CN115968216A - 电子装置 - Google Patents

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inorganic
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西崎昭吾
金宰贤
崔永瑞
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

一种电子装置，包括：基体层；电路层，在所述基体层上；发光元件层，在所述电路层上；以及封装层，包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层在所述发光元件层上并且具有碳氧化硅和氧化硅中的至少一种，所述第二阻挡层在所述第一阻挡层的上部上并且具有氮氧化硅和氮化硅中的至少一种，其中，相对于所述第一阻挡层的总含量，碳(C)元素的含量在0％至10％的范围内。

Description

电子装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年10月8日提交的第10-2021-0133700号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一些实施例的方面在本文中涉及电子装置。
背景技术
电子装置包括可以响应于电信号而激活的有源区域。电子装置可以在有源区域处感测从外部施加的输入，并且可以显示各种图像以将信息提供给用户。
同时，电子装置可以包括使用有机电致发光材料或量子点发光材料的发光元件。这样的发光元件具有易受诸如氧和湿气的外部污染物的影响的特性，并且因此可以利用各种技术来密封发光元件免受外部污染物的影响。在这些技术之中，根据一些实施例，封装层可以定位在发光元件上以阻挡空气和湿气的渗透路径。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
本公开的一些实施例的方面在本文中涉及一种电子装置，并且例如，涉及一种包括覆盖显示元件层的封装层的电子装置。
本公开的一些实施例的方面包括一种电子装置，所述电子装置包括封装层，所述封装层通过包括代替有机层的阻挡层而具有改善的平坦度和阻挡特性。
根据本公开的一些实施例，一种电子装置包括：基体层；电路层，在所述基体层上；发光元件层，在所述电路层上；以及封装层，包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层在所述发光元件层上并且具有碳氧化硅和氧化硅中的至少一种，所述第二阻挡层在所述第一阻挡层的顶部上并且具有氮氧化硅和氮化硅中的至少一种，其中，相对于所述第一阻挡层的总含量，碳(C)元素的含量是大约0％至大约10％。
根据一些实施例，所述第一阻挡层的第一厚度可以大于所述第二阻挡层的第二厚度。
根据一些实施例，所述第一厚度可以是大约3μm至大约10μm。
根据一些实施例，相对于所述第一阻挡层的所述总含量，所述第一阻挡层可以包括在大约30％至大约50％的范围内的量的硅(Si)元素以及在大约50％至大约60％的范围内的量的氧(O)元素。
根据一些实施例，当在平行于所述基体层的平面图中观看时，所述第二阻挡层的边缘可以在所述第一阻挡层的边缘外部。
根据一些实施例，在平面图中，所述第二阻挡层的面积可以大于所述第一阻挡层的面积。
根据一些实施例，所述第二阻挡层的折射率可以大于所述第一阻挡层的折射率。
根据一些实施例，所述封装层还可以包括：光学控制层，在所述发光元件层与所述第一阻挡层之间，并且具有具备不同的折射率的两个或更多个无机层。
根据一些实施例，所述光学控制层可以包括：第一无机层，包括氮氧化硅并且具有第一折射率；第二无机层，在所述第一无机层的顶部上，所述第二无机层包括氮化硅并且具有大于所述第一折射率的第二折射率；第三无机层，在所述第二无机层的顶部上，所述第三无机层包括氮氧化硅并且具有小于所述第二折射率的第三折射率；以及第四无机层，在所述第三无机层的顶部上，所述第四无机层包括氮氧化硅并且具有小于所述第三折射率的第四折射率。
根据一些实施例，所述光学控制层和所述第一阻挡层可以在同一腔室中连续地沉积，并且所述第二阻挡层和所述第一阻挡层可以在不同的腔室中沉积。
根据一些实施例，所述发光元件层可以包括：像素限定层和包括功能层的发光元件，所述功能层在被限定在所述像素限定层中的开口中，并且所述第一阻挡层可以覆盖所述发光元件层的顶表面。
根据一些实施例，所述第一阻挡层的顶表面可以是平坦表面，并且所述第一阻挡层可以填充所述发光元件层与所述第二阻挡层之间的空间。
根据一些实施例，所述电子装置还可以包括：传感器层，在所述封装层上，其中，所述传感器层可以直接在所述第二阻挡层上。
根据一些实施例，所述基体层可以包括：有源区域，与所述发光元件层重叠；以及外围区域，与所述有源区域的外部相邻，并且不与所述发光元件层重叠，其中，所述外围区域可以包括与所述有源区域相邻的第一外围部分和与所述有源区域间隔开并且与所述第一外围部分相邻的第二外围部分，所述第一外围部分与所述第一阻挡层和所述第二阻挡层重叠，并且所述第二外围部分可以不与所述第一阻挡层重叠并且可以与所述第二阻挡层重叠。
根据一些实施例，被包括在所述电路层中的多个绝缘层可以堆叠并且在所述第二外围部分上，并且所述第二阻挡层的与所述第二外围部分重叠的部分可以直接在所述多个绝缘层之中的最上层上。
根据本公开的一些实施例，在具有有源区域和定位在所述有源区域外部的外围区域的电子装置中，所述电子装置包括：基体层；电路层，在所述基体层上；发光元件层，在所述电路层上；以及封装层，在所述发光元件层上，其中，所述封装层包括被配置为覆盖所述发光元件层的不平坦顶表面的第一阻挡层和在所述第一阻挡层上的第二阻挡层，并且所述第一阻挡层包括碳氧化硅和氧化硅中的至少一种，并且相对于所述第一阻挡层的总含量，C元素的含量是大约0％至大约10％。
根据一些实施例，相对于所述第一阻挡层的所述总含量，所述第一阻挡层可以包括在30％至50％的范围内的量的Si元素以及在50％至60％的范围内的量的O元素。
根据一些实施例，所述第一阻挡层可以具有大约3μm至大约10μm的厚度，并且所述第二阻挡层可以具有大约1μm或更小的厚度。
根据一些实施例，所述封装层还可以包括光学控制层，所述光学控制层在所述发光元件层与所述第一阻挡层之间，并且包括具有不同的折射率的多个无机层。
根据一些实施例，其中，所述发光元件层可以布置为对应于所述有源区域，所述封装层可以覆盖所述发光元件层并且可以布置为延伸到所述外围区域，并且所述第二阻挡层的边缘可以比所述第一阻挡层的边缘进一步与所述有源区域间隔开。
附图说明
附图被包括以提供对根据本公开的实施例的进一步理解，并且附图被并入并构成本说明书的一部分。附图示出了本发明构思的一些实施例的方面，并且与本描述一起用于说明本发明构思的原理。在附图中：
图1是根据一些实施例的电子装置的透视图；
图2是根据一些实施例的电子装置的分解透视图；
图3是根据一些实施例的显示模块的截面图；
图4是示出根据一些实施例的显示模块中的与一个发光区域对应的部分的截面图；
图5是示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图；
图6是示出与图4的区域AA'对应的一部分的截面图；
图7是根据一些实施例的显示模块的平面图；
图8是示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图；
图9是示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图；
图10是示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图；以及
图11是被提供有具有根据一些实施例的第一阻挡层的配置的测试无机膜的测试样品的截面图像。
具体实施方式
本发明可以用各种修改方式实现并且具有各种形式，并且具体实施例在附图中示出并且在正文中进行详细描述。然而，将理解的是，本发明不旨在限于所公开的特定形式，而是相反，旨在覆盖落入在本发明的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或另一层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或另一层时，元件或层可以直接在另一元件或另一层上、直接连接到或直接耦接到另一元件或另一层，或者可以存在居间元件或居间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或另一层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或另一层时，不存在居间元件或居间层。
另一方面，在本申请中，“直接设置”、“直接定位”或“直接布置”(或者任何其它类似术语)表示在多个层、膜、区域或板等之间未添加其它层、膜、区域或板等，例如，“直接布置”可以表示在两个层或两个构件之间没有诸如粘合剂构件的附加构件的情况下布置。
同样的附图标记或符号始终指代同样的元件。为了技术内容的有效描述，夸大了元件的厚度和比例以及尺寸。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部件，但是这些元件、组件、区域、层和/或部件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部件与另一元件、组件、区域、层或部件区分开。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部件可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部件。
为了便于描述，在本文可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”和“上”等空间相关术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或另一特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。在本说明书中，词语“定位在……上”可以表示不仅定位在任何一个构件的上部上而且定位在下部上的情况。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关技术领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不以理想化的或过于形式化的意义来解释这些术语。
还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在下文中，将参考附图描述根据本发明构思的一些实施例的电子装置。
图1是根据一些实施例的电子装置的透视图。图2是根据一些实施例的电子装置的分解透视图。图3是根据一些实施例的显示模块的截面图。
如图1至图3中所示的根据一些实施例的电子装置ED可以是响应于电信号而激活的装置。例如，电子装置ED可以是移动电话、平板计算机、汽车导航系统、游戏机或可穿戴装置，但是根据本发明的实施例不限于此。出于说明的目的，在图1中，移动电话被示出为电子装置ED的示例，但是根据电子装置ED的设计和应用，电子装置ED可以是具有显示功能和输入功能的任何合适的电子装置。
参照图1至图3，根据一些实施例的电子装置ED可以包括有源区域AA-ED和无源区域NAA-ED，无源区域NAA-ED可以围绕有源区域AA-ED的至少一侧。然而，本公开不限于此，并且在一些实施例中，可以省略无源区域NAA-ED。根据一些实施例的电子装置ED可以在有源区域AA-ED处显示图像。有源区域AA-ED可以包括由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面。有源区域AA-ED还可以包括从由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的至少一侧弯曲的弯曲表面。图1示出了根据一些实施例的电子装置ED包括分别从由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的两侧弯曲的两个弯曲表面。然而，有源区域AA-ED的形状不限于此。例如，有源区域AA-ED可以仅包括平面，或者有源区域AA-ED不仅可以包括平面，而且可以包括分别从所述平面的至少两侧(例如，从四侧)弯曲的至少两个(例如，四个)弯曲表面，或者在不脱离根据本公开的实施例的精神和范围的情况下，有源区域AA-ED可以包括各种其它形状或配置(例如，可折叠或可弯折的配置)。
同时，在图1和后续的附图中，示出了第一方向轴DR1至第四方向轴DR4，并且由本文中所描述的第一方向轴DR1、第二方向轴DR2、第三方向轴DR3和第四方向轴DR4所指示的方向是相对概念，并且因此可以被改变为其它方向。此外，由第一方向轴DR1、第二方向轴DR2、第三方向轴DR3和第四方向轴DR4指示的方向被分别描述为第一方向、第二方向、第三方向和第四方向，并且可以被表示为相同的附图标记或符号。
在本说明书中，第一方向轴DR1和第二方向轴DR2可以彼此正交，并且第三方向轴DR3可以是由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向。第四方向轴DR4可以是由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向，并且可以是与第三方向轴DR3的方向相反的方向。
电子装置ED的厚度方向可以平行于作为由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向的第三方向轴DR3。在本说明书中，构成电子装置ED的每个构件的前表面(或顶表面)以及后表面(或底表面)可以基于第三方向轴DR3进行限定。
根据一些实施例的电子装置ED可以包括显示模块DM。显示模块DM可以被配置为产生图像，并且还可以被配置为感测从外部施加的输入(例如，以来自用户的手指、触控笔等为例的触摸或接近输入)。根据一些实施例的显示模块DM包括显示层DP。根据一些实施例的显示模块DM还可以包括定位在显示层DP上的传感器层TP以及定位在传感器层TP上的光学层RCL。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且根据一些实施例，可以省略传感器层TP或光学层RCL。
有源区域AA和外围区域NAA可以被限定在显示模块DM中。有源区域AA可以是响应于电信号而激活的区域。外围区域NAA可以是与有源区域AA的至少一侧相邻的区域。
有源区域AA可以对应于图1中所示的电子装置ED的有源区域AA-ED。外围区域NAA可以布置为围绕有源区域AA。外围区域NAA可以至少部分地对应于图1中所示的电子装置ED的无源区域NAA-ED。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且与图2等中所示的配置不同，根据一些实施例，可以省略外围区域NAA的一部分。用于驱动有源区域AA的驱动电路或驱动线可以定位在外围区域NAA中。
外围区域NAA可以包括相对于在一个方向上延伸的弯折轴BX弯折的弯折部分BA。参照图3，弯折部分保护层BPL可以定位在弯折部分BA上。弯折部分保护层BPL可以保护定位在外围区域NAA中的电路层CL。弯折部分保护层BPL可以防止裂纹出现在被包括在暴露在弯折部分BA中的电路层CL中的组件中。弯折部分保护层BPL可以由丙烯酸聚合物、硅酮聚合物和酰亚胺聚合物中的至少一种形成。然而，本发明构思的实施例不限于此。
同时，与图3中所示的配置不同，弯折部分保护层BPL可以连接到光学层RCL的边缘或与光学层RCL的边缘重叠。此外，光学层RCL的一部分可以延伸到弯折部分BA并且用作弯折部分保护层BPL。此外，根据一些实施例，可以省略弯折部分保护层BPL。
根据一些实施例，显示层DP可以被配置为通过利用从显示元件发射的光来实质上产生或显示图像。显示层DP可以是发光显示层，并且例如，显示层DP可以是有机发光显示层、无机发光显示层、量子点显示层、微型发光二极管(微型-LED)显示层或纳米LED显示层。
显示层DP可以包括基体层BS、电路层CL、发光元件层EDL和封装层TFE。封装层TFE可以覆盖发光元件层EDL。封装层TFE可以定位在其中定位有发光元件层EDL的有源区域AA中，并且可以延伸到其中未定位有发光元件层EDL的外围区域NAA。
根据一些实施例，基体层BS可以是提供基体表面或基底的构件或层，电路层CL布置或形成在基体层BS上。基体层BS可以是刚性基底，或者可以是能够弯折、折叠或卷曲等的柔性基底。
电路层CL可以定位在基体层BS上。电路层CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案、信号线等。绝缘层、半导体层和导电层可以通过涂覆、沉积等形成在基体层BS上，并且然后，可以通过多次执行光刻工艺对绝缘层、半导体层和导电层进行选择性地图案化。此后，可以形成包括在电路层CL中的半导体图案、导电图案和信号线。与有源区域AA对应的电路层CL的配置以及与外围区域NAA对应的电路层CL的配置可以彼此不同。例如，与外围区域NAA对应的电路层CL的配置可以不包括与有源区域AA对应的电路层CL的配置的一部分。可以通过去除与有源区域AA对应的电路层CL的配置的一部分来获得与外围区域NAA对应的电路层CL。
发光元件层EDL可以定位在电路层CL上。发光元件层EDL可以包括发光元件。例如，发光元件可以包括有机发光材料、无机发光材料、有机-无机发光材料、量子点、量子棒、微型LED或纳米LED。
封装层TFE可以定位在发光元件层EDL上。封装层TFE可以保护发光元件层EDL免受诸如湿气、氧和灰尘颗粒的外部污染物或外来物质的影响。下面将更详细描述根据一些实施例的封装层TFE。
此外，显示层DP还可以包括定位在基体层BS下面的支撑层PF。支撑层PF可以具有柔性。支撑层PF可以包括聚合物膜。例如，支撑层PF可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等。支撑层PF可以不定位在对应于弯折部分BA的基体层BS下面。
传感器层TP可以定位在显示层DP上。传感器层TP可以感测从外部施加的外部输入。外部输入可以是用户的输入。用户的输入可以包括各种类型的外部输入，诸如由用户的身体的一部分或笔施加的输入、光、热或压力。
在根据一些实施例的显示模块DM中，传感器层TP可以通过连续的工艺形成在显示层DP上。在这种情况下，可以表示传感器层TP直接定位在显示层DP上。词语“直接定位”可以表示第三组件不定位在传感器层TP与显示层DP之间。即，单独的粘合剂构件可以不定位在传感器层TP与显示层DP之间。例如，传感器层TP可以直接定位在显示层DP的封装层TFE上。可选地，根据本发明构思的一些实施例，传感器层TP可以通过粘合剂构件接合到显示层DP。粘合剂构件可以包括任何合适的粘结剂或粘合剂。
光学层RCL可以定位在传感器层TP上。光学层RCL可以定位在显示层DP上，并且控制外部光的在显示层DP上的反射光。即，光学层RCL可以减少从显示模块DM的外部入射的外部光的反射率。光学层RCL可以包括例如偏振层或滤色器层。同时，与附图(例如，图3)中所示的配置不同，可以在根据一些实施例的显示模块DM中省略光学层RCL。
电子装置ED还可以包括电连接到显示模块DM的驱动单元DM-M。驱动单元DM-M可以电连接到显示层DP和传感器层TP。驱动单元DM-M可以包括驱动芯片IC。驱动芯片IC可以产生或处理各种电信号，并且驱动芯片IC可以电连接到显示层DP和传感器层TP以控制显示层DP和传感器层TP。
根据一些实施例，驱动单元DM-M可以包括柔性电路板FB和驱动电路板MB。柔性电路板FB可以具有电连接到显示层DP和传感器层TP的一侧以及电连接到驱动电路板MB的另一侧。驱动芯片IC可以安装在柔性电路板FB上。在这种情况下，柔性电路板FB也可以被称为覆晶薄膜(CoF)。此外，与所示的配置不同，驱动芯片IC可以定位在显示模块DM的基体层BS上。
图2示出了驱动单元DM-M连接到显示模块DM的一侧的展开状态，但是如图3中所示，在根据一些实施例的电子装置ED中，驱动单元DM-M可以在第四方向轴DR4的方向上弯折(如图2中的箭头BD所示)。参照图2和图3，驱动单元DM-M可以弯折以与显示层DP重叠。
根据一些实施例的电子装置ED还可以包括定位在显示模块DM上的窗WM。窗WM可以覆盖显示模块DM的整个外部。窗WM可以具有与显示模块DM的形状对应的形状。在根据一些实施例的电子装置ED中，窗WM可以包括光学透明绝缘材料。窗WM可以是玻璃基底或聚合物基底。例如，窗WM可以是已被回火的钢化玻璃基底。
窗WM可以被划分为透射部分TA和边框部分BZA。透射部分TA可以对应于显示模块DM的有源区域AA，并且边框部分BZA可以对应于显示模块DM的外围区域NAA。边框部分BZA可以限定透射部分TA的形状。边框部分BZA可以与透射部分TA相邻并且可以围绕透射部分TA。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且边框部分BZA可以定位为仅与透射部分TA的一侧相邻，或者可以部分地省略边框部分BZA。
图4是示出根据一些实施例的显示模块中的与一个发光区域对应的一部分的截面图。图5是示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图。图6是示出与图4的区域AA'对应的一部分的截面图。
图4示出了包括在图2的区域DD'中的一个发光区域的示例，并且可以示出与一个像素对应的一部分。图5示出了包括在图2的区域DD'中的多个发光区域的示例。
参照图4至图6，根据一些实施例，显示层DP可以包括顺序堆叠的基体层BS、电路层CL、发光元件层EDL和封装层TFE。显示层DP还可以包括定位在基体层BS下面的支撑层PF。根据一些实施例，封装层TFE可以包括布置为覆盖发光元件层EDL的台阶部分或不平坦部分的第一阻挡层BL1以及定位在第一阻挡层BL1上的第二阻挡层BL2。
包括在显示层DP中的基体层BS可以是玻璃基底、金属基底或聚合物基底等。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且基体层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。
基体层BS可以具有单层结构或多层结构。例如，当基体层BS具有多层结构时，基体层BS可以具有合成树脂层、粘合剂层和合成树脂层的三层结构。特别地，合成树脂层可以包括聚酰亚胺类树脂。此外，合成树脂层可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。同时，在本说明书中，“～～类”树脂表示包括“～～”官能团。
电路层CL定位在基体层BS上。电路层CL可以包括缓冲层BFL。缓冲层BFL可以改善基体层BS与半导体图案之间的接合力。缓冲层BFL可以包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种。例如，缓冲层BFL可以通过交替堆叠从氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层之中选择的两个或更多个层来形成。
半导体图案可以定位在缓冲层BFL上。半导体图案可以包括多晶硅。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且半导体图案可以包括非晶硅或金属氧化物。
图4仅示出了半导体图案的一部分，并且半导体图案还可以定位在另一区域中。半导体图案可以根据具体规则跨像素布置。依据半导体图案是否被掺杂，半导体图案可以具有不同的电特性。半导体图案可以包括具有高电导率的第一区域和具有低电导率的第二区域。第一区域可以被掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。第二区域也可以被称为沟道区域。
第一区域可以具有比第二区域的电导率高的电导率，并且可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上对应于晶体管的有源区域(或沟道)。换言之，半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区，另一部分可以是晶体管的源极或漏极，并且又一部分可以是连接电极或连接信号线。
像素中的每一个可以具有包括多个晶体管、一个电容器和发光元件的等效电路，并且可以以各种形式修改像素的等效电路图。图4示出了包括在像素中的一个晶体管TR和发光元件EMD的示例。
晶体管TR的源极S1、有源区A1和漏极D1可以由半导体图案形成。在截面上，源极S1和漏极D1可以从有源区A1在相反的方向上延伸。图4示出了由半导体图案形成的连接信号线SCL的一部分。根据一些实施例，在平面上，连接信号线SCL可以电连接到晶体管TR的漏极D1。
第一绝缘层10可以定位在缓冲层BFL上。第一绝缘层10可以与多个像素公共地重叠，并且可以覆盖半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。根据一些实施例，第一绝缘层10可以是单层氧化硅层。不仅第一绝缘层10而且稍后将描述的电路层CL的其他绝缘层可以是无机层和/或有机层，并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括上述材料中的至少一种，但是本发明构思的实施例不限于此。
晶体管TR的栅极G1定位在第一绝缘层10上。栅极G1可以是金属图案的一部分。栅极G1与有源区A1重叠。在对半导体图案进行掺杂的工艺中，栅极G1可以用作掩模。
第二绝缘层20可以定位在第一绝缘层10上并且可以覆盖栅极G1。第二绝缘层20可以与像素公共地重叠。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层，并且可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层结构或多层结构。
第三绝缘层30可以定位在第二绝缘层20上并且可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层结构或多层结构。
第一连接电极CNE1可以定位在第三绝缘层30上。第一连接电极CNE1可以通过穿透第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30的接触孔CNT-1连接到连接信号线SCL。
第四绝缘层40可以定位在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以具有包括氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层中的至少一种的单层结构或多层结构。第五绝缘层50可以定位在第四绝缘层40上。第五绝缘层50可以是有机层。
第二连接电极CNE2可以定位在第五绝缘层50上。第二连接电极CNE2可以通过穿过第四绝缘层40和第五绝缘层50的接触孔CNT-2连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层60定位在第五绝缘层50上并且可以覆盖第二连接电极CNE2。第六绝缘层60可以是有机层。
包括发光元件EMD的发光元件层EDL可以定位在电路层CL上。发光元件层EDL可以包括像素限定层PDL和发光元件EMD，发光元件EMD包括定位在限定在像素限定层PDL中的开口OP中的功能层EL。
发光元件层EDL的顶表面EDL-US可以依据发光元件层EDL和像素限定层PDL(开口OP被限定在像素限定层PDL中)的布置而具有台阶。即，发光元件层EDL的顶表面EDL-US是不平坦的，并且发光元件层EDL的顶表面EDL-US在发光区域PXA中距基体层BS的高度可以与发光元件层EDL的顶表面EDL-US在非发光区域NPXA中距基体层BS的高度是不同的。由发光元件层EDL的不平坦顶表面EDL-US导致的台阶可以被第一阻挡层BL1覆盖，并且因此被平坦化。
发光元件EMD可以包括第一电极AE、功能层EL和第二电极CE。功能层EL可以包括发光层EML。此外，功能层EL还可以包括空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR。发光元件EMD还可以包括覆盖层CPL。覆盖层CPL可以定位在第二电极CE上。当发光元件EMD包括覆盖层CPL时，发光元件EMD的顶表面对应于覆盖层CPL的顶表面；并且当发光元件EMD不包括覆盖层CPL时，发光元件EMD的顶表面对应于第二电极CE的顶表面。
第一电极AE可以定位在第六绝缘层60上。第一电极AE可以通过穿透第六绝缘层60的接触孔CNT-3连接到第二连接电极CNE2。第一电极AE可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。第一电极AE可以包括：从银(Ag)、镁(Mg)、铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)中选择的至少一种；从它们之中选择的至少两种的化合物；从它们之中选择的至少两种的混合物；或者它们的氧化物。
当第一电极AE是透射电极时，第一电极AE可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明金属氧化物。当第一电极AE是半透射半反射电极或反射电极时，第一电极AE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、它们的化合物或它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者可以具有LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。可选地，第一电极AE可以具有多层结构，多层结构包括由上述材料形成的反射膜或半透射半反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第一电极AE可以包括ITO/Ag/ITO的三层结构。然而，本发明构思的实施例不限于此。
像素限定层PDL可以定位在第六绝缘层60上并且可以覆盖第一电极AE的一部分。开口OP被限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的开口OP在第一电极AE的至少一部分处暴露。根据一些实施例，发光区域PXA被限定为对应于第一电极AE的由开口OP暴露的部分区域。非发光区域NPXA可以围绕发光区域PXA。根据一些实施例，像素限定层PDL可以包括在厚度方向上堆叠的多个子像素限定层。
根据一些实施例，像素限定层PDL可以由聚合物树脂形成。例如，像素限定层PDL可以由聚丙烯酸酯类树脂或聚酰亚胺类树脂形成。此外，除了聚合物树脂之外，像素限定层PDL还可以包括无机材料。同时，像素限定层PDL可以包括光吸收材料，或者可以包括黑色颜料或黑色染料。由黑色颜料或黑色染料形成的像素限定层PDL可以形成黑色像素限定层。当形成像素限定层PDL时，炭黑等可以用作黑色颜料或黑色染料，但是本发明构思的实施例不限于此。
此外，像素限定层PDL可以由无机材料形成。例如，像素限定层PDL可以由氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等形成。像素限定层PDL可以限定发光区域PXA。发光区域PXA和非发光区域NPXA可以由像素限定层PDL划分。
功能层EL可以定位在第一电极AE上。图4和图5示出了功能层EL通过图案化而被提供在开口OP中，但是本发明构思的实施例不限于此。功能层EL可以被提供为公共层，以与多个发光区域PXA和非发光区域NPXA重叠。此外，仅包括在功能层EL中的发光层EML在开口OP中被图案化并且被提供，并且空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以被提供为公共层，以与多个发光区域PXA和非发光区域NPXA重叠。
根据一些实施例，包括在功能层EL中的发光层EML可以单独形成在每个发光区域PXA中。当发光层EML单独形成在由像素限定层PDL划分的发光区域PXA中时，单独的发光层EML中的每一个可以发射蓝色、红色和绿色之中的至少一种颜色的光。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且发光层EML可以延伸到多个发光区域PXA和非发光区域NPXA，并且被提供为公共层。在这种情况下，发光层EML可以提供蓝光或白光。发光层EML可以包括有机发光材料或量子点材料。
空穴传输区域HTR可以公共地定位在发光区域PXA和非发光区域NPXA中。空穴传输区域HTR可以包括空穴传输层，并且还可以包括空穴注入层。电子传输区域ETR可以定位在发光层EML与第二电极CE之间。电子传输区域ETR可以包括电子传输层，并且还可以包括电子注入层。空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以形成为在多个发光区域PXA中的公共层。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR也可以被图案化以对应于发光区域PXA。
发光层EML可以包括发射红光、绿光或蓝光的荧光材料或磷光材料。此外，发光层EML可以包括金属有机络合物作为发光材料。同时，发光层EML可以包括量子点作为发光材料。
第二电极CE可以定位在功能层EL上。第二电极CE可以具有整体形状，可以延伸到发光区域PXA和非发光区域NPXA，并且可以布置为公共层。第二电极CE可以包括：从Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn和Zn之中选择的至少一种；从它们之中选择的至少两种的化合物；从它们之中选择的至少两种的混合物；或者它们的氧化物。
第二电极CE可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。当第二电极CE是透射电极时，第二电极CE可以包括透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。
当第二电极CE是半透射半反射电极或反射电极时，第二电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、镱(Yb)、W、它们的化合物或者它们的混合物(例如，AgMg、AgYb或MgYb)，或者可以具有LiF/Ca(LiF和Ca的堆叠结构)、LiF/Al(LiF和Al的堆叠结构)。可选地，第二电极CE可以具有多层结构，该多层结构包括由上述材料形成的反射膜或半透射半反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第二电极CE可以包括上述金属材料、从上述金属材料中选择的两种或更多种的金属材料的组合、或者上述金属材料的氧化物。
根据一些实施例，发光元件EMD还可以包括定位在第二电极CE上的覆盖层CPL。覆盖层CPL可以包括多个层或单层。
根据一些实施例，覆盖层CPL可以是有机层或无机层。例如，当覆盖层CPL包括无机材料时，无机材料可以包括诸如LiF的碱金属化合物、诸如氟化镁(MgF2)的碱土金属化合物、以及氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等。
例如，当覆盖层CPL包括有机材料时，该有机材料可以包括α-NPD、N,N'-二(1-萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(TPD)、4,4',4”-[三(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、CuPc、N4,N4,N4',N4'-四(联苯-4-基)联苯-4,4'-二胺(TPD15)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等，或者包括环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。
覆盖层CPL可以用作保护定位在覆盖层CPL下面的功能层EL的缓冲层。覆盖层CPL可以具有大约1.6或更大的折射率。例如，覆盖层CPL可以具有大约1.9的折射率。由于覆盖层CPL具有大约1.9的折射率，因此可以改善发光元件层EDL的光提取效率。
封装层TFE可以定位在发光元件层EDL上。封装层TFE可以包括定位在发光元件层EDL上的第一阻挡层BL1和定位在第一阻挡层BL1上的第二阻挡层BL2。
第一阻挡层BL1可以布置为覆盖发光元件层EDL的台阶。第一阻挡层BL1可以用作平坦化层。在图4至图6中所示的实施例中，第一阻挡层BL1可以直接布置在覆盖层CPL上。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且如参考图8和图9所描述的，根据一些实施例的封装层还可以包括定位在第一阻挡层BL1下面并且具有比第一阻挡层BL1的平均折射率大的平均折射率的光学控制层。
第一阻挡层BL1可以包括碳氧化硅和氧化硅中的至少一种。即，第一阻挡层BL1可以包括Si和O，或者可以包括Si、O和C。当第一阻挡层BL1包括碳氧化硅和氧化硅中的至少一种时，相对于第一阻挡层BL1的总含量，C元素的含量可以是大约0％至大约10％。即，第一阻挡层BL1可以不包括C元素，或者可以包括仅在大约0％至大约10％的范围内的C元素。相对于第一阻挡层BL1的总含量，第一阻挡层BL1可以包括大约30％至大约50％的量的Si元素和大约50％至大约60％的量的O元素。
第一阻挡层BL1可以不包含C元素，或者包含大约10％或更少的量的C元素以展现出高平坦度和优异的成膜特性。第一阻挡层BL1可以通过包括大约10％或更少的量的C元素而以高沉积速率形成，并且可以在100℃或更低的低成膜温度下形成，使得可以在最小化对发光元件EMD的损坏的同时以高生产率形成第一阻挡层BL1。
根据一些实施例的第一阻挡层BL1可以包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种，或者可以不包含C元素，或者包含大约10％或更少的量的C元素，可以在没有用于形成用作封装层TFE中的平坦化层的有机层所需的印刷(或涂覆)工艺、固化工艺和灰化工艺的情况下通过沉积工艺形成第一阻挡层BL1，使得可以相对减少封装层TFE的制造工艺时间并且可以相对改善工艺生产率。
此外，根据一些实施例，提供包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种或者不包含C元素或者包含大约10％或更少的量的C元素的第一阻挡层BL1来代替包括在可选封装层中的无机层和有机层的堆叠结构，从而实现阻挡功能和平坦化功能两者。因此，封装层TFE可以包括一个第一阻挡层BL1来代替无机层和有机层的堆叠结构，并且因此可以提高封装层TFE的透光率。
根据一些实施例，第一阻挡层BL1可以不包含C元素或者包含大约10％或更少的量的C元素，以遍及可见光范围的整个波长来展现出优异的透光率。例如，根据一些实施例，第一阻挡层BL1可以遍及可见光范围的整个波长来展现出大约100％的透射率。因此，可以改善从发光元件EMD发射的光的提取效率。
可以使用化学气相沉积(CVD)法来提供第一阻挡层BL1。可以通过沉积在发光元件层EDL上来提供第一阻挡层BL1。第一阻挡层BL1可以沉积到足以覆盖发光元件层EDL的台阶的厚度，使得顶表面BL1-US具有平坦表面。根据一些实施例，第一阻挡层BL1的顶表面BL1-US可以相对于基体层BS具有0°至10°的倾角。例如，第一阻挡层BL1的顶表面BL1-US可以被提供为相对于基体层BS具有基本上0°的倾角，并且因此第一阻挡层BL1可以展现出高平坦化特性以覆盖各层的台阶部分。
第一阻挡层BL1可以具有大约1μm至大约10μm的厚度。例如，第一阻挡层BL1的第一厚度可以是大约3μm至大约10μm。第一阻挡层BL1的第一厚度可以是发光区域PXA中的厚度tBL1-P和非发光区域NPXA中的厚度tBL1-NP的平均值。此外，根据一些实施例，第一阻挡层BL1的第一厚度可以对应于布置为填充定位在第一阻挡层BL1下方的组件与第二阻挡层BL2之间的不平坦部分的整个第一阻挡层BL1的平均厚度。即，第一阻挡层BL1的第一厚度可以是定位在发光元件层EDL与第二阻挡层BL2之间的部分的平均厚度。第一阻挡层BL1可以沉积到大约1μm或更大的足够厚度，从而实现阻挡功能和平坦化功能两者。
包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种的第一阻挡层BL1可以具有大约1.45至大约1.50的折射率。第一阻挡层BL1的折射率可以小于第二阻挡层BL2的折射率。此外，第一阻挡层BL1的折射率可以小于发光元件层EDL的覆盖层CPL的折射率。
第二阻挡层BL2可以定位在第一阻挡层BL1上。第二阻挡层BL2可以用作保护发光元件层EDL免受湿气和氧的影响的屏障。第二阻挡层BL2可以包括氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。
第二阻挡层BL2的第二厚度tBL2可以小于第一阻挡层BL1的第一厚度。第二阻挡层BL2的第二厚度tBL2可以是大约1μm或更小。第二阻挡层BL2可以形成为在第一阻挡层BL1的顶表面BL1-US上的平坦层。
可以使用化学气相沉积(CVD)法来提供第二阻挡层BL2。第二阻挡层BL2可以直接沉积并形成在第一阻挡层BL1上。第二阻挡层BL2可以在与沉积第一阻挡层BL1的腔室不同的腔室中沉积。
包含氮化硅和氮氧化硅中的至少一种的第二阻挡层BL2的折射率可以是大约1.85至大约1.95。第二阻挡层BL2的折射率可以是大约1.89。第二阻挡层BL2的折射率可以大于第一阻挡层BL1的折射率。
根据一些实施例的显示模块DM可以包括定位在显示层DP上的传感器层TP。传感器层TP可以直接定位在第二阻挡层BL2上。传感器层TP可以被称为传感器、输入感测层或输入感测面板。传感器层TP可以包括感测基体层BS-TP、第一导电层ML1、感测绝缘层IPV和第二导电层ML2。
感测基体层BS-TP可以直接定位在显示层DP上。感测基体层BS-TP可以是包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种的无机层。可选地，感测基体层BS-TP可以是包括环氧树脂、丙烯酸树脂或酰亚胺类树脂的有机层。感测基体层BS-TP可以具有单层结构或其中各层沿第三方向轴DR3堆叠的多层结构。
第一导电层ML1和第二导电层ML2中的每一者可以具有单层结构或其中各层沿第三方向轴DR3堆叠的多层结构。具有单层结构的导电层可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括钼、银、钛、铜、铝或它们的合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、过氧化锌(ZnO2)或氧化铟锌锡(IZTO)。此外，透明导电层可以包括导电聚合物(诸如PEDOT)、金属纳米线和石墨烯等。
具有多层结构的导电层可以包括金属层。金属层可以具有例如钛/铝/钛的三层结构。具有多层结构的导电层可以包括至少一个金属层和至少一个透明导电层。
感测绝缘层IPV可以定位在第一导电层ML1与第二导电层ML2之间。感测绝缘层IPV可以包括无机膜。无机膜可以包括氧化铝、氧化钛、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化锆和氧化铪中的至少一种。
可选地，感测绝缘层IPV可以包括有机膜。有机膜可以包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。
根据一些实施例，光学层RCL可以定位在传感器层TP上。例如，光学层RCL可以通过连续的工艺形成在传感器层TP上。然而，本发明构思的实施例不限于此。光学层RCL可以包括颜料或染料。此外，根据一些实施例，光学层RCL可以包括透射不同波长范围内的光的多个滤光器单元。透射不同波长范围内的光的滤光器单元可以布置为分别对应于由非发光区域NPXA划分的发光区域PXA。
光学层RCL还可以包括分隔层BM。构成分隔层BM的材料不受特别限制，只要该材料吸收光即可。分隔层BM具有黑颜色，并且根据本发明构思的一些实施例，分隔层BM可以包含黑色着色剂。黑色着色剂可以包含黑色染料或黑色颜料。黑色着色剂可以包含炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
分隔层BM可以覆盖传感器层TP的第二导电层ML2。分隔层BM可以防止外部光被第二导电层ML2反射。
图7是根据一些实施例的显示模块的平面图。图7示出了平行于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的平面，并且由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面可以是平行于基体层BS(参照图3)的平面。显示模块DM可以包括有源区域AA和定位在有源区域AA外部的外围区域NAA，并且外围区域NAA可以包括与有源区域AA相邻的第一外围区域NAA-1和与有源区域AA间隔开的第二外围区域NAA-2。此外，外围区域NAA可以包括从第二外围区域NAA-2的至少一个侧表面延伸的弯折部分BA。
当在平面图中观看时，第二阻挡层的面积可以大于第一阻挡层的面积。第二阻挡层和第一阻挡层可以布置为覆盖整个有源区域AA并且延伸到外围区域NAA的一部分。第一阻挡层和第二阻挡层通过分别在不同的腔室中沉积而形成，并且因此，第一阻挡层的边缘ED-BL1和第二阻挡层的边缘ED-BL2可以不彼此重合。
第一阻挡层的边缘ED-BL1和第二阻挡层的边缘ED-BL2可以定位在外围区域NAA中。第一阻挡层的边缘ED-BL1可以定位在第一外围区域NAA-1中，并且第二阻挡层的边缘ED-BL2可以定位在第二外围区域NAA-2中。即，当在平面图中观看时，第二阻挡层的边缘ED-BL2可以定位在第一阻挡层的边缘ED-BL1外部。
图8和图9是各自示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图。图8和图9各自示出了具有与图6等中所示的封装层的配置不同的配置的实施例，并且可以是示出与图4的区域AA'对应的一部分的截面图。
参照图8，包括在根据一些实施例的显示模块中的封装层TFE-1还可以包括定位在第一阻挡层BL1下面的光学控制层OCL。光学控制层OCL可以定位在发光元件层EDL(参照图5)与第一阻挡层BL1之间。
光学控制层OCL可以包括至少两个无机层L1和L2。根据一些实施例的封装层TFE-1可以包括具有不同的折射率的两个或更多个无机层L1和L2。两个无机层L1和L2中的一个可以是包括氮氧化硅的低折射层，并且另一个可以是包括氮化硅的高折射层。由于封装层TFE-1包括其中具有不同的折射率的无机层L1和L2堆叠的光学控制层OCL，因此可以增加根据一些实施例的显示模块DM中的发光元件EMD(参照图5)的光提取效率，并且可以减少根据视角的显示质量的偏差。例如，根据一些实施例，具有相对低折射率的第一无机层L1可以直接定位在覆盖层CPL上，并且与第一无机层L1相比具有相对高折射率的第二无机层L2可以直接定位在第一无机层L1上。第一阻挡层BL1可以直接定位在第二无机层L2上。根据一些实施例，可以通过在同一腔室中连续地沉积来提供第一无机层L1、第二无机层L2和第一阻挡层BL1。
参照图9，包括在根据一些实施例的显示模块中的封装层TFE-1a可以包括包含多个无机层L1、L2、L3和L4的光学控制层OCL-a。在光学控制层OCL-a中，相对低折射的无机层和相对高折射的无机层可以交替地布置。
根据一些实施例，光学控制层OCL-a可以包括具有第一折射率的第一无机层L1、定位在第一无机层L1的顶部上并且具有大于第一折射率的第二折射率的第二无机层L2、定位在第二无机层L2的顶部上并且具有小于第二折射率的第三折射率的第三无机层L3、以及定位在第三无机层L3的顶部上并且具有小于第三折射率的第四折射率的第四无机层L4。例如，光学控制层OCL-a可以包括具有大约1.35至大约1.50的折射率的第一无机层L1、具有大约1.85至大约1.95的折射率的第二无机层L2、具有大约1.65至大约1.75的折射率的第三无机层L3、以及具有大约1.50的折射率的第四无机层L4。
第一无机层L1可以包括氮氧化硅，第二无机层L2可以包括氮化硅，并且第三无机层L3和第四无机层L4各自可以包括氮氧化硅。
根据一些实施例，第一无机层L1具有大约
Figure BDA0003882087630000221
至大约
Figure BDA0003882087630000222
的厚度，第二无机层L2具有大约
Figure BDA0003882087630000223
至大约
Figure BDA0003882087630000224
的厚度，第三无机层L3具有大约
Figure BDA0003882087630000225
至大约
Figure BDA0003882087630000226
的厚度，并且第四无机层L4具有大约
Figure BDA0003882087630000227
至大约
Figure BDA0003882087630000228
的厚度。
然而，本发明构思的实施例不限于此，并且多个堆叠的无机层L1、L2、L3和L4的堆叠顺序、多个堆叠的无机层L1、L2、L3和L4的折射率范围、以及多个无机层L1、L2、L3和L4的厚度范围可以根据显示模块所需的显示质量特性以各种组合被改变。
根据本发明构思的一些实施例，当发光元件EMD(参照图5)包括覆盖层CPL时，第一无机层L1可以直接定位在覆盖层CPL上，并且第一无机层L1的折射率可以小于覆盖层CPL的折射率。光路根据第一无机层L1与覆盖层CPL之间的折射率的差异而改变，并且因此，可以减少由于显示模块的视角导致的不均匀的显示质量。
第二无机层L2可以直接沉积在第一无机层L1上。第二无机层L2具有比第一无机层L1的折射率大的折射率，并且由于第一无机层L1与第二无机层L2之间的折射率的差异，在光学控制层OCL-a中出现光学共振现象，使得可以提高显示模块中的光提取效率。此外，从发光元件EMD发射的光的光路由于第一无机层L1与第二无机层L2之间的折射率的差异而改变，并且结果，根据一些实施例，可以减少由于视角导致的显示质量的不均匀性。
定位在第二无机层L2上的第三无机层L3可以具有比第二无机层L2的折射率低的折射率。由于第二无机层L2与第三无机层L3之间的折射率的差异，在光学控制层OCL-a中可以出现光共振现象，并且因此可以改善光提取效率，并且可以减少由于视角导致的显示质量的不均匀性。
第四无机层L4可以定位在第三无机层L3与第一阻挡层BL1之间。第四无机层L4可以减小第三无机层L3与第一阻挡层BL1之间的折射率的差异。第四无机层L4的折射率可以小于第三无机层L3的折射率并且大于第一阻挡层BL1的折射率。第四无机层L4使第三无机层L3与第一阻挡层BL1之间的折射率的差异最小化。因此，可以通过使在光学控制层OCL-a与第一阻挡层BL1之间的边界处发生的光反射最小化来改善光提取效率。
包括在图8和图9中所示的根据一些实施例的封装层TFE-1和TFE-1a中的光学控制层OCL和OLC-a以及第一阻挡层BL1可以在同一腔室中连续地沉积和形成。因此，与使用有机层作为平坦化层的可选封装层的制造相比，可以缩短根据一些实施例的封装层TFE-1和TFE-1a的制造时间，从而改善工艺生产率。
图10是示出根据一些实施例的显示模块的一部分的截面图。图10可以是沿着图2的线I-I'截取的截面图。图10示出了具有包括光学控制层OCL、第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2的封装层TFE-1的实施例。然而，根据本发明构思的一些实施例不限于此，并且根据一些实施例，可以省略光学控制层OCL，并且第一阻挡层BL1可以直接定位在发光元件层EDL上。
参照图10，封装层TFE-1的边缘可以定位在显示模块DM的外围区域NAA中。封装层TFE-1的第一阻挡层BL1的边缘ED-BL1可以定位在第一外围区域NAA-1中，并且第二阻挡层BL2的边缘ED-BL2可以定位在第二外围区域NAA-2中。
基体层BS可以被划分为有源区域AA-BS和外围区域NAA-BS。基体层BS的有源区域AA-BS对应于显示模块DM的有源区域AA，并且基体层BS的外围区域NAA-BS对应于显示模块DM的外围区域NAA。
基体层BS可以包括有源区域AA-BS和外围区域NAA-BS，并且基体层BS的外围区域NAA-BS可以包括第一外围部分NAA1-BS和第二外围部分NAA2-BS。基体层BS的有源区域AA-BS可以与发光元件层EDL重叠。基体层BS的外围区域NAA-BS可以不与发光元件层EDL重叠。在外围区域NAA-BS中，第一外围部分NAA1-BS可以与有源区域AA-BS相邻，并且第二外围部分NAA2-BS可以与有源区域AA-BS间隔开。
基体层BS的第一外围部分NAA1-BS可以与第一阻挡层BL1和第二阻挡层BL2重叠。此外，基体层BS的第二外围部分NAA2-BS可以不与第一阻挡层BL1重叠并且可以与第二阻挡层BL2重叠。
同时，与图10中所示的配置不同，光学控制层OCL的边缘可以与第一阻挡层BL1的边缘ED-BL1重叠。即，光学控制层OCL和第一阻挡层BL1可以在同一腔室中连续地沉积并且使用一个掩模同时被图案化。
布置为对应于外围区域NAA的电路层CL可以通过去除电路层CL的与有源区域AA对应的配置的一部分来获得。与有源区域AA相比，第二外围区域NAA-2可以通过去除电路层CL的在有源区域AA中的配置的一部分来获得，并且第二外围区域NAA-2中的电路层CL可以包括多个堆叠的绝缘层10、20、30和40。
包括在电路层CL中的绝缘层10、20、30和40中的一些可以堆叠并定位在基体层BS的第二外围部分NAA2-BS上，并且第二阻挡层BL2的与第二外围部分NAA2-BS重叠的部分可以直接定位在绝缘层10、20、30和40之中的最上层上。
根据一些实施例，第一阻挡层BL1通过沉积工艺形成，并且可以省略坝，该坝将被引入可选封装层中以控制被作为平坦化层包括的有机层的流动。即，在根据一些实施例的显示模块DM中，第五绝缘层50、第六绝缘层60或像素限定层PDL通过相同的工艺形成，并且可以省略将形成为在外围区域NAA中在绝缘层10、20、30和40上突出的坝。
图11是被提供有具有根据本发明构思的一些实施例的第一阻挡层的配置的测试无机膜的测试样品的截面图像。图11示出了样品的图像，具有根据本发明构思的第一阻挡层的膜配置的测试无机层BL1-EX布置为覆盖形成在基体基底BSP上的氧化硅图案PT。
测试无机层BL1-EX可以覆盖多个氧化硅图案PT，并且可以在填充氧化硅图案PT之间的空间的同时形成。此外，测试无机层BL1-EX的顶表面EX-US可以是平坦表面。可以确认的是，测试无机层BL1-EX展现出优异的平坦化特性，该测试无机层BL1-EX具有根据一些实施例的包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种并且包含大约0％至大约10％的量的C元素的阻挡层。此外，可以确认的是，测试无机层BL1-EX具有大约3μm的厚度HPT、大约2μm的宽度WPT，并且测试无机层BL1-EX充分覆盖了图案PT，图案PT具有大约2μm或更小的介于图案PT之间的间隔距离。即，可以确认的是，根据本发明构思的一些实施例的包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种并且包含0％至大约10％的C元素的第一阻挡层在充分覆盖定位在第一阻挡层下面的台阶部分的同时展现出优异的平坦化特性。
根据一些实施例的电子装置可以在封装层中包括包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种并且相对于总含量包含大约0％至大约10％的量的C元素的阻挡层，并且因此展现出相对改善的光效率和相对改善的视角显示质量。此外，根据一些实施例的电子装置可以在封装层中包括包含碳氧化硅和氧化硅中的至少一种并且相对于总含量包含大约0％至大约10％的量的C元素的阻挡层，并且与在封装层中包括有机层的可选电子装置相比，减少了制造工艺时间。因此，可以用相对高的工艺生产率来制造根据一些实施例的电子装置。
根据一些实施例的电子装置包括具有相对低的碳含量的阻挡层作为封装层，并且该阻挡层可以实现平坦化功能和阻挡功能，从而展现出相对改善的光提取效率特性。
此外，通过沉积工艺来提供构成包括在根据一些实施例的电子装置中的封装层的阻挡层，并且与包括有机层的封装层的可选制造工艺相比，可以缩短工艺时间，并且因此可以改善电子装置的制造生产率。
尽管已经描述了本发明构思的实施例，但是将理解的是，本发明不应局限于这些实施例，而是可以由本领域普通技术人员在所要求保护的本发明构思的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (15)

1.一种电子装置，其中，所述电子装置包括：
基体层；
电路层，在所述基体层上；
发光元件层，在所述电路层上；以及
封装层，包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层在所述发光元件层上并且具有碳氧化硅和氧化硅中的至少一种，所述第二阻挡层在所述第一阻挡层的顶部上并且具有氮氧化硅和氮化硅中的至少一种，
其中，相对于所述第一阻挡层的总含量，碳元素的含量在0％至10％的范围内。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一阻挡层的第一厚度大于所述第二阻挡层的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一厚度在3μm至10μm的范围内。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，相对于所述第一阻挡层的所述总含量，所述第一阻挡层包括在30％至50％的范围内的量的硅元素以及在50％至60％的范围内的量的氧元素。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中，当在平行于所述基体层的平面图中观看时，所述第二阻挡层的边缘在所述第一阻挡层的边缘外部。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，在平面图中，所述第二阻挡层的面积大于所述第一阻挡层的面积。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第二阻挡层的折射率大于所述第一阻挡层的折射率。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述封装层还包括：光学控制层，在所述发光元件层与所述第一阻挡层之间，并且具有具备不同的折射率的两个或更多个无机层。
9.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述光学控制层包括：
第一无机层，包括氮氧化硅并且具有第一折射率；
第二无机层，在所述第一无机层的顶部上，所述第二无机层包括氮化硅并且具有大于所述第一折射率的第二折射率；
第三无机层，在所述第二无机层的顶部上，所述第三无机层包括氮氧化硅并且具有小于所述第二折射率的第三折射率；以及
第四无机层，在所述第三无机层的顶部上，所述第四无机层包括氮氧化硅并且具有小于所述第三折射率的第四折射率。
10.根据权利要求8所述的电子装置，其中，所述光学控制层和所述第一阻挡层在同一腔室中连续地沉积，并且
所述第二阻挡层和所述第一阻挡层在不同的腔室中沉积。
11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述发光元件层包括：像素限定层和发光元件，所述发光元件包括功能层，所述功能层在被限定在所述像素限定层中的开口中，并且
所述第一阻挡层覆盖所述发光元件层的顶表面。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中，所述第一阻挡层的顶表面是平坦表面，并且所述第一阻挡层填充所述发光元件层与所述第二阻挡层之间的空间。
13.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述电子装置还包括：传感器层，在所述封装层上，
其中，所述传感器层直接在所述第二阻挡层上。
14.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述基体层包括：有源区域，与所述发光元件层重叠；以及外围区域，与所述有源区域的外部相邻，并且不与所述发光元件层重叠，
其中，所述外围区域包括与所述有源区域相邻的第一外围部分和与所述有源区域间隔开并且与所述第一外围部分相邻的第二外围部分，
所述第一外围部分与所述第一阻挡层和所述第二阻挡层重叠，并且
所述第二外围部分不与所述第一阻挡层重叠并且与所述第二阻挡层重叠。
15.根据权利要求14所述的电子装置，其中，被包括在所述电路层中的多个绝缘层堆叠并且在所述第二外围部分上，并且
所述第二阻挡层的与所述第二外围部分重叠的部分直接在所述多个绝缘层之中的最上层上。
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