CN115996888A - 气密性密封的封装件及其生产方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种气密性密封的封装件，其包括：至少一个片状覆盖基板，该片状覆盖基板具有平坦外表面和周向窄侧；第二基板，该第二基板被设置成与覆盖基板邻接并且与片状覆盖基板直接接触；由该封装件封闭的至少一个功能区域，所述功能区域具体被设置在覆盖基板与第二基板之间；以及激光结合线，该激光焊接线将覆盖基板与邻接覆盖基板的第二基板直接以气密方式连接，其中，所述覆盖基板呈透明薄膜基板的形式，且其中覆盖基板具有小于200μm的厚度。

Description

气密性密封的封装件及其生产方法

技术领域

本发明涉及一种气密性密封的封装件、基板组件以及用于提供气密性密封的封装件的方法。

背景技术

例如，气密性密封的封装件旨在保护封装件内的一个或多个部件免受不利环境条件的影响。例如，封装件内容纳的敏感电子器件、电路或传感器可以通过这种方式得到保护。这样就可以在例如心脏区域中、在视网膜中或对于生物处理器实施和应用传感器或医学植入物。例如，它们还可以被用作MEMS(微机电系统)、气压计、血气传感器、葡萄糖传感器等。已知使用的生物处理器由钛制成。

根据本发明的封装件，其应用领域还包括电子应用，例如用于智能手机外壳、虚拟现实眼镜及类似装置的领域。根据本发明的封装件也可以用于生产液流电池，例如在电动车的背景下。然而，根据本发明的封装件也可用于航空航天工业、高温应用及微光学器件领域。

由于上述对于保护封装件内容纳的电子器件的要求是强加在封装件上的，所以迄今为止根据本发明的封装件的使用已将某些应用领域排除在外，包括对于一些需要特别薄的封装件、或至少封装件的一面很薄的要求。这些包括，例如，指纹传感器、可变焦的隐形眼镜、体内使用(如用于测量颅内压)的神经压力传感器或图像传感器的超薄封装件。对于这些应用领域，适当地保护电子器件免受不利环境的影响也是有利的。尤其是，在此可以有利地确保与封装件内部的光通信。为此，封装件可以设计成是至少部分透明的，即至少在某些区域和/或至少对于一定范围的波长是透明的。此外，这种透明性还提供了通信过程，例如，用于数据或功率传输，以及用于通过或利用布置在腔中的电子器件或传感器进行的测量。具体地，可以实现光通信过程或光数据或功率传输。

然而，采用薄基板本身并将其放置在封装件上的是复杂的，甚至是不可能的。薄基板在与另外的基板层结合时趋于凸起。这也可以改变薄基板的物理性质，例如热导率。此外，薄基板可表现出高内应力，这使得它们并不适于制造封装件。例如，涉及激光的连接工艺不能应用于薄基板，因为如果激光太靠近薄基板的表面，则材料将被燃烧或去除。因此，很难甚至不可能使用薄基板来生产气密性密封特别好同时和/或无需使用额外的结合材料即可进行连接的封装件。

原则上，已知的是将多个零件进行连接和布置以便在中间空间内形成容纳区域，该容纳区域可以容纳部件。例如，欧洲专利文献EP3012059B1公开了一种用于生产保护光学部件的透明片的方法。为此，使用了一种新型的激光工艺。

发明内容

本发明可以被认为是改进了现有技术的封装件，特别是增强了与封装件内部的交换。更具体地，本发明旨在改善与封装件内部的光交换或改善对封装件外部环境的灵敏度，例如压力灵敏度。可选地，本发明的封装件允许使用更便宜的部件和/或更灵敏的环境数据测量。同时，本发明的封装件与现有技术的封装件一样可靠和耐用。

根据本发明的气密性密封的封装件包括至少一个片状覆盖基板，该覆盖基板具有平坦外表面和周向窄侧。换句话说，覆盖基板具有面向环境的外表面，该外表面基本上是平面的或平坦的。周向窄侧邻近平坦外表面延伸，且通常定向成与平坦外表面成直角，例如，以便绕平坦外表面的边缘延伸。在一个示例中，覆盖基板可以被描述成具有两个大面积的侧或面以及四个较小的侧的面板或立方体，四个较小的侧在大面积的面之间延伸，具体为垂直于两个大面积的面并与大面积的面邻接。因此，四个较小的侧共同限定了周向窄侧，而上表面则限定了覆盖基板的平坦外表面。通常，上表面的表面面积大于周向窄侧的较小侧的表面面积之和。

该气密性密封的封装件进一步包括第二基板，第二基板被设置成邻接覆盖基板并且与片状覆盖基板直接接触。第二基板和覆盖基板共同限定了所述封装件的至少一部分。优选地，所述两个基板设置在彼此的上部，即它们被叠放在一起。例如，所述基板共同形成了基板叠层。类似于上文或下文的术语“取向”仅仅是描述性的，因为基板可以在空间中呈现任何取向，当然，甚至是彼此相邻的布置也不脱离保护范围。通常，两个基板以其主侧或面彼此邻接的方式放置。

所述封装件还包括功能区域，该功能区域由所述封装件封闭，具体设置在覆盖基板与第二基板之间。例如，该功能区域是腔或有源层。

此外，所述封装件包括激光结合线，该激光结合线将覆盖基板与邻接覆盖基板的第二基板直接以气密方式连接。激光结合线通常具有垂直于其结合平面的高度HL。激光结合线优选在高度HL上延伸到设置在激光结合线上方的基板的材料中。在相对侧，激光结合线延伸到位于激光结合线下方的基板的材料中。覆盖基板直接连接到第二基板(例如通过熔合的方式)，而不必使用例如助粘剂或粘合剂。激光结合线还可以物理瞄准待连接的两个基板中的一个，即，激光的目标点可以位于两个基板中的一个中，而激光结合线将总是延伸到待连接的两个基板中。在连接或焊接步骤中或在激光结合线中，来自一个基板的材料和来自另一基板的材料熔化并混合，从而在一个基板和另一基板之间形成牢不可分的气密性结合。

如果封装件仅由覆盖基板与第二基板形成而作为整体形成封装件，则覆盖基板直接连接到第二基板，且封装件将包括一条激光结合线。在这种情况下，封装件具有结合平面或连接区域，在此基板彼此连接。在又一示例中，封装件可由堆叠在彼此上部的三个基板限定，在这种情况下，覆盖基板将直接连接到第二基板，而第二基板将连接到底部基板，该底部基板还限定了封装件的底部。在该示例中，封装件具有两个接触区域或两个连接区域，封装件沿着这两个接触区域或两个连接区域进行连接。

