CN115901831A - 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法 - Google Patents

用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115901831A
CN115901831A CN202211703467.3A CN202211703467A CN115901831A CN 115901831 A CN115901831 A CN 115901831A CN 202211703467 A CN202211703467 A CN 202211703467A CN 115901831 A CN115901831 A CN 115901831A
Authority
CN
China
Prior art keywords
charged particle
substrate
particle beam
vacuum chamber
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211703467.3A
Other languages
English (en)
Inventor
伯恩哈德·穆勒
路德威格·里德尔
阿克塞尔·文策尔
利迪娅·帕瑞索利
马蒂亚斯·布鲁纳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Priority to CN202211703467.3A priority Critical patent/CN115901831A/zh
Publication of CN115901831A publication Critical patent/CN115901831A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
    • G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
    • G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/203—Measuring back scattering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/10—Lenses
    • H01J37/145—Combinations of electrostatic and magnetic lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/16—Vessels; Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N2021/9513—Liquid crystal panels
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N2021/95638—Inspecting patterns on the surface of objects for PCB's
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/61—Specific applications or type of materials thin films, coatings
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/0216—Means for avoiding or correcting vibration effects

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

描述一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在真空腔室中，其中基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的大面积基板；以及第一成像带电粒子束显微镜，被配置成用于产生用于检查由基板支撑件支撑的基板的带电粒子束，其中第一成像带电粒子束显微镜包含物镜的减速场透镜部件。

Description

用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法
本申请是申请日为2014年12月22日、申请号为201480084213.5、发明名称为“用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本公开内容涉及用于检查基板的设备和方法。在此所述的实施方式更具体地涉及用于检查用于显示器制造的基板、又更具体地是用于显示器制造的大面积基板的设备和方法。
背景技术
在许多应用中，检查基板以监控基板的品质是必须的。举例来说，其上沉积涂布材料的层的玻璃基板被制造而用于显示器市场。由于缺陷可能例如发生在基板的处理过程中，例如发生在基板的涂布过程中，因此必须检查基板以观察缺陷和监控显示器的品质。
显示器通常制造在大面积基板上，大面积基板具有持续增长的基板尺寸。另外，显示器，例如TFT显示器，经历持续的改善。举例来说，低温多晶硅(LowTemperature PolySilicon，LTPS)是一种能够实现低能耗和关于背光的改善特性的发展结果。
基板的检查能够例如由光学系统来进行。然而，LTPS晶粒结构、晶粒尺寸、和晶粒在晶粒边缘的表面形貌(topography)特别难以使用光学系统观察，因为晶粒尺寸可能低于光学分辨率，造成晶粒无法被光学系统看见。对于基板小部分的检查也已使用带电粒子束装置，并结合表面蚀刻来进行。表面蚀刻可提高例如晶界的对比，但会牵涉到使玻璃基板破裂，因此检查的是基板的小块部分而不是整个基板。因此，在检查基板之后继续处理基板以例如检验晶粒结构对最终产品的影响是不可能的。
因此，在例如对大面积基板上的显示器的品质有着增长的需求的前提下，需要改进的用于检查大面积基板的设备和方法。
发明内容
根据一个实施方式，提供一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在真空腔室中，其中基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的大面积基板；以及第一成像带电粒子束显微镜(imaging chargedparticle beam microscope)，被配置成用于产生用于检查由基板支撑件支撑的基板的带电粒子束，其中第一成像带电粒子束显微镜包含物镜的减速场透镜部件(retarding fieldlens component)。
此外，所述设备可进一步包括真空产生装置和减震器，所述真空产生装置尤其是真空泵，所述减震器提供在所述真空产生装置和所述真空腔室之间的连接部处或所述连接部中。
此外，所述设备可进一步包括一或更多的强化条，所述强化条布置在所述真空腔室处或所述真空腔室中，其中所述强化条适用于结构性地强化所述真空腔室以减少震动。
另外，所述设备可进一步包括一或更多的气动元件，其中所述真空腔室可被安装在所述一或更多的气动元件上。
此外，所述设备可进一步包括隔音屏障，所述隔音屏障适用于屏蔽所述真空腔室以免受声音震动的影响。
另外，所述设备可进一步包括震动传感器，尤其是干涉仪，其中所述震动传感器适用于测量影响所述第一成像带电粒子束显微镜和所述基板支撑件之间的相对位置的震动。
此外，在所述设备中，所述真空腔室可由选自由下列项组成的组的至少一种材料制成或具有所述材料的强化结构：碳钢和矿物铸件。
此外，在所述设备中，所述基板支撑件可提供基板接收区，所述基板接收区沿着第一方向具有第一接收区尺寸，所述设备可进一步包括第二成像带电粒子束显微镜，所述第二成像带电粒子束显微镜沿着所述第一方向与所述第一成像带电粒子束显微镜具有一距离，所述距离为所述第一接收区尺寸的30％到70％，或所述距离为30em或更长。
根据另一实施方式，提供一种用于检查基板、特别是用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含：真空腔室；基板支撑件，布置在所述真空腔室中，其中所述基板支撑件提供基板接收区，所述基板接收区沿第一方向具有第一接收区尺寸；以及第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜，沿着所述第一方向具有一距离，所述距离为第一接收区尺寸的30％到70％。
此外，在所述设备中，所述真空腔室可具有沿着所述第一方向的第一内部尺寸，所述第一内部尺寸可为沿着所述第一方向的所述第一接收区尺寸的150％到180％。
另外，在所述设备中，所述第二成像带电粒子束显微镜与所述第一成像带电粒子束显微镜可沿着所述第一方向相距至少30cm的距离。
此外，所述设备可进一步包括x射线探测器，所述x射线探测器被配置成用以分析从所述大面积基板发射的x射线。
另外，所述设备可进一步适用于使带电粒子束倾斜以使所述带电粒子束在预定的倾斜射束着陆角度下冲击在所述基板上。至少所述第一成像带电粒子束显微镜可适于倾斜以使所述带电粒子束在所述预定的倾斜射束着陆角度下冲击在所述基板上。所述设备可进一步包括偏转单元，所述偏转单元适于使所述带电粒子束倾斜以使所述带电粒子束在所述预定的倾斜射束着陆角度下冲击在所述基板上。所述偏转单元可包括透镜前偏转单元和透镜内偏转单元。
此外，所述设备可进一步包括被配置成用以分析所述大面积基板的化学组成的x射线探测器。
根据又一实施方式，提供一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的方法。所述方法包含：提供所述大面积基板于真空腔室中；以及用第一成像带电粒子束显微镜产生第一带电粒子束，其中第一带电粒子束以2keC或更低的着陆能量(landing energy)冲击在基板上。
此外，在所述方法中，所述第一带电粒子束可于第一射束位置冲击在所述基板上，所述方法可进一步包括使用第二成像带电粒子束显微镜产生第二带电粒子束，其中所述第二带电粒子束以2keV或更低的着陆能量于第二射束位置冲击在所述基板上，其中所述第一射束位置与所述第二射束位置沿着第一方向相距一射束距离，所述射束距离至少是30cm。
此外，在所述方法中，沿着所述第一方向的第一基板位置可在所述第一射束位置成像，沿着所述第一方向的第二基板位置可在所述第二射束位置成像，且其中所述第一基板位置和所述第二基板位置之间沿着所述第一方向的距离可为沿着所述第一方向的基板宽度的40％或更多。
附图说明
在本发明的剩余部分中，更详尽地阐述完整且使得本领域普通技术人员可实行的公开内容，所述描述包含对于附图的参照，其中：
图1根据本文所述的实施方式示出用于检查基板的设备的侧视图。
图2和图3根据本文所述的实施方式示出用于检查基板的设备的俯视图。
图4示出根据本文所述的实施方式的用于检查基板的设备的侧视图，其中所述设备包含用于减少震动的部件。
图5A示出根据本文所述的实施方式的成像带电粒子束的侧视图。
图5B和图5C示出使根据本文所述的实施方式的成像带电粒子束中的带电粒子束倾斜(tilt)的示意图。
图6a至图6b绘示根据本文所述的实施方式的检查基板的方法。
图7a至图7d根据本文所述的实施方式绘示成像带电粒子束在真空腔室中的不同布置。
图8a至图8c绘示根据本文所述的实施方式的检查基板的方法。
图9a至图9c根据本文所述的实施方式绘示用于检查基板的方法，所述方法使用包含单一成像带电粒子束显微镜的设备。
图10示出流程图，绘示参照图6a和图6b所述的方法。
具体实施方式
现在将对于本发明各种示例性的实施方式进行详细说明，其一或多个示例系绘示于各图之中。各个示例是以解释的方式来提供，而非意味着作为限制。举例来说，作为一个实施方式的一部分而被绘示或叙述的特征，能够被用于或结合其他实施方式，以产生又另外的实施方式。本公开内容旨在包含这样的修改和变化。
在以下对于附图的描述中，相同的标号表示相同的部件。只对个别实施方式的不同之处进行描述。图中所示出的结构不必然是以真实比例描绘，而是用于提供对于实施方式更佳的理解。
在此所使用的用词“基板”包括非柔性基板和柔性基板二者，非柔性基板例如是玻璃基板或玻璃板，柔性基板例如是卷材(web)或箔。基板可为被涂布的基板，其中一或更多的材料薄层例如通过物理气相沉积(PVD)工艺或化学气相沉积工艺(CVD)被涂布或沉积在所述基板上。
根据一些能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，本文所述的实施方式涉及大面积基板，特别是用于显示器市场的大面积基板。
根据一些实施方式，大面积基板或相应的基板支撑件可具有至少1.375m2的尺寸。所述尺寸可从约1.375m2(1100mm×1250mm-第5代)到约9m2，更特定地是从约2m2到约9m2或甚至高达12m2。根据本文所述的实施方式的结构、设备、和方法被提供以用于基板或基板接收区，所述基板或基板接收区可以是本文所述的大面积基板。举例而言，大面积基板或载具可以是对应于约1.375m2的基板(1.1m×1.25m)的第5代、对应于约4.39m2的基板(1.95m×2.25m)的第7.5代、对应于约5.7m2的基板(2.2m×2.5m)的第8.5代、或甚至对应于约9m2的基板(2.88m×3130m)的第10代。更大的世代如第11代和第12代及对应的基板面积能够以类似的方式实施。
考量到在目前的显示器制造技术所生产和处理的基板的大尺寸，处理或测试整个基板，亦即不使玻璃破裂，特别是项挑战。由于基板(例如大面积基板)的尺寸持续地增加，因此较大的真空腔室用于处理或测试基板。然而，和较小的腔室相比，较大的真空腔室对于不想要的震动会更为敏感。真空腔室的一或更多次震动限制了例如能够检查基板的分辨率。特别是，具有小于检查系统的分辨率的尺寸的基板缺陷仍将不会被看见，并因此不能够被探测。
图1根据本文所述的实施方式示出用于检查基板的设备的侧视图。设备100包含真空腔室120。设备100还包含基板支撑件110，基板160可被支撑于基板支撑件110上。设备100包含第一成像带电粒子束显微镜130。另外，设备可包含第二成像带电粒子束显微镜140。在图1所示的示例中，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140被布置在基板支撑件110上方。
如图1另外示出的，基板支撑件110沿着x方向150延伸。在图1的图面中，x方向150为左右方向。基板160被设置在基板支撑件110上。基板支撑件110沿着x方向150为可移动的，以在真空腔室120中相对于第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140使基板160移位。因此，基板160的区域可以位于第一成像带电粒子束显微镜130下方、或第二成像带电粒子束显微镜140下方，以进行检查。所述区域可含有测试目标，例如要被测试的、具有例如包含在基板上的涂层中或涂层上的晶粒或缺陷的区域。基板支撑件110也可为沿着y方向(未示出)而可移动的，使得基板160能够被沿着y方向移动，如以下所论述的。通过在真空腔室120内适当地使固持基板160的基板支撑件110移位，可以在真空腔室120内检查基板160的整个范围。
第一成像带电粒子束显微镜130沿着x方向150与第二成像带电粒子束显微镜140相距距离135。在图1所绘示的实施方式中，距离135为第一成像带电粒子束显微镜130的中心和第二成像带电粒子束显微镜140的中心之间的距离。特别是，距离135为沿着x方向150、由第一成像带电粒子束显微镜定义的第一光轴131和由第二成像带电粒子束显微镜140定义的第二光轴141之间的距离。第一光轴131和第二光轴141沿着z方向151延伸。在图1的图面中，z方向151为正交于x方向150的上下方向。第一光轴131可例如由第一成像带电粒子束显微镜130的物镜定义。类似地，第二光轴141可例如由第二成像带电粒子束显微镜140的物镜定义。根据又另外的能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，距离135也可被定义为第一成像带电粒子束显微镜130的中心和第二成像带电粒子束显微镜140的中心之间的距离。成像带电粒子束显微镜的中心可实质上对应于成像带电粒子束显微镜的光轴。
如图1另外示出的，真空腔室120具有沿着x方向150的内宽121。内宽121可为当沿着x方向从真空腔室120的左手侧的壁123往真空腔室120的右手侧的壁122横越真空腔室120时所获得的距离。本公开内容的一方面是关于设备100有关例如x方向150的尺寸。根据实施方式，沿着x方向150在第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的距离135可为至少30cm，例如至少40cm。根据另外的能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，真空腔室120的内宽121可落在第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的距离135的250％到450％的范围内。
本文所述的实施方式因而提供一种用于在真空腔室中使用两个彼此相距的成像带电粒子束显微镜检查基板、特别是大面积基板的设备。所述基板作为整体在所述真空腔室中进行处理。特别是，本文所述的实施方式不需要折断基板或蚀刻基板的表面。因此提供了缺陷的高分辨率影像和良好的晶界对比，特别是通过检查系统，由此大面积基板能够被在线测量。
和包含单一的用于检查基板的成像带电粒子束显微镜的真空腔室相比，具有两个成像带电粒子束显微镜提供了基板在检查过程中行进的范围减小的优点。因此，真空腔室的尺寸，比如例如真空腔室120的内宽121(例如沿着如图1所示的x方向150)，和具有单一成像带电粒子束显微镜的设备相比能够减小。举例来说，参照图1所示的结构配置，一缺陷(未示出)可以位于基板160的右手侧部分上，例如在第二光轴141的右手侧上。根据本文所述的实施方式，基板160可在真空腔室120中被移位，以将缺陷置于第二成像带电粒子束显微镜140下方，以便能够由第二成像带电粒子束显微镜140检查缺陷。与此相比，如果设备100包含第一成像带电粒子束显微镜130但不包含第二成像带电粒子束显微镜140，基板将会被沿着x方向150朝着左方移位通过较大段距离，以将缺陷置于由第一成像带电粒子束显微镜130检查的位置。然而图1所示的真空腔室120对于将缺陷置于第一成像带电粒子束显微镜130下方而言，在沿着x方向将过于狭窄。因此，将需要沿着x方向具有较大的内宽的真空腔室，以允许检查基板160上任意位置的缺陷。
如本文所述的实施方式所提供的具有减小的尺寸的真空腔室的优点在于真空腔室的一或更多震动可被相应地减少，因为震动的程度是作为真空腔室尺寸的函数增加。因此，基板震动的振幅也可被有利地减少。特别是，于本文所述的实施方式中，基板震动的振幅可为10nm或更小，例如5nm或更小。
一些本文所述的实施方式在真空腔室中或真空腔室处提供一个成像带电粒子束显微镜。举例来说，图9a至图9c所示的设备100提供单一的成像带电粒子束显微镜900。和传统的用于在真空条件下检查大面积基板的带电粒子束装置(比如例如具有10cm或更大的视场的电子束测试器)相比，成像带电粒子束显微镜提供更高的分辨率。另外，可以产生大面积基板的一部分的影像，其中具有大的视场的电子束测试器通常不产生大面积基板的一部分的影像。
在此所使用的成像带电粒子束显微镜可适用于产生低能带电粒子束，其具有2keV或更低的着陆能量，特别是1keV或更低，例如100eV到800eV。和高能射束(beam)相比，低能射束不会深深地穿进基板中，并从而可提供更佳的关于沉积在基板上的薄层(例如LTPS层)的信息。
在低的着陆能量下提供基板的高分辨率检查的成像带电粒子束显微镜允许对基板上的缺陷进行非破坏性检查。因此，本文所述的实施方式允许测试缺陷对基板功能的影响。举例来说，在检查基板(例如用于显示器制造的基板)上的缺陷之后，本文所述的实施方式允许测试所述缺陷是否毁坏显示器的功能性。也就是说，能够评估所述缺陷是否为“杀手级缺陷”、或显示器是否在即使所述缺陷存在的情况下依然具有功能性。因此，可进行缺陷的杀伤比率分析(kill-ratio analysis)，因为基板在以低能量进行非破坏性测试之后能够被进一步地处理。
然而，本文所述的一些具有第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜的实施方式与具有单一成像带电粒子束显微镜的实施方式相比提供了增加的产量(throughput)，因为基板可通过第一成像带电粒子束显微镜并通过第二成像带电粒子束显微镜被并行检查。举例来说，基板上的第一缺陷可由第一成像带电粒子束显微镜检查，而第二缺陷成像带电粒子束显微镜可由第二成像带电粒子束显微镜检查，其中第一缺陷和第二缺陷的检查并行进行。
根据一些能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，成像带电粒子束显微镜可以为扫描电子显微镜(scanning electron microscope，SEM)，其中以相当高的分辨率提供影像，所述分辨率例如是15nm或小于15nm、或甚至更低。
在此所提及的成像带电粒子束显微镜例如SEM可具有在0.5到5mm的范围内的工作距离。从成像带电粒子束显微镜的柱筒(column)的下边缘到基板或到基板支撑件的距离可在6到10em的范围内。成像带电粒子束显微镜的视场可小于1mm。成像带电粒子束显微镜可适用于产生具有2keV或更低、更特别是1keV或更低的着陆能量的低能带电粒子束，例如电子束。相较于此，用于以电子束进行像素测试的装置可具有10em以上的视场，并可适用于产生具有约10keV的着陆能量的带电粒子束。另外，用于以电子束进行像素测试的装置可能不会被配置成用于基板的成像，而本文所述的成像带电粒子束显微镜提供被检查的基板的区域的影像。
特别是对于具有减少的真空腔室尺寸(例如是通过使用两个成像带电粒子束显微镜)的实施方式而言，减小的真空腔室震动程度促进了成像带电粒子束显微镜用于检查基板的使用。由于真空腔室震动的振幅可为10nm或更小，例如5nm或更小，因此根据本文所述的实施方式，具有高分辨率的带电粒子束装置，例如具有5nm或小于5nm的分辨率的成像带电粒子束显微镜，能够被用于检查基板。与此相比，在其中基板和带电粒子束相对于彼此的震动振幅例如大于10nm的真空腔室中，使用本文所述的成像带电粒子束显微镜可能不具有意义，这是由于整体的分辨率将因系统内的震动而恶化。
鉴于上述情况，本文所述的实施方式提供了减少的基板和成像带电粒子束显微镜(例如SEM)相对于彼此的震动程度，以例如促进使用高分辨率带电粒子束装置来检查基板。因此提供了改善的用于测试的设备和改善的基板的成像。本文所述的实施方式可例如用于临界尺寸(critical dimension，CD)分析或缺陷观察(defect review，DR)。本文所述的实施方式提供令使用大面积基板的高分辨率成像变得可能(例如是通过在真空腔室内提供低电压高分辨率电子束测试)的各种特征、方面、和细节。
图8a至图8c根据本文所述的实施方式绘示检查基板160的方法。在提供设备100的俯视图的图8a至图8c中，指示了x方向150和y方向152。在图8a至图8c的俯视图中，x方向150为左/右方向，而y方向152为上/下方向。
如图8a至图8c所示，基板160具有沿着x方向150的基板宽度810。根据实施方式，沿着x方向150、在第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的距离135可落在基板宽度810的30％到70％的范围内。在图8a至图8c所示的示例性设备中，距离135约为基板宽度810的50％。根据另外的能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，真空腔室120的内宽121可落在基板宽度810的130％到180％的范围内。在图8a至图8c所绘示的示例性的实施方式中，内宽121约为基板宽度810的150％。
图8a至图8c所示的基板160能够被视为具有两个区域，即第一区820和第二区830，其中第一区820位于第二区830的左侧。在图8a至图8c所绘示的示例中，第一区820和第二区830为具有相等尺寸的矩形。特别是，第一区820具有沿着x方向的第一宽度821，并且第二区830具有沿着x方向150的第二宽度831，其中第一宽度821等于第二宽度831。因此，在图8a至图8c所示的示例性基板160中，基板宽度810为第一宽度821的二倍大，并因此也是第二宽度831的二倍大。特别是，第一宽度821、第二宽度831、与第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的距离135能够等大。
关于在图8a至图8c所绘示的示例性的实施方式，考虑到例如位于基板160的第一区820中的要被测试的、具有缺陷或晶粒结构的区域的测试目标可由第一成像带电粒子束显微镜130检查，而例如位于第二区830中的要被测试的、具有缺陷或晶粒结构的另一区域的测试目标可由第二成像带电粒子束显微镜140检查。因此，为了能够测试基板160的任意测试目标或测试区域，即在基板的整个表面内的测试目标或测试区域(或基板160的整个表面)，基板160沿着x方向150所移动的范围例如是基板宽度810的约150％。因此，在基板160上任意位置的测试目标的检查可在图8a至图8c所示的真空腔室120内进行，真空腔室120具有约为基板宽度810的150％的内宽121。
图8a至图8c示例性地示出基板160上的第一缺陷822和第二缺陷832，其中第一缺陷822位于第一区820，第二缺陷832位于第二区830。特别是，如图所示，第一缺陷822位于基板160的左外侧边缘附近，第二缺陷832位于基板160的右外侧边缘附近。
位于第一区820的第一缺陷822由第一成像带电粒子束显微镜130检查。因此，基板160在真空腔室120中被移位，以将第一缺陷822置于第一成像带电粒子束显微镜130下方。图8b示出移位后的基板160，其中第一缺陷822直接地置于第一成像带电粒子束显微镜130下方。第一缺陷822接着可由第一成像带电粒子束显微镜130检查。第一缺陷822的检查可包含将由第一成像带电粒子束显微镜130所产生的第一带电粒子束引导到基板160上，如以下所描述的(比照例如图6a)。
在由第一成像带电粒子束显微镜130检查第一缺陷822之后，用于检查的设备可检查第二缺陷832。位于第二区830的第二缺陷832由第二成像带电粒子束显微镜140检查。因此，从图8b所示的结构配置开始，使基板160移位以将第二缺陷832置于第二成像带电粒子束显微镜140下方。图8c示出移位后的基板160，其中第二缺陷832置于第二成像带电粒子束显微镜140下方。因此，第二缺陷832可由第二成像带电粒子束显微镜140检查。第二缺陷832的检查可包含将由第二成像带电粒子束显微镜140产生的第二带电粒子束引导到基板160上，如以下所描述的(比照例如图6b)。
根据不同的实施方式，特别是操作用于使用成像带电粒子束显微镜测试用于显示器制造的大面积基板的设备的实施方式，用于检查的设备能被供予文件夹，其中提供了缺陷的坐标。举例来说，缺陷的坐标可由先前的对于大面积基板的检查产生，其中使用电子束测试像素，而没有影像产生。己知的缺陷能够被提供在基板的绘图(map)中，即，对于操作用于使用例如SEM检查大面积基板的系统而言，基板的坐标是已知的。用于检查的设备能够接着使用第一成像带电粒子束显微镜(例如第一SEM)或第二成像带电粒子束显微镜(例如第二SEM)使包含缺陷的区域成像。通过提供第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜，能够增加产量，且/或能够减少用于将缺陷置于第一或第二成像带电粒子束显微镜下方的基板的位移。如果第一和第二成像带电粒子束显微镜之间的距离为基板接收区沿着各方向的宽度的约50％，则基板的位移特别能够减小。
根据又另外的操作用于使用成像带电粒子束显微镜测试用于显示器制造的大面积基板的设备的选择，用于检查的设备可以具有用于LTPS工艺检查的坐标绘图。举例来说，可以提供一或更多的预定坐标，且另外地或替代性地，可以提供一或更多的随机坐标。LTPS晶粒结构在这些坐标(预定的和/或随机的)附近成像，且LTPS工艺能够由用成像带电粒子束显微镜成像所产生的一或更多的参数来表征(characterize)。此外，另外地或替代性地，一或更多的参数的均匀性可以由对不同坐标的比较来评估，这些坐标可提供在绘图中。
图8a至图8c所绘示的实施方式允许检查设置在真空腔室120中基板160上的任意位置的测试目标，例如缺陷，其中所述真空腔室包含两个成像带电粒子束显微镜，且其中真空腔室120的内宽121在基板宽度的130％到180％的范围内。如以上所论述的，和包含单一的用于检查基板的成像带电粒子束显微镜的真空腔室相比，具有两个成像带电粒子束显微镜有利地提供至少沿着x方向减小的真空腔室内宽。图9a至图9c绘示一实施方式，其中使用包含单一的成像带电粒子束显微镜900的设备100的实施方式来检查如图8a至图8c所示的相同基板160。由于第一缺陷822和第二缺陷832二者皆由成像带电粒子束显微镜900检查，所以和图8a至图8c相比，为了将第一缺陷822和第二缺陷832置于成像带电粒子束显微镜900下方而沿着x方向150移动基板160的距离增加。因此，图9a至图9c所示的真空腔室120的内宽121’大于图8a至图8c所示的真空腔室120的内宽121。特别是，由于是要允许使用单一成像带电粒子束显微镜900检查基板160上任意位置的缺陷而被提供，所以图9a至图9c所示的真空腔室120的内宽121’为基板宽度810的至少约200％。图8a至图8c所示的真空腔室的范围在图9a至图9c中由虚线910所指示。如图所示，对于使用图9a至图9c所示的单一成像带电粒子束显微镜900进行第一缺陷822和第二缺陷832的检查而言，图8a至图8c所示的真空腔室沿着x方向150将会过于狭窄。鉴于上述情况，根据一个实施方式，提供一种用于检查基板、特别是用于显示器制造的基板的设备。所述设备包含真空腔室、布置在真空腔室中的基板支撑件、第一成像带电粒子束显微镜、和第二成像带电粒子束显微镜。
设备可为串联型(inline)设备、或串联型基板处理系统的组成部分。串联型处理系统可包含一或更多的另外的用于处理基板的设备，其中基板可从一个设备到下一个设备而被运输通过串联型处理系统。举例来说，串联型处理系统可包含另外的腔室，对于串联型处理系统的基板运输路径而言，所述另外的腔室设置于本文所述的真空腔室的下游。基板可例如通过本文所述的位移单元从真空腔室被运输到所述另外的腔室，以进一步地处理基板。特别地，根据本文所述的实施方式，基板整个地被处理和运输，即未使基板破裂。基板的测试能够是无损的，例如不需蚀刻基板的部分，蚀刻基板的部分可能恶化供层叠装置(filedevice)进一步使用的基板。举例来说，另外的腔室可选自由下列项所组成的组：处理腔室、另外的测试腔室、沉积腔室、和显示器组装腔室。
根据一些实施方案，用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备可以是串联型设备，即所述设备可以和另一先前的测试或处理工序提供在一条线上，并且和又另外的后续测试或处理工序提供在一条线上，所述设备可能包含装载锁定机构，用于在用于以成像带电粒子束显微镜(例如SEM)成像的真空腔室中将基板装载和卸载。由于在基板上用于成像的2keV或更低的带电粒子束低能量，提供在基板上的结构不会受到毁坏。因此，基板能够被提供用于在显示器制造厂中进一步处理。如在此所理解的，要被测试的基板的数目可以为显示器制造厂中基板总量的10％到100％。因此，即使用于检查并包含成像带电粒子束显微镜的设备能够被提供为串联型工具，但不需要测试在生产线中100％的基板。
真空腔室可包含一或更多的阀，所述阀可将真空腔室连接至另一腔室，这特别是适用在如果设备为串联型设备的情况。在基板已被引导到真空腔室中后，能够关闭所述一或更多的阀。因此，能够通过例如使用一或更多的真空泵产生技术真空来控制真空腔室中的气氛(atmosphere)。和例如在大气压力下相比，在真空腔室中检查基板的优点在于真空条件促进使用低能带电粒子束检查基板。举例来说，低能带电粒子束能够具有2keV或更低的着陆能量，特别是1keV或更低，例如100eV到800eV。和高能射束相比，低能射束不会深深地穿进基板中，并从而可提供更佳的关于例如基板上的涂层的信息。
基板支撑件提供基板接收区。术语“基板接收区”，如在此所使用的，可以包含基板支撑件能够用于接收基板的最大面积。换言之，基板支撑件可适用于接收具有和基板接收区相同的空间尺寸的基板，或适用于接收具有一或更多个相比于基板接收区较小的空间尺寸的基板，以使得基板适配于基板接收区之内。图2绘示设备100的实施方式，其中基板支撑件110提供基板接收区210。在图2所绘示的示例性的实施方式中，基板接收区210为如虚线所指示的矩形。因此，基板接收区210可适用于接收具有相同于图2所示的矩形基板接收区210的长度和宽度(或较小的长度和宽度)的矩形基板(未示出)。作为一个示例，图3示出提供在基板支撑件110上的矩形基板160，其中图3所示的基板160的尺寸实质上等同于图2所示的基板接收区210的尺寸。特别地，图3所示的基板160的长度和宽度实质上分别相同于图3所示的基板接收区210的长度和宽度。换言之，另外地或替代性地，基板具有分别为基板接收区的90％到100％的长度和宽度。
基板接收区具有沿着第一方向的第一接收区尺寸。关于本文所述的附图，第一方向可意指x方向150。第一方向可平行于基板支撑件。基板支撑件可沿着第一方向移位。基板接收区的第一接收区尺寸可包含基板接收区沿着第一方向的范围、宽度、长度、或直径。替代性地或另外地，第一接收区尺寸可意指能够被基板支撑件所接收的基板沿着第一方向的最大宽度。举例来说，请参照图2所示的设备，基板接收区沿着第一方向的第一接收区尺寸可意指基板接收区210沿着x方向150的宽度220。宽度220可对应于能够被基板支撑件110接收的基板沿着x方向150的最大宽度。作为一个示例，图3所示的基板160沿着x方向150具有基板宽度810，其中基板宽度810实质上与图2所示的基板接收区210的宽度220相同。
第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜沿着第一方向具有一距离，所述距离在基板接收区的第一接收区尺寸的30％到70％的范围内。更特别地，沿着第一方向的所述距离可落在第一接收区尺寸的40％到60％的范围内，例如第一接收区尺寸的约50％。举例来说，请参照图2所绘示的实施方式，沿着第一方向的所述距离可意指第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的距离135。在图2所绘示的示例性的实施方式中，距离135为基板接收区210的宽度220的约50％。
沿着第一方向的所述距离可为从第一成像带电粒子束显微镜的中心到第二成像带电粒子束显微镜的中心的距离。第一成像带电粒子束显微镜可定义第一光轴，第二成像带电粒子束显微镜可定义第二光轴。另外地或替代性地，沿着第一方向的所述距离可为第一光轴和第二光轴之间的距离。第一光轴可平行于第二光轴。第一光轴和/或第二光轴可垂直于第一方向和/或基板支撑件。
基板支撑件可在真空腔室中相对于第一成像带电粒子束显微镜和/或相对于第二成像带电粒子束显微镜为可移动的。根据能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，第二成像带电粒子束显微镜与第一成像带电粒子束显微镜相距至少30cm的距离，更特别是至少40cm的距离，例如第一接收区尺寸的约50％。第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜之间具有最小距离，即大于只是冗余地重复两个彼此相邻的成像带电粒子束显微镜(例如两个彼此相邻的SEM)的距离，其优点在于由设备检查的基板的行进距离减小。这允许减小真空腔室的尺寸，因此真空腔室的震动也能够有利地减少。
真空腔室的尺寸减小的方面对于大面积基板和/或用于显示器制造的基板而言是特别受关注的。根据一些能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，大面积基板或本公开内容所述的基板接收区可具有至少1.375m2的尺寸。所述尺寸可从约1.375m2(1100mmx 1250mm-第5代)到约9m2，尤其是从约2m2到约9m2或甚至高达12m2。根据本文所述的实施方式的结构、设备、和方法被提供用于基板或基板接收区，所述基板或基板接收区能够是本文所述的大面积基板。举例而言，大面积基板或载具可以为对应于约1.375m2基板(1.1m×1.25m)的第5代、对应于约4.39m2基板(1.95m×2.25m)的第7.5代、对应于约5.7m2基板(2.2m×2.5m)的第8.5代、或甚至对应于约9m2基板(2.88m×3130m)的第10代。甚至更晚的世代如第11代和第12代及对应的基板面积能够以类似的方式实施。必须考虑到基板尺寸世代提供固定的工业标准，即使第5代基板从一个显示器制造商到另一个显示器制造商可能会有稍微的尺寸偏差。用于测试的设备的实施方式可例如具有第5代基板支撑件或第5代基板接收区，以使得许多显示器制造商的第5代基板可由支撑件支撑。相同的应用适用于其他基板尺寸世代。
鉴于大面积基板的尺寸，根据能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，真空腔室具有沿着第一方向的最大第一内部尺寸，也就是说，第一内部尺寸受到限制。举例来说，关于图2，第一内部尺寸可意指真空腔室120沿着x方向150的内宽121。第一内部尺寸可包含以下至少之一：沿着第一方向从真空腔室的第一壁到真空腔室的第二壁的距离；真空腔室沿着第一方向的内部部分的尺寸；真空腔室沿着第一方向的宽度、长度或宽度。真空腔室的第一内部尺寸可落在沿着第一方向的第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜之间的成像带电粒子束显微镜的距离的250％到600％的范围内，更特别是落在260％到370％的范围内。替代性地或另外地，真空腔室的第一内部尺寸可落在基板接收区的第一接收区尺寸的130％到180％的范围内，更特别是第一接收区尺寸的140％到170％，又更特别是150％到160％。
第一成像带电粒子束显微镜和/或第二成像带电粒子束显微镜可被布置成沿着垂直于基板支撑件的方向和/或垂直于第一方向。举例来说，在图4所示的设备中，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140沿着z方向151延伸，即垂直于x方向150和y方向152，其中x-y平面平行于基板支撑件110。替代性地，第一成像带电粒子束显微镜和/或第二成像带电粒子束显微镜可相对于基板支撑件和/或第一方向倾斜。第一成像带电粒子束显微镜和/或第二成像带电粒子束显微镜可沿着和第一方向形成一角度的方向延伸，其中所述角度不同于90度。特别地，所述角度可落在60到90度的范围内，更特别是75到90度。根据又另外的能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，成像带电粒子束显微镜的柱筒可被布置成垂直于基板支撑件，且成像带电粒子束显微镜的光学部件可被布置成使带电粒子束倾斜，例如是倾斜高达20°的角度。具有相对于基板表面法线倾斜的带电粒子束，能够被用于高分辨率(也就是说10nm或小于10nm的分辨率)的表面形貌成像、或甚至3D影像。倾斜带电粒子束的另外的细节能够参照图5B和图5C而被理解。
图4示出根据本文所述的实施方式的用于检查基板的设备的侧视图。所述设备包含位移单元410。位移单元410适用于使基板支撑件沿着第一方向移位，例如沿着x方向150，以将基板支撑件110置放在第一成像带电粒子束显微镜130下方和/或第二成像带电粒子束显微镜140下方。位移单元410可适用于使基板支撑件110沿着x方向150前后(即朝着图4中的右方和朝着图4中的左方)移动。根据能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，本文所述的设备另外包含位移单元，比如例如图4所示的位移单元410。所述位移单元可适用于使基板支撑件沿着第一方向移位。位移单元410可例如包含多个线性致动器(未示出)，基板支撑件110置于这些线性致动器上。替代性地或另外地，位移单元可例如包含磁性引导系统(未示出)，以用于沿着x方向150引导基板支撑件110。在图4所示的示意图中，位移单元410被布置在真空腔室120中。替代性地，位移单元410的部分可延伸到真空腔室120外，特别是当设备100耦接至装载锁定腔室或是串联型设备时。延伸到真空腔室120外的位移单元410可适用于将基板支撑件110运输到真空腔室120之中和之外。举例来说，位移单元410可在真空腔室120的右手侧和在真空腔室120的左手侧延伸到真空腔室120外。因此，基板支撑件110可例如从左侧通过位移单元410移动到真空腔室120中，并可通过位移单元410移动出真空腔室120到右侧。
位移单元可适用于沿着第一方向将基板支撑件从靠近真空腔室的第一端或壁的位置移位到靠近真空腔室的第二端或壁的位置。位移单元可具有沿着第一方向的位移范围，其中位移单元可适用于将基板支撑件移位到在所述位移范围内的任何目标坐标。
图4所示的设备可另外包含另一位移单元(未示出)，适用于在真空腔室120中将基板支撑件110沿着y方向152移位。位移单元410和所述另一位移单元可形成共同位移系统，所述共同位移系统适用于在x-y平面中移动基板支撑件110。因此，通过在x-y平面中适当地移动固持基板的基板支撑件110，设置在基板支撑件110上的基板的任一区域可被置于第一成像带电粒子束显微镜130下方或第二成像带电粒子束显微镜140下方，以进行目标物部分的检查。基板支撑件可被安装到所述另一位移单元上、或被安装到由所述位移单元和所述另一位移单元所形成的共同位移系统上。所述另一位移单元可适用于相对于第一成像带电粒子束显微镜和/或相对于第二成像带电粒子束显微镜移位基板支撑件。所述另一位移单元可具有沿着第一方向的位移范围，其中所述位移范围可落在基板宽度或基板接收区的各别宽度的150％到180％的范围内。
沿着第一方向的位移范围可根据一些实施方式大于沿着第一方向的基板接收区的距离。鉴于根据一些实施方式还可以在基板支撑件上提供一或更多的目标物的事实，这可能是有利的，其中所述一或更多的目标物可以被置于成像带电粒子束显微镜(例如SEM)的带电粒子束下方。举例来说，能够提供节距目标物(pitch target)，其中能够通过使用例如SEM使所述目标物成像而被看见的结构具有明确的节距。因此，SEM能够被校正，使得影像中的节距对应于目标物的真实节距。作为另一个示例，能够在基板支撑件上提供法拉第杯(Faradaycup)，使得所述法拉第杯能够被提供在带电粒子束下方，以测量射束的电流。作为又另一个示例，能够提供阶状目标物(step target)，其具有限定的不同高度的结构。阶状目标物能够被用于表征为了成像而在基板之上进行扫描的探针的聚焦位置。
又另外，位移系统可另外包含z平台，用于沿着z方向移位基板支撑件，也就是说改变基板支撑件相对于一或更多的成像带电粒子束显微镜的距离。z平台允许将基板置于正确的工作距离，以使用成像带电粒子束显微镜成像。举例来说，z平台能够通过两个在彼此上方滑移的楔形体来提供，其中高度按照楔形体重叠的量而改变。使用包含两个楔形体的z平台来改变z位置，允许基板以在系统中减少震动产生的方式来进行z定位。
图4所示的设备100另外包含真空泵420，适用于在真空腔室120中产生真空。真空泵420经由连接部430流体地耦接至真空腔室120，连接部430例如是导管，其中连接部430连接真空泵420和真空腔室。经由连接部430，真空泵420可对真空腔室抽真空。因此，10-1毫巴或更低的压力可提供在真空腔室中。在操作期间，真空泵420可能震动。经由附接至真空泵420和真空腔室120的连接部430，真空泵420的机械震动可能被传递到真空腔室120。因此，不想要的震动可能传递到真空腔室120和/或传递到位于基板支撑件110上的基板(未示出)。为了抑制(dampen)真空泵420的震动，减震器431被包含在设备100中，更特别是在连接部430中。如图所示，减震器431经由第一联结器432耦接至真空泵420，并经由第二联结器433耦接至真空腔室120。在机械震动能够被传递到真空腔室120之前，真空泵420的机械震动可被减震器431抑制。因此，和不包含减震器431的设备相比，减少的震动量被传递到真空腔室120。根据一些能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，用于显示器检查的设备可包含减震器，适用于抑制由真空产生装置所产生的真空腔室的震动，特别是机械震动。
图4所示的设备100可包含另外的真空泵(未示出)，例如连接至第一成像带电粒子束显微镜和/或第二成像带电粒子束显微镜的一或更多个另外的真空泵。对于任一这类另外的真空泵而言，相关联的另一减震器可被包含在设备中。另一真空减震器的功能类似于本文所述的真空减震器431的功能。
图4所示的真空腔室120安装在气动元件(pneumatic element)440上，气动元件440适用于以气动方式减少真空腔室120的震动。在图4所绘示的示例性的实施方式中，真空腔室120安装在支腿441上，使得真空腔室120处于地面之上的抬升位置。如图所示，真空腔室120的每个支腿包含气动元件。根据本文所述的实施方式的气动元件能够适用于以气动方式抑制引入到真空腔室的震动。根据又另外的能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，补充于或替代于气动元件，聚合物元件或橡胶元件也可被用于减少震动，例如是通过将真空腔室120或支腿441支撑在一或更多的聚合物元件或一或更多的橡胶元件上。
气动元件，如本文所述的，可包含含有加压空气或加压气体的隔室。外部震动，比如例如地面的震动，可能被传递到支腿441。在外部震动能够被传递到真空腔室120之前，外部震动可由气动元件440吸收，特别是由加压空气或气体吸收。因此，气动元件440可将真空腔室120与外部震动隔绝，或至少可减少外部震动被传递到真空腔室120的量。
在图4的侧视图中，示出两个支腿441和两个相关的气动元件440。设备100可具有可能无法在图4的侧视图中看到的另外的支腿和/或另外的气动元件。举例来说，设备100可被安装在四个支腿上，并可具有四个气动元件，其中每个支腿都被安装在气动元件上。
图4另外示出震动传感器450，适用于测量真空腔室120的震动。举例来说，震动传感器可适用于测量真空腔室120的震动的振幅和/或频率。震动传感器450可另外适用于测量在一或更多个方向中的震动。震动传感器450可包含光源(未示出)，适用于产生光束。所述光束可被引导到真空腔室120上，例如到真空腔室120的壁上，其中光束的至少部分可从真空腔室反射。震动传感器450可另外包含探测器(未示出)，用于在光束从真空腔室120反射后探测所述光束。因此，可由震动传感器450收集关于真空腔室120的震动的信息。震动传感器可为干涉仪。
根据一些实施方式，震动传感器被配置成用于测量影响成像带电粒子束显微镜与基板支撑件之间相对位置的震动。如图4所示，鉴于产生在真空腔室处的相对大的振幅，此测量可在真空腔室处进行。根据又另外的或额外的实施方案，震动传感器，例如干涉仪或压电震动传感器，能够被安装在基板支撑件处以测量成像带电粒子束显微镜的相对位置(和位置变化)，或可被安装至成像带电粒子束显微镜以测量基板支撑件的相对位置(和位置变化)。干涉仪可包含安装于成像带电粒子束显微镜的第一镜和安装在基板支撑件上的第二镜。关于两个镜的测量可被用于计算成像带电粒子束显微镜(例如SEM)和基板支撑件(也就是说平台)的相对运动。干涉可提供关于基板相对于第一成像带电粒子束显微镜的震动的信息。指示相对运动(震动)的信号可被用于包含在成像带电粒子束显微镜中的扫描偏转器(scanning deflector)的控制器中，以补偿相对运动。
根据其他实施方式，震动传感器可安装于第一成像带电粒子束显微镜和/或安装于第二成像带电粒子束显微镜，其中震动传感器可适用于测量第一成像带电粒子束显微镜和/或第二成像带电粒子束显微镜的震动。举例来说，震动传感器可为压电震动传感器、加速度传感器、或类似者。
由震动传感器450所收集的、关于成像带电粒子束显微镜和基板支撑件之间相对位置和/或真空腔室120的震动的数据可被传送至控制单元(未示出)。使用由震动传感器450收集的数据，控制单元可控制设备100。特别地，使用由震动传感器450收集的数据，控制单元可控制第一成像带电粒子束显微镜130、第二成像带电粒子束显微镜140、位移单元410、或其他包含在设备100中的元件，以例如在如果震动传感器450指示真空腔室范围的震动超过预定限度的情况下，暂时地停止基板的检查。又再额外地或替代性地，相对位置的测量可被用于以从相对位置的测量得到的适当的校正系数来校正影像。
图4所示的设备100可另外包含隔音屏障，适用于屏蔽真空腔室120以免受声音震动和/或噪音的影响。
图4所示的设备另外示出布置在真空腔室120中的强化条(reinforcement bar)470。在图4所示的示例性的实施方式中，示出两个强化条470，其中强化条470可沿着z方向151延伸。根据其他实施方式，设备100可包含另外的强化条或其他强化结构，特别是三、四、六、八、或更多的强化条。强化条470可为刚性条、梁(beam)或柱，其可由选自由下列选项所组成的群组的一或更多种材料制成：碳钢、矿物铸件(mineral casting)、或任何其他具有良好的阻尼特性(damping properties)以抑制震动的材料，其可能已被引入到真空腔室。强化条470适用于结构性地强化真空腔室120以减少真空腔室120的震动。又另外，强化条可额外地或替代性地也被提供在真空腔室外侧处或真空腔室外侧上。强化条可被用于增加真空腔室的刚度(stiffness)。因此，当真空腔室的刚度增加时，产生在真空腔室的震动造成较小的震动振幅。
根据本文所述的实施方式，可引入各种用于屏蔽或减少产生于真空腔室或真空腔室所产生的震动的元件。根据其他实施方式，额外地或替代性地，可提供已经提出的用于抑制震动的元件。关于以上参照图4所描述的示例性实施方式，设备100包含数个用于减少真空腔室的震动的部件的组合，比如例如强化条470、隔音屏障、气动元件440、和减震器431。为了达到减少震动产生和/或抑制真空腔室的震动的效果，一或更多的前述部件可被包含在同一设备100中。也可通过在设备100中包含选自前述部件的组合的任何单一部件、或更通常是前述部件的组合的任何子集来提供减少震动的效果。
根据又另外的能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，所述设备，且特别是用于检查显示器的设备的真空腔室，可另外包含包括选自由下列选项所组成的群组的至少一种材料的一或更多种材料或由其制成：铸铁、矿物铸件、或另一具有良好的阻尼特性的材料。
如在本公开内容中所描述的，存在着各种用于抑制震动、减少震动、感测震动、或补偿震动的元件。举例来说，描述了提供在真空产生装置与真空腔室之间的连接部中或所述连接部处的减震器、强化条、一或更多的气动元件、隔音屏障、和可被耦接到成像带电粒子束显微镜的扫描偏转器的震动传感器。根据本文所述的实施方式，本文所述的震动抑制元件、震动减少元件、震动感测元件、或震动补偿元件的至少之一能够被包含于用于测试大面积基板的系统。
图5A示出成像带电粒子束显微镜，例如第一成像带电粒子束显微镜和/或第二成像带电粒子束显微镜，如本文所述的。带电粒子束装置500包含电子束柱筒20，柱筒20提供例如第一腔室21、第二腔室22、和第三腔室23。也能够被称为枪室的第一腔室包含电子束源30，电子束源30具有发射器(emitter)31和抑制件(suppressor)32。
发射器31连接至用于将电位提供至发射器的电源531。提供到发射器的电位可使得电子束加速至例如20keV或更高的能量。因此，发射器可被加偏压到-20kV或更高负电压的电位，这例如是在柱筒和束引导管(也提供上电极562)在接地电位的情况中，接地电位由图5A中的标号3所指示。替代性地，在柱筒和/或射束引导管被加偏压至不同于接地电位的电位的情况中，发射器能够被加偏压到另一电位，其中发射器和柱筒(或射束引导管)之间的电位差能够为-20kV。也能够提供其他的电位差，例如-10kV到-40kV。
在图5所示的装置中，可由电子束源30产生电子束(未示出)。射束可被对准至限束孔口(beam limiting aperture)550，限束孔口550被形成为用于对射束整形，也就是说阻挡射束的一部分。之后，射束可穿过射束分离器(beamseparator)580，射束分离器580将主电子束与信号电子束分离，也就是说与信号电子分离。主电子束可通过物镜聚焦到基板160上。基板160位于基板支撑件110上的基板位置上。当电子束冲击到基板160上时，信号电子(例如二次和/或背散射电子)或x射线从基板160释放并能够由探测器598探测。
在图5A所绘示的示例性的实施方式中，提供聚焦透镜520和射束成形或限束孔口550。两级偏转系统(two-stage deflection system)540提供在聚焦透镜和限束孔口550(例如束成形孔口)之间，以用于将射束对准至孔口。电子可由抽出器(extractor)或由阳极加速到柱筒中的电压。抽出器能例如由聚焦透镜520的上电极或由另一电极(未示出)提供。
如图5A所示，物镜具有磁性透镜部件(magnetic lens component)561，磁性透镜部件561具有极片(pole piece)64和63并具有线圈62，磁性透镜部件561将主电子束聚焦在基板160上。基板160能够位于基板支撑件110上。图5A所示的物镜包含形成物镜的磁性透镜部件60的上极片63、下极片64和线圈62。另外，上电极562和下电极530形成物镜的静电透镜部件。
另外，在图5A所绘示的实施方式中，提供扫描偏转器组件570。扫描偏转器组件570能例如为磁性的，但较佳地是静电扫描偏转器组件，其被配置成用于高像素速率(pixelrates)。扫描偏转器组件570可为单级组件，如图5A所示。替代性地，也能够提供两级或甚至三级偏转器组件。各个级提供在沿着光轴2的不同位置。
下电极530连接至电压供应器(未示出)。图5A所绘示的实施方式示出下电极530位于下极片64下方。作为物镜的浸没透镜部件(也就是说减速场透镜部件)的减速电极的下电极通常处于一电位以提供带电粒子在基板上2keV或更低、例如500V或1keC的着陆能量。
根据一些能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，主带电粒子束的减速能够提供在试样的附近，例如在物镜中或在物镜之后、或者是其组合。能够分别由下电极530(也就是说减速场透镜)提供减速。能够由物镜的静电透镜部件提供减速。举例来说，额外地或替代性地，能够施加减慢偏压到试样和/或基板支撑件，以提供根据本文所述的实施方式的减速场透镜部件。物镜能够为具有例如轴向间隙或径向间隙的静电-磁性复合透镜，或者物镜能够为静电减慢场透镜。
具有2keV或更低的着陆能量、特别是1keV或更低的着陆能量的优点在于冲击到基板上的主电子束和高能电子束相比产生较强的信号。由于沉积在基板上的层(例如LTPS层)是薄的，且由于高能电子深深地穿进基板中，也就是说到层的下方，因此只有少数的电子可产生包含关于沉积层的信息的探测器信号。与此相比，低能电子，例如具有2keV或更低的着陆能量的电子，只穿入到基板的浅区域中，并因此提供更多关于沉积层的信息。因此，可提供改善的例如晶界的影像，即使当如本文所述的实施方式所提供的未进行基板的表面蚀刻时亦是如此。
对于高分辨率应用，提供例如2keV或更低、例如1keV或更低的着陆能量，并在柱筒中具有高的带电粒子束能量，比如10keV或更高、例如30keV或更高的射束能量是有益的。实施方式可包含在试样前，例如在物镜内和/或在物镜与试样之间，减速5倍或更多、例如10倍或更多。对于其他应用，也可提供2keV或更低的着陆能量而未进行减速，例如在柱筒内的射束能量不超过2keV的情况中。
射束分离器580适用于分离主电子和信号电子。射束分离器能够为维恩过滤器(Wienfilter)，且/或能够为至少一个磁性偏转器，以使得信号电子被偏转离开光轴2。信号电子接着由弯束器(beam bender)592(例如半球形弯束器)和透镜594导引到探测器598。能够提供另外的元件，比如过滤器596。根据又另外的修改方式，探测器能够为分段探测器(segmented detector)，配置成用于依照在试样处的起始角度来探测信号电子。
根据又另外的实施方式，根据本文所述的实施方式的成像带电粒子束显微镜也可包含x射线探测器，例如用于EDX(能量色散x射线光谱；Energy-dispersive X-rayspectroscopy)测量的探测器。x射线探测器可允许分析响应于电子束的照射而从基板发射的x射线的特征能量，以便能够分析基板的化学组成。举例来说，对于x射线测量或一些其他应用而言，能够操作静电减慢透镜部件，以具有较高的带电粒子束着陆能量，例如从5kev到15keV。
第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜可为成像带电粒子束显微镜类型的带电粒子束装置，比如例如图5A所示的带电粒子束装置500。
图5B和图5C绘示带电粒子束装置500的部分的另外可选的实施方式。在图5A和图5B中，示出倾斜主带电粒子束以在预定的倾斜射束着陆角度下冲击在基板上的选择。根据本文所述的实施方式，本文所述的成像带电粒子束显微镜可被用于使用一或更多的倾斜的射束成像。因此，能够改善3D成像、阶状结构的成像、沟槽、孔洞的成像、和/或凸出结构的成像。
在图5B中，带电粒子束源(未示出)发射带电粒子束，带电粒子束沿着光轴2朝着将射束聚焦到基板160的表面上的物镜560行进。透镜前偏转单元(pre-lens deflectionunit)510能够包含两个偏转线圈，偏转线圈使射束偏离光轴2。在两级的情况下，射束能够被偏转成看似从与带电粒子束源的视位(apparent position)重合的点出现。透镜前偏转单元510布置在带电粒子源和物镜560之间。能够提供透镜内偏转单元(in-lensdeflection unit)512于物镜的场内，使得分别的场重叠。透镜内偏转单元512能够是包括两个偏转线圈的两级单元。虽然图5B的略图示出其中一个线圈位于物镜560的主平面的上方且一个线圈位于物镜560的主平面的下方的布置，但其他布置也是可能的，特别是提供透镜内偏转单元和物镜的场之间的重叠的布置。
透镜内偏转单元512能够重新引导射束，使得射束在光轴上通过物镜的中心，也就是说聚焦动作的中心。重新引导使得带电粒子束从一方向撞击基板的表面，所述方向实质上与在没有通过光轴2的射束的情况下的方向相反。透镜内偏转单元512和物镜560的结合动作将带电粒子束导回光轴，使得主带电粒子束在预定的倾斜射束着陆角度下撞击样本。
在图5C，带电粒子束源(未示出)发射带电粒子束，所述带电粒子束沿着光轴2朝着将射束聚焦到基板160的表面上的物镜560行进。偏转单元510包括两个偏转器，以使射束偏离光轴。在两级的情况下，射束能够被偏转成看似从与带电粒子束源的视位重合的点出现。透镜前偏转单元510能够被布置在带电粒子源和物镜560之间。在透镜前偏转单元510上方，能够设置维恩过滤器513，其产生交叉电场和磁场(crossed electric and magneticfields)。带电粒子束通过物镜560的离轴路径导致第一色差。维恩过滤器513的能量色散效应引入和第一色差同种的第二色差。适当地选择维恩过滤器的电场E和磁场B的强度，第二色差能够被调整成具有和第一色像差相同的幅度但相反的方向。其效果是，第二色差在基板表面的平面中实质上补偿了第一色差。主带电粒子束通过离轴地行进通过物镜560和物镜的聚焦动作而倾斜。
虽然图5B和图5C示出包括两个偏转线圈的偏转单元，但也可能使用其他的偏转单元，例如只由单一偏转器组成的偏转单元。又另外，代替使用用于磁性偏转的线圈，能够使用静电偏转器或组合的磁性静电偏转器。根据又另外的可被额外地或替代性地应用的实施方式，射束的倾斜也可通过相对于基板机械性地倾斜柱筒(也就是说光轴2)来引入。然而，通过在柱筒内提供想要的射束路径来倾斜带电粒子束，和机械运动相比，提供了射束角度之间较快速的切换，并减少震动的引入。倾斜带电粒子束允许另外的成像选择，其对于3D成像、阶状结构、沟槽、孔洞、或凸出结构的成像而言可为有利的。举例来说，定临界尺寸(critical dimensioning，CD)可有利地利用射束的倾斜。
根据一些实施方式，提供一种用于检查基板、特别是用于显示器制造的大面积基板的设备。所述设备包含本文所述的真空腔室。所述设备还包含布置在真空腔室中的基板支撑件，如本文所述的。所述设备还包含第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜，如本文所述的。第二成像带电粒子束显微镜与第一成像带电粒子束显微镜相距至少30em的距离。
图6a至图6b根据本文所述的实施方式绘示用于检查基板的方法。在图6a至图6b所绘示的示例性的实施方式中，所述方法使用本文所述的其他实施方式中所述的用于测试大面积基板的设备100来进行。
图6a示出基板160，设置在真空腔室120中基板支撑件110上。基板160沿着x方向150具有基板宽度810。如另外示出的，在真空腔室120中由第一成像带电粒子束显微镜130产生第一带电粒子束610。这对应于图10中的方框902。第一带电粒子束610被导至基板160上以检查基板160，其中第一带电粒子束610在第一射束位置611冲击到基板160上。“第一射束位置”的术语，如在此所使用的，可包含当第一带电粒子束冲击到基板上时第一带电粒子束的位置。第一带电粒子束610可冲击到基板160上，以检查基板上的第一测试目标(未示出)，例如第一缺陷。
如图6a另外示出的，第一带电粒子束610从第一成像带电粒子束显微镜130沿着第一光轴131行进到基板160，以使冲击到基板160上的第一带电粒子束610垂直于基板160。替代性地，冲击到基板160上的第一带电粒子束610也可相对于基板160倾斜，例如如参照图5B和5C所描述的。举例来说，可通过倾斜第一成像带电粒子束显微镜的柱筒、或通过倾斜在柱筒内的射束(例如通过用于使带电粒子束偏转的偏转系统)而引入倾斜。
当第一带电粒子束610冲击到基板160上时，可产生二次和/或背散射粒子。二次和/或背散射粒子可由包含在第一成像带电粒子束显微镜130中的探测器探测，如上所述。由探测器所收集并由二次和/或背散射粒子产生的数据可提供关于基板160的信息，并/或可被用于使基板160的部分成像。
在图6b中，和图6a所示的基板160相比，由基板支撑件110固持的基板160已沿着x方向被移位。图6b中的虚线690指示在基板160的位移之前基板160的位置，也就是说图6a所示的基板160的位置。图6b所示的基板160已沿着x方向150移位跨过距离650。基板支撑件110沿着x方向150的位移由位移单元410提供。基板160移位所沿着的距离650可以是，例如对于第6代基板而言最多900mm。替代性地或额外地，距离650可落在基板宽度810的50％到70％的范围内。
如图6b另外示出的，在真空腔室120中由第二成像带电粒子束显微镜140产生第二带电粒子束620。第二带电粒子束620被导至基板160上以检查基板160，其中第二带电粒子束620在第二射束位置621冲击到基板160上。这对应于图10中的方框904。类似于“第一射束位置”的术语，词语“第二射束位置”可包含当第二带电粒子束冲击到基板上时第二带电粒子束的位置。第二带电粒子束620可冲击到基板160上，以检查基板上的第二测试目标(未示出)，例如第二缺陷。
在图6b所绘示的实施方式中，第二带电粒子束620从第二成像带电粒子束显微镜140沿着第二光轴141行进到基板160。替代性地，冲击到基板160上的第二带电粒子束620也可相对于基板160倾斜，例如如参照图5B和图5C所描述的。举例来说，可通过倾斜第一成像带电粒子束显微镜的柱筒、或通过倾斜在柱筒内的射束(例如通过用于使带电粒子束偏转的偏转系统)而引入倾斜。
第二射束位置621与第一射束位置611相距射束距离630。由于在图6a至图6b所绘示的示例性的实施方式中，当第一带电粒子束610冲击到基板160上时第一带电粒子束610沿着第一光轴131行进，并且由于当第二带电粒子束620冲击到基板160上时第二带电粒子束620沿着第二光轴141行进，因此射束距离630与第一光轴131和第二光轴141之间的距离重合。在另一实施方式中，例如如果第一带电粒子束610和/或第二带电粒子束620相对于基板160倾斜，则射束距离630也可不同于第一光轴131和第二光轴141之间的距离。
类似于前述参照图6a对于第一带电粒子束610的论述，当第二带电粒子束620冲击到基板160上时，可产生二次和/或背散射粒子。二次和/或背散射粒子可由包含在第二成像带电粒子束显微镜140中的探测器探测。如果基板160例如在第二带电粒子束620冲击到基板160上的位置含有第二缺陷，则可通过探测二次和/或背散射粒子获得关于第二缺陷的信息。
根据另一实施方式，提供一种用于检查基板、特别是用于显示器制造的基板的方法。所述方法包含提供基板于真空腔室中。基板可被提供至布置在真空腔室中的可移动的基板支撑件，如本文所述的。可在真空腔室中提供真空条件，其中真空腔室可具有低于10-1毫巴的压力。所述方法进一步包含使用第一成像带电粒子束显微镜产生第一带电粒子束。所述第一成像带电粒子束显微镜可为如上所述的第一成像带电粒子束显微镜。基板可被提供在第一成像带电粒子束显微镜下方。基板和第一成像带电粒子束显微镜之间的工作距离可为20mm或更短。典型地，所述工作距离将由下极片和基板之间的距离定义。第一带电粒子束在第一射束位置冲击在基板上。如上所述，“第一射束位置”的术语，如在此所使用的，可包含当第一带电粒子束冲击到基板上时第一带电粒子束的位置。第一带电粒子束可冲击到基板的第一区上以检查所述第一区。所述方法可另外包含在真空腔室中将基板移位一位移距离。所述位移距离可例如意指图6b所示的距离650。基板可在平行于基板的方向被移位，或在平行于由第一成像带电粒子束显微镜和/或由第二成像带电粒子束显微镜检查的基板的表面的方向被移位。基板可沿着第一方向被移位，如本文所述的。所述方法另外包含使用第二成像带电粒子束显微镜产生第二带电粒子束。第二成像带电粒子束显微镜可为如上所述的第二成像带电粒子束显微镜，例如SEM。移位后的基板可被设置在第二成像带电粒子束显微镜下方。基板和第二成像带电粒子束显微镜之间的工作距离可为20mm或更短。
第一带电粒子束和第二带电粒子束可在时间中的不同时刻产生，使得基板可在时间中的不同时刻由第一带电粒子束和由第二带电粒子束检查。替代性地，第一带电粒子束和第二带电粒子束可平行产生，使得基板可在时间中的相同时刻由第一带电粒子束和由第二带电粒子束检查。因此，根据实施方式的第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜的布置除了被用于减小腔室尺寸并因此提高检查设备的分辨率外，也可被用于增加产量。
第二带电粒子束在第二射束位置冲击在基板上。在此，第一射束位置沿着第一方向与第二射束位置相距至少30cm的第二距离。如上所述，“第二射束位置”的术语，如在此所使用的，可包含当第二带电粒子束冲击到基板上时第二带电粒子束的位置。第二带电粒子束可冲击到基板的第二区上以用于检查所述第二区，其中第二区与第一区相距。因此，第一带电粒子束和第二带电粒子束可检查基板的不同部分。第一区和第二区之间的距离可落在30cm到180cm的范围内，所述距离可取决于测试系统被设计而使用的大面积基板的尺寸。
第一带电粒子束和第二带电粒子束可垂直于基板或相对于基板以一角度冲击到基板上，其中所述角度可小于90度。第一带电粒子束或第二带电粒子束冲击到样本上的着陆能量可落在0keV到2keV、又更特别是100eV到1keV的范围内。
图7a至图7d根据本文所述的实施方式示出成像带电粒子束显微镜(包含第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜)在真空腔室中的不同布置的示例。图7a所示的第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140的布置类似于以上考虑的实施方式。特别是，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140沿着x方向150布置。如所指示的，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140二者相对于y方向152皆布置在相同的y坐标710。
图7b示出设备100，其中第一成像带电粒子束显微镜130在第一y坐标720处布置于真空腔室120中，且其中第二成像带电粒子束显微镜布置在不同于第一y坐标的第二y坐标721处。在图7b所绘示的实施方式中，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜之间沿着x方向150的距离135是第一投影轴722和第二投影轴723之间的距离。第一投影轴722沿着y方向152延伸通过第一成像带电粒子束显微镜130的中心724，且第二投影轴723沿着y方向延伸通过第二成像带电粒子束显微镜140的中心725。以数学方式来说，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间沿着x方向150的距离135是两个点A和B之间的距离，其中A是中心724在x方向150上的正交投影，且B是中心725在x方向150上的正交投影。
图7c绘示一实施方式，根据所述实施方式，设备100另外包含第三成像带电粒子束显微镜750，且其中第一成像带电粒子束显微镜130、第二成像带电粒子束显微镜140、和第三成像带电粒子束显微镜750沿着x方向150布置。如所指示的，第一成像带电粒子束显微镜130、第二成像带电粒子束显微镜140、和第三成像带电粒子束显微镜750相对于y方向152被布置在相同的y坐标730处。第三成像带电粒子束显微镜750沿着x方向150与第一成像带电粒子束显微镜130相距距离761，并沿着x方向与第二成像带电粒子束显微镜140相距距离762。在示例性的实施方式中，第一成像带电粒子束显微镜130、第二成像带电粒子束显微镜140、和第三成像带电粒子束显微镜750以对称的方式线性地布置，其中距离761等于距离762。和具有两个成像带电粒子束显微镜的设备相比，如图7c所示包含第三成像带电粒子束显微镜750可允许进一步地减少基板沿着x方向150行进以检查基板上的缺陷的距离。因此，和包含两个成像带电粒子束显微镜的真空腔室(比如例如图7a所示的真空腔室120)相比，图7c所示的真空腔室120的内宽121更小。
图7d绘示一实施方式，根据所述实施方式，设备100另外包含第四成像带电粒子束显微镜760。第一成像带电粒子束显微镜130、第二成像带电粒子束显微镜140、第三成像带电粒子束显微镜750、和第四成像带电粒子束显微镜760对称地布置成形状为正方形的阵列。在此，第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140在第一y坐标741处布置成阵列的第一排。第三成像带电粒子束显微镜750和第四成像带电粒子束显微镜760在第二y坐标740处布置成阵列的第二排。第三成像带电粒子束显微镜750沿着y方向152与第一成像带电粒子束显微镜130相距距离781，并且沿着x方向与第四成像带电粒子束显微镜760相距距离782。第四成像带电粒子束显微镜760另外沿着y方向与第二成像带电粒子束显微镜140相距距离783。距离135、距离781、距离782、和距离783是相等的距离。和具有两个成像带电粒子束显微镜的设备相比，如图7d所示的四个成像带电粒子束显微镜的布置可允许减小基板沿着y方向152行进以检查基板上的缺陷的距离。因此，和包含两个成像带电粒子束显微镜的真空腔室(比如例如图7a所示的真空腔室120)相比，可减少真空腔室120沿着y方向的尺寸770。
第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜之间沿着第一方向的距离，如本文所述的，可为第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜之间的绝对距离，特别是当第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140沿着第一方向布置时。举例来说，在图7a所示的设备100中，沿着x方向的距离135是第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的绝对距离，其中第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140沿着x方向150布置。
替代性地，沿着第一方向的距离可为沿着第一方向的投影距离，特别是当第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜并非沿着第一方向布置时。投影距离可能小于第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜之间的绝对距离。举例来说，在图7b所示的设备100中，沿着第一方向的距离可意指第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140之间的投影距离135，其中第一成像带电粒子束显微镜130和第二成像带电粒子束显微镜140并非沿着x方向150布置。
根据能够和本文所述的其他实施方式结合的实施方式，设备可包含适用于检查由基板支撑件支撑的基板的一或更多个另外的成像带电粒子束显微镜，特别是第三和/或第四成像带电粒子束显微镜。
虽然前述内容针对一些实施方式，但可设计出其他和另外的实施方式而不背离其基本范围，其基本范围由以下的权利要求书确定。

Claims (19)

1.一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备，所述大面积基板具有至少1.375m2的尺寸，所述设备包括：
真空腔室；
基板支撑件，布置在所述真空腔室中，其中所述基板支撑件被配置成用于支撑用于显示器制造的所述大面积基板；以及
第一成像带电粒子束显微镜，被配置成用于产生用于检查由所述基板支撑件支撑的基板的带电粒子束并且被配置成产生所述大面积基板的一部分的影像，所述带电粒子束在所述第一成像带电粒子束显微镜的柱筒中具有10keV或更高的带电粒子束能量，所述第一成像带电粒子束显微镜具有小于1mm的视场，其中所述第一成像带电粒子束显微镜包括：
物镜的减速场透镜部件，用于使所述带电粒子束减速以提供2keV或更低的着陆能量。
2.如权利要求1所述的设备，进一步包括：
真空产生装置和减震器，所述真空产生装置尤其是真空泵，所述减震器提供在所述真空产生装置和所述真空腔室之间的连接部处或所述连接部中。
3.如权利要求1或2所述的设备，进一步包括一或更多的强化条，所述强化条布置在所述真空腔室处或所述真空腔室中，其中所述强化条适用于结构性地强化所述真空腔室以减少震动。
4.如权利要求1或2所述的设备，进一步包括：
一或更多的气动元件，其中所述真空腔室被安装在所述一或更多的气动元件上。
5.如权利要求1或2所述的设备，进一步包括：
隔音屏障，适用于屏蔽所述真空腔室以免受声音震动的影响。
6.如权利要求1或2所述的设备，进一步包括：
震动传感器，尤其是干涉仪，其中所述震动传感器适用于测量影响所述第一成像带电粒子束显微镜和所述基板支撑件之间的相对位置的震动。
7.如权利要求1或2所述的设备，其中所述真空腔室由选自由下列项组成的组的至少一种材料制成或具有所述材料的强化结构：碳钢和矿物铸件。
8.如权利要求1或2所述的设备，其中所述基板支撑件提供基板接收区，所述基板接收区沿着第一方向具有第一接收区尺寸，所述设备进一步包括：
第二成像带电粒子束显微镜，沿着所述第一方向与所述第一成像带电粒子束显微镜具有一距离，所述距离为所述第一接收区尺寸的30％到70％，或所述距离为30cm或更长。
9.一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的设备，所述大面积基板具有至少1.375m2的尺寸，所述设备包括：
真空腔室；
基板支撑件，布置在所述真空腔室中，其中所述基板支撑件提供基板接收区，所述基板接收区具有沿着第一方向的第一接收区尺寸；以及
第一成像带电粒子束显微镜和第二成像带电粒子束显微镜，所述第一成像带电粒子束显微镜和所述第二成像带电粒子束显微镜沿着所述第一方向具有一距离，所述距离为所述第一接收区尺寸的30％到70％，其中所述第一成像带电粒子束显微镜被配置成产生带电粒子束且被配置成产生所述大面积基板的一部分的影像并且具有小于1mm的视场，所述带电粒子束在所述第一成像带电粒子束显微镜的柱筒中具有10keV或更高的束能量；
其中所述第一成像带电粒子束显微镜包括具有减速场透镜部件的物镜，所述减速场透镜部件用于使所述带电粒子束减速以提供2keV或更低的着陆能量。
10.如权利要求9所述的设备，其中所述真空腔室具有沿着所述第一方向的第一内部尺寸，所述第一内部尺寸为沿着所述第一方向的所述第一接收区尺寸的150％到180％。
11.如权利要求9所述的设备，其中所述第二成像带电粒子束显微镜与所述第一成像带电粒子束显微镜沿着所述第一方向相距至少30cm的距离。
12.如权利要求9所述的设备，进一步包括：
x射线探测器，被配置成用以分析从所述大面积基板发射的x射线。
13.如权利要求1或9所述的设备，进一步适用于使带电粒子束倾斜以使所述带电粒子束在预定的倾斜射束着陆角度下冲击在所述基板上。
14.如权利要求13所述的设备，进一步包括偏转单元，所述偏转单元适于使所述带电粒子束倾斜以使所述带电粒子束在所述预定的倾斜射束着陆角
度下冲击在所述基板上。
15.如权利要求14所述的设备，其中所述偏转单元包括透镜前偏转单元和透镜内偏转单元。
16.如权利要求1或9所述的设备，进一步包括：
被配置成用以分析所述大面积基板的化学组成的x射线探测器。
17.一种用于检查用于显示器制造的大面积基板的方法，所述大面积基板具有至少1.375m2的尺寸，所述方法包括：
提供所述大面积基板于真空腔室中；
使用具有小于1mm的视场的第一成像带电粒子束显微镜产生第一带电粒子束，其中所述第一带电粒子束在所述第一成像带电粒子束显微镜的柱筒中具有10keV或更高的带电粒子束能量、由物镜的减速场透镜部件减速并以2keV或更低的着陆能量冲击在所述大面积基板上；以及
产生所述大面积基板的一部分的影像。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述第一带电粒子束于第一射束位置冲击在所述基板上，所述方法进一步包括：
使用第二成像带电粒子束显微镜产生第二带电粒子束，其中所述第二带电粒子束以2keV或更低的着陆能量于第二射束位置冲击在所述基板上，
其中所述第一射束位置与所述第二射束位置沿着第一方向相距一射束距离，所述射束距离至少是30cm。
19.如权利要求17至18中任一项所述的方法，其中沿着所述第一方向的第一基板位置在所述第一射束位置成像，沿着所述第一方向的第二基板位置在所述第二射束位置成像，且其中所述第一基板位置和所述第二基板位置之间沿着所述第一方向的距离为沿着所述第一方向的基板宽度的40％或更多。
CN202211703467.3A 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法 Pending CN115901831A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211703467.3A CN115901831A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211703467.3A CN115901831A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法
PCT/EP2014/079018 WO2016101978A1 (en) 2014-12-22 2014-12-22 Apparatus for inspecting a substrate, method for inspecting a substrate, large area substrate inspection apparatus and method of operating thereof
CN201480084213.5A CN107110799A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480084213.5A Division CN107110799A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115901831A true CN115901831A (zh) 2023-04-04

Family

ID=52144712

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211703467.3A Pending CN115901831A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法
CN201480084213.5A Pending CN107110799A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480084213.5A Pending CN107110799A (zh) 2014-12-22 2014-12-22 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6604704B2 (zh)
KR (1) KR20170101265A (zh)
CN (2) CN115901831A (zh)
TW (1) TWI673748B (zh)
WO (1) WO2016101978A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106525845B (zh) * 2016-10-11 2023-11-03 聚束科技（北京）有限公司 一种带电粒子束系统、光电联合探测系统及方法
WO2018108239A1 (en) * 2016-12-12 2018-06-21 Applied Materials, Inc. Ltps layer qualification on display substrates by inline sem using a multi perspective detector and method for inspecting a large area substrate
US10345250B2 (en) * 2017-10-12 2019-07-09 Applied Materials, Inc. Method of inspecting a sample with a charged particle beam device, and charged particle beam device
KR102253018B1 (ko) * 2017-10-25 2021-05-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 챔버 내에서 사용하기 위한 캐리어, 진공 챔버 내의 이송 어레인지먼트를 테스트하기 위한 시스템, 진공 프로세싱 시스템, 및 진공 챔버 내의 이송 어레인지먼트를 테스트하기 위한 방법
US10731979B2 (en) * 2018-01-12 2020-08-04 Applied Materials Israel Ltd. Method for monitoring nanometric structures
US11687008B2 (en) * 2018-02-22 2023-06-27 Applied Materials, Inc. Method for automated critical dimension measurement on a substrate for display manufacturing, method of inspecting a large area substrate for display manufacturing, apparatus for inspecting a large area substrate for display manufacturing and method of operating thereof
TWI697932B (zh) * 2018-03-22 2020-07-01 日商愛發科股份有限公司 離子槍
US10964522B2 (en) * 2018-06-06 2021-03-30 Kla Corporation High resolution electron energy analyzer
US11435257B2 (en) * 2018-07-27 2022-09-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method for monitoring vacuum valve closing condition in vacuum processing system
KR102641280B1 (ko) * 2018-11-22 2024-02-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판에 대한 임계 치수 측정을 위한 방법, 및 기판 상의 전자 디바이스를 검사하고 절단하기 위한 장치
WO2021037695A1 (en) * 2019-08-30 2021-03-04 Asml Netherlands B.V. Self-differential confocal tilt sensor for measuring level variation in charged particle beam system
US10921268B1 (en) * 2019-09-09 2021-02-16 Fei Company Methods and devices for preparing sample for cryogenic electron microscopy
CN116018612A (zh) * 2020-08-11 2023-04-25 应用材料公司 用于对基板作缺陷检查测量的方法、用于对基板成像的设备及其操作方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5967849U (ja) * 1982-10-29 1984-05-08 株式会社明石製作所 真空排気系の防振装置
JPH073446B2 (ja) * 1988-05-18 1995-01-18 松下電器産業株式会社 スイッチング素子を有したアクティブ基板の欠陥検査装置および欠陥検査方法
DE69223088T2 (de) * 1991-06-10 1998-03-05 Fujitsu Ltd Apparat zur Musterüberprüfung und Elektronenstrahlgerät
US6075245A (en) * 1998-01-12 2000-06-13 Toro-Lira; Guillermo L. High speed electron beam based system for testing large area flat panel displays
JP2000082438A (ja) * 1998-09-03 2000-03-21 Jeol Ltd 走査電子顕微鏡の走査回路
US6252412B1 (en) * 1999-01-08 2001-06-26 Schlumberger Technologies, Inc. Method of detecting defects in patterned substrates
JP2000268756A (ja) * 1999-03-12 2000-09-29 Toshiba Corp 荷電ビーム装置および荷電ビームの制御方法
US6452175B1 (en) * 1999-04-15 2002-09-17 Applied Materials, Inc. Column for charged particle beam device
EP2587515A1 (en) * 2000-06-27 2013-05-01 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
EP1339100A1 (en) * 2000-12-01 2003-08-27 Ebara Corporation Inspection method and apparatus using electron beam, and device production method using it
JP2002248338A (ja) * 2001-02-23 2002-09-03 Hitachi Ltd 真空排気装置、粒子線装置、光線装置及びｘ線装置並びにそれらを用いた半導体集積回路装置の製造法
JP3834495B2 (ja) * 2001-09-27 2006-10-18 株式会社東芝 微細パターン検査装置、ｃｄ−ｓｅｍ装置の管理装置、微細パターン検査方法、ｃｄ−ｓｅｍ装置の管理方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN101630623B (zh) * 2003-05-09 2012-02-22 株式会社荏原制作所 基于带电粒子束的检查装置及采用了该检查装置的器件制造方法
US7112809B2 (en) * 2003-06-26 2006-09-26 Axcelis Technologies, Inc. Electrostatic lens for ion beams
DE10344538A1 (de) * 2003-09-25 2005-05-12 Integrated Dynamics Eng Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Schwingungsisolation, insbesondere für Elektronenstrahl-Meßwerkzeuge
JP2005268268A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Canon Inc 電子ビーム露光装置
JP4632407B2 (ja) * 2004-06-21 2011-02-16 株式会社トプコン 電子線装置
TWI458967B (zh) * 2005-02-17 2014-11-01 Ebara Corp 電子射線裝置
US7935926B2 (en) * 2005-07-30 2011-05-03 Ho Seob Kim Inspection equipment for fine pattern and morphology using microcolumn
JP4634289B2 (ja) * 2005-11-25 2011-02-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体パターン形状評価装置および形状評価方法
JP5185506B2 (ja) * 2006-03-23 2013-04-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線パターン測定装置
US7941237B2 (en) * 2006-04-18 2011-05-10 Multibeam Corporation Flat panel display substrate testing system
US7705301B2 (en) * 2006-07-07 2010-04-27 Hermes Microvision, Inc. Electron beam apparatus to collect side-view and/or plane-view image with in-lens sectional detector
JP2008096143A (ja) * 2006-10-06 2008-04-24 Shimadzu Corp Ｔｆｔアレイ基板検査装置
JP2009289468A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
EP2390906A1 (en) * 2010-05-26 2011-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for electrostatic discharge (ESD) reduction
US8294095B2 (en) * 2010-12-14 2012-10-23 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
JP5699023B2 (ja) * 2011-04-11 2015-04-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP5838106B2 (ja) * 2012-03-13 2015-12-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置用防音カバー及び荷電粒子線装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI673748B (zh) 2019-10-01
WO2016101978A1 (en) 2016-06-30
KR20170101265A (ko) 2017-09-05
JP2017535787A (ja) 2017-11-30
CN107110799A (zh) 2017-08-29
JP6604704B2 (ja) 2019-11-13
TW201626421A (zh) 2016-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN115901831A (zh) 用于检查基板的设备、用于检查基板的方法、大面积基板检查设备及其操作方法
CN110192263B (zh) 用于检查样本的方法、带电粒子束装置和多柱显微镜
US10522327B2 (en) Method of operating a charged particle beam specimen inspection system
US7049585B2 (en) Sheet beam-type testing apparatus
KR100885940B1 (ko) 하전입자선에 의한 검사장치 및 그 검사장치를 사용한장치제조방법
US9053899B2 (en) Method for imaging a sample in a charged particle apparatus
TW201833968A (zh) 用於檢查試樣之方法以及帶電粒子多束裝置
JP2021119565A (ja) ディスプレイ製造用基板上での自動限界寸法測定方法、ディスプレイ製造用大面積基板の検査方法、ディスプレイ製造用大面積基板の検査装置及びその操作方法
US8963084B2 (en) Contamination reduction electrode for particle detector
EP1883094B1 (en) Charged particle beam device and method for inspecting specimen
TWI813795B (zh) 用於在基板上進行臨界尺寸量測的方法、及用於檢測基板及切割在基板上的電子裝置的設備
US7525091B2 (en) Charged particle beam system and a method for inspecting a sample

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination