CN115955858A

CN115955858A - 发光装置及包括发光装置的电子设备

Info

Publication number: CN115955858A
Application number: CN202211131557.XA
Authority: CN
Inventors: 李学忠; 贾允硕; 金东赞; 文智永; 宋河珍; 尹智焕; 黄载薰
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-10-06
Filing date: 2022-09-15
Publication date: 2023-04-11
Also published as: US20230140767A1; KR20230049819A

Abstract

发光装置包括第二电极，所述第二电极包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属的第一层；以及由具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属组成的第二层。所述第一金属和所述第二金属彼此不同，所述第一层的厚度为

至

，并且所述第二层的厚度为

至

。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年10月6日向韩国知识产权局提交的第10-2021-0132692号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容通过援引整体并入本文。

技术领域

一个或多于一个的实施方案涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

背景技术

发光装置是自发射装置，与相关领域的装置相比，其具有广视角、高对比度、短响应时间，和/或在亮度、驱动电压和/或响应速度方面的优异的或适合的特性。

在发光装置中，第一电极位于衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。

发明内容

根据本公开内容的实施方案的方面涉及与现有技术装置相比具有改善的发光效率的装置。

其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

根据实施方案，发光装置包括

第一电极，

面向所述第一电极的第二电极，以及

在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，

其中所述第二电极包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属的第一层、以及由具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属组成的第二层，

所述第一金属和所述第二金属彼此不同，

所述第一层的厚度为

至

以及

所述第二层的厚度为

至

根据另一个实施方案，

电子设备包括所述发光装置。

附图说明

根据以下结合附图的描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面、特征和改进将更加明显，在附图中：

图1是根据实施方案的发光装置的结构的示意图；

图2是根据实施方案的发光设备的横截面视图；

图3是根据另一个实施方案的发光设备的横截面视图；以及

图4是示出实施例装置和比较例装置的电极的薄层电阻值的图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，以下通过参考附图仅描述实施方案，以解释当前描述的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，所有的a、b和c，或其变体。

在现有技术的发光装置的电极中，由于在电极的薄层电阻与电极的吸收率之间存在折衷关系，因此存在对装置效率的增加的限制。

期望或需要低的薄层电阻来改善发光效率和IR降(欧姆降或电压降)，并且为此目的，优选较厚的电极(例如，电极需要是厚的)。然而，厚电极导致吸收率的增加，从而导致出光效率的降低。

为了降低吸收率，已经存在例如通过在电极中掺杂少量的Mg来减小电极厚度的方法。然而，由于电极厚度的降低或电极膜质量的不稳定性，这已经导致了薄层电阻的增加，从而产生可靠性问题。例如，当Mg的比率降低至接近纯Ag(例如，对于基于Ag的电极)时，由于Mg的缺乏(或不足量)而导致膜质量的劣化，并且因为Ag在高温和/或电场下引起热聚集和/或电迁移问题，从而增加了薄层电阻。

为了改善装置效率，期望或需要即使在小厚度或例如低Mg比率的情况下也具有低薄层电阻和低吸收率、并且由于膜质量的无劣化而具有可靠性的电极。

根据实施方案的发光装置包括：

第一电极；

面向第一电极的第二电极；以及

位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层，

其中第二电极可以包括：包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属的第一层；以及包含(例如，由以下组成)具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属的第二层，

第一金属和第二金属可以彼此不同，

第一层的厚度可以为

至

以及

第二层的厚度可以为

至

根据实施方案的发光装置的第二电极的第一层可以包含具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属。在一些实施方案中，第二电极的第一层可以由具有5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属组成。在实施方案中，第一金属和第二金属可以基本上均匀地混合在第一层中。

第一层通过改善初始粗糙度来确保第二层的薄膜的膜质量。例如，第一层用作第二层的晶种层。

在实施方案中，第一金属可以选自Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu、Sm及其组合。

在实施方案中，第二金属可以选自Ag、Au、Cu、Al、Mg及其组合。

在实施方案中，第一金属可以是Mg，并且第二金属可以是Ag、Au、Cu、Al或其任意组合。

在实施方案中，第二金属可以是Ag，并且第一金属可以是Mg、Ca、Li、Au、Al、Yb、Cu、Sm或其任意组合。

在实施方案中，第一金属可以是Mg，并且第二金属可以是Ag。

第二电极的第一层的厚度可以是约

至约

并且第二层的厚度可以是约

至约

当第一层包含具有约5.2eV或小于5.2eV的绝对值的功函数的第一金属和具有约1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属并且在厚度范围内时，并且当第二层包含(例如，由以下组成)具有约1×10⁷S/m或大于1×10⁷S/m的电导率的第二金属并且在厚度范围内时，第一层可以充分地用作第二层的晶种层以改善初始粗糙度，从而确保第二层的薄膜的膜质量。

在实施方案中，对于在第一层上形成的多个成核位点中形成的第二层(例如，纯银层)，期望或需要足够的厚度以具有足够或高的电导率，并且可以是约

至约

在实施方案中，第二电极的厚度可以是约

至约

当第二电极的厚度小于约

时，难以形成基本上连续的膜，并且因此薄层电阻可能增加，并且当第二电极的厚度大于约

时，吸收率可能增加，并且因此装置效率可能降低。

在实施方案中，第一层中的第二金属的量(vol％)可以大于第一金属的量(vol％)。当第一层中的第一金属的量(vol％)大于或等于第二金属的量(vol％)时，薄层电阻可能增加或吸收率可能增加，并且因此，发光效率可能降低。

在实施方案中，基于第一层的总共100vol％，第一层中的第二金属的量可以等于或大于约50vol％且小于100vol％，并且第一金属的量可以大于0vol％且小于或等于约50vol％。在实施方案中，第一层中的第二金属的量可以是约98vol％，并且第一金属的量可以是约2vol％。在实施方案中，第一层中的第二金属的量可以是约95vol％，并且第一金属的量可以是约5vol％。在实施方案中，第一层中的第二金属的量可以是约93vol％，并且第一金属的量可以是约7vol％。在实施方案中，第一层中的第二金属的量可以是约90vol％，并且第一金属的量可以是约10vol％。在实施方案中，第一层中的第二金属的量可以是约50vol％，并且第一金属的量可以是约50vol％。

在实施方案中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，发光装置可以进一步包括：位于第一电极与发射层之间并且包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任意组合的空穴传输区；和/或位于第二电极与发射层之间并且包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合的电子传输区。

根据实施方案的发光装置可以进一步包括在第二电极与发射层之间的电子注入层。

在实施方案中，电子注入层可以与第二电极的第一层接触。

在实施方案中，电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

在实施方案中，电子注入层可以包含Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

在实施方案中，电子注入层可以包含有机材料。

在实施方案中，有机材料可以是由式601表示的化合物。

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在式601中，

Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和L₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，并且R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自独立地与关于Q₁₁描述的那些相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

Ar₆₀₁、L₆₀₁或R₆₀₁中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的含缺π电子的氮的(二价)C₁-C₆₀环状基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键连接。

在实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未取代的蒽基团。

在实施方案中，可以包含在电子注入层中的有机材料可以是以下化合物：

在实施方案中，电子注入层的厚度可以是约

至约

在实施方案中，电子注入层的厚度可以是约

至约

当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

当电子注入层包含有机材料以及碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分布在包含有机材料的基质中。关于电子注入层的更多信息，可以参考以下描述。

在实施方案中，第二电极的第二层和第一层可以彼此接触(例如，直接接触)。根据实施方案的发光装置可以包括电子注入层/第一层/第二层的结构。在这种情况下，电子注入层可以与电子传输层接触，并且第二层可以与覆盖层接触。以下描述电子传输层和覆盖层。

在实施方案中，中间层可以包括m个发光单元和在相邻发光单元之间的m-1个电荷产生单元。在此，m可以是1至10的自然数。

在实施方案中，发光装置可以包括各自在m个发光单元中的两个相邻发光单元之间的m-1个电荷产生单元。

在实施方案中，当m是2时，可以依次布置第一电极、第一发光单元、第一电荷产生单元、第二发光单元和第二电极。在这种情况下，第一发光单元可以旨在发射第一颜色光，第二发光单元可以旨在发射第二颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长和第二颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。

在实施方案中，当m是3时，可以依次布置第一电极、第一发光单元、第一电荷产生单元、第二发光单元、第二电荷产生单元、第三发光单元和第二电极。在这种情况下，第一发光单元可以旨在发射第一颜色光，第二发光单元可以旨在发射第二颜色光，第三发光单元可以旨在发射第三颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长和第三颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。

在实施方案中，当m是4时，可以依次布置第一电极、第一发光单元、第一电荷产生单元、第二发光单元、第二电荷产生单元、第三发光单元、第三电荷产生单元、第四发光单元和第二电极。在这种情况下，第一发光单元可以旨在发射第一颜色光，第二发光单元可以旨在发射第二颜色光，第三发光单元可以旨在发射第三颜色光，第四发光单元可以旨在发射第四颜色光，并且第一颜色光的最大发射波长、第二颜色光的最大发射波长、第三颜色光的最大发射波长和第四颜色光的最大发射波长可以彼此相同或不同。

根据一个或多于一个的实施方案的电子设备可以包括发光装置。

在实施方案中，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，

薄膜晶体管可以包括源电极和漏电极，以及

发光装置的第一电极可以电连接至薄膜晶体管的源电极或漏电极。

在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

在实施方案中，电子设备可以进一步包含量子点。在实施方案中，电子设备可以包括颜色转换层，并且颜色转换层可以包含量子点。

如本文使用的术语“中间层”是指位于发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。

图1的描述

图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

在下文，将关于图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

在图1中，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二电极150上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底和/或塑料衬底。在实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的或适合的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其任意组合。

可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是能够适当地促进空穴注入的高功函数材料。

第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合可以用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间层130

中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层。

在实施方案中，中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。

在实施方案中，除了一种或多于一种的适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含一种或多于一种的含金属的化合物(例如，一种或多于一种的有机金属化合物)、一种或多于一种的无机材料(例如量子点)等。

在实施方案中，中间层130可以包括i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发光单元，和ii)在两个相邻发光单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的两个或多于两个的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

在实施方案中，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，其中，在每种结构中，构成层从第一电极110按各自规定的顺序依次堆叠。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及*和*'各自表示与相邻原子的结合位点，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及

na1可以是1至4的整数。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c分别与关于R_10a描述的那些相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，以及式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被如以上描述的R_10a取代。

在实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，式201中的xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由式CY204至式CY207中的一种表示的基团。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任一种。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY203表示的基团中的任一种，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY217表示的基团中的任一种。

在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的一种或其任意组合：

空穴传输区的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其任意组合时，空穴注入层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

并且空穴传输层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡或降低从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料可以被包含在发射辅助层和电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

在实施方案中，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是约-3.5eV或小于-3.5eV。

在实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含有元素EL1和元素EL2的化合物(以下将更详细地描述)或其任意组合。

醌衍生物的非限制性实例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基基团的化合物的非限制实例可以包括HAT-CN、由以下式221表示的化合物等:

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或者其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在含有元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。

金属的非限制实例可以包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的非限制性实例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的非限制性实例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施方案中，含有元素EL1和元素EL2的化合物的非限制性实例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其任意组合。

金属氧化物的非限制实例可以包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的非限制实例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的非限制性实例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的非限制性实例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的非限制性实例可以包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的非限制性实例可以包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的非限制性实例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的非限制性实例可以包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的非限制实例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间层130中的发射层

当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施方案中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此隔开。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。

发射层可以包含主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或其任意组合。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是约0.01重量份至约15重量份。

在实施方案中，发射层可以包含延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的或适合的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

主体

主体可以包括由式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

其中，在式301中，

Ar₃₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和L₃₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xb21可以是1至5的整数，以及

Q₃₀₁至Q₃₀₃可以各自独立地与关于Q₁₁描述的相同。

在实施方案中，当式301中的xb11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₃₀₁可以经由单键彼此连接。

在实施方案中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或其任意组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

X₃₀₁可以是O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可以分别与本说明书中描述的那些相同，

L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1描述的相同，以及

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可以各自独立地与关于R₃₀₁描述的相同。

在实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。在实施方案中，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其组合。

在实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或其任意组合，但实施方案不限于此。

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可以包含至少一种过渡金属作为中心金属(例如，中心金属原子)。

磷光掺杂剂可以包含单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或其任意组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

在实施方案中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，其中当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、-O-、-S-、-C(＝O)-、-N(Q₄₁₁)-、-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-、-C(Q₄₁₁)＝或＝C＝，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自独立地与关于Q₁₁(待以下更详细地描述)描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自独立地与关于Q₁₁描述的那些相同，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

在实施方案中，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在实施方案中，当式401中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，并且两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₂可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可以各自独立地与关于T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。在实施方案中，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其任意组合。

磷光掺杂剂可以包括，例如，化合物PD1至化合物PD39中的一种或其任意组合。

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可以包括含胺基团的化合物、含苯乙烯基基团的化合物或其任意组合。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在实施方案中，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、

基团和/或芘基团)。

在实施方案中，式501中的xd4可以是2。

在实施方案中，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36；DPVBi；DPAVBi中的一种；或其任意组合。

延迟荧光材料

发射层可以包含延迟荧光材料。

在一些实施方案中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光的化合物。

根据包含在发射层中的其它材料的类型或种类，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当(例如，用作)主体或掺杂剂。

在实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以等于或大于0eV且等于或小于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善发光装置10的发光效率。

在实施方案中，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团和/或含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团)的材料，和/或ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(B)的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的非限制性实例可以包括以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种。

量子点

在本说明书中，术语“量子点”是指半导体化合物的晶体，并且量子点可以包括根据晶体的尺寸能够发射一种或多于一种的适合的发射波长的光的任何适合的材料。

量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。

可以通过湿法化学工艺、金属有机(例如，有机金属)化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。

根据湿法化学工艺，将前体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位到量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长。因此，通过与气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺和/或分子束外延(MBE)工艺)相比更容易以低成本进行的工艺，可以控制量子点颗粒的生长。

量子点可以包括：II-VI族半导体化合物；III-V族半导体化合物；III-VI族半导体化合物；I-III-VI族半导体化合物；IV-VI族半导体化合物；IV族元素或化合物；或者其任意组合。

II-VI族半导体化合物的非限制性实例可以包括：二元化合物，例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe和/或MgS；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe和/或MgZnS；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和/或HgZnSTe；以及其任意组合。

III-V族半导体化合物的非限制实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs和/或InSb；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs和/或InPSb；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs和/或InAlPSb；以及其任意组合。在实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含一种或多于一种的II族元素。进一步包含一种或多于一种的II族元素的III-V族半导体化合物的非限制实例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

III-VI族半导体化合物的非限制实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃、InTe等；三元化合物，例如InGaS₃、InGaSe₃等；以及其任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的非限制性实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂和/或AgAlO₂；以及其任意组合。

IV-VI族半导体化合物的非限制性实例可以包括：二元化合物，例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；以及其任意组合。

IV族元素或化合物可以包括：单一元素，例如Si和/或Ge；二元化合物，例如SiC和/或SiGe；或者其任意组合。

包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物和/或四元化合物)中的每种元素可以以基本上均匀的浓度或非均匀的浓度(例如，基本上非均匀的浓度)存在于颗粒中。

在实施方案中，量子点可以具有单一结构或核-壳双结构。当量子点具有单一结构时，包含在相应量子点中的每种元素的浓度是基本上均匀的。在实施方案中，当量子点具有核-壳双结构时，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以用作(例如，充当)防止或减少核的化学变性以保持半导体特性的保护层和/或向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。存在于量子点的核与壳之间的界面中的元素可以具有浓度梯度，所述浓度梯度朝向量子点的中心降低。

量子点的壳的非限制实例可以是金属、准金属或非金属的氧化物，半导体化合物及其任意组合。金属、准金属或非金属的氧化物的非限制实例可以包括：二元化合物，例如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO；三元化合物，例如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄；以及其任意组合。半导体化合物的非限制实例可以包括如本文描述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物以及其任意组合。在一些实施方案中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以是约45nm或小于45nm，例如约40nm或小于40nm，或者约30nm或小于30nm，并且在这些范围内，可以增加颜色纯度和/或颜色再现性。在一些实施方案中，因为由量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以获得广视角。

在一些实施方案中，量子点可以是球形纳米颗粒、角锥形纳米颗粒、多臂纳米颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板。

因为能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，所以可以从量子点发射层获得具有一种或多于一种的适合的波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射一种或多于一种的适合的波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。在一些实施方案中，可以将量子点的尺寸配置成通过组合一种或多于一种的适合的颜色的光来发射白色光。

中间层130中的电子传输区

电子传输区可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

所述电子传输区可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

在实施方案中，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构或空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每种结构中，构成层按其各自规定的顺序从发射层依次堆叠。

电子传输区(例如，在电子传输区中的空穴阻挡层或电子传输层)可以包含含有至少一种含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

在实施方案中，电子传输区可以包含由以下式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自独立地与关于Q₁₁描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

在实施方案中，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自独立地与关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可以各自独立地与关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自独立地与关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

在实施方案中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ中的一种或其任意组合：

电子传输区的厚度可以是约100埃

至约

例如约

至约

当电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层或其任意组合时，空穴阻挡层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

并且电子传输层的厚度可以是约

至约

例如约

至约

当空穴阻挡层和/或电子传输层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

在实施方案中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触。

电子注入层可以具有：i)由由单一材料组成的单个层组成的单层结构，ii)由包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层组成的单层结构，或者iii)包括包含不同材料的多个层的多层结构。

如以上描述，电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物，或者其任意组合。

含碱金属的化合物可以包括碱金属氧化物(例如Li₂O、Cs₂O和/或K₂O)、碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI和/或KI)或其任意组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。在实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的非限制实例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属或稀土金属的离子中的一种，和ii)作为键合至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

电子注入层可以包含以下(例如，仅由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任意组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施方案中，电子注入层可以包括以下(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其任意组合。在实施方案中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。

电子注入层的厚度可以是约

至约

例如，约

至约

第二电极150

第二电极150可以位于具有此类结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且与以上描述的相同。

覆盖层

第一覆盖层可以位于第一电极110外部(例如，在与第二电极150相对的一侧上)，和/或第二覆盖层可以位于第二电极150外部(例如，在与第一电极110相对的一侧上)。在一个实施方案中，发光装置10可以具有其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150按此规定的顺序依次堆叠的结构，其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序依次堆叠的结构，或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层按此规定的顺序依次堆叠的结构。

在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第一电极110(其是半透射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部发射或引出，或者在发光装置10的中间层130的发射层中产生的光可以通过第二电极150(其是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部发射或引出。

第一覆盖层和第二覆盖层可以根据相长干涉的原理来增加外部发光效率。因此，可以增加发光装置10的出光效率，使得可以改善发光装置10的发射效率。

第一覆盖层和第二覆盖层中的每一个可以包含具有约1.5至约2.0的折射率(在589nm处)(例如，约1.6或大于1.6的折射率(在589nm处))的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、或者包含有机材料和无机材料的复合覆盖层。

第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以各自独立地包含一种或多于一种的碳环化合物、一种或多于一种的杂环化合物、一种或多于一种的含胺基团的化合物、一种或多于一种的卟啉衍生物、一种或多于一种的酞菁衍生物、一种或多于一种的萘酞菁衍生物、一种或多于一种的碱金属络合物、一种或多于一种的碱土金属络合物、或者其任意组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基任选地取代。在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以(例如，各自独立地)包含含胺基团的化合物。

在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以(例如，各自独立地)包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其任意组合。

在实施方案中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以(例如，各自独立地)包含化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或其任意组合。

电子设备

发光装置可以被包括在一种或多于一种的适合的电子设备中。在实施方案中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。在实施方案中，从发光装置发射的光可以是蓝色光或白色光。发光装置可以与以上描述的相同。在实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。量子点可以是例如如本文描述的量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于多个子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于多个子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。

滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施方案中，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。在实施方案中，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。在一个实施方案中，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含(例如，可以排除)量子点。量子点与本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自进一步包含散射体。

在实施方案中，发光装置可以旨在发射第一光，第一区域可以旨在吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以旨在吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以旨在吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这点上，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。在一个实施方案中，第一光可以是蓝色光，第一第一颜色光可以是红色光，第二第一颜色光可以是绿色光，并且第三第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极或漏电极可以电连接至发光装置的第一电极或第二电极。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部和/或颜色转换层可以位于滤色器与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，而并行地(例如，同时地)防止或减少环境空气和/或湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的使用，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可以额外地位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。

验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于一种或多于一种的适合的显示器、光源、照明设备、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日志(例如，电子记事本)、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图(ECG)显示器、超声诊断装置和/或内窥镜显示器)、探鱼仪、一种或多于一种的适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和/或船舶的仪表)、投影仪等。

图2和图3的描述

图2是根据实施方案的电子设备的横截面视图。

图2的电子设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以形成在衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供平坦表面。

TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅和/或多晶硅)、有机半导体和/或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且位于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT可以电连接至发光装置以驱动发光装置，并且可以被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。可以在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全覆盖漏电极270并且暴露漏电极270的一部分，并且第一电极110连接至漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的区，并且可以在第一电极110的暴露区中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酸有机膜。在一个或多于一个的实施方案中，中间层130的一个或多于一个的层可以延伸超过像素限定层290的上部以定位成公共层的形式。

第二电极150可以位于中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成覆盖层170。可以形成覆盖层170以覆盖第二电极150。

封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气影响。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其任意组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3是根据另一个实施方案的电子设备的横截面视图。

图3的电子设备与图2的发光设备相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。

制造方法

可以通过使用选自真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像中的一种或多于一种的适合的方法在特定区中形成包括在空穴传输区中的各层、发射层和包括在电子传输区中的各层。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约

/秒的沉积速度进行沉积。

当通过旋涂形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，通过考虑待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约2,000rpm至约5,000rpm的涂覆速度和以约80℃至200℃的热处理温度进行旋涂。

术语的定义

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅包含碳原子作为成环原子并且具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳原子之外的杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是由一个环组成的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。在实施方案中，C₁-C₆₀杂环基团具有3个至61个成环原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个成环原子)。

如本文使用的术语“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团(例如，碳环基团或杂环基团)，并且如本文使用的术语“含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

在实施方案中，

C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1或者ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团可以是环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团、茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多于两个的基团T2彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，C₁-C₆₀杂环基团可以是吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合的稠合环状基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多于两个的基团T3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多于两个的基团T4彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠合环状基团(例如，含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团可以是吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团”、“C₃-C₆₀碳环基团”、“C₁-C₆₀杂环基团”、“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”或“含缺π电子的氮的C₁-C₆₀环状基团”各自是指取决于与术语使用有关的式的结构，与任何环状基团稠合的基团或单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施方案中，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其可以是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易理解的。

在实施方案中，单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的非限制性实例可以包括C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团，并且二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的非限制性实例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其实例可以包括甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端(例如，端点)处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端(例如，端点)处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例可以包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例可以包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例可以包括环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指进一步包含除了1个至10个碳原子之外的至少一个(例如，1、2、3或4个)杂原子作为成环原子的单价环状基团，并且其实例可以包括1,2,3,4-噁三唑烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基基团”是指在其环中具有三个至十个碳原子、至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其实例可以包括环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指在其环状结构中具有除了1个至10个碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子以及至少一个双键的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的非限制性实例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有含六个至六十个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的非限制实例可以包括苯基基团、庚搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团、芴基基团和卵苯基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指具有除了1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指具有除了1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的非限制性实例可以包括吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩并呋喃基基团和萘啶基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述两个或多于两个的环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环，仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不是芳香族)的单价基团。单价非芳香族稠合多环基团的非限制实例可以包括茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团、金刚烷基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有彼此稠合的两个或多于两个的环，除了碳原子之外的至少一个杂原子作为成环原子，并且当视为整体时在其分子结构中无芳香性(例如，整个分子结构不是芳香族)的单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)。单价非芳香族稠合杂多环基团的非限制实例可以包括吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、三唑基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团、氮杂金刚烷基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”是指由-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)表示的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”是指由-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)表示的单价基团。

如本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基基团”是指由-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄是C₁-C₅₄亚烷基基团，并且A₁₀₅是C₆-C₅₉芳基基团)表示的单价基团，并且如本文使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基基团”是指由-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆是C₁-C₅₉亚烷基基团，并且A₁₀₇是C₁-C₅₉杂芳基基团)表示的单价基团。

R_10a可以是：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂),-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

如本文使用的Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃、Q₃₁至Q₃₃、Q₄₀₁至Q₄₀₃和Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；C₁-C₆₀烷基基团；C₂-C₆₀烯基基团；C₂-C₆₀炔基基团；C₁-C₆₀烷氧基基团；或者未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团；C₁-C₆₀杂环基团；C₇-C₆₀芳基烷基基团；或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团。

如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的非限制性实例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。

如本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)或金(Au)。

如本文使用的术语“Ph”是指苯基基团，如本文使用的术语“Me”是指甲基基团，如本文使用的术语“Et”是指乙基基团，如本文使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的术语“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。换而言之，“联苯基基团”是具有C₆-C₆₀芳基基团(例如，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

在该取代基定义章节中的最大碳原子数仅是实例。在实施方案中，C₁-C₆₀烷基基团中的60的最大碳数是实例，并且烷基基团的定义同样适用于C₁-C₂₀烷基基团。同样适用于其它情况。

除非另外定义，如本文使用的*和*'各自是指在相应的式中与相邻原子的结合位点。

在下文，将参考以下合成例和实施例更详细地描述根据实施方案的化合物和根据实施方案的发光装置。用于描述合成例的措辞“使用B代替A”是指使用等摩尔当量的B代替A。

实施例

电极吸收率和薄层电阻的对比测量

比较例1

将玻璃衬底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声清洁10分钟，并且然后通过照射紫外线和暴露于臭氧30分钟来清洁。然后，将玻璃衬底装载到真空沉积设备上。

将作为电子传输化合物的ET1真空沉积在衬底上以形成具有

的厚度的电子传输层。

将Yb真空沉积在电子传输层上以形成具有

的厚度的电子注入层。

随后，将Ag和Mg以95％:5％的体积比真空沉积(例如，共沉积)在电子注入层上以形成具有

的厚度的电极。将CPL沉积在电极上以形成具有

的厚度的覆盖层，从而完成评估结构的制造。

实施例1

以与比较例1基本上相同的方式制造评估结构，但将Ag(电导率：6.3×10⁷S/m)和Mg(功函数：-3.70eV)以95％:5％的体积比真空沉积(例如，共沉积)在电子注入层上以形成具有

的厚度的电极的第一层，并且然后将Ag真空沉积在第一层上以形成具有

的厚度的电极的第二层。

实施例2

以与比较例1中基本上相同的方式制造评估结构，但将Ag和Mg以95％:5％的体积比真空沉积(例如，共沉积)在电子注入层上以形成具有

的厚度的电极的第二层。

实施例3

的厚度的电极的第二层。

将450nm、540nm和640nm的光照射到比较例1和实施例1至实施例3的每个评估结构上，并且测量透射率、反射率和吸收率。使用Perkin-Elmer Company的Lambda 950UV/Vis光谱仪测量透射率。

结果显示在表1中。

表1

在表1中，方括号中的值是指表示相对于比较例1的相对增加(正值)或减少(负值)的值。

参考表1，在实施例1至实施例3的每个结构中，吸收率低于比较例1的吸收率。

比较例2

以与比较例1中基本上相同的方式制造评估结构，但将化合物nCGL_1和Yb以90:10的体积比真空沉积(例如，共沉积)在电子传输层上以形成具有

的厚度的电子注入层。

实施例4

以与实施例2中基本上相同的方式制造评估结构，但将化合物nCGL_1和Yb以90:10的体积比真空沉积(例如，共沉积)在电子传输层上以形成具有

的厚度的电子注入层。

实施例5

以与实施例3中基本上相同的方式制造评估结构，但将化合物nCGL_1和Yb以90:10的体积比真空沉积(例如，共沉积)在电子传输层上以形成具有

的厚度的电子注入层。

关于比较例1和比较例2以及实施例2至实施例5的评估结构，在室温下测量每个电极的薄层电阻值(Ω/□)，并且然后在80℃下进行热处理9小时，并且测量每个热处理电极的薄层电阻值(Ω/□)。对于薄层电阻，使用基于4点探针的薄层电阻测量仪器。

测量值显示在图4中。

参考图4，在所有情况下，可以确认实施例2至实施例3的评估结构的电极薄层电阻值低于比较例1的电极薄层电阻值，并且实施例4至实施例5的评估结构的电极薄层电阻值低于比较例2的电极薄层电阻值。

发光装置的制造

比较例3

将具有15Ω/cm²

ITO/Ag/ITO阳极形成在其上的玻璃衬底(康宁公司(Corning Inc.)的产品)切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用异丙醇和纯水各自超声5分钟，并且然后通过照射紫外线和暴露于臭氧15分钟来清洁。将得到的玻璃衬底装载到真空沉积设备上。

将NBP和F4-TCNQ以1:1的重量比沉积在玻璃衬底的ITO/Ag/ITO阳极上以形成具有

的厚度的空穴注入层，将NPB沉积在空穴注入层上以形成具有

的厚度的第一空穴传输层，将TCTA沉积在第一空穴传输层上以形成具有

的厚度的第二空穴传输层，将BH3和化合物100以97:3的重量比共沉积在第二空穴传输层上以形成具有

的厚度的第一发射层(蓝色)，将T2T沉积在第一发射层上以形成具有

的厚度的第二电子传输层，并且将TPM-TAZ和Liq以1:1的重量比共沉积在其上以形成具有

的厚度的第一电子传输层。

随后，将nCGL_1和Li以99:1的重量比共沉积在其上以形成具有

的厚度的n-型或种类的电荷产生层，并且将NBP和F4-TCNQ以1:1的重量比沉积(例如，共沉积)在n-型或种类的电荷产生层以形成具有

的厚度的p-型或种类的电荷产生层。

将NPB沉积在p-型或种类的电荷产生层上以形成具有

的厚度的第二发射层(蓝色)，将T2T沉积在第二发射层上以形成具有

的厚度的第二电子传输层，并且随后，将TPM-TAZ和Liq以1:1的重量比共沉积在其上以形成具有

的厚度的第一电子传输层。

随后，将nCGL_1和Li以99:1的重量比共沉积在其上以形成具有

的厚度的p-型或种类的电荷产生层。

随后，将NPB沉积在其上以形成具有

的厚度的第三发射层(蓝色)，将T2T沉积在第三发射层上以形成具有

的厚度的第一电子传输层。

随后，将Yb沉积在其上以形成具有

的厚度的电子注入层，并且然后将Ag和Mg以90:10的体积比共沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极。将CPL沉积在阴极上以形成具有

的厚度的覆盖层，从而完成串联发光装置的制造。

比较例4

以与比较例3中基本上相同的方式制造串联发光装置，但将Ag和Mg以10:90的体积比共沉积在电子注入层上以形成具有

的厚度的阴极。

比较例5

以与比较例3中基本上相同的方式制造串联发光装置，但在形成阴极时，将Ag和Mg以10:90的体积比共沉积在电子注入层上以形成具有

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

比较例6

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例6

以与比较例3中基本上相同的方式制造串联发光装置，但在形成阴极时，将Ag和Mg以90:10的体积比共沉积在电子注入层上以形成具有

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例7

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例8

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例9

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例10

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例11

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

实施例12

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

比较例7

的厚度的阴极的第一层，并且将Ag沉积在其上以形成具有

的厚度的阴极的第二层。

为了评估根据比较例3至比较例7以及实施例6至实施例12制造的发光装置的特性，测量在10mA/cm²的电流密度下的驱动电压、发光效率和使用寿命，并且结果显示在表2中。

使用源表(2400系列，吉时利仪器公司(Keithley Instruments Inc.))测量发光装置的驱动电压和电流密度，并且使用测量系统(滨松光子公司(Hamamatsu PhotonicsInc.)的C9920-2-12)测量发光装置的发光效率。

表2

在表2中，比较例3显示出在具有AgMg的单层结构的阴极的情况下的结果，并且比较例4至比较例6各自显示出其中阴极中的作为第一金属的Mg的量大于作为第二金属的Ag的量的结果。比较例7显示出其中阴极的总厚度大于

的结果。

根据表2，可以确认，与比较例3至比较例7的发光装置相比，所有的实施例6至实施例12的发光装置显示出在发光效率方面优异的或适合的结果。

这些结果与表1和图4一致，表1和图4是阴极的吸收率和薄层电阻的结果。

根据实施方案的发光装置包括具有低薄层电阻和低吸收率的电极，并且因此与现有技术相比具有改善的发光效率。

如本文使用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。此外，本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本说明书中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。

可以使用任何适合的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文描述的本公开内容的实施方案的显示装置和/或任何其它相关的装置或组件。例如，装置的一个或多于一个的适合的组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，装置的一个或多于一个的适合的组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带式封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。此外，装置的一个或多于一个的适合的组件可以是在一个或多于一个的计算装置中的一个或多于一个的处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文描述的一个或多于一个的适合的功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应认识，在不背离本公开内容的实施方案的范围的情况下，一种或多于一种的适合的计算装置的功能可以被结合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多于一个的其它计算装置分布。

应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求及其等同物限定的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的一种或多于一种的适合的改变。