CN117010318B - 用于版图处理的方法、设备和介质 - Google Patents

Abstract

根据本公开的示例实施例提供了用于版图处理的方法、设备和介质。在该方法中，获取针对版图的扰动信息，该扰动信息指示分别由版图中的多个采样点对光信号引起的扰动；基于版图中的图形的至少一个顶点在版图上的相应位置和扰动信息，确定分别与至少一个顶点对应的至少一个扰动值；以及基于至少一个扰动值，确定图形的扰动信号，扰动信号用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由图形在晶圆上引起的光信号变化。以此方式，可以根据版图的扰动信息来确定图形在晶圆上引起的光信号变化。

Description

用于版图处理的方法、设备和介质

技术领域

本公开的实施例主要涉及集成电路领域，并且更具体地，涉及用于版图处理的方法、设备和介质。

背景技术

电路版图（又可以简称为版图）是从设计并模拟优化后的电路所转化成的一系列几何图形，其包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据。集成电路制造商根据这些数据来制造掩模。掩模上的版图图案决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。

随着集成电路制造工艺的技术节点的减小，集成电路中的目标图案之间的距离减小，并且掩模上与目标图案相对应的版图图案的密度增加。由于光波会在掩模的版图图案处发生衍射，导致实际形成的图案与版图图案相比产生失真。为此，已经提出光学邻近效应校正（OPC）来调整掩模的版图图案，以便形成期望的目标图案。OPC通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。因此，OPC需要确定可能的掩模扰动引起的光信号差异，即扰动信号，进而改变掩膜上的图形形状，改善掩膜质量。

发明内容

在本公开的第一方面中，提供了一种用于版图处理的方法。在该方法中，获取针对版图的扰动信息。该扰动信息指示分别由版图中的多个采样点对光信号引起的扰动。该方法还包括基于版图中的图形的至少一个顶点在版图上的相应位置和扰动信息，确定分别与至少一个顶点对应的至少一个扰动值。该方法还包括基于至少一个扰动值，确定图形的扰动信号，扰动信号用于模拟在基于版图进行光刻的情况下由图形在晶圆上引起的光信号变化。以此方式，可以通过分析扰动图形对光信号变化的影响，来改善版图的质量。

在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备。该电子设备包括处理器、以及与处理器耦合的存储器。该存储器具有存储于其中的指令，指令在被处理器执行时使电子设备执行根据本公开的第一方面的用于版图处理的方法。

在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序。计算机程序在被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的用于版图处理的方法。

根据本公开的实施例，首先获取指示分别由版图中多个采样点引起的光信号变的该版图的扰动信息。对于版图中的图形（例如扰动图形），根据该图形的多个顶点的位置从已获取的版图的扰动信息中匹配得到这多个顶点对应的扰动值。进一步基于这多个顶点对应的扰动值，得到该图形的扰动信号以此方式，通过在版图的优化过程中预先确定版图的扰动信息（多个采样点引起的光信号变化），能够快速确定扰动图形的扰动信号。基于快速确定出的扰动信号，优化版图设计，进而确保经过光刻后在晶圆上形成的图形尽可能地与期望根据该版图得到的晶圆图形保持一致。

应当理解，本发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键特征或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其他特征将通过以下的描述而变得容易理解。

附图说明

结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。在附图中，相同或相似的附图标注表示相同或相似的元素，其中：

图1示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境的示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的用于版图处理的方法的流程图；

图3A示出了根据本公开的一些实施例的用于获取版图的扰动信息的示意图；

图3B示出了根据本公开的一些实施例的用于获取版图的扰动信息的另一示意图；

图4A示出了根据本公开的一些实施例的确定版图中的图形的扰动信号的示意图；

图4B示出了根据本公开的一些实施例的确定版图中的图形的扰动信号的另一示意图；

图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的电子设备的框图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的实施例。虽然附图中显示了本公开的某些实施例，然而应当理解的是，本公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本公开的保护范围。

在本公开的实施例的描述中，术语“包括”及其类似用语应当理解为开放性包含，即“包括但不限于”。术语“基于”应当理解为“至少部分地基于”。术语“一个实施例”或“该实施例”应当理解为“至少一个实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。

如上文所简要提及的，OPC通过改变掩模上的图形形状，来改变光刻过程中晶圆表面的光强分布，从而补偿由光学邻近效应导致的图形转移失真。在深亚微米的半导体制造中，由于关键图形的临界尺寸已经远远小于光源的波长，由此带来的掩膜图形和晶圆表面实际产生的图形之间的失真更为明显。例如，产生的失真包括线宽的变化，转角的圆化，线长的缩短等。为此，OPC需要确定可能的掩模扰动引起的光信号差异，即扰动信号。本公开实施中的“扰动”是来自掩模上的元素的移动，例如线段的移动。这种掩模上元素的变化，即为掩模扰动。相应地，在晶圆上产生的光信号强度的变化即为扰动信号。在确定出扰动信号后，可进一步确定掩模移动的方向和位移量。进而能够快速可靠地在晶圆上产生良好光刻胶轮廓，从而获得良好的光刻图案。

