CN115943459A - 图像显示装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

[问题]为了防止通过显示表面接收或发射的光的衰减和调制。[解决方案]图像显示装置配置有二维布置的多个像素。包括多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：第一发光区；第二发光区，具有比第一发光区更高的可见光透射率；第一自发光元件，从第一发光区发射光；第二自发光元件，从第二发光区发射光；以及像素电路，控制第一自发光元件和第二自发光元件的发光和熄灭。多个像素中的在除第一像素区之外的第二像素区中的像素包括：第三发光区，具有比第二发光区低的可见光透射率；以及第三自发光元件，从第三发光区发射光。

Description

图像显示装置和电子设备
技术领域
本公开涉及图像显示装置和电子设备。
背景技术
近年来，在诸如智能电话、移动电话和个人计算机(PC)的电子设备中，诸如相机的各种传感器被安装在显示面板的框架(边框)中。安装的传感器的数量也趋于增加，并且除了相机之外，还有用于脸部认证的传感器、红外传感器、移动物体检测传感器等。另一方面，从设计和更轻、更薄、更短和更小的趋势的角度来看，需要使电子设备的外部尺寸在不影响屏幕尺寸的情况下尽可能紧凑，并且边框宽度趋于变窄。鉴于这种背景，已经提出一种技术，其中，相机模块布置在显示面板的正下方，并且通过显示面板的对象光由相机模块捕获。为了将相机模块布置在显示面板的正下方，必须使显示面板透明(见专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开号2011-175962
发明内容
本发明要解决的问题
然而，显示面板包括多层，并且一些层具有低可见光透射率。因此，当通过相机模块使通过显示面板的对象光成像时，捕捉的图像整体变暗或变为模糊的图像。此外，当对象光通过显示面板时，存在捕捉图像的图像质量由于闪光和衍射的影响而劣化的可能性。这同样适用于除了相机模块之外的传感器被布置在显示面板正下方的情况，并且由于光在通过显示面板时被衰减或调制，所以存在由传感器接收的光或从传感器投射的光的可靠性劣化的可能性。
因此，本公开提供能够防止通过显示表面接收或投射的光的衰减和调制的图像显示装置和电子设备。
问题的解决方案
为了解决上述问题，根据本公开的图像显示装置包括二维布置的多个像素。包括多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：第一发光区；第二发光区，具有比第一发光区更高的可见光透射率；第一自发光元件，从第一发光区发射光；第二自发光元件，从第二发光区发射光；以及像素电路，控制第一自发光元件和第二自发光元件的发光和熄灭。多个像素中的在除第一像素区之外的第二像素区中的像素包括：第三发光区具有比第二发光区低的可见光透射率；以及第三自发光元件，从第三发光区发射光。
像素电路可以在使第一自发光元件和第二自发光元件都发光和使第一自发光元件发光并使第二自发光元件截止之间切换。
像素电路在通过第一像素区的光入射的光接收装置工作周期，使第一自发光元件发光，并且使第二自发光元件截止，在光接收装置不工作周期，使第一自发光元件和第二自发光元件都发光。
像素电路包括连接在第一自发光元件和第二自发光元件之间的第一开关，以及
在使第一自发光元件和第二自发光元件都发光时，可以导通第一开关，在使第一自发光元件发光并使第二自发光元件截止时，可以截止第一开关。
像素电路还包括与第二自发光元件并联连接的第二开关，以及
第二开关可以在第一开关导通时截止，并且第二开关可以在第一开关截止时导通。
第一开关可以包括共源共栅连接在第一自发光元件和第二自发光元件之间的多个晶体管，并且多个晶体管的栅极可以彼此连接以协作地导通或截止。
第一开关可以是N型晶体管，并且N型晶体管的栅极可以连接至具有根据光接收装置的工作时序而改变的电位的复位信号线。
第一开关可以是N型晶体管，
第二开关可以是P型晶体管，一级
每个N型晶体管和P型晶体管的栅极可共同连接至具有根据光接收装置的工作时序而改变的电位的复位信号线。
在第一像素区中的一个方向上布置的多个N型晶体管的栅极可以共同连接至复位信号线。
布置在第一像素区中的所有N型晶体管的栅极可以共同连接至复位信号线。
像素电路可以包括：第一像素电路，控制第一自发光元件的发光和熄灭；以及第二像素电路，控制第二自发光元件的发光和熄灭。
第一像素电路和第二像素电路可以具有相同的电路配置。
第一像素电路和第二像素电路中的每个可以包括与第一自发光元件或第二自发光元件串联连接的驱动晶体管，以及连接至驱动晶体管的栅极的采样晶体管，并且采样晶体管的栅极可以共同连接至同一扫描线，并且漏极可以连接至单独的信号线。
第一像素电路和第二像素电路中的每个可以包括与第一自发光元件或第二自发光元件串联连接的驱动晶体管，以及连接至驱动晶体管的栅极的采样晶体管，并且采样晶体管的栅极可以共同连接至单独的扫描线，并且漏极可以共同连接至同一信号线。
此外，根据本公开内容的电子设备包括：图像显示装置，具有二维布置的多个像素；以及光接收装置，接收通过图像显示装置入射的光。包括多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：第一发光区；第二发光区，具有比第一发光区更高的可见光透射率；第一自发光元件，从第一发光区发射光的；第二自发光元件，从第二发光区发射光；以及像素电路，控制第一自发光元件和第二自发光元件的发光和熄灭。多个像素中在除第一像素区之外的第二像素区中的像素包括：第三发光区，具有比第二发光区低的可见光透射率；以及第三自发光元件，从第三发光区发射光。
光接收装置可以包括光电转换通过第二发光区入射的光的成像传感器、接收通过第二发光区入射的光并测量距离的距离测量传感器、以及基于通过第二发光区入射的光来测量温度的温度传感器中的至少一者。
附图说明
图1A是根据本公开的实施例的图像显示装置的示意性平面图。
图1B是传感器设置在与图1A中的位置不同的位置处的图像显示装置的平面图。
图1C是显示面板的部分像素区2B的放大图。
图1D是显示面板的部分像素区2A的放大图。
图2是示出了OLED与驱动晶体管之间的连接关系的电路图。
图3是示出了流过OLED的电流与发光亮度之间的相关性的特性图。
图4是沿图1A中的线A-A截取的示意性截面图。
图5是示出显示层的层压结构的截面图。
图6A是传感器布置在正下方的像素区2B的示意性截面图。
图6B是传感器没有布置在正下方的像素区2A的示意性截面图。
图7A是示出了显示面板上的像素区2A和2B之间的位置关系的平面图。
图7B是示出了像素区的像素亮度的示图。
图7C是示出流过像素区中的每个像素的OLED的每单位面积的电流的示图。
图8A是示出像素区2A的像素电路的基本配置的电路图。
图8B是像素区2B中的像素电路8的电路图。
图9A是示出具有图8A和图8B的像素电路的显示面板的像素亮度的示图。
图9B是示出流过图9A中的像素区2A和像素区2B中的每个像素的每单位面积的电流的示图。
图10A是示出了在开关晶体管导通的情况下由箭头表示电流的流动的示图。
图10B是示出了在开关晶体管截止的情况下由箭头表示电流的流动的示图。
图11A是示出了在开关晶体管导通的情况下由箭头表示电流流动的截面图。
图11B是示出了在开关晶体管截止的情况下由箭头表示电流的流动的截面图。
图12A是像素区中的像素电路的第一变形例的电路图。
图12B是像素区中的像素电路的第二变形例的电路图。
图12C是像素区中的像素电路的第三变形例的电路图。
图13是表示缺陷像素的检测和图像的修正处理步骤的流程图。
图14是示出每个像素的像素电路的具体配置的电路图。
图15是图14的像素电路中的每个单元的电压波形图。
图16是像素电路中的所有晶体管均为P型的电路图。
图17是具有与图14和图16不同的配置的像素电路的电路图。
图18是示出根据本实施例的图像显示装置的示意性配置的框图。
图19是示出图18中的像素阵列单元的基本配置的电路图。
图20是示出了像素阵列单元中的每条扫描线和每条信号线的驱动时序的时序图。
图21是示出根据本实施例的像素阵列单元的具体配置的电路图。
图22是示出根据本实施例的像素阵列单元的第一变形例的电路图。
图23是示出根据本实施例的像素阵列单元的第二变形例的电路图。
图24是示出根据本实施例的像素阵列单元的第三变形例的电路图。
图25是示出根据本实施例的像素阵列单元的第四变形例的电路图。
图26是具有图24的像素电路的像素区的驱动时序图。
图27是具有图25的像素电路的像素区的驱动时序图。
图28是示出普通图像显示装置的基本像素布置的示图。
图29是示出图像显示装置的所有像素部分地包括第二发光区的示例的图。
图30是示出第一发光区和第二发光区发光的示例的视图。
图31是示出根据本实施例的图像显示装置的像素布置的第一示例的示图。
图32是示出根据本实施例的图像显示装置的像素布置的第二示例的示图。
图33是示出根据本实施例的图像显示装置的像素布置的第三示例的示图。
图34是示出根据本实施例的图像显示装置的像素配置的第四示例的示图。
图35是示出了图像显示装置1的像素布置的示图，其中，每个像素具有红色、绿色、蓝色以及白色四个彩色像素。
图36是示出根据本实施例的图像显示装置的第五示例的示图。
图37是像素阵列单元中的传感器被布置在正下方的像素区的像素电路的电路图。
图38是包括图37的像素电路的多个彩色像素的平面图。
图39是沿着图38的线A-A’截取的截面图。
图40是传感器没有布置在正下方的像素区的像素电路的电路图。
图41是包括图40的像素电路的多个彩色像素的平面图。
图42是沿着图41的线B-B’截取的截面图。
图43是像素区的像素电路的电路图。
图44是包括图43的像素电路的多个彩色像素的平面图。
图45是沿着图44的线C-C’截取的截面图。
图46是示出图39的截面结构的第一变形例的截面图。
图47是示出图39的截面结构的第二变形例的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图描述图像显示装置和电子装置的实施例。尽管下面将主要描述图像显示装置和电子设备的主要组件，但是图像显示装置和电子设备可具有未示出或描述的组件和功能。以下描述不排除未示出或描述的组件和功能。
图1A是根据本公开的实施例的图像显示装置1的示意性平面图。如图1A所示，根据本实施例的图像显示装置1包括显示面板2。例如，柔性印刷电路(FPC)3连接至显示面板2。通过在例如玻璃基板或透明膜上层压多层来形成显示面板2，并且在显示表面2z上垂直和水平地布置多个像素。结合显示面板2的驱动电路的至少一部分的覆晶薄膜(COF)4安装在FPC3上。注意，驱动电路可以作为玻璃上芯片(COG)堆叠在显示面板2上。
在根据本实施例的图像显示装置1中，通过显示面板2接收光的各种传感器可以被布置在显示面板2的正下方。在本说明书中，包括图像显示装置1和传感器的配置被称为电子设备。设置在电子设备中的传感器的类型不受特别限制，并且其示例包括光电转换通过显示面板2入射的光的成像传感器、投射通过显示面板2的光并且接收由通过显示面板2的物体反射的光以测量到物体的距离的距离测量传感器、以及基于通过显示面板2入射的光来测量温度的温度传感器。如上所述，布置在显示面板2正下方的传感器至少具有接收光的光接收装置的功能。注意，传感器可以具有通过显示面板2投射光的发光装置的功能。
图1A通过虚线示出了布置在显示面板2正下方的传感器的具体位置的示例。如图1A所示，传感器被布置在显示面板2的四个角2a中的至少一个处。注意，传感器可以被布置在四个角2a以外的地方。如后面描述的，因为传感器通过显示面板2投射或者接收光，所以显示面板2上的传感器需要具有高的可见光透射率。因此，当在显示面板2上显示图像时，与其他像素区相比，显示面板2上的传感器正上方的像素区的颜色和亮度可能会改变。如图1A所示，当传感器正上方的像素区是显示面板2的四个角2a时，即使颜色和亮度与其他像素区的颜色和亮度稍微不同，像素区在外观上并不那么明显。
在市售的智能电话、平板电脑、PC等中，相机模块通常布置在显示面板2的上端侧边框的中央部分中。因此，同样在本实施例中，如在图1B中的虚线框2a中所示，传感器可以被布置在显示面板2的上端侧上的中心部分附近。在本说明书中，在显示面板2中，传感器未布置在正下方的像素区被称为像素区(第二像素区)2A，而传感器布置在正下方的像素区被称为像素区(第一像素区)2B。
图1C和图1D是显示面板2的部分像素区2B和2A的放大图。图1C示出了传感器直接布置在下面的像素区2B，并且图1D示出了传感器不直接布置在下面的像素区2A。在根据本实施例的图像显示装置1中，每个像素具有自发光元件，并且不需要背光。自发光元件的代表性示例是有机电致发光(EL)元件(在下文中，也称为有机发光二极管(OLED))。由于可以省略背光，所以可以使自发光元件的至少一部分透明。在下文中，将主要描述OLED用作自发光元件的示例。
图1C中的像素区2B的至少部分被布置为与在平面图中从显示面板2的显示表面侧接收通过显示面板2入射的光的光接收装置重叠。图1C的像素区2B对于每个像素具有第一发光区2B1和第二发光区2B2。第一发光区2B1是发出OLED的光的区域。发光区2B1的大部分是不能透射可见光波段(360nm至830nm左右的波长范围)的光的区域，作为更具体的示例，是指可见光透射率小于50％的区域。第二发光区2B2也是发射OLED的光的区域。并且，第二发光区2B2的大部分是能够透射上述可见光区域的光的区域，作为更具体的示例，是指可见光透射率为50％以上的区域。即，第二发光区2B2是可见光透射率比第一发光区2B1高的区域。
例如，图1C中的每个像素包括红色(R)像素、绿色(G)像素以及蓝色(B)像素的三个彩色像素。虽然可能存在每个像素包括除了红色、绿色和蓝色之外的彩色像素的情况，但是在本实施例中将主要描述每个像素包括红色、绿色和蓝色的三个彩色像素的示例。
像素区2B中的每个彩色像素具有上述第一发光区2B1和第二发光区2B2。第一发光区2B1和第二发光区2B2的面积比是任意的。在仅第一发光区2B1发射从OLED发射的光的情况下，亮度可以随着第一发光区2B1的面积更大而增大。如图1C所示，每个像素的第一发光区2B1和第二发光区2B2彼此相邻地布置。
另一方面，图1D中的像素区2A在每个像素中具有第三发光区2A1。每个第三发光区2A1是发射OLED的光的区域。第三发光区2A1是可见光透射率比第二发光区2B2低的区域。第三发光区2A1包括不透射和反射入射可见光的区域。即，像素区2A内的大部分像素发光。
如上所述，根据本实施例的图像显示装置1包括像素区2A和像素区2B。像素区2A中的像素包括第三发光区2A1和OLED(第三自发光元件)。OLED从第三发光区2A1发光。像素区2B中的像素包括第一发光区2B1、第二发光区2B2和两个OLED(第一自发光元件和第二自发光元件)。一个OLED(第一自发光元件)从第一发光区2B1发射光。另一个OLED(第二自发光元件)从第二发光区2B2发射光。
图2是示出了OLED5与驱动晶体管Q1之间的连接关系的电路图。在图2中，当驱动晶体管Q1的栅极-源极电压为Vgs，驱动晶体管Q1的阈值电压为Vth，驱动晶体管Q1的漏极-源极电流为Ids，驱动晶体管Q1的栅极宽度为W，栅极长度为L，迁移率为μ，并且栅极氧化膜电容为Cox时，驱动晶体管Q1的漏极-源极电流Ids由以下公式(1)表示。
[数学式1]
Figure BDA0004004270630000101
从公式(1)可以看出，流过OLED5的电流Ids随着驱动晶体管Q1的栅极-源极电压Vgs增加而增加。OLED5的发光亮度随着流过OLED5的电流Ids增加而增加。
图3是示出了流过OLED5的电流与发光亮度之间的相关性的特性图。图3中的实线w1表示初始状态下OLED5的特性，虚线w2表示劣化后OLED5的特性。如图所示，OLED5的发光亮度随着电流流动的量的增加而趋于增加，但是随着劣化的进展，即使当电流流动时发光亮度也不增加。此外，OLED5的每单位面积的电流量越大，OLED5劣化时的发光亮度的降低量越大。因此，为了延长OLED5的寿命，期望进一步增加OLED5的发光面积以抑制每单位面积的电流量。
图4是图1A的A-A线方向的示意截面图。图4示出了具有第一成像单元6a的成像传感器6b和具有第二成像单元6c的成像传感器6d被布置在显示面板2的上端侧上的两个角的正下方的示例。包括图像显示装置1和成像传感器6b和6d的电子装置的典型示例是智能电话等。成像传感器6b和6d中的每一个可包括例如具有不同焦距的单焦点透镜6e和6f。应注意，尽管除成像传感器6b和6d之外的传感器可布置在显示面板2的正下方，但是下面将描述其中布置成像传感器6b和6d的示例。
如图4所示，显示面板2是从第一成像单元6a和第二成像单元6c的一侧顺序布置有透明膜2b、玻璃基板2c、TFT层42、显示层2d、阻挡层2e、触摸传感器层2f、粘合层2g、圆偏振板2h、光学透明粘合剂(OCA)2i和保护玻璃2j的层压体。
可以省略透明膜2b。显示层2d是构成OLED5的层，并且具有例如如图5所示的层压结构。阻挡层2e是防止氧和湿气进入显示层2d的层。触摸传感器被结合在触摸传感器层2f中。存在各种类型的触摸传感器，诸如电容型和电阻膜型，但是可采用任意类型。此外，触摸传感器层2f和显示层2d可集成为内嵌式结构。设置粘合层2g用于粘合圆偏振板2h和触摸传感器层2f。粘合层2g使用可见光透射率高的材料。设置圆偏振板2h以减少眩光，并且即使在明亮的环境中也增强显示表面2z的可见性。设置光学粘合片2i以增强圆偏振板2h和保护玻璃2j之间的粘合性。光学粘合片2i使用可见光透射率高的材料。设置保护玻璃2j以保护显示层2d等。
如后面所述，TFT层42是形成有构成像素电路的驱动晶体管Q1等的层，并且实际上可包括多层。如图5所示，显示层2d具有层压结构，其中，阳极2m、空穴注入层2n、空穴传输层2p、发光层2q、电子传输层2r、电子注入层2s和阴极2t从玻璃基板2c侧顺序布置。阳极2m也称为阳极电极。空穴注入层2n是从阳极电极2m注入空穴的层。空穴传输层2p是有效地将空穴传输到发光层2q的层。发光层2q将空穴和电子再结合产生激子，在激子返回基态时发光。阴极2t也称为阴极电极。电子注入层2s是注入来自阴极电极2t的电子的层。电子传输层2r是将电子有效地传输到发光层2q的层。发光层2q含有有机物。
图6A是传感器布置在正下方的像素区2B的示意性截面图，并且图6B是传感器不布置在正下方的像素区2A的示意性截面图。在图6A和图6B中，由箭头表示发射来自OLED5的光的位置和方向。
图6A的左侧截面图示出了使OLED5从设置在像素区2B中的每个像素的一部分中的第一发光区2B1发光的示例，其中相机布置在像素区2B的正下方。另一方面，图6A的右侧截面图示出设置用于使第二发光区2B2发光的OLED5a的示例。OLED5a的光不仅从显示表面2z侧发射，而且从相对侧发射。因此，发射至显示表面2z一侧的光量约为OLED5a发射的光量的1/2。在第一发光区2B1中，如后所述，由于OLED5的阳极电极层被延展并用作反射层，所以从OLED5发出的几乎所有光可以从显示表面2z侧发出。另一方面，在像素区2A中，如图6B所示，在每个像素的整个区域中发射光。
图7A、图7B和图7C是示出了在显示面板2上的传感器未布置在其正下方的像素区2A和传感器布置在其正下方的像素区2B之间使像素亮度相同的示例的示图。图7A示出了显示面板2上的像素区2A和2B之间的位置关系。图7B是示出了像素区2A和2B的像素亮度的示图。图7C是示出流过像素区2A和2B中的每个像素的OLED5的每单位面积的电流的示图。
为了使如图7B所示的像素区2A和2B之间的像素亮度相等，有必要使流过像素区2B中的每个像素的OLED5的电流大于流过像素区2A中的每个像素的OLED5的电流，如图7C所示。这是因为发射OLED5光的第一发光区2B1在像素区2B中的每个像素中的面积小于第三发光区2A1在像素区2A中的每个像素中的面积。图7C示出像素区2B的第一发光区2B1的面积为像素区2A的第三发光区2A1的面积的1/2的示例。在这种情况下，如果使流过像素区2B中的每个像素的OLED5的电流为流过像素区2A中的每个像素的OLED5的电流的两倍，则可以使像素区2A和2B的像素亮度基本上相同。由于OLED5的劣化随着流过OLED5的电流的增加而促进，所以像素区2B中的每个像素的OLED5比像素区2A中的每个像素的OLED5劣化更快，并且容易出现诸如图像烙印的缺陷，其中，残像在视觉上被识别。
另一方面，在本实施例中，如图6A所示，在第一发光区2B1和第二发光区2B2的面积彼此相等的情况下，假设从第一发光区2B1发出的光量为0.5，则从第二发光区2B2向显示面2z侧发出的光量为0.25。因此，在图6A的右侧截面图的示例中，假设在像素区2A中的像素亮度是1，在像素区2B中的像素亮度是0.5+0.25＝0.75，并且在没有增加流过像素区2B中的每个像素的OLED5的电流的情况下可以抑制亮度差。
图8A是示出像素区2A中的像素电路8的基本配置的电路图。图8A中的像素电路8设置在上述像素区2A中的每个像素中。除了OLED5之外，像素电路8还包括驱动晶体管Q1、采样晶体管Q2和像素电容Cs。采样晶体管Q2连接在信号线Sig与驱动晶体管Q1的栅极之间。扫描线Gate连接至采样晶体管Q2的栅极。像素电容Cs连接在驱动晶体管Q1的栅极与OLED5的阳极之间。
当扫描线Gate变为高电位时，采样晶体管Q2将对应于信号线电压的电压供应至驱动晶体管Q1。驱动晶体管Q1通过由与信号线电压对应的电压控制流过OLED5的电流。OLED5发出具有与电流相对应的发光亮度的光。当OLED5发光时，通过第三发光区2A1发光。
图8B是像素区2B中的像素电路8的电路图。图8B中的像素电路8设置在像素区2B中的每个像素中，在像素区2B中，相机直接布置在下方。图8B的像素电路8符合图6A的右侧截面图。在图8B的像素电路8中，将新的OLED5a添加到图8A的像素电路8中。OLED5a用于在第二发光区2B2发光，与第一发光区2B1发光的OLED5并联连接，并且设置在像素区2B中的每个像素的第二发光区2B2中的显示层2d中。从OLED5a发出的光从每个像素中的第二发光区2B2发出。另外，控制OLED5a的发光的像素电路8的大部分配置在第一发光区2B1的内部。由此，能够提高第二发光区2B2的孔径比，能够抑制可见光透射率的降低。
通过提供图8B的像素电路8，如图6A的右侧截面图所示，可以从第一发光区2B1和第二发光区2B2这两者向显示面2z侧发射光，并且可以减小像素区2A和2B之间的像素亮度差。
图9A是示出在像素区2A中的每个像素包括图8A中的像素电路8并且像素区2B中的每个像素包括图8B中的像素电路8的情况下显示面板2的像素亮度的示图。此外，图9B是示出流过图9A中的像素区2A和像素区2B中的每个像素的每单位面积的电流的示图。
在图9A和图9B所示的示例中，像素区2A和像素区2B中的每个像素的OLED5的发光亮度基本上相等，并且例外地，对于像素区2A中靠近像素区2B的像素区中的靠近像素区2B的像素，OLED5的发光亮度较低。结果，像素区2A和2B之间的像素亮度差可以在不增加流过像素区2B中的每个像素的OLED5的电流的情况下减小，并且通过灰度和连接使得显示面板2的面内亮度差不明显。此外，通过对准像素区2A和像素区2B之间每单位面积的电流量MAX，能够防止像素区2B中的OLED元件劣化加速。显示面板2的亮度变化是不明显的。
在像素区2B中，期望在布置在像素区2B正下方的传感器的工作周期停止从像素区2B发光。这是因为，在像素区2B发光的状态下，在像素区2B的正下方的传感器进行成像等时，在传感器的检测信号中包含OLED5a的发光组件，传感器的检测信号的可靠性降低。因此，在图8B所示的像素电路8中，在传感器的工作周期，驱动晶体管Q1截止。因此，停止向OLED5和5a的电流供应，并且像素区2B截止。此外，在像素区2B中仅使设置在第二发光区2B2中的OLED5a截止的情况下，可以想到如图10A和图10B所示的像素电路8。
图10A和图10B是添加开关晶体管Q3(第一开关)到图8B的电路图。在图10A中，在开关晶体管Q3导通的情况下电流的流动由箭头表示。在图10B中，在开关晶体管Q3截止的情况下的电流的流动由箭头表示。此外，图11A是示出了在开关晶体管Q3导通的情况下由箭头表示电流流动的截面图。图11B是示出了在开关晶体管Q3截止的情况下由箭头表示电流流动的截面图。
开关晶体管Q3切换两个OLED5和OLED5a的阳极电极是否彼此电连接。复位信号线RST与开关晶体管Q3的栅极连接。漏极与OLED5的阳极连接，源极与OLED5a的阳极连接。在复位信号线RST成为高电位时，开关晶体管Q3导通，将两个OLED5、OLED5a的阳极电连接。
复位信号线RST根据布置在像素区2B正下方的传感器的工作时序具有低电位。结果，在传感器工作周期，开关晶体管Q3截止以停止用于第二发光区2B2的OLED5a的发光，从而可以防止光从第二发光区2B2发出。
在开关晶体管Q3导通的情况下，如图10A的电路图和图11A的截面图所示，像素区2B中的第一发光区2B1和第二发光区2B2都发射从OLED5和OLED 5a发射的光。在第一发光区2B1和第二发光区2B2的面积彼此相等的情况下，假设第一发光区2B1的像素亮度为0.5，则第二发光区2B2在显示面2z侧的像素亮度为0.25。
在开关晶体管Q3截止的情况下，驱动晶体管Q1的漏极源极电流全部流向OLED5，使得流向OLED5的电流量大致是开关晶体管Q3导通的情况的两倍。因此，如图10B的电路图和图11B的截面图所示，代替在像素区2B中未从第二发光区2B2发射光，从第一发光区2B1发射具有图10A的亮度两倍的光。在图11A中，每个像素的第一发光区2B1和第二发光区2B2的合并像素亮度是0.5+0.25＝0.75，而在图11B中，每个像素的像素亮度是0.5x2＝1.0。
如上所述，根据开关晶体管Q3是导通还是截止，像素区2B中的第一发光区2B1的像素亮度稍微变化。然而，可通过图10A中的信号线电压等调节设置显示面板2中的每个像素的平均亮度多少。此外，显示面板2的平均亮度也可以通过在一个帧周期内调整每个像素的显示周期或在一个帧周期内调整传感器的工作周期来调整。注意，从抑制闪烁的观点来看，传感器的工作周期被理想地设置为一个帧周期内的部分周期，但是在一些情况下，传感器可以在跨越多个帧的周期内工作。
在像素区2B中的每个像素中设置有用于使第二发光区2B2发光的OLED5a的像素电路8可以具有除图8B或图10A中的像素电路8之外的电路配置。
图12A是像素区2B中的像素电路8的第一变形例的电路图。图12A中的像素电路8包括用于使第一发光区2B1发光并截止的第一像素电路8a和用于使第二发光区2B2发光并截止的第二像素电路8b。第一像素电路8a和第二像素电路8b具有相同的电路配置。每个像素电路包括串联连接至OLED5或OLED5a的驱动晶体管Q1、连接至驱动晶体管Q1的栅极的采样晶体管Q2和像素电容Cs。
第一像素电路8a使OLED5在静止图像显示周期发出具有100％占空比的光。第二像素电路8b通过在传感器的非工作周期使OLED5a发光来抑制OLED5a的劣化。
图12A中的像素电路8能够使第二发光区2B2以任意的时序发光。此外，流过第一发光区2B1的第一像素电路8a中的OLED5的电流不受第二发光区2B2的发光或熄灭的影响。
