CN115942766A - 发光器件、其制造方法和包括该发光器件的电子装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种发光器件、其制造方法和包括该发光器件的电子装置，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；中间区域，包括在第一电极与第二电极之间的发射层以及在第二电极与发射层之间的电子传输区域；以及抗氧化层，在第二电极与电子传输区域之间。电子传输区域包括无机电子传输层，所述无机电子传输层包括包含金属氧化物的金属氧化物层。

Description

发光器件、其制造方法和包括该发光器件的电子装置

本申请要求于2021年10月1日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0131131号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开的一个或更多个实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子装置。

背景技术

发光器件(例如，有机发光器件)是自发射器件，如与现有技术的器件相比，所述发光器件具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。

在发光器件中，第一电极位于基底上，并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极顺序地形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。作为载流子的空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。

发明内容

本公开的一个或更多个实施例涉及一种具有防止或减少阴极氧化的结构的发光器件和包括该发光器件的电子装置。

实施例的附加方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例而获知。

根据一个或更多个实施例，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；

第二电极，面对第一电极；

中间区域，包括在第一电极与第二电极之间的发射层以及在第二电极与发射层之间的电子传输区域；以及

抗氧化层，在第二电极与电子传输区域之间，

其中，电子传输区域包括无机电子传输层，所述无机电子传输层包括包含金属氧化物的金属氧化物层。

在实施例中，抗氧化层可以包括透明导电氧化物。在实施例中，透明导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、氧化铟锌(IZO)或它们的混合物。

在实施例中，抗氧化层可以具有

至

的厚度。

在实施例中，抗氧化层可以与第二电极接触。

在实施例中，无机电子传输层可以包括由式1表示的金属氧化物。

式1

M_xO_y

在式1中，

M可以是选自于属于元素周期表的1族至14族的元素中的至少一种金属或准金属，并且

x和y可以均独立地为从1至5的整数。

在实施例中，M可以包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb、Si、Mg、Ga或它们的组合。

在实施例中，无机电子传输层可以包括由式2表示的金属氧化物。

式2

M1_αM2_βO_y

在式2中，

M1和M2可以均独立地为选自于属于元素周期表的1族至14族的元素中的至少一种不同的金属或准金属，并且

满足0<α≤2、0<β≤2和1<y≤5。

在实施例中，M1可以包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb或它们的组合，并且M2可以包括Ti、Sn、Si、Mg、Al、Ga、In或它们的组合。

在实施例中，金属氧化物可以是含锌氧化物。在实施例中，金属氧化物可以是ZnO或ZnMgO，但公开的实施例不限于此。

在实施例中，基于100重量份的整个无机电子传输层，无机电子传输层可以包括50重量份或更多的金属氧化物。在实施例中，金属氧化物层可以由金属氧化物组成。

在实施例中，无机电子传输层可以不含有机物。

在实施例中，发射层可以包括量子点。

根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：在第一电极上设置发射层；

在发射层上设置包括金属氧化物的无机电子传输层；

在无机电子传输层上设置抗氧化层；以及

在抗氧化层上设置第二电极。

在实施例中，可以通过透明导电氧化物的物理气相沉积来设置抗氧化层。在实施例中，可以通过溅射或真空沉积来设置抗氧化层。

在实施例中，可以通过真空沉积来设置第二电极。

在实施例中，可以通过喷墨印刷包括金属氧化物的组合物或真空沉积金属氧化物来设置无机电子传输层。

根据本公开的实施例的另一方面，提供了一种包括该发光器件的电子装置。

在实施例中，电子装置还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。

附图说明

根据以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上面和其它方面和特征将更加明显，在附图中：

图1示出了根据实施例的发光器件的结构的示意图；

图2示出了根据实施例的电子装置的结构的示意图；

图3示出了根据另一实施例的电子装置的结构的示意图；以及图4是示例1的发光器件和对比示例1的发光器件的器件寿命模拟数据。

具体实施方式

现在将更详细地参照实施例，其示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于在此阐述的描述。因此，下面通过参照附图描述实施例，以解释本公开的实施例的非限制性方面。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。在整个公开内容中，表达“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。

因为公开的主题可以具有不同的修改的实施例，所以在附图中示出了实施例并且在详细描述中描述了实施例。当参考参照附图描述的实施例时，公开的效果和特性以及实现这些效果和特性的方法将是明显的。然而，公开的主题可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。

将理解的是，尽管在此所使用的术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种组件，但是这些组件不应该受这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件与另一组件区分开。

除非以单数使用的表达在上下文中具有清楚地不同的含义，否则以单数使用的表达涵盖复数的表达。

在以下实施例中，当诸如层、膜、区域、板等的各种组件被称为“在”另一组件“上”时，这不仅可以包括其中其它组件“直接在”所述层、膜、区域或板“上”的情况，而且可以包括其中其它组件可以放置在其之间的情况。为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换句话说，因为为了便于解释，可以任意地示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以以下实施例不限于此。

还将理解的是，在此所使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或元件，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征或元件。除非另外定义，否则术语“包括或具有”可以指由说明书中描述的特征或组件组成的情况以及还包括其它组件的情况两者。

在本说明书中，“1族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IA族元素(例如，Li、Na、K、Rb和Cs)。

在本说明书中，“2族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIA族元素(例如，Be、Mg、Ca、Sr和Ba)。

在本说明书中，“3族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIIB族元素(例如，Sc、Y、La和Ac)。

在本说明书中，“4族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IVB族元素(例如，Ti、Zr和Hf)。

在本说明书中，“5族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VB族元素(例如，V、Nb和Ta)。

