CN115976490A - 一种cvd金刚石生长在线检测装置 - Google Patents

一种cvd金刚石生长在线检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115976490A
CN115976490A CN202211580519.2A CN202211580519A CN115976490A CN 115976490 A CN115976490 A CN 115976490A CN 202211580519 A CN202211580519 A CN 202211580519A CN 115976490 A CN115976490 A CN 115976490A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wheel
joint
depositor
detection
festival
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211580519.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115976490B (zh
Inventor
胡常青
赵建海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Boshiguang Semiconductor Technology Co ltd
Original Assignee
Shanghai Boshiguang Semiconductor Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Boshiguang Semiconductor Technology Co ltd filed Critical Shanghai Boshiguang Semiconductor Technology Co ltd
Priority to CN202211580519.2A priority Critical patent/CN115976490B/zh
Publication of CN115976490A publication Critical patent/CN115976490A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115976490B publication Critical patent/CN115976490B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种CVD金刚石生长在线检测装置,属于金刚石生长检测技术领域。本发明包括沉积器、底座,所述沉积器设置在底座上,沉积器的上方设置有输气管、转动盘,沉积器的外侧缠绕有电磁线圈,所述输气管向沉积器中输入高温等离子气体,所述转动盘与沉积器转动连接,所述转动盘上设置有检测塔架,所述检测塔架上滑动设置有升降板,所述升降板的下方设置有检测机构,所述底座内设置有装载台及置换机构,所述装载台上设置有生长基板,所述检测机构对生长基板进行检测,所述置换机构对生长基板进行替换,所述装载台内设置有清洁器,所述清洁器对沉积器及检测机构进行清洁。

Description

一种CVD金刚石生长在线检测装置
技术领域
本发明涉及金刚石生长检测技术领域,具体为一种CVD金刚石生长在线检测装置。
背景技术
金刚石也是平常人们口中所说的钻石,属于纯碳矿物,是自然界中天然存在的最坚硬的物质,正由于金刚石的高硬度、高耐磨性的特点,使得金刚石成为极佳的工具材料,例如将金刚石用作车削加工的刀具,或用于修整砂轮的工具,同时金刚石传导光的光谱范围宽,在诸多光学检测仪器中也存在应用,但金刚石的资源稀缺,加工费人工费时间,价格及其昂贵,且金刚石矿物普遍较小,难以用作较大的工具使用,因此想要获得价格低的金刚石需要借助其他手段。
CVD是化学气相沉积的英文首字母缩写,如甲烷或氢气的含碳气体混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解,形成等离子态碳原子,并在基体上沉积交互生长成聚晶体或单晶体的金刚石,这种方式生产时金刚石及其容易出现生长缺陷,导致金刚石的成品率不高,若采用成像仪对其进行检测,成像仪与生长基板的距离较远导致成像模糊不清,操作人员很难进行观测判断。
发明内容
本发明的目的在于提供一种CVD金刚石生长在线检测装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供如下技术方案:一种CVD金刚石生长在线检测装置,包括沉积器、底座,所述沉积器设置在底座上,沉积器的上方设置有输气管、转动盘,沉积器的外侧缠绕有电磁线圈,所述输气管向沉积器中输入高温等离子气体,所述转动盘与沉积器转动连接,所述转动盘上设置有检测塔架,所述检测塔架上滑动设置有升降板,所述升降板的下方设置有检测机构,所述底座内设置有装载台及置换机构,所述装载台上设置有生长基板,所述检测机构对生长基板进行检测,所述置换机构对生长基板进行替换,所述装载台内设置有清洁器,所述清洁器对沉积器及检测机构进行清洁,升降节上设置有抽气单向阀,使用检测机构开始工作前,操作人员使用真空表测量升降节内部的真空度,若升降节内的真空度降低,操作人员利用气泵将升降节内的气体抽出,使检测机构内部抽成真空,防止高温等离子气体的热量对成像仪造成破坏。
进一步的,所述沉积器设置有第二电机,所述第二电机上安装有主动齿轮,所述转动盘的外轮廓上开设有齿槽,所述齿槽与主动齿轮相啮合,所述转动盘上设置有第一电机,所述第一电机位于检测塔架的一侧,第一电机上安装有丝杆,所述升降板上开设有螺纹孔,所述丝杆与螺纹孔相配合,第一电机带动丝杆旋转,丝杆通过螺纹使得升降板上下移动,升降板带动升降节、转动节及探测节向下移动,转动盘上开设有供检测机构进入到沉积器的孔,升降节与转动盘上的孔之间形成密封,输气管向沉积器中输入高温的等离子气体,沉积器外的电磁线圈通电产生磁场,约束等离子气体的运动方向,使等离子态的物质向生长基板上沉积,金刚石在生长基板逐渐长厚生成。
进一步的,所述检测机构包括升降节、转动节、探测节,所述升降节、转动节、探测节均为中空结构,升降节位于升降板的下方,升降节与升降板滑动连接,所述转动节的上部与升降节的底部球面连接,转动节与升降节的连接处设置有上固定节,所述探测节与转动节的底部球面连接,探测节与转动节的连接处设置有下固定节。
进一步的,所述升降节的内部设置有伺服电机,升降节的内部转动安装有蜗轮,所述伺服电机上设置有蜗杆,所述蜗杆与蜗轮配合传动所述蜗轮的两端对称设置有凸轮,两个所述凸轮位于升降节外侧,两个凸轮与蜗轮同轴连接,每个凸轮上开设有凹槽,所述升降板的两端对称设置有耳板,每个所述耳板上设置有销子,两个所述销子分别位于两个凹槽内,探测节仅升降变化时,成像仪的视角无法覆盖生长基板上所有生长的金刚石,当需要调节探测节的位置时,伺服电机通电带动蜗杆旋转,蜗杆带动蜗轮进行旋转,蜗轮与收卷轮同时旋转,收卷轮通过钢索带动执行轮转动,执行轮带动转动节偏转,探测节随之向外侧移动,上固定节与下固定节及两根连杆共同组成平行四边形的四杆机构,不论转动节偏转多大的角度,探测节的姿态始终与升降节的姿态保持一致,使得探测节能够检测径向方向的金刚石生长情况,第二电机通电带动主动齿轮旋转,主动齿轮驱动转动盘旋转,转动盘带动检测机构转动,即使得探测节扫视生长基板上的任意位置,收卷轮放松钢索时,执行轮失去钢索的卷拉力并在有卷簧的作用下复位,成像仪将金刚石生长过程的影像进行实时地反馈,便于操作人员进行观测。
进一步的,所述上固定节与下固定节之间至少转动连接有一对连杆,所述转动节与升降节的连接处设置有执行轮,所述升降节内部设置有换向轮,所述蜗轮上同轴设置有收卷轮,所述收卷轮上缠绕有钢索,所述钢索绕过换向轮,钢索的一端缠绕在执行轮上,所述执行轮与上固定节之间设置有卷簧,所述探测节的底部设置有复合滤光片,探测节的内部设置有成像仪,蜗轮同时带动凸轮旋转,升降板上销子的位置固定,凸轮的凹槽沿着销子滑动使得升降节上下移动,当转动节向外偏转时,探测节的位置抬高,凸轮带动升降节同步向下移动,补偿探测节抬高的距离,当转动节转动复位时,探测节的位置降低,凸轮带动升降节同步向上移动,通过凸轮对探测节的落差进行补偿,使得在检测过程中成像仪与生长基板的高度保持一致,成像仪不需要再调节成像焦距,避免了调节过程中图像模糊失焦情况的发生。
进一步的,所述装载台滑动安装在底座中,装载台的底部与底座之间设置有弹簧,装载台的两侧开设有导向槽,所述置换机构包括一对置换推架,每个所述置换推架呈躺倒的L形,每个置换推架与底座滑动安装,每个置换推架上设置有第三电机,所述第三电机上安装有小齿轮,所述小齿轮位于置换推架内部,小齿轮的一端露出置换推架,所述底座对应两个置换推架的滑动安装处设置有齿条,两个所述小齿轮分别与两个齿条啮合,金刚石沉积生长完成后,第三电机带动小齿轮转动,小齿轮在齿条上滚动并带动置换推架移动,导向轮顺着导向槽滚动,使得装载台向下移动,装载台带动生长基板下降到底座内,定位轮抵住装载台的上端,防止装载台向上回弹,电磁铁条推动生长基板移动,装载台的一端设置有置放支架,底座设置置放支架的一侧设置有拉窗,置换推架利用电磁铁条将生长基板推到置放支架上,操作人员打开拉窗将生长基板取出,并将新的生长基板推入到置放支架上,随后关上拉窗,置换推架在第三电机的带动下向回移动,电磁铁条吸住生长基板,将生长基板托到装载台上,装载台在弹簧的作用下复位,将生长基板再次送入到沉积器中。
进一步的,每个所述置换推架上安装有导向轮,所述导向轮滚动设置在导向槽中,每个所述置换推架上还安装有定位轮,两个所述定位轮之间安装有电磁铁条,所述电磁铁条对生长基板进行吸附。
进一步的,所述装载台内部至少设置有一对液压缸,一对所述液压缸对称设置,一对液压缸的活塞杆与清洁器的底部相连接,所述清洁器的底部至少连接有一根清洗管,所述装载台对应清洗管的位置处开设有通孔,所述清洁器的内圈处转动设置有内旋环,所述清洁器的外圈处转动设置有外旋环,所述内旋环及外旋环上均布开设有若干个斜向通槽,装载台对应清洁器的底部还开设有若干个排水孔,所有工作均结束后,清洁器在液压缸的带动下向上移动,抽吸泵将高压的弱酸性液体通过清洗管送入到清洁器中,高压流体通过内旋环及外旋环喷射到上检测机构上及沉积器内壁上,高压流体通过斜向通槽带给内旋环及外旋环旋转的力,使得弱酸性液体的喷淋更加地均匀,弱酸性液体对附着在检测机构及沉积器上的结晶进行腐蚀清洗,防止结晶干涉检测机构的运动导致卡死,清洗用的弱酸性液体通过排水孔排出,污水处理装置对弱酸性液体进行处理,清洗结束后电磁线圈对沉积器内部进行加热干燥,液压缸使清洁器复位。
进一步的,所述通孔的一端通过管道连接有抽吸泵,若干个所述排水孔的一端通过管道连接有污水处理装置。
与现有技术相比,本发明所达到的有益效果是:
1、通过伺服电机驱动转动节偏转,使探测节随之向外侧移动,不论转动节偏转多大的角度,探测节的姿态始终与升降节的姿态保持一致,使得探测节能够检测径向方向的金刚石生长情况,同时利用凸轮对探测节的落差进行补偿,使得在检测过程中成像仪与生长基板的高度保持一致,成像仪不需要再调节成像焦距,避免了调节过程中图像模糊失焦情况的发生。
2、利用抽吸泵将高压的弱酸性液体通过清洗管送入到清洁器中,高压流体通过内旋环及外旋环喷射到上检测机构上及沉积器内壁上,高压流体通过斜向通槽带给内旋环及外旋环旋转的力,使得弱酸性液体的喷淋更加地均匀,弱酸性液体对附着在检测机构及沉积器上的结晶进行腐蚀清洗,防止结晶干涉检测机构的运动导致卡死。
3、通过将检测机构内部设置成中空的真空环境,操作人员利用气泵将升降节内的气体抽出,使检测机构内部抽成真空,防止高温等离子气体的热量对成像仪造成破坏。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1是本发明的整体结构示意图;
图2是本发明检测机构的工作状态示意图;
图3是本发明的整体内部结构示意图;
图4是本发明图3中A区域的局部放大图;
图5是本发明检测机构的内部结构示意图;
图6是本发明图5中B区域的局部放大图;
图7是本发明升降节的部分结构示意图;
图8是本发明升降节与转动节的连接结构示意图;
图9是本发明底座内部的结构示意图;
图10是本发明沉积器的俯视结构示意图;
图11是本发明清洗器内部的结构示意图;
图中:1、沉积器;2、底座;3、输气管;4、检测塔架;5、升降板;6、第一电机;7、丝杆;8、第二电机;9、主动齿轮;10、转动盘;11、升降节;12、转动节;13、探测节;14、伺服电机;15、蜗杆;16、蜗轮;17、收卷轮;18、凸轮;19、钢索;20、上固定节;21、下固定节;22、连杆;23、执行轮;24、装载台;25、清洁器;26、内旋环;27、外旋环;28、弹簧;29、置换推架;30、第三电机;31、小齿轮;32、导向轮;33、置放支架。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-图11,本发明提供技术方案:一种CVD金刚石生长在线检测装置,包括沉积器1、底座2,沉积器1设置在底座2上,沉积器1的上方设置有输气管3、转动盘10,沉积器1的外侧缠绕有电磁线圈,输气管3向沉积器1中输入高温等离子气体,转动盘10与沉积器1转动连接,转动盘10上设置有检测塔架4,检测塔架4上滑动设置有升降板5,升降板5的下方设置有检测机构,底座2内设置有装载台24及置换机构,装载台24上设置有生长基板,检测机构对生长基板进行检测,置换机构对生长基板进行替换,装载台24内设置有清洁器25,清洁器25对沉积器1及检测机构进行清洁,沉积器1设置有第二电机8,第二电机8上安装有主动齿轮9,转动盘10的外轮廓上开设有齿槽,齿槽与主动齿轮9相啮合,转动盘10上设置有第一电机6,第一电机6位于检测塔架4的一侧,第一电机6上安装有丝杆7,升降板5上开设有螺纹孔,丝杆7与螺纹孔相配合。
升降节11上设置有抽气单向阀,使用检测机构开始工作前,操作人员使用真空表测量升降节11内部的真空度,若升降节11内的真空度降低,操作人员利用气泵将升降节11内的气体抽出,使检测机构内部抽成真空,防止高温等离子气体的热量对成像仪造成破坏,第一电机6带动丝杆7旋转,丝杆7通过螺纹使得升降板5上下移动,升降板5带动升降节11、转动节12及探测节13向下移动,转动盘10上开设有供检测机构进入到沉积器1的孔,升降节11与转动盘10上的孔之间形成密封,输气管3向沉积器1中输入高温的等离子气体,沉积器1外的电磁线圈通电产生磁场,约束等离子气体的运动方向,使等离子态的物质向生长基板上沉积,金刚石在生长基板逐渐长厚生成。
检测机构包括升降节11、转动节12、探测节13,升降节11、转动节12、探测节13均为中空结构,升降节11位于升降板5的下方,升降节11与升降板5滑动连接,转动节12的上部与升降节11的底部球面连接,转动节12与升降节11的连接处设置有上固定节20,探测节13与转动节12的底部球面连接,探测节13与转动节12的连接处设置有下固定节21,升降节11的内部设置有伺服电机14,升降节11的内部转动安装有蜗轮16,伺服电机14上设置有蜗杆15,蜗杆15与蜗轮16配合传动蜗轮16的两端对称设置有凸轮18,两个凸轮18位于升降节11外侧,两个凸轮18与蜗轮16同轴连接,每个凸轮18上开设有凹槽,升降板5的两端对称设置有耳板,每个耳板上设置有销子,两个销子分别位于两个凹槽内,探测节13仅升降变化时,成像仪的视角无法覆盖生长基板上所有生长的金刚石,当需要调节探测节13的位置时,伺服电机14通电带动蜗杆15旋转,蜗杆15带动蜗轮16进行旋转,蜗轮16与收卷轮17同时旋转,收卷轮17通过钢索19带动执行轮23转动,执行轮23带动转动节12偏转,探测节13随之向外侧移动,上固定节20与下固定节21及两根连杆22共同组成平行四边形的四杆机构,不论转动节12偏转多大的角度,探测节13的姿态始终与升降节11的姿态保持一致,使得探测节13能够检测径向方向的金刚石生长情况,第二电机8通电带动主动齿轮9旋转,主动齿轮9驱动转动盘10旋转,转动盘10带动检测机构转动,即使得探测节13扫视生长基板上的任意位置,收卷轮17放松钢索19时,执行轮23失去钢索19的卷拉力并在有卷簧的作用下复位,成像仪将金刚石生长过程的影像进行实时地反馈,便于操作人员进行观测。
上固定节20与下固定节21之间转动连接有一对连杆22,转动节12与升降节11的连接处设置有执行轮23,升降节11内部设置有换向轮,蜗轮16上同轴设置有收卷轮17,收卷轮17上缠绕有钢索19,钢索19绕过换向轮,钢索19的一端缠绕在执行轮23上,执行轮23与上固定节20之间设置有卷簧,探测节13的底部设置有复合滤光片,探测节13的内部设置有成像仪,蜗轮16同时带动凸轮18旋转,升降板5上销子的位置固定,凸轮18的凹槽沿着销子滑动使得升降节11上下移动,当转动节12向外偏转时,探测节13的位置抬高,凸轮18带动升降节11同步向下移动,补偿探测节13抬高的距离,当转动节12转动复位时,探测节13的位置降低,凸轮18带动升降节11同步向上移动,通过凸轮18对探测节13的落差进行补偿,使得在检测过程中成像仪与生长基板的高度保持一致,成像仪不需要再调节成像焦距,避免了调节过程中图像模糊失焦情况的发生。
装载台24滑动安装在底座2中,装载台24的底部与底座2之间设置有弹簧28,装载台24的两侧开设有导向槽,置换机构包括一对置换推架29,每个置换推架29呈躺倒的L形,每个置换推架29与底座2滑动安装,每个置换推架29上设置有第三电机30,第三电机30上安装有小齿轮31,小齿轮31位于置换推架29内部,小齿轮31的一端露出置换推架29,底座2对应两个置换推架29的滑动安装处设置有齿条,两个小齿轮31分别与两个齿条啮合,每个置换推架29上安装有导向轮32,导向轮32滚动设置在导向槽中,每个置换推架29上还安装有定位轮,两个定位轮之间安装有电磁铁条,电磁铁条对生长基板进行吸附,金刚石沉积生长完成后,第三电机30带动小齿轮31转动,小齿轮31在齿条上滚动并带动置换推架29移动,导向轮32顺着导向槽滚动,使得装载台24向下移动,装载台24带动生长基板下降到底座2内,定位轮抵住装载台24的上端,防止装载台24向上回弹,电磁铁条推动生长基板移动,装载台24的一端设置有置放支架33,底座2设置置放支架33的一侧设置有拉窗,置换推架29利用电磁铁条将生长基板推到置放支架33上,操作人员打开拉窗将生长基板取出,并将新的生长基板推入到置放支架33上,随后关上拉窗,置换推架29在第三电机30的带动下向回移动,电磁铁条吸住生长基板,将生长基板托到装载台24上,装载台24在弹簧28的作用下复位,将生长基板再次送入到沉积器1中。
装载台24内部设置有一对液压缸,一对液压缸对称设置,一对液压缸的活塞杆与清洁器25的底部相连接,清洁器25的底部连接有两根清洗管,装载台24对应清洗管的位置处开设有通孔,清洁器25的内圈处转动设置有内旋环26,清洁器25的外圈处转动设置有外旋环27,内旋环26及外旋环27上均布开设有若干个斜向通槽,装载台24对应清洁器25的底部还开设有若干个排水孔,通孔的一端通过管道连接有抽吸泵(图中未画出),若干个排水孔的一端通过管道连接有污水处理装置(图中未画出),所有工作均结束后,清洁器25在液压缸的带动下向上移动,抽吸泵将高压的弱酸性液体通过清洗管送入到清洁器25中,高压流体通过内旋环26及外旋环27喷射到上检测机构上及沉积器1内壁上,高压流体通过斜向通槽带给内旋环26及外旋环27旋转的力,使得弱酸性液体的喷淋更加地均匀,弱酸性液体对附着在检测机构及沉积器1上的结晶进行腐蚀清洗,防止结晶干涉检测机构的运动导致卡死,清洗用的弱酸性液体通过排水孔排出,污水处理装置对弱酸性液体进行处理,清洗结束后电磁线圈对沉积器1内部进行加热干燥,液压缸使清洁器25复位。
本发明的工作原理:在使用本发明中的检测装置时,升降节11上设置有抽气单向阀,使用检测机构开始工作前,操作人员使用真空表测量升降节11内部的真空度,若升降节11内的真空度降低,操作人员利用气泵将升降节11内的气体抽出,使检测机构内部抽成真空,防止高温等离子气体的热量对成像仪造成破坏,第一电机6带动丝杆7旋转,丝杆7通过螺纹使得升降板5上下移动,升降板5带动升降节11、转动节12及探测节13向下移动,转动盘10上开设有供检测机构进入到沉积器1的孔,升降节11与转动盘10上的孔之间形成密封,输气管3向沉积器1中输入高温的等离子气体,沉积器1外的电磁线圈通电产生磁场,约束等离子气体的运动方向,使等离子态的物质向生长基板上沉积,金刚石在生长基板逐渐长厚生成。
探测节13仅升降变化时,成像仪的视角无法覆盖生长基板上所有生长的金刚石,当需要调节探测节13的位置时,伺服电机14通电带动蜗杆15旋转,蜗杆15带动蜗轮16进行旋转,蜗轮16与收卷轮17同时旋转,收卷轮17通过钢索19带动执行轮23转动,执行轮23带动转动节12偏转,探测节13随之向外侧移动,上固定节20与下固定节21及两根连杆22共同组成平行四边形的四杆机构,不论转动节12偏转多大的角度,探测节13的姿态始终与升降节11的姿态保持一致,使得探测节13能够检测径向方向的金刚石生长情况,第二电机8通电带动主动齿轮9旋转,主动齿轮9驱动转动盘10旋转,转动盘10带动检测机构转动,即使得探测节13扫视生长基板上的任意位置,收卷轮17放松钢索19时,执行轮23失去钢索19的卷拉力并在有卷簧的作用下复位,成像仪将金刚石生长过程的影像进行实时地反馈,便于操作人员进行观测。
蜗轮16同时带动凸轮18旋转,升降板5上销子的位置固定,凸轮18的凹槽沿着销子滑动使得升降节11上下移动,当转动节12向外偏转时,探测节13的位置抬高,凸轮18带动升降节11同步向下移动,补偿探测节13抬高的距离,当转动节12转动复位时,探测节13的位置降低,凸轮18带动升降节11同步向上移动,通过凸轮18对探测节13的落差进行补偿,使得在检测过程中成像仪与生长基板的高度保持一致,成像仪不需要再调节成像焦距,避免了调节过程中图像模糊失焦情况的发生。
金刚石沉积生长完成后,第三电机30带动小齿轮31转动,小齿轮31在齿条上滚动并带动置换推架29移动,导向轮32顺着导向槽滚动,使得装载台24向下移动,装载台24带动生长基板下降到底座2内,定位轮抵住装载台24的上端,防止装载台24向上回弹,电磁铁条推动生长基板移动,置换推架29利用电磁铁条将生长基板推到置放支架33上,操作人员打开拉窗将生长基板取出,并将新的生长基板推入到置放支架33上,随后关上拉窗,置换推架29在第三电机30的带动下向回移动,电磁铁条吸住生长基板,将生长基板托到装载台24上,装载台24在弹簧28的作用下复位,将生长基板再次送入到沉积器1中。
所有工作均结束后,清洁器25在液压缸的带动下向上移动,抽吸泵将高压的弱酸性液体通过清洗管送入到清洁器25中,高压流体通过内旋环26及外旋环27喷射到上检测机构上及沉积器1内壁上,高压流体通过斜向通槽带给内旋环26及外旋环27旋转的力,使得弱酸性液体的喷淋更加地均匀,弱酸性液体对附着在检测机构及沉积器1上的结晶进行腐蚀清洗,防止结晶干涉检测机构的运动导致卡死,清洗用的弱酸性液体通过排水孔排出,污水处理装置对弱酸性液体进行处理,清洗结束后电磁线圈对沉积器1内部进行加热干燥,液压缸使清洁器25复位。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:包括沉积器(1)、底座(2),所述沉积器(1)设置在底座(2)上,沉积器(1)的上方设置有输气管(3)、转动盘(10),沉积器(1)的外侧缠绕有电磁线圈,所述输气管(3)向沉积器(1)中输入高温等离子气体,所述转动盘(10)与沉积器(1)转动连接,所述转动盘(10)上设置有检测塔架(4),所述检测塔架(4)上滑动设置有升降板(5),所述升降板(5)的下方设置有检测机构,所述底座(2)内设置有装载台(24)及置换机构,所述装载台(24)上设置有生长基板,所述检测机构对生长基板进行检测,所述置换机构对生长基板进行替换,所述装载台(24)内设置有清洁器(25),所述清洁器(25)对沉积器(1)及检测机构进行清洁。
2.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述沉积器(1)设置有第二电机(8),所述第二电机(8)上安装有主动齿轮(9),所述转动盘(10)的外轮廓上开设有齿槽,所述齿槽与主动齿轮(9)相啮合,所述转动盘(10)上设置有第一电机(6),所述第一电机(6)位于检测塔架(4)的一侧,第一电机(6)上安装有丝杆(7),所述升降板(5)上开设有螺纹孔,所述丝杆(7)与螺纹孔相配合。
3.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述检测机构包括升降节(11)、转动节(12)、探测节(13),所述升降节(11)、转动节(12)、探测节(13)均为中空结构,升降节(11)位于升降板(5)的下方,升降节(11)与升降板(5)滑动连接,所述转动节(12)的上部与升降节(11)的底部球面连接,转动节(12)与升降节(11)的连接处设置有上固定节(20),所述探测节(13)与转动节(12)的底部球面连接,探测节(13)与转动节(12)的连接处设置有下固定节(21)。
4.根据权利要求3所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述升降节(11)的内部设置有伺服电机(14),升降节(11)的内部转动安装有蜗轮(16),所述伺服电机(14)上设置有蜗杆(15),所述蜗杆(15)与蜗轮(16)配合传动所述蜗轮(16)的两端对称设置有凸轮(18),两个所述凸轮(18)位于升降节(11)外侧,两个凸轮(18)与蜗轮(16)同轴连接,每个凸轮(18)上开设有凹槽,所述升降板(5)的两端对称设置有耳板,每个所述耳板上设置有销子,两个所述销子分别位于两个凹槽内。
5.根据权利要求4所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述上固定节(20)与下固定节(21)之间至少转动连接有一对连杆(22),所述转动节(12)与升降节(11)的连接处设置有执行轮(23),所述升降节(11)内部设置有换向轮,所述蜗轮(16)上同轴设置有收卷轮(17),所述收卷轮(17)上缠绕有钢索(19),所述钢索(19)绕过换向轮,钢索(19)的一端缠绕在执行轮(23)上,所述执行轮(23)与上固定节(20)之间设置有卷簧,所述探测节(13)的底部设置有复合滤光片,探测节(13)的内部设置有成像仪。
6.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述装载台(24)滑动安装在底座(2)中,装载台(24)的底部与底座(2)之间设置有弹簧(28),装载台(24)的两侧开设有导向槽,所述置换机构包括一对置换推架(29),每个所述置换推架(29)呈躺倒的L形,每个置换推架(29)与底座(2)滑动安装,每个置换推架(29)上设置有第三电机(30),所述第三电机(30)上安装有小齿轮(31),所述小齿轮(31)位于置换推架(29)内部,小齿轮(31)的一端露出置换推架(29),所述底座(2)对应两个置换推架(29)的滑动安装处设置有齿条,两个所述小齿轮(31)分别与两个齿条啮合。
7.根据权利要求6所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:每个所述置换推架(29)上安装有导向轮(32),所述导向轮(32)滚动设置在导向槽中,每个所述置换推架(29)上还安装有定位轮,两个所述定位轮之间安装有电磁铁条,所述电磁铁条对生长基板进行吸附。
8.根据权利要求1所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述装载台(24)内部至少设置有一对液压缸,一对所述液压缸对称设置,一对液压缸的活塞杆与清洁器(25)的底部相连接,所述清洁器(25)的底部至少连接有一根清洗管,所述装载台(24)对应清洗管的位置处开设有通孔,所述清洁器(25)的内圈处转动设置有内旋环(26),所述清洁器(25)的外圈处转动设置有外旋环(27),所述内旋环(26)及外旋环(27)上均布开设有若干个斜向通槽,装载台(24)对应清洁器(25)的底部还开设有若干个排水孔。
9.根据权利要求8所述的一种CVD金刚石生长在线检测装置,其特征在于:所述通孔的一端通过管道连接有抽吸泵,若干个所述排水孔的一端通过管道连接有污水处理装置。
CN202211580519.2A 2022-12-06 2022-12-06 一种cvd金刚石生长在线检测装置 Active CN115976490B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211580519.2A CN115976490B (zh) 2022-12-06 2022-12-06 一种cvd金刚石生长在线检测装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211580519.2A CN115976490B (zh) 2022-12-06 2022-12-06 一种cvd金刚石生长在线检测装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115976490A true CN115976490A (zh) 2023-04-18
CN115976490B CN115976490B (zh) 2023-12-19

Family

ID=85961941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211580519.2A Active CN115976490B (zh) 2022-12-06 2022-12-06 一种cvd金刚石生长在线检测装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115976490B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03131598A (ja) * 1989-07-05 1991-06-05 Nippon Soken Inc ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法
US5274434A (en) * 1990-04-02 1993-12-28 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line
JP2005098773A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板のクラックの有無を検査する表面検査装置
US20050142846A1 (en) * 2003-12-31 2005-06-30 Microfabrica Inc. Method and apparatus for maintaining parallelism of layers and/or achieving desired thicknesses of layers during the electrochemical fabrication of structures
US20070080096A1 (en) * 2003-05-15 2007-04-12 Tdk Corporation Clean device with clean box-opening/closing device
JP2007147648A (ja) * 2000-12-01 2007-06-14 Ebara Corp 欠陥検査方法及び基板検査装置
CN202658227U (zh) * 2012-04-19 2013-01-09 彩虹(佛山)平板显示有限公司 一种在cvd设备中检测基板破片的装置
KR101347689B1 (ko) * 2012-07-31 2014-01-03 (주)유텍시스템 사파이어 웨이퍼의 검사를 위한 장치 구조
KR101697119B1 (ko) * 2016-07-07 2017-01-18 에스에스오트론 주식회사 반도체소자의 비전검사장치
CN107838810A (zh) * 2017-09-30 2018-03-27 哈尔滨工业大学 一种金刚石刀具圆弧波纹度的在位检测方法
CN109642875A (zh) * 2016-08-29 2019-04-16 科磊股份有限公司 用于原位工艺监测和控制的光谱反射测量法
CN210572003U (zh) * 2019-07-17 2020-05-19 佛山市清极能源科技有限公司 一种膜电极缺陷快速筛拣设备
CN111455455A (zh) * 2020-02-29 2020-07-28 武汉大学 具有在线监测功能的晶体生长装置
CN112064111A (zh) * 2020-08-18 2020-12-11 北京大学东莞光电研究院 一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法
KR20210069968A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 주식회사 케이씨텍 광 검출 유닛 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
CN113502462A (zh) * 2021-07-01 2021-10-15 上海铂世光半导体科技有限公司 一种mpcvd生长台的升降装置

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03131598A (ja) * 1989-07-05 1991-06-05 Nippon Soken Inc ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法
US5274434A (en) * 1990-04-02 1993-12-28 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting foreign particles on real time basis in semiconductor mass production line
JP2007147648A (ja) * 2000-12-01 2007-06-14 Ebara Corp 欠陥検査方法及び基板検査装置
US20070080096A1 (en) * 2003-05-15 2007-04-12 Tdk Corporation Clean device with clean box-opening/closing device
JP2005098773A (ja) * 2003-09-24 2005-04-14 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体基板のクラックの有無を検査する表面検査装置
US20050142846A1 (en) * 2003-12-31 2005-06-30 Microfabrica Inc. Method and apparatus for maintaining parallelism of layers and/or achieving desired thicknesses of layers during the electrochemical fabrication of structures
CN202658227U (zh) * 2012-04-19 2013-01-09 彩虹(佛山)平板显示有限公司 一种在cvd设备中检测基板破片的装置
KR101347689B1 (ko) * 2012-07-31 2014-01-03 (주)유텍시스템 사파이어 웨이퍼의 검사를 위한 장치 구조
KR101697119B1 (ko) * 2016-07-07 2017-01-18 에스에스오트론 주식회사 반도체소자의 비전검사장치
CN109642875A (zh) * 2016-08-29 2019-04-16 科磊股份有限公司 用于原位工艺监测和控制的光谱反射测量法
CN107838810A (zh) * 2017-09-30 2018-03-27 哈尔滨工业大学 一种金刚石刀具圆弧波纹度的在位检测方法
CN210572003U (zh) * 2019-07-17 2020-05-19 佛山市清极能源科技有限公司 一种膜电极缺陷快速筛拣设备
KR20210069968A (ko) * 2019-12-04 2021-06-14 주식회사 케이씨텍 광 검출 유닛 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
CN111455455A (zh) * 2020-02-29 2020-07-28 武汉大学 具有在线监测功能的晶体生长装置
CN112064111A (zh) * 2020-08-18 2020-12-11 北京大学东莞光电研究院 一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法
CN113502462A (zh) * 2021-07-01 2021-10-15 上海铂世光半导体科技有限公司 一种mpcvd生长台的升降装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115976490B (zh) 2023-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3716498A1 (de) Vorrichtung zum ein- und ausschleusen von werkstuecken in eine beschichtungskammer
CN207189404U (zh) 一种钢管外壁自动除锈装置
CN108356619A (zh) 一种新型环保循环除锈打磨装置
CN106423929A (zh) 光伏发电板清洗装置
CN106111608A (zh) 压紧旋转清洗机构
CN115976490A (zh) 一种cvd金刚石生长在线检测装置
CN103949426B (zh) 一种机体清洗机
CN108006542A (zh) 一种便于清洗型led路灯
CN117697179B (zh) 腐蚀卷料自动裁剪装置
EP1617456B1 (de) Antriebsmechanismus für eine Vakuum-Behandlungsanlage
CN101215188B (zh) 一种辊涂生产线装置中的双辊式辊涂机
JPH10296666A (ja) 搬送用ロボット
CN117013950A (zh) 一种用于光伏板巡检与清扫的清洁机器人
CN105220115A (zh) 一种对镀膜产品二次清洁的离子净化系统及其净化方法
CN108731539B (zh) 列管换热器清洗设备的送枪装置
CN212978364U (zh) 能够防止偏转的列管换热器清洗机器人
CN115045365A (zh) 一种具有智能漏损检测功能的供水设备
DE10348281B4 (de) Vakuum-Behandlungsanlage für ebene rechteckige oder quadratische Substrate
LU101530B1 (en) Experimental drainage device for farmlands in coastal mud flat reclamation areas.
CN209133277U (zh) 悬式绝缘子清污装置
CN111906793A (zh) 能够防止偏转的列管换热器清洗机器人
CN218066667U (zh) 一种检测骨料碱活性用的养护筒装置
CN217858110U (zh) 一种炼钢厂材料加工用带有限位卡固机构的拉矫机
CN220444505U (zh) 一种轴承零部件清洗收集装置
CN213708767U (zh) 一种窗帘布单面喷涂机构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant