CN116107372A - 一种高瞬态响应的无片外电容ldo电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路，属于集成电路技术领域。本发明的LDO电路包括高增益运算放大器、输出模块和瞬态增强电路三个功能模块。该带路采用了自偏置结构与工作在亚阈值区的二极管连接的PMOS管，相比较常规结构有效地降低功耗，且显著减小了版图面积。同时本发明的LDO电路采用了米勒电容补偿结构，在无片外电容的情况下，有效地保持了电路的稳定性。另外，本发明的LDO电路采用了瞬态增强电路，当输出电流发生突变时，减少电路下冲，极大地减小输出恢复时间。
Description
技术领域
本发明涉及一种LDO电路，尤其是涉及一种高瞬态响应无片外电容的LDO电路，属于集成电路技术领域。
背景技术
LDO(low dropout regulator)低压差线性稳压器，具有成本低，外围电路简单，体积小，与供电电压压差小，噪声低等优点，在所有的电子设备中都具有广泛的应用。
传统的LDO电路设计由基准电压，运算放大器，PMOS驱动管，分压电阻等构成，分压电阻将采集到的信号输入到运算放大器，与基准电压相比较，运算放大器工作在深度负反馈，将比较结果驱动PMOS驱动管的栅极，实现在不同的电流负载下稳定输出电压。
但常规结构的LDO由于采用电阻分压，静态电流较大，效率较低，且输出端需要在片外使用一个较大的容值的电容从而稳定电路，这极大了增加了设计成本与板级设计难度，目前提出的无片外电容结构由于将系统极点置于片内，普遍有瞬态响应差，过冲大等问题，在使用上有较大的局限性。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，并提供一种高瞬态响应的无片外电容LDO，具有功耗低，高稳定性，高瞬态响应，无片外电容的特点。
本发明所采用的具体技术方案如下：
一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其包括：
高增益运算放大器，用于在深度负反馈工作模式下比较输出电压与参考电压，并产生控制输出模块中PMOS输出管的输出，进而稳定PMOS输出管漏极的电压输出；
输出模块，用于根据高增益运算放大器的输出控制PMOS输出管，PMOS输出管的漏极作为整体LDO电路的输出，并反馈到高增益运算放大器的另一输入端；同时在PMOS输出管的漏极与栅极之间使用米勒电容来保持电路稳定性；
瞬态增强电路，具有三级反相器结构，用于以整体LDO电路的输出作为输入控制信号，其中第一级反相器用于控制翻转阈值，第二级反相器和第三级反相器作为缓冲器控制开关管的栅极，开关管的漏极接输出PMOS管的栅极，开关管的源极接地，当输出电流发生突变时能减少电路下冲，减小输出恢复时间。
作为优选，所述高增益运算放大器采用折叠式共源共栅结构。
作为优选，所述高增益运算放大器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第一输入PMOS管、第二输入PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管；
所述第一PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第七PMOS管、第九PMOS管的源极均连接供电电源，第一PMOS管的栅极和漏极、第三PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极、第七PMOS管的栅极以及第九PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极；
第三PMOS管的漏极连接第四PMOS管的源极，第五PMOS管的漏极连接第六PMOS管的源极，第四PMOS管的栅极连接第六PMOS管的栅极，第七PMOS管的漏极连接第八PMOS管的源极，第九PMOS管的漏极连接第十PMOS管的源极；第二PMOS管的栅极和漏极、第八PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极均连接外部电流源；
第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第七NMOS管的栅极相连，第四PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极，第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的漏极，第二NMOS管的源极连接第三NMOS管的漏极，第三NMOS管的源极连接第四NMOS管的漏极，第四NMOS管、第六NMOS管、第八NMOS管的源极相接后接地；