在本说明书中，“6族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIB族元素(例如，Cr、Mo和W)。

在本说明书中，“7族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIIB族元素(例如，Mn、Tc和Re)。

在本说明书中，“8族至10族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIIIB族元素(例如，Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd和Pt)。

在本说明书中，“11族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IB族元素(例如，Cu、Ag和Au)。

在本说明书中，“12族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIB族元素(例如，Zn、Cd和Hg)。

在本说明书中，“13族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IIIA族元素(例如，Al、Ga、In和Tl)。

在本说明书中，“14族”包括但不限于IUPAC元素周期表的IVA族元素(例如，Si、Ge、Sn和Pb)。

在本说明书中，“15族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VA族元素(例如，N、P、As、Sb和Bi)。

在本说明书中，“16族”包括但不限于IUPAC元素周期表的VIA族元素(例如，O、S、Se、Te和Po)。

图1是根据实施例的发光器件10的示意性剖视图。

根据实施例的方面的发光器件(例如，有机发光器件)10包括：第一电极110；第二电极150，面对第一电极110；中间区域130，包括在第一电极110与第二电极150之间的发射层135以及在第二电极150与发射层135之间的电子传输区域136；以及抗氧化层140，在第二电极150与电子传输区域136之间，并且电子传输区域136可以包括包含金属氧化物的无机电子传输层。

最近，因为根据电子设备的集成化和进步而对高效的发光器件的需求，所以正在研究具有带有优异的电子注入性能的低逸出功的阴极材料的应用。然而，因为金属氧化物用作电子传输区域材料，所以阴极材料被存在于金属氧化物的表面上的-OH基团和-COOH基团氧化仍然是问题，并且为了解决该问题，已经进行了改性以提高阴极材料的抗氧化性或者已经进行了尝试以增加电子注入层的厚度。

然而，用于提高阴极材料的抗氧化性的改性导致电子注入性能的降低或原材料价格的增加，并且电子注入层的厚度的增加导致内阻的增加，从而导致总驱动电压的增加。因此，在制造包括包含具有优异的电子注入性能的阴极材料的阴极和包括金属氧化物层的电子传输区域的发光器件中已经存在限制。

本公开的发明人已经发现的是，通过包括在第二电极150与电子传输区域136之间的抗氧化层140，防止或减少了由于存在于金属氧化物(例如，ZnMgO)的表面上的-OH或-COOH杂质而引起的第二电极150的氧化，所述金属氧化物位于包括在电子传输区域136中的金属氧化物层中。

根据本公开的实施例的方面的发光器件可以是其中朝向第二电极发射光的顶部发射型发光器件。

在实施例中，在顶部发射型发光器件中，可以发射通过第一谐振和/或第二谐振放大的光。

通过第一谐振放大的光指从顶部发射型发光器件的发射层产生的光之中从第一电极界面反射并通过与朝向第二电极发射的光的相长干涉而放大的光。

通过第二谐振放大的光指从顶部发射型发光器件的发射层产生的光之中从存在于第一电极(例如，ITO/Ag/ITO)中的反射层(例如，Ag)反射并通过与朝向第二电极发射的光的相长干涉而放大的光。

在根据实施例的顶部发射型发光器件中，可以通过引入抗氧化层来适当地或恰当地调节用于产生第一谐振和第二谐振的光学距离。

在实施例中，当可以通过使用喷墨印刷在第一电极上形成空穴注入层时，本领域普通技术人员可以考虑从发射层发射的光的发射波长适当地或恰当地调节空穴注入层的厚度，以最大化或增加谐振效率。

在实施例中，当引入由无机化合物(例如，WO_x或MoO_x)(其难以通过使用喷墨印刷在第一电极上形成空穴注入层)组成的空穴注入层时，第一电极和空穴注入层可以通过使用光刻方法通过单个步骤工艺形成，并且在这种情况下，本领域普通技术人员可以考虑从发射层发射的光的发射波长适当地或恰当地调节空穴传输层的厚度，以最大化或增加谐振效率。

在下文中，将结合图1描述根据实施例的发光器件10的结构和制造发光器件10的方法。

第一电极110

在图1中，基底可以另外位于第一电极110下面或第二电极150上面。作为基底，可以使用玻璃基底和/或塑料基底。在实施例中，基底可以是柔性基底，并且可以包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料(诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或它们的任何组合)。

可以通过使用沉积方法、溅射方法和/或光刻方法等通过例如在基底上施用用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴的注入的高逸出功材料。

第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或它们的任何组合。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任何组合可以用作用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可以具有由单层组成的单层结构或包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间区域130

中间区域130在第一电极110上。中间区域130包括发射层135。

中间区域130还可以包括在第一电极110与发射层135之间的空穴传输区域和在发射层135与第二电极150之间的电子传输区域136。

除了各种合适的有机材料之外，中间区域130还可以包括诸如有机金属化合物的含金属化合物和/或诸如量子点的无机材料等。

在一个或更多个实施例中，中间区域130可以包括：i)两个或更多个发射单元，顺序地堆叠在第一电极110与第二电极150之间；以及ii)电荷产生层，在两个发射单元之间。当中间区域130包括如上面描述的发射单元和电荷产生层时，发光器件10可以是串联发光器件。

中间区域130中的空穴传输区域

空穴传输区域可以具有：i)由单层组成的单层结构，单层由单种材料组成；ii)由单层组成的单层结构，单层由多种不同的材料组成；或者iii)包括包含不同的材料的多个层的多层结构。

空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。

例如，空穴传输区域可以具有多层结构，所述多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，每个结构的层从第一电极110顺序地堆叠。

空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以均独立地为未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₂₀亚烷基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₂-C₂₀亚烯基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可以均独立地为从0至5的整数，

xa5可以是从1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以均独立地为未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可以可选地经由单键、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₅亚烷基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个R_10a的C₈-C₆₀多环基(例如，咔唑基团等)(例如，化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以可选地经由单键、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₅亚烷基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₂-C₅亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个R_10a的C₈-C₆₀多环基，并且

na1可以是从1至4的整数。

在实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

其中，在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可以均与关于R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以均独立地为C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且如上面描述的，式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被R_10a取代。

在实施例中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以均独立地为苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在实施例中，式201可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施例中，式201中的xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一个表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由式CY204至式CY207中的一个表示的基团。

在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式CY201至式CY203表示的基团。

在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式CY201至式CY203表示的基团，并且可以包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式CY201至式CY217表示的基团。

在实施例中，空穴传输区域可以包括化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)中的一种或它们的任何组合：

空穴传输区域的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内，并且空穴传输层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得合适的或令人满意的空穴传输特性而不显著增大驱动电压。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学谐振距离来增加发光效率，并且电子阻挡层可以阻挡或降低电子从发射层泄漏到空穴传输区域。可以包括在空穴传输区域中的材料可以包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

p掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区域还可以包括用于提高导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)分散在空穴传输区域中。

电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。

在实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以是约-3.5eV或更小。

在实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素EL1和元素EL2的化合物或它们的任何组合。

醌衍生物的示例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基化合物的示例可以包括HAT-CN和由下面的式221表示的化合物等。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以均独立地为未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以均独立地为均取代有以下基团的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；取代有氰基、-F、-Cl、-Br、-I或它们的任何组合的C₁-C₂₀烷基；或者它们的任何组合。

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或它们的组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或它们的组合。

金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)。

非金属的示例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

在实施例中，包含元素EL1和元素EL2的化合物的示例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或它们的任何组合。

金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、氧化钒(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、氧化钼(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和氧化铼(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI。

碱土金属卤化物的示例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂。

过渡金属卤化物的示例可以包括卤化钛(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、卤化锆(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、卤化铪(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、卤化钒(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、卤化铌(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、卤化钽(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、卤化铬(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、卤化钼(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、卤化钨(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、卤化锰(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、卤化锝(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、卤化铼(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、卤化亚铁(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、卤化钌(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、卤化锇(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、卤化钴(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、卤化铑(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、卤化铱(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、卤化镍(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、卤化钯(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、卤化铂(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、卤化亚铜(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、卤化银(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和卤化金(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的示例可以包括卤化锌(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、卤化铟(例如，InI₃等)和卤化锡(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃。

准金属卤化物的示例可以包括卤化锑(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间区域130中的发射层135

当发光器件10是全色发光器件时，发射层可以根据子像素被图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施例中，发射层可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或彼此分离。在一个或更多个实施例中，发射层可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。

发射层可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂的量可以是从约0.01重量份至约15重量份。

在实施例中，发射层可以包括量子点。

在实施例中，发射层可以包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层中的主体或掺杂剂。

发射层的厚度可以在约

至约

(例如，约

至约

)的范围内。当发射层的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性而不显著增大驱动电压。

[主体]

主体可以包括由下面的式301表示的化合物：

式301

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21，

其中，在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可以均独立地为未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是从0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀烷基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₂-C₆₀烯基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₂-C₆₀炔基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀烷氧基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是从1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃分别与参照Q₁描述的内容相同。

在实施例中，当式301中的xb11是2或更大时，两个或更多个Ar₃₀₁可以经由单键彼此连接。

在实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合：

式301-1

式301-2

其中，在式301-1和式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以均独立地为未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可以是O、S、N[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以均独立地为0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁分别与在本公开中描述的内容相同，

L₃₀₂至L₃₀₄均独立地与参照L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4均独立地与参照xb1描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄分别与参照R₃₀₁描述的内容相同。

在实施例中，主体可以包括碱土金属配合物、后过渡金属配合物或它们的组合。在实施例中，主体可以包括Be配合物(例如，化合物H55)、Mg配合物、Zn配合物或它们的组合。

在实施例中，主体可以包括化合物H1至化合物H124、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)和1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的一种或它们的任何组合：

磷光掺杂剂

磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任何组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

在实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，xc1可以是1、2或3，其中，当xc1是2或更大时，两个或更多个L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，xc2可以是0、1、2、3或4，其中，当xc2是2或更大时，两个或更多个L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以均独立地为氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以均独立地为C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可以均独立地为化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄分别与参照Q₁描述的内容相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以均独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₂₀烷基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₂₀烷氧基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基、未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃分别与参照Q₁描述的内容相同，

xc11和xc12可以均独立地为从0至10的整数，并且

式402中的*和*'均表示与式401中的M的结合位。

在实施例中，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，X₄₀₂可以是碳，或者ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每个可以是氮。

在实施例中，当式402中的xc1是2或更大时，两个或更多个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以可选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，或者两个环A₄₀₂可以可选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃分别与参照T₄₀₁描述的内容相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。在实施例中，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮(化物)基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸(盐)基团)、-C(＝O)基团、异腈基团、-CN基团、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸(盐)基团等)或它们的任何组合。

磷光掺杂剂可以包括例如化合物PD1至化合物PD25中的一种或者它们的任何组合：

荧光掺杂剂

荧光掺杂剂可以包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或它们的任何组合。

在实施例中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可以均独立地为未取代或取代有至少一个R_10a的C₃-C₆₀碳环基或者未取代或取代有至少一个R_10a的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可以均独立地为0、1、2或3，并且

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在实施例中，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或更多个单环基团缩合在一起的缩合环基团(例如，蒽基团、

基团或芘基团)。

在实施例中，式501中的xd4可以是2。

例如，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36；DPVBi；以及DPAVBi中的一种；或者它们的任何组合：

延迟荧光材料

发射层可以包括延迟荧光材料。

在本说明书中，延迟荧光材料可以选自于能够基于延迟荧光发射机理发射延迟荧光的化合物。

根据包括在发射层中的其它材料的类型，包括在发射层中的延迟荧光材料可以用作主体或掺杂剂。

在实施例中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足上面描述的范围时，延迟荧光材料的从三重态到单重态的向上转换可以有效地发生，因此可以提高发光器件10的发光效率。

在实施例中，延迟荧光材料可以包括：i)包括至少一种电子供体(例如，诸如咔唑基团的富π电子的C₃-C₆₀环基)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基)的材料；以及ii)包括其中两个或更多个环基团缩合同时共享硼(B)的C₈-C₆₀多环基的材料。

延迟荧光材料的示例可以包括以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

量子点

发射层可以包括量子点。

在本公开中，量子点指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种合适的发射波长的光的任何合适的材料。

量子点的直径可以例如在约1nm至约10nm的范围内。

量子点可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺和/或与这些工艺类似的任何合适的工艺来合成。

根据湿化学工艺，将前驱体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当量子点颗粒晶体生长时，有机溶剂自然地用作配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂且控制量子点颗粒晶体的生长，使得通过比气相沉积方法(诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))容易执行且需要低成本的工艺，可以控制量子点颗粒晶体的生长。

量子点可以包括：2-6族半导体化合物；3-5族半导体化合物；3-6族半导体化合物；1-3-6族半导体化合物；4-6族半导体化合物；4族元素或半导体化合物；或者它们的任何组合。

2-6族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS)；三元化合物(诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS)；四元化合物(诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe)；或者它们的任何组合。

3-5族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等)；三元化合物(诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等)；四元化合物(诸如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等)；或者它们的任何组合。在实施例中，3-5族半导体化合物还可以包括2族元素。还包括2族元素的3-5族半导体化合物的示例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

3-6族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃、InTe等)；三元化合物(诸如InGaS₃、InGaSe₃等)；或者它们的任何组合。

1-3-6族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂或AgAlO₂。

4-6族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物(诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe)；三元化合物(诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe)；四元化合物(诸如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe)；或者它们的任何组合。

4族元素或半导体化合物可以包括：单元素(诸如Si和/或Ge等)；二元化合物(诸如SiC和/或SiGe等)；或者它们的任何组合。

包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元素化合物中的每个元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于颗粒中。

在实施例中，量子点可以具有单个结构或者核-壳双结构。在量子点具有单个结构的情况下，包括在对应的量子点中的每种元素的浓度是均匀的(例如，基本上是均匀的)。在实施例中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以用作防止或者减小核的化学变性来维持半导体特性的保护层，并且/或者可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单个层或多层。存在于量子点的核与壳之间的界面中的元素可以具有沿着朝向量子点的中心的方向降低的浓度梯度。

量子点的壳的示例可以是：金属、准金属或非金属的氧化物；半导体化合物；以及它们的任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的示例可以包括：二元化合物(诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄或NiO)；三元化合物(诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄或CoMn₂O₄)；或者它们的任何组合。半导体化合物的示例可以包括如在此描述的：2-6族半导体化合物；3-5族半导体化合物；3-6族半导体化合物；1-3-6族半导体化合物；4-6族半导体化合物；或者它们的任何组合。此外，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的任何组合。

量子点的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)可以为约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，并且在这些范围内，可以增加色纯度和/或颜色再现性。此外，因为通过量子点发射的光在所有方向上发射，所以可以提高宽视角。

此外，量子点可以是球形颗粒、角锥形颗粒、多臂状颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米片。

因为可以通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可以从量子点发射层获得具有各种合适的波段的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种合适的波长的光的发光器件。在实施例中，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。此外，量子点的尺寸可以被构造为通过组合各种合适的颜色的光来发射白光。

中间区域130中的电子传输区域136

电子传输区域可以具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，单个层由多种不同的材料组成；或者iii)包括包含不同的材料的多个层的多层结构。

电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，针对每种结构，从发射层顺序地堆叠构成层。

电子传输区域可以包括包含金属氧化物的无机电子传输层。

在实施例中，无机电子传输层可以包括由式1表示的金属氧化物：

式1

M_xO_y，

其中，在式1中

M可以是选自于属于元素周期表的1族至14族的元素中的至少一种金属或准金属，并且

x和y可以均独立地为从1至5的整数。

在式1中，M可以包括但不限于Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb、Si、Mg、Ga或它们的组合。

另外，无机电子传输层可以包括由下面的式2表示的金属氧化物：

式2

M1_αM2_βO_y，

其中，在式2中，

M1和M2可以均独立地为选自于属于元素周期表的1族至14族的元素中的至少一种不同的金属或准金属，并且

可以满足0<α≤2、0<β≤2和1<y≤5。

在式2中，M1可以包括但不限于Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb或它们的组合，并且M2可以包括Ti、Sn、Si、Mg、Al、Ga、In或它们的组合。

在实施例中，无机电子传输层可以包括ZnO、TiO₂、WO₃、SnO₂、In₂O₃、Nb₂O₅、Fe₂O₃、CeO₂、SrTiO₃、Zn₂SnO₄、BaSnO₃、In₂S₃、ZnSiO、掺杂Mg的ZnO(ZnMgO)、掺杂Al的ZnO(AZO)、掺杂Ga的ZnO(GZO)、掺杂In的ZnO(IZO)、掺杂Al的TiO₂、掺杂Ga的TiO₂、掺杂In的TiO₂、掺杂Al的WO₃、掺杂Ga的WO₃、掺杂In的WO₃、掺杂Al的SnO₂、掺杂Ga的SnO₂、掺杂In的SnO₂、掺杂Mg的In₂O₃、掺杂Al的In₂O₃、掺杂Ga的In₂O₃、掺杂Mg的Nb₂O₅、掺杂Al的Nb₂O₅、掺杂Ga的Nb₂O₅、掺杂Mg的Fe₂O₃、掺杂Al的Fe₂O₃、掺杂Ga的Fe₂O₃、掺杂In的Fe₂O₃、掺杂Mg的CeO₂、掺杂Al的CeO₂、掺杂Ga的CeO₂、掺杂In的CeO₂、掺杂Mg的SrTiO₃、掺杂Al的SrTiO₃、掺杂Ga的SrTiO₃、掺杂In的SrTiO₃、掺杂Mg的Zn₂SnO₄、掺杂Al的Zn₂SnO₄、掺杂Ga的Zn₂SnO₄、掺杂In的Zn₂SnO₄、掺杂Mg的BaSnO₃、掺杂Al的BaSnO₃、掺杂Ga的BaSnO₃、掺杂In的BaSnO₃、掺杂Mg的In₂S₃、掺杂Al的In₂S₃、掺杂Ga的In₂S₃、掺杂In的In₂S₃、掺杂Mg的ZnSiO、掺杂Al的ZnSiO、掺杂Ga的ZnSiO、掺杂In的ZnSiO或它们的任何组合。

在实施例中，金属氧化物可以是含锌氧化物。

电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。在这种情况下，电子传输层可以是无机电子传输层。

基于100重量份的整个无机电子传输层，无机电子传输层可以包括50重量份或更多的金属氧化物。在实施例中，无机电子传输层可以基本上由金属氧化物组成，但实施例不限于此，可以包括例如小于1％的杂质(例如，有机材料)。

电子传输区域的厚度可以是从约

至约

例如，从约

至约

当电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以均独立地为从约

至约

(例如，约

至约

)，电子传输层的厚度可以是从约

至约

(例如，约

至约

)。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区域的厚度在这些范围内时，可以获得合适的或令人满意的电子传输特性而不显著增大驱动电压。

电子传输区域可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触。

电子注入层可以具有：i)由单个层组成的单层结构，单个层由单种材料组成；ii)由单个层组成的单层结构，单个层由多种不同的材料组成；或者iii)包括包含不同的材料的多个层的多层结构。

电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或它们的任何组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或它们的任何组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或它们的任何组合。

含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物或者它们的任何组合。

含碱金属化合物可以包括碱金属氧化物(诸如Li₂O、Cs₂O或K₂O)、碱金属卤化物(诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI)或它们的任何组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属氧化物(诸如，BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1的条件的实数)等)。含稀土金属化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或它们的任何组合。在实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃。

碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个；以及ii)作为结合到金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。

电子注入层可以由如上面描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成(或包括如上面描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合)。在实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施例中，电子注入层可以：由i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或者由ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合组成。在实施例中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层等。

当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可以为约

至约

(例如，约

至约

)。当电子注入层的厚度在上面描述的范围内时，可以获得合适的或令人满意的电子注入特性而不显著增大驱动电压。

抗氧化层140

如上面描述的，抗氧化层140在中间区域130上。抗氧化层140可以包括透明导电氧化物，其在第二电极150下面，不(或基本上不)干扰从第二电极150到电子传输区域136的电子流，具有优异的电子注入性能，具有抗氧化性，并且具有合适或足够的透明度以透射从发射层135产生的光。

透明导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、氧化铟锌(IZO)或它们的混合物。透明导电氧化物对源自于-OH基团和-COOH基团的酸是稳定的，因此可以防止或减少由于从中间区域130产生的酸组分而导致的第二电极150的氧化。

抗氧化层140的厚度可以在从约

至约

的范围内。当抗氧化层140的厚度在该范围内时，可以提高电子注入性能，并且可以防止或减少第二电极150的氧化，从而能够制造具有高效率和长寿命特性的发光器件10。

抗氧化层140可以与第二电极150接触，但是公开的实施例不限于此，并且考虑到提高电子注入性能，附加电极可以在抗氧化层140与第二电极150之间。

第二电极150

第二电极150位于具有如上面描述的结构的抗氧化层140上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的任何组合作为用于第二电极150的材料。

第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或它们的任何组合，并且可以通过使用溅射或真空沉积在特定区域中形成。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

在实施例中，考虑到高电子注入特性，第二电极150可以包括镁-银(Mg-Ag)。尽管Mg-Ag电极具有高电子注入特性，但其在具有氧化环境的发光器件10中的应用由于低耐酸性而已经受到限制，并且根据实施例的抗氧化层140可以有效地防止或减少这种电极的氧化以提高发光器件10的效率和寿命。

第二电极150可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。

盖层

第一盖层可以位于第一电极110外部，并且/或者第二盖层可以位于第二电极150外部。在实施例中，发光器件10可以具有：其中第一盖层、第一电极110、中间区域130、抗氧化层140和第二电极150顺序地堆叠的结构；其中第一电极110、中间区域130、抗氧化层140、第二电极150和第二盖层顺序地堆叠的结构；或者其中第一盖层、第一电极110、中间区域130、抗氧化层140、第二电极150和第二盖层顺序地堆叠的结构。

在发光器件10的中间区域130的发射层中产生的光可以通过第一电极110和第一盖层朝向外部提取，第一电极110是半透射电极或透射电极。在发光器件10的中间区域130的发射层中产生的光可以通过第二电极150和第二盖层朝向外部提取，第二电极150是半透射电极或透射电极。

根据相长干涉的原理，第一盖层和第二盖层可以增加外部发光效率。因此，发光器件10的光提取效率增大，使得可以提高发光器件10的发光效率。

第一盖层和第二盖层中的每个可以包括(在589nm的波长处)具有1.6或更大的折射率的材料。

第一盖层和第二盖层可以均独立地为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层或包括有机材料和无机材料的有机-无机复合盖层。

第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地取代有包含O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基。在实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基化合物。

在实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。

在实施例中，第一盖层和第二盖层中的至少一个可以均独立地包括化合物HT28至化合物HT33中的一种、化合物CP1至化合物CP6中的一种、β-NPB或它们的任何组合：

电子装置

发光器件10可以包括在各种合适的电子装置中。在一些实施例中，包括发光器件10的电子装置可以是发光装置和/或认证装置。

除了发光器件10之外，电子装置(例如，发光装置)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以在从发光器件10发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光器件10发射的光可以是蓝光或白光。发光器件10可以通过参照在此提供的描述而被理解。在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如如在此描述的量子点。

电子装置可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别与子像素区域对应的多个滤色器区域，颜色转换层可以包括分别与子像素区域对应的多个颜色转换区域。

像素限定膜(或像素限定层)可以位于子像素区域之中以限定子像素区域中的每个。

滤色器还可以包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的阻光图案，并且颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的阻光图案。

滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括：第一区域，发射第一颜色光；第二区域，发射第二颜色光；以及/或者第三区域，发射第三颜色光，第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光。在实施例中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括量子点。更详细地，第一区域可以包括红色量子点，第二区域可以包括绿色量子点，并且第三区域可以包括或可以不包括量子点。量子点与在本说明书中描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以均还包括散射体。

在一些实施例中，发光器件10可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这方面，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。在一个实施例中，第一光可以是蓝光，第一第一颜色光可以是红光，第二第一颜色光可以是绿光，并且第三第一颜色光可以是蓝光。

除了发光器件10之外，电子装置还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，并且选自于源电极和漏电极中的任何一个可以电连接到选自于发光器件10的第一电极110和第二电极150中的一个。

薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘膜等。

有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和/或氧化物半导体等。

电子装置还可以包括用于密封发光器件10的密封部。密封部可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光器件10之间。密封部允许来自发光器件10的光被提取到外部，同时并发地(例如，同时地)防止或减小环境空气和/或湿气渗入到发光器件10中。密封部可以是包括透明玻璃基底的密封基底和/或塑料基底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子装置可以是柔性的。

除了滤色器和/或颜色转换层之外，根据电子装置的用途，各种合适的功能层可以另外位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层和/或偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容式触摸屏层和/或红外触摸屏层。认证装置可以是例如通过使用生物体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证装置。

除了发光器件10之外，认证装置还可以包括生物识别信息收集器。

电子装置可以应用于各种合适的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日志、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量设备、脉搏波测量设备、心电图显示器、超声诊断设备和/或内窥镜显示器)、寻鱼器、各种合适的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和/或船舶的仪表)和/或投影仪等。

图2和图3的描述

图2是根据实施例的发光装置的剖视图。

图2的发光装置包括基底100、薄膜晶体管(TFT)、发光器件和密封发光器件的封装部300。

基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以形成在基底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透穿过基底100，并且可以在基底100上提供平坦表面。

TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包括诸如硅或多晶硅的无机半导体、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以位于有源层220上，并且栅电极240可以位于栅极绝缘膜230上。

层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以置于栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且置于栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。

源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为使有源层220的源区和漏区暴露，源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。

TFT电连接到发光器件以驱动发光器件，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。发光器件设置在钝化层280上。发光器件可以包括第一电极110、中间区域130和第二电极150。

第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全地覆盖漏电极270且使漏电极270的一部分暴露，第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290使第一电极110的一区域暴露，中间区域130可以形成在第一电极110的暴露区域中。像素限定层290可以是聚酰亚胺有机膜或聚丙烯酸有机膜。在一些实施例中，中间区域130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部来以公共层的形式定位。

第二电极150可以位于中间区域130上，盖层170可以另外形成在第二电极150上。盖层170可以形成为覆盖第二电极150。

封装部300可以位于盖层170上。封装部300可以位于发光器件上以保护发光器件免受湿气和/或氧的影响。封装部300可以包括：无机膜，包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或它们的组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3是根据实施例的发光装置的剖视图。

除了阻光图案500和功能区域400另外位于封装部300上之外，图3的发光装置与图2的发光装置相同。功能区域400可以是：i)滤色器区域；ii)颜色转换区域；或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施例中，包括在图3的发光装置中的发光器件可以是串联发光器件。

制造方法

可以在特定区域中通过使用选自于真空沉积法、旋涂法、浇铸法、朗格缪尔-布洛杰特(LB)沉积法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光诱导热成像(LITI)法和光刻法中的一种或更多种合适的方法来形成包括在空穴传输区域中的各个层、发射层和包括在电子传输区域中的各个层。

可以在特定区域中通过使用物理气相沉积(例如，溅射或真空沉积)来形成抗氧化层。

当通过真空沉积来形成构成空穴传输区域的层、发射层、构成电子传输区域的层和抗氧化层时，根据将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约

/秒的沉积速度下执行真空沉积。

术语的定义

如在此使用的术语“C₃-C₆₀碳环基”指仅由碳作为成环原子组成并且具有三个至六十个碳原子的环基，并且如在此使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”指具有一个至六十个碳原子并且除了碳之外还具有杂原子作为成环原子的环基。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可以均是由一个环组成的单环基或者其中两个或更多个环彼此缩合的多环基。在实施例中，C₁-C₆₀杂环基具有3个至61个成环原子。

如在此使用的“环基”可以包括C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基。

如在此使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环基”指具有三个至六十个碳原子并且不包括*-N＝*'作为成环部分的环基，并且如在此使用的术语“贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基”指具有一个至六十个碳原子并且包括*-N＝*'作为成环部分的杂环基。

在实施例中，

C₃-C₆₀碳环基可以是i)基团T1或ii)其中两个或更多个基团T1彼此缩合的缩合环基(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、

基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基可以是i)基团T2、ii)其中两个或更多个基团T2彼此缩合的缩合环基或iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环基可以是i)基团T1、ii)其中两个或更多个基团T1彼此缩合的缩合环基、iii)基团T3、iv)其中两个或更多个基团T3彼此缩合的缩合环基或v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基(例如，C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基可以是i)基团T4、ii)其中两个或更多个基团T4彼此缩合的缩合环基、iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此缩合的缩合环基、iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此缩合的缩合环基或v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此缩合的缩合环基(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，并且

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如在此使用的术语“环基”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环基”或“贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基”指根据参照使用术语的式的结构缩合到任何环基或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)的基团。在实施例中，“苯基团”可以是可以由本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易地理解的苯并基团、苯基、亚苯基等。

单价C₃-C₆₀碳环基和单价C₁-C₆₀杂环基的示例可以包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳香缩合多环基和单价非芳香缩合杂多环基。二价C₃-C₆₀碳环基和二价C₁-C₆₀杂环基的示例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基和二价非芳香缩合杂多环基。

如在此使用的术语“C₁-C₆₀烷基”指具有一个至六十个碳原子的直链或支链脂肪族饱和烃单价基团，并且其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在此使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”指具有与C₁-C₆₀烷基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₂-C₆₀烯基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，并且其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在此使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”指具有与C₂-C₆₀烯基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₂-C₆₀炔基”指在C₂-C₆₀烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，并且其示例包括乙炔基和丙炔基。如在此使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”指具有与C₂-C₆₀炔基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”指由-OA₁₀₁(其中，A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基)表示的单价基团，并且其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如在此使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”指包括3个至10个碳原子的单价饱和烃单环基。如在此使用的C₃-C₁₀环烷基的示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基或双环[2.2.2]辛基。如在此使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”指具有与C₃-C₁₀环烷基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”指除了碳原子之外还包括至少一种杂原子作为成环原子并具有1个至10个碳原子的单价环基，并且其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在此使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”指具有与C₁-C₁₀杂环烷基的结构相同的结构的二价基团。

在此使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环基，并且其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在此使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”指具有与C₃-C₁₀环烯基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”指在其环结构中除了碳原子之外具有至少一种杂原子作为成环原子、1个至10个碳原子和至少一个双键的单价环基。C₁-C₁₀杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在此使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”指具有与C₁-C₁₀杂环烯基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₆-C₆₀芳基”指具有具备六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，并且如在此使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”指具有具备六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、

基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基均包括两个或更多个环时，所述环可以彼此缩合。

如在此使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，杂环芳香体系具有除了碳原子之外的至少一种杂原子作为成环原子以及1个至60个碳原子。如在此使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，杂环芳香体系具有除了碳原子之外的至少一种杂原子作为成环原子以及1个至60个碳原子。C₁-C₆₀杂芳基的示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述环可以彼此缩合。

如在此使用的术语“单价非芳香缩合多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且当被认为作为整体时在其分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合多环基的示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合多环基”指具有与单价非芳香缩合多环基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“单价非芳香缩合杂多环基”指具有彼此缩合的两个或更多个环、除了碳原子(例如，包括1个至60个碳原子)之外的至少一种杂原子作为成环原子且当被认为作为整体时在其整个分子结构中没有芳香性的单价基团。单价非芳香缩合杂多环基的示例包括9,9-二氢吖啶基和9H-呫吨基。如在此使用的术语“二价非芳香缩合杂多环基”指具有与单价非芳香缩合杂多环基的结构相同的结构的二价基团。

如在此使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”指示-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基)，并且如在此使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”指示-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基)。

在此使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基”指-A₁₀₄A₁₀₅(其中，A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基)，并且在此使用的术语“C₂-C₆₀杂芳基烷基”指-A₁₀₆A₁₀₇(其中，A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基)。

R_10a可以是：

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基；

均未取代或取代有氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基、C₂-C₆₀杂芳基烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合的C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳基烷基或C₂-C₆₀杂芳基烷基；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在此使用的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以均独立地为：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；均未取代或取代有氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基；C₇-C₆₀芳基烷基；或者C₂-C₆₀杂芳基烷基。

如在此使用的术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或它们的任何组合。

在此使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如在此使用的术语“Ph”指苯基，如在此使用的术语“Me”指甲基，如在此使用的术语“Et”指乙基，如在此使用的术语“tert-Bu”或“Bu^t”指叔丁基，如在此使用的术语“OMe”指甲氧基。

如在此使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换句话说，“联苯基”是具有C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

如在此使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。“三联苯基”是具有取代有C₆-C₆₀芳基的C₆-C₆₀芳基作为取代基的取代的苯基。

除非另外定义，否则如在此使用的*和*'均指与对应的式或部分中的相邻的原子的结合位。

在下文中，将参照示例更详细地描述根据一个或更多个实施例的发光器件和金属氧化物化合物。

示例

示例1

作为阳极，将其上沉积有ITO电极的玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，用丙酮、异丙醇和纯水各超声15分钟，然后通过紫外线的照射并将其暴露于臭氧30分钟进行清洗。然后，将玻璃基底提供到真空沉积装置。

使用喷墨印刷方法来形成包括PEDOT/PSS的具有

的厚度的空穴注入层，包括TFB的具有

的厚度的空穴传输层，包括InP/ZnSe/ZnS核-壳量子点的具有

的厚度的发射层以及包括ZnMgO的具有

的厚度的电子传输层，它们以该陈述的顺序顺序地堆叠在ITO电极上。

将Yb真空沉积在电子传输层上以形成具有

的厚度的电子注入层，将Ag真空沉积在电子注入层上以形成具有

的厚度的阴极，然后将丙烯酸有机材料真空沉积在阴极上以形成

的盖层，从而完成发光器件的制造。

对比示例1

除了将Mg和Ag共沉积在电子注入层上之外，以与示例1的方式相同的方式制造发光器件。

评价示例1

针对示例1和对比示例1中制造的发光器件，测量寿命(T50)直至亮度达到50％，并且其结果提供在图4中。图4示出了多次测量的结果数据，并且“×”指示平均值。图4中的Y轴是相对地示出器件的寿命特性的值，其中，值越大，寿命特性越好。例如，在对比示例1的器件的平均值为约25和示例1的器件的平均值为约80的情况下，可以评价的是，与对比示例1的器件相比，示例1的器件预期具有400％的寿命提高效果。

参照图4，对比示例1中制造的发光器件的寿命值为约25，并且示例1中制造的发光器件的寿命值为约80。示例1使用不与氧反应的Ag电极，并且示出了通过防止或减少电极的氧化来提高寿命特性，而对比示例1采用包含Mg的电极(其具有与氧高反应性)，并且示出了由于MgAg电极的氧化而导致的寿命缩短(见：www.aplustoper.com/reactivity-series-metals-towards-oxy gen)。基于这些实验结果，预期的是，在包括无机电子传输层和用于保护电极免受源自无机电子传输层的在电极与无机电子传输层之间的含氧基团(例如，羟基或羧基)影响的抗氧化层的器件中寿命特性将被提高。

根据本公开的实施例的方面的发光器件包括在第二电极与电子传输区域之间的抗氧化层，因此可以抑制第二电极的氧化。因此，可以使用这种发光器件来制造具有长寿命和高质量的电子装置。

应该理解的是，在此描述的实施例应该仅在描述性含义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为适用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

第一电极；

第二电极，面对所述第一电极；

中间区域，包括在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层以及在所述第二电极与所述发射层之间的电子传输区域；以及

抗氧化层，在所述第二电极与所述电子传输区域之间，

其中，所述电子传输区域包括无机电子传输层，所述无机电子传输层包括包含金属氧化物的金属氧化物层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述抗氧化层包括透明导电氧化物。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述透明导电氧化物包括氧化铟锡、掺杂铝的氧化锌、氧化铟锌或它们的混合物。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述抗氧化层具有

至

的厚度。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述抗氧化层与所述第二电极接触。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机电子传输层包括由式1表示的金属氧化物：

式1

M_xO_y，

其中，在式1中，

M是选自于由属于元素周期表的1族至14族的元素组成的组中的至少一种金属或准金属，并且

x和y均独立地为从1至5的整数。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，M包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb、Si、Mg、Ga或它们的组合。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述无机电子传输层包括由式2表示的金属氧化物：

式2

M1_αM2_βO_y，

其中，在式2中，

M1和M2均独立地为选自于由属于元素周期表的1族至14族的元素组成的组中的至少一种不同的金属或准金属，并且

满足0<α≤2、0<β≤2和1<y≤5。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，M1包括Zn、Ti、W、Sn、In、Nb、Fe、Ce、Sr、Ba、In、Al、Nb或它们的组合，并且

M2包括Ti、Sn、Si、Mg、Al、Ga、In或它们的组合。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述电子传输区域还包括选自于缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个层。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述金属氧化物是含锌氧化物。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，基于100重量份的整个所述无机电子传输层，所述无机电子传输层包括50重量份或更多的所述金属氧化物。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述无机电子传输层不含有机物。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括量子点。

15.一种制造发光器件的方法，所述方法包括以下步骤：

在第一电极上设置发射层；

在所述发射层上设置包括金属氧化物的无机电子传输层；

在所述无机电子传输层上设置抗氧化层；以及

在所述抗氧化层上形成第二电极。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，通过透明导电氧化物的物理气相沉积来设置所述抗氧化层。

17.根据权利要求15所述的方法，其中，通过真空沉积来设置所述第二电极。

18.根据权利要求15所述的方法，其中，通过喷墨印刷包括所述金属氧化物的组合物或通过真空沉积所述金属氧化物来设置所述无机电子传输层。

19.一种电子装置，所述电子装置包括根据权利要求1所述的发光器件。

20.根据权利要求19所述的电子装置，所述电子装置还包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。

Images