CN115938920A - 半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供与机差或条件无关地能够稳定地成膜的半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。半导体器件的制造方法包括：设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。

Description

半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质
技术领域
本公开涉及半导体器件的制造方法、基板处理装置以及存储介质。
背景技术
已知一种在半导体制造领域中使用的基板处理装置中用微波对基板进行处理的技术(例如，参照专利文献1)。
此外，在现有的微波输出装置中，有因机差或条件的不同而导致处理室内的温度下降，有基板的成膜变得不稳定这样的课题。
现有技术文献
专利文献1：JP特开2011-66254号公报
发明内容
本公开的一个方面的目的在于，提供一种与机差或条件无关地能够稳定地成膜的技术。
根据本公开的一个方面提供一种技术，该技术具备：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及
利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
发明效果
根据本公开的一个方面，提供一种与机差或条件无关地能够稳定地成膜的技术。
附图说明
图1是本公开的一实施方式的基板处理装置所具有的处理室的纵向剖视图。
图2是示出本公开的一实施方式的基板处理装置所具有的控制部的硬件构成的框图。
图3是在本公开的一实施方式的基板处理装置中使用的修正值获取处理的流程图。
图4是示出装置间机差修正表(第一修正表)的设定画面的图。
图5是示出处理模块间机差修正表(第二修正表)的设定画面的图。
图6是示出处理间修正表(第三修正表)的设定画面的图。
图7是示出伴随微波输出和时间经过的温度下降的曲线图。
图8是示出修正值算出例的参考图。
图9是示出本公开的一实施方式的基板处理装置的微波输出值的控制方法的流程图。
其中，附图标记说明如下：
20微波产生部
80控制部
100基板处理装置
102运算装置
104存储装置
204输入输出装置
具体实施方式
以下，参照附图说明本公开的一实施方式。此外，在以下的说明中使用的附图均为示意性的，附图示出的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等与现实中并非必须一致。另外，在多个附图彼此之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等并非必须一致。
＜第1实施方式＞
图1是本公开的实施方式的基板处理装置的处理室的纵向剖视图(垂直剖视图)。基板处理装置100具备处理室10、搬运室(图示省略)、以及微波供给部19。处理室10对基板11进行处理。微波供给部19具备波导路径21、以及波导口22。作为基板11，有例如半导体基板或LCD基板等。此外，也可以在微波供给部19设置微波产生部20。
微波产生部20例如构成为产生固定频率微波或者可变频率微波。作为该微波产生部20，例如使用电子回旋加速器、速调管、振动陀螺仪等。由微波产生部20产生的微波经由波导路径21从与处理室10内连通的波导口22向处理室10内辐射。由此，能够提高介电加热的效率。在波导路径21设有减少波导路径21内部的反射功率的匹配机构26。
微波供给部19包含微波产生部20、波导路径21、波导口22、以及匹配机构26而构成。
形成处理室10的处理容器18例如由铝(Al)或不锈钢(SUS)等金属材料构成。该处理容器18为通过微波将处理室10与外部遮蔽的构造。
在处理室10内设有作为基板支承机构的基板支承销13，该基板支承销13用其上端13A支承基板11。
基板支承销13例如由石英或陶瓷、蓝宝石或者铁氟龙(注册商标)等导热性低且电绝缘性良好的材质形成。在作为这种材质的情况下，抑制基板支承销13的加热。由此，抑制热量从基板11向基板支承销13逸出。通过抑制热量逸出，能够对基板面内均匀地进行加热。另外，通过抑制基板支承销13的加热，能够防止基板支承销13的热变形。另外，基板支承销13构成为多个(在本实施方式中为三根)。
在处理室10的侧壁设有例如供给氮气(N2)等气体的气体供给管52。在气体供给管52，从上游(气体流动方向的上游)按顺序设有气体供给源55、对气体流量进行调整的流量控制装置54、对气体流路进行开闭的开闭阀53。通过对开闭阀53进行开闭，在处理室10内从气体供给管52供给气体或者供给停止气体。从气体供给管52供给的气体用来将处理室10内的氧气浓度设为低氧气浓度、或者对基板11进行冷却、或者作为吹扫气体挤出处理室10内的气体或环境气体。
气体供给部50包含气体供给管52、开闭阀53、流量控制装置54以及气体供给源55而构成。流量控制装置54和开闭阀53与控制部80电连接，由控制部80进行控制。
如图1所示，在例如长方形的处理容器18的下部且在处理室10的侧壁设有将处理室10内的气体排出的气体排出管62。在气体排出管62，从上游起按顺序设有作为排气装置的真空泵64、压力调整阀63。通过调整该压力调整阀63的开度，将处理室10内的压力调整为规定的值。此外，在本实施方式中，作为一例，将处理容器18设为长方形，但本公开不限于该构成。例如，处理容器18可以为圆柱形，也可以为多面体。
气体排出部60包含气体排出管62、压力调整阀63以及真空泵64而构成。压力调整阀63与控制部80电连接，由控制部80进行压力调整控制。
如图1所示，在处理容器18的一侧面设有用于向处理室10的内外搬运基板11的基板搬运口71。在基板搬运口71设有门阀72。构成为通过使门阀驱动部73驱动而打开门阀72，使处理室10内与搬运室内连通。基板搬运部70包括基板搬运口71、门阀72以及门阀驱动部73而构成。在搬运室内设有搬运基板11的搬运机械手(图示省略)。搬运机械手具备在搬运基板11时支承基板11的搬运臂(图示省略)。通过打开门阀72，构成为能够利用搬运机械手在处理室10内与搬运室内之间搬运基板11。
图2是示出控制部80的硬件构成的框图。控制部80具备运算装置102、存储装置104、I/O端口106。运算装置102、存储装置104、以及I/O端口106经由内部总线108以能够进行各种数据交换的方式连接在一起。
作为运算装置102，使用CPU或者专用的运算电路等。
存储装置104具备内部存储介质105。控制基板处理装置100的动作的控制程序、包括后述的基板处理工序或条件等的处理制程等以可读出的方式保存在内部存储介质105内。
此外，处理制程以能够使控制部80执行基板处理工序中的各步骤而得到规定的结果的方式组合，作为程序发挥作用。也将处理制程或控制程序等统称为程序。在此，在本公开中设为程序的情况下，有仅包括处理制程单体的情况、仅包括控制程序单体的情况、或者包括这两方的情况。
在I/O端口106经由总线107连接有微波产生部20、开闭阀53、流量控制装置54、压力调整阀63、真空泵64、门阀驱动部73、搬运机械手等。能够经由I/O端口106将后述的修正后的微波的设定值发送至微波产生部20。
另外，控制部80与网络110连接。网络110由设于半导体制造工厂内的网络、互联网等构成。
另外，在控制部80经由内部总线108连接有输入输出装置204和外部存储装置206。在此，输入输出装置204也为与控制部80一体的构成。作为输入输出装置204，使用显示器、触控面板、操作终端、键盘、鼠标等。外部存储装置206具有外部存储介质207。控制基板处理装置100的动作的控制程序、包括后述的基板处理工序或条件等在内的处理制程等以可读出的方式保存在外部存储介质207内。
也就是说，控制部80通过运算装置102执行存储在存储装置104的内部存储介质105内的程序，经由I/O端口106来控制微波产生部20、开闭阀53、流量控制装置54、压力调整阀63、真空泵64、门阀驱动部73、温度测定器(图示省略)等各构成部的动作。
此外，本公开不限于上述构成。例如，程序可以保存在设于控制部80的外部的外部存储装置206，从外部存储装置206读出并执行，也可以将在外部存储装置206内记录的程序向内部存储介质105移动从内部存储介质105读出并执行。另外，程序也可以设为从与控制部80连接的网络110存储到内部存储介质105再执行。
在此，作为内部存储介质105，例如使用硬盘、CD-ROM、快闪存储器等。另外，作为外部存储介质207，例如使用软盘(FLOPPY，注册商标)、CD-ROM、MO、快闪存储器等。
以下，基于图3、图8以及图9，说明在利用本公开的微波对基板处理装置100内的基板11进行处理(在本实施方式中，进行加热处理)时的微波输出值的控制方法。
(步骤S200)
首先，设定对微波的输出值进行修正的修正系数。具体来说，使用输入输出装置204进行修正系数的设定。在本实施方式中，如图2所示，在存储装置104的内部存储介质105保存有微波信息、装置间机差修正表、处理模块间修正表以及处理间修正表。装置间机差修正表为以修正微波的输出值与利用温度测定器测定出的实际的温度为目的的表，以下，称为“第一修正表”。另外，处理模块间修正表为用于对从开始输出微波产生部20中的微波起随着时间经过而产生输出值的下降进行修正的表，以下，称为“第二修正表”。处理间修正表为用于修正每个处理的基板差的表，以下，称为“第三修正表”。
首先，使用输入输出装置204，在图4示出的第一修正表设定修正系数。具体来说，设定微波的输出值的斜率和偏移量值各自的修正系数。此外，在基板处理装置100具有多个处理室10的情况下，能够在各个处理室10的每个微波产生部20的第一修正表设定修正系数。另外，还能够在所有微波产生部20的第一修正表设定共用的修正系数。
接下来，使用输入输出装置204在图5示出的第二修正表设定修正系数。具体来说，从微波的输出开始每隔经过时间设定微波的输出值的斜率和偏移量值各自的修正系数。此外，在基板处理装置100具备多个处理室10的情况下，能够在针对每个模块(每个处理室10)的第二修正表设定修正系数。
接下来，使用输入输出装置204在图6示出的第三修正表设定修正系数。具体来说，从微波的输出开始每隔经过时间设定微波的偏移量值的修正系数。此外，在基板处理装置100具有多个处理室10的情况下，能够在针对每个模块(每个处理室10)的第三修正表设定修正系数。
(步骤S210)
存储保持设定的修正系数的多个修正表。具体来说，利用存储装置104的内部存储介质105存储分别被设定了修正系数的第一修正表、第二修正表以及第三修正表。
(步骤S220)
接下来，从微波的输出开始周期性地从多个修正表中的至少一个修正表获取修正系数。以下，将获取微波的修正系数并算出微波的输出设定值的修正值的处理称为修正值获取处理。
首先，如图3所示，下载第二修正表(步骤S221)。接下来，判定第二修正表的下载成功与否(步骤S222)。在第二修正表的下载成功的情况下，下载第三修正表(步骤S223)。此外，在第二修正表的下载失败的情况下，修正值获取处理结束。换言之，在不存在第二修正表的情况下，不进行微波的输出设定值的修正。在下载第三修正表之后，判断微波的输出状态、即，微波产生部20的运转状态(步骤S224)。在微波产生部20没有运转的情况下，修正值获取处理结束。在微波产生部20运转而输出了微波的情况下，判断制程步骤是否为单个(步骤S225)。在步骤S225中，在制程步骤为单个的情况下，判断制程的执行状态(步骤S226)。在制程执行状态为未执行的情况下，将从微波的输出开始起的经过时间清除(步骤S227)。此后，前进至步骤S229，从内部存储介质105获取微波的输出设定值。另外，在步骤S225中，在制程步骤不为单个的情况(换言之，制程步骤为多个的情况)下，从内部存储介质105获取从微波的输出开始起的经过时间(步骤S228)。此后，前进至步骤S229。另外，在制程执行状态为执行中的情况下，前进至步骤S228，此后，前进至步骤S229。
在步骤S229中从内部存储介质105获取了微波的输出设定值之后，判断第三修正表的下载成功与否(步骤S230)。在判断为第三修正表的下载成功的情况下，从内部存储介质105获取制程组合的信息(步骤S231)。在此，组合到制程是指，制程记载了进行成膜的顺序、能够以步骤为单位设定用于进行成膜的温度、气体流量、压力设定等。组合示出用于进行与该装置的条件对照地对在该制程中设定的各种设定项目进行修正的信息。接下来，判断在获取的制程组合的信息内是否包括第三修正表的组合的信息(步骤S232)。在包括了第三修正表的组合的信息的情况下，从第三修正表获取修正系数(步骤S233)。在从第三修正表获取了修正系数之后，从第二修正表获取修正系数(步骤S234)。另一个方面，在步骤S230中判断为第三修正表的下载失败的情况下，前进至步骤S234，从第二修正表获取修正系数。换言之，在不存在第三修正表的情况下，使用第二修正表或者第一修正表的某一个进行微波的输出设定值的修正。在从第二修正表获取了修正系数之后，从第一修正表获取修正系数(步骤S235)。
(步骤S240)
接下来，根据在步骤S230中获取到的修正系数算出微波的输出设定值的修正值。具体来说，组合根据第二修正表以及/或者第三修正表获取的修正系数和根据第一修正表获取的修正系数，来算出微波的输出设定值。
图8示出了每个修正表的修正值计算式。步骤S240中的修正值的算出是通过图8的修正值计算式来求出的。此外，各修正值计算式保存在内部存储介质15内。另外，图8示出了在步骤S225中制程步骤为单个的情况下的修正值计算式、和处理制程执行中的情况下的修正值计算式。
当使用图8示出的修正值计算式算出微波的输出设定值的修正值时，修正值获取处理结束。
(步骤S250)
接下来，使用在步骤S240中算出的修正值进行微波的输出设定值的修正。
(步骤S260)
接下来，将基于修正值修正的微波的输出设定值发送至微波产生部20。在微波产生部20中，利用修正后的微波的输出设定值从微波产生部20产生微波。产生的微波被供给至处理室10内，对形成在基板11上的膜进行处理。在此，进行例如膜的加热处理。
通过周期性地重复进行步骤S230～步骤S260，如图7所示，将微波的输出设定值最优化，与不执行本公开的修正值获取处理的构成相比，抑制基板11的温度(也可以为处理室10内的温度)在微波的输出开始之后随着经过时间而下降的情况。此外，在图7中示出的PM1是指不实施修正值获取处理的比较例，PM2是指实施了修正值获取处理的本公开的实施例。另外，CH1与CH2的修正系数的值不同。
本公开的一实施方式的程序是通过作为计算机的控制部80使基板处理装置100执行如下的顺序的程序：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数；
存储保持所设定的修正系数的多个修正表(包括第一修正表、第二修正表以及第三修正表)；
从微波的输出开始周期性地从多个修正表中的至少一个修正表获取修正系数；
根据获取到的修正系数算出微波的输出设定值的修正值；
使用算出的修正值进行微波的输出设定值的修正；以及
以修正后的微波的输出设定值将微波供给至处理室10来对基板11进行处理。
接下来，说明本实施方式的作用和效果。
在本实施方式中，包括：从微波的输出开始周期性地从多个修正表(第一修正表、第二修正表以及第三修正表)中的至少一个修正表获取修正系数的工序；从获取的修正系数算出微波的输出设定值的修正值的工序；使用算出的修正值来修正微波的输出设定值的工序；利用修正后的微波的输出设定值将微波供给至处理室10内来对基板11进行处理的工序。因此，通过与从微波的输出开始起的经过时间以及微波的输出值相匹配地进行微波的输出设定值的修正，能够持续提供稳定的处理室10内的温度。由此，不受在装置间、或者处理模块(处理室10)间的装置的条件左右地能够实现稳定的成膜。
另外，在本实施方式中，多个修正表包括能够设定微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的第一修正表。因此，能够进行用于降低装置间的微波的输出值的差的修正。
另外，在本实施方式中，多个修正表包括能够从微波的输出开始每隔经过时间设定微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的第二修正表。因此，能够进行用于降低处理模块间的微波的输出值的差的修正。
另外，在本实施方式中，多个修正表包括能够从微波的输出开始每隔经过时间设定微波的偏移量值的修正系数的第三修正表。因此，通过与成膜时的制程组合，能够降低以步骤为单位的微波的输出值的差。
另外，在本实施方式中，在进行修正系数的设定的工序中，第一修正表能够设定装置整体共用的修正系数。因此，能够降低在装置间的微波产生部20的机差。
另外，在本实施方式中，在进行修正系数的设定的工序中，第二修正表能够针对每个处理模块设定修正系数。因此，能够降低处理模块间的微波产生部20的机差。
另外，在本实施方式中，在进行修正系数的设定的工序中，第三修正表能够针对每个处理模块设定修正系数。因此，能够降低处理间(制程间)的微波产生部20的差。
另外，在本实施方式中，在算出微波的修正值的工序中，将根据第二修正表以及/或者第三修正表获取到的修正系数和根据第一修正表获取出的修正系数组合来算出微波的输出设定值的修正值。像这样，通过组合多个修正表而算出修正值，能够与条件匹配地修正微波的输出值，降低因处理模块间的机差或装置间的机差引起的差。
另外，在本实施方式中，在获取修正系数的工序中，在不存在第二修正表的情况下，不进行微波的输出设定值的修正。因此，能够防止进行错误修正。
另外，在本实施方式中，在获取修正系数的工序中，在不存在第三修正表的情况下，使用第二修正表或者第一修正表的某一个进行微波的输出设定值的修正。因此，能够进行与条件匹配的微波的输出设定值的修正。
以上、具体说明了本公开的实施方式，但本公开不限于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种各样的变更。在上述各实施方式中，说明了对基板施加处理的情况，但处理对象也可以为光掩模或印刷布线基板、液晶面板、光盘以及磁盘等。
以下，附注本公开的优选的方面。
(附注1)
根据本公开的一个方面，提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法具备：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及
利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
(附注2)
优选地，根据附注1所述的半导体器件的制造方法，
多个所述修正表包括能够设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的装置间机差修正表。
(附注3)
优选地，根据附注1所述的半导体器件的制造方法，
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表。
(附注4)
优选地，根据附注1所述的半导体器件的制造方法，
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表。
(附注5)
优选地，根据附注2所述的半导体器件的制造方法，
在进行所述修正系数的设定的工序中，
所述装置间机差修正表能够设定装置整体共用的修正系数。
(附注6)
优选地，根据附注3所述的半导体器件的制造方法，
在进行所述修正系数的设定的工序中，
所述处理模块间修正表能够针对每个模块设定修正系数。
(附注7)
优选地，根据附注4所述的半导体器件的制造方法，
在进行所述修正系数的设定的工序中，
所述处理间修正表能够针对每个模块设定修正系数。
(附注8)
优选地，根据附注2所述的半导体器件的制造方法，
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表以及/或者能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表，
在算出所述微波的所述修正值的工序中，将根据所述处理模块间修正表以及/或者所述处理间修正表获取到的修正系数、和根据所述装置间机差修正表获取到的修正系数组合，来算出所述微波的输出设定值的修正值。
(附注9)
优选地，根据附注8所述的半导体器件的制造方法，
在获取所述修正系数的工序中，在不存在所述处理模块间修正表的情况下，不进行所述微波的输出设定值的修正。
(附注10)
优选地，根据附注8所述的半导体器件的制造方法，
在获取所述修正系数的工序中，在不存在所述处理间修正表的情况下，使用所述处理模块间修正表或者所述装置间机差修正表的某一个进行所述微波的输出设定值的修正。
(附注11)
根据本公开的一个方面，提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：
对基板进行处理的处理室；
利用微波的输出设定值将所述微波供给至所述处理室内的微波产生部；
输入输出装置，其设定对所述微波的输出值进行修正的修正系数；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的存储装置；以及
运算装置，其从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数，根据获取到的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值，使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正。
(附注12)
根据本公开的一个方面，提供一种程序，该程序通过计算机使基板处理装置执行如下的步骤：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储；
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数；
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值；
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正；以及
利用修正的所述微波的输出设定值将所述微波供给至处理室而对基板进行处理。

Claims (16)

1.一种半导体器件的制造方法，其包括：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数的工序；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的工序；
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数的工序；
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值的工序；
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正的工序；以及
利用修正后的所述微波的输出设定值将所述微波向处理室内供给来对基板进行处理的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
多个所述修正表包括能够设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的装置间机差修正表。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表。
5.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
在进行所述修正系数的设定的工序中，
所述装置间机差修正表能够设定装置整体共用的修正系数。
6.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其中，
在进行所述修正系数的设定的工序中，
所述处理模块间修正表能够针对每个模块设定修正系数。
7.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
在进行所述修正系数的设定的工序中，
所述处理间修正表能够针对每个定义了基板的处理条件的制程设定修正系数。
8.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
多个所述修正表包括能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的斜率和偏移量值各自的修正系数的处理模块间修正表以及/或者能够从开始输出所述微波起每隔经过时间设定所述微波的偏移量值的修正系数的处理间修正表，
在算出所述微波的所述修正值的工序中，将根据所述处理模块间修正表以及/或者所述处理间修正表获取到的修正系数、和根据所述装置间机差修正表获取到的修正系数组合，来算出所述微波的输出设定值的修正值。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，
在获取所述修正系数的工序中，在不存在所述处理模块间修正表的情况下，不进行所述微波的输出设定值的修正。
10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，
在获取所述修正系数的工序中，在不存在所述处理间修正表的情况下，使用所述处理模块间修正表或者所述装置间机差修正表的某一个进行所述微波的输出设定值的修正。
11.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述修正表能够被指定为定义了基板的处理条件的制程的组合信息。
12.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在没有进行所述微波的输出的情况下不算出所述修正值。
13.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述存储部能够存储输出状态、从输出起的经过时间以及设定值，来作为微波信息。
14.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，
在没有对所述基板进行处理的情况下，清除所述经过时间。
15.一种基板处理装置，其具备：
对基板进行处理的处理室；
利用微波的输出设定值将所述微波供给至所述处理室内的微波产生部；
输入输出装置，其设定对所述微波的输出值进行修正的修正系数；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储的存储装置；以及
运算装置，其从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数，从获取到的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值，使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正。
16.一种可由计算机读取的记录介质，其记录有程序，该程序能够通过计算机使基板处理装置执行如下的步骤：
设定对微波的输出值进行修正的修正系数；
对保持所设定的所述修正系数的多个修正表进行存储；
从开始输出所述微波起周期性地从多个所述修正表中的至少一个所述修正表获取所述修正系数；
根据所获取的所述修正系数算出所述微波的输出设定值的修正值；
使用算出的所述修正值进行所述微波的输出设定值的修正；以及
利用修正的所述微波的输出设定值将所述微波供给至处理室而对基板进行处理。
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