第六PMOS管的漏极连接第一输入PMOS管和第二输入PMOS管的源极，第八PMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的栅极和第八NMOS管的栅极相接，第五NMOS管的源极连接第六NMOS管的漏极和第二输入PMOS管的漏极，第十PMOS管的漏极连接第七NMOS管的漏极且作为向输出模块中的PMOS输出管输出控制信号的输出端，第七NMOS管的源极连接第八NMOS管的漏极和第一输入PMOS管的漏极，第一输入PMOS管的栅极用于输入参考电压，第二输入PMOS管的栅极用于连接整体LDO电路的输出端。
作为优选，所述输出模块包括第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管和米勒电容；第十一PMOS管作为PMOS输出管，其栅极连接第十PMOS管的漏极，其源极连接供电电源，其漏极通过以级联二极管形式连接的第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管后接地，且第十一PMOS管的漏极与栅极之间连接有米勒电容。
作为优选，所述第十一PMOS管的宽长比为5000um/0.13um。
作为优选，所述第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管和第十五PMOS管采用级联二极管连接形式，其工作在亚阈值区，静态电流为纳安量级。
作为优选，所述瞬态增强电路包括由第十六PMOS管、第十七PMOS管和第十NMOS管构成的第一级反相器、第二级反相器、第三级反相器和作为开关管的第九NMOS管；第九NMOS管的源极接地，栅极连接第三级反相器的输出，漏极连接第十一PMOS管的栅极；第十六PMOS管的源极连接供电电源，栅极和漏极连接第十七PMOS管的源极；第十七PMOS管的栅极连接第十NMOS管的栅极，漏极连接第十NMOS管的源极和第二级反相器的输入端，第二级反相器的输出端连接第三级反相器的输入端，第十NMOS管的漏极接地。
作为优选，所述瞬态增强电路正常工作情况下，第一级反相器输出低电平，第二级反相器输出高电平，第三级反相器输出低电平，作为开关管的第九NMOS管截止，当LDO电路的输出电压变化时，输出电压产生下冲第一级反相器输出高电平，第二级反相器输出低电平，第三级反相器输出高电平，作为开关管的第九NMOS管导通并将栅极上的电荷泄放到地。
本发明相对于现有技术而言，具有以下有益效果：
本发明的LDO电路通过自偏置结构与工作在亚阈值区的二极管连接的PMOS管PM12-PM15，相比较常规结构有效地降低功耗，且显著减小了版图面积。
本发明的LDO电路采用了米勒电容补偿结构，在无片外电容的情况下，有效地保持了电路的稳定性。
本发明的LDO电路采用了瞬态增强电路，当输出电流发生突变时，减少电路下冲，极大地减小输出恢复时间。
附图说明
图1为本发明的一种高瞬态响应的无片外电容LDO的电路原理图。
图2为本发明的一种高瞬态响应的无片外电容LDO的小信号原理图。
图3为本发明的一种高瞬态响应的无片外电容LDO的负载调整输出图。
图4为本发明的一种高瞬态响应的无片外电容LDO的时域响应图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。本发明各个实施例中的技术特征在没有相互冲突的前提下，均可进行相应组合。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于区分描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
如图1所示，在本发明的一个较佳实施例中，提供了一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其包括高增益运算放大器、输出模块和瞬态增强电路三个功能模块，下面分别对功能以及实现方式进行展开描述。
高增益运算放大器，用于在深度负反馈工作模式下比较输出电压与参考电压，并产生控制输出模块中PMOS输出管的输出，进而稳定PMOS输出管漏极的电压输出。
输出模块，用于根据高增益运算放大器的输出控制PMOS输出管，PMOS输出管的漏极作为整体LDO电路的输出，并反馈到高增益运算放大器的另一输入端；同时在PMOS输出管的漏极与栅极之间使用米勒电容来保持电路稳定性。
瞬态增强电路，具有三级反相器结构，用于以整体LDO电路的输出作为输入控制信号，其中第一级反相器用于控制翻转阈值，第二级反相器和第三级反相器作为缓冲器控制开关管的栅极，开关管的漏极接输出PMOS管的栅极，开关管的源极接地，当输出电流发生突变时能减少电路下冲，减小输出恢复时间。
继续参见图1所示，在本发明的实施例中，上述高增益运算放大器采用折叠式共源共栅结构，其中的器件包括第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第一输入PMOS管PMA、第二输入PMOS管PMB、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8；
所述第一PMOS管PM1、第三PMOS管PM3、第五PMOS管PM5、第七PMOS管PM7、第九PMOS管PM9的源极均连接供电电源Vdd，第一PMOS管PM1的栅极和漏极、第三PMOS管PM3的栅极、第三PMOS管PM3的栅极、第五PMOS管PM5的栅极、第七PMOS管PM7的栅极以及第九PMOS管PM9的栅极连接第二PMOS管PM2的源极；
第三PMOS管PM3的漏极连接第四PMOS管PM4的源极，第五PMOS管PM5的漏极连接第六PMOS管PM6的源极，第四PMOS管PM4的栅极连接第六PMOS管PM6的栅极，第七PMOS管PM7的漏极连接第八PMOS管PM8的源极，第九PMOS管PM9的漏极连接第十PMOS管PM10的源极；第二PMOS管PM2的栅极和漏极、第八PMOS管PM8的栅极、第十PMOS管PM10的栅极均连接外部电流源Iref；
第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5和第七NMOS管M7的栅极相连，第四PMOS管PM4的漏极连接第一NMOS管M1的漏极，第一NMOS管M1的源极连接第二NMOS管M2的漏极，第二NMOS管M2的源极连接第三NMOS管M3的漏极，第三NMOS管M3的源极连接第四NMOS管M4的漏极，第四NMOS管M4、第六NMOS管M6、第八NMOS管M8的源极相接后接地；
第六PMOS管PM6的漏极连接第一输入PMOS管PMA和第二输入PMOS管PMB的源极，第八PMOS管PM8的漏极、第五NMOS管M5的漏极、第六NMOS管M6的栅极和第八NMOS管M8的栅极相接，第五NMOS管M5的源极连接第六NMOS管M6的漏极和第二输入PMOS管PMB的漏极，第十PMOS管PM10的漏极连接第七NMOS管M7的漏极且作为向输出模块中的PMOS输出管输出控制信号的输出端，第七NMOS管M7的源极连接第八NMOS管M8的漏极和第一输入PMOS管PMA的漏极，第一输入PMOS管PMA的栅极用于输入参考电压Vref，第二输入PMOS管PMB的栅极用于连接整体LDO电路的输出端。
继续参见图1所示，在本发明的实施例中，上述输出模块包括第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第十四PMOS管PM14、第十五PMOS管PM15和米勒电容C1；第十一PMOS管PM11作为PMOS输出管，其栅极连接第十PMOS管PM10的漏极，其源极连接供电电源Vdd，其漏极通过以级联二极管形式连接的第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第十四PMOS管PM14和第十五PMOS管PM15后接地，且第十一PMOS管PM11的漏极与栅极之间连接有米勒电容C1。
继续参见图1所示，在本发明的实施例中，上述瞬态增强电路包括由第十六PMOS管PM16、第十七PMOS管PM17和第十NMOS管M10构成的第一级反相器、第二级反相器INV1、第三级反相器INV2和作为开关管的第九NMOS管M9；第九NMOS管M9的源极接地，栅极连接第三级反相器INV2的输出，漏极连接第十一PMOS管PM11的栅极；第十六PMOS管PM16的源极连接供电电源Vdd，栅极和漏极连接第十七PMOS管PM17的源极；第十七PMOS管PM17的栅极连接第十NMOS管M10的栅极，漏极连接第十NMOS管M10的源极和第二级反相器INV1的输入端，第二级反相器INV1的输出端连接第三级反相器INV2的输入端，第十NMOS管M10的漏极接地。
下面对上述图1所示的高瞬态响应的无片外电容LDO电路的具体工作原理以及性能进行详细介绍。LDO电路通过PM1-PM10复制由带隙基准电压源产生的电流源Iref为整体电路提供偏置。LDO电路的参考电压Vref经过高增益运算放大器的输入即PMA的栅极，高增益运算放大器的输出端接输出模块的输出管PM11的栅极，输出管PM11的漏极经过四个二极管连接的PMOS管接地，且输出管PM11的漏极回到高增益运算放大器的另一个输入端PMB的栅极。输出管PM11的漏极作为整体LDO电路的输出Vout，为外界提供电压。输出管PM11的漏极与栅极之间连接有电容C1，作为米勒电容C1保持电路稳定性。电路输出Vout接瞬态增强电路，瞬态增强电路具有三级反相器，最后一级反相器控制开关管M9，当电路发送下冲时，将输出管PM11的栅极电荷释放到地。
LDO电路中包含的高增益运算放大器，用于比较采样电压(即输出电压Vout)与基准电压，工作在深度负反馈稳定电压输出控制PMOS驱动管。高增益运算放大器采用折叠式共源共栅结构，外部带隙基准源为电路提供参考电流，PM3、PM4、M1-M4将参考电流转换为电压，为M5、M7提供偏置电压，确保其工作在饱和区。M6、M8采用了自偏置结构，将M5的漏极电压作为M6、M8的偏置电压，达到低电压损失的目的。PMA和PMB为高增益运算放大器的输入差分对，PMA的栅极为参考电压Vref，PMB的栅极连接到整体电路的输出端。PM10的漏极与M7的漏极为高增益运算放大器的输出。
LDO电路中包含的输出模块，由输出PMOS管PM11，二极管连接的PMOS管PM12-PM15和米勒电容C1组成。PM11输出管采用了宽长比为5000um/0.13um的结构，在较大负载下也具有输出能力，采用了级联二极管连接的PMOS管PM12-PM15代替常规结构的分压电阻，工作在亚阈值区，静态电流为纳安量级，有效的减小了版图面积。米勒电容C1用于控制电路稳定性。
LDO电路中包含的瞬态增强电路，包含阈值控制PMOS管PM16，PM17、M10组成的第一级反相器，第二级反相器INV1,第三级INV2和开关管M9。当输出电流发生突变时对输出模块中PM11的栅极进行补偿。PM16采用高阈值电压管用于控制第一级反相器的翻转电压，正常工作情况下第一级反相器输出低电平，第二级反相器输出高电平，第三级反相器输出低电平，开关管M9截止，当输出电压变化，输出电压产生下冲第一级反相器输出高电平，第二级反相器输出低电平，第三级反相器输出高电平，开关管M9导通，将栅极上的电荷快速泄放到地。
如图2所示，为图1所示的LDO电路的小信号模型，Ro1为运放的输出阻抗，Co1为输出PMOS栅极电容，Ro2，Co2对应输出模块的输出阻抗以及负载电容，C1为米勒补偿电容，gm1为高增益运算放大器的增益，gmp为输出PMOS管的增益。根据上图我们可以得到电路主极点为-1/(C1Co1Ro1(gmpRo2+1)),次极点为-(gmpC1Ro1(C1+Co1)+C1+Co1)/((C1+Co1)Co2Ro2+C1Co1Ro1)，由半边零点为gmp/C1。
如图3所示，为该LDO电路在tt，ff，ss三种corner下输出电压负载调整曲线图。负载电容为100pF，负载电流在100uA-20mA范围内，基准电压为1.2V时最差情况下负载调整率为0.062％。
如图4所示，为该LDO电路在tt，ff，ss三种corner下时域特性的仿真结果，负载电容为100pF，当负载电流从100uA-20mA阶跃变化，输出电压产生相应的过冲与下冲。基准电压为1.2V时最差下冲为400mV，过冲200mV，恢复时间为10.8ns。
综上可见，本发明的LDO电路在无片外电容的情况下有效地保持了电路的稳定性，且当输出电流发生突变时能够减少电路下冲，极大地减小输出恢复时间。该LDO电路具有功耗低，高稳定性，高瞬态响应，无片外电容的特点
以上所述的实施例只是本发明的一种较佳的方案，然其并非用以限制本发明。有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型。因此凡采取等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本发明的保护范围内。
Claims (8)
1.一种高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，包括：
高增益运算放大器，用于在深度负反馈工作模式下比较输出电压与参考电压，并产生控制输出模块中PMOS输出管的输出，进而稳定PMOS输出管漏极的电压输出；
输出模块，用于根据高增益运算放大器的输出控制PMOS输出管，PMOS输出管的漏极作为整体LDO电路的输出，并反馈到高增益运算放大器的另一输入端；同时在PMOS输出管的漏极与栅极之间使用米勒电容来保持电路稳定性；
瞬态增强电路，具有三级反相器结构，用于以整体LDO电路的输出作为输入控制信号，其中第一级反相器用于控制翻转阈值，第二级反相器和第三级反相器作为缓冲器控制开关管的栅极，开关管的漏极接输出PMOS管的栅极，开关管的源极接地，当输出电流发生突变时能减少电路下冲，减小输出恢复时间。
2.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述高增益运算放大器采用折叠式共源共栅结构。
3.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述高增益运算放大器包括第一PMOS管(PM1)、第二PMOS管(PM2)、第三PMOS管(PM3)、第四PMOS管(PM4)、第五PMOS管(PM5)、第六PMOS管(PM6)、第七PMOS管(PM7)、第八PMOS管(PM8)、第九PMOS管(PM9)、第十PMOS管(PM10)、第一输入PMOS管(PMA)、第二输入PMOS管(PMB)、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)、第六NMOS管(M6)、第七NMOS管(M7)、第八NMOS管(M8)；
所述第一PMOS管(PM1)、第三PMOS管(PM3)、第五PMOS管(PM5)、第七PMOS管(PM7)、第九PMOS管(PM9)的源极均连接供电电源(Vdd)，第一PMOS管(PM1)的栅极和漏极、第三PMOS管(PM3)的栅极、第三PMOS管(PM3)的栅极、第五PMOS管(PM5)的栅极、第七PMOS管(PM7)的栅极以及第九PMOS管(PM9)的栅极连接第二PMOS管(PM2)的源极；
第三PMOS管(PM3)的漏极连接第四PMOS管(PM4)的源极，第五PMOS管(PM5)的漏极连接第六PMOS管(PM6)的源极，第四PMOS管(PM4)的栅极连接第六PMOS管(PM6)的栅极，第七PMOS管(PM7)的漏极连接第八PMOS管(PM8)的源极，第九PMOS管(PM9)的漏极连接第十PMOS管(PM10)的源极；第二PMOS管(PM2)的栅极和漏极、第八PMOS管(PM8)的栅极、第十PMOS管(PM10)的栅极均连接外部电流源(Iref)；
第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第四NMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)和第七NMOS管(M7)的栅极相连，第四PMOS管(PM4)的漏极连接第一NMOS管(M1)的漏极，第一NMOS管(M1)的源极连接第二NMOS管(M2)的漏极，第二NMOS管(M2)的源极连接第三NMOS管(M3)的漏极，第三NMOS管(M3)的源极连接第四NMOS管(M4)的漏极，第四NMOS管(M4)、第六NMOS管(M6)、第八NMOS管(M8)的源极相接后接地；
第六PMOS管(PM6)的漏极连接第一输入PMOS管(PMA)和第二输入PMOS管(PMB)的源极，第八PMOS管(PM8)的漏极、第五NMOS管(M5)的漏极、第六NMOS管(M6)的栅极和第八NMOS管(M8)的栅极相接，第五NMOS管(M5)的源极连接第六NMOS管(M6)的漏极和第二输入PMOS管(PMB)的漏极，第十PMOS管(PM10)的漏极连接第七NMOS管(M7)的漏极且作为向输出模块中的PMOS输出管输出控制信号的输出端，第七NMOS管(M7)的源极连接第八NMOS管(M8)的漏极和第一输入PMOS管(PMA)的漏极，第一输入PMOS管(PMA)的栅极用于输入参考电压(Vref)，第二输入PMOS管(PMB)的栅极用于连接整体LDO电路的输出端。
4.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述输出模块包括第十一PMOS管(PM11)、第十二PMOS管(PM12)、第十三PMOS管(PM13)、第十四PMOS管(PM14)、第十五PMOS管(PM15)和米勒电容(C1)；第十一PMOS管(PM11)作为PMOS输出管，其栅极连接第十PMOS管(PM10)的漏极，其源极连接供电电源(Vdd)，其漏极通过以级联二极管形式连接的第十二PMOS管(PM12)、第十三PMOS管(PM13)、第十四PMOS管(PM14)和第十五PMOS管(PM15)后接地，且第十一PMOS管(PM11)的漏极与栅极之间连接有米勒电容(C1)。
5.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述第十一PMOS管(PM11)的宽长比为5000um/0.13um。
6.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述第十二PMOS管(PM12)、第十三PMOS管(PM13)、第十四PMOS管(PM14)和第十五PMOS管(PM15)采用级联二极管连接形式，其工作在亚阈值区，静态电流为纳安量级。
7.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述瞬态增强电路包括由第十六PMOS管(PM16)、第十七PMOS管(PM17)和第十NMOS管(M10)构成的第一级反相器、第二级反相器(INV1)、第三级反相器(INV2)和作为开关管的第九NMOS管(M9)；第九NMOS管(M9)的源极接地，栅极连接第三级反相器(INV2)的输出，漏极连接第十一PMOS管(PM11)的栅极；第十六PMOS管(PM16)的源极连接供电电源(Vdd)，栅极和漏极连接第十七PMOS管(PM17)的源极；第十七PMOS管(PM17)的栅极连接第十NMOS管(M10)的栅极，漏极连接第十NMOS管(M10)的源极和第二级反相器(INV1)的输入端，第二级反相器(INV1)的输出端连接第三级反相器(INV2)的输入端，第十NMOS管(M10)的漏极接地。
8.如权利要求1所述的高瞬态响应的无片外电容LDO电路，其特征在于，所述瞬态增强电路正常工作情况下，第一级反相器输出低电平，第二级反相器输出高电平，第三级反相器输出低电平，作为开关管的第九NMOS管(M9)截止，当LDO电路的输出电压(Vout)变化时，输出电压(Vout)产生下冲第一级反相器输出高电平，第二级反相器输出低电平，第三级反相器输出高电平，作为开关管的第九NMOS管(M9)导通并将栅极上的电荷泄放到地。
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