CN115911100A - 横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：初始衬底；阱区，形成于初始衬底；体区和漂移区，形成于阱区；源极，形成于体区靠近漂移区一侧；载流子吸附层，形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于阱区，并位于体区底部；漏极，形成于漂移区；栅极，形成于体区上；场板，形成于漂移区上。通过本发明提供的晶体管，能够减少载流子在体区内聚集，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

Description

横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种横向双扩散场效应晶体管、一种芯片和一种电路。

背景技术

横向双扩散场效应晶体管（Lateral Double-Diffused MOSFET，LDMOS）作为一种横向功率器件，其电极均位于器件表面，易于通过内部连接实现与低压信号电路以及其它器件的单片集成，同时又具有耐压高、增益大、线性度好、效率高、宽带匹配性能好等优点，如今已被广泛应用于功率集成电路中，尤其是低功耗和高频电路。

现有技术中，横向双扩散场效应晶体管的源极、体区以及漂移区和漏极会形成横向的寄生双极晶体管结构，比如对于NLDMOS，其N型重掺杂漏极以及N型漂移区，与P型体区、N型重掺杂源区，形成了一个横向的寄生双极晶体管结构LNPN。通常LDMOS的工作电压和电流都比较大，在导通时，有大量的空穴进入体区，空穴在体区内聚集，会导致体区的电位增高，以至于体区对N型源极构成正向偏压，从而触发寄生的LNPN开启，击穿电压下降，引起器件烧毁。

发明内容

针对现有技术中载流子在体区内聚集，从而触发寄生的三极晶体管开启，击穿电压下降，引起器件烧毁的技术问题，本发明提供了一种横向双扩散场效应晶体管、一种横向双扩散场效应晶体管制作方法、一种芯片和一种电路，采用该横向双扩散场效应晶体管能够吸附大电流时从漂移区流入体区的载流子，减少载流子在体区内聚集，避免横向双扩散场效应晶体管内寄生的三极管导通，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

为实现上述目的，本发明第一方面提供一种横向双扩散场效应晶体管，包括：初始衬底；阱区，形成于所述初始衬底；体区和漂移区，形成于所述阱区，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；源极，形成于所述体区靠近所述漂移区一侧；载流子吸附层，形成于所述体区，所述载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层的一端延伸至所述体区远离所述漂移区一侧，另一端延伸至所述源极并紧贴所述源极底部，所述载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层，形成于所述阱区，并位于所述体区底部；漏极，形成于所述漂移区；栅极，形成于所述体区上；场板，形成于所述漂移区上。

进一步地，所述载流子吸附层为横向延伸的凹凸层状构型。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：保护环，形成于所述初始衬底。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：浅槽隔离，形成于所述漏极和所述保护环之间。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：层间电介质层，形成于所述场板、所述栅极和所述浅槽隔离上；金属电极，形成于所述载流子吸附层、所述源极、所述漏极和所述保护环上，并横向延伸覆盖部分层间电介质层。

本发明第二方面提供一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：形成初始衬底，所述初始衬底内形成有二氧化硅隔离层；在所述初始衬底形成阱区；在所述阱区形成体区和漂移区，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；在所述体区上形成栅极，在所述漂移区上形成场板；在所述漂移区形成漏极，在所述体区靠近所述漂移区一侧形成源极，在所述体区形成载流子吸附层，所述载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层的一端延伸至所述体区远离所述漂移区一侧，另一端延伸至所述源极并紧贴所述源极底部，所述载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂。

进一步地，所述形成初始衬底，包括：提供一原始衬底；通过氧离子注入，在所述原始衬底形成所述二氧化硅隔离层；在所述原始衬底表面外延一层外延衬底，所述外延衬底和所述原始衬底构成所述初始衬底。

进一步地，所述载流子吸附层为横向延伸的凹凸层状构型。

进一步地，所述在所述漂移区形成漏极，在所述体区靠近所述漂移区一侧形成源极，在所述体区形成载流子吸附层，包括：通过离子注入在所述体区形成第一导电类型重掺杂层；通过离子注入在所述第一导电类型重掺杂层上形成第二导电类型重掺杂层，以及在所述漂移区形成所述漏极；通过刻蚀工艺纵向去除部分第二导电类型重掺杂层、部分第一导电类型重掺杂层和部分体区，以在所述体区形成至少一个沟槽，将靠近漂移区一侧未被刻蚀的第二导电类型重掺杂层形成所述源极；通过回旋大倾角重掺杂在体区的沟槽的槽底和槽壁形成第一导电类型注入层，所述第一导电类型注入层与未被刻蚀的第一导电类型重掺杂层构成所述载流子吸附层。

本发明第三方面提供一种芯片，该芯片包括上文所述的横向双扩散场效应晶体管。

本发明第四方面提供一种电路，该电路包括上文所述的横向双扩散场效应晶体管。

通过本发明提供的技术方案，本发明至少具有如下技术效果：

本发明的横向双扩散场效应晶体管包括初始衬底，阱区形成于初始衬底，具有第一导电类型的体区和具有第二导电类型的漂移区形成于阱区，源极形成于体区靠近漂移区的一侧，漏极形成于漂移区，栅极形成于体区上，场板形成于漂移区上。载流子吸附层形成于体区，载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，载流子吸附层的一端延伸至体区远离漂移区一侧，另一端延伸至源极并紧贴源极底部，载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂。载流子吸附层包覆源极的底部，能够吸附场效应晶体管导通时从漂移区流入体区的载流子，而且载流子吸附层横向延伸的非平坦构型能够与体区充分接触，进一步提高载流子的吸附效率。二氧化硅隔离层形成于阱区，并位于体区底部，能够防止载流子吸附层与下方的阱区击穿。根据本发明提供的横向双扩散场效应晶体管，能够吸附大电流时体区的载流子，减少载流子在体区内聚集，避免横向双扩散场效应晶体管内寄生的三极管导通，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

本发明的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明实施例，但并不构成对本发明实施例的限制。在附图中：

图1为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的原始衬底的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中在形成的二氧化硅隔离层的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的初始衬底的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的阱区、体区和漂移区的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的浅槽隔离的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的栅极和场板的结构示意图；

图7为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的第一导电类型重掺杂层、第二导电类型重掺杂层、漏极和保护环的结构示意图；

图8为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的源极和侧墙的结构示意图；

图9为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的载流子吸附层的结构示意图；

图10为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的一种横向双扩散场效应晶体管的结构示意图；

图11为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的另一种横向双扩散场效应晶体管的结构示意图；

图12为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法中形成的另一种横向双扩散场效应晶体管的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的横向双扩散场效应晶体管制作方法的流程图。

附图标记说明

1-原始衬底；2-二氧化硅隔离层；3-外延衬底；4-初始衬底；5-阱区；6-体区；7-漂移区；8-浅槽隔离；9-栅氧；10-栅极；11-场板；12-漏极；13-第一导电类型重掺杂层；14-保护环；15-第二导电类型重掺杂层；16-侧墙；17-源极；18-载流子吸附层；19-层间电介质层；20-金属电极。

具体实施方式

以下结合附图对本发明实施例的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明实施例，并不用于限制本发明实施例。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、顶、底”通常是针对附图所示的方向而言的或者是针对竖直、垂直或重力方向上而言的各部件相互位置关系描述用词。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

请参考图10-12，本发明实施例第一方面提供一种横向双扩散场效应晶体管，该横向双扩散场效应晶体管包括：初始衬底4；阱区5，形成于所述初始衬底4；体区6和漂移区7，形成于所述阱区5，所述体区6具有第一导电类型，所述漂移区7具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；源极17，形成于所述体区6靠近所述漂移区7一侧；载流子吸附层18，形成于所述体区6，所述载流子吸附层18为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层18的一端延伸至所述体区6远离所述漂移区7一侧，另一端延伸至所述源极17并紧贴所述源极17底部，所述载流子吸附层18为第一导电类型离子重掺杂；二氧化硅隔离层2，形成于所述阱区5，并位于所述体区6底部；漏极12，形成于所述漂移区7；栅极10，形成于所述体区6上；场板11，形成于所述漂移区7上。

具体地，本发明实施方式中，横向双扩散场效应晶体管包括初始衬底4，阱区5形成于初始衬底4，体区6和漂移区7均形成于阱区5，体区6具有第一导电类型，漂移区7具有与第一导电类型不同的第二导电类型，源极17形成于体区6靠近漂移区7一侧，漏极12形成于漂移区7，栅极10形成于体区6上，场板11形成于漂移区7上。载流子吸附层18形成于体区6，为第一导电类型离子重掺杂，载流子吸附层18的一端延伸至体区6远离漂移区7一侧，另一端延伸至源极17并紧贴源极17底部，载流子吸附层18能够吸附场效应晶体管导通时从漂移区7流入体区6的载流子，而且载流子吸附层18横向延伸的非平坦构型能够与体区6充分接触，进一步提高载流子的吸附效率。二氧化硅隔离层2形成于阱区5，并位于体区6底部，二氧化硅隔离层2与载流子吸附层18之间具有间隔，二氧化硅隔离层2能够防止载流子吸附层18与下方的阱区5击穿。

根据本发明提供的横向双扩散场效应晶体管，能够吸附大电流时体区的载流子，减少载流子在体区内聚集，避免横向双扩散场效应晶体管内寄生的三极管导通，提高横向双扩散场效应晶体管的击穿电压。

进一步地，所述载流子吸附层18为横向延伸的凹凸层状构型。

具体地，本发明实施方式中，载流子吸附层18为横向延伸的凹凸层状构型，该构型能够充分与体区6接触，提高载流子的吸附效率，有利于击穿电压的提高，并且该构型制作方法简单，快捷。在图10所示的剖面图中载流子吸附层18为横向延伸的方波型构型，该图中示出的载流子吸附层18具有一组凹凸结构的层状构型，本领域技术人员可以根据实际情况形成两个或多个连续的凹凸的层状结构载流子吸附层18，如图11所示。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：保护环14，形成于所述初始衬底4。

具体地，本发明实施方式中，在初始衬底4内形成有保护环14，保护环14能够外接电压，对横向双扩散场效应晶体管进行电压保护。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：浅槽隔离8，形成于所述漏极12和所述保护环14之间。该浅槽隔离8用于进行隔离。

进一步地，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：层间电介质层19，形成于所述场板11、所述栅极10和所述浅槽隔离8上；金属电极20，形成于所述载流子吸附层18、所述源极17、所述漏极12和所述保护环14上，并横向延伸覆盖部分层间电介质层19。

具体地，本发明实施方式中，层间电介质层19形成于场板11、栅极10和浅槽隔离8上。金属电极20形成于载流子吸附层18、源极17、漏极12和保护环14上，并横向延伸覆盖部分层间电介质层19。横向延伸出的金属电极20与被覆盖的层间电介质层19构成第二场板。第二场板能够与场板11一起作为场板组，降低场效应晶体管的表面电场，减小场板11边缘尖锋电场，提高击穿电压。

请参考图1-13，本发明第二方面提供一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括以下步骤：S101：形成初始衬底4，所述初始衬底4内形成有二氧化硅隔离层2；S102：在所述初始衬底4形成阱区5；S103：在所述阱区5形成体区6和漂移区7，所述体区6具有第一导电类型，所述漂移区7具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；S104：在所述体区6上形成栅极10，在所述漂移区7上形成场板11；S105：在所述漂移区7形成漏极12，在所述体区6靠近所述漂移区7一侧形成源极17，在所述体区6形成载流子吸附层18，所述载流子吸附层18为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层18的一端延伸至所述体区6远离所述漂移区7一侧，另一端延伸至所述源极17并紧贴所述源极17底部，所述载流子吸附层18为第一导电类型离子重掺杂。

首先执行步骤S101：形成初始衬底4，所述初始衬底4内形成有二氧化硅隔离层2。

进一步地，所述形成初始衬底4，包括：提供一原始衬底1；通过氧离子注入，在所述原始衬底1形成所述二氧化硅隔离层2；在所述原始衬底1表面外延一层外延衬底3，所述外延衬底3和所述原始衬底1构成所述初始衬底4。

具体的，本发明实施方式中，提供的横向双扩散场效应晶体管即可以为N型横向双扩散场效应晶体管，也可以为P型横向双扩散场效应晶体管。当该横向双扩散场效应晶体管为N型横向双扩散场效应晶体管时，第一掺杂类型为P型，第二掺杂类型为N型；当该横向双扩散场效应晶体管为P型横向双扩散场效应晶体管时，第一掺杂类型为N型，第二掺杂类型为P型，本发明对此不作限制，下文本实施例中仅以N型横向双扩散场效应晶体管为例进行说明。

请参考图1-图3，本实施例中，先提供P型原始衬底1，在原始衬底1表面热氧化一层薄的二氧化硅层，作为阻挡层，在阻挡层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行刻蚀，在光刻胶层形成刻蚀窗口，通过刻蚀窗口对原始衬底1进行氧离子注入，在原始衬底1形成二氧化硅隔离层2。去除光刻胶层，高温退火，然后去除二氧化硅层，外延一层P型的外延衬底3，外延衬底3和原始衬底1构成初始衬底4。

接着执行步骤S102：在所述初始衬底4形成阱区5。

接着执行步骤S103：在所述阱区5形成体区6和漂移区7，所述体区6具有第一导电类型，所述漂移区7具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型。

具体地，本发明实施方式中，请参考图4，在初始衬底4表面热氧化一层薄的二氧化硅层，形成牺牲氧化层，然后在牺牲氧化层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行刻蚀，形成刻蚀窗口，通过刻蚀窗口对初始衬底4进行N型高能离子注入，形成N型阱区5。然后再形成光刻胶层，对光刻胶层进行刻蚀，形成刻蚀窗口，通过刻蚀窗口对阱区5进行N型高能离子注入，形成漂移区7。接着，再形成光刻胶层，对光刻胶层进行刻蚀，形成刻蚀窗口，通过刻蚀窗口对阱区5进行P型高能离子注入，形成体区6。高温退火，去除初始衬底4表面的牺牲氧化层。

进一步地，在阱区5与漂移区7和初始衬底4相接触的位置形成浅槽隔离8。

具体地，本发明实施方式中，再次氧化一层厚的二氧化硅，气象沉积氮化硅，进行光刻，干法刻蚀氮化硅和二氧化硅，干法刻蚀初始衬底4，在阱区5与漂移区7和初始衬底4相接触的位置形成浅槽隔离8的沟槽。高密度等离子体化学气相沉积二氧化硅介质，高温退火，化学机械抛光去除表面的二氧化硅介质，湿法去除氮化硅和厚的二氧化硅，形成如图5所示的浅槽隔离8。

接着执行步骤S104：在所述体区6上形成栅极10，在所述漂移区7上形成场板11。

具体地，本发明实施方式中，在初始衬底4表面热氧化一层薄的二氧化硅，再化学气相沉积一层厚的二氧化硅，在二氧化硅表面形成光刻胶，对光刻胶进行干法刻蚀，保留漂移区7表面的部分二氧化硅，形成如图6所示的场板11的氧化介质层。去除光刻胶，湿法刻蚀去除薄的二氧化硅层。然后对晶体管表面进行热氧化，形成一层薄的氧化层，体区6上的氧化层作为栅氧9。低压化学气相沉积一层N型重掺杂的多晶硅，在多晶硅上形成光刻胶，对光刻胶进行刻蚀形成刻蚀窗口，通过刻蚀窗口对多晶硅进行刻蚀，保留部分氧化介质层上的多晶硅，以及体区6与漂移区7相邻位置表面的多晶硅，如图6所示。与漂移区7相邻的体区6表面的多晶硅和下方的栅氧9构成栅极10，氧化介质层与其上的多晶硅构成场板11。

最后执行步骤S105：在所述漂移区7形成漏极12，在所述体区6靠近所述漂移区7一侧形成源极17，在所述体区6形成载流子吸附层18，所述载流子吸附层18为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层18的一端延伸至所述体区6远离所述漂移区7一侧，另一端延伸至所述源极17并紧贴所述源极17底部，所述载流子吸附层18为第一导电类型离子重掺杂。

进一步地，所述在所述漂移区7形成漏极12，在所述体区6靠近所述漂移区7一侧形成源极17，在所述体区6形成载流子吸附层18，包括：通过离子注入在所述体区6形成第一导电类型重掺杂层13；通过离子注入在所述第一导电类型重掺杂层13上形成第二导电类型重掺杂层15，以及在所述漂移区7形成所述漏极12；通过刻蚀工艺纵向去除部分第二导电类型重掺杂层15、部分第一导电类型重掺杂层13和部分体区6，以在所述体区6形成至少一个沟槽，将靠近漂移区7一侧未被刻蚀的第二导电类型重掺杂层形成所述源极17；通过回旋大倾角重掺杂在体区6的沟槽的槽底和槽壁形成第一导电类型注入层，所述第一导电类型注入层与未被刻蚀的第一导电类型重掺杂层构成所述载流子吸附层18。

进一步地，所述载流子吸附层18为横向延伸的凹凸层状构型。

具体地，本发明实施方式中，请参考图7，进行P型重掺杂离子注入，在体区6形成第一导电类型重掺杂层13，在初始衬底4形成保护环14，对横向双扩散场效应晶体管进行电压保护。然后进行N型重掺杂离子注入，在第一导电类型重掺杂层13上形成第二导电类型重掺杂层15，以及在漂移区7形成漏极12。N型重掺杂离子的注入剂量大于P型重掺杂离子的注入剂量，N型重掺杂离子的注入能量小于P型重掺杂离子的注入能量。

请参考图8，然后在晶体管表面沉积一层二氧化硅，对二氧化硅进行干法刻蚀，保留场板11两侧的二氧化硅、栅极10远离漂移区7一侧的二氧化硅以及多晶硅靠近漏极12一侧的二氧化硅，形成侧墙16，作为隔离。然后对体区6进行刻蚀，纵向去除中间部分的第一导电类型重掺杂层13、第二导电类型重掺杂层15以及部分体区6，形成至少一个沟槽，将靠近漂移区7一侧未被刻蚀的第二导电类型重掺杂层形成源极17。远离漂移区7一侧未被刻蚀的第二导电类型重掺杂层形成另一个双扩散场效应晶体管（如图12所示）的源极，两个双扩散场效应晶体管的结构对称，可同时制作，两个晶体管构成共源极双扩散场效应晶体管。

然后通过回旋大倾角重掺杂在体区6的沟槽的槽底和槽壁形成第一导电类型注入层，第一导电类型注入层的注入剂量与第一导电类型重掺杂层13的注入剂量相同，第一导电类型注入层与未被刻蚀的第一导电类型重掺杂层构成载流子吸附层18。载流子吸附层18为横向延伸的凹凸层状构型，在图9所示的剖面图中载流子吸附层18为横向延伸的方波型构型，该图中示出的载流子吸附层18具有一组凹凸结构的层状构型，本领域技术人员可以根据实际情况形成两个或多个连续的凹凸的层状结构载流子吸附层18，如图11所示。

请参考图10，通过化学气相沉积在晶体管表面形成一层电介质层，对电介质层进行干法刻蚀，在场板11、栅极10和浅槽隔离8上形成层间电介质层19。通过物理气象沉积在晶体管表面形成一层金属层，并对金属层进行刻蚀，在载流子吸附层18、源极17、漏极12和保护环14上形成金属电极20，金属电极20横向延伸覆盖部分层间电介质层19。横向延伸出的金属电极20与被覆盖的层间电介质层19构成第二场板。第二场板能够与场板11一起作为场板组，降低场效应晶体管的表面电场，减小场板11边缘尖锋电场，提高击穿电压。

本发明第三方面提供一种芯片，该芯片包括上文所述的横向双扩散场效应晶体管。

本发明第四方面提供一种电路，该电路包括上文所述的横向双扩散场效应晶体管。

以上结合附图详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (11)

1.一种横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管包括：

初始衬底；

阱区，形成于所述初始衬底；

体区和漂移区，形成于所述阱区，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；

源极，形成于所述体区靠近所述漂移区一侧；

载流子吸附层，形成于所述体区，所述载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层的一端延伸至所述体区远离所述漂移区一侧，另一端延伸至所述源极并紧贴所述源极底部，所述载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂；

二氧化硅隔离层，形成于所述阱区，并位于所述体区底部；

漏极，形成于所述漂移区；

栅极，形成于所述体区上；

场板，形成于所述漂移区上。

2.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述载流子吸附层为横向延伸的凹凸层状构型。

3.根据权利要求1所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：

保护环，形成于所述初始衬底。

4.根据权利要求3所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：

浅槽隔离，形成于所述漏极和所述保护环之间。

5.根据权利要求4所述的横向双扩散场效应晶体管，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管还包括：

层间电介质层，形成于所述场板、所述栅极和所述浅槽隔离上；

金属电极，形成于所述载流子吸附层、所述源极、所述漏极和所述保护环上，并横向延伸覆盖部分层间电介质层。

6.一种横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述横向双扩散场效应晶体管制作方法包括：

形成初始衬底，所述初始衬底内形成有二氧化硅隔离层；

在所述初始衬底形成阱区；

在所述阱区形成体区和漂移区，所述体区具有第一导电类型，所述漂移区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型；

在所述体区上形成栅极，在所述漂移区上形成场板；

在所述漂移区形成漏极，在所述体区靠近所述漂移区一侧形成源极，在所述体区形成载流子吸附层，所述载流子吸附层为横向延伸的非平坦构型，所述载流子吸附层的一端延伸至所述体区远离所述漂移区一侧，另一端延伸至所述源极并紧贴所述源极底部，所述载流子吸附层为第一导电类型离子重掺杂。

7.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述形成初始衬底，包括：

提供一原始衬底；

通过氧离子注入，在所述原始衬底形成所述二氧化硅隔离层；

在所述原始衬底表面外延一层外延衬底，所述外延衬底和所述原始衬底构成所述初始衬底。

8.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述载流子吸附层为横向延伸的凹凸层状构型。

9.根据权利要求6所述的横向双扩散场效应晶体管制作方法，其特征在于，所述在所述漂移区形成漏极，在所述体区靠近所述漂移区一侧形成源极，在所述体区形成载流子吸附层，包括：

通过离子注入在所述体区形成第一导电类型重掺杂层；

通过离子注入在所述第一导电类型重掺杂层上形成第二导电类型重掺杂层，以及在所述漂移区形成所述漏极；

通过刻蚀工艺纵向去除部分第二导电类型重掺杂层、部分第一导电类型重掺杂层和部分体区，以在所述体区形成至少一个沟槽，将靠近漂移区一侧未被刻蚀的第二导电类型重掺杂层形成所述源极；

通过回旋大倾角重掺杂在体区的沟槽的槽底和槽壁形成第一导电类型注入层，所述第一导电类型注入层与未被刻蚀的第一导电类型重掺杂层构成所述载流子吸附层。

10.一种芯片，其特征在于，该芯片包括权利要求1-5中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。

11.一种电路，其特征在于，该电路包括权利要求1-5中任一项所述的横向双扩散场效应晶体管。

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