CN115935901A - 用于版图处理的方法、设备和介质 - Google Patents

Abstract

根据本公开的示例实施例提供了用于版图处理的方法、设备和介质。在该方法中，将版图的扰动图形划分成多个子图形。该方法还包括针对每个子图形确定扰动信号分量。扰动信号分量用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由该子图形在晶圆中引起的光信号变化。该方法还包括基于针对多个子图形分别确定的多个扰动信号分量，来优化版图。以此方式，可以通过分析扰动图形的各个子图形对光信号变化的影响，来改善版图的质量。

Description

用于版图处理的方法、设备和介质

技术领域

本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及用于版图处理的方法、设备和介质。

背景技术

电路版图（又可以简称为版图）是从设计并模拟优化后的电路所转化成的一系列几何图形，其包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。集成电路制造商根据这些数据来制造掩模。掩模上的版图图案决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。

随着集成电路制造工艺的技术节点的减小，集成电路中的目标图案之间的距离减小，并且掩模上与目标图案相对应的版图图案的密度增加。由于光波会在掩模的版图图案处发生衍射，导致实际形成的图案与版图图案相比产生失真。为此，已经提出光学邻近效应校正（OPC）来调整掩模的版图图案，以便形成期望的目标图案。如何确定版图中各个图形由OPC所调整的位置是值得关注的问题。

发明内容

在本公开的第一方面中，提供了一种用于版图处理的方法。在该方法中，将版图的扰动图形划分成多个子图形。该方法还包括针对每个子图形确定扰动信号分量。扰动信号分量用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由该子图形在晶圆中引起的光信号变化。该方法还包括基于针对多个子图形分别确定的多个扰动信号分量，来优化版图。以此方式，可以通过分析扰动图形的各个子图形对光信号变化的影响，来改善版图的质量。

在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的用于版图处理的方法。

在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的用于版图处理的方法。

根据本公开的实施例，将版图的扰动图形划分成多个子图形。在一些实施例中，各个子图形足够小。多个足够小的子图形可以用于共同模拟扰动图形。根据本公开的实施例，确定各个子图形在模拟基于版图进行光刻的情况下由相应的子图形在晶圆中引起的光信号变化。相应子图形引起的光信号变化由扰动信号分量来表示。基于针对各个子图形分别确定的多个扰动信号分量来优化版图。通过在版图的优化过程中考虑多个扰动信号分量，能够使得后续OPC更容易收敛，最终提升整体光刻工艺良率。具体地，可以根据多个扰动信号分量来移动版图中的图形，从而确保经过光刻后在晶圆上形成的图形尽可能地与期望根据该版图得到的晶圆图形保持一致。

应当理解，本发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。

附图说明

结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：

图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的用于版图处理的方法的流程图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的将扰动图形划分成多个子图形的示意图；

图4示出了根据本公开的一些实施例的对版图进行处理的结果的示意图；

图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备/服务器的框图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。

在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。

随着集成电路制造工艺的技术节点的减小，由于掩模通常具有一定的厚度，掩模的三维效应(M3D)需要考虑。具体地，掩模与入射光线的相互作用不能忽略，例如，入射光与掩模版材料的电磁相互作用、掩模对入射光极化性质的影响等。目前针对掩模的M3D，已经提出采用OPC调整掩模的版图图案。然而，如何确定版图中各个图形的最佳位置是值得关注的问题。目前的针对M3D的OPC方法仍然难以令人满意。

为此，本公开的实施例提出了一种用于版图处理的方法。根据本公开的实施例，将版图的扰动图形划分成多个子图形。在一些实施例中，各个子图形足够小。多个足够小的子图形可以用于共同模拟扰动图形。根据本公开的实施例，确定各个子图形在模拟基于版图进行光刻的情况下由相应的子图形在晶圆中引起的光信号变化。相应子图形引起的光信号变化由扰动信号分量来表示。基于针对各个子图形分别确定的多个扰动信号分量来优化版图。通过在版图的优化过程中考虑多个扰动信号分量，能够使得后续OPC更容易收敛，最终提升整体光刻工艺良率。具体地，可以根据多个扰动信号分量来移动版图中的图形，从而确保经过光刻后在晶圆上形成的图形尽可能地与期望根据该版图得到的晶圆图形保持一致。

以下将参考附图来详细描述该方案的各种示例实现。

首先参见图1，其示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。示例环境100总体上可以包括电子设备110。在一些实施例中，电子设备110可以是诸如个人计算机、工作站、服务器等具有计算功能的设备。本公开的范围在此方面不受限制。

电子设备110获取待处理的版图120（也称为“掩模版图”）作为输入。待处理的版图120中包括待处理的图形122（也被称为待处理的目标图形）和第一扰动图形124。期望经过光刻后能够在晶圆上得到与待处理的图形122对应的图形。第一扰动图形124被施加到待处理的版图120上，用于进行扰动信号分析，以调整待处理的版图120中的待处理的图形122。第一扰动图形124相比待处理的图形122，通常具有较小的尺寸。应理解，图1中示出的各个版图、掩模、目标图形、扰动图形的形状、大小和数目仅仅是示例性的，而不是限制性的。本公开的范围在此方面不受限制。

电子设备110将待处理的版图120进行处理，以得到处理后的版图130。处理后的版图130包括处理后的图形132（也被称为处理后的目标图形）。相比待处理的版图120中的待处理的图形122，处理后的版图130中的处理后的图形132的大小和/或位置发生了变化。例如，处理后的版图130中的处理后的图形132是经过OPC的输出图形，其也可以被称为“OPC后的图形”。处理后的图形132相比待处理的图形122的上述大小和/或位置的变化可以由电子设备110来确定。换句话说，OPC过程中的位移可以由电子设备110来确定。将在下文中结合图2至图3进一步详细描述对版图中的待处理的图形的调整过程或OPC过程。

图2示出了根据本公开的一些实施例的用于版图处理的方法200的流程图。在一些实施例中，方法200可以由如图1所示的电子设备110执行。应当理解的是，方法200还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的某个（或者某些）框，本公开的范围在此方面不受限制。

在框210，电子设备110将版图的扰动图形划分成多个子图形。例如，电子设备110获取待处理的版图120。电子设备110将待处理的版图120中的第一扰动图形124划分成多个子图形。在图1中的矩形形状的第一扰动图形124的示例中，多个子图形可以是多个更小的矩形、多个更小的正方形或者其他适当形状的子图形。

图3示出了根据本公开的一些实施例的将扰动图形划分成多个子图形的示意图。在图3中，示出了第一版图300。第一版图300是图1中的待处理的版图120的示例。在第一版图300中，示出了多个目标图形，即第一目标图形302-1、第二目标图形302-2、… …、第三目标图形302-N，其中N是任意正整数。在本文中，第一目标图形302-1、第二目标图形302-2、……、第三目标图形302-N可以被统称为“目标图形302”，或者单独称为“目标图形302”。目标图形302可以是图1中的待处理的图形122的示例。期望第一版图300在经过光刻后能够在晶圆上得到与多个目标图形302对应的图形。在第一版图300中，还呈现有第二扰动图形310。第二扰动图形310可以是第一扰动图形124的示例。第二扰动图形310的尺寸小于目标图形302的尺寸。第二扰动图形310可以被施加到第一版图300中的任意位置。第二扰动图形310可以具有任意适当形状和大小。在一些实施例中，可以由用户来确定第二扰动图形310形状和大小，以及第二扰动图形310在第一版图300中被施加的位置。本公开的范围在此方面不做限制。

作为示例，电子设备110可以将第二扰动图形310划分成多个子图形，包括第一子图形311-1、第二子图形311-2、第三子图形311-3、第四子图形311-4和第五子图形311-5。出于解释说明的目的，第一子图形311-1、第二子图形311-2、第三子图形311-3、第四子图形311-4和第五子图形311-5可以被统称为子图形311，或者单独称为子图形311。应理解，上述划分仅仅是示例性的，而不是限制性的。第二扰动图形310可以被划分为更多的或更少的子图形。子图形的形状也可以是除矩形外的其他适当的形状，例如任意多边形。各个子图形311的尺寸可以相同，也可以不同。

在一些实施例中，第二扰动图形310的各个子图形311足够小。作为示例，可以对第二扰动图形310的子图形311设置阈值尺寸。阈值尺寸可以由用户预先定义，或者由用户实时键入。电子设备110可以根据阈值尺寸来划分第二扰动图形310，以使得第二扰动图形310的各个子图形311的尺寸小于阈值尺寸。通过将第二扰动图形310划分为多个小于阈值尺寸的子图形311，可以由这些足够小的子图形311来估计整个第二扰动图形310在光刻中在晶圆中引起的光信号变化。将在下文详细描述第二扰动图形310引起的光信号变化的分析过程。

通过设置较小的阈值尺寸，可以将第二扰动图形310划分为更多的子图形。通过将第二扰动图形310划分为更多的子图形，可以更加精细地由多个子图形来模拟第二扰动图形310对版图造成的光信号影响。反之，通过将第二扰动图形310划分为更少的子图形，可以简化计算。针对不同的版图，可以设置相同的阈值尺寸，也可以设置不同的阈值尺寸。可以根据版图的图形特征和约束条件等来设置合适的阈值尺寸，从而将第二扰动图形310划分为适合数目的多个子图形。例如，对于尺寸较大或者约束条件不太严格的版图可以设置相对较大的阈值尺寸。对于尺寸较小或者约束条件较为严格的版图可以设置较小的阈值尺寸。以此方式，能够既能确保较为精细地模拟第二扰动图形310的光信号影响，又能简化计算。

继续参考图2，在框220，电子设备110针对每个子图形确定扰动信号分量。扰动信号分量用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由该子图形在晶圆中引起的光信号变化。作为示例，光信号可以是光强度本身。备选地，光信号可以是光强度的其他形式，例如光强度的平方、光强度的对数、或者其他与光强度有关的参数。在一些实施例中，电子设备110针对第一版图300中的第二扰动图形310的每个子图形311确定扰动信号分量。

在一些实施例中，如果子图形311的尺寸足够小（例如，小于阈值尺寸），则子图形311可以由特征点来表示。子图形311的特征点可以是能够代表子图形311的点，例如子图形311的中心点、子图形311的顶点、或者与子图形311相关联的其他点。电子设备110可以针对第一版图300中的第二扰动图形310的每个子图形311，基于该子图形311的特征点，来确定扰动信号分量。

作为示例，第一子图形311-1的特征点可以是第一子图形311-1的第一中心点321-1，第二子图形311-2的特征点可以是第二子图形311-2的第二中心点321-2，第三子图形311-3的特征点可以是第三子图形311-3的第三中心点321-3，第四子图形311-4的特征点可以是第四子图形311-4的第四中心点321-4，第五子图形311-5的特征点可以是第五子图形311-5的第五中心点321-5。第一中心点321-1、第二中心点321-2、第三中心点321-3、第四中心点321-4和第五中心点321-5可以被统称为“中心点321”或单独称为“中心点321”。

应理解，图3中所示出的子图形特征点的选取仅仅是示例性的，而不是限制性的。子图形的特征点也可选取为能够代表子图形的任意点，本公开的范围在此方面不做限制。此外，子图形的特征点的数目也可以是任意的。例如，可以将第一子图形311-1的四个顶点中的一个或多个确定为第一子图形311-1的特征点。本公开的范围在此方面不做限制。

以第一子图形311-1为例，第一子图形311-1的特征点，即第一中心点321-1的坐标被表示为。由第一子图形311-1引起的光信号可以被表示为下式（1）（也被称为核卷积公式）：

（1）

其中，表示光信号； m表示第一版图300中的目标图形；表示第一子图形311-1的数学表示，在处可以为1，在其他坐标位置处可以为0； k _i 表示第i个参考卷积核（也被称为模型核，model kernel），i = 1，2，…， N， N表示参考卷积核的数目，参考卷积核是用于描述光学系统的成像的；表示卷积运算；表示取实部运算。

在一些实施例中， m可以表示第一版图300中的一个目标图形，例如第一目标图形302-1。可以根据式（1）计算由第一子图形311-1引起的与第一目标图形302-1相关联的光信号。对于其他目标图形302，可以采用类似的方式进行计算。将与各个目标图形302相关联的由第一子图形311-1引起的光信号相加，可以得到第一子图形311-1在第一版图300上引起的光信号。应理解，在一些实施例中， m也可以表示第一版图300中多个目标图形302的集合。在 m表示多个目标图形302的集合的示例中，可以通过式（1）确定出第一子图形311-1在第一版图300上引起的光信号。

在一些实施例中，电子设备110确定与用于进行光刻的掩模有关的三维结构信息。作为示例，三维结构信息可以包括掩模的几何形状、掩模的厚度，等等。电子设备110可以基于三维结构信息，从关于光信号的参考库中查询卷积核与光相位偏移，从而根据式（1）确定出。关于光信号的参考库可以是考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算的。

在一些实施例中，考虑到式（1）中的前两项和的数值通常较小，可以通过计算第三项来表征光信号。以此方式，能够简化光信号的计算。

通过采用上述式（1），可以得到第二扰动图形310的各个子图形311分别引起的光信号，该光信号可以作为子图形311的扰动信号分量。通过将各个子图形311分别引起的扰动信号分量求和或者加权求和，可以得到第二扰动图形310引起的光信号变化。通过将扰动图形划分为足够小的子图形，可以利用各个子图形的特征点来确定扰动图形在晶圆中引起的光信号变化。由此，可以通过将扰动图形划分为多个足够小的子图形，来进行光信号变化分析，从而在后续过程中用于优化版图。

在一些实施例中，版图上设置有测量点。测量点可以是版图上由用户指定的坐标点。电子设备110将对与测量点相对应的晶圆位置处的光信号进行分享。例如，用户可以根据版图的图形特征、约束条件等等，在版图上预先设置一个或多个测量点。在图3的示例中，第一版图300上设置有测量点330。应理解，图3中所示出的测量点的位置、数目仅仅是示例性的，而不是限制性的。可以在第一版图300的任意适当位置设置测量点。第一版图300中可以包括任意数目的测量点。测量点可以位于第一版图300中的目标图形302内部或者外部。本公开的范围在此方面不做限制。

在第一版图300中设置有测量点330的实施例中，第二扰动图形310的子图形311的扰动信号分量可以包括与第一版图300中的测量点330相对应的测量点分量。测量点分量用于模拟在基于第一版图300进行光刻的情况下，由该子图形311在与测量点相对应的晶圆位置处引起的光信号变化。具体而言，子图形311在第一版图300的任意坐标点会引起晶圆的相应位置处的光信号的变化。本方案重点关注的是子图形311在第一版图300的测量点330处引起的晶圆的相应位置处的光信号的变化。

在一些实施例中，对于子图形311，电子设备110可以确定与测量点330相对应的卷积核。该卷积核是与光刻相关联的光学特性的量化表示。

在一些实施例中，电子设备110确定与用于进行光刻的掩模有关的三维结构信息。作为示例，三维结构信息可以包括掩模的几何形状、掩模的厚度，等等。电子设备110进而可以基于三维结构信息，确定由掩模的三维结构引起的光相位偏移。基于光相位偏移和参考卷积核，电子设备110可以确定与测量点330相对应的卷积核。在一些实施例中，光相位偏移是从光相移偏移库中读取的。参考卷积核也可以由卷积核库中读取。光相移偏移库和卷积核库可以是考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算的。光相移偏移库可以是考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算或预确定的。类似地，卷积核库也可以是考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算或预确定的。

接下来，电子设备110可以基于卷积核、测量点330在第一版图300中的第一坐标信息和该子图形311在第一版图300中的第二坐标信息，确定测量点分量。

作为示例，测量点330在第一版图300中的第一坐标信息可以是测量点330在第一版图300中的具体坐标，以表示。在其他实施例中，测量点330在第一版图300中的第一坐标信息也可以是测量点330相对于第一版图300中的某个目标图形302的相对坐标信息。本公开的范围在此方面不做限制。

作为示例，子图形311在第一版图300中的第二坐标信息可以是子图形311的特征点，例如中心点321的具体坐标。在其他实施例中，子图形311在第一版图300中的第二坐标信息也可以是特征点或中心点321相对于第一版图300中的某个目标图形302的相对坐标信息。在子图形311具有多个特征点的实施例中，子图形311在第一版图300中的第二坐标信息可以是各个特征点的具体坐标或者相对坐标。本公开的范围在此方面不做限制。

在一些实施例中，电子设备110可以利用下式（2）来基于卷积核、测量点330在第一版图300中的第一坐标信息和子图形311在第一版图300中的第二坐标信息，确定子图形311的测量点分量。

其中，P表示子图形311的测量点分量；(x_e，y_e)表示测量点330的第一坐标信息；x_p和y_p表示子图形311的第二坐标信息；表示与测量点330相对应的卷积核，k_i表示第i个参考卷积核，i＝1，2，…，N，N表示参考卷积核的数目，参考卷积核是用于描述光学系统的成像的；表示卷积运算；Re{}表示取实部运算。在一些实施例中，电子设备110可以根据与用于进行光刻的掩模有关的三维结构信息，从卷积核相关的库中确定出上述各种关于卷积核的库可以是考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算的。

以上描述了电子设备110对子图形311的扰动信号分量的若干确定过程。在框230，电子设备110基于针对多个子图形311分别确定的多个扰动信号分量，来优化第一版图300。通过在第一版图300的优化过程中考虑多个扰动信号分量，能够使得后续OPC更容易收敛，最终提升整体光刻工艺良率。

在一些实施例中，电子设备110可以基于多个扰动信号分量，确定由扰动图形引起的扰动信号。扰动信号用于模拟在基于第一版图300进行光刻的情况下由第二扰动图形310在晶圆中引起的光信号变化。在一些实施例中，电子设备110可以将多个子图形311的多个扰动信号分量相加，作为扰动信号。作为示例，电子设备110可以将利用式（1）所确定的多个扰动信号分量相加，作为扰动信号。

在一些实施例中，多个子图形311中的至少两个子图形311具有不同的尺寸。在这样的实施例中，可以基于多个子图形311各自的尺寸，确定多个子图形311各自的权重。电子设备110进而可以基于权重，确定多个扰动信号分量的加权和，作为扰动信号。

备选地或附加地，在第一版图300上设置有测量点300的实施例中，在确定了各个子图形311的测量点分量的情况下，电子设备110可以根据这些测量点分量来确定整个第二扰动图形310在测量点330处的测量点扰动信号，以作为扰动信号。测量点扰动信号用于模拟在基于第一版图300进行光刻的情况下，由第二扰动图形310在与测量点330相对应的晶圆位置处引起的光信号变化。

在一些实施例中，电子设备110可以通过对各个子图形的测量点分量求和来确定第二扰动图形310在测量点330处的扰动信号。例如，这种求和匀速可以被表示为下式（3）：

（3）

其中，表示第二扰动图形310在测量点330处的扰动信号。

类似地，在一些多个子图形311具有不同尺寸的实施例中，电子设备110可以通过对各个子图形311的测量点分量进行加权求和或者其他适当的计算来确定第二扰动图形310在测量点330处的扰动信号。本公开在关于扰动信号的计算方式方面不做限制。

通过采用考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算或预确定的各种参考库来确定扰动图形的扰动信号，能够使得所确定的扰动信号能够表征出掩模的M3D效应。应理解，本文中所示出的各种库可以是采用任意适当的方式预先确定或预先计算的。库可以保存为任意的数据格式或形式。库中可以存储有针对不同的掩模的三维结构信息的在不同坐标位置处的各种计算结果。电子设备110可以通过掩模的三维结构信息来在各种库中查询所需要的结果。本公开的范围在此方面不做限制。

上文描述了通过将扰动图形划分为多个子图形来分析扰动图形对光信号变化的影响（即，扰动图形的扰动信号）的过程。接下来，在框230，电子设备110可以基于扰动图形的扰动信号，来优化第一版图300。

作为示例，电子设备110可以基于扰动信号，来计算OPC过程中目标图形302位移的方向和大小。OPC作业是这样的一种版图优化过程，即，优化掩模版图以使得所获得的晶圆图形尽可能接近目标图形，例如目标图形302。电子设备110可以基于扰动信号，来计算OPC过程的位移，以使得所获得的晶圆图形尽可能接近目标图形302。可以采用任意现有的或未来将开发的方式来根据扰动信号确定目标图形302位移的方向和大小。本公开的范围在此方面不做限制。

作为一般性示例，电子设备110可以确定第一版图300的成像成本函数。成像成本可以用于表示光刻工艺的成本。例如，成像成本可以表示在光刻工艺参数的条件下，利用掩模而在晶圆上形成的图形与期望在晶圆上形成的图形之间的差异。第二扰动图形310的扰动信号可以作为成像成本函数的参数。

作为示例，可以采用如下式（4）作为成像成本函数：

Cost( x, y) =( I( x, y)- threshold)²（4）

其中，( x, y)指代版图上的坐标位置，例如( x, y)可以包括各个测量点的坐标位置； Cost( x, y)指代在该坐标位置处的成像成本； I( x, y)指代在该位置处的光信号， I( x, y)可以由版图上的目标图形在该处引起的光信号与第二扰动图形310在该处的扰动信号来确定； threshold指代在该坐标位置处期望得到的光信号。应理解，式（4）仅仅是示例性的，成像成本也可以采用其他适当的函数来确定。

在一些实施例中，电子设备110可以通过使得成像成本函数获得最小值或者获得小于预定成本阈值的较小值，来确定目标图形302的位移的方向和/或大小。也就是说，可以在OPC过程中，在成像成本函数中考虑扰动信号，从而获得能够使得成像成本降低的目标图形302的位移。在采用式（4）作为示例成像成本函数的示例中，通过最小化成像成本函数，能够使得在晶圆上对应于各个测量点处的光信号，例如光强度尽可能地接近在相应测量点处期望得到的光信号。

通过基于扰动信号调整目标图形302的位置，能够降低第一版图300的成像成本。通过降低第一版图300的成像成本，在晶圆上形成的图形与期望在晶圆上形成的图形之间的差异减小了。换句话说，第一版图300及掩模的质量得以提高。

以上描述了根据各个扰动信号分量确定第二扰动图形310的扰动信号，并且基于扰动信号优化第一版图300的若干示例。在一些实施例中，电子设备110可以根据各个扰动信号分量来优化第一版图300，而无需根据各个扰动信号分量确定第二扰动图形310的扰动信号。

作为示例，电子设备110可以根据各个扰动信号分量分别确定目标图形302的位移矢量分量。位移矢量可以表示位移的方向和大小。电子设备110进而可以将所确定的多个位移矢量分量进行求和、加权求和或者其他计算，来确定目标图形302的位移矢量。电子设备110进而根据位移矢量来调整第一版图300中目标图形302的位置。

类似地，电子设备110可以将第二扰动图形310的多个子图形311的多个扰动信号分量作为成像成本函数的参数。电子设备110可以通过使得成像成本函数获得最小值或者获得小于预定成本阈值的较小值，来确定目标图形302的位移的方向和/或大小。也就是说，可以在OPC过程中，在成像成本函数中考虑多个扰动信号分量，从而获得能够使得成像成本降低的目标图形302的位移。

通过基于扰动信号分量调整目标图形302的位置，能够降低第一版图300的成像成本。通过降低第一版图300的成像成本，在晶圆上形成的图形与期望在晶圆上形成的图形之间的差异减小了。换句话说，第一版图300及掩模的质量得以提高。

另一方面，通过采用考虑了与掩模有关的三维结构信息而被预计算或预确定的各种参考库来确定扰动图形的扰动信号或者扰动信号分量，能够使得所确定的扰动信号或扰动信号分量能够表征出掩模的M3D效应。因此，基于扰动信号或扰动信号分量所优化的版图考虑了掩模的M3D效应，从而在晶圆上形成令人满意的图形。

以上结合图2和图3描述了根据本公开的实施例对版图进行处理的若干示例。以此方式，通过在版图的优化过程中考虑多个扰动信号分量，能够使得后续OPC更容易收敛，最终提升整体光刻工艺良率。具体地，在OPC过程中可以根据对扰动图形的多个子图形的多个扰动信号分量的分析来移动版图中的目标图形。备选地，在OPC过程中可以根据对扰动图形的扰动信号的分析来移动版图中的目标图形。通过以此方式移动目标图形，能够减少版图的成像成本，并且在晶圆上形成令人满意的图形。

图4示出了根据本公开的一些实施例的对版图进行处理的结果的示意图。在图4中，示出了第一原始图形410、第二原始图形420、第三原始图形430和第四原始图形440。原始图形也被称为原始目标图形，用于指代未经过处理的版图上的图形。在根据本公开的实施例对版图上的各个原始图形处理之后，可以得到相应的多个优化图形。例如，第一原始图形410可以被调整为第一优化图形415，第二原始图形420可以被调整为第二优化图形425，第三原始图形430可以被调整为第三优化图形435，第四原始图形440可以被调整为第四优化图形445。

通过比较，将版图中的原始图形调整为优化图形，能够降低版图的成像成本。换句话说，根据本公开的实施例对版图中的图形进行移动或调整后，能够提高版图的质量。

图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备/服务器500的框图。该电子设备/服务器500例如可以用于实现如图1所示的电子设备110。应当理解，图5所示出的电子设备/服务器500仅仅是示例性的，而不应当构成对本文所描述的实施例的功能和范围的任何限制。

如图5所示，电子设备/服务器500是通用电子设备的形式。电子设备/服务器500的组件可以包括但不限于一个或多个处理器510或处理单元、存储器520、存储设备530、一个或多个通信单元540、一个或多个输入设备550以及一个或多个输出设备560。处理单元可以是实际或虚拟处理器并且能够根据存储器520中存储的程序来执行各种处理。在多处理器系统中，多个处理单元并行执行计算机可执行指令，以提高电子设备/服务器500的并行处理能力。

电子设备/服务器500通常包括多个计算机存储介质。这样的介质可以是电子设备/服务器500可访问的任何可以获得的介质，包括但不限于易失性和非易失性介质、可拆卸和不可拆卸介质。存储器520可以是易失性存储器（例如寄存器、高速缓存、随机访问存储器（RAM））、非易失性存储器（例如，只读存储器（ROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、闪存）或它们的某种组合。存储设备530可以是可拆卸或不可拆卸的介质，并且可以包括机器可读介质，诸如闪存驱动、磁盘或者任何其他介质，其可以能够用于存储信息和/或数据（例如用于训练的训练数据）并且可以在电子设备/服务器500内被访问。

电子设备/服务器500可以进一步包括另外的可拆卸/不可拆卸、易失性/非易失性存储介质。尽管未在图5中示出，可以提供用于从可拆卸、非易失性磁盘（例如“软盘”）进行读取或写入的磁盘驱动和用于从可拆卸、非易失性光盘进行读取或写入的光盘驱动。在这些情况中，每个驱动可以由一个或多个数据介质接口被连接至总线（未示出）。存储器520可以包括计算机程序产品525，其具有一个或多个程序模块，这些程序模块被配置为执行本公开的各种实施例的各种方法或动作。

通信单元540实现通过通信介质与其他电子设备进行通信。附加地，电子设备/服务器500的组件的功能可以以单个计算集群或多个计算机器来实现，这些计算机器能够通过通信连接进行通信。因此，电子设备/服务器500可以使用与一个或多个其他服务器、网络个人计算机（PC）或者另一个网络节点的逻辑连接来在联网环境中进行操作。

输入设备550可以是一个或多个输入设备，例如鼠标、键盘、追踪球等。输出设备560可以是一个或多个输出设备，例如显示器、扬声器、打印机等。电子设备/服务器500还可以根据需要通过通信单元540与一个或多个外部设备（未示出）进行通信，外部设备诸如存储设备、显示设备等，与一个或多个使得用户与电子设备/服务器500交互的设备进行通信，或者与使得电子设备/服务器500与一个或多个其他电子设备通信的任何设备（例如，网卡、调制解调器等）进行通信。这样的通信可以经由输入/输出（I/O）接口（未示出）来执行。

根据本公开的示例性实现方式，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有一条或多条计算机指令，其中一条或多条计算机指令被处理器执行以实现上文描述的方法。

这里参照根据本公开实现的方法、装置（系统）和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。

这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。

也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上，使得在计算机、其他可编程数据处理装置或其他设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。

附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实现的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

以上已经描述了本公开的各实现，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所公开的各实现。在不偏离所说明的各实现的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实现的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文公开的各实现。

Claims (11)

1.一种版图处理方法，其特征在于，包括：

将版图的扰动图形划分成多个子图形；

针对每个子图形确定扰动信号分量，所述扰动信号分量用于模拟在基于所述版图进行光刻的情况下由该子图形在晶圆中引起的光信号变化；以及

基于针对所述多个子图形分别确定的多个所述扰动信号分量，来优化所述版图。

2.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，所述扰动信号分量包括与所述版图中的测量点相对应的测量点分量，所述测量点分量用于模拟在基于所述版图进行光刻的情况下，由该子图形在与所述测量点相对应的晶圆位置处引起的光信号变化，

并且针对每个子图形确定所述扰动信号分量包括：

确定与所述测量点相对应的卷积核，所述卷积核是与所述光刻相关联的光学特性的量化表示；以及

基于所述卷积核、所述测量点在所述版图中的第一坐标信息和该子图形在所述版图中的第二坐标信息，确定所述测量点分量。

3.根据权利要求2所述的版图处理方法，其特征在于，确定与所述测量点相对应的所述卷积核包括：

确定与用于进行所述光刻的掩模有关的三维结构信息；

基于所述三维结构信息，确定由所述掩模的三维结构引起的光相位偏移；以及

基于所述光相位偏移和参考卷积核，确定与所述测量点相对应的所述卷积核。

4.根据权利要求3所述的版图处理方法，其特征在于，所述三维结构信息包括以下至少一项：

所述掩模的几何形状，

所述掩模的厚度。

5.根据权利要求3所述的版图处理方法，其特征在于，所述光相位偏移是从光相移偏移库中读取的。

6.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，基于针对所述多个子图形分别确定的多个所述扰动信号分量来优化所述版图包括：

基于多个所述扰动信号分量，确定由所述扰动图形引起的扰动信号，所述扰动信号用于模拟在基于所述版图进行光刻的情况下由所述扰动图形在所述晶圆中引起的光信号变化；以及

基于所述扰动信号，优化所述版图。

7.根据权利要求6所述的版图处理方法，其特征在于，确定由所述扰动图形引起的所述扰动信号包括：

将多个所述扰动信号分量相加，作为所述扰动信号。

8.根据权利要求6所述的版图处理方法，其特征在于，所述多个子图形中的至少两个子图形具有不同的尺寸，并且确定由所述扰动图形引起的所述扰动信号包括：

基于所述多个子图形各自的尺寸，确定所述多个子图形各自的权重；以及

基于所述权重，确定多个所述扰动信号分量的加权和，作为所述扰动信号。

9.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，所述多个子图形中的每个子图形的尺寸小于阈值尺寸。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理单元；以及

至少一个存储器，所述至少一个存储器被耦合到所述至少一个处理单元并且存储用于由所述至少一个处理单元执行的指令，所述指令在由所述至少一个处理单元执行时使所述电子设备执行根据权利要求1至9中任一项所述的方法。

11.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至9中任一项所述的方法。

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