图12B是在像素区2B中的像素电路8的第二变形例的电路图。当图10A中的开关晶体管Q3截止时，驱动晶体管Q1的漏极源极电流不流到用于第二发光区2B2的OLED5a，并且所有电流流到用于第一发光区2B1的OLED5。但是，在开关晶体管Q3的漏极与源极之间流过漏极电流的情况下，根据漏极电流的量，在第二发光区2B2的OLED5a中也流过电流，有时第二发光区2B2的OLED5a发光，从第二发光区2B2漏光。
因此，在图12B的像素电路8中，具有与开关晶体管Q3的导电类型相反的导电类型的开关晶体管Q3a(第二开关)另外设置在开关晶体管Q3的栅极与接地节点(与阴极电极相同的电位)之间。复位信号线RST被输入至开关晶体管Q3a的栅极。使得两个开关晶体管Q3和Q3a中仅有一个开关晶体管导通。因此，在开关晶体管Q3截止时，第二发光区2B2的OLED5a的阳极与阴极短路，能够可靠地使OLED5a截止。
图12C是像素区2B中的像素电路8的第三变形例的电路图。图12C中的像素电路8与图10A中的像素电路8的不同之处在于：图10A中的开关晶体管Q3包括两个共源共栅连接的开关晶体管Q3b和Q3c。两个开关晶体管Q3b和Q3c的栅极共同连接至相同的复位信号线RST。
通过将开关晶体管Q3形成为如图12C所示的双栅极结构，当开关晶体管Q3b和Q3c截止时，不存在泄漏电流流过开关晶体管Q3b和Q3c的可能性，并且不存在用于第一发光区2B1的OLED5由于泄漏极电流而发光的问题。
在传感器是成像传感器的情况下，当由图10A中的开关晶体管Q3或图12C中的开关晶体管Q3b和Q3c检测到其中出现漏极电流的缺陷像素并且检测到漏极电流的出现时，可校正图像传感器的捕捉图像。
图13是表示缺陷像素的检测和图像的修正处理步骤的流程图。例如，在制造根据本实施例的图像显示装置1之后的检查过程中执行图13的流程图。或者，可以在运送根据本实施例的图像显示装置1之后在用户侧执行图13的流程图。
首先，在像素区2B中的每个像素的开关晶体管Q3导通的状态下，显示显示面板2的所有像素(步骤S1)。接着，开关晶体管Q3截止(步骤S2)，并且在像素区2B中的第二发光区2B2的发光停止的状态下，由成像传感器执行成像(步骤S3)。接下来，基于所捕捉的图像，检测具有其中已经发生泄漏电流的开关晶体管Q3的缺陷像素(步骤S4)，并且将缺陷像素的坐标位置和发光特性写入图像显示装置1中的信号处理芯片中(步骤S5)。此后，当通过成像传感器执行成像时，读取写入信号处理芯片中的信息并且执行捕捉图像的校正处理(步骤S6)。例如，包括开关晶体管Q3的像素(漏极电流流过开关晶体管Q3)在成像时不能被截止，导致捕捉图像的图像劣化。这样的缺陷像素可以在检查过程中提前发现，可以用激光切割(通过断连一直截止)包括开关晶体管Q3的像素以防止发射单元发光。另外，在不用激光切割像素的情况下，通过校正图像以使像素具有至低灰度的黑色电位来减小像素的写入对捕捉图像的影响，并且提高捕捉图像质量。
图14是示出每个像素的像素电路8的具体配置的电路图。除了在图10A中示出的驱动晶体管Q1、采样晶体管Q2和开关晶体管Q3之外，图14的像素电路8包括三个晶体管Q4至Q6。晶体管Q4的漏极与驱动晶体管Q1的栅极连接，晶体管Q4的源极被设置为电压V1，栅极信号Gate1被输入至晶体管Q4的栅极。晶体管Q5的漏极连接至OLED5的阳极电极，晶体管Q5的源极被设置为电压V2，并且栅极信号Gate2被输入至晶体管Q5的栅极。
晶体管Q1至Q5为N型晶体管，而晶体管Q6为P型晶体管。晶体管Q6的源极被设置为电源线Vccp，晶体管Q6的漏极连接至驱动晶体管Q1的漏极，并且栅极信号Gate3被输入至晶体管Q6的栅极。
图15是图14的像素电路8中的每个单元的电压波形图。在下文中，将参考图15的电压波形图描述图14的像素电路8的工作。
在初始状态(时刻t0)，晶体管Q2和Q4至Q5处于截止状态，并且驱动晶体管Q1的栅极电压是未定义的。
此后，栅极信号Gate2在时刻t1变为高电位。因此，晶体管Q5导通，并且连接至驱动晶体管Q1的源极的节点S迅速降低至电压V2。因此，驱动晶体管Q1的栅极电压G也经由像素电容Cs迅速降低至电压VF。
之后，在时刻t2，栅极信号Gate1变为高电位。因此，晶体管Q4导通，并且驱动晶体管的栅极电压G升高至电压V1。此时，节点S是电压V2，并且驱动晶体管Q1的栅极-源极电压Vgs是Vgs＝V1-v2>Vth。然而，由于节点S处的电压V2小于OLED5的阈值电压VthEL，因此OLED5处于反向偏置状态并且不发光。
之后，在时刻t3，栅极信号Gate2变为低电位，栅极信号Gate3也变为低电位。因此，晶体管Q5截止，并且晶体管Q6导通。因此，晶体管Q6的源极-漏极电流通过驱动晶体管Q1的漏极与源极之间的像素电容Cs流动，并且电荷在像素电容Cs中累积。因此，开始校正驱动晶体管Q1的Vth的工作。此时，驱动晶体管Q1的栅极电压为V1，并且随着电荷累积量增加，节点S的电压升高并且驱动晶体管Q1的Vgs减小。因此，驱动晶体管Q1在适当的时候截止，并且节点S的电压变为V1-Vth。
当驱动晶体管Q1截止时，漏极-源极电流不流经驱动晶体管Q1。此后，在时刻t4，栅极信号Gate3变为高电位，晶体管Q6截止。此外，栅极信号Gate1也变为低电位，晶体管Q4截止。因此，对应于Vth的电荷保持在像素电容Cs中。如上所述，从时刻t3至时刻t4的周期是检测并校正驱动晶体管Q1的阈值电压Vth的周期。
此后，在时刻t5，当连接至扫描线的栅极信号Cate4被设置为高电位时，采样晶体管Q2导通，并且对应于信号线电压Vsig的电荷在像素电容Cs中累积。因此，驱动晶体管Q1的栅极-源极电压Vgs变成Vsig-V1+Vth。为了简化描述，当V1＝0时，Vgs＝Vsig+Vth。
在采样周期结束的时刻t7之前的时刻t6，栅极信号Gate3变为低电位，晶体管Q6导通。因此，驱动晶体管Q1的漏极电压变为电源电压Vcc，并且像素电路8从非发光周期过渡到发光周期。在采样晶体管Q2仍然导通时(从时刻t6至时刻t7)，执行驱动晶体管Q1的迁移率校正。在从时刻t6至时刻t7的周期内，在驱动晶体管Q1的栅极保持在信号线电压Vsig的同时，驱动晶体管Q1的漏极-源极电流流动。这里，通过设定V1-Vth＜VthEL，OLED5处于反向偏压状态并且呈现简单的电容特性而不是整流特性。因此，驱动晶体管Q1的漏极源极电流Ids流至像素电容Cs和OLED5的等效电容，并且驱动晶体管Q1的源极电压升高。在图15中，源极电压的增加是ΔV。因为从保持在像素电容Cs中的驱动晶体管Q1的Vgs中减去上升量ΔV，所以施加负反馈。
如上所述，驱动晶体管Q1的漏极-源极电流Ids负反馈至驱动晶体管Q1的Vgs，从而可以校正驱动晶体管Q1的迁移率μ。此外，能够通过从时刻t6到时刻t7调整时间宽度来优化负反馈量ΔV。
当栅极信号Gate4在时刻t7变为低电位时，采样晶体管Q2截止。因此，驱动晶体管Q1的栅极与信号线断连，并且驱动晶体管Q1的栅极保持电压(Vsig-ΔV+Vth)。
驱动晶体管的源极电压逐渐升高，OLED5的反向偏压状态消除，开始发光。此时，流过OLED5的电流由上述公式(1)表示。
在图14的像素电路8中，示出了晶体管Q1至Q5为N型晶体管并且晶体管Q6为P型晶体管的示例。然而，如图16所示，所有的晶体管Q1a至Q6a可由P型晶体管构成。图16的像素电路8的工作原理与图13的像素电路8的工作原理相似，并且省略工作的详细描述。
图17是具有与图14和图16不同的配置的像素电路8的电路图。图17的像素电路8包括P型晶体管Q11至Q16、N型晶体管Q17以及像素电容Cs。晶体管Q13是驱动晶体管，晶体管Q12是采样晶体管。
首先，晶体管Q15导通，并且初始化电压Vint被供应至驱动晶体管Q13的栅极。初始化电压Vint低于信号线电压，并且驱动晶体管Q13被设置为导通偏置状态。
接着，晶体管Q12和Q17导通。当晶体管Q17导通时，驱动晶体管Q13的栅极和漏极短路，起到二极管的作用。此后，当晶体管Q11和Q14导通时，对应于信号线电压的电荷在像素电容Cs中累积，晶体管Q12和Q14之间的连接节点S的电位逐渐升高，并且当晶体管Q11的源极电压超过OLED5的阈值电压时，OLED5开始发光。图17中的每个晶体管的导电类型可以颠倒。
如图14、图16和图17所示，可想到像素电路8的电路配置的各种变形，并且在本实施例中，可应用具有任意电路配置的像素电路8。
图18是示出根据本实施例的图像显示装置1的示意性配置的框图。如图所示，图像显示装置1包括显示面板2，并且驱动IC11经由FPC3等连接至显示面板2。例如，如图1A所示，驱动IC11可以是安装在FPC3上的COF4。在这种情况下，经由FPC3中的布线来执行显示面板2与驱动IC11之间的信号的发送和接收。或者，可以将包括在驱动IC11中的至少一些电路堆叠在显示面板2上以形成COG配置。此外，驱动器IC11可安装在显示面板2的框架部分(边框)上。
尽管为了简化在图18中示出了一个驱动IC11，但是多个驱动IC11可向显示面板2发送信号并且从显示面板2接收信号。
显示面板2包括像素阵列单元12、移位寄存器(栅极驱动器)13和选择器开关14。如上所述，像素阵列单元12包括垂直和水平布置的多个像素，并且传感器布置在像素区(像素区2B)的一部分的正下方。像素区2B中的每个像素包括图10A等中所示的像素电路8，并且像素区2A中的每个像素包括图8A等中所示的像素电路8。像素电路8包括阳极电极等可见光透射率低的组件，因此传感器配置在正下方的像素区2B的每个像素的像素电路8的大部分配置在第一发光区2B1中。
移位寄存器13与多条扫描线连接，顺序向每条扫描线提供栅极脉冲信号。移位寄存器13也称为扫描线驱动电路或栅极驱动器。图18示出了包括480个扫描线的示例，但是扫描线的数量不受限制。
选择器开关14与多个信号线连接，顺序向各信号线提供信号线电压。在显示面板2的水平方向上存在640个像素的情况下，因为每个像素具有三个彩色像素，所以信号线的数目是640×3＝1920。虽然图18示出了从一个选择器开关14输出1920条信号线的示例，但是可设置多个选择器开关14以减少连接至每个选择器开关14的信号线的数量。
驱动IC11包括接口(I/F)电路15、数据锁存电路16、DAC17、定时发生器18、帧存储器19以及电源电路20。I/F电路15从设置在图像显示装置1外部的主处理器21等接收视频数据、控制数据、电源电压等。数据锁存电路16在预定时序处锁存视频数据。DAC17将由数据锁存电路16锁存的视频数据转换成模拟像素电压。定时发生器18基于由I/F电路15接收的控制数据来控制数据锁存电路16的锁存时序和DAC17的D/A转换的时序。帧存储器19具有例如用于存储显示面板2上显示的一帧的视频数据的存储容量。显示面板2每秒更新显示约60次，但是因为功耗增加，所以不希望每次从主处理器21接收和显示视频数据。因此，在显示面板2显示同一静止图像的情况下，通过从帧存储器19读取静止图像并显示静止图像，可以降低功耗。
图19是示出图18的像素阵列单元12的基本配置的电路图。像素阵列单元12包括垂直和水平布置的多条扫描线和多条信号线，像素电路8设置在扫描线和信号线的每个交叉点处。为了简单起见，图19示出了每个像素电路8包括采样晶体管Q2、驱动晶体管Q1、像素电容Cs和OLED5的示例，但是实际上每个像素电路8具有图14等的电路配置。从栅极驱动器(移位寄存器)13向多条扫描线逐行输出栅极脉冲信号。
图20是示出了像素阵列单元12中的每个扫描线和每个信号线的驱动时序的时序图。如图20所示，扫描线被线顺序地驱动，并且栅极脉冲信号被顺序地输出。另外，按照向各扫描线提供栅极脉冲信号的时序，向各信号线提供信号线电压。每个像素包括三个彩色像素，并且每个彩色像素的信号线电压在相同的时序被提供给对应的信号线。
图21是示出根据本实施例的像素阵列单元12的具体配置的电路图。在图21的像素阵列单元12中，由虚线框包围的区域是传感器直接布置在其下方的像素区2B，并且另一个区域是像素区2A。像素区2B包括用于使第一发光区2B1发光的第一像素电路8a和用于使第二发光区2B2发光的第二像素电路8b。另一方面，除了像素区2B之外的像素区2A仅包括第一像素电路8a，因为传感器不布置在正下方。
像素区2B中的第一像素电路8a和第二像素电路8b具有与图12A中示出的电路配置相同的电路配置。实际上，由于像素区2B中的每个像素具有三个彩色像素，所以为每个彩色像素提供第一像素电路8a和第二像素电路8b。为每个彩色像素提供的第一像素电路8a和第二像素电路8b中的驱动晶体管Q1的漏极均连接至公共电源线Vccp。相同颜色像素的第一像素电路8a和第二像素电路8b在横向(水平)方向上彼此相邻地布置。此外，采样晶体管Q2的栅极共同连接至同一扫描线Gate，而漏极连接至单独的信号线Sig。因此，像素区2B中的每个像素的信号线Sig的数量设置为像素区2A中的每个像素的信号线的数量的两倍。可以根据是否向对应的信号线提供信号线电压来切换是否使像素区2B中的第二发光区2B2发光。
在像素区2B中，在不工作传感器的情况下，在每个像素(彩色像素)中在横向(水平)方向上相邻配置的第一发光区2B1和第二发光区2B2都发光。另一方面，在传感器的工作周期，在每个像素(彩色像素)中在横(水平)方向上相邻配置的第一发光区2B1和第二发光区2B2中，第一发光区2B1发光，而第二发光区2B2不发光。因此，该传感器能够接收通过第二发光区2B2入射的光，或者不受第二发光区2B2的发光的影响而通过第二发光区2B2投射光。
由于像素区2B中的第一像素电路8a和第二像素电路8b主要包括反射光的组件，因此第一像素电路8a和第二像素电路8b配置在第一发光区2B1的内部。由此，即使设置第二像素电路8b，也能够确保第二发光区2B2的面积，能够抑制像素区2B内的每个像素的亮度降低。
图22是示出根据本实施例的像素阵列单元12的第一变形例的电路图。在图22的像素阵列单元12中，由虚线框包围的区域是传感器布置在其正下方的像素区2B，并且另一个区域是像素区2A。在图22的像素阵列单元12中的像素区2B中，第一发光区2B1和第二发光区2B2被布置为在像素(彩色像素)中在垂直(竖直)方向上彼此相邻。此外，当采样晶体管Q2的栅极连接至单独的扫描线Gate时，漏极共同连接至同一信号线Sig。因此，在像素区2B中，针对每个像素设置两条扫描线Gate。另一方面，在像素区2A中，为每个像素设置两条扫描线Gate，但像素电路8仅与一条扫描线Gate连接。可以根据是否向对应的扫描线Gate提供栅极脉冲信号来切换是否使像素区2B中的第二发光区2B2发光。
在像素区2B中，在传感器不工作的情况下，每个像素(彩色像素)中在纵(纵)方向上相邻配置的第一发光区2B1和第二发光区2B2都发光。另一方面，在传感器的工作周期，在每个像素(彩色像素)中在纵(纵)方向上相邻配置的第一发光区2B1和第二发光区2B2中，第一发光区2B1发光，而第二发光区2B2不发光。因此，该传感器能够接收通过第二发光区2B2入射的光，或者不受第二发光区2B2的发光的影响而通过第二发光区2B2投射光。
图23是示出根据本实施例的像素阵列单元12的第二变形例的电路图。在图23的像素阵列单元12中，由虚线框包围的区域是传感器布置在其正下方的像素区2B，并且另一个区域是像素区2A。图23的像素阵列单元12使用在垂直(竖直)方向上相邻的两个像素中的一个像素作为第一发光区2B1，使用另一个像素作为第二发光区2B2。在不工作传感器的情况下，使像素区中的所有像素发光。在传感器的工作周期，例如，使像素区2B中的奇数行中的像素发光，并且使偶数行中的像素不发光。对于偶数行中的像素，在每个像素的扫描线的驱动时序处，信号线电压被设置为零。由此，像素区2B的偶数行的像素不发光，传感器能够将奇数行的像素作为第二发光区2B2来接收光。
图24是示出根据本实施例的像素阵列单元12的第三变形例的电路图。在图24的像素阵列单元12中，由虚线框包围的区域是传感器直接布置在其下方的像素区2B，并且另一个区域是像素区2A。在像素区2B中的每个像素(彩色像素)中，设置了具有与图10A和图10B中的电路配置相似的电路配置的像素电路8。每个像素电路8具有切换两个OLED5、OLED5a的阳极是否导通的开关晶体管Q3。在像素区2B中，沿横向(水平)方向布置的各行的每个像素组设置有公共的复位信号线RST，各行的像素组所包括的所有开关晶体管Q3在同一时序导通或截止。在像素电路8中设置有复位驱动器(RST驱动器)22，该复位驱动器22单独控制对于每行的复位信号线RST被设定为高的时序。
在图24的像素阵列单元12中，是否使每个像素的第二发光区2B2发光可以在像素区2B中的每行的任意时序切换。应注意，在本变形例中，具有类似于图12B或图12C中的电路配置的像素电路8可设置在像素区2B中。
图25是示出根据本实施例的像素阵列单元12的第四变形例的电路图。在图25的像素阵列单元12中，由虚线框包围的区域是传感器直接布置在其下方的像素区2B，并且另一个区域是像素区2A。图25中的像素阵列单元12与图24中的像素阵列单元的共同之处在于具有与图10B中的电路配置相似的电路配置的像素电路8设置在像素区2B中，但是与图24中的不同之处在于输入至每个像素电路8中的开关晶体管Q3的栅极的所有复位信号线RST被共同连接。
图25中的像素电路8可以切换是否使像素区2B中的所有像素的第二发光区2B2在任意时序发光。在图25的像素阵列单元12中，图24的复位驱动器22是不必要的，并且与图24相比，可简化电路配置。应注意，在本变形例中，具有类似于图12B或图12C中的电路配置的像素电路8可设置在像素区2B中。
图26是包括图24的像素电路8的像素区2B的驱动时序图。图26示出了在像素区2B中存在连接至三条扫描线Gate0至Gate2的三行像素组的示例。此外，图26示出了对每行设置的三条复位信号线RST0至2随着时间偏移从高电位顺次改变为低电位的示例。各行的每个像素的第一发光区2B1除了写入信号线电压的周期以外始终发光。另一方面，各行的每个像素的第二发光区2B2仅在复位信号线RST为高电位的周期发光，在复位信号线RST为低电位的周期截止。因此，在像素区2B中的像素组被截止的周期针对每个行偏移。仅在每行中的所有像素组被截止的周期，可以驱动位于像素区2B正下方的传感器。在图26中，三行的所有像素被截止的周期由箭头线y1表示。箭头线y1是传感器的工作周期。从箭头线y1的长度可知，在像素区2B中对于每行错开第二发光区2B2的截止时序的情况下，传感器的工作周期缩短。
图27是包括图25的像素电路8的像素区2B的驱动时序图。在图25的像素电路8中，由于像素区2B内的与三行的像素组对应的三个复位信号线RST在同一时序变化，因此各行的每个像素的第二发光区2B2截止的时序相同。因此，传感器可以工作周期是每行中的每个像素的第二发光区2B2截止的周期，并且传感器的工作周期可以比图26中的长。
图28是示出了普通图像显示装置1的基本像素布置的示图。如图所示，每个像素具有三个彩色像素：红色、绿色和蓝色，并且这些彩色像素被顺序地垂直和水平地布置。
图29是示出了图像显示装置1的所有像素均包括第二发光区2B2的示例的示图，并且示出了所谓的透明显示器的像素布置。每个像素包括三个彩色像素，并且每个彩色像素具有第一发光区2B1和第二发光区2B2。在各帧的显示周期中，各彩色像素的第一发光区2B1总是发出对应颜色的光。另一方面，各彩色像素的第二发光区2B2能够透射入射光而不发光。在图29中，第一发光区2B1被表示为“非”，并且第二发光区2B2被表示为“窗口”。
在图29的图像显示装置1中，由于显示面板2上的所有像素均具有第一发光区2B1和第二发光区2B2，因此即使传感器被布置在显示面板2的任何像素区的正下方，光也能够通过第二发光区2B2入射或发出，并且能够提高由传感器感测的可靠性。但是，由于所有的像素都具有第二发光区2B2，因此显示面板2的整体亮度降低。为了得到与没有第二发光区2B2的正常显示面板2相当的亮度，需要提高每个像素的OLED5的发光亮度，缩短OLED5的寿命。
图30是示出图像显示装置1的全部像素具有第一发光区2B1和第二发光区2B2、并且区域2B1和2B2都发光的示例的图。在这种情况下，如图8B所示，需要在所有像素(所有彩色像素)的每一个中设置两个OLED5和两个OLED5a。在图30中，第一发光区2B1被表示为“非”，并且第二发光区2B2被表示为“透明”。
由于如参考图6A等所描述的，图30中的第一发光区2B1的发光亮度降低，所以显示面板2的整体亮度不会与图29中的亮度降低一样多，而是变得低于正常显示面板2的整体亮度。为了将亮度设置为与正常显示面板2相同的水平，需要增加OLED5a的发光亮度，并缩短OLED5a的寿命。
图31是示出根据本实施例的图像显示装置1的像素布置的第一示例的示图。图31中的虚线框是传感器布置在正下方的像素区2B，并且另一区域是传感器未布置在正下方的像素区2A。在像素区2B中，如图30所示，每个像素(彩色像素)具有第一发光区2B1和第二发光区2B2，第一发光区2B1和第二发光区2B2都能够发光。第一发光区2B1在显示面板2的显示周期始终发光，第二发光区2B2仅在传感器未工作周期发光，在传感器的工作周期截止。每个像素(彩色像素)的像素电路8具有例如图10A的电路配置。
图32是示出根据本实施例的图像显示装置1的像素布置的第二示例的示图。图32中的虚线框是传感器布置在正下方的像素区2B，并且另一区域是传感器未布置在正下方的像素区2A。在上述图31的像素区2B中，像素区2B中的所有彩色像素具有第一发光区2B1和第二发光区2B2，而在图32的像素区2B中，在垂直(竖直)方向上布置的像素中，奇数行的像素仅具有第一发光区2B1，偶数行的像素仅具有第二发光区2B2。奇数行的第一发光区2B1和偶数行的第二发光区2B2都从OLED5发光。图32中的每个彩色像素的像素电路8仅需要具有一个OLED5，并且与图31中的图像显示装置1的像素电路8相比，可以简化电路配置。但是，由于偶数行的每个像素(彩色像素)的像素电路8在传感器工作时需要停止第二发光区2B2中的发光，因此需要用于停止发光的开关晶体管Q3等。
注意，在图32中，奇数行的像素具有第一发光区2B1，偶数行的像素具有第二发光区2B2，但也可以相反。即，奇数行的像素也可以具有第二发光区2B2，偶数行的像素也可以具有第一发光区2B1。此外，也可以以多个像素行为单位切换是否每个像素具有第一发光区2B1或第二发光区2B2。
图33是示出根据本实施例的图像显示装置1的像素布置的第三示例的示图。图33中的虚线框是传感器布置在正下方的像素区2B，并且另一区域是传感器未布置在正下方的像素区2A。图33与图32的共同之处在于，像素区2B中的每个彩色像素仅包括第一发光区2B1和第二发光区2B2中的一个。但是，在图33中，在像素区2B的多个像素中包含的多个彩色像素中，具有第二发光区2B2的彩色像素以交错方式布置，类似地，具有第一发光区2B1的彩色像素也以交错方式布置。如上所述，第二发光区2B2的发光亮度比第一发光区2B1的发光亮度低，但是通过将具有第二发光区2B2的彩色像素均匀地分散在像素区2B中，亮度的降低和亮度的变化不太明显。
图34是示出根据本实施例的图像显示装置1的像素布置的第四示例的示图。图34中的虚线框是传感器布置在正下方的像素区2B，并且另一区域是传感器未布置在正下方的像素区2A。图34是图31和图36的变形例，其中图36中的第二发光区2B2能够发光。具体而言，在传感器不工作周期，使第二发光区2B2发光，在传感器的工作周期，使第二发光区2B2不发光。对于一些彩色像素(例如蓝色像素)，通过不设置第二发光区2B2，能够延长像素的寿命。
图35是示出了图像显示装置1的像素布置的示图，其中，每个像素具有红色、绿色、蓝色以及白色四个彩色像素。这四个彩色像素的布置顺序和面积是任意的，并且图35仅是示例。注意，可以设置白色以外的彩色像素。
图36是示出根据本实施例的图像显示装置1的第五示例的示图。图36中的虚线框是传感器布置在正下方的像素区2B，并且另一区域是传感器未布置在正下方的像素区2A。在图36的图像显示装置1中，每个像素的白色像素被设为第二发光区2B2，并且OLED5使第二发光区2B2发光。当传感器不工作时，白色像素发光，并且当传感器工作时，白色像素截止。
接下来，将更详细地描述根据本实施例的图像显示装置1的像素阵列单元12的结构。图37是像素阵列单元12中的传感器直接布置在下面的像素区2B的像素电路8的电路图。图37的电路图被简化，并且实际上可由图14的电路等配置。图37的像素电路8包括驱动晶体管Q1、采样晶体管Q2、像素电容Cs、开关晶体管Q3和两个OLED5和OLED5a。
图38是包括图37的像素电路8的多个彩色像素的平面图。图38示出了包括水平两个颜色像素和垂直两个颜色像素的总共四个颜色像素的平面布局。各彩色像素具有在垂直方向上相邻配置的第一发光区2B1和第二发光区2B2。图38左侧的平面布局图PV1表示像素电路8的各电路元件的布局配置，图38右侧的平面布局图PV2表示第一发光区2B1和第二发光区2B2之间的位置关系。图38的左侧和右侧上的平面布局图PV1和PV2示出了相同的像素区。
如图38的左侧所示，图37所示的像素电路8的各电路元件配置在第一发光区2B1的内部。例如，电源线Vccp、扫描线Gate以及复位信号线RST穿过第一发光区2B1的上端侧，并且在横向(水平)方向上大致平行地配置。在第一发光区2B1的下端侧配置有电路面积较大的像素电容Cs的电极。两个OLED5、5a和开关晶体管Q3布置在第一发光区2B1的右下角。注意，图38中的每个电路元件的配置是示例，并且可以进行各种配置改变。
图39是沿着图38的线A-A’截取的截面图。图39的截面图示出了图像显示装置1的像素区2B中的层压结构。图39详细示出了图4的截面结构中的显示层2d的外围的一部分的截面结构。具体地，图39示出了图37中的两个OLED5和OLED5a以及开关晶体管Q3周围的截面结构。
图39的上表面是显示面板2的显示面2z的一侧，并且图39的底表面是在其上布置传感器的一侧。在图39中，从底面侧至上表面侧设置第一透明基板31、第一绝缘层32、第一布线层33、第二绝缘层34、第二布线层35、第三绝缘层36、阳极电极层38、第四绝缘层37、显示层2d、阴极电极层39、第五绝缘层40和第二透明基板41。
第一透明基板31和第二透明基板41包括例如具有优异的可见光透射率的石英玻璃等。或者，第一透明基板31或第二透明基板41中的至少一个可包括透明膜。用于连接像素电路8中的每个电路元件的第一布线层(M1)33布置在第一透明基板31上。
在第一透明基板31上，第一绝缘层32被布置为覆盖第一布线层33。第一绝缘层32例如具有可见光透射率优异的氮化硅层和氧化硅层的层压结构。在第一绝缘层32上布置有TFT层42，像素电路8中的每个晶体管布置在该TFT层中。图39示意性地示出了形成在TFT层42中的开关晶体管Q3的截面结构，但是其他晶体管也布置在同一层中并且通过触点(未示出)连接至第一布线层33。
第二绝缘层34布置在第一绝缘层32上以覆盖晶体管等。第二绝缘层34具有例如可见光透射率优异的氧化硅层、氮化硅层和氧化硅层的层压结构。沟槽34a形成在第二绝缘层34的一部分中，并且连接至每个晶体管的源极、漏极等的第二布线层(M2)35通过在沟槽34a中填充接触部件34b来形成。虽然在图39中示出了用于连接开关晶体管Q3和两个OLED5和OLED5a的阳极电极的两个第二布线层35，但是连接至其他电路元件的第二布线层35也布置在同一层中。
在第二绝缘层34上，布置用于覆盖第二布线层35并且使表面平坦化的第三绝缘层36。第三绝缘层36包括诸如丙烯酸树脂的树脂材料。第三绝缘层36的膜厚度大于第一绝缘层32和第二绝缘层34的膜厚度。
在第三绝缘层36的上表面的一部分上形成沟槽36a，在沟槽36a中填充接触部件36b以实现与第二布线层35的导电，并且接触部件36b延伸到第三绝缘层36的上表面侧以形成阳极电极层38。阳极电极层38具有叠层结构并且包括金属材料层。金属材料层通常具有低可见光透射率并且用作反射光的反射层。作为具体的金属材料，例如可以使用AlNd或Ag。
由于阳极电极38的最下层是与沟槽36a接触的部分，容易断连，因此至少沟槽36a的角例如由AlNd等金属材料构成。阳极电极层38的最上层包括诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电层。或者，阳极电极层38可具有例如ITO/Ag/ITO的层压结构。Ag原本是不透明的，但是通过减小膜厚度来提高可见光的透射率。当Ag变薄时，强度减弱，使得ITO布置在两个表面上的层压结构被施加至阳极电极38。由此，能够使阳极电极层38作为透明导电层发挥功能。
第四绝缘层37布置在第三绝缘层36上以覆盖阳极电极层38。类似于第三绝缘层36，第四绝缘层37还包括诸如丙烯酸树脂的树脂材料。第四绝缘层37根据OLED5的布置位置被图案化以形成凹部37a。
显示层2d布置为包括第四绝缘层37的凹部37a的底面和侧面。显示层2d具有如图5所示的层压结构。阴极电极层39配置于显示层2d上。阴极电极层39与阳极电极层38同样地包括透明导电层。透明导电层例如包括ITO/Ag/ITO。
第五绝缘层40设置在阴极电极层39上。第五绝缘层40包括使上表面变平并且耐湿性优异的绝缘材料。第二透明基板41设置在第五绝缘层40上。
如图39所示，由于阳极电极38在第一发光区2B1中扩展，因此阳极电极38用作不透射可见光的反射膜，而第二发光区2B2中的阳极电极层38变薄，使得入射的可见光可以透射。或者，也可以使第二发光区2B2的阳极电极层38在OLED5a的附近结束，进一步提高可见光透射率。
图40是传感器没有布置在正下方的像素区2A中的像素电路8的电路图。像素区2A的每个像素(彩色像素)包括第三发光区2A1，而不包括第二发光区2B2。因此，图40的像素电路8包括驱动晶体管Q1、采样晶体管Q2、像素电容Cs和一个OLED5，并且使OLED5在第三发光区2A1中发光。
图41是包括图40的像素电路8的多个彩色像素的平面图。图41示出了包括水平两个颜色像素和垂直两个颜色像素的总共四个颜色像素的平面布局。每个彩色像素具有垂直长的第三发光区2A1。图41的左侧的平面布局图PV3示出了像素电路8的每个电路元件的布局布置，并且实际上，图41的左侧和右侧的平面布局图PV3和PV4示出了相同的像素区。第三发光区2A1的基本上整个区域覆盖有充当反射膜的阳极电极层38。因此，由OLED5发射的光基本上从像素的整个区域发射，并且可以提高像素的亮度。
图42是沿着图41中的线B-B’截取的截面图。图42的层配置与图39的层配置相同，并且第一至第三绝缘层36顺序层压在第一透明基板31上，阳极电极层38布置在第三绝缘层36上，第四绝缘层37布置在其上，显示层2d和阴极电极层39层压在其上，并且第二透明基板41布置在其上。图42示出了驱动晶体管Q1周围的截面结构。驱动晶体管Q1的源极经由第二布线层35连接至OLED5的阳极电极层38。阳极电极38具有叠层结构，阳极电极层的不透明金属层(例如AlNd层)在大部分彩色像素上延伸，使得第三发光区2A1变得不透明。
在阳极电极层38上，阴极电极层39隔着显示层2d布置，并形成OLED5。如上所述，在图40至42所示的像素区2A中，设置了在每个彩色像素中延伸的阳极电极层38和阴极电极层39，并且阳极电极层38起到反射光的反射层的作用，使得彩色像素的整个区域可以被设置为第三发光区2A1。
在图40至图42中，示出了其中传感器没有布置在正下方的像素区2A中的每个彩色像素仅具有第三发光区2A1的示例。然而，如图43至图45所示，第三发光区2A1和第四发光区2A2可以设置在像素区2A中，并且第三发光区2A1和第四发光区2A2都可以发光。第三发光区2A1的大部分不透射入射的可见光，而第四发光区2A2的大部分可透射入射的可见光。即，第四发光区2A2具有比第三发光区2A1高的可见光透射率。
图43为像素区2B中的像素电路8的电路图。图43的像素电路8具有从图37的像素电路8中省略开关晶体管Q3的配置。
图44是包括图43的像素电路8的多个彩色像素的平面图。图44的平面图具有从图38的平面图中省去开关晶体管Q3的平面布局。图44左侧的平面布局图PV5示出了与右侧的平面布局图PV6相同的像素区。
图45是沿着图44中的线C-C’截取的截面图。图45示出了驱动晶体管Q1周围的截面结构。第二布线层35连接至驱动晶体管Q1，并且第二布线层35连接至阳极电极层38。阳极电极层38中的不透明金属层延伸至第三发光区2A1和第四发光区2A2的边界附近。另一方面，阳极电极层38中的透明导电层从第三发光区2A1延伸到第四发光区2A2。如上所述，阳极电极层38中的不透明金属层不布置在第四发光区2A2中，从而可以提高第四发光区2A2的可见光透射率。
在图39中，为了连接开关晶体管Q3和OLED5的阳极电极，在第三绝缘层36中形成的沟槽36a的表面上形成ITO-Ag-ITO等的层压膜以防止阳极电极38在沟槽36a的角处截止。为了防止阳极电极层38截止，存在使用层压膜或者增加透明导电层的膜厚度的方法，但是存在可见光透射率降低的可能性。在这方面，希望使阳极电极层38的膜厚度尽可能薄。作为即使在阳极电极38的膜厚变薄的情况下也防止断连的方法，有调整沟槽36a的锥角的方法。
图46是示出图39的截面结构的第一变形例的截面图。在图46中，使形成在第三绝缘层36中的沟槽36a相对于基板深度(层压)方向的锥角大于图39中的锥角。由此，即使在沟槽36a的表面形成膜厚40nm左右的透明导电层(例如ITO)，沟槽36a的角的断连的可能性也降低。根据图46，阳极电极层38可仅由薄ITO形成。因此，由于层压膜结构仅对接触部分是不必要的，所以层37的开口尺寸可延伸至触点附近。
另外，由于在沟槽36a的角容易发生阳极电极层38的断连，因此也可以考虑仅在沟槽36a的角附近调整沟槽36a的锥角的方法。
图47是示出图39的截面结构的第二变形例的截面图。在图47中，在第三绝缘层36中形成具有比图46中的直径更均匀的直径的沟槽36a，并且该直径仅在沟槽36a的上端附近增加。然后，在沟槽36a的表面上形成大约40nm的透明导电层(例如ITO)。在图47的情况下，沟槽36a的主体部分沿着显示表面2z的法线方向以陡峭角度形成，但是角具有平缓的弯曲表面形状。因此，即使形成薄的ITO，也不易在沟槽36a的角产生断连。例如，通过使用半色调掩模，可以相对容易地形成具有如图47中所示的形状的沟槽36a。陡峭的沟槽36a的本体部分可通过第一暴露形成在第三绝缘层36中，并且平缓的弯曲表面可通过第二暴露形成在沟槽36a的上端部处。
在图47的沟槽36a中，由于本体部分的直径小于图46的沟槽36a的直径，所以可以抑制横向(水平)方向上的长度，并且因此可以增加OLED5的面积。
如上所述，在根据本实施例的图像显示装置1中，即使在传感器被布置在显示面板2正下方的情况下，由于第二发光区2B2被设置在传感器正上方的像素区2B中，所以传感器可以接收光而不受显示面板2的显示的影响，并且可以提高由传感器感测的可靠性。因此，例如，因为不需要将传感器布置在电子设备的显示单元的边框中，所以可以进一步增加电子设备的设计的自由度。
如上所述，根据本实施例，因为诸如智能电话的电子设备的显示单元可被最大化直至壳体尺寸，所以显示单元的尺寸可进一步增加，并且壳体可进一步小型化。
并且，在本实施例中，通过将第一发光区2B1和第二发光区2B2设置在传感器配置在正下方的像素区2B中，并且与使第一发光区2B1发光的OLED5分开地设置使第二发光区2B2发光的OLED5a，能够提高第二发光区2B2的亮度，并且能够减小像素区2A和像素区2B之间的亮度差。
此外，在本实施例中，对于像素区2B，在传感器不工作周期使第二发光区2B2发光，并且在传感器的工作周期停止第二发光区2B2的发光，由此能够在抑制显示面板2的亮度变化的同时提高由传感器感测的可靠性。
此外，在本实施例中，通常用作反射膜的阳极电极38包括ITO-Ag-ITO等的层叠膜，并且Ag等的金属材料层的厚度减小，使得可以增加阳极电极层38在第二发光区2B2中的可见光透射率。此外，当实现阳极电极38与第二布线层35之间的导通时，通过在第三绝缘层36中形成沟槽36a并且调整沟槽36a的侧壁部分的锥角，不太可能发生阳极电极层38在沟槽36a的角处的截止。由此，能够减小阳极电极38的膜厚，其结果，能够进一步提高阳极电极38的可见光透射率。或者，通过在沟槽36a的主体部使沟槽36a的锥角陡峭，在沟槽36a的角形成平缓的曲面，能够在使沟槽36a细径化的同时防止阳极电极38在沟槽36a的角断连。
应注意，本技术还可采用以下配置。
(1)一种图像显示装置，包括二维布置的多个像素，
其中，包括多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：
第一发光区；
第二发光区，具有比第一发光区更高的可见光透射率；
第一自发光元件，从第一发光区发射光；
第二自发光元件，从第二发光区发射光；以及
像素电路，控制第一自发光元件和第二自发光元件的发光和截止，以及
多个像素中的在除第一像素区以外的第二像素区中的像素包括：
第三发光区，具有比第二发光区低的可见光透射率；以及
第三自发光元件，从第三发光区发射光。
(2)根据(1)的图像显示装置，其中，像素电路在使第一自发光元件和第二自发光元件都发光和使第一自发光元件发光并且使第二自发光元件截止之间切换。
(3)根据(2)的图像显示装置，其中，像素电路在通过第一像素区的光入射的光接收装置工作周期，使第一自发光元件发光，并且使第二自发光元件截止，在光接收装置不工作周期，使第一自发光元件和第二自发光元件都发光。
(4)根据(3)的图像显示装置，
其中，像素电路包括连接在第一自发光元件和第二自发光元件之间的第一开关，以及
在使第一自发光元件和第二自发光元件都发光时，第一开关导通，在使第一自发光元件发光且第二自发光元件截止时，第一开关截止。
(5)根据(4)的图像显示装置，
其中，像素电路还包括与第二自发光元件并联连接的第二开关，以及
第二开关在第一开关导通时截止，第二开关在第一开关截止时导通。
(6)根据(4)的图像显示装置，其中，第一开关包括共源共栅连接在第一自发光元件与第二自发光元件之间的多个晶体管，并且多个晶体管的栅极彼此连接以协作导通或者截止。
(7)根据(4)或(6)的图像显示装置，其中，第一开关是N型晶体管，并且N型晶体管的栅极连接至具有根据光接收装置的工作时序而改变的电位的复位信号线。
(8)根据(5)的图像显示装置，
其中，第一开关是N型晶体管，
第二开关是P型晶体管，一级
N型晶体管和P型晶体管中的每个栅极共同连接至具有根据光接收装置的工作时序而改变的电位的复位信号线。
(9)根据(7)或(8)的图像显示装置，其中，第一像素区中的一个方向上布置的多个N型晶体管的栅极共同连接至复位信号线。
(10)根据(7)或(8)的图像显示装置，其中，布置在第一像素区中的所有N型晶体管的栅极共同连接至复位信号线。
(11)根据(3)的图像显示装置，其中，像素电路包括控制第一自发光元件的发光和熄灭的第一像素电路，一级控制第二自发光元件的发光和熄灭的第二像素电路。
(12)根据(11)的图像显示装置，其中，第一像素电路和第二像素电路具有相同的电路配置。
(13)根据(12)的图像显示装置，其中，第一像素电路和第二像素电路中的每个包括与第一自发光元件或第二自发光元件串联连接的驱动晶体管，以及连接至驱动晶体管的栅极的采样晶体管，采样晶体管的栅极共同连接至同一扫描线，并且漏极连接至单独的信号线。
(14)根据(12)的图像显示装置，其中，第一像素电路和第二像素电路中的每个包括与第一自发光元件或第二自发光元件串联连接的驱动晶体管以及连接至驱动晶体管的栅极的采样晶体管，采样晶体管的栅极共同连接至单独的扫描线，并且漏极共同连接至同一信号线。
(15)一种电子装置，包括：
图像显示装置，具有二维布置的多个像素；以及
光接收装置，接收通过图像显示装置入射的光，
其中，在包括多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：
第一发光区；
第二发光区，具有比第一发光区更高的可见光透射率；
第一自发光元件，从第一发光区发射光；
第二自发光元件，从第二发光区发射光；以及
像素电路，控制第一自发光元件和第二自发光元件的发光和光截止，
多个像素中的在除第一像素区以外的第二像素区中的像素包括：
第三发光区，具有比第二发光区低的可见光透射率；以及
第三自发光元件，从第三发光区发射光。
(16)根据(15)的电子装置，其中，光接收装置包括光电转换通过第二发光区入射的光的成像传感器、接收通过第二发光区入射的光并测量距离的距离测量传感器、或基于通过第二发光区入射的光来测量温度的温度传感器中的至少一者。
本公开的各方面不限于上述各个实施例，而是包括各种可想到的变形，并且本公开的效果不限于上述内容。即，在不背离从在权利要求及其等同物中限定的内容得出的本公开的概念构思和主旨的范围内，可进行各种添加、变形、以及部分删除。
附图标记列表
1图像显示装置
2A，2B像素区
2A1第三发光区
2B1第一发光区
2B2第二发光区
5，5a OLED
6b，6d成像传感器
8 像素电路
8a 第一像素电路
8b 第二像素电路
Gate 扫描线
Q1 驱动晶体管
Q2 采样晶体管
Q3，Q3a开关晶体管
RST 复位信号线
Sig 信号线。

Claims (16)

1.一种图像显示装置，包括二维布置的多个像素，
其中，在包括多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：
第一发光区；
第二发光区，具有比所述第一发光区更高的可见光透射率；
第一自发光元件，从所述第一发光区发射光；
第二自发光元件，从所述第二发光区发射光；以及
像素电路，控制所述第一自发光元件和所述第二自发光元件的发光和熄灭，以及
所述多个像素中的在除所述第一像素区以外的第二像素区中的像素包括：
第三发光区，具有比所述第二发光区低的可见光透射率；以及
第三自发光元件，从所述第三发光区发射光。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，所述像素电路在使所述第一自发光元件和所述第二自发光元件都发光和使所述第一自发光元件发光并且使所述第二自发光元件熄灭之间切换。
3.根据权利要求2所述的图像显示装置，其中，所述像素电路在通过所述第一像素区的光入射的光接收装置工作周期，使所述第一自发光元件发光，并且使所述第二自发光元件熄灭，在所述光接收装置不工作周期，使所述第一自发光元件和所述第二自发光元件都发光。
4.根据权利要求3所述的图像显示装置，其中，
所述像素电路包括连接在所述第一自发光元件和所述第二自发光元件之间的第一开关，以及
在使所述第一自发光元件和所述第二自发光元件都发光时，所述第一开关导通，在使所述第一自发光元件发光且所述第二自发光元件熄灭时，所述第一开关截止。
5.根据权利要求4所述的图像显示装置，
其中，所述像素电路还包括与所述第二自发光元件并联连接的第二开关，以及
所述第二开关在所述第一开关导通时截止，所述第二开关在所述第一开关截止时导通。
6.根据权利要求4所述的图像显示装置，其中，所述第一开关包括共源共栅连接在所述第一自发光元件和所述第二自发光元件之间的多个晶体管，并且所述多个晶体管的栅极彼此连接以协作地导通或截止。
7.根据权利要求4所述的图像显示装置，其中，所述第一开关是N型晶体管，并且所述N型晶体管的栅极连接至具有根据所述光接收装置的工作时序而改变的电位的复位信号线。
8.根据权利要求5所述的图像显示装置，其中，
所述第一开关是N型晶体管，
所述第二开关是P型晶体管，以及
所述N型晶体管和所述P型晶体管中每个的栅极共同连接至具有根据所述光接收装置的工作时序而改变的电位的复位信号线。
9.根据权利要求7所述的图像显示装置，其中，所述第一像素区中的一个方向上布置的多个所述N型晶体管的栅极共同连接至所述复位信号线。
10.根据权利要求7所述的图像显示装置，其中，布置在所述第一像素区中的所有所述N型晶体管的栅极共同连接至复位信号线。
11.根据权利要求3所述的图像显示装置，其中，所述像素电路包括控制所述第一自发光元件的发光和熄灭的第一像素电路，以及控制所述第二自发光元件的发光和熄灭的第二像素电路。
12.根据权利要求11所述的图像显示装置，其中，所述第一像素电路和所述第二像素电路具有相同的电路配置。
13.根据权利要求12所述的图像显示装置，其中，每个所述第一像素电路和所述第二像素电路包括与所述第一自发光元件或所述第二自发光元件串联连接的驱动晶体管，以及连接至所述驱动晶体管的栅极的采样晶体管，所述采样晶体管的栅极共同连接至同一扫描线，漏极连接至单独的信号线。
14.根据权利要求12所述的图像显示装置，其中，每个所述第一像素电路和所述第二像素电路包括与所述第一自发光元件或所述第二自发光元件串联连接的驱动晶体管，以及连接至所述驱动晶体管的栅极的采样晶体管，所述采样晶体管的栅极共同连接至单独的扫描线，并且漏极共同连接至同一信号线。
15.一种电子设备，包括：
图像显示装置，包括二维布置的多个像素；以及
光接收装置，接收通过所述图像显示装置入射的光，
其中，在包括所述多个像素中的一些像素的第一像素区中的像素包括：
第一发光区；
第二发光区，具有比所述第一发光区更高的可见光透射率；
第一自发光元件，从所述第一发光区发射光；
第二自发光元件，从所述第二发光区发射光；以及
像素电路，控制所述第一自发光元件和所述第二自发光元件的发光和熄灭，以及
所述多个像素中的在除所述第一像素区以外的第二像素区中的像素包括：
第三发光区，具有比所述第二发光区低的可见光透射率；以及
第三自发光元件，从所述第三发光区发射光。
16.根据权利要求15所述的电子设备，其中，所述光接收装置包括光电转换通过所述第二发光区入射的光的成像传感器、接收通过所述第二发光区入射的所述光并且测量距离的距离测量传感器、以及基于通过所述第二发光区入射的所述光来测量温度的温度传感器中的至少一者。
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