所述封装件包括透明薄膜基板形式的覆盖基板，该覆盖基板具有小于200μm的厚度。这种薄膜基板提供了传统封装件也能提供的所有优点，具体是封装件的内部被气密性密封而不受环境影响，以及封装件具有化学惰性，这对于体内使用特别有利。此外，根据本发明的封装件的使用还开辟了一些以往不能使用传统封装件的应用领域。例如，压力传感器可以设计得更灵敏，并且可以实现(例如指纹传感器所需的)特别精确的光学数据传输。

封装件通常在其内部限定腔，即中空空间。例如，腔具有横向周向边缘、底部和上侧，其中腔被封装件封闭。换言之，如果在封装件中恰好设置了一个腔，则腔在四周被封装件封闭，使得封装件的内表面同时限定了腔的边界。在封装件中有两个或两个以上的腔的情况下，所述两个或两个以上的腔共同被封装件封闭。

出于本申请的目的，底部和上侧是几何构造的，其也可以是与封装件的最终取向有关的任何其他侧。或者，上侧可以被描述为第一侧，底侧可以被描述为与第一侧相对的第二侧，边缘可以被描述为第一侧与第二侧之间的中间区域，通常，边缘基本垂直于第一侧和/或第二侧延伸。通常，横向周向边缘将第一侧连接到第二侧。

例如，如果腔是容纳腔的形式，则它将包含设置在其中的被容纳部件。这可以包括电子电路、传感器或MEMS(微机电系统)或MOEMS(微光机电系统)。

基板设置在彼此的旁边或在彼此的上面。这意味着所述至少两个基板以这样一种方式布置或彼此附接，使得所述至少两个基板表面接触，而不在它们之间提供或引入任何其他材料或层。由于技术原因，基板层之间可能存在微小的气体夹杂物或杂质，例如灰尘颗粒，这是无法避免的。这可能是由基板层之间或基板层表面上可能存在的不平整性产生的结果，尽管是在微观范围内。优选地，基板之间可存在的这种间距或间隙小于或等于5μm、优选小于或等于1μm。在另一优选实施例中，由激光产生的连接区域或激光结合线，其厚度在10μm与50μm之间。因此，激光结合线确保了气密性密封，因为它安全地桥接了两个基板之间可能存在的任何间隙。

激光结合线中的一条或一条激光结合线可以在距功能区域的距离DF处周向封闭功能区域。距离DF可围绕功能区域周向保持一致，使得激光结合线布置在功能区域周围，与功能区域的距离大致相同。距离DF也可以根据应用而发生变化，这在生产技术方面可能更为有利，视情况而定，例如，如果在一般处理步骤中连接多个封装件，或者如果功能区域具有圆形或任意形状，而激光结合线被绘制成直线。在腔具有光学特性的情况下，例如，如果它采用透镜形式，如会聚透镜，则激光结合线也可以形成在腔周围并且可选地与腔相距不同的距离。封装件还可包括多个腔。

在所述至少两个基板之间的接触区域处，封装件或接触区域可以是光学透明的，或者在可见波长范围内可以是不透明的。只有被用于连接工艺的激光穿过而形成激光结合线的基板才具有至少一个光谱窗口，使得至少所使用的激光的波长可以至少部分地穿过该基板或至少在其部分上穿过该基板。因此，接触区域被适配成可以通过使用激光焊接工艺在此引入能量沉积。因此，激光在那里至少部分被吸收。这可以通过以下方式局部地实现，即激光焊接工艺可称为冷连接工艺，这意味着为连接提供的热能集中地被引入激光结合线的区域内，并且仅相对缓慢地扩散到封装件的剩余材料中，使得特别是在功能区域中不会出现显著的温度升高。

由此，激光至少部分地在结合线的区域内局部地熔化两个基板的材料，使得所述至少两个基板局部地结合。为此，本领域技术人员可以参考例如EP3012059B1，其通过引用并入本文。

覆盖基板可具有小于170μm的厚度。覆盖基板的厚度优选为150μm或小于150μm、更优选为125μm或小于125μm。此外，覆盖基板的厚度可以为10μm或大于10μm、优选为20μm或大于20μm。换言之，覆盖基板的厚度优选为10μm至170μm，例如优选为20μm至150μm。

如果封装件被用作压力传感器，则覆盖基板3的有利厚度可以在100μm至150μm的范围内。原则上，基板厚度较薄的覆盖基板3可以实现更高的灵敏度，特别是对于光学测量或压力测量(例如，还对于基于覆盖基板3的光学特性的变化的压力测量)。然而，覆盖基板3的厚度下限、特别是跨越腔2的部分3a的厚度下限，可基于自发材料失效或随材料厚度的减小而降低的抗冲击或压力负载的能力来确定。由此推出100μm至150μm的范围对于当前应用是非常有用的。

此外，覆盖基板3的厚度也可取决于待覆盖的腔2的面积或尺寸。例如，腔具有被覆盖基板跨越的面积。腔或功能区域的这个面积可以，例如，在1×10^-4至1×10^-8m²的范围内、优选在1×10^-5至1×10^-7的范围内，并且可以更优选为1×10^-6±一个数量级。换言之，腔或功能区域的面积为1×10^-4m²或更小、优选1×10^-5或更小、更优选约1×10^-6或更小。此外，腔或功能区域的面积为1×10^-8或更大、优选1×10^-7或更大、更优选约1×10^-6或更大。

用于封装件的覆盖基板可以，例如，定义覆盖基板3的厚度与功能区域18或腔2的面积的比率，并且该比率的范围为0.5至20000、优选为1至10000、更优选为5至1000、甚至更优选为10至100。如果功能区域可以以支撑的方式被覆盖，即如果部分3a不是自支撑的，则覆盖基板3的厚度与功能区域18的面积的比率可以特别小，因为预计不会发生下垂。

激光结合线在平行于覆盖基板的平面延伸方向的方向上具有宽度B。宽度W具体是在覆盖基板的表面(即平坦外表面)处测得的。

在与基板结合的状态下，覆盖基板的抗剪强度具有惊人的、不可预见的增加。优选地，由于覆盖基板通过根据本发明所适应的激光结合线结合到第二基板上，因此具体提高了覆盖基板的剪切强度。换言之，由于覆盖基板最初是以较厚的形式提供的，且使用激光以这种较厚的形式连接到邻接的基板，因此具体实现了剪切强度的提高。由此形成的激光结合线不同于在已经以薄膜基板的形式提供覆盖基板并且使用激光将其结合的情况下获得的激光结合线。事实上，在这种情况下，将激光结合线引入到覆盖基板的材料中(即，也是激光的目标点)将非常贴近平坦外表面，以至于平坦外表面将被激光损坏或改变，而覆盖基板的增强将不能实现。

具体地，由于以较厚基板的形式提供并连接覆盖基板，然后对其厚度进行消除，例如通过研磨工艺，激光结合线形成了覆盖基板的外表面的一部分。如果激光结合线形成覆盖基板的外表面的一部分，或者换句话说，如果激光结合线延伸到覆盖基板的外表面，则这使得覆盖基板内的材料应力可以以特别有利的方式得到降低或减轻。例如，应力的降低可以通过材料去除过程中的有利组合来实现，即，例如表面的抛光。例如，材料的激光焊接和消除(也可能是这两个步骤的组合)可以将覆盖基板材料中存在的应力降低至少15％、有利地降低至少25％、更优选地降低至少50％、甚至可能达到65％或更多。换言之，变薄的覆盖基板比以不同方式(例如通过粘合)而结合的薄膜基板表现出更小的应力。因此，覆盖基板可以表现出更好的尺寸稳定性，和/或它可以承受更大程度的偏转而不破裂，且必要时它还可以更耐冲击。

优选地，封装件在平坦外表面上具有涂层。换言之，平坦外表面被涂覆，例如以便改善光学特性。

平坦外表面可以设置有纳米印刷或纳米压花。此外，可以在平坦外表面上设置外功能区域。例如，AR涂层、保护涂层、生物活性膜、滤光器、诸如由ITO或金制成的导电层可以用作涂层。由于涂层可以在连接步骤之后有利地进行涂敷，因此不必考虑需要将涂层设计成激光可以从中穿过的情况。

平坦内表面，即第一基板的面向第二基板的一侧，也可以具有涂层。如果该内涂层设置或涂敷在整个表面区域上，则它可以成为激光结合线的区域中的激光结合线的一部分。涂层也可以以部分覆盖的形式设置，即仅覆盖平坦内表面的一部分。在两侧涂敷涂层的一个示例是抗反射涂层，其至少部分地或分段地涂敷在第一基板的两侧上。

覆盖基板和/或第二基板或其他基板可以是晶片或可以由晶片切割而成，例如由玻璃、玻璃陶瓷、硅、蓝宝石或上述材料的组合制成。第二基板的材质可以不同于覆盖基板的材质。如果封装件的材料是化学惰性的，则特别有利的是，例如，硼硅酸盐玻璃就是其中的佼佼者。这些基板或其中一个基板也可以包括Al₂O₃、蓝宝石、Si₃N₄或AlN或由Al₂O₃、蓝宝石、Si₃N₄或AlN制成。

覆盖基板的平坦外表面优选设计成平坦的、特别是平面的。这意味着，平坦外表面尤其没有凸起，而且尤其表现出与平坦平面的最大偏差小于5μm。更具体地，平坦外表面具有小于或等于20nm的平均粗糙度值Ra。

覆盖基板在其整个范围内优选薄于200μm。此外，覆盖基板优选具有总体平面形状，且在其范围内一致地具有周向窄侧的厚度。

该气密性密封的封装件优选地限定了覆盖基板与第二基板的接触平面或接触区域，覆盖基板于该接触平面或接触区域处与第二基板接触。接触平面优选不含外来材料，即不含结合材料，例如，具体为粘合剂或玻璃料。换言之，覆盖基板直接接触邻接的第二基板，两者之间没有任何外来物质。

邻接的第二基板可以是底部基板的形式，在这种情况下，底部基板通过相同的激光结合线与覆盖基板气密性连接。

第二基板也可以是介于覆盖基板与底部基板之间的中间基板的形式，在这种情况下，底部基板将在第一结合平面中与中间基板连接，且覆盖基板将在第二结合平面中与中间基板连接。

所述至少一条激光结合线在垂直于覆盖基板的平面延伸方向的方向上具有厚度。垂直于覆盖基板的平面延伸方向的激光结合线的厚度限定了封装件的连接区。在此，激光结合线一直延伸到平坦外表面，更具体地，激光结合线形成了平坦外表面的一部分。换言之，激光结合线部分地延伸穿过平坦外表面。

在激光结合线的区域中，优选存在覆盖基板和/或邻接的第二基板的材料改性。这种材料改性可以包括折射率的变化和/或改性的化学成分。这种改性优选地形成了平坦外表面的一部分。

激光结合线的宽度W与覆盖基板的厚度D的比率W:D可以大于或等于1，具体地，W:D大于或等于0.5。此外，该厚度比也可以指定为W:D大于或等于0.1，或者W:D大于或等于0.05。

在优选实施例中，功能区域优选包括气密性密封的容纳腔，用于容纳诸如电子电路、传感器或MEMS或MOEMS的容纳物。

覆盖基板优选对于一定范围的波长是透明的，至少部分地或至少在其部分上是透明的。

此外，本发明的范围还包括气密性连接的基板组件，具体是用于如上所述的封装件。该气密性连接的基板组件包括至少一个具有平坦外表面和周向窄侧的片状基板，以及设置成与第一基板邻接并与片状的第一基板直接接触的第二基板。因此，第二基板与第一基板物理接触，并且该物理接触存在于激光结合线将第一基板与第二基板结合的位置。如果计划或提供腔，则基板不必在腔区域中进行物理接触。

基板组件的第一基板是透明薄膜基板的形式，第一基板具有小于200μm的厚度。

基板组件还包括激光结合线，该激光结合线将第一基板与邻接第一基板的第二基板直接以气密方式连接。激光结合线一直延伸到平坦外表面，更具体地，激光结合线形成了平坦外表面的一部分。

同样在本发明的范围内的是一种用于提供气密性密封的封装件的方法，具体为上述封装件。该封装件包括功能区域，该功能区域具体为用于容纳至少一个容纳物的容纳腔的形式。该方法包括：提供至少一个覆盖基板和第二基板的步骤，其中覆盖基板包括透明材料。所述至少两个基板直接设置在彼此的旁边或在彼此的上面，从而在所述至少两个基板之间限定了接触区或接触区域。覆盖基板具有平坦外表面和周向窄侧。

通过沿着封装件的至少一个接触区域将所述至少两个基板彼此直接连接的方式，将所述至少两个基板以气密方式密封。更具体地，容纳腔或功能区域以这种方式被气密性密封，更优选地通过围绕功能区域或容纳腔的激光结合线。

此外，该方法包括：从覆盖基板消除材料，具体是为了减小覆盖基板的厚度。具体地是从覆盖基板研磨去除材料，例如通过打磨或喷砂，由此将覆盖基板制成薄膜基板，其具有厚度小于200μm的周向窄侧。

换言之，本申请方法首先可以实现覆盖基板的研磨减薄或消除，且在该过程中覆盖基板不会被剪断或分离甚至是被破坏。这使得制造过程得到显著改进，并实现了显着改进的封装件的制造。

在此，与激光目标点的距离，即输入封装件的非线性能量的位置，显得尤为重要。该距离T要选得足够大，以便使激光引入的材料改性保持在平坦外表面的内部，即不会到达覆盖基板的表面。这样，沉积的激光能量可以完全被连接过程中涉及的邻接的基板的材料所吸收，即，例如覆盖基板和第二基板，并且可以产生有利的焊缝或激光结合线，从而提高了覆盖基板的剪切强度。

通过仔细选择T可实现进一步改进，即非线性吸收区域(nlA；即具体为激光的目标点)不会延伸到覆盖基板中。已经发现，激光可能在目标点处产生外来颗粒，这一点会通过例如nlA的变黑和/或折射率的变化而变得明显。

令人惊讶的是，通过这种方式可以在材料消除之后在平坦外表面处产生宽度特别大的激光结合线。

封装件的气密性密封可以使用激光焊接工艺实现。腔或封装件的气密性密封可在低于或高于封装件后续使用期间的温度的温度下完成。

在该方法中，所述至少两个基板优选地以晶片叠层的形式提供，以便例如在同一工作流过程中由晶片叠层联合生产多个气密性密封的封装件。

该方法还可以包括将封装件与晶片叠层分离，该步骤具体通过激光切割或激光分离步骤来执行。具体地，可以使用连接步骤所使用的相同激光进行分离。

上述方法可以生产出其中封闭有气密性密封的容纳腔的封装件。

根据上述方法生产的封装件也可用作医疗植入物或作为传感器。

本发明还包括传感器单元和/或医疗植入物，其包括上述封装件或包括上述基板组件。

激光结合线的高度HL优选在大于10μm、更优选地大于50μm、大于100μm、甚至大于200μm的范围内。

附图说明

这里将通过示例性实施例并参考附图对本发明进行更详细地解释，其中相同和相似的元件部分地由相同的附图标记表示，而不同示例性实施例的特征可以彼此组合。

图1示出了根据本发明的封装件的第一实施例的截面图；

图2a、2b示出了通过不利的制造工艺获得的结果的示例；

图3示出了用于生产根据本发明的封装件的示例性方法步骤；

图4a、4b示出了连接区的详细截面图；

图5示出了根据本发明的封装件的平面图；

图6是连接区的截面侧视图；

图7a-7d示出了根据本发明的基板组件或封装件的不同配置；

图8示出了根据本发明的封装件的另一实施例；

图9是连接区的示意图；

图10a、10b示出了激光结合线的不同形式；

图11是可根据本发明生产的封装件的照片；

图12是根据本发明的封装件的平面图；

图13是图12所示封装件的截面侧视图；

图14是图12所示封装件的侧视图；

图15是图12所示封装件的俯视图；

图16是在从覆盖基板消除材料之前具有多条平行的激光焊接线的激光焊接区的截面侧视图；

图17是在从覆盖基板消除材料之后具有多条平行的激光焊接线的激光焊接区的截面侧视图；

图18是图19、图20和图21的灰度键；

图19是覆盖基板表面抛光之后的截面侧视图；

图20示出了覆盖基板表面抛光之前的分析结果；

图21示出了覆盖基板表面抛光之后的分析结果；

图22示出了覆盖基板表面抛光之前的另外的分析结果；以及

图23示出了覆盖基板表面抛光之后的另外的分析结果。

具体实施方式

图1示出了根据本发明的封装件的一个实施例的截面图。封装件1包括以薄玻璃层3形式的第一基板3和第二基板24，第一基板3和第二基板24通过连接区6以气密方式周向连接。第一基板3的平坦外表面4面向环境。在第一基板3与第二基板24之间的接触区域10中引入连接区6。封装件1封闭腔2，容纳物5设置在腔2中。例如，腔2以研磨的方式被引入到第二基板24中，即将第二基板24挖空形成。

参考图2a，其所示实施例并不代表本发明，而是示出了通过粘合剂或玻璃料将两个基板结合。这里的问题是，结合区域不能等距实现，而粘合剂或玻璃料11会发生变化或在成品中其厚度方面会发生变化。在这种情况下，要么无法实现气密性密封，要么无法将盖板30支撑平整或调平，从而导致整体结较差，且盖板的长期耐用性也较差。箭头12例示了从所示腔底部到盖板30的距离，该距离在腔内部并不一致。箭头13表示从腔内物品的上表面到盖板30的距离。

参考图2b，其示出了不代表本发明的另一种较差的实施方式。在此，盖板30上明显具有凸起14，例如，该凸起14会在常见的超短脉冲工艺的情况下出现。其缺点是盖板30的上表面不是平面或平坦的，并且这种凸起14后期极难返工。从而造成成本较高或图2b所示产品不能被用于本发明预期的应用领域。

图3示出了用于生产根据本发明的封装件1的示例性步骤。多个封装件1在相同的处理步骤中由基板叠层9中的共同基板(例如，晶片形式的基板)生产而成，以便降低生产成本并使材料浪费最小化。在准备步骤110中，准备由基板7、24和容纳物品5组成的叠层用以完成封装件1。在最终加工之前，第一基板7的厚度大于200μm，从而使后续连接过程可以更加容易、更加精确地进行。换言之，在连接工艺实施之前，基板还不是薄膜基板。第二基板24和第一基板7形成晶片叠层9。

在连接步骤120中，利用激光将连接区或激光结合线6引入到封装件1中，在该示例中晶片叠层9具有多个腔2，即三个腔2。随后，多个封装件1从晶片叠层9分离。激光结合线6围绕每个腔2周向引入并且以气密方式密封相应的腔2。

在减薄步骤130中，在最终制成之前，加工第一基板7以获得薄玻璃层形式的成品覆盖基板3，例如通过研磨性的材料消除。这可能涉及到抛光步骤或喷砂步骤或类似的消除，以便将薄膜基板3减小到小于200μm的厚度。在消除步骤130中，激光结合线6也被至少部分地消除，以便激光结合线6形成薄玻璃层3的表面4的一部分，从而形成适配连接区6a。覆盖基板3由此得到调整，以便在与第二基板24结合的状态下展示出特别高的剪切强度。

可选地，用于生产根据本发明的封装件1的方法可以包括精加工或沉积步骤140，例如包括沉积20，在该沉积20中，外部功能层16被施加到第一基板3的外表面4上。在分离步骤150中，使用切割工具22将单独的封装件1分离，切割工具22也可以是激光，例如用于连接封装件的激光。换言之，将多个封装件1从晶片叠层9分离。因此，在本示例中，多个封装件1联合生产，这意味着可以进一步降低制造工艺的成本。

参考图4a，其示出了激光焊接区6的纵向截面图的细节，激光焊接区一直延伸到第一基板3的平坦外表面4处并且在平坦外表面4处具有宽度W。第一基板3具有厚度D，例如小于200μm。在本示例中，第一基板3的厚度可以小于100μm、小于70μm、优选小于50μm、甚至小于30μm。激光结合线6的宽度或直径，这里用W表示，大于薄玻璃层3的厚度。例如，W为200μm，薄玻璃层的厚度为130μm。此外，例如，W/D大于1，使得激光结合线6在外表面4处的宽度大于薄玻璃层3的厚度D。更优选地，W/D比值为0.5，使得W为薄玻璃层3的厚度D的一半或更大。W/D比值也可以大于或等于0.1、更优选地大于或等于0.05。

就宽度而言，目前典型的激光结合线在10μm至50μm的范围内。例如，当W＝10μm，D＝200μm时，将获得的W/D为0.05。但更大的W/D值也可能有用，例如0.25，在W＝50μm且D＝200μm时获得。

本发明的方法在制造过程中通过消除产生薄玻璃层3，从而除其他外，不仅使薄玻璃层3具有平均厚度D，而且使平坦外表面4得到尤其有用的抛光，具体为没有任何凸起或凸块突出外表面4。

参考图4b，其中，除图4a以外，还指示了焊接激光的目标区域8，该目标区域8是在外表面4以下深度T处引入的。例如，T可以大于或等于10μm、大于或等于50μm、大于或等于100μm、甚至大于或等于200μm。T总是大于薄玻璃层的厚度D，以便以气密方式连接第一基板3和第二基板24。目标位置8代表材料中的非线性吸收区域和/或雪崩式电离区域，即例如为Keldysh参数设置的深度。这是激光结合线上引入光学缺陷的区域，即，例如局部改变的折射率或变黑。

参考图5，其示出了根据本发明的封装件1的平面图，在封装件1内设有功能区域2。激光结合线6围绕功能区域2周向延伸并将功能区域2四面以气密方式密封，在此，功能区域的形式为腔。例如，围绕激光结合线6给出了第一基板3的外表面4处的激光结合线B的宽度。

参考图6，其示出了根据本发明的封装件或基板组件沿激光结合线6的截面侧视图。激光结合线6已在上表面处进行了改性，从而呈现出形成第一基板的外表面4的一部分的适配连接区6a。在此，激光结合线6既延伸到第一基板3中又延伸到第二基板24中。

参考图7a，其示出了根据本发明的基板组件，包括薄膜基板3和以气密方式结合到其上的第二基板24，两个基板通过激光结合线6以气密方式连接。

参考图7b，其示出了图7a的组件，该组件另外具有外部功能层16，例如光学涂层16。外部功能层16具有一致的(即均匀的)厚度并且还覆盖了改性功能层6、6a。激光结合线6被引入第一和第二基板3、24之间的接触区域10中。

参考图7c，其示出了图7a的组件，该组件包括附加的内部功能层18或内部功能区域18，例如，该内部功能层18或内部功能区域18集成在第二基板24中，或者设置在第一基板3与第二基板24之间，或者可以施加在第一基板3的下表面上。该层18可以形成接触区域的一部分或者可以限定接触区域。例如，层18可以是覆盖基板3的内表面上的AR涂层。如果层18形成在整个表面上，则它会在激光结合线6、6a的区域中被损坏。如果层18的功能没有因此受到损害，例如，如果涂层保留在腔2内，则这种情形是可以接受的。

参考图7d，其示出了又一实施例，在该实施例中，封装件1封闭腔2或功能区域18。例如，功能区域18可以是第二基板24中透镜形状的凹陷，由于凹陷的形状，其可能已经具有光学特性，这意味着它可以用作，例如，透镜。

图8示出了封装件1的另一实施例，在该实施例中，第二基板24与第三基板25通过第一激光结合线6以气密方式连接，并且第二基板24与第一基板或覆盖基板3通过第二激光结合线6a连接。在该示例中，两条激光结合线6、6a直接一个布置在另一个之上。虽然这种布置具有优点，但本发明不应限于这种布置。这种布置的优点之一是使腔2作为封装件的百分比部分达到所期望的最大尺寸。激光结合线优选与激光结合线6、6a周围的每个界面或表面保持最小距离。两条激光结合线6、6a直接一个在另一个之上或彼此尽可能少地偏移的有利布置是由于一方面，腔2应该尽可能靠近封装件1的外表面，另一方面，激光结合线6、6a应与腔2和封装件1的外表面保持最小距离。激光结合线6a具有平坦的上侧，这是在连接工艺之后对覆盖基板3进行研磨减薄以形成覆盖基板3的外表面4而产生的结果。激光结合线6a的材料也在该工艺中被去除。

图9是激光结合线6、6a的结构示意图。W表示熔合区36的最大(横向)宽度，平面34表示测量W的平面。HL是熔合区36的高度，CN是从激光焦点，即从非线性吸收区域，到测量W的平面34的距离。在激光结合线6、6a内部，限定了内熔化区32。

参考图10a、10b，其示出了由字母(a)、(b)、(c)、(d)、(e)表示的示例性激光焊接区6、6a的不同深度T的比较，它们在材料消除之前被部分地引入原始基板7，即薄膜基板3。激光焊接区6、6a的深度T不同，在深度T处它们从上方穿过第一基板7而引入基板叠层1或封装件1中。后期外表面4以虚线表示；该平面旨在限定最终封装件上的平坦外表面4。深度T被测量为焦点8与后期平坦外表面4之间的距离。D表示在最终处理之后覆盖基板3的厚度。在(a)表示的激光结合线6、6a的情况下，熔化区36仅勉强延伸到覆盖基板3中。尽管该组件已经提供了充分的结合，但是已经发现这样的组件可能对潜在的材料缺陷敏感，因此基板3、24、25中一个基板的材料缺陷或弱化可导致覆盖基板的分离或气密密封的损坏。

在(b)、(c)、(d)表示的激光结合线6、6a的情况下，对流区36足够远地延伸到覆盖基板7中，即延伸到后期薄膜基板3中，并且在(c)和(d)的情况下，熔泡36的材料将被去除以产生薄膜基板3。然而，在(d)表示的激光结合线6、6a的情况下，非线性吸收区8已经明显靠近基板3、24之间的接触区域10。在非线性吸收区8中，已经观察到具有材料浑浊和/或折射率变化的可见材料改性。因此，优选的是要保持激光目标区域8与接触区域10间隔开来，在实施例(a)、(b)和(c)中仍然是这种情况。同样在这些情况下，两个基板3、24中有足够材料彼此对流混合。最后，(e)表示的实施例所示出的激光结合线6、6a不再延伸到第二基板24中并且不再能够在两个基板之间产生结合。

因此，当T等于D+CN时，被证明是用于生产薄膜基板叠层或封装件1的激光结合线6、6a的优选位置。在此，可以考虑的优选范围是T小于D+WH。另一方面，优选选择T大于CN，以便在第一和第二基板3、24之间产生结合。如果熔泡36最大宽度W的平面34大约位于后期薄膜基板的中间，即大约在D/2处，则T-CN＝D/2大约适用。薄膜基板叠层1或封装件1可以在所有上述范围内和中间水平上成功生产。

参考图11，其示出了封装件1或基板叠层1、9的侧视图，其中通过示例的方式引入了多条激光结合线6、6a。阴影线所示的上部厚度部分42旨在被向下移除，直至后期的平坦外表面4处，以生产薄膜基板3。上部42足够的材料厚度确保了激光结合线6、6a可以以不受影响或不受干扰的方式被引入到封装件1或基板叠层1、9中，并且确保了能够在薄膜基板3和第二基板24之间实现可靠结合。

功能区域18可服务于各种任务，例如，它可以是或可以包括可以布置在腔2中的光学接收器或技术、机电和/或电子部件。如图6所示，激光结合线6由多个激光脉冲冲击区域26组成，这些激光脉冲冲击区域彼此靠近，使得第二基板24的材料和第一基板3的材料无缝熔合在一起。

参考图12-15，其示出了封装件1的另一实施例，其中，腔2或功能区域18以气密方式封闭在封装件1中。图12示出了封装件1的平面图，其中，薄覆盖基板3在上部横跨腔2。腔2的形状可以是不规则的，如本示例所示，且可以根据待容纳部件5的安装空间或其他要求进行优化。这里所示的封装件1的实施例可以实现为压力传感器1。

图13为压力传感器1的侧视图。覆盖基板3被减薄或抛光至大约100至150μm的厚度，在这种情况下具体为130μm。覆盖基板3的一部分3a横跨腔2。覆盖基板3足够薄，从而能补偿压力波动或随自支撑或悬垂部分3a中的变形而发生变化的压力值。自支撑部分3a的变形又可以通过例如光学测量来检测，并且由此可以导出例如绝对压力值、相对压力值或压力变化。

包括覆盖基板3的结构，首先将较厚的基板与第二基板24连接，即焊接，并在激光焊接后，将覆盖基板3减薄到所需厚度，例如通过抛光，这种结构能够提供更坚固或更有用、可以承受腔2内部与环境之间更大的压力差而不被破坏的覆盖基板3。具体是因为从覆盖基板3去除材料的步骤降低了覆盖基板3中的材料应力并因此提高了覆盖基板3的强度和/或变形能力。将腔2完全封闭的周向激光结合线6a对腔2的气密密封是确保可靠地保持腔2内部与环境之间的压力差并且能够可靠地执行压力测量的关键特征。

如果将部分3a视为透镜或通常具有光学特性，则覆盖基板3在由覆盖基板3的部分3a覆盖的腔2的边界内的柔性K也允许实现光学特性。一方面，这允许光学测量主要压力或压力差，因为部分3a的光学特性随着偏转的增加而改变。另一方面，可以通过调节压力或压力差来设置期望的光学特性。例如，可以聚焦光学系统，即调节部分3a的焦点。例如，光学传感器可以设置在腔2内，并且入射到腔2中的辐射的光学焦点可因压力变化而改变。为此，还可以提供可调节的通道52，通过该通道52可以在封装件1的内部或在腔2中实现压力均衡和/或压力变化。例如，为此可以在通道52处或通道52内设置泵或阀。例如，也可以在内部或腔2中设置液体，并且部分3a的光学特性可以通过液体经由通道52流入或流出而进行调节。

第二基板24可以是连续的基板24，例如由在后期腔2的位置处具有“孔”或凹陷的晶片组成，或者可以在第一基板3和第三基板25之间使用间隔物。最后，图14为封装件的侧视图，示出了由三层3、24、25组成的层组件。

参考图15来解释另一种关系。点f(u)的连续或离散(具有U个点)2D函数描述了腔2或功能区域18的边界。将D作为覆盖基板3的厚度，可以定义系数K如下：

其中c对应于腔2的中心48或重心的坐标，可以通过以下公式获得：

或者在离散情况下：

系数K为评估或计算覆盖基板3的柔性提供了一种量度。柔性K优选在5至15的范围内、更优选地在7至12的范围内。

在一个示例中，当覆盖基板的厚度为150μm时，则K值为K＝1.25mm/0.15mm＝8.33。

换言之，封装件1相对于覆盖基板具有柔性K，柔性计算值为K≥3、优选为K≥5、次优选为K≥7，和/或K≤18、优选为K≤15、次优选为K≤12。在本发明上下文中发现，具有优势的覆盖基板3的柔性的可能区间为3≤K≤18、优选为5≤K≤15、或更优选为7≤K≤12，而用于K的取值范围的其他数字组合也可以具有优势。

图16-23涉及封装件1的另一实施例，其清楚地示出了在覆盖基板3的材料中的内应力方面的惊人改进。图16示出了消除覆盖基板7材料之前封装件1的截面图。出于测试目的，为了更好地识别材料应力，将多条激光焊接线6引入到由覆盖基板7和底部基板24组成的材料组件中，这些激光焊接线6平行且间距大致相等。在最终加工之前，覆盖基板7初始具有1800μm的厚度，因此对应于同样具有1800μm厚度的底部基板24的厚度。覆盖基板7被消除，例如通过研磨抛光或喷砂，直到指示的减薄线135，从而成为薄覆盖基板3，例如薄玻璃层。因此，减薄线135对应于消除目标。在这种情况下，将100μm的剩余厚度设置为覆盖基板3的消除目标135，使得封装件仍然具有1900μm的总厚度。

激光焊接线6延伸到两个基板7、24中至大致相同的深度，而激光焊接线6的形状已经结合图4a、图4b、图9、图10a、图10b进行了详细解释和说明。上述附图中所示的激光焊接线的特征也固有地存在于图16至23中，而仅仅为了更清楚起见，这些附图中并没有重复所有的附图标记。激光焦点的目标点在底部基板24中，因此非线性吸收位点26位于此处。对流区36从底部基板24延伸到覆盖基板7中，底部基板24的材料与覆盖基板7的材料在对流区36内混合。

从而在连接在一起的两个基板3、24之间获得了不可释放的结合。同时，如上所述，如果覆盖基板7在最终加工之前具有更大的厚度，则可以可靠地产生激光焊接线6，因为这样会防止材料被烧掉并且完整和连贯的材料交换会发生在对流区36中。随后，将完成覆盖基板7的材料消除130。

图17示出了覆盖基板3被消除过的封装件1，由此产生了改进的激光焊接线6a。覆盖基板3被消除到消除目标135处，即它具有100μm的厚度。底部基板仍然具有1800μm的厚度(因此，该图与图19至23的比例不符，因为在精确的比例下很难看到覆盖基板3)。从图17中可以看出，在该示例中，覆盖基板3的外表面4的很大一部分是由改进的激光焊接线6a限定的，这些激光焊接线6a一直延伸到外表面4。图17的实施例的结构也对应于图19-23所示的测量结果。

参考图18，其示出了用于将延迟值与图19、图20、图21中所示灰度相关联的灰度图。对于图20和图21，刻度范围从0nm(白色)延迟到70nm(黑色)延迟，并且0至70nm的值范围是线性分辨的。在图19的情况下，白色值也对应于0nm，而黑色值对应于180nm延迟。在图19的视图中0至180nm的延迟范围也在所示灰度上进行线性分辨，从白色到黑色。

参考图19、图20、图21，其示出了连接和在图19、图21的情况下抛光后的封装件1的延迟测量的表征。图20所示的封装件1在结构上对应于图16的截面图，而图21所示的表征在结构上对应于图17的截面图。所述多个相邻的激光焊接线6、6a在图19、图20、图21中清晰可见。延迟是指例如在两个垂直偏振光束之间的双折射晶体或其它双折射介质中发生的延时。如上所述，在当前情况下，其可以提供关于覆盖基板3的柔性K的信息。

图19示出了封装件1的截面图，显示了在材料中测得的延迟。具有激光目标点(即非线性吸收区域26)、内熔化区32及对流区36的激光结合线6a已经可以从延迟中清楚地识别出来。覆盖基板3和底部基板24之间的接触区域10也是可识别的。即使是之前具有高延迟值的区域，也在封装件1的位于多个激光结合线6a上方的砂磨基板3中被均匀化。

直接比较图20和图21的视图可以发现，图20明显更暗，也就是说它有更大的延迟。由此可以得出的结论是，图20所示的封装件1的覆盖基板3的材料的残余应力或本征应力大于材料消除后的残余应力或本征应力，后一状态如图21所示。同样的关系在图22和图23的两个图表中变得更加明显，在这两个图表中，获得的延迟值是沿封装件1的横截面绘制的。很明显，在材料消除至消除目标135后，对测得的延迟值有影响的本征应力可减少约2倍。这意味着，在如图22所示的材料消除之前的情况下测得的延迟大约是在如图23所示的材料消除之后的情况下测得的延迟的两倍。

对本领域技术人员来说，显然上述实施例是示例性的，本发明不限于此，而是可以在不脱离权利要求的范围的情况下以多种方式变化。此外，显而易见的是，无论是否在说明书、权利要求、附图或其他方面中公开，这些特征都单独定义了本发明的主要部件，即使它们与其他特征一起描述。在所有附图中，相同的附图标记表示相同的特征，因此对可能仅在一个图中提及或至少不结合所有附图提及的特征的描述也可以转移到说明书中未明确描述该特征的附图。

[附图标记说明]

1封装件或基板组件

2功能区域或腔

3第一基板或覆盖基板或薄玻璃层或盖板

3a覆盖基板的可变形或弹性部分

4第一基板的外表面或平坦外表面

5容纳物

6连接区或激光结合线

6a适配连接区

7第一基板(最终加工之前)

8焊接激光的目标区域

9晶片叠层

10接触区域或接触平面

11粘合剂或玻璃料

12腔底部到盖板的距离

13容纳物上表面到盖板的距离

14凸起

16抛光或外功能层

18内功能层或功能区域

20外功能层的沉积

22切割工具

24第二基板

25第三基板

26激光脉冲冲击区域或非线性吸收(nlA)区域

30盖板

32内熔化区

34激光焊接区的熔化区域的最大横向宽度的平面

36对流区、细长焊接泡

42上厚度部分

45腔2或功能区域18的边界

48内部空间的中心或腔2的重心

52通道

110准备步骤

120连接步骤

130减薄步骤

135减薄线或消除目标

140精加工或沉积步骤

150分离步骤

W激光焊接区在外表面4处的直径

D第一基板3的厚度

T封装件1中激光焊接区的高度

HL(WH)激光结合线的高度。

Claims (22)

1.一种气密性密封的封装件(1)，其包括：

至少一个片状覆盖基板(3)，所述片状覆盖基板具有平坦外表面(4)和周向窄侧；

第二基板(24)，所述第二基板(24)设置成邻接所述覆盖基板且与所述片状覆盖基板直接接触；

至少一个功能区域(2、18)，所述功能区域被所述封装件封闭，尤其设置在所述覆盖基板与所述第二基板之间；

激光结合线(6、6a)，所述激光结合线将所述覆盖基板与邻接所述覆盖基板的所述第二基板直接以气密方式连接；以及

其中，所述覆盖基板为透明薄膜基板的形式，所述覆盖基板具有小于200μm的厚度。

2.根据前述权利要求所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述覆盖基板(3)的厚度是在所述覆盖基板的所述周向窄侧测得的；和/或

其中，所述覆盖基板(3)具有小于170μm、优选小于150μm、更优选地小于125μm的厚度，和/或大于10μm、更优选地大于20μm的厚度。

3.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述激光结合线在平行于所述片状覆盖基板的主延伸方向的方向上具有宽度W、尤其是在所述覆盖基板的所述平坦外表面上的宽度；以及

其中，所述覆盖基板在与所述第二基板结合后，其剪切强度增强。

4.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述激光结合线(6、6a)具有初始高度HL，并且其中所述覆盖基板(3)的厚度小于HL的一半，和/或

其中，T<D+WH和/或T>CN。

5.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述平坦外表面(4)具有以下特征中的至少一个：

涂层(16)；和/或

纳米印刷或纳米压花(16)；和/或

功能区域(16)。

6.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述覆盖基板(3)的所述平坦外表面(4)的特征在于是平坦的、尤其是平面的、更尤其没有任何凸起、再尤其与平面的最大偏差小于5μm，此外，特别是其平均粗糙度值Ra小于或等于20nm；和/或

其中，所述覆盖基板(3)在其整个范围内厚度小于200μm，特别是通过具有平面形状并且在其范围内一致地具有所述周向窄侧的厚度。

7.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述覆盖基板(3)和所述第二基板(24)限定了接触平面或接触区域(10)，其中，所述覆盖基板接触所述第二基板，其中，所述接触平面不含外来材料、特别是不含结合材料，例如粘合剂或玻璃料。

8.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，邻接的所述第二基板(24)是底部基板，并且其中，所述底部基板通过相同的激光结合线(6、6a)与所述覆盖基板气密性连接；或

其中，邻接的所述第二基板为设置在所述覆盖基板与底部基板之间的中间基板，其中，所述底部基板沿着第一结合平面与所述中间基板连接，并且所述覆盖基板沿着第二结合平面与所述中间基板连接。

9.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述至少一条激光结合线(6、6a)在垂直于所述覆盖基板(3)的平面延伸方向的方向上具有厚度WH；以及

其中，所述激光结合线一直延伸到所述平坦外表面(4)，其中，所述激光结合线尤其形成所述平坦外表面的一部分。

10.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述覆盖基板(3)和/或邻接的所述第二基板(24)在所述激光结合线(6，6a)的区域内包括材料改性，尤其是折射率的改变和/或改性的化学成分，并且其中这种材料改性形成了所述平坦外表面(4)的一部分。

11.根据前述权利要求3-10中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述激光结合线(6、6a)的宽度W大于所述覆盖基板(3)厚度D；和/或

其中，所述激光结合线(6、6a)的宽度W与所述覆盖基板(3)的厚度D的比率W/D大于或等于1，尤其W/D大于或等于0.05。

12.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述功能区域(2、18)包括用于容纳诸如电子电路、传感器或MEMS的容纳物(5)的气密性密封的容纳腔。

13.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述覆盖基板(3)对于一定范围的波长是透明的、至少部分地和/或至少在其部分上是透明的。

14.根据前述权利要求中至少一项所述的气密性密封的封装件(1)，

其中，所述覆盖基板(3)由玻璃、玻璃陶瓷、硅、蓝宝石或这些材料的组合制成；或

其中，所述覆盖基板由陶瓷材料制成、尤其包括氧化物陶瓷材料。

15.一种气密性连接的基板组件(1、9)，其尤其用于根据前述权利要求中任一项所述的封装件，包括：

至少一个片状第一基板(3)，所述片状第一基板具有平坦外表面(4)和周向窄侧；

第二基板(24)，所述第二基板(24)设置成邻接所述第一基板并且与所述片状第一基板直接接触；

其中，所述第一基板为透明薄膜基板的形式，所述第一基板具有小于200μm的厚度；并且包括

至少一条激光结合线(6、6a)，所述激光结合线将所述第一基板与邻接所述第一基板的所述第二基板直接以气密方式连接；

其中，所述激光结合线一直延伸到所述平坦外表面，所述激光结合线尤其形成所述平坦外表面的一部分。

16.一种用于提供气密性密封的封装件(1)的方法，所述封装件包括功能区域(2、18)，所述功能区域尤其以用于容纳至少一个容纳物(5)的容纳腔(2)的形式，所述方法包括以下步骤：

--提供至少一个覆盖基板(3)和第二基板(24)，

其中，所述覆盖基板包括透明材料，

其中，至少两个基板设置在彼此的旁边或在彼此的上面，从而在所述至少两个基板之间限定接触区域(10)，以及

其中，所述覆盖基板具有平坦外表面(4)和周向窄侧；

-通过沿着所述封装件的所述至少一个接触区域将所述至少两个基板彼此直接连接的方式，将所述至少两个基板以气密方式密封；

--从所述覆盖基板消除材料，特别是以研磨方式、例如通过砂磨，并由此由所述覆盖基板制成薄膜基板，从而在其周向窄侧获得小于200μm的厚度。

17.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，

其中，所述封装件(1)和/或所述腔(2)的气密性密封通过激光焊接工艺来执行；和/或

其中，所述封装件(1)或所述腔(2)的气密性密封在低于或高于所述封装件的后续使用期间的温度的温度下执行。

18.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，

其中，至少两个基板(3、24、25)以晶片叠层(9)的形式提供，以便在同一工作流过程中由所述晶片叠层来联合生产多个气密性密封的封装件(1)。

19.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，还包括将所述封装件(1)从晶片叠层(9)分离的步骤，其中，所述步骤尤其通过激光切割或激光分离步骤来执行，尤其通过使用还用于所述连接步骤的相同的激光来执行。

20.一种封装件(1)，所述封装件具有封闭在其中的气密性密封的容纳腔(2)，所述封装件根据上述方法中的任一种生产。

21.根据上述方法生产的并且具有封闭在其中的气密性密封的容纳腔(2)的封装件(1)作为医用植入物或作为传感器的用途。

22.一种传感器单元和/或医用植入物，其包括根据权利要求1-14中至少一项所述的封装件(1)或根据权利要求15所述的基板组件(1)。

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