CN116046822A - 一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法和装置 - Google Patents

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CN116046822A CN202310341783.9A CN202310341783A CN116046822A CN 116046822 A CN116046822 A CN 116046822A CN 202310341783 A CN202310341783 A CN 202310341783A CN 116046822 A CN116046822 A CN 116046822A
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Abstract

本发明提供一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法和装置，具体包括：按照预定间隔采集单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于劳厄衍射花样确定单晶样品的循环周期；按照预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；根据取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。本发明充分考虑单晶的对称性，通过对单晶样品的外表面进行取向标定，将对准误差缩小到1度以内，提高了单晶样品对准的精确度，并且对准过程不需要人工操作，降低人为误差，节约人工成本，提高了对准效率。

Description

一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法和装置
技术领域
本发明涉及单晶对准技术领域，尤其涉及一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法和装置。
背景技术
在单晶生产过程中，经常需要对单晶样品进行定向对准等操作，目前存在的圆管对准方法有：采集单晶管横截面的劳厄照片，直接对比两个样品的劳厄照片寻找重合度最佳的时刻来对接（参见作者为李鑫、姜玮的一份文献“Mo-3Nb单晶定向焊接技术研究”，该文献记载在期刊《稀有金属材料与工程》2015,44（1）的190-192部分）。这个方法存在的问题有以下两个问题：1、圆管存在晶体对称性，衍射花样一致并不代表对准成功；2、此方法中的寻找重合位置是通过人眼分辨，工程繁琐且误差极大。
另外一份公告号为CN110835782B的专利文献采用的方法是：分别采集两根单晶管横截面的劳厄照片，计算得到晶体学坐标系和旋转矩阵，进而计算两个单晶同一非轴向晶向的晶向偏离角和晶向方位角，来计算侧面取向，通过偏离角差值范围实现对接。该方法同样存在以下两个问题：1、同样未考虑圆管的对称性问题；2、对准的误差范围为5度，误差较大。
总结检索到相关领域的现有技术可知，现有的单晶对准方法存在以下问题：1、衍射斑点的解析需要人工计算，对操作人员要求高，耗时长且易出错；2、仅对横截面采样分析，未考虑圆管的取向对称性问题，使得对准的成功率降低，对准误差较大。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法和装置，用于解决现有单晶对准方法存在的问题。
为了实现上述目的，现提出的方案如下：
一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，包括：
按照预定间隔采集圆柱状单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定所述单晶样品的循环周期；
按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；
根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；
基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
根据本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，所述根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点，包括：
依次计算第一单晶样品的每个外表面取向与第二单晶样品的第m个外表面取向bm之间的取向差，并从中选出最小值，记为，记录对应的第一单晶样品的外表面取向an的序号nm，即得到第二单晶样品第m个外表面取向bm与第一单晶样品对应点的序号（m,- nm），其中，p为一个循环周期采集的劳厄衍射花样的次数;
m按照1~p顺序取值，依次获取第二单晶样品与第一单晶样品p个对应点序号；
从多个对应点中选择前后连续的预定数量的对应点，确定所述前后连续的预定数量的对应点取向变化规律是否吻合；
在吻合的情况下，所述前后连续的预定数量的对应点为对准点。
根据本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准，包括
根据对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的位置序号之间的差值进行对准。
根据本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，所述从多个对应点中选择前后连续的预定数量的对应点，确定所述前后连续的预定数量的对应点取向前后变化规律是否吻合，包括：
所述前后连续的预定数量的对应点对应的序号为等差数列，则判定所述前后连续的预定数量的对应点前后取向变化规律吻合。
根据本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，所述按照预定间隔采集单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样之前，采用电解抛光方法处理单晶样品表面应力层。
根据本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，按照预定间隔采集单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定单晶样品的循环周期，包括：
控制单晶样品绕轴向进行360度的旋转，每预定间隔进行一次劳厄衍射花样采集；
分别对采集的劳厄衍射花样进行指标化，并计算出每张劳厄衍射花样所对应采集单晶样品的位置的外表面法线取向；
将取向信息转化成颜色信息，该颜色对应于标准反极图三角形中的rgb颜色信息；
将取向信息对应的颜色绘制成取向分布图；
根据单晶管的晶体对称性，基于所述取向分布图，得到所述单晶样品一个循环周期对应的度数。
根据本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，所述按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息，包括：
将第一单晶样品沿轴向旋转一个循环周期，每预定间隔采集一张劳厄衍射花样；
将第二单晶样品沿轴向旋转一个循环周期，每预定间隔采集一张劳厄衍射花样；
分别对采集的劳厄衍射花样进行指标化，并计算出每张劳厄衍射花样所对应采集单晶样品的位置的外表面法线取向。
本发明还提供一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置，包括：
X射线发生器，用于产生X射线；
样品台，用于固定圆柱状单晶样品，并执行处理器命令，实现圆柱状单晶样品的平移和旋转操作；
探测器，用于接收衍射线并得到劳厄衍射花样，所述衍射线通过X射线照射在单晶样品外表面后产生；
处理器，用于根据第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点及基于所述第一、第二单晶样品的对准点，控制样品台旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
本发明还提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如上所述圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法。
本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上所述圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法。
本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，充分考虑单晶的对称性问题，基于劳厄衍射原理对圆柱状单晶的外表面进行360度无损测量，实现两根圆柱状单晶的快速精确对准，通过计算机自动筛选计算，节约人工成本，同时提高对准效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法流程图；
图2是本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置示意图；
图3是本发明提供的单晶样品旋转示意图；
图4（a）是本发明提供的单晶样品外表面取向分布图；
图4（b）是本发明提供的单晶样品取向分布实例图；
图5是本发明提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明中的附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合图1-图5描述本发明的具体实施例。
图1是本发明提供的一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法流程图，如图1所示，圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法包括：
S100、按照预定间隔采集圆柱状单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定所述单晶样品的循环周期；
S110、按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；
S120、根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；
S130、基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
下面对上述步骤分别作详细说明：
S100、按照预定间隔采集圆柱状单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定所述单晶样品的循环周期；
具体地，在采集待对准单晶样品的劳厄衍射花样之前，首先检查单晶样品的表面状态，当单晶样品表面存在应力层时，需要进行电解抛光处理，电解抛光结束后，再次检查单晶样品的表面状态，确保没有应力层，再开始进行对准。
下面对本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置进行描述，下文描述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置与上文描述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法可以相互对应参照。
图2为本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置的结构图，如图2所示，本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置，包括：
X射线发生器210，用于产生X射线；
样品台220，用于固定圆柱状单晶样品，并执行处理器命令，实现圆柱状单晶样品的平移和旋转操作；
探测器230，用于接收衍射线并得到劳厄衍射花样，所述衍射线通过X射线照射在单晶样品外表面后产生；
处理器240，用于根据第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点及基于所述第一、第二单晶样品的对准点，控制样品台旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
具体地，在确保待对准单晶样品表面没有应力层后，将待对准单晶样品安装在圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置中，单晶样品在装置中能够绕着轴向进行360度旋转以及沿着轴向进行水平移动两种运动，X射线发生器产生X射线入射线，入射线照射在单晶样品外表面后产生衍射线，探测器接收衍射线后得到劳厄衍射花样。
可以理解的是，待对准单晶样品在安装完成后，其轴向是重合的，在对准过程中，只需要进行绕轴向旋转与沿轴向进行水平移动，即可实现对准。
图3是本发明提供的单晶样品旋转示意图，在本发明实施例中，如图3所示，处理器能够分别控制第一单晶样品以及第二单晶样品绕着轴向进行360度旋转，每旋转1度进行一次劳厄衍射花样采集，每次采集时间为15秒，共采集360张劳厄衍射花样，采集完成后将劳厄衍射花样转化成数字信息并保存。分别对360张劳厄衍射花样进行指标化，并计算出每张劳厄衍射花样所对应采集单晶样品的位置的外表面法线取向。每个取向信息保存为一个向量a，即：a=[h k l]。将取向信息转化成颜色信息，该颜色对应于标准反极图三角形中的rgb颜色信息，即：
  （1）
其中A为转换矩阵。
进一步地，将360个取向信息对应的颜色绘制成取向分布图，根据单晶的晶体对称性，基于取向分布图，得到单晶样品一个循环周期所需要的度数。
S110、按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；
具体地，首先绕第一单晶样品的轴向进行劳厄衍射花样采集，每旋转1度采集一张劳厄衍射花样数据，旋转一个循环周期，采集p个，循环周期为p度，然后绕第二单晶样品的轴向进行劳厄衍射花样采集，每旋转1度采集一张劳厄衍射花样数据，同样旋转一个循环周期，采集p个，循环周期为p度。分别计算第一单晶样品和第二单晶样品的外表面取向,并记录为矩阵。其中。
S120、根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；
具体地，用第二单晶样品的外表面取向b1与矩阵的所有值做取向差。的计算公式如下：
 （2）
找到p个取向差中的最小值，记录最小取向差对应an的序号n1,这就表示第二单晶样品的外表面取向b1与第一单晶样品的外表面取向an是对应的，得到第二单晶样品外表面取向b1与第一单晶样品对应取向即对应点序号（1,n1）。
由于晶体对称性，只找到对应取向是不够的，还需要判定对应取向前后的取向变化规律是否同样吻合。
进一步地，依次用第二单晶样品的外表面取向与矩阵的所有值做取向差,得到最小取向差对应单晶样品对应点的序号，记录为，全部计算完毕后，按照m由小到大的顺序检查nm值。
在本实施例中，若对应点后连续5个nm值为等差数列，则判定对应点对应取向前后的取向变化规律同样吻合，该对应点即为待对准单晶样品的对准点。
S130、基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
具体地，在得到待对准单晶样品的对准点后，根据对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的序号之间的差值进行对准。
在本实施例中，计算m- nm的值，当m- nm>0时，第一单晶样品顺着测量方向转动|m-nm|；当m- nm<0时，第一单晶样品逆着测量方向转动|m- nm|；转动完成即实现单晶样品的定向对准。
作为另外一种实施方式，在得到待对准单晶样品的对准点后，根据对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的序号之间的差值，通过转动第二单晶样品，或者同时转动第一单晶样品与第二单晶样品，都可以实现单晶样品的定向对准。
本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，不仅可以应用于圆柱状单晶的测试及对准过程，还可以应用于圆棒状单晶及圆环状单晶的测试及对准过程。
下面通过另外一个具体的实施例，更详细地说明本发明的内容。
在本实例中，对经过电解抛光后的两根轴向为<1 1 1>取向的单晶样品进行对准，具体步骤如下：
步骤一、沿着单晶样品的轴向转360度，每间隔1度进行一次劳厄衍射花样采集，通过计算机指标化采集得到的劳厄衍射花样，并计算出每张劳厄衍射花样所对应采集单晶样品位置的外表面法线取向[h k l]。图4（a）是本发明提供的单晶样品外表面取向分布图；图4（b）是本发明提供的单晶样品取向分布实例图，如图4（a）所示，计算机将取向信息转换成颜色信息并绘制成取向分布图，图4（b）中单晶样品的外表面取向从[1 0 1]取向逐步过渡到[1 1 2]取向，过渡的角度范围为30度，再从[1 1 2]取向过渡到[1 1 0]取向，过渡的角度范围为30度，表明单晶样品的晶体对称性遵循每60度循环一次，得到该单晶样品的循环周期为60度，由此选取的测量角度范围为60度；
步骤二、进行单晶样品的对准操作：首先绕第一单晶样品的<1 1 1>轴向进行劳厄衍射花样采集，每旋转1度采集一张劳厄衍射花样数据，共旋转60度，然后绕第二单晶样品的轴向进行劳厄衍射花样采集，每旋转1度采集一张劳厄衍射花样数据，共旋转60度，分别计算第一单晶样品和第二单晶样品的外表面取向,并记录为矩阵，其中；
步骤三、用第二单晶样品的外表面取向b1与矩阵的所有值做取向差，找到60个取向差中的最小值，记录最小取向差对应an的序号，即（1,n1），依次用重复上一步骤，并记录对应的（m,nm）序号即，全部计算完毕后，按照m由小到大的顺序检查nm值，即依次检查。若连续5个nm值为等差数列，如：
  （3）
由此确定b8与为吻合位置，即为待对准单晶样品的对准点；
步骤四、计算对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的位置序号之间的差值，并根据对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的位置序号之间的差值进行对准。
在本实施例中，对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的位置序号之间的差值为：
        （4）
当8- n 8>0时，第一单晶样品顺着测量方向转动|8- n 8|；
当8- n 8<0时，第一单晶样品逆着测量方向转动|8- n 8|。
转动完成即实现单晶样品的定向对准。
本发明还提供了一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置，与上文描述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法可以相互对应参照。
图5示例了一种电子设备的实体结构示意图，如图5所示，该电子设备可以包括：处理器510 (processor)、通信接口520 (Communications Interface)、存储器530 (memory)和通信总线540，其中，处理器510，通信接口520，存储器530通过通信总线540完成相互间的通信。处理器510可以调用存储器530中的逻辑指令，以执行圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，该方法包括：按照预定间隔采集圆柱状单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定所述单晶样品的循环周期；按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
此外，上述的存储器530中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：移动硬盘、只读存储器（ROM，Read-Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、等各种可以存储程序代码的介质。
又一方面，本发明还提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，该方法包括：按照预定间隔采集圆柱状单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定所述单晶样品的循环周期；按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
本发明提供的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，充分考虑单晶的对称性问题，基于劳厄衍射原理对圆柱状单晶的外表面进行取向标定，实现对单晶样品的360度无损测量，对准误差缩小到1度以内，提高了单晶对准的准确性；在对准过程中，全部计算及调整过程均通过计算机自动完成，全程不需要人工操作，降低了人为误差，节约人工成本，提高了检测效率，可广泛应用于工业生产。
以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征在于，包括：
按照预定间隔采集圆柱状单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定所述单晶样品的循环周期；
按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息；
根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点；
基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
2.根据权利要求1所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征在于，根据所述第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点，包括：
依次计算第一单晶样品的每个外表面取向与第二单晶样品的第m个外表面取向bm之间的取向差，并从中选出最小值，记为，记录对应的第一单晶样品的外表面取向an的序号nm，即得到第二单晶样品第m个外表面取向bm与第一单晶样品对应点的序号（m,nm），其中，p为一个循环周期采集的劳厄衍射花样的次数;
m按照1~p顺序取值，依次获取第二单晶样品与第一单晶样品p个对应点序号；
从多个对应点中选择前后连续的预定数量的对应点，并确定所述前后连续的预定数量的对应点取向变化规律是否吻合；
在吻合的情况下，所述前后连续的预定数量的对应点为对准点。
3.根据权利要求2所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征在于，基于所述第一、第二单晶样品的对准点，旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准，包括
根据对准点对应的第二单晶样品与第一单晶样品的位置序号之间的差值进行对准。
4.根据权利要求2所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征还在于，所述从多个对应点中选择前后连续的预定数量的对应点，确定所述前后连续的预定数量的对应点取向前后变化规律是否吻合，包括：
所述前后连续的预定数量的对应点对应的序号为等差数列，则判定所述前后连续的预定数量的对应点前后取向变化规律吻合。
5.根据权利要求1所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征在于，所述按照预定间隔采集单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样之前，采用电解抛光方法处理单晶样品表面应力层。
6.根据权利要求1所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征在于，按照预定间隔采集单晶样品外缘侧面的劳厄衍射花样，基于所述劳厄衍射花样确定单晶样品的循环周期，包括：
控制单晶样品绕轴向进行360度的旋转，每预定间隔进行一次劳厄衍射花样采集；
分别对采集的劳厄衍射花样进行指标化，并计算出每张劳厄衍射花样所对应采集单晶样品的位置的外表面法线取向；
将取向信息转化成颜色信息，该颜色对应于标准反极图三角形中的rgb颜色信息；
将取向信息对应的颜色绘制成取向分布图；
根据单晶管的晶体对称性，基于所述取向分布图，得到所述单晶样品一个循环周期对应的度数。
7.根据权利要求1所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法，其特征在于，所述按照所述预定间隔采集待对准的第一、第二单晶样品一个循环周期的劳厄衍射花样，并得到第一、第二单晶样品的外表面取向信息，包括：
将第一单晶样品沿轴向旋转一个循环周期，每预定间隔采集一张劳厄衍射花样；
将第二单晶样品沿轴向旋转一个循环周期，每预定间隔采集一张劳厄衍射花样；
分别对采集的劳厄衍射花样进行指标化，并计算出每张劳厄衍射花样所对应采集单晶样品的位置的外表面法线取向。
8.一种圆柱状单晶的三维定向及端面对准装置，其特征在于，所述装置包括：
X射线发生器，用于产生X射线；
样品台，用于固定圆柱状单晶样品，并执行处理器命令，实现圆柱状单晶样品的平移和旋转操作；
探测器，用于接收衍射线并得到劳厄衍射花样，所述衍射线通过X射线照射在单晶样品外表面后产生；
处理器，用于根据第一、第二单晶样品的外表面取向信息确定第一、第二单晶样品的对准点及基于所述第一、第二单晶样品的对准点，控制样品台旋转第一和/或第二单晶样品，实现对准。
9.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述程序时实现如权利要求1至7任一项所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法。
10.一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的圆柱状单晶的三维定向及端面对准方法。
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