(B1-2)中，A¹⁴为可被取代的、包含1个以上芳环的碳原子数6～20的m价的烃基。m价的烃基是从包含1个以上芳环的碳原子数6～20的烃中除去m个氢原子而得到的基团。作为烃，可举出苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、联苯、萘、蒽、菲等。

另外，上述烃基的氢原子的一部分或全部可以进一步被取代基取代，作为这样的取代基，可以举出卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)、硝基、氰基、羟基、氨基、硅烷醇、硫醇、羧基、磺酸酯、磷酸、磷酸酯、酯、硫酯、酰胺、1价烃、有机氧基、有机氨基、有机甲硅烷基、有机硫基、酰基、磺基等。其中，作为A¹⁴，优选为由苯、联苯等衍生的基团。

式(B1-2)中，A¹⁵为-O-或-S-，优选-O-。

式(B1-2)中，A¹⁶为碳原子数6～20的(n+1)价的芳族烃基。(n+1)价的芳族烃基是从碳原子数6～20的芳族烃化合物的芳环上除去(n+1)个氢原子而得到的基团。作为该芳族烃化合物，可举出苯、甲苯、二甲苯、联苯、萘、蒽、芘等。其中，作为A¹⁶，优选由萘或蒽衍生的基团，更优选由萘衍生的基团。

式(B1-2)中，R^s6和R^s7各自独立地为氢原子、或者直链状或支链状的1价脂肪族烃基。R^s8为直链状或支链状的1价脂肪族烃基。其中，R^s6、R^s7和R^s8的碳原子数的合计为6以上。R^s6、R^s7和R^s8的碳原子数的合计的上限没有特别限定，优选为20以下，更优选为10以下。

作为上述直链状或支链状的1价脂肪族烃基的具体实例，可举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正己基、正辛基、2-乙基己基、癸基等碳原子数1～20的烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、己烯基等碳原子数2～20的烯基等。

作为R^s6，优选氢原子，作为R^s7和R^s8，优选碳原子数1～6的烷基。在该情况下，R^s7和R^s8可以相同也可以不同。

式(B1-2)中，m为满足1≤m≤4的整数，优选为2。n为满足1≤n≤4的整数，优选为2。

式(B1-3)中，R^s9～R^s13各自独立地为氢原子、硝基、氰基、卤素原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数1～10的卤代烷基、或碳原子数2～10的卤代烯基。

上述碳原子数1～10的烷基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。

上述碳原子数1～10的卤代烷基只要是碳原子数1～10的烷基的氢原子的一部分或全部被卤素原子取代而成的基团，就没有特别限定。卤代烷基可以是直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出三氟甲基、2，2，2-三氟乙基、1，1，2，2，2-五氟乙基、3，3，3-三氟丙基、2，2，3，3，3-五氟丙基、1，1，2，2，3，3，3-七氟丙基、4，4，4-三氟丁基、3，3，4，4，4-五氟丁基、2，2，3，3，4，4，4-七氟丁基、1，1，2，2，3，3，4，4，4-九氟丁基等。

作为上述碳原子数2～10的卤代烯基，只要是碳原子数2～10的烯基的氢原子的一部分或全部被卤素原子取代而成的基团，就没有特别限定。作为其具体实例，可举出全氟乙烯基、全氟-1-丙烯基、全氟-2-丙烯基、全氟-1-丁烯基、全氟-2-丁烯基、全氟-3-丁烯基等。

其中，作为R^s9，优选硝基、氰基、碳原子数1～10的卤代烷基、碳原子数2～10的卤代烯基等，更优选硝基、氰基、碳原子数1～4的卤代烷基、碳原子数2～4的卤代烯基等，进一步优选硝基、氰基、三氟甲基、全氟丙烯基等。另外，作为R^s10～R^s13，优选为卤素原子，更优选为氟原子。

式(B1-3)中，A¹⁷为-O-、-S-或-NH-，优选-O-。

式(B1-3)中，A¹⁸为碳原子数6～20的(n+1)价的芳族烃基。(n+1)价的芳族烃基是从碳原子数6～20的芳族烃化合物的芳环上除去(n+1)个氢原子而得到的基团。作为上述芳族烃化合物，可举出苯、甲苯、二甲苯、联苯、萘、蒽、芘等。其中，作为A¹⁸，优选由萘或蒽衍生的基团，更优选由萘衍生的基团。

式(B1-3)中，R^s14～R^s17各自独立地为氢原子、或者直链状或支链状的碳原子数1～20的1价脂肪族烃基。上述1价脂肪族烃基可以为直链状、支链状、环状中的任一种，作为其具体实例，可以举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、环戊基、正己基、环己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基等碳原子数1～20的烷基；乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、异丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、己烯基等碳原子数2～20的烯基等。其中，优选碳原子数1～20的烷基，更优选碳原子数1～10的烷基，进一步优选碳原子数1～8的烷基。

式(B1-3)中，R^s18为直链状或支链状的碳原子数1～20的1价脂肪族烃基或OR^s19。R^s19为可以被取代的碳原子数2～20的1价烃基。

作为由R^s18所表示的直链状或支链状的碳原子数1～20的1价脂肪族烃基，可举出与在R^s14～R^s17的说明中所述的基团同样的基团。在R^s18为1价脂肪族烃基的情况下，作为R^s18，优选碳原子数1～20的烷基，更优选碳原子数1～10的烷基，进一步优选碳原子数1～8的烷基。

作为由R^s19所表示的碳原子数2～20的1价烃基，除了上述1价脂肪族烃基中甲基以外的基团，还可举出苯基、萘基、菲基等芳基等。其中，作为R^s19，优选碳原子数2～4的直链烷基或苯基。应予说明，作为上述1价烃基可具有的取代基，可以举出氟原子、碳原子数1～4的烷氧基、硝基、氰基等。

式(B1-3)中，n为满足1≤n≤4的整数，优选为2。

作为由式(B1-3)所表示的芳基磺酸酯化合物，特别优选由下述式(B1-3-1)或(B1-3-2)所表示的化合物。

[化40]

式(B1-3-1)和(B1-3-2)中，A¹⁷、A¹⁸、R^s9～R^s17、R^s19和n表示与上述相同的含义。R^s20为直链状或支链状的碳原子数1～20的1价脂肪族烃基，作为其具体实例，可举出与在R^s18的说明中所述的基团同样的基团。

由式(B1-3-1)所表示的芳基磺酸酯化合物中，在R^s14～R^s17中，优选R^s14或R^s16为碳原子数1～3的直链烷基，其余为氢原子。进而，优选R^s14为碳原子数1～3的直链烷基，R^s15～R^s17为氢原子。作为该碳原子数1～3的直链烷基，优选甲基。另外，作为R^s19，优选碳原子数2～4的直链烷基或苯基。

由式(B1-3-2)所表示的芳基磺酸酯化合物中，R^s14、R^s16及R^s20的碳原子数的合计优选为6以上。R^s14、R^s16和R^s20的碳原子数的合计的上限优选为20以下，更优选为10以下。这种情况下，作为R^s14，优选氢原子，作为R^s16和R^s20，优选碳原子数为1～6的烷基。另外，R^s16和R^s20可以彼此相同也可以不同。

由式(B1)所表示的芳基磺酸酯化合物可以单独使用1种，也可以组合使用2种以上。

作为适合的芳基磺酸酯化合物的具体实例，可列举出以下所示的化合物，但并不限定于这些。

[化41]

[化42]

就由式(B1)所表示的芳基磺酸酯化合物而言，例如能够如下述方案A所示，通过使由式(B1A)所表示的磺酸盐化合物与卤化剂反应，合成由下述式(B1B)所表示的磺酰卤化合物(以下也称为工序1)；使该磺酰卤化合物与由式(B1C)所表示的化合物反应(以下也称为工序2)而合成。

[化43]

(式中，A¹～A³、X¹～X³、m和n表示与上述相同的含义。M⁺为钠离子、钾离子、吡啶鎓离子、季铵离子等1价阳离子。Hal为氯原子、溴原子等卤素原子。)

由式(B1A)所表示的磺酸盐化合物可以按照公知的方法合成。

作为工序1中使用的卤化剂，可举出亚硫酰氯、草酰氯、氧氯化磷、氯化磷(V)等卤化剂，优选亚硫酰氯。卤化剂的使用量只要相对于磺酸盐化合物为1倍摩尔以上，就没有限定，优选使用相对于磺酸盐化合物以质量比计为2～10倍的量。

作为工序1中使用的反应溶剂，优选不与卤化剂反应的溶剂，可以举出氯仿、二氯乙烷、四氯化碳、己烷、庚烷等。另外，在无溶剂下也能够进行反应，在该情况下，优选以在反应结束时成为均匀系溶液的量以上使用卤化剂。另外，为了促进反应，可以使用N，N-二甲基甲酰胺等催化剂。可以将反应温度设为0～150℃左右，优选为20～100℃、且为使用的卤化剂的沸点以下。反应结束后，通常将通过减压浓缩等得到的粗产物用于下一工序。

作为由式(B1C)所表示的化合物，例如可举出丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、丙二醇单苯基醚、乙二醇单丁基醚、乙二醇单己基醚等二醇醚类；2-乙基-1-己醇、2-丁基-1-辛醇、1-辛醇、3-壬醇等醇类等。

在工序2中，可以并用碱。作为可使用的碱，可举出氢化钠、吡啶、三乙胺、二异丙基乙胺等，氢化钠、吡啶、三乙胺是合适的。碱的使用量相对于磺酰卤化合物为1倍摩尔～溶剂量是合适的。

作为工序2中使用的反应溶剂，可以使用各种有机溶剂，四氢呋喃、二氯乙烷、氯仿、吡啶是合适的。对反应温度没有特别限定，0～80℃是合适的。反应结束后，可以使用减压浓缩、分液萃取、水洗、再沉淀、重结晶、色谱法等常规方法进行后处理、精制，得到纯的芳基磺酸酯化合物。应予说明，可以通过对得到的纯的芳基磺酸酯化合物实施热处理等，导入高纯度的磺酸化合物。

另外，如下述方案B所示，也可由式(B1D)所表示的磺酸化合物合成由式(B1)所表示的芳基磺酸酯化合物。应予说明，在下述方案B中，第1段和第2段的反应中使用的卤化剂、由式(B1C)所表示的化合物、反应溶剂及其它成分可以使用与方案A中的工序1和2同样的物质。

[化44]

(式中，A¹～A³、X¹～X³、Hal、m和n表示与上述相同的含义。)

由式(B1D)所表示的磺酸化合物可以按照公知的方法合成。

由式(B1’)所表示的芳基磺酸酯化合物可以按照以往公知的方法，例如日本专利第5136795号公报中记载的方法来合成。

就芳基磺酸酯化合物的使用量而言，以物质量(摩尔)比计，相对于聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物等有机功能材料1，优选为0.01～20.0左右，更优选为0.05～15左右。

特别地，在本发明中，在电荷传输性物质为聚噻吩衍生物的情况下，若考虑提高将有机功能墨采用喷墨法涂布于形成于基板的隔壁内时的膜的平坦性等，则作为掺杂剂物质，优选使用芳基磺酸化合物、芳基磺酸酯化合物中的至少1种，更优选使用芳基磺酸化合物。

另外，在电荷传输性物质为由上述式(A1)或(A2)所表示的叔芳基胺化合物那样的单分散的电荷传输性有机化合物的情况下，从与上述同样的观点出发，作为掺杂剂物质，优选使用含有芳基磺酸酯化合物、和卤代四氰基醌二甲烷或者卤代或氰代苯醌的掺杂剂物质。

在这种情况下，芳基磺酸酯化合物的含量相对于卤代四氰基醌二甲烷、或者卤代或氰代苯醌，以摩尔比计，通常为成为0.01～50左右的量，优选为成为0.1～20左右的量，更优选为成为1.0～10左右的量。另外，就掺杂剂物质的合计含量而言，掺杂剂相对于电荷传输性物质的含量之比(D/H)以摩尔比计，通常为成为0.01～50左右的量，优选为成为0.1～10左右的量，更优选为成为1.0～5.0左右的量。

进而，在本发明中使用的有机功能墨中，可以含有1种以上的金属氧化物纳米粒子。纳米粒子意指一次粒子的平均粒径为纳米级(典型地为500nm以下)的微粒。金属氧化物纳米粒子意指成型为纳米粒子的金属氧化物。

金属氧化物纳米粒子的一次粒径只要是纳米尺寸就没有特别限定，优选为2～150nm，更优选为3～100nm，进一步优选为5～50nm。应予说明，粒径是使用基于BET法的氮吸附等温线的测定值。

构成上述金属氧化物纳米粒子的金属除了通常意义上的金属以外，也包括半金属。

作为通常意义上的金属，没有特别限定，优选使用选自锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、锆(Zr)、锌(Zn)、铌(Nb)、钽(Ta)和W(钨)中的1种或2种以上。

另一方面，所谓半金属，意指化学和/或物理性质为金属与非金属的中间的元素。虽然未确立半金属的普遍定义，但在本发明中，将硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)及碲(Te)共计6元素作为半金属。这些半金属可以单独使用，也可以将2种以上组合使用，另外，也可以与通常意义上的金属组合使用。

特别地，金属氧化物纳米粒子优选包含选自硼(B)、硅(Si)、锗(Ge)、砷(As)、锑(Sb)、碲(Te)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、锆(Zr)、锌(Zn)、铌(Nb)、钽(Ta)及W(钨)中的1种或2种以上的金属的氧化物。应予说明，在金属为2种以上的组合的情况下，金属氧化物可以是各个单独的金属的氧化物的混合物，也可以是包含多个金属的复合氧化物。

作为金属氧化物的具体实例，可举出B₂O₃、B₂O、SiO₂、SiO、GeO₂、GeO、As₂O₄、As₂O₃、As₂O₅、Sb₂O₃、Sb₂O₅、TeO₂、SnO₂、ZrO₂、Al₂O₃、ZnO等，但优选B₂O₃、B₂O、SiO₂、SiO、GeO₂、GeO、As₂O₄、As₂O₃、As₂O₅、SnO₂、SnO、Sb₂O₃、TeO₂及它们的混合物，更优选SiO₂。

对金属氧化物纳米粒子的量没有特别限定，从提高所得到的薄膜的透明性的观点、提高膜的均匀性的观点等出发，固体成分中，其下限值通常为50质量％、优选为60质量％、更优选为65质量％，其上限值通常为95质量％、优选为90质量％。

特别地，在本发明中，作为金属氧化物纳米粒子，使用SiO₂纳米粒子分散于分散介质而成的二氧化硅溶胶是合适的。

作为二氧化硅溶胶，没有特别限定，可以从公知的二氧化硅溶胶中适当选择使用。

市售的二氧化硅溶胶通常处于分散液的形态。作为市售的二氧化硅溶胶，可举出SiO₂纳米粒子分散在各种溶剂、例如水、甲醇、甲乙酮、甲基异丁基酮、N，N-二甲基乙酰胺、乙二醇、异丙醇、甲醇、乙二醇单丙基醚、环己酮、乙酸乙酯、甲苯、丙二醇单甲基醚乙酸酯等中而成的溶胶。

作为市售的二氧化硅溶胶的具体实例，可举出日产化学(株)制造的Snowtex(注册商标)ST-O、ST-OS、ST-O-40、ST-OL、日本化学工业(株)制造的SILICADOL 20、30、40等水分散二氧化硅溶胶；日产化学(株)制造的甲醇二氧化硅溶胶、MA-ST-M、MA-ST-L、IPA-ST、IPA-ST-L、IPA-ST-ZL、EG-ST等有机二氧化硅溶胶等，但并不限定于这些。

另外，二氧化硅溶胶的固体成分浓度也没有特别限定，优选为5～60质量％，更优选为10～50质量％，进一步优选为15～30质量％。

应予说明，为了进一步提高抑制因墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差的效果，优选根据需要将二氧化硅溶胶的溶剂用丙二醇等具有适于墨溶剂的性质的溶剂置换而使用。

就所使用的二氧化硅溶胶的量而言，以最终墨中所含的二氧化硅的量成为上述金属氧化物纳米粒子的配混量的方式，考虑其浓度而适当确定。

另外，在本发明中使用的有机功能墨中，出于调整所得到的薄膜的膜物性等目的，可以含有有机硅烷化合物。作为有机硅烷化合物，可以举出二烷氧基硅烷化合物、三烷氧基硅烷化合物或四烷氧基硅烷化合物。特别地，作为有机硅烷化合物，优选二烷氧基硅烷化合物或三烷氧基硅烷化合物，更优选三烷氧基硅烷化合物。有机硅烷化合物可以单独使用1种或组合使用2种以上。

在使用有机硅烷化合物的情况下，其使用量在固体成分中通常为0.1～50质量％左右，若考虑所得到的薄膜的平坦性的提高、抑制电荷传输性等期望的性质的降低等的平衡，则优选为0.5～40质量％左右，更优选为0.8～30质量％左右，进一步优选为1～20质量％左右。

本发明中使用的有机功能墨的固体成分浓度通常为0.1～20.0质量％左右，若考虑提高墨的涂布性，则优选为0.5～10.0质量％左右，更优选为1.0～5.0质量％左右。固体成分浓度考虑制造的功能膜的厚度等而适当设定。

有机功能墨的粘度根据利用喷墨法滴下的液滴的量等而不同，因此不能一概而定，通常在25℃下为15cP(mPa·s)以下，优选为10cP(mPa·s)以下。

另外，有机功能墨的表面张力通常在25℃下为20～50mN/m，优选为25～45mN/m，更优选为37～42mN/m。

可以考虑所希望的膜厚等各种要素，通过改变上述的墨溶剂的种类、它们的比率、固体成分浓度等来调整有机功能墨的粘度和表面张力。

在本发明中，作为有机功能墨的制备方法，没有特别限定，例如可举出使上述聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物等有机功能材料溶解于含有低挥发性高粘度溶剂的墨溶剂(混合溶剂)中的方法；使有机功能材料溶解于构成墨溶剂的任一溶剂后，将除此以外的溶剂混合的方法等。

另外，在使用掺杂剂物质等其他成分的情况下，其添加顺序也是任意的。

应予说明，在制备有机功能墨时，从再现性良好地得到平坦性更高的薄膜的观点出发，期望在使有机功能材料、掺杂剂物质等溶解于有机溶剂后，使用亚微米级的过滤器等进行过滤。

作为涂布上述的有机功能墨的带隔壁的基板，只要是采用公知的光致抗蚀剂法等形成有给定的图案的基板，就没有特别限定。应予说明，通常在基板上存在多个由隔壁规定的开口部。

通常，开口部的大小为长边100～250μm、短边40～100μm，围堰锥度角度为20～80°。

作为基板的材质，没有特别限定，在本发明中，可以举出作为电子元件的阳极材料使用的以铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)为代表的透明电极材料；由以铝、金、银、铜、铟等为代表的金属、或者它们的合金等构成的金属阳极材料；具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物等聚合物阳极材料等，优选进行了平坦化处理的材料。

利用喷墨装置将上述的有机功能墨采用喷墨法涂布于带隔壁的基板的隔壁内后，进行减压，进而根据需要进行加热，由此能够从涂布于隔壁内的有机功能墨中除去溶剂而制造有机功能膜，从而制造带有机功能膜的基板，进而，通过在该有机功能膜上层叠其他的功能膜，从而能够制造有机EL元件等电子元件。

此时，对喷墨涂布时及涂布后的加热、烧成气氛没有特别限定，可以为大气气氛、氮气等非活性气体气氛、减压下的任一种，根据与聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物等有机功能材料一起使用的掺杂剂物质的种类，有时通过在大气气氛下进行加热、烧成，从而再现性良好地得到具有良好特性的功能膜。

就减压时的减压度(真空度)而言，只要墨溶剂蒸发就没有特别限制，在本发明中，通常为1000Pa以下，优选为100Pa以下，更优选为50Pa以下，进一步优选为25Pa以下，更进一步优选为10Pa以下。

就减压时间而言，只要溶剂蒸发，就没有特别限制，通常为0.1～60分钟左右，优选为1～30分钟左右。

另外，在加热、烧成的情况下，就其温度而言，考虑所得到的功能膜的用途、溶剂的种类、沸点等，在100～260℃左右的范围内适当设定，在使用上述聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物作为有机功能材料、将所得到的功能膜用作有机EL元件的空穴注入层的情况下，从提高该功能膜的电荷传输性的观点出发，优选为140～250℃左右，更优选为145～240℃左右。

应予说明，在加热、烧成时，出于显现更高的均匀成膜性、或使反应在基板上进行的目的，可以赋予2个阶段以上的温度变化。加热例如使用加热板、烘箱等适当的设备进行即可。

对本发明中制造的有机功能膜的膜厚没有特别限定，在作为有机EL元件的空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层等设置于阳极与发光层之间的功能层使用的情况下，优选为5～300nm。作为改变膜厚的方法，有改变有机功能墨中的固体成分浓度、改变涂布时的基板上的墨量等方法。

如上所述，本发明中制造的电子元件具备带有机功能膜的基板，该带有机功能膜的基板通过在带隔壁的基板的隔壁内利用喷墨法涂布包含有机功能材料和以给定比例含有低挥发性高粘度溶剂的墨溶剂的有机功能墨，对其进行减压以除去溶剂而制造，作为其具体实例，可以举出具备带有机功能膜的基板和在其上形成的各种功能膜的电子元件，该基板具有一对电极，在其至少一个电极的表面形成给定图案的隔壁，为在该隔壁内部利用喷墨法涂布上述有机功能墨等制造而成。

特别地，就本发明中制造的电子元件而言，形成有上述隔壁的电极为阳极、上述有机功能膜为形成在该阳极上的空穴注入层、空穴注入传输层的、具有以下(a)～(f)的构成的有机EL元件是合适的，但并不限定于这些。

由包含上述聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物的有机功能墨制造的有机功能膜在有机EL元件中可用作空穴注入层、空穴传输层、空穴注入传输层，在本发明中，由于采用喷墨法涂布在形成于阳极上的隔壁内，因此用作空穴注入层或空穴注入传输层，特别适合用作空穴注入层。

(a)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极

(b)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入传输层/阴极

(c)阳极/空穴注入传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极

(d)阳极/空穴注入传输层/发光层/电子注入传输层/阴极

(e)阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极

(f)阳极/空穴注入传输层/发光层/阴极

应予说明，在上述各构成中，根据需要，也可以在发光层与阳极之间设置电子阻挡层等，在发光层与阴极之间设置空穴(空穴)阻挡层等。另外，空穴注入层、空穴传输层或空穴注入传输层可以兼具作为电子阻挡层等的功能，电子注入层、电子传输层或电子注入传输层也可以兼具作为空穴(空穴)阻挡层等的功能。进而，在本发明中，除了在阳极与空穴注入层或空穴注入传输层之间以外，也可以根据需要在各层间设置任意的功能层。

“空穴注入层”、“空穴传输层”及“空穴注入传输层”是在发光层与阳极之间形成的层，具有将空穴从阳极传输至发光层的功能，在发光层与阳极之间仅设置1层空穴传输性材料的层的情况下，其为“空穴注入传输层”，在发光层与阳极之间设置2层以上的空穴传输性材料的层的情况下，接近阳极的层是“空穴注入层”，除此以外的层是“空穴传输层”。特别地，空穴注入(传输)层使用不仅来自阳极的空穴接受性优异、而且向空穴传输(发光)层的空穴注入性也优异的薄膜。

“电子注入层”、“电子传输层”及“电子注入传输层”是在发光层与阴极之间形成的层，具有将电子从阴极传输至发光层的功能，在发光层与阴极之间仅设置1层电子传输性材料的层的情况下，其为“电子注入传输层”，在发光层与阴极之间设置2层以上的电子传输性材料的层的情况下，接近阴极的层是“电子注入层”，除此以外的层是“电子传输层”。

“发光层”是具有发光功能的有机层，在采用掺杂体系的情况下，包含主体材料和掺杂剂材料。此时，主体材料主要具有促进电子与空穴的再结合、将激子封入发光层内的功能，掺杂剂材料具有使通过再结合而得到的激子高效地发光的功能。在磷光元件的情况下，主体材料具有将主要由掺杂剂生成的激子封入发光层内的功能。

作为使用包含上述聚噻吩衍生物、芳基胺衍生物的有机功能墨来制造有机EL元件时的使用材料、制造方法，可列举出下述这样的材料、方法，但并不限定于这些。

具有包含由上述有机功能墨得到的薄膜的空穴注入层的OLED元件的制造方法的一个例子如下所述。应予说明，就电极而言，优选在不对电极造成不良影响的范围内预先进行采用醇、纯水等的清洗、利用UV臭氧处理、氧-等离子体处理等的表面处理。

在预先形成有给定图案的隔壁的阳极基板上，采用上述方法，使用上述有机功能墨形成空穴注入层。将其导入真空蒸镀装置内，依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层/空穴阻挡层、电子注入层、阴极金属。或者，使用含有空穴传输性高分子的空穴传输层形成用组合物和含有发光性高分子的发光层形成用组合物采用湿法形成这些层代替在该方法中通过蒸镀形成空穴传输层和发光层。应予说明，根据需要，可以在发光层与空穴传输层之间设置电子阻挡层。

作为阳极材料，可举出以铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)为代表的透明电极、由以铝为代表的金属、或它们的合金等构成的金属阳极，优选进行了平坦化处理的阳极材料。也可以使用具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物。

应予说明，作为构成金属阳极的其他金属，可举出金、银、铜、铟、它们的合金等，但并不限定于这些。

作为形成空穴传输层的材料，可举出(三苯基胺)二聚物衍生物、[(三苯基胺)二聚物]螺二聚物、N，N’-双(萘-1-基)-N，N’-双(苯基)-联苯胺(α-NPD)、4，4’，4”-三[3-甲基苯基(苯基)氨基]三苯基胺(m-MTDATA)、4，4’，4”-三[1-萘基(苯基)氨基]三苯基胺(1-TNATA)等三芳基胺类、5，5”-双-{4-[双(4-甲基苯基)氨基]苯基}-2，2’:5’，2”-三联噻吩(BMA-3T)等低聚噻吩类等。

作为形成发光层的材料，可举出8-羟基喹啉的铝络合物等金属络合物、10-羟基苯并[h]喹啉的金属络合物、双苯乙烯基苯衍生物、双苯乙烯基亚芳基衍生物、(2-羟基苯基)苯并噻唑的金属络合物、噻咯衍生物等低分子发光材料；在聚(对苯乙炔)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1，4-苯乙炔]、聚(3-烷基噻吩)、聚乙烯基咔唑等高分子化合物中将发光材料和电子移动材料混合而成的体系等。

另外，在通过蒸镀形成发光层的情况下，可以与发光性掺杂剂共蒸镀，作为发光性掺杂剂，可以举出三(2-苯基吡啶)铱(III)(Ir(ppy)₃)等金属络合物、红荧烯等并四苯衍生物、喹吖啶酮衍生物、苝等稠合多环芳族环等。

作为形成电子传输层/空穴阻挡层的材料，可举出噁二唑衍生物、三唑衍生物、菲咯啉衍生物、苯基喹喔啉衍生物、苯并咪唑衍生物、嘧啶衍生物等。

作为形成电子注入层的材料，可以举出氧化锂(Li₂O)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al₂O₃)等金属氧化物、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)的金属氟化物等。

作为阴极材料，可举出铝、镁-银合金、铝-锂合金等。

作为形成电子阻挡层的材料，可举出三(苯基吡唑)铱等。

作为空穴传输性高分子，可举出聚[(9，9-二己基芴基-2，7-二基)-共聚-(N，N’-双{对丁基苯基}-1，4-二氨基亚苯基)]、聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共聚-(N，N’-双{对丁基苯基}-1，1’-亚联苯基-4，4-二胺)]、聚[(9，9-双{1’-戊烯-5’-基}芴基-2，7-二基)-共聚-(N，N’-双{对丁基苯基}-1，4-二氨基亚苯基)]、用聚倍半硅氧烷封端的聚[N，N’-双(4-丁基苯基)-N，N’-双(苯基)-联苯胺]、聚[(9，9-二辛基芴基-2，7-二基)-共聚-(4，4’-(N-(对丁基苯基))二苯基胺)]等。

作为发光性高分子，可列举出聚(9，9-二烷基芴)(PDAF)等聚芴衍生物、聚(2-甲氧基-5-(2’-乙基己氧基)-1，4-苯乙炔)(MEH-PPV)等聚苯乙炔衍生物、聚(3-烷基噻吩)(PAT)等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑(PVCz)等。

构成阳极和阴极以及形成于它们之间的层的材料根据制造具备底部发光结构还是顶部发光结构的元件而不同，因此考虑这点而适当选择材料。

通常，在底部发光结构的元件中，在基板侧使用透明阳极，从基板侧射出光，与此相对，在顶部发光结构的元件中，使用包含金属的反射阳极，从位于与基板相反方向的透明电极(阴极)侧射出光，因此，例如对于阳极材料而言，在制造底部发光结构的元件时使用ITO等透明阳极，在制造顶部发光结构的元件时使用Al/Nd等反射阳极。

应予说明，为了防止特性恶化，有机EL元件也可以按照常规方法，根据需要与捕水剂等一起进行密封。

根据以上说明的本发明，由于使用含有给定的低挥发性高粘度溶剂的有机功能墨，因此即使在涂布后放置一定时间，更具体而言，即使通常放置最大30分钟左右，在优选的方式中，即使放置最大40分钟左右，在更优选的方式中，即使放置最大50分钟左右，在进一步优选的方式中，即使放置最大1小时左右，在更进一步优选的方式中，即使放置最大2小时左右，在再进一步优选的方式中，即使放置最大3小时左右，得到的涂膜的形状也难以变化，在隔壁内，能够抑制因墨涂布的时刻的不同而引起的有机功能层的形状的偏差，能够高效地制造具有平坦性良好的有机功能膜的带有机功能膜的基板。

进而，由于这样的特征，例如在量产工序中，在对面板的全部墨涂布结束之后到使墨干燥为止的待机时间较长的情况下、在面板间该待机时间不同的情况下等，也能够抑制因全部墨涂布结束后的经时、直至墨涂布结束的面板间的墨干燥为止的待机时间的不同而引起的有机功能层的形状的偏差。

在本发明中，如上所述，能够制造平坦性良好的有机功能膜，作为平坦性指数，能够实现如下的优异的均匀性：通常为33％以下，在优选的方式中为25％以下，在更优选的方式中为19％以下，在进一步优选的方式中为13％以下，在更进一步优选的方式中为10％以下，在再进一步优选的方式中为6％以下。

应予说明，平坦性指数可以用将隔壁(围堰)的膜厚设为A(μm)、将开口部中央的膜厚设为B(μm)时的|A-B|/B×100(％)的式子算出。

在本发明中，如上所述，即使在涂布后放置一定时间，所得到的涂膜的形状也难以变化，能够稳定地制造平坦性良好的有机功能膜，作为留置稳定指数，能够实现如下的高的留置稳定性：通常为0.130，在优选的方式中为0.110，在更优选的方式中为0.090，在进一步优选的方式中为0.070，在更进一步优选的方式中为0.050，在再进一步优选的方式中为0.030。

应予说明，就留置稳定性指数而言，对于涂膜经放置的电荷传输性薄膜和涂膜未放置的电荷传输性薄膜，分别计算将隔壁的开口部中央的膜厚设为B(μm)、将隔壁的开口部最端部与开口部中央的中央的膜厚设为C(μm)时的C/B，可以作为两者之差的绝对值算出。

本发明的带有机功能膜的基板及电子元件的制造方法，如上所述，适合用于制造采用喷墨法形成空穴注入层或空穴注入传输层的电子元件，除此以外，在有机光电转换元件、有机薄膜太阳能电池、有机钙钛矿光电转换元件、有机集成电路、有机场效应晶体管、有机薄膜晶体管、有机发光晶体管、有机光学检查器、有机光接收器、有机电场消光元件、发光电子化学电池、量子点发光二极管、量子激光器、有机激光二极管及有机等离子体发光元件等电子元件的制造时，也可以在采用喷墨法形成电荷传输性薄膜的情况下利用。

实施例

以下列举合成例、制造例、制备例、实施例及比较例对本发明进行更具体的说明，但本发明并不限定于下述的实施例。

在本实施例中，使用的装置如下所述。

(1)加热减压装置：柴田科学(株)制造钟罩型真空烘箱BV-001型

(2)喷墨装置：Cluster Technologies(株)制造专用驱动器WAVE BUILDER(型号：PIJD-1)、带照相机的观测装置inkjetlado、自动台Inkjet Designer及喷墨头PIJ-25NSET

(3)膜厚测定及表面形状测定：(株)小坂研究所制造微细形状测定机SurfcorderET-4000A

在本实施例中，使用的试剂如下所述。

MMA：甲基丙烯酸甲酯

HEMA：甲基丙烯酸2-羟基乙酯

HPMA：甲基丙烯酸4-羟基苯酯

HPMA-QD：通过甲基丙烯酸4-羟基苯酯1mol与1，2-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酰氯1.1mol的缩合反应合成的化合物

CHMI：N-环己基马来酰亚胺

PFHMA：甲基丙烯酸2-(全氟己基)乙酯

MAA：甲基丙烯酸

AIBN：α，α’-偶氮二异丁腈

QD1：通过α，α，α’-三(4-羟基苯基)-1-乙基-4-异丙基苯1mol与1，2-萘醌-2-二叠氮基-5-磺酰氯1.5mol的缩合反应合成的化合物

GT-401：丁烷四羧酸四(3，4-环氧环己基甲基)酯修饰ε-己内酯(商品名：EpoleadGT-401，(株)大赛璐制造)

PGME：丙二醇单甲基醚

PGMEA：丙二醇单甲基醚乙酸酯

CHN：环己酮

TMAH：四甲基氢氧化铵

[1]带隔壁(围堰)的基板的制造

(1)丙烯酸系聚合物的合成

[合成例1]

将MMA 10.0g、HEMA 12.5g、CHMI 20.0g、HPMA 2.50g、MAA 5.00g及AIBN 3.20g溶解于PGME 79.8g，在60～100℃下反应20小时，由此得到丙烯酸系聚合物P1溶液(固体成分浓度40质量％)。得到的丙烯酸系聚合物P1的Mn为3700，Mw为6100。

[合成例2]

将HPMA-QD 2.50g、PFHMA 7.84g、MAA 0.70g、CHMI 1.46g及AIBN 0.33g溶解于CHN51.3g，在110℃下反应20小时，由此得到丙烯酸系聚合物P2溶液(固体成分浓度20质量％)。得到的丙烯酸系聚合物P2的Mn为4300，Mw为6300。

应予说明，丙烯酸系聚合物P1和P2的数均分子量(Mn)和重均分子量(Mw)采用基于下述条件的凝胶渗透色谱法(GPC)进行测定。

·色谱仪：(株)岛津制作所制造的GPC装置LC-20AD

·色谱柱：将Shodex KF-804L、803L(均为昭和电工(株)制造)和TSK-GEL(东曹(株)制造)串联连接

·柱温：40℃

·检测器：UV检测器(254nm)和RI检测器

·洗脱液：四氢呋喃

·柱流速：1mL/分钟

(2)正型感光性树脂组合物的制造

[制造例1]

将合成例1中得到的丙烯酸系聚合物P1溶液5.04g、合成例2中得到的丙烯酸系聚合物P2溶液0.05g、QD1 0.40g、GT-401 0.09g和PGMEA 6.42g混合，在室温下搅拌3小时，制成均匀的溶液，得到正型感光性树脂组合物。

(3)带隔壁(围堰)的基板的制造

[制造例2]

在使用(株)TECHNOVISION制造的UV-312进行10分钟臭氧清洗后的ITO-玻璃基板上，使用旋涂机，涂布制造例1中得到的正型感光性树脂组合物后，将带涂膜的基板在加热板上进行预烘烤(100℃、120秒)，形成膜厚1.2μm的薄膜。对该薄膜，隔着描绘有多个长边200μm、短边100μm的长方形的图案的掩模，利用佳能(株)制造的紫外线照射装置PLA-600FA，使用波长365nm的紫外线，以175mJ/cm²进行曝光。接着，将薄膜在1.0质量％TMAH水溶液中浸渍120秒进行显影后，使用超纯水进行20秒薄膜的流水清洗。接着，对形成有该长方形图案(开口部)的薄膜进行后烘烤(230℃、30分钟)而使其固化，制造带隔壁的基板。

[2]化合物的合成

[制造例3-1]

将含有重复单元为由上述式(1a)所表示的重复单元的聚合物即聚噻吩衍生物的水分散液(固体成分浓度0.6质量％)500g与三乙胺0.9g混合，将得到的混合物通过旋转蒸发而干燥固化。然后，将得到的干燥物在真空烘箱中、在50℃下进一步干燥一晚，得到4g在磺酸基加成有胺的聚噻吩衍生物A。

[制造例3-2]

使制造例3-1中得到的聚噻吩衍生物A 2.00g溶解于28％氨水(纯正化学(株)制造)100mL中，将得到的溶液在室温下搅拌整夜。将得到的反应混合物供于采用丙酮1500mL的再沉淀处理，通过过滤回收析出物。使得到的析出物再次溶解于水20mL和三乙胺(东京化成工业(株)制造)7.59g中，在60℃下搅拌1小时。将得到的反应混合物冷却后，进行利用异丙醇1000mL和丙酮500mL的混合溶剂的再沉淀处理，通过过滤回收析出物。将得到的析出物在减压下、50℃下减压干燥1小时，得到经胺处理的聚噻吩衍生物胺加成物1.30g。

[制造例3-3]

按照国际公开第2006/025342号记载的方法，合成由式(b-1)所表示的芳基磺酸化合物B。

[化45]

[3]有机功能墨用组合物的制备

[制备例1]

制备含有20质量％的芳基磺酸化合物B的丙二醇溶液。将芳基磺酸化合物B加入丙二醇中，使用热搅拌器将得到的混合物在50℃下搅拌2小时，由此制备该溶液。

[制备例2]

将日产化学(株)制造的Snowtex(注册商标)OS(平均一次粒径为8～11nm的二氧化硅水分散溶胶)的分散介质即水用三丙二醇进行置换，得到使分散介质为三丙二醇的二氧化硅浓度为21.5质量的二氧化硅分散液。

[4]溶剂的挥发性试验

使用以下的方法算出使用的有机溶剂的溶剂残存率。

将约0.04g的有机溶剂量取到铝盘(φ5×5、Cat.No.8579，(株)Rigaku制造)中，与铝盘一起称量有机溶剂的重量(质量Wt(B))。然后，将该铝盘置于加热减压装置内的加热器上后，立即盖上装置的玻璃盖，用真空泵对内部进行减压，由此进行1分钟的加热减压处理。应予说明，用于减压的真空泵的减压度在10秒后为1000Pa，在20秒后为450Pa，在30秒后为300Pa，在40秒后为210Pa，在50秒后为150Pa，在60秒后为140Pa。另外，加热减压装置内的加热器设定为150℃。

在1分钟的加热减压处理后，立即取出铝盘并自然冷却，与铝盘一起称量有机溶剂的重量(质量Wt(A))。

使用通过上述方法求出的质量Wt(B)和质量Wt(A)，按照[质量Wt(A)/质量Wt(B)]×100的式子算出溶剂残存率(％)。将结果示于表1。

[表1]

表1中的粘度是在25℃下采用东机产业(株)制造的、TVE-25型粘度计测定的值。

[5]有机功能墨(电荷传输性清漆)的制备

[实施例1-1]

将制造例3-2中得到的经胺处理的聚噻吩衍生物胺加成物0.030g放入丙二醇0.92g和2-乙基己胺0.048g中，使用热搅拌器在80℃下搅拌3小时。

向得到的混合物中加入三丙二醇1.07g、碳酸亚丙酯4.25g、二乙二醇单异丁基醚1.93g和2-乙酰胺基乙醇0.49g，使用搅拌器在室温下搅拌10分钟。

向得到的混合物中加入制备例1中得到的溶液0.30g和制备例2中得到的二氧化硅分散液0.98g，在室温下进一步搅拌后，用孔径0.2μm的PP注射器式过滤器过滤，得到电荷传输性清漆。应予说明，构成清漆的溶剂中的低挥发性高粘度溶剂即2-乙酰胺基乙醇的含有比例为5.0质量％。

[实施例1-2]

除了使用N-(羟基乙基)乳酰胺来代替2-乙酰胺基乙醇以外，采用与实施例1-1同样的方法得到电荷传输性清漆。应予说明，构成清漆的溶剂中的低挥发性高粘度溶剂即N-(羟基乙基)乳酰胺的含有比例为5.0质量％。

[实施例1-3]

除了将经胺处理的聚噻吩衍生物胺加成物的使用量设为0.030g，将丙二醇的使用量设为0.86g，将三丙二醇的使用量设为0.97g，将碳酸亚丙酯的使用量设为4.02g，将二乙二醇单异丁基醚的使用量设为1.83g，将2-乙酰胺基乙醇的使用量设为0.97g以外，采用与实施例1-1同样的方法得到电荷传输性清漆。应予说明，构成清漆的溶剂中的低挥发性高粘度溶剂即2-乙酰胺基乙醇的含有比例为10.0质量％。

[比较例1-1～1-4]

除了分别使用2，4-二乙基-1，5-戊二醇(比较例1-1)、甘油(比较例1-2)、3-甲基-1，5-戊二醇(比较例1-3)、或2-乙基-1，3-己二醇(比较例1-4)代替2-乙酰胺基乙醇以外，采用与实施例1-1同样的方法得到电荷传输性清漆。

[比较例1-5]

将制造例3-2中得到的经胺处理的聚噻吩衍生物胺加成物0.030g放入丙二醇0.98g和2-乙基己胺0.048g中，使用热搅拌器在80℃下搅拌3小时。

在得到的混合物中加入三丙二醇1.16g、碳酸亚丙酯4.47g和二乙二醇单异丁基醚2.03g，使用搅拌器在室温下搅拌10分钟。

向得到的混合物中加入制备例1中得到的溶液0.30g和制备例2中得到的二氧化硅分散液0.98g，在室温下进一步搅拌后，用孔径0.2μm的PP注射器式过滤器过滤，得到电荷传输性清漆。

[6]利用喷墨涂布的带有机功能膜(电荷传输性薄膜)的基板的制造和平坦性指数的计算

对制造例2中得到的带隔壁的基板上的长方形的开口部(膜形成区域)，使用喷墨装置，将开口部中央的电荷传输性薄膜的目标膜厚设定为60nm，分别喷出实施例1-1～1～3和比较例1-1～1-5中得到的电荷传输性清漆，将得到的涂膜以10Pa以下的减压度(真空度)减压干燥15分钟后，使用加热板在230℃下加热30分钟，形成电荷传输性薄膜。

观察得到的各电荷传输性薄膜的截面的形状和膜厚，求出隔壁内的膜的均匀性的程度、即平坦性指数。将结果示于表2。

应予说明，以将开口部隔壁(围堰)的膜厚设为A(μm)、将开口部中央的膜厚设为B(μm)时的|A-B|/B×100(％)求出平坦性指数。该数值越大，平坦性越差。表2的值与长轴有关。

[表2]

如表2所示，可知使用含有以给定比例含有作为低挥发性高粘度溶剂的2-乙酰胺基乙醇和N-(羟基乙基)乳酰胺的墨溶剂的有机功能墨，通过喷墨涂布在隔壁内制造的有机功能膜中，与比较例的有机功能膜相比平坦性指数低，得到平坦性良好的电荷传输性薄膜。

[7]伴随着留置的利用喷墨涂布的带有机功能膜(电荷传输性薄膜)的基板的制造和留置稳定性的确认

[实施例3-1～3-2和比较例3-1]

对制造例2中得到的带隔壁的基板上的长方形的开口部(膜形成区域)，使用喷墨装置，将开口部中央的电荷传输性薄膜的目标膜厚设定为60nm，分别喷出实施例1-1、实施例1-3和比较例1-5中得到的电荷传输性清漆，将得到的涂膜放置20分钟。将放置的涂膜以10Pa以下的减压度(真空度)减压干燥15分钟后，使用加热板在230℃下加热30分钟，形成电荷传输性薄膜。

观察得到的各电荷传输性薄膜的截面的形状和膜厚，与涂膜未放置的情况(实施例2-1、实施例2-3和比较例2-5)进行比较，求出膜形状的变化的程度、即留置稳定性指数。将结果示于表3。

应予说明，就留置稳定性指数而言，对于涂膜经放置的电荷传输性薄膜和涂膜未放置的电荷传输性薄膜，分别计算将开口部中央的膜厚设为B(μm)、将开口部最端部与开口部中央的中央的膜厚设为C(μm)时的C/B，作为两者之差的绝对值而求出。该数值越大，则留置稳定性越差。表3的值与长轴有关。

[表3]

如表3所示，可知使用含有以给定比例含有作为低挥发性高粘度溶剂的2-乙酰胺基乙醇和N-(羟基乙基)乳酰胺的墨溶剂的有机功能墨，通过喷墨涂布在隔壁内制造的有机功能膜中，即使在将涂膜放置给定时间的情况下，留置稳定性也良好，膜形状的经时变化也小。

Claims (14)

1.带有机功能膜的基板的制造方法，其为具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、以及该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板的制造方法，其特征在于，包括：

利用喷墨法将包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂的有机功能墨涂布于所述隔壁内的工序；

通过减压从涂布在所述隔壁内的有机功能墨中除去溶剂而形成有机功能膜的工序，

所述低挥发性高粘度溶剂在25℃下的粘度为200mPa·s以上，

在150℃下加热所述低挥发性高粘度溶剂的同时用1分钟从常压减压至140Pa的情况下，该低挥发性高粘度溶剂的残存率为80质量％以上，

所述溶剂中的所述低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上。

2.根据权利要求1所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度有机溶剂为由下述式(S1)所表示的化合物，

[化1]

式中，R表示可以被羟基或碳原子数1～10的烷氧基取代的、碳原子数1～10的1价烃基，R’表示2价烃基。

3.根据权利要求2所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述R表示可以被羟基取代的碳原子数1～5的烷基，所述R’表示碳原子数1～5的亚烷基。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂为选自2-乙酰胺基乙醇和N-(2-羟基乙基)乳酰胺中的至少1种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述溶剂中的所述低挥发性高粘度溶剂的含量为5.0质量％以上。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述溶剂仅包含沸点180℃以上且比所述低挥发性高粘度溶剂挥发性高且粘度低的溶剂作为除所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂。

7.根据权利要求6所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂以15～40质量％的比例含有亲水性二醇系溶剂。

8.根据权利要求6所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂以30～50质量％的比例含有25℃下的表面张力为40mN/m以下的溶剂。

9.根据权利要求6所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述低挥发性高粘度溶剂以外的溶剂含有60～85质量％的25℃下的粘度为10mPa·s以下的溶剂。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的带有机功能膜的基板的制造方法，其中，所述有机功能材料为芳基胺衍生物或聚噻吩衍生物。

11.电子元件的制造方法，其包括：在采用根据权利要求1～10中任一项所述的制造方法得到的带有机功能膜的基板上进一步制造有机功能层的工序。

12.喷墨法用墨，其为在制造具有基板、在该基板上规定开口部的隔壁、以及在该隔壁内的有机功能膜的带有机功能膜的基板时利用喷墨法涂布于所述隔壁内的喷墨法用墨，其特征在于，

包含有机功能材料和含有低挥发性高粘度溶剂的溶剂，

所述低挥发性高粘度溶剂在25℃下的粘度为200mPa·s以上，

在150℃下加热所述低挥发性高粘度溶剂的同时用1分钟从常压减压至140Pa的情况下，该低挥发性高粘度溶剂的残存率为80质量％以上，

所述溶剂中的所述低挥发性高粘度溶剂的含量为2.5质量％以上。

13.喷墨法用墨，其中，所述低挥发性高粘度有机溶剂为由下述式(S1)所表示的化合物，

[化2]

式中，R表示可以被羟基或碳原子数1～10的烷氧基取代的、碳原子数1～10的1价烃基，R’表示2价烃基。

14.根据权利要求13所述的喷墨法用墨，其中，所述R表示被羟基取代的碳原子数为1～5的烷基，所述R’表示碳原子数为1～5的亚烷基。