为此，本公开的实施例提出了一种用于版图处理的方法。根据本公开的实施例，预先获取版图中多个采样点引起的光信号变化也即该版图的扰动信息。对于版图中的图形（例如扰动图形），根据该图形的多个顶点的位置从预先确定的该版图的扰动信息中匹配得到这多个顶点对应的扰动值基于该多个顶点对应的扰动值，从而能够快速得到该图形的扰动信号以此方式，通过在版图的优化过程中预先确定多个采样点对应的扰动值，能够快速确定扰动图形的扰动信号。基于该图形的扰动信号，能够优化版图设计，进而确保经过光刻后在晶圆上形成的图形尽可能地与期望根据该版图得到的晶圆图形保持一致。

以下将参考附图来详细描述该方案的各种示例实现。

首先参见图1，其示出了本公开的各实施例能够在其中实现的示例环境100的示意图。示例环境100总体上可以包括电子设备110。在一些实施例中，电子设备110可以是诸如个人计算机、工作站、服务器等具有计算功能的设备。本公开的范围在此方面不受限制。

电子设备110获取待处理的版图120（也称为“掩模版图”）作为输入。待处理的版图120中包括图形121。图形121可以是扰动图形，也可以是版图120中的其他的任意图形。版图120中还可以包括除图形121外的目标图形（未示出）。在本文中，目标图形指的是期望经过光刻后能够在晶圆上得到与其对应的图形。电子设备110可以针对图形121进行模拟计算以确定得到图形121的扰动信号130。

在一些实施例中，电子设备110还可以与客户端（图中未示出）进行交互。例如，电子设备110可以接收来自客户端的输入消息，并向客户端输出反馈消息。在一些实施例中，来自客户端的输入消息可以指定图形121。电子设备110可以针对输入消息中指定的图形121进行扰动分析，例如，模拟计算以确定图形121的扰动信号130。该扰动信号130可用于确定掩模的移动方向和位移量。将在下文结合图2至图4B描述确定图形121的扰动信号130的若干示例。

在一些实施例中，电子设备110可以包括但不限于个人计算机、服务器计算机、手持或膝上型设备、移动设备（诸如移动电话、个人数字助理PDA、媒体播放器等）、消费电子产品、小型计算机、大型计算机、云计算资源等。

应理解，图1中示出的版图、掩模、扰动图形的形状、大小和数目仅仅是示例性的，而不是限制性的。本公开的范围在此方面不受限制。

如前所述，期望对版图120中的图形121进行扰动分析。以下结合图2至图4B进一步详细描述对版图120中的图形121进行扰动分析的过程。

图2示出了根据本公开的一些实施例的用于版图处理的方法200的流程图。在一些实施例中，方法200可以由如图1所示的电子设备110执行。应当理解的是，方法200还可以包括未示出的附加框和/或可以省略所示出的某个（或者某些）框，本公开的范围在此方面不受限制。

在框210，电子设备110获取针对版图120的扰动信息。扰动信息指示分别由版图120中的多个采样点对光信号引起的扰动。在一些实施例中，光信号可以包括光强度。对光信号引起的扰动可以指代光强度的变化。

在一些实施例中，可以针对多个采样点中的每个采样点，预先获取每个采样点的参考扰动值，也即每个采样点引起的光信号变化。基于多个参考扰动值，进而生成针对版图120的扰动信息。作为示例，可以基于全部采样点或者部分采样点的参考扰动值，生成针对版图120的扰动信息。例如，可以将全部采样点中对应的参考扰动值较为接近的若干采样点由至少一个采样点来代表，而将其余具有相近参考扰动值的采样点移除。下面将介绍获取采样点的参考扰动值的示例过程。

在一些示例过程中，首先，针对多个采样点中的每个采样点，可以基于该采样点、预定方向和版图120的边界，确定版图120中的子区域。基于该子区域，确定与该采样点对应的参考扰动值。该参考扰动值用于模拟由该子区域在晶圆上产生的光信号。

作为示例，预定方向可以是与版图120的预定边界（例如，下方边界或者其他适当的边界）呈45度或135度的方向。应理解，本文所列举的示例预定方向、预定边界仅仅是示例性的，而不是限制性的。可以针对相对版图120的任意边界的任意适当的预定方向，来确定版图120中的子区域，从而确定出与该采样点对应的参考扰动值。基于针多个采样点分别生成参考扰动值，电子设备110进而可以生成针对版图120的扰动信息。

以下将结合图3A描述确定多个采样点的参考扰动值的示例过程。在图3A的示例中，假设预定方向是与版图的下方边界呈45度的方向。电子设备110可以通过模拟计算来确定各个参考扰动值。电子设备110可以预先确定模拟版图120（也称为掩膜）的预定区域或范围。该被模拟的区域可以称为模拟窗口，电子设备110在该模拟窗口内进行模拟计算。

