CN115915832A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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CN115915832A CN202211518953.8A CN202211518953A CN115915832A CN 115915832 A CN115915832 A CN 115915832A CN 202211518953 A CN202211518953 A CN 202211518953A CN 115915832 A CN115915832 A CN 115915832A
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Abstract

本公开提供一种显示基板及显示装置，涉及显示技术领域。显示基板包括衬底、多个发光器件、多个像素电路、多条数据线和多条控制信号线。数据线包括第一数据线和第二数据线。第一数据线包括沿第一方向延伸的转接信号线、沿第二方向延伸的第一子数据线和第二子数据线。转接信号线位于多个像素电路之间，且分别和第一子数据线和第二子数据线耦接。多条控制信号线沿第一方向延伸，其中，第一数据线和控制信号线之间的寄生电容具有第一电容值，第二数据线和控制信号线之间的寄生电容具有第二电容值，第一电容值和第二电容值之间的差值小于或等于0.15fF。本公开提供的显示基板及显示装置，能够提升显示基板显示亮度的均一性。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
为了提升显示屏的视觉效果，需要尽可能的增大显示屏中显示区的占比，即提升显示屏的屏占比。屏占比为100％或者接近100％的显示屏，通常被称为“全面屏”。
目前，显示装置的全面屏会采用屏下摄像头技术，即，将摄像头设置于显示屏的下方，使得摄像头对应的显示屏所在区域同样进行显示，避免前置摄像头占用显示屏的显示区，从而便于显示屏的屏占比接近或达到100％，实现全面屏。
发明内容
本公开一些实施例的目的在于提供一种显示基板及显示装置，以提升显示基板显示亮度的均一性。
为达到上述目的，本公开一些实施例提供了如下技术方案：
第一方面，
提供一种显示基板。该显示基板包括衬底、多个发光器件、多个像素电路、多条数据线和多条控制信号线。衬底包括显示区和位于所述显示区至少一侧的周边区。所述显示区包括透光显示区、以及位于所述透光显示区至少一侧的主显示区。多个发光器件包括多个第一发光器件和多个第二发光器件；所述多个第一发光器件位于所述透光显示区，所述多个第二发光器件位于所述主显示区。多个像素电路位于所述主显示区。所述多个像素电路包括多个第一像素电路和多个第二像素电路；所述多个第一像素电路通过多条导电线和所述多个第一发光器件耦接，所述多个第二像素电路与所述多个第二发光器件耦接。所述多个第二像素电路间隔分布于所述第一像素电路之间。
多条数据线包括多条第一数据线和多条第二数据线。所述第一数据线包括沿第一方向延伸的转接信号线、沿第二方向延伸的第一子数据线和第二子数据线。所述转接信号线位于所述多个像素电路之间，且分别和所述第一子数据线和所述第二子数据线耦接；所述第二方向与所述第一方向相交叉。所述第一子数据线与所述第一像素电路耦接，所述第二数据线和所述第二子数据线与所述第二像素电路耦接。多条控制信号线沿所述第一方向延伸，所述多条控制信号线与所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路耦接。其中，所述第一数据线和所述控制信号线之间的寄生电容具有第一电容值，所述第二数据线和所述控制信号线之间的寄生电容具有第二电容值，所述第一电容值和所述第二电容值之间的差值小于或等于0.15fF。
本公开实施例提供的显示基板，通过增加数据线在第二子像素区内的线段与扫描控制线之间的寄生电容，使得第一电容值与第二电容值之间的差值小于或等于0.15fF。这样，能够减少各子像素区内的寄生电容因周边信号跳变干扰造成的数据电压的差异，便于统一各子像素区内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
在一些实施例中，所述第一电容值和所述第二电容值大致相等。
在一些实施例中，所述主显示区还包括多个子像素区。所述多个像素电路分别位于所述多个子像素区。所述多个子像素区包括第一子像素区和第二子像素区；所述第一子像素区包括转接结构。所述第二子数据线通过所述转接结构与所述转接信号线耦接。
在一些实施例中，所述第二子像素区还包括虚拟转接结构；所述虚拟转接结构与数据线在第二子像素区内的线段耦接，且与所述转接信号线分隔。
在一些实施例中，所述虚拟转接结构在所述衬底上的正投影面积，小于或大致等于所述转接结构在所述衬底上的正投影面积。
在一些实施例中，所述转接结构在所述衬底上的正投影，与所述第二子数据线在所述衬底上的正投影至少部分重合。所述虚拟转接结构在所述衬底上的正投影，与所述第二数据线在所述衬底上的正投影至少部分重合。
在一些实施例中，所述转接结构包括与所述第二子数据线耦接的第一转接部、以及同时耦接所述第一转接部和所述转接信号线的第二转接部。所述虚拟转接结构包括与所述第二数据线耦接的第三转接部、以及耦接所述第三转接部且与所述转接信号线分离的第四转接部。所述转接信号线、所述第二转接部和所述第四转接部，同层设置。
在一些实施例中，所述数据线在所述第二子像素区内的线段在所述第一方向上的平均尺寸，大于所述数据线在所述第一子像素区内的线段在所述第一方向上的平均尺寸。
在一些实施例中，所述数据线在所述第二子像素区内的线段包括沿所述第二方向延伸的本体部、以及自所述本体部沿所述第一方向延伸的延伸部。所述延伸部在所述衬底上的正投影，与所述控制信号线在所述衬底上的正投影至少部分重合。
在一些实施例中，所述延伸部在所述第二方向上的尺寸，大于所述控制信号线在所述第二方向上的尺寸。
在一些实施例中，在所述第二方向上，所述转接结构与控制信号线之间的间隔距离，大于或等于5μm。
在一些实施例中，显示基板还包括多条初始线。至少一条初始线与所述转接结构之间的间隔距离，小于或等于2μm。
在一些实施例中，所述至少一条初始线在所述衬底上的正投影，与所述转接结构在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
在一些实施例中，在所述第二方向上，所述转接结构位于所述转接信号线与所述控制信号线之间。
在一些实施例中，多个转接结构位于所述透光显示区在所述第二方向上的一侧，且所述多个转接结构呈至少一个“V”字形排列。
在一些实施例中，所述控制信号线包括复位信号线和栅极信号线中的至少一者。
在一些实施例中，显示基板还包括多条透明信号线。透明信号线沿所述第一方向延伸。每条透明信号线的一端与所述第一像素电路耦接，每条透明信号线的另一端与所述透光显示区内的第一发光器件耦接。
在一些实施例中，所述显示基板还包括位于所述周边区的多路选择器。所述多路选择器与所述多条数据线中的至少两条数据线耦接，所述多路选择器被配置为将同一数据信号分时传递给所述至少两条数据线中的不同数据线。
第二方面，提供一种显示装置。显示装置包括显示基板和光学传感器。显示基板为如上任一实施例所述的显示基板。光学传感器位于所述显示基板的背侧，所述显示基板的背侧为与所述显示基板的显示侧相对的一侧。所述光学传感器的采光区与所述显示基板的透光显示区至少部分重合。
本公开实施例所提供的显示装置包括第一方面所提供的显示基板，因此具有上述显示基板所具有的有益效果，此处不作赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例提供的一种显示装置的结构图；
图2为根据一些实施例提供的一种显示基板的结构图；
图3根据一些实施例提供的一种显示基板的局部放大图；
图4为根据一些实施例提供的一种显示基板中主显示区子像素区域与发光器件的位置图；
图5A为根据一些实施例提供的一种显示基板中第一像素电路的等效电路图；
图5B为根据一些实施例提供的一种显示基板中第二像素电路的等效电路图；
图6A至图6C为根据一些实施例提供的一种显示基板中第一数据线在三种视角下的结构图；
图7为根据一些实施例提供的一种显示基板中有源层的结构图；
图8为根据一些实施例提供的一种显示基板中第一导电层的结构图；
图9为根据一些实施例提供的一种显示基板中第二导电层的结构图；
图10A为根据一些实施例提供的一种显示基板中第三导电层的结构图；
图10B为根据一些实施例提供的另一种显示基板中第三导电层的结构图；
图11A为根据一些实施例提供的一种显示基板中第四导电层的结构图；
图11B为根据一些实施例提供的另一种显示基板中第四导电层的结构图；
图12A为根据一些实施例提供的一种显示基板中有源层、第一导电层、第二导电层和第三导电层堆叠的结构图；
图12B为根据一些实施例提供的另一种显示基板中有源层、第一导电层、第二导电层和第三导电层堆叠的结构图；
图12C为根据一些实施例提供的一种显示基板中第一导电层和第三导电层堆叠的结构图；
图12D为根据一些实施例提供的另一种显示基板中有源层、第一导电层、第二导电层、第三导电层和第四导电层堆叠的结构图；
图13为根据一些实施例提供的一种显示基板的结构图；
图14为根据一些实施例提供的一种显示基板中多路选择器和多个信号的时序图；
图15为根据一些实施例提供的一种显示基板中寄生电容上数据电压跳变的时序图；
图16为根据一些实施例提供的一种显示基板的显示图；
图17为根据一些实施例提供的一种显示基板中多个转接结构的位置图；
图18为根据一些实施例提供的另一种显示基板中多个转接结构的位置图；
图19为根据一些实施例提供的显示基板驱动方法的流程图；
图20为根据一些实施例提供的显示基板驱动方法中灰阶值与亮度重新配置的曲线图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是“当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种显示装置。显示装置为具有图像(包括：静态图像或动态图像，其中，动态图像可以是视频)显示功能的产品。例如，显示装置可以是：显示器，电视机，广告牌，数码相框，具有显示功能的激光打印机，电话，手表，手机，画屏，个人数字助理(Personal Digital Assistant，PDA)，数码相机，便携式摄录机，取景器，导航仪，车辆，大面积墙壁，信息查询设备(如电子政务、银行、医院、电力等部门的业务查询设备)，监视器等中的任一种产品。又如，显示装置还可以是微显示器，包含微显示器的VR设备或AR设备等中的任一种产品。
图1为显示装置的立体图。图2为显示装置的正视图。
参见图1和图2，显示装置1000可以包括显示基板100和光学传感器200。其中，显示基板100为可以显示图像的平板。例如，显示基板100可以称为屏幕：液晶显示基板100、有机发光显示基板100等。例如，传感器200可以是：红外线传感器、超声波传感器、激光雷达(Light Detection and Ranging，LIDAR)传感器、雷达(Radar)传感器、摄像头传感器等。
参见图1，显示基板100具有显示侧100A和非显示侧(即显示基板100的背侧)100B。其中，显示侧100A为显示基板100的能够显示图像的一侧；人眼在显示侧100A时，可观看到显示基板100显示的图像。非显示侧100B与显示侧100A相对。光学传感器200设置于显示基板100的非显示侧100B，因此，光学传感器200可以称为屏下传感器。由于光学传感器200需要接收外界穿过显示基板100透过的光信号，因此显示基板100在对应光学传感器200的区域需要有较高的光线透过率。基于此，显示基板100可以具有显示区AA和周边区SA，图1中的X方向为显示区AA的其中一条边的延伸方向，如短边的延伸方向，又如显示区AA的横向方向。Y方向为显示区AA的另一条边的延伸方向，如长边的延伸方向，又如显示区AA的纵向方向。Z方向为垂直于显示基板100所在平面的方向。以下各图中X方向、Y方向和Z方向采用相同的定义。
参见图2和图6C，周边区SA位于显示区AA外的至少一侧(例如，一侧；又如，四周，即包括上下两侧和左右两侧)。显示区AA可以包括相互不交叠的主显示区AA1和与传感器200位置对应的透光显示区AA2。透光显示区AA2的光线透过率可以高于主显示区AA1的光线透过率。
光学传感器200的采光区在显示基板100的正投影与透光显示区AA2至少部分交叠，以使得较多的光线能够穿过显示基板100而被光学传感器200接收。例如，光学传感器200的采光区在显示基板100的正投影的一部分位于透光显示区AA2以内。又如，光学传感器200的采光区在显示基板100的正投影的全部位于透光显示区AA2以内。主显示区AA1为显示区AA中除了透光显示区AA2以外的区域。
本公开的一些实施例提供了一种显示基板100。该显示基板100可以包含于上述的显示装置1000内部。
如图3和图6B所示，显示区AA包括阵列排布的多个显示单元区。每个显示单元区包括多个子显示区130。每个子显示区130内包括一个发光器件。需要说明的是，图3和图6B中隐藏了主显示区AA1中的发光器件。
作为一种示例，多个子显示区130包括被配置为发出第一颜色光的第一子显示区130、被配置为发出第二颜色光的第二子显示区130和被配置为发出第三颜色光的第三子显示区130；其中，第一颜色、第二颜色和第三颜色可以为三基色。例如，第一颜色为红色，第二颜色为绿色，第三颜色为蓝色；相应地，多个子显示区130包括红色子显示区130、绿色子显示区130和蓝色子显示区130。作为另一种示例，多个子显示区130还可以包括发出白光的第四子显示区130。一个显示单元区内的多个子显示区130能够共同配合发出白光。
在一些示例中，显示单元区包括四个子显示区，排布规律为：一个第一颜色的子显示区130、一个第二颜色的子显示区130、一个第三颜色的子显示区130和一个第二颜色的子显示区130。
例如，第一颜色的子显示区130为红色子显示区，第二颜色的子显示区130为绿色子显示区，第三颜色的子显示区130为蓝色子显示区。红色子显示区130包括红色的发光器件E；绿色子显示区130包括绿色的发光器件E；蓝色子显示区130包括蓝色的发光器件E。即，本例中一个显示单元区包括一个红色的发光器件E，一个蓝色的发光器件E和两个绿色的发光器件E。
示例性地，发光器件E可以是发光二极管(Light Emitting Diode，LED)，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)，量子点发光二极管(Quantum dot LightEmitting Diodes，QLED)，微LED(包括：mini LED或micro LED)等中的任一者。发光器件E(例如，OLED或QLED)包括阴极和阳极，在阳极和阴极之间通入电流时，发光器件E被点亮。
如图3和图6B所示，显示基板为了提高透光显示区AA2的透光率，在透光显示区AA2未设置像素电路。透光显示区AA2内的发光器件接收主显示区AA1中像素电路提供的电信号进行发光。
主显示区AA1包括阵列排布的多个像素单元区。每个像素单元区包括多个子像素区120。多个子像素区120可以包括正常子像素区120A和虚拟(dummy)子像素区120B。每个子像素区120内包括一个像素电路S。例如，虚拟子像素区120B包括第一像素电路S1，第一像素电路S1通过导电线与第一发光器件耦接；正常子像素区120A包括第二像素电路S2，第二像素电路S2与第二发光器件耦接。
在一些实施例中，多个第二像素电路S2间隔分布于第一像素电路S1之间。
示例性地，在第一方向X上，至少一个虚拟子像素区120B位于两个正常子像素区120A之间。可以理解地，在第一方向X上，一个第一像素电路S1位于两个第二像素电路S2之间。
在一些示例中，像素单元区中子像素区120的数量，可以与显示单元区中子显示区130的数量相等，一个像素单元区中的多个像素电路S可以与一个显示单元区中的多个发光器件E耦接。
在一些实施例中，在主显示区AA1内，子像素区120内的像素电路S与子显示区130中的发光器件可以部分交叠，也可以完全交叠。示例性地，如图4所示，在主显示区AA1内，一个子显示区130的发光器件可以一部分与一个像素电路至少部分交叠，另一部分与另一个像素电路至少部分交叠。
显示基板100还可以包括多根信号线。如图5A和图5B所示，例如多根信号线可以包括，被配置为传输数据信号的数据线L-Data，被配置为传输栅极信号的栅线L-Gate，被配置为传输扫描信号的扫描线L-Scan，被配置为传输复位信号的复位线L-Re，被配置为传输使能信号的使能线L-EM，被配置为传输第一初始信号的第一初始线L-Vinit1，被配置为传输第二初始信号的第二初始线L-Vinit2，被配置为传输第三初始信号的第三初始线L-Vinit3，被配置为传输第一电源电压VDD(例如高电压)的第一电源线L-VDD，以及被配置为传输第二电源电压VSS(例如低电压)的第二电源线L-VSS等。
其中，栅线L-Gate、扫描线L-Scan、复位线L-Re、使能线L-EM、第一初始线L-Vinit1、第二初始线L-Vinit2和第三初始线L-Vinit3，可以沿显示基板的行方向(第一方向X)延伸。第一电源线L-VDD，可以沿显示基板的列方向(第二方向Y)延伸。
多条数据线L-Data包括多条第一数据线L-Data1和多条第二数据线L-Data2。第一数据线L-Data1与第一像素电路S1耦接，第二数据线L-Data2与第二像素电路S2耦接。
如图6A至图6C所示，第一数据线L-Data1可以包括沿第一方向延伸的转接信号线L-Data1-1、以及沿第二方向延伸的第一子数据线L-Data1-2和第二子数据线L-Data1-3。第二数据线L-Data2沿第二方向延伸。其中，图6A和图6B中第一数据线L-Data1以黑粗线表示，第二数据线L-Data2以黑细线表示；图6C中第一数据线L-Data1以黑实线表示，第二数据线L-Data2以黑虚线表示。
像素电路S的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性地，像素电路S可以包括：至少两个晶体管(用T表示)和至少一个电容器(用C表示)。例如，像素电路S可以具有“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。
如图5A所示，例如，第一像素电路S1具有“7T1C”结构，包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、电容器Cst和发光器件E。
第一晶体管T1的控制极与复位线L-Re耦接，第一晶体管T1的第一极与第一初始线L-Vinit1耦接，第一晶体管T1的第二极与第一节点N1耦接。
第二晶体管T2的控制极与栅线L-Gate耦接，第二晶体管T2的第一极与第三节点N3耦接，第二晶体管T2的第二极与第一节点N1耦接。
第三晶体管T3的控制极与第一节点N1耦接，第三晶体管T3的第一极与第二节点N2耦接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3耦接。
第四晶体管T4的控制极与扫描线L-Scan耦接，第四晶体管T4的第一极与数据线L-Data耦接，第四晶体管T4的第二极与第二节点N2耦接。
第五晶体管T5的控制极与使能线L-EM耦接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线L-VDD耦接，第五晶体管T5的第二极与第二节点N2耦接。
第六晶体管T6的控制极与使能线L-EM耦接，第六晶体管T6的第一极第三节点N3耦接，第六晶体管T6的第二极与第四节点N4耦接。
第七晶体管T7的控制极与扫描线L-Scan耦接，第七晶体管T7的第一极与第三初始线L-Vinit3耦接，第七晶体管T7的第二极与第四节点N4耦接。
电容器Cst的第一极板与第一电源线L-VDD耦接，电容器Cst的第二极板与第一节点N1耦接。
第一发光器件E的阳极与第四节点N4耦接，第一发光器件E的阴极与第二电源线L-VSS耦接。
在一些实施例中，第四晶体管T4被配置为响应于扫描信号为有效电平而导通(即形成第二节点N2与数据线L-Data之间的通路)，将数据信号传输至第一节点N1，并给电容器Cst充电。第三晶体管T3被配置为响应于第一节点N1的电平，控制流经第三晶体管T3处的电流的大小。由于发光器件E与驱动晶体管(即第三晶体管T3)相串联，因此发光器件E的亮度随着电流的大小而改变。
在一些示例中，第n行像素电路S的复位线L-Re，可以用第n-1行像素电路耦接的扫描线L-Scan替代，此处不作限定。
在一些实施例中，如图5B所示，第二像素电路S2与第一像素电路S1的结构相同，即第二像素电路S2也包括上述7T1C结构。第二像素电路S2与第一像素电路S1的区别可以包括：第二像素电路S2中第七晶体管T7的第一极与第二初始线L-Vinit2耦接；并且，第四节点N4耦接第二发光器件E的阳极。
在另一些实施例中，第二像素电路S2与第一像素电路S1中第七晶体管T7的第一极也可以与同一初始线耦接，此处不作限定。
如图6A～图6C所示，显示基板还包括多条虚拟(Dummy)线L-Dummy。虚拟线L-Dummy沿第二方向Y延伸，且多条虚拟线L-Dummy沿第一方向X平行且间隔设置。
在第一方向X上的相邻两条虚拟线L-Dummy之间，可以包括固定数量的第二数据线L-Data2。示例性地，在第一方向X上的相邻两条虚拟线L-Dummy之间包括7条第二数据线L-Data2，或者5条第二数据线L-Data2，此处不作限定。
上述一条第一子数据线L-Data1-2可以是一条虚拟线L-Dummy的局部线段。其中，该条虚拟线L-Dummy中作为第一子数据线L-Data1-2的线段，与该虚拟线L-Dummy的其他线段之间断开。
第一数据线L-Data1利用虚拟线L-Dummy和转接信号线L-Data1-1，实现绕透光显示区AA2传输数据信号。示例性地，如图6C所示，在第一方向X上连续排列的多条第一数据线L-Data1分别利用了在第一方向X上连续排列的虚拟线L-Dummy作为各自第一数据线L-Data1中的第一子数据线L-Data1-2。
如图6A所示，显示基板100的多个子像素区120还包括第一子像素区121和第二子像素区122。如图7～图11B所示，在一些实施例中，显示基板包括自远离衬底的方向设置的半导体层210、第一导电层220、第二导电层230、第三导电层240和第四导电层250。
如图7所示，半导体层210可以包括低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)材料，也可以包括低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)材料，还可以包括其他合适的材料，此处不作限定。
第一导电层220、第二导电层230、第三导电层240和第四导电层250可以包括金属材料、合金材料或其他导电材料。其中，金属材料例如为铝Al、铜Cu、银Ag、镁Mg、镱Yb、锂Li等。
如图7所示，半导体层210可以包括像素电路中多个晶体管的有源层。以图5A中像素电路包括第一晶体管T1至第七晶体管T7为例，第一半导体层210可以包括第一晶体管T1至第七晶体管T7的有源层(p1～p7)。
在一些示例中，第一晶体管T1至第七晶体管T7的有源层(p1～p7为相互连接的一体结构。
在一些实施例中，在半导体层210与第一导电层220之间还可以包括第一绝缘层。第一绝缘层的材料可以是氧化物、氮化物或者氮氧化合物中一种或多种的组合，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，此处不作限定。
如图8所示，在一些实施例中，第一导电层220可以包括栅线L-Gate、扫描线L-Scan、使能线L-EM(又称为发光控制信号线)、以及第一晶体管T1至第七晶体管T7的控制极(g1～g7)、以及存储电容器Cst的第二极板Cst-2。
在一些示例中，第二晶体管的控制极g2、第四晶体管的控制极g4、以及栅线L-Gate为相互连接的一体结构。
在一些示例中，第一晶体管的控制极g1位于栅线L-Gate远离第三晶体管的控制极g3的一侧。
在一些示例中，第五晶体管的控制极g5、第六晶体管的控制极g6和使能线L-EM为相互连接的一体结构。
在一些示例中，第七晶体管的控制极g2和扫描线L-Scan为相互连接的一体结构。
在一些实施例中，在第一导电层220与第二导电层230之间还可以包括第二绝缘层。第二绝缘层的材料可以是氧化物、氮化物或者氮氧化合物中一种或多种的组合，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，此处不作限定。
如图9所示，在一些实施例中，第二导电层230可以包括第一初始线L-Vinit1、第二初始线L-Vinit2、第三初始线L-Vinit3、以及存储电容器Cst的第一极板Cst-1。
在一些示例中，第一初始线L-Vinit1、第二初始线L-Vinit2和第三初始线L-Vinit3自远离存储电容器Cst的第一极板Cst-1的方向依次排布。
在一些示例中，第一初始线L-Vinit1包括沿第一方向延伸的第一主体部、以及向靠近存储电容器Cst的第一极板Cst-1的方向延伸的第一延伸部。
在一些示例中，如图12A、图12B和图12D所示，在第二方向上，一条扫描线L-Scan位于一条第一初始线L-Vinit1和一条第二初始线L-Vinit2之间。
在一些实施例中，在第二导电层230与第三导电层240之间还可以包括第三绝缘层。第三绝缘层的材料可以是氧化物、氮化物或者氮氧化合物中一种或多种的组合，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，此处不作限定。
如图10A所示，在一些实施例中，第三导电层240可以包括转接线L-SW和多个转接件。
转接线L-SW沿第一方向延伸，且位于多个像素电路之间。
在一些示例中，多个转接件包括第一转接件sd1至第七转接件sd7。
第一转接件sd1可以在第二像素电路S2中耦接第三初始线L-Vinit3和第七晶体管T7的第一极。
第二转接件sd2可以在第一像素电路S1中耦接第二初始线L-Vinit2和第七晶体管T7的第一极。
第三转接件sd3可以耦接第一晶体管T1的第一极和第一初始线L-Vinit1。
第四转接件sd4可以耦接第四晶体管T4的第一极和数据线L-Data。
第五转接件sd5可以耦接第四晶体管T4的第二极和第三晶体管T3的第一极。
第六转接件sd6可以耦接第五晶体管T5的第一极和存储电容Cst的第一极板，并且第六转接件sd6可以与第一电源线L-VDD耦接以得到第一电压信号。
在一些实施例中，在第三导电层240与第四导电层250之间还可以包括第四绝缘层。第四绝缘层的材料可以是氧化物、氮化物或者氮氧化合物中一种或多种的组合，例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，此处不作限定。
如图11A所示，在一些实施例中，第四导电层250可以包括第一电源线L-VDD、数据线L-Data、第八转接件sd8和第九转接件sd9。
在一些示例中，如图11A所示，在第一像素电路S1中，第三导电层240中的第七转接件sd7与第六晶体管T6的第二极和第四导电层250的第八转接件sd8耦接。第八转接件sd8与第一发光器件E的阳极耦接，从而使得第六晶体管T6的第二极和第一发光器件E的阳极耦接。
在另一些示例中，如图11A所示，在第二像素电路S2中，第三导电层240中的第七转接件sd7与第六晶体管T6的第二极和第四导电层250的第九转接件sd9耦接。第九转接件sd9与第二发光器件E的阳极耦接，从而使得第六晶体管T6的第二极和第二发光器件E的阳极耦接。
在一些实施例中，如图6A～图6C所示，第一数据信号线L-Data1被配置为对显示基板中位于同一列的多个发光器件提供数据信号。例如，第一数据信号线L-Data1中的第一子数据线L-Data1-2，被配置为对该列中位于透光显示区内的多个第一发光器件提供数据信号；第一数据信号线L-Data1中的第二子数据线L-Data1-3，被配置为对该列中位于主显示区内的多个第二发光器件提供数据信号。
示例性地，一条第一数据线L-Data1包括多条沿第二方向延伸的第一子数据线L-Data1-2，多条第一子数据线L-Data1-2沿第一方向相互平行间隔设置。多条第一子数据线L-Data1-2分别与沿第一方向延伸的转接信号线L-Data1-1耦接，转接信号线L-Data1-1还与沿第二方向延伸的第二子数据线L-Data1-3耦接，多条第一子数据线L-Data1-2与透光显示区内同一列的多个第一发光器件耦接。另外，该第一子数据线L-Data1-2远离转接信号线L-Data1-1的一端还可以通过导线与沿第二方向延伸的另一段第二子数据线L-Data1-3耦接，从而形成数据信号一个完整的通路。
需要说明的是，转接信号线L-Data1-1可以是转接线L-SW中的局部线段，此处不作限定。另外，上述导线可以是也通过信号转接线L-SW将数据信号重新转回另一段的第二子数据线L-Data1-3，也可以是额外新增信号线将数据信号重新转回另一段的第二子数据线L-Data1-3，此处不作限定。
这样，数据信号依次经过第二子数据线L-Data1-3、转接信号线L-Data1-1和第一子数据线L-Data1-2传输至第一像素电路，并由第一像素电路驱动透光显示区内的第一发光器件发光。
其中，不同的第二子数据线L-Data1-3可以与不同的转接信号线L-Data1-1耦接。另外，不同的转接信号线L-Data1-1也可以与不同的第一子数据线L-Data1-2耦接。
如图6A和图6B所示，第一像素电路通过透明信号线(在图6A中以虚线表示)L-TG与透光显示区AA2内的第一发光器件耦接。透明信号线L-TG例如可以为氧化铟锡(ITO)线。
在一些实施例中，显示基板100还包括多个透明导电层。例如显示基板100包括自远离衬底方向依次叠置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层。多个透明导电层可以位于多个导电层远离衬底的一侧。
第一透明导电层包括沿第一方向延伸的第一透光信号线L-TG，第一透光信号线L-TG的一端与第一像素电路耦接，第一透光信号线L-TG的另一端与透光显示区AA2内的第一颜色发光器件耦接。
第二透明导电层包括沿第一方向延伸的第二透光信号线L-TG，第二透光信号线L-TG的一端与第一像素电路耦接，第二透光信号线L-TG的另一端与透光显示区AA2内的第二颜色发光器件耦接。
第三透明导电层包括沿第一方向延伸的第三透光信号线L-TG，第三透光信号线L-TG的一端与第一像素电路耦接，第三透光信号线L-TG的另一端与透光显示区AA2内的第三颜色发光器件耦接。
由于第一透光信号线L-TG、第二透光信号线L-TG和第三透光信号线L-TG具有较高的透光率，不会影响透光显示区AA2的透光率。
在一些示例中，透光信号线L-TG可以不直接与第一像素电路S1耦接。显示基板100还可以包括沿第一方向延伸的搭接线。搭接线的一端与第一像素电路耦接，搭接线的另一端延伸至主显示区AA1的边缘位置并与透光信号线耦接。搭接线可以是金属信号线。搭接线的电传导率大于透光信号线的电传导率。因此，能够降低电阻。
如图6A所示，第一子像素区121包括第二子数据线L-Data1-3与转接信号线L-Data1-1交接的位置；第二子像素区122为多个子像素区120除第一子像素区121之外的子像素区122。其中，第一子像素区121内形成有贯穿第四绝缘层的转接孔、以及填充转接孔以分别耦接第二子数据线L-Data1-3和转接信号线L-Data1-1的转接结构TC。该转接结构TC增大了第一子像素区121内数据线与周边的控制信号线(例如复位线或扫描线或栅线)之间的寄生电容(由于该寄生电容均是与数据线形成的，后续简称为数据线的寄生电容)的第一电容值。使得第一子像素区121内数据线的寄生电容的第一电容值，大于第二子像素区122内数据线的寄生电容的第二电容值。
示例性地，在第二子像素区122内的数据线的寄生电容的第二电容值、以及有转接线L-SW的像素区120内的数据线的寄生电容的电容值的处于0.19fF～0.31fF的范围内；在第一子像素区121内的数据线的寄生电容的第一电容值处于0.4fF～0.52fF的范围内。例如第二子像素区122内的数据线的寄生电容的第二电容值大致处于0.25fF；在第一子像素区121内的数据线的寄生电容的第一电容值大致处于0.46fF。
在一些示例中，如图12A和图12B所示，在第二方向上，转接结构TC可以位于转接线L-SW与控制信号线之间。
在另一些示例中，在第三方向上，转接结构TC可以位于数据线与控制信号线之间。示例性地，如图8所示，控制信号线位于上述第一导电层220，如图11A所示数据线位于上述第四导电层250，如图10A和图10B所示转接结构TC位于第一导电层220与第四导电层250之间的第三导电层240。
如图13所示，显示基板100还可以包括多路选择器(Multiplexer，MUX)。多路选择器位于显示基板的周边区。多路选择器与多条数据线中的至少两条数据线耦接，多路选择器被配置为将同一数据信号分时传递给所述至少两条数据线中的不同数据线。多路选择器可以串接于数据线和数据驱动电路(Source IC)之间，能够减少显示基板上数据线的数量，便于显示装置实现全面屏。
其中，如图14所示，MUX的驱动方式通常为：开启MUX，并通过MUX将数据信号写入主显示区AA1中数据线的寄生电容上，再关闭MUX；之后，通过栅线输出栅极信号，使得发光器件写入数据信号。
在MUX关闭的过程中，数据信号存储在数据线的寄生电容中，处于无源控制状态，易受到外界信号波动干扰。在栅线上的栅极信号和/或扫描线L-Scan上的扫描信号跳变时，存储在数据线的寄生电容里的数据信号会受到信号跳变的干扰。
如图15所示，因为寄生电容越大受到外界信号跳变的干扰造成寄生电容上数据信号跳变的程度越大，使得第一子像素区121中存入数据线的寄生电容上数据信号受到栅极信号和/或扫描信号跳变干扰下出现的数据电压的偏差，大于第二子像素区122中存入数据线的寄生电容上数据信号受到栅极信号和/或扫描信号跳变干扰下出现的数据电压的偏差，最后导致第一子像素区121内像素电路耦接的发光器件的亮度大于第二子像素区122内像素电路耦接的发光器件的亮度，存在显示基板显示亮度不均一的问题。
如图16所示，第一子像素区121内像素电路耦接的发光器件的亮度大于第二子像素区122内像素电路耦接的发光器件的亮度。以第一子像素区121呈“V”字形排列为例，第一子像素区121内像素电路耦接的发光器件在透光显示区的下方形成“V”字形亮带。
基于此，本公开一些实施例提供的显示基板100，能够克服显示亮度不均一的问题。
为了便于理解，下文以控制信号线为扫描线L-Scan、数据线的寄生电容为数据线与扫描线L-Scan之间的寄生电容为例进行说明。但是，不应以此作为对控制信号线和寄生电容的限定。
转接结构TC与第一数据线L-Data1耦接，且在第三方向Z上位于第一数据线L-Data1与扫描线L-Scan之间，导致数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容增大，进而导致增大了第一数据线L-Data1与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第一电容值。和/或，转接结构TC在衬底上的正投影未被数据线在衬底上的正投影完全覆盖，导致数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容增大，进而导致增大了第一数据线L-Data1与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第一电容值。
本公开一些实施例提供的显示基板100，通过增加数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容，使得第一数据线L-Data1的寄生电容的第一电容值与第二数据线L-Data2的寄生电容的第二电容值之间的差值小于或等于0.15fF。这样，能够减少各子像素区120内的寄生电容因周边信号跳变干扰造成的数据电压的差异，便于统一各子像素区120内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板100显示亮度的均一性。
以下提供两种增加数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第二电容值的方式进行说明。应当理解地，两种方式只是为了便于举例说明，并不表示只有这两种方式。
第一种方式：如图10A所示，第二子像素区122还包括虚拟转接结构NTC；可以理解地，虚拟转接结构NTC与数据线在第二子像素区122内的线段耦接，且与转接线分隔。
需要说明的是，数据线在第二子像素区122内的线段可以是第一数据线L-Data1的线段，也可以是第二数据线L-Data2的线段。其中，第二子像素区122内的数据线为第一数据线L-Data1的线段的情况下，可以是第一子数据线L-Data1-2的线段，也可以是不直接与转接线耦接的第二子数据线L-Data1-3的线段(也可以理解为第二子数据线L-Data1-3位于除第一子像素区121之外的线段)。
在一些实施例中，如图10A所示，转接结构TC包括与数据线在第一子像素区121内的线段耦接的第一转接部Z1、以及同时耦接第一转接部Z1和转接线L-SW的第二转接部Z2。示例性地，如图10A所示，第二转接部Z2可以属于第三导电层240。第一转接部Z1可以贯穿第四绝缘层，使得第三导电层240的转接线L-SW通过第二转接部Z2与第四导电层250的第二子数据线L-Data1-3耦接。
如图10A所示，虚拟转接结构NTC包括与数据线在第二子像素区122内的线段耦接的第三转接部Z3、以及耦接第三转接部Z3且与转接线L-SW分离的第四转接部Z4。示例性地，如图10A所示，第四转接部Z4可以属于第三导电层240。第三转接部Z3可以贯穿第四绝缘层，使得第三导电层240的第四转接部Z4与第四导电层250的数据线耦接。
可以理解地，如图10A所示，转接线L-SW、第二转接部Z2和第四转接部Z4可以同时位于第三导电层240。因此，可以通过一次构图工艺同时制作得到转接线L-SW、第二转接部Z2和第四转接部Z4，提高显示基板的制作效率。
在一些实施例中，虚拟转接结构NTC和转接结构TC可以位于第一导电层220与第四导电层250之间。
这样，虚拟转接结构NTC能够拉近第一导电层220的扫描线L-Scan的扫描信号，与第四导电层250的数据线的数据信号在第三方向上的平均间隔距离，即增大了数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容，使得第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值增大。
在一些实施例中，虚拟转接结构NTC在衬底上的正投影面积，小于或大致等于转接结构TC在衬底上的正投影面积。
虚拟转接结构NTC在衬底上的正投影未被数据线在衬底上的正投影完全覆盖，即增大了数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容，使得第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值增大。
示例性地，虚拟转接结构NTC在衬底上的正投影面积小于转接结构TC在衬底上的正投影面积。在此情况下，虚拟转接结构NTC相较于没有虚拟转接结构NTC而言，能够提升数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容的电容，缩小第二子像素区122内寄生电容与第一子像素区121内寄生电容之间的差值。这样，能够减小第一数据线L-Data1上的寄生电容的第一电容值，与第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值之间的差值。
示例性地，虚拟转接结构NTC在衬底上的正投影面积大致等于转接结构TC在衬底上的正投影面积，使得数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容，与数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容大致相等。这样，各个子像素区120内部数据线段的电容大致相等，能够使得第一数据线L-Data1上的寄生电容的第一电容值和第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值大致相等。
这样，能够减少各寄生电容因周边信号跳变干扰的差异，便于统一各寄生电容存储的数据信号的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
在一些实施例中，转接结构TC在衬底上的正投影，可以与第二子数据线L-Data1-3在第一子像素区121的线段在衬底上的正投影至少部分重合；虚拟转接结构NTC在衬底上的正投影，可以与数据线在第二子像素区122内的线段在衬底上的正投影至少部分重合。
这样，能够减少转接结构TC和虚拟转接结构NTC在显示基板的第一方向上占用的布局空间，避免影响显示基板上的像素电路的布局空间，从而能够适配采用多种像素电路的显示基板。
可以理解地，虚拟转接结构NTC与转接结构TC的区别可以只在于，转接结构TC耦接转接信号线，而虚拟转接结构NTC与转接信号线分隔。
因此第一种方式中，虚拟转接结构NTC能够增加数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容；进而，可以使得第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值，接近甚至大致等于第一数据线L-Data1上的寄生电容的第一电容值。这样，可以减少各子像素区内的寄生电容因周边信号跳变干扰造成的数据电压的差异，便于统一各子像素区内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
第二种方式：如图11B所示，数据线在第二子像素区122内的线段在第一方向上的平均尺寸，大于数据线在第一子像素区121内的线段在第一方向上的平均尺寸。
在一些实施例中，如图11B所示，数据线在第二子像素区122内的线段包括沿第二方向延伸的第二本体部B1、以及自第二本体部B1沿第一方向延伸的第二延伸部B2。其中，第二本体部B1在第一方向上的尺寸与数据线在第一子像素区121内的线段在第一方向上的尺寸大致相等。因此，由于第二子像素区122内的线段增加了延伸部B2，使得数据线在第二子像素区122内的线段在第一方向上的平均尺寸，大于数据线在第一子像素区121内的线段在第一方向上的平均尺寸。
第二子像素区122内的延伸部B2在衬底上的正投影，与扫描线L-Scan在衬底上的正投影至少部分重合。这样，能够增加数据线在第二子像素区122内线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容两个极板之间的相对面积，从而增加第二子像素区122内数据线的寄生电容。
示例性地，如图12C所示，数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan的相对面积M1，大于数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan的相对面积M2。从而，增加第二子像素区122内数据线的寄生电容的电容值。
这样，通过增加第二子像素区122内数据线的寄生电容的电容值，可以使得第一数据线L-Data1上的寄生电容的第一电容值和第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值大致相等。
在一些示例中，如图12C所示，第二延伸部B2在第二方向上的尺寸，大于扫描线L-Scan在第二方向上的尺寸。
这样，能够增加延伸部第二延伸部B2与扫描线L-Scan对位的范围，提升显示基板制作过程中对位误差的包容性，确保延伸部第二延伸部B2能够与扫描线L-Scan对位设置，从而增加第二子像素区122内数据线的寄生电容的第二电容值。
因此第二种方式中，通过增加数据线在第二子像素区122内在第一方向上的尺寸，增大了第二子像素区122内数据线与扫描线L-Scan之间的寄生电容。这样，通过增加第二子像素区122内数据线的寄生电容的电容值，可以使得第一数据线L-Data1上的寄生电容的第一电容值和第二数据线L-Data2上的寄生电容的第二电容值大致相等。便于统一各子像素区120内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
其次，在上述两种增加第二数据线L-Data2与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第二电容值的方式之外，还可以采用减小数据线在第一子像素区121内的寄生电容的第一电容值的方式减小第一电容值和第二电容值之间的差异。
以下提供一种减小数据线在第一子像素区121内的寄生电容的第一电容值的方式进行说明。应当理解地，该种方式只是为了便于举例说明，并不表示只有这一种方式。
第三种方式：如图10B、图12B和图12D所示，在第二方向上，转接结构TC与扫描线L-Scan之间的间隔距离d，大于或等于5μm。
转接结构TC与扫描线L-Scan之间的间隔距离d为1.45μm的情况下，数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第一电容值为0.46飞法(fF)。
本方式中，通过将转接结构TC远离扫描线L-Scan设置。例如，将转接孔靠近转接信号线设置，增加转接结构TC与扫描线L-Scan之间的间隔距离，同时减少第四转接部在衬底上的正投影面积。
这样，使得转接结构TC与扫描线L-Scan之间的间隔距离d大于或等于5μm，从而减小第一子像素区121内寄生电容的第一电容值。
示例性地，转接结构TC与扫描线L-Scan之间的间隔距离d为6.7μm的情况下，数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第一电容值减小至0.32飞法(fF)。
因此第三种方式中，通过增加转接结构TC与扫描线L-Scan之间的间隔距离，可以减小第一子像素区121内寄生电容的第一电容值。这样，可以减少第一子像素区121内寄生电容因扫描信号跳变干扰造成的数据电压的差异，便于统一各子像素区内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
另外，在上述三种方式通过减小第一电容值和第二电容值之间的差异，来减少第一子像素区121内寄生电容上的数据信号因扫描信号跳变干扰造成数据电压跳变，与第二子像素区122内寄生电容上的数据信号因扫描信号跳变干扰造成数据电压跳变之间的差异之外。还可以利用上述初始线稳定第一子像素区121内寄生电容上数据电压的跳变。
以下提供一种利用初始线稳定第一子像素区121内寄生电容上数据电压的跳变的方式进行说明。应当理解地，该种方式只是为了便于举例说明，并不表示只有这一种方式。
第四种方式：至少一条初始线与转接结构TC之间的间隔距离，小于或等于2μm。
初始线被配置为传输电压值恒定的初始信号，因此初始线具有稳定的特性。通过将转接结构TC与至少一条初始线之间的间隔距离小于或等于2μm，初始线能够减轻第一子像素区121内寄生电容上数据电压因扫描信号跳变干扰造成数据电压跳变的影响，从而减轻甚至消除第一子像素区121内寄生电容与第二子像素区122内寄生电容因扫描信号跳变干扰造成的数据电压的差异，便于统一各子像素区内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
在一些实施例中，如图12A所示，至少一条初始线在衬底上的正投影，与转接结构TC在衬底上的正投影至少部分交叠。
示例性地，如图12A所示，转接结构TC在衬底上的正投影与第三初始线L-Vinit3和第二初始信号线L-Vinit2在衬底上的正投影至少部分交叠。
又示例性地，如图12B所示，转接结构TC在衬底上的正投影与第三初始线L-Vinit3在衬底上的正投影至少部分交叠。
这样，能够便于缩小转接结构TC与初始线之间的间隔距离，提升初始线减轻第一子像素区121内寄生电容上数据电压因扫描信号跳变干扰造成数据电压跳变的效果。
因此第四种方式中，通过缩小转接结构TC与初始线之间的间隔距离，提升了第一子像素区121内寄生电容抗干扰的能力，以降低第一子像素区121内寄生电容上数据电压因扫描信号跳变干扰造成数据电压跳变的影响。这样，便于统一各子像素区内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
需要说明的是，上述四种方式可以单独实施，也可以多种方式组合实施，还可以结合其他方式共同实施，此处不作限定。
综上所述，本公开实施例提供的显示基板，通过设计使得数据线在第二子像素区122内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第二电容值，与数据线在第一子像素区121内的线段与扫描线L-Scan之间的寄生电容的第一电容值之间的差值小于或等于0.15fF。这样，能够减少各子像素区内的寄生电容因周边信号跳变干扰造成的数据电压的差异，便于统一各子像素区内寄生电容存储的数据电压的偏差，从而有利于提升显示基板显示亮度的均一性。
本公开实施例还提供一种显示基板的驱动方法。显示基板为如上任一实施例的显示基板。
在一些实施例中，以显示单元区包括一个红色发光器件、一个绿色发光器件和一个蓝色发光器件为例。当透光显示区中第一发光器件的列数为6a(a为正整数)列且透光显示区中第一发光器件的列数占据第m+1列至m+6a列时，从第n+1行位置开始布局转接结构。
在一些示例中，如图17所示，n+1行至n+a行排布转接结构用于与透光显示区中的绿色发光器件耦接；n+a+1行至n+2a行排布转接结构用于与透光显示区中的红色发光器件耦接；n+2a+1行至n+3a行排布转接结构用于与透光显示区中的蓝色发光器件耦接。
各转接结构的位置可以参考表1，其中，G(x，y)表示绿色像素区位于第x行第y列的位置，红色像素区和绿色像素区同理，此处不作赘述。
G像素 G(n+1，m+2) G(n+1，m+5) ...... G(n+a，m+3a-1) G(n+a，m+3a+2) ...... G(n+2，m+6a-4) 3a-1)
R像素 R(n+a+1，m+1) R(n+a+2，m+4) ...... R(n+2a，m+3a-2) R(n+2a，m+3a+1) ...... R(n+a+2，m+6a-5) R(n+a+1，m+6a-1)
B像素 R(n+2a+1，m+3) R(n+2a+1，m+6) ...... B(n+3a，m+3a) B(n+3a+1，m+3a+3) ....... B(n+2a+2，m+6a-3) B(n+2a+1，m+6a)
表1
其中，n+1行至n+a行中排布的多个转接结构呈“V”字形排列；类似地，n+a+1行至n+2a行中排布的多个转接结构呈“V”字形排列；类似地，n+2a+1行至n+3a行中排布的多个转接结构呈“V”字形排列。
在另一些示例中，如图18所示，n+1行至n+3a行依次排布用于与透光显示区中的红色发光器件耦接的转接结构、用于与透光显示区中的绿色发光器件耦接的转接结构、以及用于与透光显示区中的蓝色发光器件耦接的转接结构。
各转接结构的位置可以参考表2，其中，G(x，y)表示绿色像素区位于第x行第y列的位置，红色像素区和绿色像素区同理，此处不作赘述。
G像素 G(n+2，m+2) G(n+5，m+5) ...... G(n+3a-1，m+3a-1) G(n+3a-1，m+3a+2) ...... G(n+5m+6a-4) G(n+2，m+6a-1)
R像素 R(n+1，m+1) R(n+4，m+4) ...... R(n+3a-2，m+3a-2) R(n+3a-2，m+3a+1) ...... R(n+6，m+6a-5) R(n+3，m+6a-2)
B像素 B(n+3，m+3) B(n+6，m+6) ...... B(n+3a，m+3a) B(n+3a，m+3a+3) ...... B(n+4a，m+6a-3) B(n+1，m+6a)
表2
其中，n+1行至n+6a行中排布的多个转接结构呈“V”字形排列。
需要说明的是，在显示基板采用上述不同的方式布局多个转接结构的情况下，数据驱动电路需要为各个发光器件匹配不同的数据电压。无论显示基板采用上述表1或表2中何种转接结构的布局方式，均适用于本公开实施例提供的显示基板的驱动方法。
显示基板的驱动方法，如图19所示，包括：步骤S510～步骤S530。
步骤S510：获取多个像素区中，转接结构所在的第一子像素区。
上文中已经提到第一像素区内寄生电容的第一电容值大于第二像素区内寄生电容的第二电容值，导致第一子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度大于第二子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度的现象。
因此，在一些示例中，数据驱动电路可以通过检测各个发光器件的亮度，确定亮度较高的发光器件，进而确定与高亮度的发光器件耦接的像素电路所在的第一子像素区。在另一些示例中，数据驱动电路也可以通过检测各个子像素区内数据线的寄生电容的电容值，确定电容值较高的寄生电容所在的第一子像素区。
另外，在另一些示例中，数据驱动电路还可以接收由工作人员输入的包括预先设定的第一子像素区的数据信息，从而确定转接结构所在的第一子像素区。
步骤S520：降低第一子像素区对应的灰阶值，并基于降低后的灰阶值提升数据信号的电压值。
如图20所示，图20中实线为原本第一子像素区对应的灰阶值，图20中虚线为降低灰阶值后第一子像素区对应的灰阶值。可以理解地，是将本第一子像素区的灰阶值重新配置(remapping)到更低的灰阶值。
第一子像素区耦接不同颜色的发光器件时，各第一子像素区可以有相同的配置(mapping)线，也可以有不同的配置线，此处不作限定。另外，在显示基板处于不同亮度条场景的情况下，一个第一子像素区对应的配置线可以相同，也可以不同以满足不同环境的显示要求，此处不作限定。
其中，图20中的配置线可以只确定部分亮度值对应的灰阶值，剩余部分亮度值对应的灰阶值可以基于线性关系计算得到。
数据驱动电路为了第一子像素区能够基于降低后的灰阶值进行显示，会将提供给第一子像素区内像素电路的数据信号的电压值进行提升。
步骤S530：向各个第一子像素区提供电压值提升后的数据信号，以使与第一像素区对应的发光器件进行发光。
数据驱动电路将电压值提升后的数据信号传输给第一子像素区内像素电路，再由第一子像素区内像素电路提供给对应的发光器件，能够降低第一子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度，从而使得第一子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度接近甚至等于第二子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度。
综上，本申请实施例提供的显示基板的驱动方法，能够降低第一子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度，从而使得第一子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度接近甚至等于第二子像素区内像素电路耦接的发光器件的亮度。这样，可以提升显示基板各发光器件发光亮度的均一性，从而提升显示装置的显示效果。
如图1所示，本公开实施例提供一种显示装置1000。显示装置1000包括显示基板100和光学传感器200。其中，显示基板100为如上任一实施例提供的显示基板100。
显示基板100包括进行发光的显示侧100A、以及与显示侧100A相对设置的背侧100B。光学传感器200位于显示基板100的背侧100B，且光学传感器200的采光侧面对显示基板100的背侧100B。
光学传感器200的采光区与显示基板100的透光显示区AA2至少部分重合，从而光学传感器200能够透过显示基板100的透光显示区AA2，采集到显示基板100显示侧100A的图像(例如人脸图像、景象等)。
在一些示例中，光学传感器200的采光区的边缘在显示基板100上的正投影与透光显示区AA2的边缘大致重合。
在一些示例中，光学传感器200可以为摄像头。
由于显示装置1000具有上述任一实施例提供的显示基板100，因此显示装置1000具有上述任一实施例提供的显示基板100所具有的有益效果，此处不作赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
衬底，包括显示区和位于所述显示区至少一侧的周边区，所述显示区包括透光显示区、以及位于所述透光显示区至少一侧的主显示区；
多个发光器件，包括多个第一发光器件和多个第二发光器件，所述多个第一发光器件位于所述透光显示区，所述多个第二发光器件位于所述主显示区；
多个像素电路，位于所述主显示区；所述多个像素电路包括多个第一像素电路和多个第二像素电路，所述多个第一像素电路通过多条导电线和所述多个第一发光器件耦接，所述多个第二像素电路与所述多个第二发光器件耦接，所述多个第二像素电路间隔分布于所述第一像素电路之间；
多条数据线，包括多条第一数据线和多条第二数据线；所述第一数据线包括沿第一方向延伸的转接信号线、沿第二方向延伸的第一子数据线和第二子数据线，所述转接信号线位于所述多个像素电路之间，且分别和所述第一子数据线和所述第二子数据线耦接，所述第二方向与所述第一方向相交叉；所述第一子数据线与所述第一像素电路耦接，所述第二数据线和所述第二子数据线与所述第二像素电路耦接；
多条控制信号线，沿所述第一方向延伸，所述多条控制信号线与所述多个第一像素电路和所述多个第二像素电路耦接；
其中，所述第一数据线和所述控制信号线之间的寄生电容具有第一电容值，所述第二数据线和所述控制信号线之间的寄生电容具有第二电容值，所述第一电容值和所述第二电容值之间的差值小于或等于0.15fF。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一电容值和所述第二电容值相等。
3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于，所述主显示区还包括：
多个子像素区，所述多个像素电路分别位于所述多个子像素区；所述多个子像素区包括第一子像素区和第二子像素区；所述第一子像素区包括转接结构；
所述第二子数据线通过所述转接结构与所述转接信号线耦接。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二子像素区还包括虚拟转接结构；所述虚拟转接结构与数据线在所述第二子像素区内的线段耦接，且与所述转接信号线分隔。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述虚拟转接结构在所述衬底上的正投影面积，小于或等于所述转接结构在所述衬底上的正投影面积。
6.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述转接结构在所述衬底上的正投影，与所述第二子数据线在所述衬底上的正投影至少部分重合；
所述虚拟转接结构在所述衬底上的正投影，与所述第二数据线在所述衬底上的正投影至少部分重合。
7.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，
所述转接结构包括与所述第二子数据线耦接的第一转接部、以及同时耦接所述第一转接部和所述转接信号线的第二转接部；
所述虚拟转接结构包括与所述第二数据线耦接的第三转接部、以及耦接所述第三转接部且与所述转接信号线分离的第四转接部；
所述转接信号线、所述第二转接部和所述第四转接部，同层设置。
8.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述数据线在所述第二子像素区内的线段在所述第一方向上的平均尺寸，大于所述数据线在所述第一子像素区内的线段在所述第一方向上的平均尺寸。
9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述数据线在所述第二子像素区内的线段包括沿所述第二方向延伸的本体部、以及自所述本体部沿所述第一方向延伸的延伸部；
所述延伸部在所述衬底上的正投影，与所述控制信号线在所述衬底上的正投影至少部分重合。
10.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，所述延伸部在所述第二方向上的尺寸，大于所述控制信号线在所述第二方向上的尺寸。
11.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在所述第二方向上，所述转接结构与控制信号线之间的间隔距离，大于或等于5μm。
12.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括：
多条初始线，至少一条初始线与所述转接结构之间的间隔距离，小于或等于2μm。
13.根据权利要求12所述的显示基板，其特征在于，所述至少一条初始线在所述衬底上的正投影，与所述转接结构在所述衬底上的正投影至少部分交叠。
14.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，在所述第二方向上，所述转接结构位于所述转接信号线与所述控制信号线之间。
15.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，多个转接结构位于所述透光显示区在所述第二方向上的一侧，且所述多个转接结构呈至少一个“V”字形排列。
16.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述控制信号线包括复位信号线和栅极信号线中的至少一者。
17.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：
多条透明信号线，沿所述第一方向延伸；
每条透明信号线的一端与所述第一像素电路耦接，每条透明信号线的另一端与所述透光显示区内的第一发光器件耦接。
18.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述周边区的多路选择器，所述多路选择器与所述多条数据线中的至少两条数据线耦接，所述多路选择器被配置为将同一数据信号分时传递给所述至少两条数据线中的不同数据线。
19.一种显示装置，其特征在于，包括：
如权利要求1～18中任一项所述的显示基板；
光学传感器，位于所述显示基板的背侧，所述显示基板的背侧为与所述显示基板的显示侧相对的一侧；
所述光学传感器的采光区与所述显示基板的透光显示区至少部分重合。
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