CN107188417A - 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 - Google Patents

Abstract

一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：氧化镁17‑28份，碳酸钡15‑25份，氧化钴9‑12份，石英5‑7份，氧化铝粉12‑15份，石灰5‑8份，蛭石8‑10份，膨润土12‑15份，粉末状二氧化钛17‑28份，珍珠岩15‑25份，氧化铁9‑12份，白釉基料20‑25份，光泽剂8‑10份，防腐蚀剂5‑7份。本发明采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺，得到的半导体釉，具有较强的抗腐蚀性能，涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定，表面光泽，使用寿命长，尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。

Description

一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法

技术领域

本发明涉及陶瓷釉料技术领域，具体涉及一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。

背景技术

随着陶瓷制品进入千家万户，陶瓷釉料为陶瓷制品不可缺少的装饰材料，现有的陶瓷釉料按照类别与用途可以大致分类如下：1、铅釉和无铅釉；2、生料釉与熔块釉；3、一次烧成或二次烧成用釉；4、瓷砖，餐具，卫生陶瓷与电瓷用釉；5、按施釉方法划分的浸釉、喷釉、浇釉；6、高温釉和低温釉；7、高膨胀釉和低膨胀釉；8、烧成气氛氧化焰、中性焰和还原焰；9、颜色釉与无色釉；10、透明釉与乳浊釉；11、光泽釉、无光釉、半无光釉或花纹釉等等。

半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量(约30％)的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同，在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。

由于半导体釉涂覆在高压电磁外表面，容易受到外界环境的腐蚀，发生各种电化腐蚀，同时现有半导体釉抗污能力差。

发明内容

本发明为解决上述问题，提供一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。

本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现：

一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：

氧化镁17-28份，碳酸钡15-25份，氧化钴9-12份，石英5-7份，氧化铝粉12-15份，石灰5-8份，蛭石8-10份，膨润土12-15份，粉末状二氧化钛17-28份，珍珠岩15-25份，氧化铁9-12份，白釉基料20-25份，光泽剂8-10份，防腐蚀剂5-7份；

所述白釉基料由以下重量份的原料组成：

钾长石3-7份，氧化锌5-9份，新会粉8-15份，水洗高岭土4-9份，星子高岭土5-8份，滑石8-15份，石灰石4-7份，硅酸锆2-6份。

所述光泽剂由以下重量份的原料组成：

硫酸锌3-7份，碳酸钠2-5份，钛白粉1-3份，丙炔醇4-7份，丁炔二醇2-6份，吡啶嗡盐3-5份。

所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸2-3份，羟基乙叉二膦酸钠3-5份，聚丙烯酸2-6份，亚硝酸盐6-8份。

一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法，包括以下步骤：

(1)称取配方比的各组分，混合均匀，得混合料；

(2)将混合料过60～80目筛后，在900～1000℃下熔炼1.5～2小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；

(3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1％后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。

本发明的有益效果为：本发明采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺，得到的半导体釉，具有较强的抗腐蚀性能，涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定，表面光泽，使用寿命长，尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。半导体釉层对漏电产生吸附效应，避免漏电直接传输到输电线杆上，组成半导体釉中的氧化铝成分具有极强的耐高温性能，增强了绝缘陶瓷的耐高温性能，延长了其使用寿命，二氧化钛被认为是世界上性能最好的白色颜料，可以产生一种光亮的、硬而耐酸的表面；绝缘陶瓷表面为高能面，被水浸润后形成连续水膜，易于形成导电通路，半导体釉层可避免形成水膜。

具体实施方式：

为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合实施例，进一步阐述本发明。

实施例1

一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：

氧化镁17份，碳酸钡15份，氧化钴9份，石英5份，氧化铝粉12份，石灰5份，蛭石8份，膨润土12份，粉末状二氧化钛17份，珍珠岩15份，氧化铁9份，白釉基料20份，光泽剂8份，防腐蚀剂5份；

所述白釉基料由以下重量份的原料组成：

钾长石3份，氧化锌5份，新会粉8份，水洗高岭土4份，星子高岭土5份，滑石8份，石灰石4份，硅酸锆2份。

所述光泽剂由以下重量份的原料组成：

硫酸锌3份，碳酸钠2份，钛白粉1份，丙炔醇4份，丁炔二醇2份，吡啶嗡盐3份。

所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸2份，羟基乙叉二膦酸钠3份，聚丙烯酸2份，亚硝酸盐6份。