作为示例，参考图3A，电子设备110呈现第一模拟窗口300A。该第一模拟窗口300A可以表示版图120的部分或全部区域。在第一模拟窗口300A中可以设置有多个采样点。接下来以在版图中的坐标为(x, y)的第一采样点311为例描述参考扰动值的确定过程。如图3A所示，基于该第一采样点311以及与第一模拟窗口300A（即，版图120的部分或全部区域）的下方边界322呈45°的预定方向，来确定第一子区域310（即图3A中的子区域m）。

针对第一子区域310，电子设备110可以进一步确定该第一子区域310对应的光信号例如光强度，即以该第一子区域310进行光刻时在晶圆上产生的光信号的强度值。在本公开实施例中，可以将该第一子区域310对应的光信号值作为与该第一采样点311对应的参考扰动值。换言之，该第一采样点311的参考扰动值用于模拟由确定出的第一子区域310在晶圆上产生的光信号。

在一些实施例中，可以确定用于模拟光刻过程的卷积核。该卷积核是与光刻过程相关联的光学特性的量化表示。在一些实施例中，卷积核可以从预先确定的一组参考卷积核中得出。电子设备110可以将第一子区域310与卷积核的卷积值确定为该第一采样点311的参考扰动值。

作为示例，卷积核可以被描述为核（Kernel）函数。核函数在光刻模型中用于模拟光刻行为。在一些实施例中，核函数是光刻模型中预设的函数。例如，核函数可以是光刻模型中用于模拟光刻行为的基础函数。光刻模型中可以具有多个核函数。每个核函数可以描述光刻行为的不同方面。在一些实施例中，可以基于具体的光刻需要，来选择使用不同的核函数。备选地或附加地，在一些实施例中，可以通过分解描述光刻系统的透射交叉系数（TCC）矩阵来得到该光刻系统的核函数。核函数的确定方法在此不做限制。

在一些实施例中，核函数包括多个线性函数。在这种实施例中，可以分别确定第一子区域310的尺寸与多个线性函数的分量卷积值。可以将分别确定的分量卷积值之和确定为卷积值。也就是说，在一些实施例中，可以先确定第一子区域310的尺寸与多个线性函数的卷积值（此处称为分量卷积值），之后对分别确定的分量卷积值求和，以获得总的卷积值。

在一些实施例中，光信号I(x, y)可以采用下式(1)来确定：

(1)

其中，表示OPC模型的核函数；/>表示子区域的尺寸；Na表示核函数的数目；/>表示光强度分布；/>表示卷积运算。

举例说明，参考图3A，图3A中(0,0)表示核函数以(0,0)为原点。在一些实施例中，可以基于针对第一子区域310的第一采样点311的坐标值(x，y)，根据式(1)进行计算得到第一子区域310在晶圆上产生的光信号，即，第一采样点311的参考扰动值。

应理解，上述列举的确定光信号的方式仅仅是示意性的，本公开的实施例并不限于上述方式。上述列举的式（1）或核函数仅仅是示意性的，而不是限制性的。本领域技术人员基于本申请公开内容的教导，将理解还可以通过其他适当的数学运算来确定光信号。

以上以第一采样点311为例描述了利用卷积核获取单个采样点的参考扰动值的过程。在本公开的一些实施例中，可以在第一模拟窗口300A中设置多个采样点。可以预先计算出多个采样点的参考扰动值，并将其存储为版图120的扰动信息。作为示例，这些采样点可以例如根据预定的间隔来确定，可以被随机选择，或者可以由用户任意选择得出。

备选地或附加地，在一些实施例中，在确定出针对第一采样点311的第一子区域310后，可以通过多次逐渐增大子区域，来将增大后的子区域的顶点作为新的采样点。针对该新的采样点，根据核函数计算卷积值，从而得到多个新的采样点的参考扰动值。

参考图3A，可沿着第一方向如第一水平箭头320指示的水平方向按照第一步进值增大子区域m。备选地或附加地，还可以沿着第二方向如第一垂直箭头330指示的垂直方向按照第二步进值增大子区域m。本公开实施例不限定第一步进值和第二步进值的取值。每次增大子区域m后，可以将增大后的区域的右上角顶点（例如，(x’,y’)）作为新的采样点。采用上文提及的方案计算该增大后的子区域（例如可以描述为m'）对应的光信号值，并且将该光信号值作为新的采样点的参考扰动值。以此方式，能够确定出第一模拟窗口300A内的多个采样点的相应参考扰动值，从而获取版图120的扰动信息。

如前所述，针对采样点确定子区域时所采样的预定方向还可以是其他方向。图3B中示出了针对135度的预定方向来确定多个采样点对应的子区域的参考扰动值的示例。作为示例，参考图3B，电子设备110呈现第二模拟窗口300B。该第二模拟窗口300B可以表示版图120的部分或全部区域。针对在版图120中的坐标为(a, b)的第二采样点341，基于该第二采样点341以及与版图120的边界呈135度的预定方向的第二子区域340（图3B中的子区域n），可以确定出该第二子区域340的光信号值作为第二采样点341的参考扰动值。该第二采样点341的参考扰动值用于模拟由确定出的第二子区域340在晶圆上产生的光信号。

