CN116145100B - 一种高温超导材料的激光镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及高温超导材料技术领域，特别是涉及一种高温超导材料的激光镀膜方法。包括：获取需镀膜高温超导材料的需求参数，根据需求参数设定镀膜工作参数；在镀膜过程中采集镀膜基片的实时状态参数，根据实时状态参数修正镀膜工作参数；获取当前批次的镀膜基片镀膜时间和镀膜基片不合格率，根据镀膜时间和镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数。根据需镀膜高温超导材料的需求参数设定预期的沉积速率和镀膜基片的半径控制整体的镀膜速率，并通过调整靶基距和压强满足其预设的沉积速率，提高正常的生产效率，在保镀膜质量的前提下，降低镀膜时间。提高脉冲激光镀膜的生产质量。提高制备过程中高温超导带材的生产速度与均匀性。

Description

一种高温超导材料的激光镀膜方法

技术领域

本申请涉及高温超导材料技术领域，特别是涉及一种高温超导材料的激光镀膜方法。

背景技术

YBCO高温超导带材的激光镀膜是指将脉冲激光束聚焦在靶材上，在高能激光束作用下，靶表面材料被加热、熔化、气化最终形成温度很高压强很大的等离子体，而且这个等离子体会以极快的速度在特定的方向发生膨胀，形成羽辉，这时激光等离子体中的粒子以较高的能量到达衬底表面，形成YBCO薄膜。

采用溅射法制备YBCO超导薄膜具有薄膜附着性好、工艺重复性和稳定性好、设备简单易操作等优点，定制备两面一致、面内均匀、性能优异的大面积双面高温超导薄膜。但是倒筒靶溅射镀膜的沉积速率较低，一方面长时间的成膜过程加重了基片与薄膜间的互扩散导致薄膜性能的衰退，另一方面低沉积速率意味着时间成本较大，造成生产成本浪费。因此如何提高薄膜的沉积速率并且保证薄膜的优异性能成为现阶段溅射法制备YBCO薄膜亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是：为解决上述技术问题，本申请提供了一种高温超导材料的激光镀膜方法，旨在提高高温超导材料制备过程中带材的镀膜速度与镀膜均匀性。

本申请的一些实施例中，根据需镀膜高温超导材料的需求参数设定预期的沉积速率和镀膜基片的半径控制整体的镀膜速率，并通过调整靶基距和压强满足其预设的沉积速率，提高正常的生产效率，在保镀膜质量的前提下，降低镀膜时间。

本申请的一些实施例中，通过监测实时的镀膜厚度生成镀膜不均匀度，并根据镀膜不均匀度动态修正镀膜极片的旋转速度和压强，及时进行调整，保证镀膜均匀性，从而提高脉冲激光镀膜的生产质量。提高制备过程中高温超导带材的生产速度与均匀性。

本申请的一些实施例中，提供了一种高温超导材料的激光镀膜方法，包括：

获取需镀膜高温超导材料的需求参数，根据所述需求参数设定镀膜工作参数；

在镀膜过程中采集镀膜基片的实时状态参数，根据所述实时状态参数修正镀膜工作参数；

获取当前批次的镀膜基片镀膜时间和镀膜基片不合格率，根据所述镀膜时间和所述镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数。

本申请的一些实施例中，根据所述需求参数设定镀膜工作参数时，包括：

获取所述需镀膜高温超导材料的数量和镀膜总时间，根据数量设定镀膜总批次，根据所述镀膜总批次和所述镀膜总时间设定单批次镀膜时间和镀膜基片半径；

根据所述单批次镀膜时间设定镀膜沉积速率，根据所述镀膜沉积速率设定靶基距和镀膜基片旋转速度，并根据所述镀膜基片半径修正所述靶基距和镀膜基片旋转速度。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜沉积速率设定靶基距时，包括：

预设镀膜沉积速率矩阵A，设定A(A1,A2,A3,A4)，其中，A1为预设第一镀膜沉积速率，A2为预设第二镀膜沉积速率，A3为预设第三镀膜沉积速率，A4为预设第四镀膜沉积速率，且A1＜A2＜A3＜A4;

预设靶基距矩阵B，设定B(B1,B2,B3,B4)，其中，B1为预设第一靶基距，B2为预设第二靶基距，B3为预设第三靶基距，B4为预设第四靶基距，且B1＜B2＜B3＜B4;

获取镀膜沉积速率a，根据所述镀膜沉积速率a设定实时靶基距b;

若a≤A1，设定实时靶基距b为预设第四靶基距B4，即b=B4;

若A1＜a≤A2，设定实时靶基距b为预设第三靶基距B3，即b=B3;

若A2＜a≤A3，设定实时靶基距b为预设第二靶基距B2，即b=B2;

若A3＜a≤A4，设定实时靶基距b为预设第一靶基距B1，即b=B1。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜基片半径修正所述靶基距时，包括：

预设第一靶基距修正系数n1和第二靶基距修正系数n2，其中，n1＜1，n2>1；

预设第一镀膜基片半径C1和第二镀膜基片半径C2，其中，C1＜C2;

获取镀膜基片半径c，根据所述镀膜基片半径c设定靶基距修正系数n修正所述实时靶基距b；

若c≤C1，设定n=n2，修正后实时靶基距b=n2*Bi，（i=1,2,3,4）

若C1＜c＜C2，不修正所述实时靶基距b;

若c≥C2，设定n=n1，修正后实时靶基距b=n1*Bi,（i=1,2,3,4）。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜沉积速率设定靶基距和镀膜基片旋转速度时，包括：

预设基片旋转速度矩阵D，设定D(D1,D2,D3,D4)，其中，D1为预设第一基片旋转速度，D2为预设第二基片旋转速度，D3为预设第三基片旋转速度，D4为预设第四基片旋转速度，且D1＜D2＜D3＜D4;

获取镀膜沉积速率a，根据所述镀膜沉积速率a设定实时镀膜基片旋转速度d;

若a≤A1，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第一基片旋转速度D1，即d=D1;

若A1＜a≤A2，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第二基片旋转速度D2，即d=D2;

若A2＜a≤A3，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第三基片旋转速度D3，即d=D3;

若A3＜a≤A4，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第四基片旋转速度D4，即d=D4。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜基片半径修正所述靶基距和镀膜基片旋转速度时，包括：

预设第一镀膜基片旋转速度修正系数m1和第二镀膜基片旋转速度m2，其中，m1＜1,m2>1;

获取镀膜基片半径c，根据所述镀膜基片半径c设定镀膜基片旋转速度修正系数m修正所述实时镀膜基片旋转速；

若c≤C1，设定m=m1，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=m1*Di,（i=1,2,3,4）；

若C1＜c＜C2，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=Di,（i=1,2,3,4）;

若c≥C2，设定m=m2，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=m2*Di,（i=1,2,3,4）。

本申请的一些实施例中，根据所述实时状态参数修正镀膜工作参数时，包括：

获取实时镀膜厚度数据生成镀膜不均匀值，根据所述镀膜不均匀值修正所述镀膜基片一级旋转速度d1和压强参数。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜不均匀值修正所述镀膜基片一级旋转速度d1时，包括：

预设镀膜不均匀值矩阵E，设定E(E1,E2,E3)，其中，E1为预设第一镀膜不均匀值，E2为预设第二镀膜不均匀值，E3为预设第三镀膜不均匀值，且E1＜E2＜E3;

预设补偿系数矩阵G，设定G(g1,g2,g3)，其中，g1为预设第一补偿系数，g2为预设第二补偿系数，g3为预设第三补偿系数，且1＜g1＜g2＜g3＜1.2;

获取镀膜不均匀值e，根据所述镀膜不均匀值e设定实时补偿系数g修正所述镀膜基片一级旋转速度d1;

若E1≤e＜E2，设定实时补偿系数g=g1，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g1*d1;

若E2≤e＜E3，设定实时补偿系数g=g2，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g2*d1;

若e≥E3，设定实时补偿系数g=g3，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g3*d1。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜不均匀值修正所述镀膜基片一级旋转速度d1和压强参数时，包括：

预设压强修正系数矩阵H，设定H(h1,h2,h3)，其中，h1为预设第一压强修正系数，h2为预设第二压强修正系数，h3为预设第三压强修正系数，且1＜h1＜h2＜h3＜1.2;

获取实时压强f和镀膜不均匀值e，根据所述镀膜不均匀值e设定实时压强修正系数h修正实时压强f;

若E1≤e＜E2，设定实时压强修正系数h=h1，修正后一级压强f1=h1*f;

若E2≤e＜E3，设定实时压强修正系数h=h2，修正后一级压强f1=h2*f;

若e≥E3，设定实时压强修正系数h=h3，修正后一级压强f1=h3*f。

本申请的一些实施例中，根据所述镀膜时间和所述镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数，包括：

预设不合格率阈值；

若所述镀膜基片的不合格率大于所述预设不合格率阈值时，修正所述下一批次的镀膜沉积速率；

若所述镀膜基片的不合格率小于所述预设不合格率阈值时，

获取实际镀膜时间T1和预设镀膜时间T2，并根据所述实际镀膜时间T1和所述预设镀膜时间T2生成时间差值Δt;

预设时间差值t1；

若Δt＜t1，不修正下一批次的镀膜沉积速度；

若Δt>t1，修正下一批次的镀膜沉积速度。

本申请实施例一种高温超导材料的激光镀膜方法与现有技术相比，其有益效果在于：

根据需镀膜高温超导材料的需求参数设定预期的沉积速率和镀膜基片的半径控制整体的镀膜速率，并通过调整靶基距和压强满足其预设的沉积速率，提高正常的生产效率，在保镀膜质量的前提下，降低镀膜时间。

通过监测实时的镀膜厚度生成镀膜不均匀度，并根据镀膜不均匀度动态修正镀膜极片的旋转速度和压强，及时进行调整，保证镀膜均匀性，从而提高脉冲激光镀膜的生产质量。提高制备过程中高温超导带材的生产速度与均匀性。

附图说明

图1是本申请实施例优选实施例中一种高温超导材料的激光镀膜方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本申请的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本申请，但不用来限制本申请的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

如图1所示，本申请实施例优选实施例的一种高温超导材料的激光镀膜方法，包括：

S101：获取需镀膜高温超导材料的需求参数，根据需求参数设定镀膜工作参数；

S102：在镀膜过程中采集镀膜基片的实时状态参数，根据实时状态参数修正镀膜工作参数；

S103：获取当前批次的镀膜基片镀膜时间和镀膜基片不合格率，根据镀膜时间和镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数。

具体而言，根据需求参数设定镀膜工作参数时，包括：

获取需镀膜高温超导材料的数量和镀膜总时间，根据数量设定镀膜总批次，根据镀膜总批次和镀膜总时间设定单批次镀膜时间和镀膜基片半径；

根据单批次镀膜时间设定镀膜沉积速率，根据镀膜沉积速率设定靶基距和镀膜基片旋转速度，并根据镀膜基片半径修正靶基距和镀膜基片旋转速度。

具体而言，获取需要进行镀膜的高温超导材料的总量和整体的工作期限，根据工作期限设定工作计划，从而确定合适的镀膜时的沉积速率，其速率的设定可依据历史数据；

具体而言，单批次镀膜时间是指镀膜时间加上调整时间，其调整时间是指在非理想情况下可能耽误的工作时间，保证工作进度的合理性。

具体而言，根据通过调整靶基距和镀膜基片半径实现对于镀膜沉积速度的调整，当靶基距增大时，镀膜的沉积速率会降低。

可以理解的是，上述实施例中，根据需镀膜高温超导材料的需求参数设定预期的沉积速率和镀膜基片的半径控制整体的镀膜速率，并通过调整靶基距和压强满足其预设的沉积速率，提高正常的生产效率，在保镀膜质量的前提下，降低镀膜时间。提高整体的制备效率。

本申请实施例优选实施例中，根据镀膜沉积速率设定靶基距时，包括：

预设镀膜沉积速率矩阵A，设定A(A1,A2,A3,A4)，其中，A1为预设第一镀膜沉积速率，A2为预设第二镀膜沉积速率，A3为预设第三镀膜沉积速率，A4为预设第四镀膜沉积速率，且A1＜A2＜A3＜A4;

靶基距，B2为预设第二靶基距，B3为预设第三靶基距，B4为预设第四靶基距，且B1＜B2＜B3＜B4;

获取镀膜沉积速率a，根据镀膜沉积速率a设定实时靶基距b;

若a≤A1，设定实时靶基距b为预设第四靶基距B4，即b=B4;

若A1＜a≤A2，设定实时靶基距b为预设第三靶基距B3，即b=B3;

若A2＜a≤A3，设定实时靶基距b为预设第二靶基距B2，即b=B2;

若A3＜a≤A4，设定实时靶基距b为预设第一靶基距B1，即b=B1。

具体而言，根据镀膜基片半径修正靶基距时，包括：

预设第一靶基距修正系数n1和第二靶基距修正系数n2，其中，n1＜1，n2>1；

预设第一镀膜基片半径C1和第二镀膜基片半径C2，其中，C1＜C2;

获取镀膜基片半径c，根据镀膜基片半径c设定靶基距修正系数n修正实时靶基距b；

若c≤C1，设定n=n2，修正后实时靶基距b=n2*Bi，（i=1,2,3,4）

若C1＜c＜C2，不修正实时靶基距b;

若c≥C2，设定n=n1，修正后实时靶基距b=n1*Bi,（i=1,2,3,4）。具体而言，根据历史镀膜数据生成镀膜沉积速率与靶基距的对应关系，并设定镀膜沉积速率矩阵和靶基距矩阵，从而根据预设的镀膜沉积速率动态设定靶基距，同时由于镀膜基片的半径变大会造成镀膜沉积速率降低，因此通过设定修正系数和相应的镀膜基片半径区间，当实际的镀膜基片半径不在预设区间时，及时对靶基距进行修正，避免应该镀膜时的整体沉积效率，保证整体的工作效率。

本申请实施例优选实施例中，根据镀膜沉积速率设定靶基距和镀膜基片旋转速度时，包括：

预设基片旋转速度矩阵D，设定D(D1,D2,D3,D4)，其中，D1为预设第一基片旋转速度，D2为预设第二基片旋转速度，D3为预设第三基片旋转速度，D4为预设第四基片旋转速度，且D1＜D2＜D3＜D4;

获取镀膜沉积速率a，根据镀膜沉积速率a设定实时镀膜基片旋转速度d;

若a≤A1，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第一基片旋转速度D1，即d=D1;

若A1＜a≤A2，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第二基片旋转速度D2，即d=D2;

若A2＜a≤A3，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第三基片旋转速度D3，即d=D3;

若A3＜a≤A4，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第四基片旋转速度D4，即d=D4。

具体而言，根据镀膜基片半径修正靶基距和镀膜基片旋转速度时，包括：

预设第一镀膜基片旋转速度修正系数m1和第二镀膜基片旋转速度m2，其中，m1＜1,m2>1;

获取镀膜基片半径c，根据镀膜基片半径c设定镀膜基片旋转速度修正系数m修正实时镀膜基片旋转速；

若c≤C1，设定m=m1，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=m1*Di,（i=1,2,3,4）；

若C1＜c＜C2，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=Di,（i=1,2,3,4）;

若c≥C2，设定m=m2，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=m2*Di,（i=1,2,3,4）。

具体而言，随着靶基距的降低，虽然可以提高都镀膜沉积速率，但是会造成镀膜沉积时不均匀，因此采用旋转镀膜基片的方式在较低的靶基距时保证镀膜的均匀性。

具体而言，根据历史工作数据，设定基片旋转速度矩阵，根据不同的靶基距动态调整基片的旋转速度，在保证镀膜均匀性的同时，降低能耗。

本申请实施例优选实施例中，根据实时状态参数修正镀膜工作参数时，包括：

获取实时镀膜厚度数据生成镀膜不均匀值，根据镀膜不均匀值修正镀膜基片一级旋转速度d1和压强参数。

具体而言，根据镀膜不均匀值修正镀膜基片一级旋转速度d1时；，包括：

预设镀膜不均匀值矩阵E，设定E(E1,E2,E3)，其中，E1为预设第一镀膜不均匀值，E2为预设第二镀膜不均匀值，E3为预设第三镀膜不均匀值，且E1＜E2＜E3;

预设补偿系数矩阵G，设定G(g1,g2,g3)，其中，g1为预设第一补偿系数，g2为预设第二补偿系数，g3为预设第三补偿系数，且1＜g1＜g2＜g3＜1.2;

获取镀膜不均匀值e，根据镀膜不均匀值e设定实时补偿系数g修正实时镀膜基片旋转速度d;

获取镀膜不均匀值e，根据镀膜不均匀值e设定实时补偿系数g修正镀膜基片一级旋转速度d1;

若E1≤e＜E2，设定实时补偿系数g=g1，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g1*d1;

若E2≤e＜E3，设定实时补偿系数g=g2，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g2*d1;

若e≥E3，设定实时补偿系数g=g3，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g3*d1。

具体而言，根据镀膜不均匀值修正镀膜基片一级旋转速度d1和压强参数时，包括：

预设压强修正系数矩阵H，设定H(h1,h2,h3)，其中，h1为预设第一压强修正系数，h2为预设第二压强修正系数，h3为预设第三压强修正系数，且1＜h1＜h2＜h3＜1.2;

获取实时压强f和镀膜不均匀值e，根据镀膜不均匀值e设定实时压强修正系数h修正实时压强f;

若E1≤e＜E2，设定实时压强修正系数h=h1，修正后一级压强f1=h1*f;

若E2≤e＜E3，设定实时压强修正系数h=h2，修正后一级压强f1=h2*f;

若e≥E3，设定实时压强修正系数h=h3，修正后一级压强f1=h3*f。具体而言，当压强增大时的镀膜的均匀性优于压强降低时，但是压强增大会降低镀膜时的沉积速率，因此通过建立原位监测系统，获取实时的镀膜厚度和不均匀性，在镀膜厚度符合标准时，不进行调整，当镀膜厚度不符合标准时，通过修正镀膜基片旋转速度和实时的压强，及时进行调整，保证高温超导材料镀膜时的镀膜均匀性。

可以理解的是，上述实施例中，通过监测实时的镀膜厚度生成镀膜不均匀度，并根据镀膜不均匀度动态修正镀膜极片的旋转速度和压强，及时进行调整，保证镀膜均匀性，从而提高脉冲激光镀膜的生产质量。提高制备过程中高温超导带材的生产速度与均匀性。

本申请实施例优选实施例中，根据镀膜时间和镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数，包括：

预设不合格率阈值；

若镀膜基片的不合格率大于预设不合格率阈值时，修正下一批次的镀膜沉积速率；

若镀膜基片的不合格率小于预设不合格率阈值时，

获取实际镀膜时间T1和预设镀膜时间T2，并根据实际镀膜时间T1和预设镀膜时间T2生成时间差值Δt;

预设时间差值t1；

若Δt＜t1，不修正下一批次的镀膜沉积速度；

若Δt>t1，修正下一批次的镀膜沉积速度。

具体而言，不合格率阈值为允许的残次率，若当批次的镀膜基片的合格率低于不合格率阈值，则修正下一批次的靶基距，提高镀膜均匀性，保证生产质量。

具体而言，若镀膜基片的合格率符合规定时，判断当前批次的镀膜时间，根据当前批次的镀膜时间对下一批次的工作参数进行调整，保证整体的镀膜效率。

根据本申请的第一构思，根据需镀膜高温超导材料的需求参数设定预期的沉积速率和镀膜基片的半径控制整体的镀膜速率，并通过调整靶基距和压强满足其预设的沉积速率，提高正常的生产效率，在保镀膜质量的前提下，降低镀膜时间。

根据本申请的第二构思，通过监测实时的镀膜厚度生成镀膜不均匀度，并根据镀膜不均匀度动态修正镀膜极片的旋转速度和压强，及时进行调整，保证镀膜均匀性，从而提高脉冲激光镀膜的生产质量。提高制备过程中高温超导带材的生产速度与均匀性。

以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本申请的保护范围。

Claims (2)

1.一种高温超导材料的激光镀膜方法，其特征在于，包括：

获取需镀膜高温超导材料的需求参数，根据所述需求参数设定镀膜工作参数；

在镀膜过程中采集镀膜基片的实时状态参数，根据所述实时状态参数修正镀膜工作参数；

获取当前批次的镀膜基片镀膜时间和镀膜基片不合格率，根据所述镀膜时间和所述镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数；

根据所述需求参数设定镀膜工作参数时，包括：

获取所述需镀膜高温超导材料的数量和镀膜总时间，根据数量设定镀膜总批次，根据所述镀膜总批次和所述镀膜总时间设定单批次镀膜时间和镀膜基片半径；

根据所述单批次镀膜时间设定镀膜沉积速率，根据所述镀膜沉积速率设定靶基距和镀膜基片旋转速度，并根据所述镀膜基片半径修正所述靶基距和镀膜基片旋转速度；

设镀膜沉积速率矩阵A，设定A(A1,A2,A3,A4)，其中，A1为预设第一镀膜沉积速率，A2为预设第二镀膜沉积速率，A3为预设第三镀膜沉积速率，A4为预设第四镀膜沉积速率，且A1＜A2＜A3＜A4;

预设靶基距矩阵B，设定B(B1,B2,B3,B4)，其中，B1为预设第一靶基距，B2为预设第二靶基距，B3为预设第三靶基距，B4为预设第四靶基距，且B1＜B2＜B3＜B4;

获取镀膜沉积速率a，根据所述镀膜沉积速率a设定实时靶基距b;

若a≤A1，设定实时靶基距b为预设第四靶基距B4，即b=B4;

若A1＜a≤A2，设定实时靶基距b为预设第三靶基距B3，即b=B3;

若A2＜a≤A3，设定实时靶基距b为预设第二靶基距B2，即b=B2;

若A3＜a≤A4，设定实时靶基距b为预设第一靶基距B1，即b=B1；

根据所述镀膜基片半径修正所述靶基距时，包括：

预设第一靶基距修正系数n1和第二靶基距修正系数n2，其中，n1＜1，n2>1；

预设第一镀膜基片半径C1和第二镀膜基片半径C2，其中，C1＜C2;

获取镀膜基片半径c，根据所述镀膜基片半径c设定靶基距修正系数n修正所述实时靶基距b；

若c≤C1，设定n=n2，修正后实时靶基距b=n2*Bi，（i=1,2,3,4）

若C1＜c＜C2，不修正所述实时靶基距b;

若c≥C2，设定n=n1，修正后实时靶基距b=n1*Bi,（i=1,2,3,4）；

根据所述镀膜沉积速率设定靶基距和镀膜基片旋转速度时，包括：

预设基片旋转速度矩阵D，设定D(D1,D2,D3,D4)，其中，D1为预设第一基片旋转速度，D2为预设第二基片旋转速度，D3为预设第三基片旋转速度，D4为预设第四基片旋转速度，且D1＜D2＜D3＜D4;

获取镀膜沉积速率a，根据所述镀膜沉积速率a设定实时镀膜基片旋转速度d;

若a≤A1，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第一基片旋转速度D1，即d=D1;

若A1＜a≤A2，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第二基片旋转速度D2，即d=D2;

若A2＜a≤A3，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第三基片旋转速度D3，即d=D3;

若A3＜a≤A4，设定实时镀膜基片旋转速度d为预设第四基片旋转速度D4，即d=D4；

根据所述镀膜基片半径修正所述靶基距和镀膜基片旋转速度时，包括：

预设第一镀膜基片旋转速度修正系数m1和第二镀膜基片旋转速度m2，其中，m1＜1,m2>1;

获取镀膜基片半径c，根据所述镀膜基片半径c设定镀膜基片旋转速度修正系数m修正所述实时镀膜基片旋转速；

若c≤C1，设定m=m1，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=m1*Di,（i=1,2,3,4）；

若C1＜c＜C2，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=Di,（i=1,2,3,4）;

若c≥C2，设定m=m2，修正后镀膜基片一级旋转速度d1=m2*Di,（i=1,2,3,4）；

根据所述实时状态参数修正镀膜工作参数时，包括：

获取实时镀膜厚度数据生成镀膜不均匀值，根据所述镀膜不均匀值修正所述镀膜基片一级旋转速度d1和压强参数；

根据所述镀膜不均匀值修正所述镀膜基片一级旋转速度d1时，包括：

预设镀膜不均匀值矩阵E，设定E(E1,E2,E3)，其中，E1为预设第一镀膜不均匀值，E2为预设第二镀膜不均匀值，E3为预设第三镀膜不均匀值，且E1＜E2＜E3;

预设补偿系数矩阵G，设定G(g1,g2,g3)，其中，g1为预设第一补偿系数，g2为预设第二补偿系数，g3为预设第三补偿系数，且1＜g1＜g2＜g3＜1.2;

获取镀膜不均匀值e，根据所述镀膜不均匀值e设定实时补偿系数g修正所述镀膜基片一级旋转速度d1;

若E1≤e＜E2，设定实时补偿系数g=g1，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g1*d1;

若E2≤e＜E3，设定实时补偿系数g=g2，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g2*d1;

若e≥E3，设定实时补偿系数g=g3，修正后镀膜基片二级旋转速度d2=g3*d1；

根据所述镀膜不均匀值修正所述镀膜基片一级旋转速度d1和压强参数时，包括：

预设压强修正系数矩阵H，设定H(h1,h2,h3)，其中，h1为预设第一压强修正系数，h2为预设第二压强修正系数，h3为预设第三压强修正系数，且1＜h1＜h2＜h3＜1.2;

获取实时压强f和镀膜不均匀值e，根据所述镀膜不均匀值e设定实时压强修正系数h修正实时压强f;

若E1≤e＜E2，设定实时压强修正系数h=h1，修正后一级压强f1=h1*f;

若E2≤e＜E3，设定实时压强修正系数h=h2，修正后一级压强f1=h2*f;

若e≥E3，设定实时压强修正系数h=h3，修正后一级压强f1=h3*f。

2.如权利要求1所述的高温超导材料的激光镀膜方法，其特征在于，根据所述镀膜时间和所述镀膜基片不合格率修正下一批次的镀膜工作参数，包括：

预设不合格率阈值；

若所述镀膜基片的不合格率大于所述预设不合格率阈值时，修正所述下一批次的镀膜沉积速率；

若所述镀膜基片的不合格率小于所述预设不合格率阈值时，

获取实际镀膜时间T1和预设镀膜时间T2，并根据所述实际镀膜时间T1和所述预设镀膜时间T2生成时间差值Δt;

预设时间差值t1；

若Δt＜t1，不修正下一批次的镀膜沉积速度；

若Δt>t1，修正下一批次的镀膜沉积速度。