实施例2

一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：

氧化镁23份，碳酸钡20份，氧化钴11份，石英6份，氧化铝粉14份，石灰6份，蛭石9份，膨润土13份，粉末状二氧化钛23份，珍珠岩20份，氧化铁11份，白釉基料23份，光泽剂9份，防腐蚀剂6份；

所述白釉基料由以下重量份的原料组成：

钾长石5份，氧化锌7份，新会粉12份，水洗高岭土7份，星子高岭土6份，滑石11份，石灰石5份，硅酸锆4份。

所述光泽剂由以下重量份的原料组成：

硫酸锌5份，碳酸钠4份，钛白粉2份，丙炔醇5份，丁炔二醇4份，吡啶嗡盐4份。

所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸2份，羟基乙叉二膦酸钠4份，聚丙烯酸4份，亚硝酸盐7份。

实施例3

一种用于高压陶瓷的半导体釉，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：

氧化镁28份，碳酸钡25份，氧化钴12份，石英7份，氧化铝粉15份，石灰8份，蛭石10份，膨润土15份，粉末状二氧化钛28份，珍珠岩25份，氧化铁12份，白釉基料25份，光泽剂10份，防腐蚀剂7份；

所述白釉基料由以下重量份的原料组成：

钾长石7份，氧化锌9份，新会粉15份，水洗高岭土9份，星子高岭土8份，滑石15份，石灰石7份，硅酸锆6份。

所述光泽剂由以下重量份的原料组成：

硫酸锌7份，碳酸钠5份，钛白粉3份，丙炔醇7份，丁炔二醇6份，吡啶嗡盐5份。

所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：羟基乙叉二膦酸3份，羟基乙叉二膦酸钠5份，聚丙烯酸6份，亚硝酸盐8份。

一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法，包括以下步骤：

(1)称取配方比的各组分，混合均匀，得混合料；

(2)将混合料过60～80目筛后，在900～1000℃下熔炼1.5～2小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；

(3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1％后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。

通过本发明制备方法制备实施例1-3半导体釉并分别涂覆在绝缘陶瓷上，并与普通陶瓷各项参数进行对比，如下表所示：

结果表面，使用涂覆本发明的半导体釉绝缘陶瓷各项指标均优于普通绝缘陶瓷。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例，并不用来限制本发明，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (5)

1.一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述半导体釉由以下重量份的原料组成：

氧化镁17-28份，碳酸钡15-25份，氧化钴9-12份，石英5-7份，氧化铝粉12-15份，石灰5-8份，蛭石8-10份，膨润土12-15份，粉末状二氧化钛17-28份，珍珠岩15-25份，氧化铁9-12份，白釉基料20-25份，光泽剂8-10份，防腐蚀剂5-7份。

2.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述白釉基料由以下重量份的原料组成：

钾长石3-7份，氧化锌5-9份，新会粉8-15份，水洗高岭土4-9份，星子高岭土5-8份，滑石8-15份，石灰石4-7份，硅酸锆2-6份。

3.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述光泽剂由以下重量份的原料组成：

硫酸锌3-7份，碳酸钠2-5份，钛白粉1-3份，丙炔醇4-7份，丁炔二醇2-6份，吡啶嗡盐3-5份。

4.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉，其特征在于，所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成：

羟基乙叉二膦酸2-3份，羟基乙叉二膦酸钠3-5份，聚丙烯酸2-6份，亚硝酸盐6-8份。

5.一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法，包括以下步骤：

(1)称取配方比的各组分，混合均匀，得混合料；

(2)将混合料过60～80目筛后，在900～1000℃下熔炼1.5～2小时，接着在1300～1500℃下，熔炼1～2小时，然后水淬，得到块状釉料；

(3)将块状釉料经湿法球磨后，过筛除杂得到釉浆，将釉浆施于坯体表面，干燥至釉浆中的水分小于1％后，分别在1000～1100℃和1200～1250℃下交替烧制2～3次，每次烧制时间为20～30分钟，冷却后，得到陶瓷釉料。