在本公开的一些实施例中，确定前文提及的第一采样点311的参考扰动值的过程同样适用于确定第二采样点341的参考扰动值。也即，电子设备110可以将第二子区域340与卷积核的卷积值确定为该第二采样点341的参考扰动值。举例说明，参考图3B，图3B中(0,0)同样表示核函数以(0,0)为原点。在一些实施例中，可以基于针对第二子区域340的第二采样点341的坐标值(a, b)，根据式(1)进行计算得到第二子区域340在晶圆上产生的光信号。也即，第二采样点341的参考扰动值。

备选地或附加地，在一些实施例中，在确定出针对第二采样点341的第二子区域340后，可以通过多次逐渐增大子区域，来将增大后的子区域的顶点作为新的采样点。针对该新的采样点，根据核函数计算卷积值，从而得到多个新的采样点的参考扰动值。举例说明，参考图3B，可沿着第三方向如第二水平箭头350所指示的水平方向按照第三步进值增大子区域n，还可以沿着第四方向如第二垂直箭头360指示的垂直方向按照第四步进值增大子区域n。本公开实施例不限定第三步进值和第四步进值的取值。每次增大子区域n后，可以将增大后的区域的右上角顶点（例如，(a’, b’)）作为新的采样点。采用上文提及的方案计算该增大后的子区域（例如可以描述为n'）对应的图形光信号值，并且将该图形光信号值作为新的采样点的参考扰动值。以此方式，能够确定出第二模拟窗口300B内的多个采样点的相应参考扰动值，从而获取版图120的扰动信息。

在得到针对多个采样点分别生成的参考扰动值后，可以基于针对多个采样点分别生成的参考扰动值，生成版图的扰动信息。在一些实施例中，可以将多个采样点的参考扰动值（也即前文计算得到的多个卷积值）存储在表格中以备后续方便地查找。当然，除了存储为表格的形式，还可以存储为其他形式，此处不作限定。

在上文所示的实施例中，可以由图1所示的电子设备110来获取每个采样点的参考扰动值。备选地，也可以由其他设备来获取各个采样点的参考扰动值，并将所获取的结果发送给电子设备110。例如，可以将存储各个参考扰动值的表格发送给电子设备110。

应当理解，虽然在图3A与图3B的示例中以45度与135度的预定方向为例进行了描述，但这仅仅是示意性的，而不是限制性的。可以在针对任意预定方向，确定一组采样点的参考扰动值。

在一些实施例中，可以将针对不同预定方向所确定出的一组采样点的参考扰动值共同存储或者单独存储。例如，可以针对相同采样点、针对不同预定方向确定出多个参考扰动值。这些关联于不同预定方向的多个参考扰动值与该采样点及对应的预定方向相关联的存储。

通过以上过程，电子设备110能够获取版图120的扰动信息，也即多个采样点的参考扰动值。接下来这些采样点的参考扰动值将可以被用于快速确定版图120中的图形121的扰动信号。例如，扰动图形的扰动信号。

以此方式，能够模拟计算所有可能的掩模变化，并记录相应的信号变化量，例如存储到表中。例如，在一些实施例中，存储计算结果的表中，存储有与每个参考扰动值对应的采样点的坐标以及对应的子区域的预定方向。

继续参考图2，，电子设备110基于版图120中的图形121的至少一个顶点在版图120上的相应位置和版图120的扰动信息，确定分别与至少一个顶点对应的至少一个扰动值。

在一些实施例中，针对图形121的至少一个顶点中的第一顶点，可以直接基于第一顶点在版图120上的相应位置，从多个采样点中选择目标采样点。这种直接基于第一顶点在版图120上的位置选择目标采样点的方式例如可以适用于在版图120上未设置测量点的示例。

应理解，第一顶点可以指代图形121的任意一个顶点。基于第一顶点在版图120上的位置，可以将多个采样点中与第一顶点的位置或坐标相同的采样点选择为目标采样点。如果未找到与第一顶点的位置相同的采样点，那么还可以将与第一顶点的位置最为接近的采样点作为目标采样点。然后，基于扰动信息所指示的由目标采样点引起的扰动，确定与第一顶点对应的扰动值。也即，可以将目标采样点引起的扰动，例如查找前文提及的已存储的表格确定目标采样点的参考扰动值。该目标采样点的参考扰动值可以被确定为第一顶点对应的扰动值。

在一些实施例中，版图120上设置有测量点。测量点可以是版图120上由用户指定的坐标点。电子设备110将对与测量点相对应的晶圆位置处的光信号进行分析。例如，用户可以根据版图120的图形特征、约束条件等等，在版图120上预先设置一个或多个测量点。

作为示例，参考图4A，第一版图400A上设置有第一测量点420，其在第一版图400A中的位置可表示为(x0, y0)。应理解，图4A中所示出的测量点的位置、数目仅仅是示例性的，而不是限制性的。可以在第一版图400A的任意适当位置设置测量点。第一版图400A中可以包括任意数目的测量点。测量点可以位于第一版图400A中的第一图形410内部或者外部。本公开的范围在此方面不做限制。

