CN115917732A - 高频模块以及通信装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种高频模块以及通信装置。缓和在高频模块的内部因热伸缩等而产生的应力。高频模块具备安装基板、电路部件(8S)、树脂层(61)以及屏蔽层。安装基板具有相互对置的第一主面和第二主面。电路部件(8S)安装于安装基板的第一主面。树脂层(61)配置于安装基板的第一主面，覆盖电路部件(8S)的外周面的至少一部分。屏蔽层覆盖树脂层(61)和电路部件(8S)中的与安装基板侧相反侧的主面(112a)的至少一部分。高频模块在电路部件(8S)与树脂层(61)之间、电路部件(8S)与屏蔽层之间、树脂层(61)的内部、以及屏蔽层的内部当中的至少一个部位具有间隙(180)。

Description

高频模块以及通信装置
技术领域
本发明涉及高频模块以及通信装置，更详细而言，涉及具有电路部件、树脂以及屏蔽电极的高频模块以及通信装置。
背景技术
在专利文献1中，公开了一种高频模块，具备：安装基板，具有第一主面和第二主面；发送功率放大器(电路部件)，安装于安装基板的第一主面；树脂部件(树脂层)，覆盖发送功率放大器；以及屏蔽电极层(屏蔽层)。
在专利文献1所公开的高频模块中，屏蔽电极层形成为覆盖树脂部件的顶面以及侧面。
专利文献1：国际公开第2019/181590号
在高频模块中，存在谋求缓和在高频模块的内部因热伸缩等而产生的应力的情况。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够缓和在高频模块的内部因热伸缩等而产生的应力的高频模块以及通信装置。
本发明的一个方式的高频模块具备安装基板、电路部件、树脂层以及屏蔽层。上述安装基板具有相互对置的第一主面和第二主面。上述电路部件安装于上述安装基板的上述第一主面。上述树脂层配置于上述安装基板的上述第一主面，覆盖上述电路部件的外周面的至少一部分。上述屏蔽层覆盖上述树脂层以及上述电路部件中的与上述安装基板侧相反侧的主面的至少一部分。上述高频模块在上述电路部件与上述树脂层之间、上述电路部件与上述屏蔽层之间、上述树脂层的内部、以及上述屏蔽层的内部当中的至少一个部位具有间隙。
本发明的一方式的通信装置具备上述的一个方式的高频模块和信号处理电路。上述信号处理电路连接于上述高频模块，对高频信号进行信号处理。
本发明的高频模块以及通信装置能够缓和在高频模块的内部因热伸缩等而产生的应力。
附图说明
图1是实施方式的高频模块以及通信装置的电路结构图。
图2是表示上述高频模块的安装基板的第一主面的俯视图。
图3是从安装基板的第一主面侧透视观察上述高频模块的安装基板的第二主面的俯视图。
图4是图2的A1－A1剖视图。
图5是图2的A2－A2剖视图。
图6的A是图2的部分放大图。图6的B是图6的A的A3－A3剖视图。
图7是图6的A的部分放大图。
图8是图7的范围W1的放大图。
图9是图7的范围W2的放大图。
图10是图7的范围W3的放大图。
图11的A是表示图7的A4－A4剖视图。图11的B是图11的A所示的例子的变形例的剖视图。
图12是表示图11的A所示的例子的另一个变形例的剖视图。
图13是图7的A5－A5剖视图。
图14的A～图14的C是对高频模块的制造方法的一个例子进行说明的说明图。
图15是变形例1的高频模块的局部剖视图。
图16是变形例2的高频模块的剖视图。
具体实施方式
在以下的实施方式等中参照的图1～图16均是示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自的比并不一定反映实际的尺寸比。
(实施方式)
如图4所示，实施方式的高频模块100具备安装基板9、作为电路部件8S的一个例子的发送滤波器112C、树脂层61以及屏蔽层5。安装基板9具有相互对置的第一主面91和第二主面92。发送滤波器112C安装于安装基板9的第一主面91。树脂层61配置于安装基板9的第一主面91，覆盖发送滤波器11C的外周面的至少一部分。屏蔽层5覆盖树脂层61以及发送滤波器112C中的与安装基板9侧相反侧的主面112a的至少一部分。在发送滤波器112C与树脂层61之间、发送滤波器112C与屏蔽层5之间、树脂层61的内部、以及屏蔽层5的内部当中的至少一个部位具有间隙180(参照图7～图13)。根据该结构，能够通过间隙180来缓和在高频模块100的内部因热伸缩等而产生的应力。
以下，参照图1～图14，对实施方式的高频模块100以及通信装置300进行说明。
(1)高频模块以及通信装置
(1.1)高频模块以及通信装置的电路结构
首先，参照图1对实施方式的高频模块100以及通信装置300的电路结构进行说明。
实施方式的高频模块100例如用于通信装置300。通信装置300例如是移动电话(例如，智能手机)，但不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)。高频模块100例如是能够支持4G(第四世代移动通信)标准、5G(第五世代移动通信)标准的模块。4G标准例如是3GPP LTE标准(LTE：Long Term Evolution，长期演进)。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频模块100是能够支持载波聚合以及双连接的模块。
高频模块100例如构成为能够对从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)进行放大并输出至天线310。另外，高频模块100构成为能够对从天线310输入的接收信号(高频信号)进行放大并输出至信号处理电路301。信号处理电路301并不是高频模块100的构成要素，而是具备高频模块100的通信装置300的构成要素。高频模块100例如由通信装置300所具备的信号处理电路301控制。通信装置300具备高频模块100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310～312。
信号处理电路301例如包含RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。信号处理电路301连接于高频模块100，对在与高频模块100之间收发的高频信号进行信号处理。
RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，进行对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频模块100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理的高频信号输出至基带信号处理电路303。
基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303根据基带信号生成I相信号以及Q相信号。基带信号是例如从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号和Q相信号合成来进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为以比该载波信号的周期长的周期对规定频率的载波信号进行振幅调制而得的调制信号(IQ信号)。通过基带信号处理电路303进行了处理的接收信号例如作为图像信号用于图像显示、或者作为声音信号用于通话。
高频模块100在天线310～312与信号处理电路301之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。高频模块100具备功率放大器111和低噪声放大器121。另外，高频模块100具备多个(在图示例中为四个)发送滤波器112A～112D和多个(在图示例中为六个)接收滤波器122A～122F。另外，高频模块100具备变压器113、匹配电路116、匹配电路117A～117F、匹配电路118A～118D、以及匹配电路119A～119C。另外，高频模块100具备第一开关104和第二开关105。另外，高频模块100具备控制器115。
另外，高频模块100具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包含天线端子81～83、信号输入端子84、85、信号输出端子86以及多个接地端子87(参照图4)。多个接地端子87是与通信装置300所具备的接地电极电连接并被赋予接地电位的端子。
功率放大器111设置于发送信号用的信号路径T1。功率放大器111具有输入端子以及输出端子。
功率放大器111的输入端子经由信号输入端子84连接于信号处理电路301。信号输入端子84是用于将来自信号处理电路301的高频信号(发送信号)输入至高频模块100的端子。功率放大器111的输出端子经由变压器113以及匹配电路116连接于第二开关105的共用端子105e。功率放大器111由控制器115控制。
功率放大器111对输入至输入端子的第一频带的发送信号进行放大并从输出端子输出。第一频带例如包含四个通信频带(第一～第四通信频带)。第一～第四通信频带与经过发送滤波器112A～112D的发送信号一一对应。第一～第四通信频带分别例如是以3GPPLTE标准以及5G NR标准确定的频带中的不同的四个通信频带。
低噪声放大器121设置于接收信号用的信号路径R1。低噪声放大器121具有六个输入端子以及一个输出端子。
低噪声放大器121的六个输入端子与六个匹配电路117A～117F一一对应，与六个接收滤波器122A～122F一一对应。低噪声放大器121的六个输入端子经由对应的匹配电路118A～118D连接于对应的接收滤波器122A～122F。低噪声放大器121的输出端子经由信号输出端子86连接于信号处理电路301。信号输出端子86是用于将来自低噪声放大器121的高频信号(接收信号)输出至信号处理电路301的端子。
低噪声放大器121对输入至六个输入端子中的任意一个输入端子的第二频带的接收信号进行放大并从输出端子输出。第二频带例如是比第一频带宽的频带，包含第一～第六通信频带。
发送滤波器112A～112D分别例如是将第一～第四通信频带的发送频带作为通带的滤波器。接收滤波器122A～122F分别例如是将第一～第六通信频带的接收频带作为通带的滤波器。在本实施方式中，发送滤波器112A和接收滤波器122A、发送滤波器112B和接收滤波器122B、发送滤波器112C和接收滤波器122C、发送滤波器112D和接收滤波器122D分别构成分立的双工器(DPX：Duplexer)。
第一开关104具有多个(在图示例中为三个)共用端子104g～104i和多个(在图示例中为六个)选择端子104a～104f。
三个共用端子104g～104i与三个匹配电路119A～119C一一对应，且与三个天线端子81～83一一对应。三个共用端子104g～104i经由对应的匹配电路119A～119C与对应的天线端子81～83连接。三个天线端子81～83与三个天线310～312一一对应，且与对应的天线310～312连接。
六个选择端子104a～104f中的四个选择端子104a～104d与四个匹配电路118A～118D一一对应，且与四个连接点123A～123D一一对应。选择端子104a～104d经由对应的匹配电路118A～118D与对应的连接点123A～123D连接。四个连接点123A～123D与四个发送滤波器112A～112D一一对应，且与四个接收滤波器122A～122D一一对应。连接点123A～123D是对应的发送滤波器112A～112D的输出端子与对应的接收滤波器122A～122D的输入端子的连接点。剩余两个选择端子104e、104f与两个接收滤波器122E、122F一一对应，且与对应的接收滤波器122E、122F的输入端子连接。
第一开关104根据来自信号处理电路301的控制信号，将三个共用端子104g～104i的连接目的地切换为六个选择端子104a～104f中的至少一个选择端子。第一开关104例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。第一开关104例如是开关IC。
第二开关105具有多个(在图示例中为四个)选择端子105a～105d和一个共用端子105e。共用端子105e经由匹配电路116以及变压器113与功率放大器111的输出端子连接。四个选择端子105a～105d与四个发送滤波器112A～112D一一对应，且与对应的发送滤波器112A～112D的输入端子连接。
第二开关105根据来自信号处理电路301的控制信号，将共用端子105e的连接目的地切换为四个选择端子105a～105d中的至少一个选择端子。第二开关105例如是能够进行一对一以及一对多的连接的开关。第二开关105例如是开关IC。第二开关105是具有切换相互通信频带不同的多个发送信号用的信号路径T11～T14的功能的开关。
变压器113以及匹配电路116设置于功率放大器111的输出端子与第二开关105的共用端子105e之间的信号路径。更详细而言，变压器113设置于功率放大器111与匹配电路116之间，匹配电路116设置于功率放大器111与共用端子105e之间。变压器113以及匹配电路116是用于取得功率放大器111与发送滤波器112A～112D的阻抗匹配的电路。匹配电路116例如是电感器。
六个匹配电路117A～117F与六个接收滤波器122A～122F一一对应，且与低噪声放大器121的六个输入端子一一对应。匹配电路117A～117F连接于对应的接收滤波器122A～122F的输出端子与低噪声放大器121的对应的输入端子之间的信号路径。匹配电路117A～117F是用于取得对应的接收滤波器122A～122F与低噪声放大器121之间的阻抗匹配的电路。
四个匹配电路118A～118D与四个发送滤波器112A～112D一一对应，且与第一开关104的四个选择端子104a～104d一一对应。四个匹配电路118A～118D连接于对应的发送滤波器112A～112D的输出端子与第一开关104的对应的选择端子104a～104d之间的信号路径。四个匹配电路118A～118D是用于取得对应的发送滤波器112A～112D与第一开关104之间的阻抗匹配的电路。
三个匹配电路119A～119C与三个天线310～312一一对应，且与第一开关104的三个共用端子104g～104i一一对应。三个匹配电路119A～119C连接于对应的天线310～312与第一开关104的对应的共用端子104g～104i之间的信号路径。三个匹配电路119A～119C是用于取得对应的天线310～312与第一开关104之间的阻抗匹配的电路。
控制器115与功率放大器111连接。另外，控制器115经由信号输入端子85与信号处理电路301连接。控制器115根据来自信号处理电路301的控制信号来控制功率放大器111。
(1.2)高频模块以及通信装置的动作
参照图1，对高频模块100以及通信装置300的动作进行说明。
如图1所示，高频模块100具有发送信号用的信号路径T1和接收信号用的信号路径R1。
信号路径T1具有四个信号路径T11～T14。信号路径T11是依次经由信号输入端子84、功率放大器111、变压器113、匹配电路116、第二开关105、发送滤波器112A、匹配电路118A以及选择端子104a的路径。信号路径T12是依次经由信号输入端子84、功率放大器111、变压器113、匹配电路116、第二开关105、发送滤波器112B、匹配电路118B以及选择端子104b的路径。信号路径T13是依次经由信号输入端子84、功率放大器111、变压器113、匹配电路116、第二开关105、发送滤波器112C、匹配电路118C以及选择端子104c的路径。信号路径T14是依次经由信号输入端子84、功率放大器111、变压器113、匹配电路116、第二开关105、发送滤波器112D、匹配电路118D以及选择端子104d的路径。
信号路径R1具有六个信号路径R11～R16。信号路径R11是依次经由选择端子104a、匹配电路118A、接收滤波器122A、匹配电路117A、低噪声放大器121以及信号输出端子86的路径。信号路径R12是依次经由选择端子104b、匹配电路118B、接收滤波器122B、匹配电路117B、低噪声放大器121以及信号输出端子86的路径。信号路径R13是依次经由选择端子104c、匹配电路118C、接收滤波器122C、匹配电路117C、低噪声放大器121以及信号输出端子86的路径。信号路径R14是依次经由选择端子104d、匹配电路118D、接收滤波器122D、匹配电路117D、低噪声放大器121以及信号输出端子86的路径。信号路径R15是依次经由选择端子104e、接收滤波器122E、匹配电路117E、低噪声放大器121以及信号输出端子86的路径。信号路径R16是依次经由选择端子104f、接收滤波器122F、匹配电路117F、低噪声放大器121以及信号输出端子86的路径。
在发送发送信号时，在第二开关105中，共用端子105e与四个选择端子105a～105d中的至少一个选择端子(例如T11、T12)连接。由此，选择四个信号路径T11～T14中的至少一个信号路径(例如T11、T12)。另外，第一开关104将连接有上述选择出的信号路径(例如T11、T12)的选择端子(例如104a、104b)连接到三个共用端子104g～104i中的不同的共用端子(例如104g、104h)。由此，上述选择出的信号路径(例如T11、T12)与三个天线310～312中的不同的天线连接。
在第一开关104以及第二开关105的上述的连接状态下，发送信号从信号处理电路301输入至信号输入端子84。输入的发送信号经由通过第二开关105选择的信号路径(例如T11、T12)而从通过第一开关104选择的天线(例如310、311)发送。
这样，在第二开关105中，若共用端子105e与四个选择端子105a～105d中的一个选择端子连接，则能够以一个通信频带发送发送信号。另外，若共用端子105e与四个选择端子105a～105d中的多个选择端子连接，则能够以多个通信频带发送发送信号。
在接收接收信号时，在第一开关104中，将三个共用端子104g～104i中的至少一个共用端子连接到六个选择端子104a～104f中的不同的选择端子。由此，三个天线310～312中的至少一个天线与六个信号路径R11～R16中的不同的信号路径连接。在该状态下，若所选择的天线接收接收信号，则接收到的接收信号经由六个信号路径R11～R16中的连接有该天线的信号路径从信号输出端子86输出至信号处理电路。
(1.3)高频模块的结构
接下来，参照图2～图4对高频模块100的结构进行说明。
如图2～图4所示，高频模块100具备安装基板9、多个电路部件8、多个外部连接端子80、树脂层61、62以及屏蔽层5。
如图4所示，安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上相互对置的第一主面91和第二主面92。第一主面91和第二主面92例如为矩形形状(参照图2以及图3)。
安装基板9例如是包含多个电介质层以及多个导电层的多层基板。多个电介质层以及多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层包含接地层。在高频模块100中，多个接地端子87和接地层经由安装基板9所具有的通孔导体等电连接。另外，安装基板9例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板，但也可以是印刷布线板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、或者树脂多层基板。另外，安装基板9不限于LTCC基板，例如也可以是布线结构体。
安装基板9的第一主面91以及第二主面92在安装基板9的厚度方向D1上分离，与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但例如也可以包含导体部的侧面等作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但例如也可以包含导体部的侧面等作为不与厚度方向D1正交的面。另外，也可以安装基板9的第一主面91以及第二主面92形成有微小的凹凸、凹部或者凸部。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，安装基板9例如为四边形形状，但不限于此，例如也可以为正方形，也可以为正方形以外的形状(参照图2和图3)。
在以下的说明中，将安装基板9的厚度方向D1记载为第一方向D1。另外，将与第一方向D1正交的某个方向(例如平行于安装基板9的第一主面91的两组对边中的一组对边的方向)记载为第二方向D2。另外，将与第一方向D1以及第二方向D2这两方正交的方向(例如平行于第一主面91的两组对边中的另一组对边的方向)设为第三方向D3。
多个电路部件8安装于安装基板9的第一主面91或者第二主面92。在本说明书等中，“安装”包含将电路部件8配置(机械式地连接)于安装基板9的第一主面91或者第二主面92和将电路部件8与安装基板9(的适当的导体部)电连接。
如图2所示，多个电路部件8包含功率放大器111、发送滤波器112A～112D、接收滤波器122A～122F、变压器113、匹配电路116、匹配电路117A～117F、匹配电路118A～118D、匹配电路119A～119C。这些电路部件8安装于安装基板9的第一主面91。变压器113以及匹配电路116构成输出匹配电路130。
功率放大器111例如构成为IC芯片。功率放大器111具备基板和电路部(IC部)，其中，该基板具有相互对置的第一主面和第二主面，该电路部具有安装于该基板的第一主面侧的电路元件。基板例如是砷化镓基板，但也可以是硅基板、或硅锗基板、或氮化镓基板等。功率放大器111被倒装芯片安装于安装基板9的第一主面91，使得功率放大器111的基板的第一主面和第二主面中的第一主面成为安装基板9的第一主面91侧(参照图4)。在从安装基板9的第一方向D1俯视时，功率放大器111的外周形状例如为四边形形状(参照图2)。
发送滤波器112A～112D以及接收滤波器122A～122F例如是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器以及多个并联臂谐振器中的每个谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器。此外，发送滤波器112A～112D以及接收滤波器122A～122F不限定于SAW滤波器，除了SAW以外例如也可以为BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。另外，发送滤波器112A～112D以及接收滤波器122A～122F也可以由FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator：薄膜体声波谐振器)等构成，也可以由LC谐振电路等构成。
发送滤波器112A～112D以及接收滤波器122A～122F例如具备基板和电路部，其中，该基板具有相互对置的第一主面和第二主面，该电路部形成于该基板的第一主面侧(参照图4)。基板是压电基板。压电基板例如是硅(Si)基板。在从安装基板9的第一方向D1俯视时，发送滤波器112A～112D以及接收滤波器122A～122F各自的外周形状例如为四边形形状(参照图2)。发送滤波器112A～112D以及接收滤波器122A～122F被倒装芯片安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面成为安装基板9侧(参照图4)。以下，存在将发送滤波器112A～112D的基板记载为“基板112k”的情况。
变压器113安装于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的第一方向D1俯视时，变压器113的外周形状例如为八边形形状。
匹配电路116、匹配电路117A～117F、匹配电路118A～118D以及匹配电路119A～119C是电感器。在从安装基板9的第一方向D1俯视时，这些匹配电路116～119C的外形形状例如为四边形形状。这些匹配电路116～119C安装于安装基板9的第一主面91。
如图2所示，功率放大器111以及变压器113在安装基板9的第一主面91，例如沿着第二方向D2配置于第三方向D3的一端侧(左端侧)的区域。另外，发送滤波器112A～112D例如在安装基板9的第一主面91，沿着第二方向D2配置于功率放大器111以及变压器113中的第三方向D3的另一端侧(右端侧)的旁边。另外，接收滤波器122A～122F例如在安装基板9的第一主面91，纵横地排列配置于第三方向D3的另一端侧(右端侧)的一半区域。
匹配电路116包含至少一个(例如五个)电感器116a～116e。多个电感器116a～116e在安装基板9的第一主面91，例如配置于变压器113以及发送滤波器112A～112D的周围的区域。匹配电路117A～117F在安装基板9的第一主面91，例如从第三方向D3的另一端侧(右端侧)的边缘部配置到第二方向D2的一端侧(上端侧)的边缘部。匹配电路118A～118D在安装基板9的第一主面91，例如纵横地配置于由接收滤波器122A～122F包围的区域。匹配电路119A～119C在安装基板9的第一主面91，例如配置于第二方向D2的另一端侧(下端侧)的边缘部中的第三方向D3的另一端侧(右端侧)。
另外，如图3所示，多个电路部件8还包含第一开关104、第二开关105、控制器115以及低噪声放大器121。这些电路部件8安装于安装基板9的第二主面92。另外，在安装基板9的第二主面92设置有多个外部连接端子80。此外，图3从第一主面91侧透视地图示出安装基板9的第二主面92。
第一开关104以及低噪声放大器121由一个IC芯片170一体地构成。IC芯片170具备基板和电路部(IC部)，其中，该基板具有相互对置的第一主面和第二主面，该电路部具有形成于该基板的第一主面侧的电路元件(参照图4)。基板例如是硅基板。IC芯片170被倒装芯片安装于安装基板9的第二主面92，使得IC芯片170的基板的第一主面和第二主面中的第一主面成为安装基板9的第二主面92侧(参照图4)。在从安装基板9的第一方向D1俯视时，IC芯片170的外周形状例如为四边形形状(参照图2B)。
第二开关150以及控制器115由一个IC芯片171一体地构成。IC芯片171具备基板和电路部(IC部)，其中，该基板具有相互对置的第一主面和第二主面，该电路部具有形成于该基板的第一主面侧的电路元件。基板例如是硅基板。在从安装基板9的第一方向D1俯视时，IC芯片171的外周形状例如为四边形形状。IC芯片171被倒装芯片安装于安装基板9的第二主面92，使得IC芯片171的基板的第一主面和第二主面中的第一主面成为安装基板9的第二主面92侧。
多个外部连接端子80在安装基板9的第二主面92遍及未安装电路部件8的区域纵横地配置。多个外部连接端子80例如为圆柱状。多个外部连接端子80的材料例如为金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子80包含天线端子81～83、信号输入端子84、85、信号输出端子86、多个接地端子87。多个接地端子87与安装基板9的接地层电连接。接地层是高频模块100的电路接地。多个电路部件8包含与接地层电连接的电路部件8。
如图3所示，IC芯片171在安装基板9的第二主面92配置于第三方向D3的中央。IC芯片170在安装基板9的第二主面92配置于IC芯片170中的第三方向D3的另一侧(右侧)的旁边。多个外部连接端子80在安装基板9的第二主面92遍及未配置IC芯片170、171的区域纵横地配置。
如图4所示，树脂层61(以下，记载为第一树脂层61)设置于安装基板9的第一主面91。第一树脂层61覆盖配置于安装基板9的第一主面91的多个电路部件8。第一树脂层61密封上述的多个电路部件8。更详细而言，第一树脂层61在上述的多个电路部件8中的特定的电路部件8S(例如发送滤波器112A～112D)覆盖其基板(例如基板112k)的外周面的至少一部分(在图4的例子中为外周面整体)。更详细而言，第一树脂层61在特定的电路部件8S中将第二主面(即与安装基板9侧相反侧的主面112a)的至少一部分(在图4的例子中为第二主面整体)露出并且覆盖该第二主面以外的部分(外周面以及安装基板9侧的主面)。第一树脂层61在特定的电路部件8S以外的电路部件8覆盖电路部件8的整体。第一树脂层61包含树脂。第一树脂层61也可以除了树脂以外还包含填料。此外，在图2中，省略第一树脂层61。
在本实施方式中，第一树脂层61的主面(与安装基板9侧相反侧的主面)61a是平坦面，并且相对于发送滤波器112C的第二主面(即露出的主面)112a平坦。树脂层61的主面61a以及发送滤波器112B的第二主面112a例如通过一起磨削主面61a以及第二主面112a而相互平坦。
树脂层62(以下，也称为第二树脂层62)设置于安装基板9的第二主面92。第二树脂层62覆盖安装于安装基板9的第二主面92的多个电路部件8以及多个外部连接端子80。第二树脂层62密封上述的多个电路部件8以及多个外部连接端子80。更详细而言，第二树脂层62在多个外部连接端子80中露出前端面并且覆盖前端面以外。第二树脂层62在上述的电路部件8中覆盖电路部件8的整体。第二树脂层62包含树脂。第二树脂层62也可以除了树脂以外还包含填料。第二树脂层62的材料可以是与第一树脂层61的材料相同的材料，也可以是不同的材料。此外，在图3中，省略第二树脂层62。
屏蔽层5例如为金属。屏蔽层5覆盖第一树脂层61以及特定的电路部件8S的主面(例如主面112a)中的至少一部分(在图4的例子中为包含该表面以及该主面的整体)。更详细而言，第一树脂层61覆盖第一树脂层61的表面的至少一部分(在图4的例子中为表面整体)和特定的电路部件8S的主面的至少一部分(在图4的例子中为主面整体)。另外，屏蔽层5覆盖安装基板9的外周面93的至少一部分(在图4的例子中为外周面93的整体)和第二树脂层62的外周面62b的至少一部分(在图4的例子中为外周面62b的下边缘部以外的部分)。屏蔽层5与安装基板9所具有的接地层接触。由此，在高频模块100中，能够使屏蔽层5的电位与接地层的电位相同。
(1.4)匹配电路的电感器的朝向
匹配电路116～119C是纵向卷绕的电感器。所谓的纵向卷绕的电感器，是电感器的卷绕轴(即线圈的卷绕轴)与安装基板9的第一主面91正交的电感器。
在本实施方式中，如图2所示，匹配电路116～119C配置于发送滤波器112A～112C以及接收滤波器122A～122C中的任意一个的周围。在本实施方式中，如上述那样，发送滤波器112A～112C以及接收滤波器122A～122C具备高电阻的硅基板。在本实施方式中，匹配电路116～119C是纵向卷绕的电感器。因此，如图5所示，匹配电路116～119C的电感器的磁通量H1沿与安装基板9的第一主面91正交的方向延伸。在图5中，图示出匹配电路116的电感器116a的磁通量H1。
因此，匹配电路116～119C的电感器的磁通量H1不被周围的发送滤波器112A～112D或者接收滤波器122A～122F遮挡。其结果是，能够抑制匹配电路116～119C的电感器的Q特性的劣化。
此外，在匹配电路116～119C为横向卷绕的电感器的情况下，横向卷绕的电感器的卷绕轴(即线圈的卷绕轴)平行于安装基板9的第一主面91。因此，横向卷绕的电感器的磁通量沿着安装基板9的第一主面91延伸至横向卷绕的电感器的两侧。因此，若将匹配电路116～119C配置于具备高电阻的硅基板的滤波器(发送滤波器112A～112C以及接收滤波器122A～122C)的旁边，则匹配电路116～119C的电感器的磁通量被上述的硅基板遮挡。其结果是，匹配电路116～119C的电感器的Q特性劣化。
此外，匹配电路116～119C在未配置于发送滤波器112A～112C以及接收滤波器122A～122C的旁边的情况下，也可以是横向卷绕的电感器。
(1.5)高频模块的内部的间隙
在本实施方式中，在高频模块100的内部，在与特定的电路部件8S相邻的相邻区域S1(参照图6)的范围内，设置有间隙180(参照图7～图13)。此外，“与特定的电路部件8S相邻的相邻区域S1的范围内”这一条件并不是必需的条件，也可以没有。
在这里，上述的“特定的电路部件8S”是安装于安装基板9的第一主面91，外周面的至少一部分(在本实施方式中为外周面整体)被树脂层61覆盖，与安装基板9侧相反侧的主面的至少一部分(在本实施方式中为主面整体)被屏蔽层5覆盖(接触)的电路部件8。更详细而言，上述的“特定的电路部件8S”是安装于安装基板9的第一主面91，具有基板(例如基板112k)，该基板中的与安装基板9侧相反侧的主面(例如主面112a)的至少一部分(在本实施方式中为主面整体)从树脂层61露出，并且该主面以外的部分被树脂层61覆盖，并且该主面的至少一部分(在本实施方式中为主面整体)被屏蔽层5覆盖(接触)的电路部件8。具体而言，特定的电路部件8S例如为发送滤波器112A～112D。
另外，上述的“高频模块100的内部”例如是特定的电路部件8S与树脂层61之间(更详细而言，是特定的电路部件8S的上述基板与树脂层61之间(参照图8))、特定的电路部件8S与屏蔽层5之间(更详细而言特定的电路部件8S的上述基板与屏蔽层5之间(参照图13))、树脂层61的内部(参照图9和图10)、以及屏蔽层5的内部(参照图11的A)当中的至少一个部位。
另外，上述的“相邻区域S1”是在从第一方向D1俯视时特定的电路部件8S的周围的区域，并且是具有规定相邻区域S1的内和外的边界S2且在边界S2与该特定的电路部件8S之间不包含其他电路部件8的区域(参照图6的A)。“相邻区域S1”包含边界S2内的树脂层61以及屏蔽层5。
因此，在特定的电路部件8S为发送滤波器112C的情况下，如图6的A所示，相邻区域S1的边界S2在第二方向D2的一侧(左侧)到功率放大器111的侧面111u为止，在第二方向D2的另一侧(右侧)到接收滤波器122D的侧面112u为止。另外，相邻区域S1的边界S2在第三方向D3的一侧(上侧)到发送滤波器112C的侧面112u为止，在第三方向D3的另一侧(下侧)到发送滤波器112D的侧面112v为止。此外，上述的侧面111u是功率放大器111的发送滤波器112C侧的侧面。侧面122u是接收滤波器122D的发送滤波器112C侧的侧面。侧面112u、112v分别是发送滤波器112B、112D的发送滤波器112B侧的侧面。
此外，在从特定的电路部件8的外周面到边界S2的距离S4比特定的电路部件8S的基板的厚度D5(参照图6的B)大的情况下，距离S4也可以限制为与厚度D5相同的大小。
另外，如图6的B所示，上述的“相邻区域S1”在第一方向D1上包含范围S3的范围内。范围S3在树脂层61中包含从主面61a到与特定的电路部件8S的厚度D5相同的深度的范围。另外，范围S3在屏蔽层5中包含厚度D6整体的范围。
这样，通过在高频模块100的内部设置间隙180，能够缓和在高频模块100的内部因热伸缩等而产生的应力。特别是，通过将间隙180限定于特定的电路部件8S的相邻区域S1的范围内，能够对特定的电路部件8S缓和上述的应力的影响。
以下，参照图7～图13，对上述的各部位的间隙180进行详细说明。在以下的说明中，作为特定的电路部件8S，举出发送滤波器112C为例进行说明。另外，将发送滤波器112C的基板112k记载为“滤波器基板112k”。
图7是从第一方向D1观察包含滤波器基板112k的主面112a及其周边的一定范围的俯视图。屏蔽层5由于为能够透视的厚度(例如几十微米)，因此在图7中，透视屏蔽层5地图示出滤波器基板112k的主面112a以及树脂层61的主面61a。此外，滤波器基板112k的主面112a是滤波器基板112k中的与安装基板9侧相反侧的主面，与屏蔽层5接触。树脂层61的主面61a是树脂层61中的与安装基板9侧相反侧的主面，与屏蔽层5接触。
如图7所示，在滤波器基板112k的周围设置有树脂层61。在图7的例子中，在滤波器基板112k与树脂层61的界面的一部分设置有间隙180a(180)。另外，在树脂层61的内部设置有间隙180b(180)、180c(180)。
(1.5.1)图7的范围W1的详细内容
图8是图7的范围W1的放大图。如图8所示，间隙180a设置于滤波器基板112k与树脂层61之间。换言之，在滤波器基板112k的主面112a的四边中的至少一边(在图8中为一边)，在滤波器基板112k与树脂层61之间设置有间隙180a。间隙180a也可以遍及上述一边的整体来设置，也可以设置于上述一边的一部分。另外，间隙180a的深度(第一方向D1的深度)也可以为与滤波器基板112k的厚度相同的深度，也可以为比滤波器基板112k的厚度小的深度。
间隙180a在滤波器基板112k的主面112a与树脂层61的主面61a的边界开口。本实施方式例如由于屏蔽层5为可透视的厚度，因此能够透视屏蔽层5地目视观察间隙180。
这样，在电路部件8的基板(例如滤波器基板112k)与树脂层61之间设置有间隙180a。由此，能够通过间隙180a在电路部件8的基板以及树脂层61中吸收产生由温度变化引起的伸缩时的应力。
(1.5.2)图7的范围W2的详细内容
图9是图7的范围W2的放大图。如图9所示，间隙180b在树脂层61的内部从滤波器基板112k与树脂层61的界面K1拉开间隔D7地沿着界面K1设置。间隙180b是设置于树脂层61的内部中与特定的电路部件8S的基板相邻的相邻区域S1的内部的间隙180的一个例子。图9所示的间隙180b是在图8所示的间隙180a中，间隙180a的位置向树脂层61侧偏移了间隔D7的方式。在间隙180b中，在间隙180b与界面K1之间存在树脂层61的一部分(树脂部612)。即，间隙180b将树脂层61至少部分地分割为树脂部611和树脂部612。
这样，间隙180b在树脂层61的内部从电路部件8的基板(例如滤波器基板112k)与树脂层61的界面K1拉开间隔D7地沿着界面K1设置。由此，能够通过存在于间隙180b与界面K1之间的树脂部612来吸收在树脂部611的内部传播的体波等。
(1.5.3)图7的范围W3的详细内容
图10是图7的范围W3的放大图。如图10所示，滤波器基板112k的主面112a具有多个磨削痕U1。多个磨削痕U1与一个方向(例如第三方向D3)平行地设置。另外，多个磨削痕U1在与上述的一个方向正交的方向(第二方向D2)上相互拉开间隔地设置。多个磨削痕U1例如是在制造高频模块100时，在一起磨削滤波器基板11k的主面112a和树脂层61的主面61a时形成的磨削痕。
如图10所示，间隙180c设置在树脂层61的内部，在滤波器基板112k与树脂层61的界面K2与多个磨削痕U1中的一个磨削痕U2相连。间隙180c是设置于树脂层61的内部中与特定的电路部件8S的基板相邻的相邻区域S1的内部的间隙180的例子。图10所示的间隙180c是在图8所示的间隙180b中间隙180a的位置位移以使得在界面K2与磨削痕U2相连的方式。在图10的例子中，磨削痕U2是在多个磨削痕U1中最粗的磨削痕，但也可以不是最粗的磨削痕U2。
在图10的例子中，间隙180c与第二方向D2平行地延伸，但也可以不与第二方向D2平行。即，若间隙180c的一端部在界面K2与磨削痕U2的一端部相连，则不对间隙180c延伸的方向进行特别限定。
像这样，间隙180c设置于树脂层61的内部，在电路部件8的基板(例如滤波器基板112k)和树脂层61的界面K2与多个磨削痕U1中的一个磨削痕U2相连。因此，例如，能够通过磨削电路部件8的基板以及树脂层61各自的主面(即与安装基板9侧相反侧的主面)时的磨削，来以滤波器基板112k的磨削痕U2的端部为起点容易地形成间隙180c。
(1.5.4)图7的A4－A4剖视图的详细内容
图11的A是图7的A4－A4截面。如图11的A所示，在屏蔽层5的内部设置有间隙180d。间隙180d沿着屏蔽层5的厚度方向(第一方向D1)来设置。间隙180d在图11的A的纸面垂直方向(图7的纸面上下方向)上延伸。
在图11的A的例子中，间隙180d在屏蔽层5的厚度方向上贯通。但是，间隙180d也可以在屏蔽层5的厚度方向上不贯通。在该情况下，间隙180d也可以仅设置于屏蔽层5的厚度方向中的屏蔽层5的表侧部分，而不设置于背侧部分，相反地，也可以仅设置于屏蔽层5的背侧部分，而不设置于表侧部分。
另外，在图11的A的例子中，在滤波器基板112k与树脂层61之间设置有间隙180a。在该情况下，屏蔽层5的内部的间隙180d也可以在屏蔽层5的厚度方向上不与间隙180a重叠。在图11的A的例子中，间隙180d配置于比间隙180a靠近树脂层61侧，但如图11的B所示，间隙180d也可以配置于比间隙180a靠近滤波器基板112k侧。
此外，在图11的A以及图11的B的例子中，在滤波器基板112k与树脂层61之间设置有间隙180a。但是，在滤波器基板112k与树脂层61之间也可以没有间隙180a。在该情况下，在滤波器基板112k与树脂层61之间代替间隙180a而形成界面。因此，在该情况下，间隙180d设置于屏蔽层5的内部，并且在屏蔽层5的厚度方向上不与滤波器基板112k与树脂层61的边界重叠。
这样，间隙180d沿着屏蔽层5的厚度方向设置。由此，能够抑制因在高频模块100的内部产生的应力而在屏蔽层5产生龟裂。
在图11的A的例子中，屏蔽层5的内部的间隙180d在屏蔽层5的厚度方向上不与间隙180a重叠，但如图12所示，间隙180d也可以在屏蔽层5的厚度方向上与间隙180a重叠。此外，在图12的例子中，在滤波器基板112k与树脂层61之间设置有间隙180a。但是，在滤波器基板112k与树脂层61之间也可以没有间隙180a。在该情况下，间隙180d设置于屏蔽层5的内部，并且在屏蔽层5的厚度方向上与滤波器基板112k与树脂层61的界面重叠。在该情况下，也与图11的A的情况相同地，能够通过间隙180d吸收在屏蔽层5产生的应力。其结果是，能够抑制在屏蔽层5产生龟裂。
(1.5.5)图7的A5－A5截面的详细内容
图13是图7的A5－A5剖视图。如图13所示，在滤波器基板112k与屏蔽层5之间设置有间隙180e。间隙180e部分地设置于滤波器基板112k的主面112a。即，滤波器基板112k的主面112a和屏蔽层5在间隙180e所在的部分相互分离，但在间隙180e以外的部分接触。
这样，在电路部件8的基板(例如滤波器基板112k)与屏蔽层5之间设置有间隙180e。由此，能够吸收在电路部件8的基板产生的应力。其结果是，能够抑制在屏蔽层5以及电路部件8的基板产生龟裂。
此外，间隙180e部分地设置于电路部件8的基板的主面。即，电路部件8的基板和屏蔽层5在间隙180e以外的部分接触。因此，能够不妨碍将在电路部件8产生的热量从屏蔽层5释放的散热功能地抑制在屏蔽层5以及电路部件8的基板产生龟裂。
此外，图7所示的各范围W1～W3、A4－A4截面以及A5－A5截面的位置为一个例子，也可以为图7所示的位置以外的位置。另外，在图7中，在五个部位(图8～图11的A、图13)全部设置间隙180，但在五个部位中的至少一个部位设置间隙180即可。
(1.5.6)特定的电路部件的主面的磨削痕
在本实施方式中，如图10所示，在特定的电路部件8S的基板的主面(与安装基板9侧相反侧的主面)设置有多个磨削痕U1。多个磨削痕U1如上述那样，例如，是在制造高频模块100时，在一起磨削特定的电路部件8S的基板中的与安装基板9侧相反侧的主面(例如主面112a)和树脂层61中的与安装基板9侧相反侧的主面61a时形成的磨削痕。
这样，在特定的电路部件8S的基板的主面设置有多个磨削痕U1。由此，特定的电路部件8S的基板的主面与树脂层61的主面61a相比反射率不同，能够从外部容易地视觉确认树脂层61的主面61a上的特定的电路部件8S的配置。由此，通过安装基板9中的特定的电路部件8S的配置，能够通过目视观察确认高频模块100的朝向。另外，因磨削痕U1而特定的电路部件8S的基板的表面积增加，从而能够提高特定的电路部件8S的散热性。
(1.6)高频模块的制造方法
接下来，参照图14的A～图14的C对高频模块100的制造方法(更详细而言，设置间隙180的方法)进行说明。在以下的说明中，对在电路部件8的基板与树脂层61之间设置间隙180a的方法进行说明。另外，在以下的说明中，例示发送滤波器112C作为电路部件8。
将发送滤波器112C安装于安装基板9的第一主面91(参照图14的A)。然后，在发送滤波器112C的基板(滤波器基板)112k的外周面，在设置间隙180a的区域112m(在图14的A中为基板112k的左侧面)涂覆剥离剂250(参照图14的A)。
然后，在安装基板9的第一主面91形成树脂层61，以使得将发送滤波器112C的基板112k的主面(与安装基板9侧相反侧的主面)112a露出并且覆盖发送滤波器112C中的主面112a以外的部分(参照图14的B)。此时，当在第一主面91安装有其他电路部件8的情况下，形成树脂层61以使得也覆盖其他电路部件8。然后，使用磨削工具251一起磨削发送滤波器112C的主面112a和树脂层61的主面(与安装基板9侧相反侧的主面)61a(参照图14的B)。此时，磨削工具251如箭头Y1所示在发送滤波器112C的主面112a和树脂层61的主面61a移动，以跨越区域112m地往复。
在磨削工具251的磨削时，从磨削工具251作用于主面112a、61a的摩擦力在区域112m作用于使基板112k和树脂层61相互远离的方向。另外，在滤波器基板112k的区域112m涂覆有剥离剂250。因此，通过上述的摩擦力作用于滤波器基板112k以及树脂层61，在区域112m，滤波器基板112k和树脂层61剥离(参照图14的C)。该剥离的部分成为间隙180a。这样，设置间隙180a。
(1.7)主要的效果
以上，实施方式的高频模块100具备安装基板9、电路部件8S、树脂层61以及屏蔽层5。安装基板9具有相互对置的第一主面91和第二主面92。电路部件8S安装于安装基板9的第一主面91。树脂层61配置于安装基板9的第一主面91，覆盖电路部件8S的外周面的至少一部分。屏蔽层5覆盖树脂层61以及电路部件8S中的与安装基板9侧相反侧的主面(例如主面112a)的至少一部分。高频模块100在电路部件8S与树脂层61之间、电路部件8S与屏蔽层5之间、树脂层61的内部、以及屏蔽层5的内部当中的至少一个部位具有间隙180。根据该结构，能够通过间隙180来缓和在高频模块100的内部因热伸缩等而产生的应力。
(1.8)变形例
接下来对实施方式的变形例进行说明。
(变形例1)
如图15所示，在上述的实施方式中，也可以屏蔽层5具有第一部分51和第二部分52，使屏蔽层5的厚度在第一部分51和第二部分52不同。在这里，第一部分51是设置于特定的电路部件8S的基板中的与安装基板9侧相反侧的主面(例如发送滤波器112C的基板112k的主面112a)的部分。第二部分52是设置于树脂层61中的与安装基板9侧相反侧的主面61a的部分。
更详细而言，若将第一部分51的厚度设为第一厚度D5，将第二部分52的厚度设为第二厚度D6，则第一厚度D5大于第二厚度D6。由此，能够仅增大屏蔽层5中的设置于特定的电路部件8S的部分的厚度。其结果是，能够在屏蔽层5中提高特定的电路部件8S的散热性。
(变形例2)
在上述的实施方式中，外部连接端子80为圆柱状，但如图16所示，外部连接端子80也可以为球状(球形凸块)。
(2)方式
在本说明书中，公开了以下的方式。
第一方式的高频模块(100)具备安装基板(9)、电路部件(8S)、树脂层(61)以及屏蔽层(5)。安装基板(9)具有相互对置的第一主面(91)和第二主面(92)。电路部件(8S)安装于安装基板(9)的第一主面(91)。树脂层(61)配置于安装基板(9)的第一主面(91)，覆盖电路部件(8S)的外周面的至少一部分。屏蔽层(5)覆盖树脂层(61)以及电路部件(8S)中的与安装基板(9)侧相反侧的主面(112a)的至少一部分。高频模块(1)在电路部件(8S)与树脂层(61)之间、电路部件(8S)与屏蔽层(5)之间、树脂层(61)的内部、以及屏蔽层(5)的内部当中的至少一个部位具有间隙(180)。
根据该结构，能够通过间隙(180)来缓和在高频模块(100)的内部因热伸缩等而产生的应力。
在第二方式的高频模块(100)中，在第一方式中，电路部件(8S)具有基板(112k)。间隙(180)设置于电路部件(8S)的基板(112k)与树脂层(61)之间以及电路部件(8S)的基板(112k)与屏蔽层(5)之间当中的至少一个部位。
根据该结构，通过作为电路部件(8S)限定为具有基板(112k)的电路部件，能够抑制电路部件(8S)的基板(112k)受到上述应力的影响。
在第三方式的高频模块(100)中，在第一或者第二方式中，间隙(180b、180c)设置于树脂层(61)的内部中的与电路部件(8S)相邻的相邻区域(S1)的内部。
根据该结构，能够在树脂层(61)中的电路部件(8S)的相邻区域(S1)的内部设置间隙(180b、180c)。
在第四方式的高频模块(100)中，在第一～第三方式中的任意一个方式中，间隙(180b)在树脂层(61)的内部从电路部件(8S)与树脂层(61)的界面(K1)拉开间隔地沿着界面(K1)设置。
根据该结构，能够通过存在于电路部件(8S)与间隙(180b)之间的树脂部(612)，来吸收体波。
在第五方式的高频模块(100)中，在第一～第四方式中的任意一个方式中，电路部件(8S)的主面(112a)具有多个磨削痕(U1)。
根据该结构，电路部件(8S)的主面(112a)因多个磨削痕(U1)而与树脂层(61)的主面(61a)之间反射率不同。因此，能够从外部容易地视觉确认树脂层(61)的主面(61a)上的特定的电路部件(8S)的配置。另外，因多个磨削痕(U1)而电路部件(8S)的表面积增加，能够提高电路部件(8S)的散热性。
在第六方式的高频模块(100)中，在第五方式中，间隙(180)设置于树脂层(61)的内部，在电路部件(8S)和树脂层(61)的界面与多个磨削痕(U1)中的一个磨削痕(U2)相连。
根据该结构，能够通过间隙(180)来缓和在树脂层(61)的内部因热伸缩等而产生的应力。
在第七方式的高频模块(100)中，在第一～第六方式中的任意一个方式中，间隙(180d)在屏蔽层(5)的内部沿着屏蔽层(5)的厚度方向(D1)设置，并且在屏蔽层(5)的厚度方向(D1)上不与电路部件(8S)和树脂层(61)的界面重叠。
根据该结构，能够通过间隙(180d)吸收在屏蔽层(5)产生的应力。其结果是，能够抑制在屏蔽层(5)产生龟裂。
在第八方式的高频模块(100)中，在第一～第六方式中的任意一个方式中，间隙(180)在屏蔽层(5)的内部沿着屏蔽层(5)的厚度方向(D)设置，并且在屏蔽层(5)的厚度方向(D1)上与电路部件(8S)和树脂层(61)的界面重叠。
根据该结构，能够通过间隙(180)吸收在屏蔽层(5)产生的应力。其结果是，能够抑制在屏蔽层(5)产生龟裂。
在第九方式的高频模块(100)中，在第一～第八方式中的任意一个方式中，在屏蔽层(5)中，将设置于电路部件(8S)的主面(112a)的部分的厚度设为第一厚度(D5)，将设置于树脂层(61)中的与安装基板(9)侧相反侧的主面的部分的厚度设为第二厚度(D6)。第一厚度(D5)大于第二厚度(D6)。
根据该结构，能够在屏蔽层(5)中提高电路部件(8S)的散热性。
第十方式的通信装置(300)具备第一～第九方式中的任意一个高频模块(100)和信号处理电路(301)。信号处理电路(301)连接于高频模块(100)，对高频信号进行信号处理。
根据该结构，能够提供起到高频模块(100)的上述效果的通信装置(300)。
附图标记说明
5…屏蔽层；8…电路部件；8S…特定的电路部件(电路部件)；9…安装基板；11C…发送滤波器；11k…滤波器基板；51…第一部分；52…第二部分；61…第一树脂层(树脂层)；61a…主面；61b…外周面；62…第二树脂层；62b…外周面；80…外部连接端子；81～83…天线端子；84、85…信号输入端子；86…信号输出端子；87…接地端子；91…第一主面；92…第二主面；93…外周面；100…高频模块；104…第一开关；104a～104f…选择端子；104g～104i…共用端子；105…第二开关；105a～105d…选择端子；105e…共用端子；111…功率放大器；111u…侧面；112a…主面；112A～112D…发送滤波器；112k…滤波器基板(基板)；112m…区域；112u、112v…侧面；113…变压器；115…控制器；116…匹配电路；116a～116e…电感器；117A～117F…匹配电路；118A～118D…匹配电路；119A～119C…匹配电路；121…低噪声放大器；122A～122F…接收滤波器；122u…侧面；123A～123D…连接点；130…输出匹配电路；150…第二开关；170、171…IC芯片；180、180a～180e…间隙；250…剥离剂；251…磨削工具；300…通信装置；301…信号处理电路；302…RF信号处理电路；303…基带信号处理电路；310～312…天线；611、612…树脂部；D1…第一方向；D2…第二方向；D3…第三方向；D5…第一厚度；D6…第二厚度；D7…间隔；H1…磁通量；K1、K2…界面；R1、R11～R16、T1、T11～T14…信号路径；S1…相邻区域；S2…边界；S3…范围；S4…距离；U1、U2…磨削痕；W1～W3…范围；Y1…箭头。

Claims (10)

1.一种高频模块，具备：
安装基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；
电路部件，安装于上述安装基板的上述第一主面；
树脂层，配置于上述安装基板的上述第一主面，覆盖上述电路部件的外周面的至少一部分；以及
屏蔽层，覆盖上述树脂层以及上述电路部件中的与上述安装基板侧相反侧的主面的至少一部分，
在上述电路部件与上述树脂层之间、上述电路部件与上述屏蔽层之间、上述树脂层的内部、以及上述屏蔽层的内部当中的至少一个部位具有间隙。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
上述电路部件具有基板，
上述间隙设置于上述电路部件的上述基板与上述树脂层之间以及上述电路部件的上述基板与上述屏蔽层之间当中的至少一个部位。
3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
上述间隙设置于上述树脂层的内部中的与上述电路部件相邻的相邻区域的内部。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的高频模块，其中，
上述间隙在上述树脂层的内部从上述电路部件和上述树脂层的界面拉开间隔地沿着上述界面设置。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，
上述电路部件的上述主面具有多个磨削痕。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，
上述间隙设置于上述树脂层的内部，在上述电路部件和上述树脂层的界面与上述多个磨削痕中的一个磨削痕相连。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，
上述间隙在上述屏蔽层的内部沿着上述屏蔽层的厚度方向设置，并且，
上述间隙在上述屏蔽层的厚度方向上不与上述电路部件和上述树脂层的界面重叠。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，
上述间隙在上述屏蔽层的内部沿着上述屏蔽层的厚度方向设置，并且，
上述间隙在上述屏蔽层的厚度方向上与上述电路部件和上述树脂层的界面重叠。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的高频模块，其中，
在上述屏蔽层中，
将设置于上述电路部件的上述主面的部分的厚度设为第一厚度，
将设置于上述树脂层中的与上述安装基板相反侧的主面的部分的厚度设为第二厚度，
上述第一厚度大于上述第二厚度。
10.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～9中任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，连接于上述高频模块，对高频信号进行信号处理。
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