CN116151183A - 芯片版图三维建模方法、系统、存储介质及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种芯片版图三维建模方法、系统、存储介质及电子设备。该方法包括：确定芯片版图的建模区域，并获取芯片版图上位于建模区域内的第一图形和第二图形，第一图形覆盖所述第二图形，第一图形用于定义出刻蚀的形状，第二图形用于定义出沉积的形状；确定建模区域与第一图形不重叠的特征区域；在三维空间中确定基准面，在基准面上以特征区域为底面构建第一厚度的第一图块；在基准面上以第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据第二图形在建模区域内的位置将第二图块放置于基准面上，得到三维版图模型。本发明可以解决现有技术中二维版图不能满足三维尺度分析的问题，能够将二维版图转换为三维模型，便于直观地进行三维尺度分析。

Description

芯片版图三维建模方法、系统、存储介质及电子设备

技术领域

本发明涉及芯片版图设计领域，特别是涉及一种芯片版图三维建模方法、系统、存储介质及电子设备。

背景技术

芯片版图是芯片制备的依据，对于一些芯片，需要通过刻蚀工艺在平面上制作出凹槽等刻蚀结构以及通过沉积工艺在平面上制作出薄膜等沉积结构，相应的，在芯片版图设计中，需要绘制表示刻蚀范围的图形以及表示沉积范围的图形。然而，由于芯片版图的所有图形都绘制在一个平面上，是一个二维版图，二维版图的可视化程度低，无法直观地进行三维尺度上的分析来检查版图的准确性，只能依靠人为主观判断芯片版图上的刻蚀结构和沉积结构在水平方向和垂直方向上的位置。如果能够将二维版图转换为三维模型，就可以更加主观地进行三维尺度上的分析，但是，目前，市面上支持绘制芯片版图的软件并不支持这种功能，因此，亟需实现能够将二维版图转换为三维模型的功能。

发明内容

本发明的目的是提供一种芯片版图三维建模方法、系统、存储介质及电子设备，以解决现有技术中二维版图不能满足三维尺度分析的问题，能够将二维版图转换为三维模型，便于直观地进行三维尺度分析。

为解决上述技术问题，本发明提供一种芯片版图三维建模方法，包括：

确定芯片版图的建模区域，并获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第一图形和第二图形，所述第一图形覆盖所述第二图形，所述第一图形用于定义出刻蚀的形状，所述第二图形用于定义出沉积的形状；

确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域；

在三维空间中确定基准面，在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的第一图块；

在所述基准面上以所述第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据所述第二图形在建模区域内的位置将所述第二图块放置于所述基准面上，得到三维版图模型。

优选的，所述芯片版图上还具有位于建模区域内与所述第一图形互不相交的第三图形，所述第三图形用于定义出沉积的形状，所述方法还包括：

获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第三图形；

在所述基准面上以所述第三图形为底面构建第三厚度的第三图块，并根据所述第三图形在建模区域内的位置将所述第三图块放置于所述第一图块上。

优选的，所述确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域的步骤，包括：

对所述建模区域和所述第一图形进行布尔相减运算得到所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域。

优选的，所述在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的第一图块的步骤，包括：

在所述基准面上构建与所述特征区域形状相同的特征底面；

按照第一厚度在垂直所述基准面的方向上对所述特征底面进行几何拉伸，得到第一图块。

优选的，所述方法还包括：

在所述基准面上以所述建模区域为底面构建预设厚度的地基图块；

将所述地基图块的底面与所述第一图块的底面对齐，并将所述第一图块放置于所述地基图块上。

优选的，所述在所述基准面上以所述建模区域为底面构建预设厚度的地基图块的步骤，包括：

在所述基准面上构建与所述建模区域形状相同的基础底面；

按照预设厚度在垂直所述基准面的方向上对所述基础底面进行几何拉伸，得到地基图块。

优选的，所述方法还包括：

获取三维坐标参数，所述三维坐标参数用于定义出剖视空间；

根据所述三维坐标参数在所述三维空间中构建剖视图块；

对所述三维版图模型和所述剖视图块进行布尔相减运算得到所述三维版图模型与剖视图块不重叠的部分。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种芯片版图三维建模系统，包括：

图形获取模块，用于确定芯片版图的建模区域，并获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第一图形和第二图形，所述第一图形覆盖所述第二图形，所述第一图形用于定义出刻蚀的形状，所述第二图形用于定义出沉积的形状；

图形确定模块，用于确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域；

第一构建模块，用于在三维空间中确定基准面，在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的第一图块；

第二构建模块，用于在所述基准面上以所述第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据所述第二图形在建模区域内的位置将所述第二图块放置于所述基准面上，得到三维版图模型。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被设置为运行时执行前述任一项所述的芯片版图三维建模方法。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行前述任一项所述的芯片版图三维建模方法。

区别于现有技术的情况，本发明提供的芯片版图三维建模方法通过获取芯片版图上位于建模区域内的第一图形和第二图形，然后确定建模区域与第一图形不重叠的特征区域，先在三维空间的基准面上以特征区域为底面构建第一图块，再以第二图形为底面构建第二图块，并根据第二图形在建模区域内的位置将第二图块放置于基准面上，得到三维版图模型，从而能够将二维版图转换为三维模型，便于直观地进行三维尺度分析。

本发明提供的芯片版图三维建模系统、存储介质及电子设备，与芯片版图三维建模方法属于同一发明构思，因此具有相同的有益效果，在此不再赘述。

附图说明

图1为本发明实施例提供的芯片版图三维建模方法的流程示意图。

图2为芯片版图上建模区域与第一图形、第二图形的位置关系示意图。

图3为在基准面上构建的第一图块的示意图。

图4为三维空间中第二图块、第三图块与第一图块的位置关系示意图。

图5为图1所示的三维建模方法中步骤S3的具体流程示意图。

图6为在基准面上构建的特征底面的示意图。

图7为在图1所示的三维建模方法中步骤S4或步骤S6之后的流程示意图。

图8为在基准面上构建的地基图块与第一图块的位置关系示意图。

图9为在图7所示的三维建模方法中步骤S7的具体流程示意图。

图10为本发明另一实施例提供的芯片版图三维建模方法的流程示意图。

图11为三维版图模型与剖视图块的位置关系示意图。

图12为三维版图模型与剖视图块进行布尔相减运算后的示意图。

图13为本发明又一实施例提供的芯片版图三维建模系统的原理框图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或者位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

请参考图1，本发明实施例提供了一种芯片版图三维建模方法，该方法包括以下步骤：

S1：确定芯片版图的建模区域，并获取芯片版图上位于建模区域内的第一图形和第二图形，第一图形覆盖第二图形，第一图形用于定义出刻蚀的形状，第二图形用于定义出沉积的形状。

其中，建模区域是表示建模范围的区域，建模区域可以是整个芯片版图，也可以是芯片版图的某一部分。考虑到芯片版图通常在一个矩形界面上绘制，因此建模区域的形状优选为矩形。

建模区域可以根据用户的操作来确定，例如用户输入四个顶点的坐标，根据四个顶点的坐标将四个顶点顺次连接形成矩形框，矩形框所围合而成的区域则为建模区域，或者用户在芯片版图上手动选择两个顶点，将两个顶点作为对角顶点形成矩形框，矩形框所围合而成的区域则为建模区域，再或者用户在芯片版图上进行框选操作，根据框选操作形成矩形框，矩形框所围合而成的区域则为建模区域。

无论建模区域如何确定，需要确保第一图形位于建模区域内。第一图形表示刻蚀的形状，也就是芯片上被刻蚀部分的形状，虽然在芯片版图上是一个具体的图形，但是在芯片上对应的是一个被刻蚀掉的刻蚀结构。第二图形表示沉积的形状，表示需要通过沉积工艺在芯片上形成一个薄膜等的沉积结构。并且按照第一图形的刻蚀工艺顺序在按照第二图形的沉积工艺顺序之前。

如图2所示，图中矩形框BOX表示建模区域，图形A表示第一图形，图形B表示第二图形，第一图形A覆盖第二图形B，且均位于建模区域BOX内。

S2：确定建模区域与第一图形不重叠的特征区域。

其中，建模区域是芯片版图的一部分，也是一个图形，第一图形在建模区域内，因此，两者之间存在重叠的部分和不重叠的部分，特征区域就是不重叠的部分。也就是说，特征区域是一个中间镂空的图形。如图2所示，图中阴影填充的部分表示特征区域。

在本实施例中，特征区域可以通过布尔运算来确定。具体而言，确定建模区域与第一图形不重叠的特征区域的步骤为：对建模区域和第一图形进行布尔相减运算得到建模区域与第一图形不重叠的特征区域。其中，布尔运算在计算机领域是一种逻辑运算，包括逻辑上布尔类型的与并否操作，而在计算机几何上，它代表的是多边形或多面体之间的集合与并或非等操作。布尔相减运算是计算两个图形的差集，是布尔非运算。

S3：在三维空间中确定基准面，在基准面上以特征区域为底面构建第一厚度的第一图块。

其中，三维空间是一个3D显示界面，基准面是三维空间的一个平面，该平面可以是三维坐标系XYZ中XY坐标轴所在的平面，也可以是XZ坐标轴所在的平面，还可以是YZ坐标轴所在的平面，或者可以是自定义的平面。在创建或者调用三维空间后，需要确定一个基准面，在基准面上构建的第一图块是一个上下表面平行、高度为第一厚度的结构体。第一厚度是用户设定或者默认的建模厚度。

第一图块的上下表面形状与特征区域的形状相同。由于特征区域的中间镂空，所以刻蚀图块的中间为中空，与实际芯片的物理结构一致。如图3所示，图中的三维结构体D1表示第一图块，第一图块D1构建在XY平面上，第一图块D1的俯视形状与建模区域相同，高度为第一厚度h1，第一图块D1直观地展示出刻蚀后的三维结构。

S4：在基准面上以第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据第二图形在建模区域内的位置将第二图块放置于基准面上，得到三维版图模型。

其中，在基准面上构建的第二图块是一个上下表面平行、高度为第二厚度的结构体。第二厚度是用户设定或者默认的建模厚度。由于第一图形覆盖第二图形，第二图块位于第一图块的中空范围内，对应实际芯片的物理结构，第二图块不能悬空，所以将第二图块放置于第一图块中空范围内的基准面上。如图4所示，图中的三维结构体D2表示第二图块，第二图块D2的俯视形状与第二图形相同，第二图块D2的高度为第二厚度h2，第二图块D2直观地展示出经过沉积工艺后的三维结构。

通过上述方式，本发明实施例的芯片版图三维建模方法将表示刻蚀形状的图形和沉积形状的图形从二维平面图形转换为三维立体图形，可以直观地展示出刻蚀和沉积后的三维结构，从而本发明能够将二维版图转换为三维模型，便于直观地进行三维尺度分析。而且本发明先确定去除第一图形后的区域作为底面，然后在对底面进行几何拉伸得到中空的三维立体图形，而不是直接建立建模区域的三维立体图形，再进行对三维立体图形进行挖空，可以大幅减少计算资源，提高三维视图性能。

在本申请的一些实施例中，请再次参考图1，芯片版图上还具有位于建模区域内与所述第一图形互不相交的第三图形，第三图形用于定义出沉积的形状。按照第三图形的沉积工艺顺序在按照第二图形的沉积工艺顺序之后。芯片版图三维建模方法还包括：

S5：获取芯片版图上位于建模区域内的第三图形。

其中，在确定建模区域时，需要确保第一图形和第三图形位于建模区域内。第三图形表示沉积的形状，表示需要通过沉积工艺在芯片上形成一个薄膜等的沉积结构。如图3所示，建模区域BOX内还具有第三图形C，第三图形C与第一图形A邻接，但是互不重叠。

S6：在基准面上以第三图形为底面构建第三厚度的第三图块，并根据第三图形在建模区域内的位置将第三图块放置于第一图块上。

其中，第三图块是一个上下表面平行、高度为第三厚度的结构体，第三图块的上下表面的形状与第三图形相同。第三厚度是用户设定或者默认的建模厚度。

第三图形位于特征区域外，因此，第三图块刚好避开第一图块的中空范围，对应实际芯片的物理结构，第三图块放置于第一图块上，如图4所示，图中的三维结构体D3表示第三图块，第三图块D3避开第一图块D1的中空范围(也就是被刻蚀的范围)，位于第一图块D1上，第三图块D3的俯视形状与第三图形相同，第三图块D3的高度为第三厚度h3，第三图块D3直观地展示出经过沉积工艺后的三维结构。

在本申请的一些实施例中，请参考图5，在基准面上以特征区域为底面构建第一厚度的第一图块的步骤，即步骤S3包括：

S31：在基准面上构建与特征区域形状相同的特征底面。

其中，特征底面与特征区域的形状相同，特征底面也是一个二维平面图形，区别在于特征底面在三维空间中构建。如图6所示，三维空间坐标系XYZ的XY平面上构建了特征底面U1。

S32：按照第一厚度在垂直基准面的方向上对特征底面进行几何拉伸，得到第一图块。

其中，特征底面是由很多点构成的，对每个点进行几何拉伸就是将点变换成线，线的长度为第一厚度，每个点变换的线就构成第一图块。如图3所示，对特征底面U1进行几何拉伸后，得到第一图块D1，第一图块D1的上下表面的形状均与特征底面U1相同，第一图块D1的高度为第一厚度h1。

在本申请的一些实施例中，请参考图7，在前述步骤S4或者步骤S6之后，芯片版图三维建模方法还包括：

S7：在基准面上以建模区域为底面构建预设厚度的地基图块。

S8：将地基图块的底面与第一图块的底面对齐，并将第一图块放置于地基图块上。

由于芯片版图通常不会绘制芯片衬底，而实际中器件结构都是形成在衬底上，为了更加真实地显示器件结构，本实施例构建地基图块来表示衬底。地基图块是一个上下表面平行、高度为预设厚度的结构体，上下表面的形状均与建模区域相同。如图8所示，图中的三维结构体F表示地基图块，地基图块F的厚度为h，第一图块D1放置于地基图块F上，两者上下对齐相互贴合。

进一步的，请参考图9，在基准面上以建模区域为底面构建预设厚度的地基图块的步骤，即步骤S7包括：

S71：在基准面上构建与建模区域形状相同的基础底面。

S72：按照预设厚度在垂直基准面的方向上对基础底面进行几何拉伸，得到地基图块。

其中，地基图块与前述第一图块一样，都是通过几何拉伸得到。

请参考图10，本发明另一实施例提供了一种芯片版图三维建模方法。本实施例的三维建模方法以前述实施例的三维建模方法为基础，包括前述实施例的三维建模方法的全部技术特征，不同之处在于，本实施例的三维建模方法还包括以下步骤：

S91：获取三维坐标参数，三维坐标参数用于定义出剖视空间。

其中，三维坐标参数可以从外部输入数据获取，例如用户输入多个顶点的三维坐标信息，或者用户在三维空间中通过鼠标选定多个点，进而确定多个点的三维坐标信息。

S92：根据三维坐标参数在三维空间中构建剖视图块。

其中，三维坐标参数定义出剖视空间，在构建剖视图块后，剖视图块就作为剖视空间的三维结构体。

S93：对三维版图模型和剖视图块进行布尔相减运算得到三维版图模型与剖视图块不重叠的部分。

其中，布尔相减运算是计算两个多面体的差集，是布尔非运算。通过剖视图块，可以实现对三维模型内部进行检查。如图11所示，图中由虚线绘制的图块P表示剖视图块，剖视图块P的上表面与第三图块D3的上表面在同一平面。如图12所示，剖视图块P与三维版图模型进行布尔相减运算后，得到三维版图模型与剖视图块不重叠的部分。

请参考图13，本发明又一实施例提供了一种芯片版图三维建模系统。该系统包括：

图形获取模块1用于确定芯片版图的建模区域，并获取芯片版图上位于建模区域内的第一图形和第二图形，第一图形覆盖第二图形，第一图形用于定义出刻蚀的形状，第二图形用于定义出沉积的形状。其中，建模区域是表示建模范围的区域，建模区域可以是整个芯片版图，也可以是芯片版图的某一部分。考虑到芯片版图通常在一个矩形界面上绘制，因此建模区域的形状优选为矩形。

建模区域可以根据用户的操作来确定，例如用户输入四个顶点的坐标，根据四个顶点的坐标将四个顶点顺次连接形成矩形框，矩形框所围合而成的区域则为建模区域，或者用户在芯片版图上手动选择两个顶点，将两个顶点作为对角顶点形成矩形框，矩形框所围合而成的区域则为建模区域，再或者用户在芯片版图上进行框选操作，根据框选操作形成矩形框，矩形框所围合而成的区域则为建模区域。

无论建模区域如何确定，需要确保第一图形位于建模区域内。第一图形表示刻蚀的形状，也就是芯片上被刻蚀部分的形状，虽然在芯片版图上是一个具体的图形，但是在芯片上对应的是一个被刻蚀掉的刻蚀结构。第二图形表示沉积的形状，表示需要通过沉积工艺在芯片上形成一个薄膜等的沉积结构。并且按照第一图形的刻蚀工艺顺序在按照第二图形的沉积工艺顺序之前。

图形确定模块2用于确定建模区域与第一图形不重叠的特征区域。其中，建模区域是芯片版图的一部分，也是一个图形，第一图形在建模区域内，因此，两者之间存在重叠的部分和不重叠的部分，特征区域就是不重叠的部分。也就是说，特征区域是一个中间镂空的图形。如图2所示，图中阴影填充的部分表示特征区域。

第一构建模块3用于在三维空间中确定基准面，在基准面上以特征区域为底面构建第一厚度的第一图块。其中，三维空间是一个3D显示界面，基准面是三维空间的一个平面，该平面可以是三维坐标系XYZ中XY坐标轴所在的平面，也可以是XZ坐标轴所在的平面，还可以是YZ坐标轴所在的平面，或者可以是自定义的平面。在创建或者调用三维空间后，需要确定一个基准面，在基准面上构建的第一图块是一个上下表面平行、高度为第一厚度的结构体。第一厚度是用户设定或者默认的建模厚度。

第一图块的上下表面形状与特征区域的形状相同。由于特征区域的中间镂空，所以刻蚀图块的中间为中空，与实际芯片的物理结构一致。

第二构建模块4用于在基准面上以第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据第二图形在建模区域内的位置将第二图块放置于基准面上，得到三维版图模型。其中，在基准面上构建的第二图块是一个上下表面平行、高度为第二厚度的结构体。第二厚度是用户设定或者默认的建模厚度。由于第一图形覆盖第二图形，第二图块位于第一图块的中空范围内，对应实际芯片的物理结构，第二图块不能悬空，所以将第二图块放置于第一图块中空范围内的基准面上。

本实施例的三维建模系统还可以包括前述芯片版图三维建模方法的其他技术特征，实现前述实施例的三维建模方法的所有方法步骤，具有与前述实施例的三维建模方法相同的技术效果，此处不再赘述。

本发明还提供一种存储介质，存储介质中存储有计算机程序，计算机程序被设置为运行时执行前述任一实施例的芯片版图三维建模方法。

具体的，在本实施例中，上述存储介质可以包括但不限于：U盘、只读存储器(Read-Only Memory，简称为ROM)、随机存取存储器(Random Access Memory，简称为RAM)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储计算机程序的介质。

本发明还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，处理器被设置为运行计算机程序以执行任一实施例的芯片版图三维建模方法。

具体的，存储器和处理器可以通过数据总线连接。此外，上述电子装置还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”或“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。

上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种芯片版图三维建模方法，其特征在于，包括：

确定芯片版图的建模区域，并获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第一图形和第二图形，所述第一图形覆盖所述第二图形，所述第一图形用于定义出刻蚀的形状，所述第二图形用于定义出沉积的形状；

确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域；

在三维空间中确定基准面，在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的第一图块；

在所述基准面上以所述第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据所述第二图形在建模区域内的位置将所述第二图块放置于所述基准面上，得到三维版图模型。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芯片版图上还具有位于建模区域内与所述第一图形互不相交的第三图形，所述第三图形用于定义出沉积的形状，所述方法还包括：

获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第三图形；

在所述基准面上以所述第三图形为底面构建第三厚度的第三图块，并根据所述第三图形在建模区域内的位置将所述第三图块放置于所述第一图块上。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域的步骤，包括：

对所述建模区域和所述第一图形进行布尔相减运算得到所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的第一图块的步骤，包括：

在所述基准面上构建与所述特征区域形状相同的特征底面；

按照第一厚度在垂直所述基准面的方向上对所述特征底面进行几何拉伸，得到第一图块。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述基准面上以所述建模区域为底面构建预设厚度的地基图块；

将所述地基图块的底面与所述第一图块的底面对齐，并将所述第一图块放置于所述地基图块上。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述基准面上以所述建模区域为底面构建预设厚度的地基图块的步骤，包括：

在所述基准面上构建与所述建模区域形状相同的基础底面；

按照预设厚度在垂直所述基准面的方向上对所述基础底面进行几何拉伸，得到地基图块。

7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

获取三维坐标参数，所述三维坐标参数用于定义出剖视空间；

根据所述三维坐标参数在所述三维空间中构建剖视图块；

对所述三维版图模型和所述剖视图块进行布尔相减运算得到所述三维版图模型与剖视图块不重叠的部分。

8.一种芯片版图三维建模系统，其特征在于，包括：

图形获取模块，用于确定芯片版图的建模区域，并获取所述芯片版图上位于所述建模区域内的第一图形和第二图形，所述第一图形覆盖所述第二图形，所述第一图形用于定义出刻蚀的形状，所述第二图形用于定义出沉积的形状；

图形确定模块，用于确定所述建模区域与所述第一图形不重叠的特征区域；

第一构建模块，用于在三维空间中确定基准面，在所述基准面上以所述特征区域为底面构建第一厚度的第一图块；

第二构建模块，用于在所述基准面上以所述第二图形为底面构建第二厚度的第二图块，并根据所述第二图形在建模区域内的位置将所述第二图块放置于所述基准面上，得到三维版图模型。

9.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被设置为运行时执行权利要求1至7任一项所述的芯片版图三维建模方法。

10.一种电子设备，其特征在于，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行权利要求1至7任一项所述的芯片版图三维建模方法。

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