在版图中设置有测量点的实施例中，图形的扰动信号指示由图形在版图的测量点处引起的光信号变化。那么，针对图形的至少一个顶点中的第一顶点，需要基于该第一顶点与测量点的相对位置，从多个采样点中选择目标采样点。在一些实施例中，第一顶点与测量点的相对位置由版图中的坐标表示，那么可以通过坐标转换等方式确定版图中的与该坐标对应的目标位置。并且将多个采样点中与该目标位置最接近的采样点确定为目标采样点。然后，基于扰动信息所指示的由目标采样点引起的扰动，确定与第一顶点对应的扰动值。

仍然参考图4A，对于第一图形410而言，可以分别确定第一顶点411、第二顶点412、第三顶点413以及第四顶点414对应的扰动值。由于第一版图400A中设置了第一测量点420，那么需要结合第一顶点411、第二顶点412、第三顶点413以及第四顶点414这四个顶点的坐标(x1, y1)、(x2, y2)、(x3, y3)、(x4, y4)与第一测量点420的坐标(x0, y0)，将这四个顶点的坐标进行坐标转换后得到这四个顶点分别对应的转换后的坐标。这四个顶点的转换后的坐标可以表示这四个顶点相对于测量点的位置。进而基于这四个顶点的转换后的坐标能够得到这四个顶点在第一版图400A中的位置。然后再基于这四个顶点在第一版图400A中的位置选取四个目标采样点，并将这四个目标采样点的扰动值作为这四个顶点对应的扰动值。

在一些实施例中，针对多个采样点中的每个采样点，扰动信息指示分别与第一版图400A中的多个预定方向对应的参考扰动值。例如，对于某个采样点而言，扰动信息中既包括与第一版图400A的预定边界呈45度这一方向的参考扰动值，又包括与第一版图400A的预定边界呈135度这一方向的参考扰动值。也即相当于存储了该采样点在两个预定方向对应的参考扰动值。那么，可以首先确定第一顶点与至少一个顶点中的相邻顶点之间的相对方向，然后从这多个预定方向中选择与相对方向匹配的预定方向。再将该目标采样点的与所选择的预定方向对应的参考扰动值确定为与第一顶点对应的扰动值。

作为举例，这里的多个预定方向可以包括如图3A所示的与版图120的预定边界呈45度的方向和如图3B所示的与版图120的预定边界呈135度的方向。

示例性地，参考图4B，对于第二版图400B中的第五顶点431而言，该第五顶点431与相邻的第六顶点432之间的相对方向与45度这一预定方向匹配。那么，可以得到第五顶点431这一采样点在45度这一方向的参考扰动值。此外，可以确定该第五顶点431与相邻第七顶点433之间的相对方向为与135度这一预定方向匹配。那么，可以得到第五顶点431这一采样点在135度这一方向的参考扰动值。

再次返回图2。在框230，电子设备110基于图形121的至少一个顶点的至少一个扰动值，确定图形121的扰动信号。该扰动信号用于模拟在基于版图120进行光刻的情况下由图形121在晶圆上引起的光信号变化。

在一些实施例中，可以对多个顶点对应的扰动值进行线性运算，将线性运算的结果确定为扰动信号。具体而言，可以基于图形121的多个顶点，得到多个子区域。然后确定这多个子区域对应的采样点，对这些采样点的扰动值进行组合运算来得到该图形121的扰动信号。对采样点的扰动值的组合运算基于多个子区域组合得到图形121的组合操作确定。这里的组合操作可以包括合并操作和剪切操作（也称为去除操作）。合并操作对应的组合运算为求和运算，剪切操作对应的组合运算为求差运算。

换言之，可以确定分别与图形121的至少一个顶点对应的至少一个子区域，每个子区域限定对应的顶点在预定方向上与版图120的边界形成的区域。然后，确定用于将至少一个子区域组合成图形121的组合操作。该组合操作可以包括子区域合并操作或子区域剪切操作中的至少一项。之后，可基于该组合操作和至少一个扰动值，确定图形121的扰动信号。

在一些实施例中，如果组合操作包括从第一子区域去除第二子区域。第一子区域对应于第一顶点，并且第二子区域对应于第二顶点。那么相应的，可以通过第一扰动值与第二扰动值的差值，来确定扰动信号。第一扰动值为第一顶点的扰动值，并且第二扰动值为第二顶点的扰动值。

举例而言，参考图4A，第一图形410的扰动信号可基于以下方式确定。可以确定第一图形410的第四顶点414对应的子区域，进而确定该子区域所对应的光信号强度值，即确定(x4, y4)处所对应的卷积值，记为c4。类似地，确定第一图形410的第三顶点413对应的子区域，进而确定该子区域所对应的光信号强度值，即确定(x3, y3)处所对应的卷积值，记为c3。确定第一图形410的第二顶点412对应的子区域，进而确定该子区域所对应的光信号强度值，即确定(x2, y2)处所对应的卷积值，记为c2。确定第一图形410的第一顶点411对应的子区域，进而确定该子区域所对应的光信号强度值，即确定(x1, yl)处所对应的卷积值，记为c1。

如前面所提到的，可将子区域的坐标代入式(1)来计算卷积值。在一些实施例中，在确定了子区域的坐标的情况下，即可确定其对应的卷积值。如前所述，多个采样点的参考扰动值都已经预先计算并存储了，例如已经存储在查找表中。在一些实施例中，可通过前面所提到的查表的方法来得到各个顶点处所对应的卷积值，即参考扰动值作为对应的子区域的光信号强度值。由此可确定扰动信号。在如图4A所示的实施例中，扰动信号=(c4-c3)-(c2-c1)，将在后文对此进一步说明。

仍然参考图4A，第一图形410的所有四个顶点分别对应于一个相应的子区域。各个顶点对应的子区域所对应的晶圆上的光信号强度值在前述的实施例中已经计算出，因此可以利用这些已知的四个子区域所对应的晶圆上的光信号强度值来计算第一图形410所对应的光信号强度值。即相当于以第一图形410的右上角第四顶点414为顶点的子区域的面积，减去以第一图形410的左上角第三顶点413为顶点的子区域的面积，再减去以第一图形410的右下角第二顶点412为顶点的子区域的面积，之后再加上重复减去的部分的面积，即以第一图形410的左下角第二顶点412为顶点的子区域的面积，就得到了第一图形410的面积。该面积与核函数进行卷积，即为前面所提到的(c4-c3)-(c2-c1)。

也就是说，在一些实施例中，掩模扰动可以通过确定扰动区域(第一图形410)的四个顶点所对应的四个掩模子区域(此处记为：m1、m2、m3、m4)，然后确定该四个掩模子区域分别对应的光信号强度值，并进行相应的线性运算即可。由于已经预先计算了m1、m2、m3、m4与每个核函数的卷积，因此在一些实施例中，可通过查表的方式查找到m1、m2、m3、m4与每个核函数的卷积值，并对各个卷积值进行线性运算，以获得扰动信号。

在上述实施例中，对于形状为平行四边形的第一图形410，仅仅通过其四个顶点所对应的光信号强度值，即可获得第一图形410所对应的光信号强度值的差，即扰动信号。

本公开的实施例所针对的图形121的形状并不限于平行四边形，而是可以为任意形状。例如，图形121的形状可以为任意多边形，在这种情况下，可以利用该任意多边形的各个顶点处对应的光信号强度值来获取扰动信号。例如，图形121为六边形的情况下，可基于该六边形的六个顶点确定相应的光信号强度值。进而通过线性运算确定扰动信号。

在一些实施例中，如果组合操作包括将第一子区域与第二子区域合并。第一子区域对应于第一顶点，并且第二子区域对应于第二顶点。那么，相应的，可以通过第一扰动值与第二扰动值的和，来确定扰动信号。第一扰动值为第一顶点的扰动值，并且第二扰动值为第二顶点的扰动值。

举例而言，参考图4B，图形430的扰动信号可以通过以下方式确定。可以确定第五顶点431对应的第一子区域的光信号强度值，该第一子区域为以第五顶点431为顶点，且以与版图120的预定边界呈45度这一预定方向对应的子区域。该第一子区域的光信号强度值即为(x5, y5)处所对应的卷积值在45度这一预定方向对应的参考扰动值，记为c5。还可以确定第五顶点431对应的第二子区域的光信号强度值，该第二子区域为以第五顶点431为顶点，且以与版图120的预定边界呈135度这一预定方向对应的子区域。该第二子区域的光信号强度值即为(x5, y5)处所对应的卷积值在135度这一预定方向对应的参考扰动值，记为c5’。那么，将该第五顶点431在不同预定方向的扰动值相加（c5+c5’）即可得到图形430的扰动信号。

以这样，由于掩模扰动而在晶圆上所产生的扰动的光信号，即扰动信号可以由从预先获得的查找表中查找到的至少一个参考扰动值进行简单的线性运算即可获得。因此，本公开的实施例提供了一种能够快速确定扰动信号的方案。

另一方面，本公开的实施例能够确保版图的质量，即确保所获得的掩模成本满足要求。这里的成本是在当前掩模下(线路未动)在晶圆上所形成的图形与所期望的图形之间的差异，差异越小越好。根据计算出的扰动信号，可以确定掩模的移动方向和移动量，进而确定在晶圆上所形成的形状，例如，线路的形状。将该形状与所期望的形状相比，二者之间的差即为成本。

本公开实施例中所说的移动指的是掩模上电路形状的移动，例如多边形的线路形状的移动，即线路边界处线段的移动。如何改变多边形的形状，使其投影到晶圆的形状是所期望的。如前面所提到的，OPC的最终目的是确定如何移动掩模上的形状，例如线段，以期望获得令人满意的掩模。

综上所述，本公开的实施例能够在确保版图质量（例如，晶圆上的图形的准确度）的情况下，提高扰动信号的计算速度，进而优化版图的处理过程。

本公开的实施例中所说的光强度差指的是掩模上形状的一次变化前后，在晶圆上的产生的信号强度的变化。强度在某些实施例中可以是亮度。光经过掩模投影到晶圆上。不做OPC的话，所投影的形状通常不是所期望的。

本公开的一些实施例中，所计算出的扰动信号可以被输入OPC模型中，通过OPC中的求解器来确定应如何移动掩模段以获得光刻令人满意的(低成本)掩模解决方案。需要指出的是，如何在OPC求解器中使用扰动信号不是本公开的一部分，本公开主要关注如何确定扰动信号。

图5示出了其中可以实施本公开的一个或多个实施例的服务器或电子设备500的框图。该电子设备500例如可以用于实现如图1所示的电子设备110。应当理解，图5所示出的电子设备500仅仅是示例性的，而不应当构成对本文所描述的实施例的功能和范围的任何限制。

如图5所示，电子设备500是通用电子设备的形式。电子设备500的组件可以包括但不限于一个或多个处理器510或处理单元、存储器520、存储设备530、一个或多个通信单元540、一个或多个输入设备550以及一个或多个输出设备560。处理单元可以是实际或虚拟处理器并且能够根据存储器520中存储的程序来执行各种处理。在多处理器系统中，多个处理单元并行执行计算机可执行指令，以提高电子设备500的并行处理能力。

电子设备500通常包括多个计算机存储介质。这样的介质可以是电子设备500可访问的任何可以获得的介质，包括但不限于易失性和非易失性介质、可拆卸和不可拆卸介质。存储器520可以是易失性存储器（例如寄存器、高速缓存、随机访问存储器（RAM））、非易失性存储器（例如，只读存储器（ROM）、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、闪存）或它们的某种组合。存储设备530可以是可拆卸或不可拆卸的介质，并且可以包括机器可读介质，诸如闪存驱动、磁盘或者任何其他介质，其可以能够用于存储信息和/或数据（例如用于训练的训练数据）并且可以在电子设备500内被访问。

电子设备500可以进一步包括另外的可拆卸/不可拆卸、易失性/非易失性存储介质。尽管未在图5中示出，可以提供用于从可拆卸、非易失性磁盘（例如“软盘”）进行读取或写入的磁盘驱动和用于从可拆卸、非易失性光盘进行读取或写入的光盘驱动。在这些情况中，每个驱动可以由一个或多个数据介质接口被连接至总线（未示出）。存储器520可以包括计算机程序产品525，其具有一个或多个程序模块，这些程序模块被配置为执行本公开的各种实施例的各种方法或动作。

通信单元540实现通过通信介质与其他电子设备进行通信。附加地，电子设备500的组件的功能可以以单个计算集群或多个计算机器来实现，这些计算机器能够通过通信连接进行通信。因此，电子设备500可以使用与一个或多个其他服务器、网络个人计算机（PC）或者另一个网络节点的逻辑连接来在联网环境中进行操作。

输入设备550可以是一个或多个输入设备，例如鼠标、键盘、追踪球等。输出设备560可以是一个或多个输出设备，例如显示器、扬声器、打印机等。电子设备500还可以根据需要通过通信单元540与一个或多个外部设备（未示出）进行通信，外部设备诸如存储设备、显示设备等，与一个或多个使得用户与电子设备500交互的设备进行通信，或者与使得电子设备500与一个或多个其他电子设备通信的任何设备（例如，网卡、调制解调器等）进行通信。这样的通信可以经由输入/输出（I/O）接口（未示出）来执行。

根据本公开的示例性实现方式，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有一条或多条计算机指令，其中一条或多条计算机指令被处理器执行以实现上文描述的方法。

这里参照根据本公开实现的方法、装置（系统）和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本公开的各个方面。应当理解，流程图和/或框图的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合，都可以由计算机可读程序指令实现。

这些计算机可读程序指令可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元，从而生产出一种机器，使得这些指令在通过计算机或其他可编程数据处理装置的处理单元执行时，产生了实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的装置。也可以把这些计算机可读程序指令存储在计算机可读存储介质中，这些指令使得计算机、可编程数据处理装置和/或其他设备以特定方式工作，从而，存储有指令的计算机可读介质则包括一个制造品，其包括实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作的各个方面的指令。

也可以把计算机可读程序指令加载到计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上，使得在计算机、其他可编程数据处理装置或其他设备上执行一系列操作步骤，以产生计算机实现的过程，从而使得在计算机、其他可编程数据处理装置、或其他设备上执行的指令实现流程图和/或框图中的一个或多个方框中规定的功能/动作。

附图中的流程图和框图显示了根据本公开的多个实现的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或指令的一部分，模块、程序段或指令的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

以上已经描述了本公开的各实现，上述说明是示例性的，并非穷尽性的，并且也不限于所公开的各实现。在不偏离所说明的各实现的范围和精神的情况下，对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择，旨在最好地解释各实现的原理、实际应用或对市场中的技术的改进，或者使本技术领域的其他普通技术人员能理解本文公开的各实现。

Claims (14)

1.一种版图处理方法，其特征在于，包括：

获取针对版图的扰动信息，所述扰动信息指示分别由所述版图中的多个采样点对光信号引起的扰动；

基于所述版图中的图形的至少一个顶点在所述版图上的相应位置和所述扰动信息，确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个扰动值；以及

基于所述至少一个扰动值，确定所述图形的扰动信号，所述扰动信号用于模拟在基于所述版图进行光刻的情况下由所述图形在晶圆上引起的光信号变化，

其中获取针对版图的扰动信息包括：

针对所述多个采样点中的每个采样点，

基于该采样点、预定方向和所述版图的边界，确定所述版图中的子区域；

基于所述子区域，确定与该采样点对应的参考扰动值，所述参考扰动值用于模拟由所述子区域在晶圆上产生的光信号；以及

基于多个参考扰动值，生成所述扰动信息。

2.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述子区域，确定与该采样点对应的参考扰动值包括：

确定用于模拟光刻过程的卷积核，所述卷积核是与所述光刻过程相关联的光学特性的量化表示；以及

将所述子区域与所述卷积核的卷积值确定为所述参考扰动值。

3.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，所述预定方向包括以下至少一项：

与所述版图的预定边界呈45度的方向，或者

与所述预定边界呈135度的方向。

4.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述版图中的图形的至少一个顶点在所述版图上的相应位置和所述扰动信息，确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个扰动值包括：

针对所述至少一个顶点中的第一顶点，基于所述第一顶点在所述版图上的相应位置，从所述多个采样点中选择目标采样点；以及

基于所述扰动信息所指示的由所述目标采样点引起的扰动，确定与所述第一顶点对应的扰动值。

5.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，所述图形的所述扰动信号指示由所述图形在所述版图的测量点处引起的光信号变化，并且

基于所述版图中的图形的至少一个顶点在所述版图上的相应位置和所述扰动信息，确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个扰动值包括：

针对所述至少一个顶点中的第一顶点，基于所述第一顶点与所述测量点的相对位置，从所述多个采样点中选择目标采样点；以及

基于所述扰动信息所指示的由所述目标采样点引起的扰动，确定与所述第一顶点对应的扰动值。

6.根据权利要求5所述的版图处理方法，其特征在于，针对所述多个采样点中的每个采样点，所述扰动信息指示分别与所述版图中的多个预定方向对应的参考扰动值，并且

基于所述扰动信息所指示的所述目标采样点的扰动，确定与所述第一顶点对应的扰动值包括：

确定所述第一顶点与所述至少一个顶点中的相邻顶点之间的相对方向；

从所述多个预定方向中选择与所述相对方向匹配的预定方向；以及

将所述目标采样点的与所选择的预定方向对应的参考扰动值确定为与所述第一顶点对应的扰动值。

7.根据权利要求6所述的版图处理方法，其特征在于，所述多个预定方向包括与所述版图的预定边界呈45度的方向和呈135度的方向。

8.根据权利要求5所述的版图处理方法，其特征在于，所述第一顶点与所述测量点的相对位置由所述版图中的坐标表示，并且

针对所述至少一个顶点中的第一顶点，基于所述第一顶点与所述测量点的相对位置，从所述多个采样点中选择目标采样点包括：

确定所述版图中的与所述坐标对应的目标位置；以及

将所述多个采样点中与所述目标位置最接近的采样点确定为所述目标采样点。

9.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述至少一个扰动值，确定所述图形的扰动信号包括：

确定分别与所述至少一个顶点对应的至少一个子区域，每个子区域限定对应的顶点在预定方向上与所述版图的边界形成的区域；

确定用于将所述至少一个子区域组合成所述图形的组合操作，所述组合操作包括子区域合并操作或子区域剪切操作中的至少一项；以及

基于所述组合操作和所述至少一个扰动值，确定所述图形的所述扰动信号。

10.根据权利要求9所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述组合操作和所述至少一个扰动值，确定所述图形的所述扰动信号包括：

如果所述组合操作包括从第一子区域去除第二子区域，通过第一扰动值与第二扰动值的差值来确定所述扰动信号；

其中，所述第一子区域对应于第一顶点，所述第二子区域对于应第二顶点，所述第一扰动值为所述第一顶点的扰动值，所述第二扰动值为所述第二顶点的扰动值。

11.根据权利要求9所述的版图处理方法，其特征在于，基于所述组合操作和所述至少一个扰动值，确定所述图形的所述扰动信号包括：

如果所述组合操作包括将第一子区域与第二子区域合并，通过第一扰动值和第二扰动值的和，来确定所述扰动信号；

其中，所述第一子区域对应于第一顶点，所述第二子区域对于应第二顶点，所述第一扰动值为所述第一顶点的扰动值，所述第二扰动值为所述第二顶点的扰动值。

12.根据权利要求1所述的版图处理方法，其特征在于，所述光信号包括光强度。

13.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理单元；以及

至少一个存储器，所述至少一个存储器被耦合到所述至少一个处理单元并且存储用于由所述至少一个处理单元执行的指令，所述指令在由所述至少一个处理单元执行时使所述电子设备执行根据权利要求1至12中任一项所述的方法。

14.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序可由处理器执行以实现根据权利要求1至12中任一项所述的方法。