CN115893841A - 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 - Google Patents
一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115893841A CN115893841A CN202310005018.XA CN202310005018A CN115893841A CN 115893841 A CN115893841 A CN 115893841A CN 202310005018 A CN202310005018 A CN 202310005018A CN 115893841 A CN115893841 A CN 115893841A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- glaze
- placing
- porcelain insulator
- raw materials
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000009472 formulation Methods 0.000 title description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract description 27
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 claims abstract description 25
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 claims abstract description 25
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000004571 lime Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 claims abstract description 19
- FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxomagnesium;hydrate Chemical compound O.[Mg]=O.[Mg]=O.[Mg]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Si]=O FPAFDBFIGPHWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000010451 perlite Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000019362 perlite Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 12
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- 239000010455 vermiculite Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052902 vermiculite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 235000019354 vermiculite Nutrition 0.000 claims abstract description 12
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- DLHONNLASJQAHX-UHFFFAOYSA-N aluminum;potassium;oxygen(2-);silicon(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Si+4].[Si+4].[Si+4].[K+] DLHONNLASJQAHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 47
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 27
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 24
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 20
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 13
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 7
- 239000002699 waste material Substances 0.000 claims description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 claims description 6
- 229940072033 potash Drugs 0.000 claims description 6
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 5
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 abstract description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/60—Production of ceramic materials or ceramic elements, e.g. substitution of clay or shale by alternative raw materials, e.g. ashes
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10‑20份、氧化铝粉5‑10份、石灰5‑10份、钾长石15‑20份、石英25‑30份、高岭土10‑15份、滑石粉5‑10份、珍珠岩10‑20份、蛭石5‑10份、硅酸锆3‑8份、光泽剂10‑18份。通过本发明进行制备的半导体釉，可以提高其较强的抗腐蚀能力，通过在原料中进行氧化锌、氧化铝粉，通过进行添加的金属氧化物，可以提高半导体釉的抗污性能。
Description
技术领域
本发明涉及瓷绝缘子半导体釉制备技术领域，具体为一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法。
背景技术
随着陶瓷制品进入千家万户，陶瓷釉料为陶瓷制品不可缺少的装饰材料，现有的陶瓷釉料按照类别与用途可以大致分类如下：1、铅釉和无铅釉；2、生料釉与熔块釉；3、一次烧成或二次烧成用釉；4、瓷砖，餐具，卫生陶瓷与电瓷用釉；5、按施釉方法划分的浸釉、喷釉、浇釉；6、高温釉和低温釉；7、高膨胀釉和低膨胀釉；8、烧成气氛氧化焰、中性焰和还原焰；9、颜色釉与无色釉；10、透明釉与乳浊釉；11、光泽釉、无光釉、半无光釉或花纹釉等等。
半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量(约30％)的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同，在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。
由于半导体釉涂覆在高压电磁外表面，容易受到外界环境的腐蚀，发生各种电化腐蚀，同时现有半导体釉抗污能力差。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法。
(二)技术方案
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10-20份、氧化铝粉5-10份、石灰5-10份、钾长石15-20份、石英25-30份、高岭土10-15份、滑石粉5-10份、珍珠岩10-20份、蛭石5-10份、硅酸锆3-8份、光泽剂10-18份。
优选的，所述瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；
S2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物进行放置陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后进行烧制，冷却后得到半导体釉。
优选的，所述S7中，烧制的温度为1250-1300℃。
优选的，所述S6中，陈腐条件为无氧环境中，且在20℃的环境中进行陈腐。
优选的，所述S103中，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃。
优选的，所述S102中，添加的水为蒸馏水。
优选的，所述S3中，淬火用水为蒸馏水或淬火油。
优选的，所述S4中，高岭土和滑石粉加入前还需要进行除铁除杂处理。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，具备以下有益效果：
1、该一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，通过本发明进行制备的半导体釉，可以提高其较强的抗腐蚀能力，通过在原料中进行氧化锌、氧化铝粉，通过进行添加的金属氧化物，可以提高半导体釉的抗污性能。
2、该一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，通过该制备工艺，利用其对原料进行预先干燥处理，可以提高对原料的纯度，从而提高半导体釉制备后的抗污能力。
具体实施方式
下面将结合本发明的实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种瓷绝缘子半导体釉配方，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10-20份、氧化铝粉5-10份、石灰5-10份、钾长石15-20份、石英25-30份、高岭土10-15份、滑石粉5-10份、珍珠岩10-20份、蛭石5-10份、硅酸锆3-8份、光泽剂10-18份。
进一步地，一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；
S2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物进行放置陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后进行烧制，冷却后得到半导体釉。
实施例一：
一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中质量份为15份的钾长石、25份的石英、10份的珍珠岩、5份的蛭石、3份的硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加蒸馏水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃，得到白釉；
S2：将原料中质量份为10份的氧化锌、5份的氧化铝粉、5份的石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，放置在蒸馏水或淬火油中进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，然后将原料中质量份为10份的高岭土、5份的滑石粉进行除铁除杂处理，然后加入除铁除杂后的高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物放置在无氧环境中，且于20℃的环境中进行陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入原料中质量份为10份的光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后以1250-1300°C进行烧制，冷却后得到半导体釉。
实施例二：
一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中质量份为16份的钾长石、26份的石英、12份的珍珠岩、6份的蛭石、4份的硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加蒸馏水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃，得到白釉；
S2：将原料中质量份为12份的氧化锌、6份的氧化铝粉、6份的石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，放置在蒸馏水或淬火油中进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，然后将原料中质量份为11份的高岭土、6份的滑石粉进行除铁除杂处理，然后加入除铁除杂后的高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物放置在无氧环境中，且于20℃的环境中进行陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入原料中质量份为12份的光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后以1250-1300°C进行烧制，冷却后得到半导体釉。
实施例三：
一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中质量份为17份的钾长石、28份的石英、14份的珍珠岩、7份的蛭石、5份的硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加蒸馏水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃，得到白釉；
S2：将原料中质量份为14份的氧化锌、7份的氧化铝粉、7份的石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，放置在蒸馏水或淬火油中进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，然后将原料中质量份为12份的高岭土、7份的滑石粉进行除铁除杂处理，然后加入除铁除杂后的高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物放置在无氧环境中，且于20℃的环境中进行陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入原料中质量份为14份的光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后以1250-1300°C进行烧制，冷却后得到半导体釉。
实施例四：
一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中质量份为18份的钾长石、31份的石英、17份的珍珠岩、8份的蛭石、7份的硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加蒸馏水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃，得到白釉；
S2：将原料中质量份为17份的氧化锌、8份的氧化铝粉、8份的石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，放置在蒸馏水或淬火油中进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，然后将原料中质量份为14份的高岭土、9份的滑石粉进行除铁除杂处理，然后加入除铁除杂后的高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物放置在无氧环境中，且于20℃的环境中进行陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入原料中质量份为16份的光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后以1250-1300°C进行烧制，冷却后得到半导体釉。
实施例五：
一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中质量份为20份的钾长石、30份的石英、20份的珍珠岩、10份的蛭石、8份的硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加蒸馏水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃，得到白釉；
S2：将原料中质量份为20份的氧化锌、10份的氧化铝粉、10份的石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，放置在蒸馏水或淬火油中进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，然后将原料中质量份为15份的高岭土、10份的滑石粉进行除铁除杂处理，然后加入除铁除杂后的高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物放置在无氧环境中，且于20℃的环境中进行陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入原料中质量份为18份的光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后以1250-1300°C进行烧制，冷却后得到半导体釉。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (8)
1.一种瓷绝缘子半导体釉配方，其特征在于，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10-20份、氧化铝粉5-10份、石灰5-10份、钾长石15-20份、石英25-30份、高岭土10-15份、滑石粉5-10份、珍珠岩10-20份、蛭石5-10份、硅酸锆3-8份、光泽剂10-18份。
2.根据权利要求1所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：制备白釉
S101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
S102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；
S2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1-2小时；
S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；
S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10-15小时；
S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
S6：将S5中混合后的产物进行放置陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入光泽剂，得到混合料；
S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后进行烧制，冷却后得到半导体釉。
3.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述S7中，烧制的温度为1250-1300℃。
4.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述S6中，陈腐条件为无氧环境中，且在20℃的环境中进行陈腐。
5.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述S103中，过筛条件为200-300目，筛余料与除铁废料直接废弃。
6.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述S102中，添加的水为蒸馏水。
7.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述S3中，淬火用水为蒸馏水或淬火油。
8.根据权利要求2所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于，所述S4中，高岭土和滑石粉加入前还需要进行除铁除杂处理。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310005018.XA CN115893841A (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310005018.XA CN115893841A (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115893841A true CN115893841A (zh) | 2023-04-04 |
Family
ID=86480957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310005018.XA Pending CN115893841A (zh) | 2023-01-04 | 2023-01-04 | 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115893841A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1018021A (en) * | 1964-04-24 | 1966-01-26 | Physical Sciences Corp | An insulating vitreous material |
| CN107188417A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-09-22 | 许五妮 | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
| CN110683837A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-01-14 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 导热的低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| US20200223761A1 (en) * | 2017-02-14 | 2020-07-16 | Tdk Electronics Ag | Lead-Free High-Insulating Ceramic Coating Zinc Oxide Arrester Valve and Preparation Method Thereof |
| CN111995358A (zh) * | 2020-08-08 | 2020-11-27 | 德化县吉元瓷业有限责任公司 | 一种轻质环保仿岩石釉陶瓷及其制备方法 |
-
2023
- 2023-01-04 CN CN202310005018.XA patent/CN115893841A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1018021A (en) * | 1964-04-24 | 1966-01-26 | Physical Sciences Corp | An insulating vitreous material |
| US20200223761A1 (en) * | 2017-02-14 | 2020-07-16 | Tdk Electronics Ag | Lead-Free High-Insulating Ceramic Coating Zinc Oxide Arrester Valve and Preparation Method Thereof |
| CN107188417A (zh) * | 2017-04-25 | 2017-09-22 | 许五妮 | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
| CN110683837A (zh) * | 2019-11-20 | 2020-01-14 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 导热的低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN111995358A (zh) * | 2020-08-08 | 2020-11-27 | 德化县吉元瓷业有限责任公司 | 一种轻质环保仿岩石釉陶瓷及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109206013B (zh) | 一种釉面不龟裂的长余辉陶瓷及其制作工艺 | |
| CN106747357B (zh) | 低温共烧陶瓷及其制备方法 | |
| CN101659517A (zh) | 一种高折射率日用陶瓷釉及其制作工艺 | |
| CN112608028A (zh) | 一种高强度悬式绝缘子头部釉及其制备方法 | |
| CN110510876A (zh) | 一种哑光釉及其制备方法 | |
| CN104829130A (zh) | 一种无铅无钡环保型水晶玻璃及其制备方法 | |
| CN101475312A (zh) | 一种铜封玻璃粉及其制备和应用 | |
| Lu et al. | PREPARATION AND PERFORMANCE STUDY OF GLASS-CERAMIC GLAZES DERIVED FROM BLAST FURNACE SLAG AND FLY ASH | |
| CN115893841A (zh) | 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 | |
| CN112194371A (zh) | 一种耐高温陶瓷釉水以及制备方法 | |
| CN110668698A (zh) | 耐酸、耐碱、耐热、耐磨烧金桶用钛白面釉及生产方法 | |
| CN114804634B (zh) | 一种用于瓷绝缘子的彩色釉及其制备方法 | |
| CN102060440B (zh) | 一种抗高压力封接微晶玻璃及其应用 | |
| CN109250905A (zh) | 220kv高压输电用高强度盘形悬式玻璃绝缘子及其制造方法 | |
| CN102351403B (zh) | 一种太阳能电池浆料用超细玻璃粉的制备工艺 | |
| CN101823902B (zh) | 环保绿色瓷釉及其生产方法 | |
| US2063252A (en) | Vitreous enamel and method of making same | |
| CN104961342B (zh) | 一种微晶玻璃绝缘材料及其制备方法 | |
| CN112299716A (zh) | 一种钧瓷铜红釉及其制备方法 | |
| JPH1087365A (ja) | 耐熱衝撃性セラミックスおよびその製造方法 | |
| CN102153281B (zh) | 压电陶瓷玻璃及其制备方法和应用 | |
| US2537955A (en) | Enamel opacifier and method of use | |
| CN113185124B (zh) | 一种利用金红石矿选尾矿制备的熔块釉及其制备方法 | |
| CN112919806B (zh) | 一种耐高压瓷质绝缘子釉料 | |
| CN101817637B (zh) | 无铅铝介质材料及制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |