CN107188417A - 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 - Google Patents
一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107188417A CN107188417A CN201710277960.6A CN201710277960A CN107188417A CN 107188417 A CN107188417 A CN 107188417A CN 201710277960 A CN201710277960 A CN 201710277960A CN 107188417 A CN107188417 A CN 107188417A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- parts
- glaze
- semi
- conducting
- higfh
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/20—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5022—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with vitreous materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/86—Glazes; Cold glazes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
一种用于高压陶瓷的半导体釉,所述半导体釉由以下重量份的原料组成:氧化镁17‑28份,碳酸钡15‑25份,氧化钴9‑12份,石英5‑7份,氧化铝粉12‑15份,石灰5‑8份,蛭石8‑10份,膨润土12‑15份,粉末状二氧化钛17‑28份,珍珠岩15‑25份,氧化铁9‑12份,白釉基料20‑25份,光泽剂8‑10份,防腐蚀剂5‑7份。本发明采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺,得到的半导体釉,具有较强的抗腐蚀性能,涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定,表面光泽,使用寿命长,尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。
Description
技术领域
本发明涉及陶瓷釉料技术领域,具体涉及一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。
背景技术
随着陶瓷制品进入千家万户,陶瓷釉料为陶瓷制品不可缺少的装饰材料,现有的陶瓷釉料按照类别与用途可以大致分类如下:1、铅釉和无铅釉;2、生料釉与熔块釉;3、一次烧成或二次烧成用釉;4、瓷砖,餐具,卫生陶瓷与电瓷用釉;5、按施釉方法划分的浸釉、喷釉、浇釉;6、高温釉和低温釉;7、高膨胀釉和低膨胀釉;8、烧成气氛氧化焰、中性焰和还原焰;9、颜色釉与无色釉;10、透明釉与乳浊釉;11、光泽釉、无光釉、半无光釉或花纹釉等等。
半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉,其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量(约30%)的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同,在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外,还含有各种形态的导电结晶或固溶体,这些导电相贯穿于玻璃基质之间,构成不间断的导电网络。
由于半导体釉涂覆在高压电磁外表面,容易受到外界环境的腐蚀,发生各种电化腐蚀,同时现有半导体釉抗污能力差。
发明内容
本发明为解决上述问题,提供一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
一种用于高压陶瓷的半导体釉,所述半导体釉由以下重量份的原料组成:
氧化镁17-28份,碳酸钡15-25份,氧化钴9-12份,石英5-7份,氧化铝粉12-15份,石灰5-8份,蛭石8-10份,膨润土12-15份,粉末状二氧化钛17-28份,珍珠岩15-25份,氧化铁9-12份,白釉基料20-25份,光泽剂8-10份,防腐蚀剂5-7份;
所述白釉基料由以下重量份的原料组成:
钾长石3-7份,氧化锌5-9份,新会粉8-15份,水洗高岭土4-9份,星子高岭土5-8份,滑石8-15份,石灰石4-7份,硅酸锆2-6份。
所述光泽剂由以下重量份的原料组成:
硫酸锌3-7份,碳酸钠2-5份,钛白粉1-3份,丙炔醇4-7份,丁炔二醇2-6份,吡啶嗡盐3-5份。
所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成:羟基乙叉二膦酸2-3份,羟基乙叉二膦酸钠3-5份,聚丙烯酸2-6份,亚硝酸盐6-8份。
一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法,包括以下步骤:
(1)称取配方比的各组分,混合均匀,得混合料;
(2)将混合料过60~80目筛后,在900~1000℃下熔炼1.5~2小时,接着在1300~1500℃下,熔炼1~2小时,然后水淬,得到块状釉料;
(3)将块状釉料经湿法球磨后,过筛除杂得到釉浆,将釉浆施于坯体表面,干燥至釉浆中的水分小于1%后,分别在1000~1100℃和1200~1250℃下交替烧制2~3次,每次烧制时间为20~30分钟,冷却后,得到陶瓷釉料。
本发明的有益效果为:本发明采用了特有的陶瓷釉料配方以及制作工艺,得到的半导体釉,具有较强的抗腐蚀性能,涂覆在高压电瓷外表面长时间保持性能稳定,表面光泽,使用寿命长,尤其适合用在环境恶劣的自然条件中。半导体釉层对漏电产生吸附效应,避免漏电直接传输到输电线杆上,组成半导体釉中的氧化铝成分具有极强的耐高温性能,增强了绝缘陶瓷的耐高温性能,延长了其使用寿命,二氧化钛被认为是世界上性能最好的白色颜料,可以产生一种光亮的、硬而耐酸的表面;绝缘陶瓷表面为高能面,被水浸润后形成连续水膜,易于形成导电通路,半导体釉层可避免形成水膜。
具体实施方式:
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合实施例,进一步阐述本发明。
实施例1
一种用于高压陶瓷的半导体釉,所述半导体釉由以下重量份的原料组成:
氧化镁17份,碳酸钡15份,氧化钴9份,石英5份,氧化铝粉12份,石灰5份,蛭石8份,膨润土12份,粉末状二氧化钛17份,珍珠岩15份,氧化铁9份,白釉基料20份,光泽剂8份,防腐蚀剂5份;
所述白釉基料由以下重量份的原料组成:
钾长石3份,氧化锌5份,新会粉8份,水洗高岭土4份,星子高岭土5份,滑石8份,石灰石4份,硅酸锆2份。
所述光泽剂由以下重量份的原料组成:
硫酸锌3份,碳酸钠2份,钛白粉1份,丙炔醇4份,丁炔二醇2份,吡啶嗡盐3份。
所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成:羟基乙叉二膦酸2份,羟基乙叉二膦酸钠3份,聚丙烯酸2份,亚硝酸盐6份。
实施例2
一种用于高压陶瓷的半导体釉,所述半导体釉由以下重量份的原料组成:
氧化镁23份,碳酸钡20份,氧化钴11份,石英6份,氧化铝粉14份,石灰6份,蛭石9份,膨润土13份,粉末状二氧化钛23份,珍珠岩20份,氧化铁11份,白釉基料23份,光泽剂9份,防腐蚀剂6份;
所述白釉基料由以下重量份的原料组成:
钾长石5份,氧化锌7份,新会粉12份,水洗高岭土7份,星子高岭土6份,滑石11份,石灰石5份,硅酸锆4份。
所述光泽剂由以下重量份的原料组成:
硫酸锌5份,碳酸钠4份,钛白粉2份,丙炔醇5份,丁炔二醇4份,吡啶嗡盐4份。
所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成:羟基乙叉二膦酸2份,羟基乙叉二膦酸钠4份,聚丙烯酸4份,亚硝酸盐7份。
实施例3
一种用于高压陶瓷的半导体釉,所述半导体釉由以下重量份的原料组成:
氧化镁28份,碳酸钡25份,氧化钴12份,石英7份,氧化铝粉15份,石灰8份,蛭石10份,膨润土15份,粉末状二氧化钛28份,珍珠岩25份,氧化铁12份,白釉基料25份,光泽剂10份,防腐蚀剂7份;
所述白釉基料由以下重量份的原料组成:
钾长石7份,氧化锌9份,新会粉15份,水洗高岭土9份,星子高岭土8份,滑石15份,石灰石7份,硅酸锆6份。
所述光泽剂由以下重量份的原料组成:
硫酸锌7份,碳酸钠5份,钛白粉3份,丙炔醇7份,丁炔二醇6份,吡啶嗡盐5份。
所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成:羟基乙叉二膦酸3份,羟基乙叉二膦酸钠5份,聚丙烯酸6份,亚硝酸盐8份。
一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法,包括以下步骤:
(1)称取配方比的各组分,混合均匀,得混合料;
(2)将混合料过60~80目筛后,在900~1000℃下熔炼1.5~2小时,接着在1300~1500℃下,熔炼1~2小时,然后水淬,得到块状釉料;
(3)将块状釉料经湿法球磨后,过筛除杂得到釉浆,将釉浆施于坯体表面,干燥至釉浆中的水分小于1%后,分别在1000~1100℃和1200~1250℃下交替烧制2~3次,每次烧制时间为20~30分钟,冷却后,得到陶瓷釉料。
通过本发明制备方法制备实施例1-3半导体釉并分别涂覆在绝缘陶瓷上,并与普通陶瓷各项参数进行对比,如下表所示:
结果表面,使用涂覆本发明的半导体釉绝缘陶瓷各项指标均优于普通绝缘陶瓷。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的仅为本发明的优选例,并不用来限制本发明,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种用于高压陶瓷的半导体釉,其特征在于,所述半导体釉由以下重量份的原料组成:
氧化镁17-28份,碳酸钡15-25份,氧化钴9-12份,石英5-7份,氧化铝粉12-15份,石灰5-8份,蛭石8-10份,膨润土12-15份,粉末状二氧化钛17-28份,珍珠岩15-25份,氧化铁9-12份,白釉基料20-25份,光泽剂8-10份,防腐蚀剂5-7份。
2.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉,其特征在于,所述白釉基料由以下重量份的原料组成:
钾长石3-7份,氧化锌5-9份,新会粉8-15份,水洗高岭土4-9份,星子高岭土5-8份,滑石8-15份,石灰石4-7份,硅酸锆2-6份。
3.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉,其特征在于,所述光泽剂由以下重量份的原料组成:
硫酸锌3-7份,碳酸钠2-5份,钛白粉1-3份,丙炔醇4-7份,丁炔二醇2-6份,吡啶嗡盐3-5份。
4.如权利要求1所述的一种用于高压陶瓷的半导体釉,其特征在于,所述防腐蚀剂由以下重量份的原料组成:
羟基乙叉二膦酸2-3份,羟基乙叉二膦酸钠3-5份,聚丙烯酸2-6份,亚硝酸盐6-8份。
5.一种用于高压陶瓷的半导体釉制备方法,包括以下步骤:
(1)称取配方比的各组分,混合均匀,得混合料;
(2)将混合料过60~80目筛后,在900~1000℃下熔炼1.5~2小时,接着在1300~1500℃下,熔炼1~2小时,然后水淬,得到块状釉料;
(3)将块状釉料经湿法球磨后,过筛除杂得到釉浆,将釉浆施于坯体表面,干燥至釉浆中的水分小于1%后,分别在1000~1100℃和1200~1250℃下交替烧制2~3次,每次烧制时间为20~30分钟,冷却后,得到陶瓷釉料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710277960.6A CN107188417A (zh) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201710277960.6A CN107188417A (zh) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107188417A true CN107188417A (zh) | 2017-09-22 |
Family
ID=59873472
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710277960.6A Pending CN107188417A (zh) | 2017-04-25 | 2017-04-25 | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN107188417A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107986627A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-04 | 湖南阳东生物洁能科技有限公司 | 一种电瓷用灰釉釉料、电瓷用灰釉及其制备方法 |
CN108218233A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-06-29 | 盐城工业职业技术学院 | 用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
CN113213760A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-06 | 重庆名檀陶瓷有限公司 | 一种陶罐的耐腐蚀釉料及其施釉方法 |
CN115893841A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-04 | 萍乡电瓷厂电力电器有限公司 | 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB564669A (en) * | 1942-07-25 | 1944-10-09 | Westinghouse Electric Int Co | Improvements in or relating to electrical insulators |
SU387944A1 (ru) * | 1971-10-08 | 1973-06-22 | Авторы изобретени витель | Глазурь |
CN103360117A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-23 | 湖南省醴陵市浦口电瓷有限公司 | 半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料 |
CN103396165A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-20 | 江苏南瓷绝缘子有限公司 | 棒形悬式绝缘子用半导体釉配方及其制备方法和应用 |
CN106477884A (zh) * | 2016-09-20 | 2017-03-08 | 崔松伟 | 一种铁锈红釉料及其制备方法 |
-
2017
- 2017-04-25 CN CN201710277960.6A patent/CN107188417A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB564669A (en) * | 1942-07-25 | 1944-10-09 | Westinghouse Electric Int Co | Improvements in or relating to electrical insulators |
SU387944A1 (ru) * | 1971-10-08 | 1973-06-22 | Авторы изобретени витель | Глазурь |
CN103360117A (zh) * | 2013-06-19 | 2013-10-23 | 湖南省醴陵市浦口电瓷有限公司 | 半导电釉的施釉工艺及其所使用的半导电釉料 |
CN103396165A (zh) * | 2013-07-24 | 2013-11-20 | 江苏南瓷绝缘子有限公司 | 棒形悬式绝缘子用半导体釉配方及其制备方法和应用 |
CN106477884A (zh) * | 2016-09-20 | 2017-03-08 | 崔松伟 | 一种铁锈红釉料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
储酉章: "半导体釉主成分化学分析法", 《电瓷避雷器》 * |
彼得•克鲁斯培等: "高压电瓷半导体釉及其涂层的目前发展水平和存在的问题", 《电瓷避雷器》 * |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107986627A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-05-04 | 湖南阳东生物洁能科技有限公司 | 一种电瓷用灰釉釉料、电瓷用灰釉及其制备方法 |
CN107986627B (zh) * | 2017-12-08 | 2021-04-20 | 湖南阳东电瓷电气股份有限公司 | 一种电瓷用灰釉釉料、电瓷用灰釉及其制备方法 |
CN108218233A (zh) * | 2018-02-07 | 2018-06-29 | 盐城工业职业技术学院 | 用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 |
CN113213760A (zh) * | 2021-06-25 | 2021-08-06 | 重庆名檀陶瓷有限公司 | 一种陶罐的耐腐蚀釉料及其施釉方法 |
CN115893841A (zh) * | 2023-01-04 | 2023-04-04 | 萍乡电瓷厂电力电器有限公司 | 一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107188417A (zh) | 一种用于高压陶瓷的半导体釉及其制备方法 | |
GB2294261A (en) | Lead-free glaze for ceramics | |
US5650364A (en) | Self-opacifying enamel frits for the enamelling of aluminum or aluminum alloys | |
CN103193387B (zh) | 一种用于1Cr18Ni9Ti不锈钢表面的搪瓷材料及其制备方法 | |
CN102276149A (zh) | 一种仿古琉璃熔块釉的制备方法 | |
CN108623158A (zh) | 一种耐酸搪玻璃瓷釉及其制备方法 | |
CN101935166A (zh) | 一种高温抗氧化玻璃陶瓷涂层的制备方法 | |
CN103964690B (zh) | 一种用作搪瓷材料的组合物及其用途 | |
CN101244889A (zh) | 一种无氟环保乳浊玻璃材料及其制造方法 | |
CN104891808A (zh) | 一种咖啡色结晶釉组合物 | |
Pekkan et al. | Production of metallic glazes and their industrial applications | |
CN108069608B (zh) | 一种耐碱瓷釉 | |
CN105110648A (zh) | 一种机械转轴 | |
CN103193515B (zh) | 一种一次快烧透明微晶砖及其生产工艺 | |
CN111908792B (zh) | 一种金属釉的釉料混合物、金属釉制品及其制备工艺 | |
US5985473A (en) | Low-temperature barium/lead-free glaze for alumina ceramics | |
CN105439450A (zh) | 一种钛合金搪瓷涂层材料及其制备方法 | |
CN107619191B (zh) | 一种绿底银片纹高温结晶釉及其制备方法 | |
EP1398302A1 (en) | Semiconductive glaze product, method for producing the glaze product and insulator coated with the glaze product | |
CN101792261B (zh) | 一种用于臭氧放电管的钛金搪瓷材料 | |
JP2024031221A (ja) | 磁器用釉薬及び磁器 | |
JP4254975B2 (ja) | 低温焼成用無鉛緑釉 | |
CN107226619B (zh) | 一种耐酸金刚釉及制备方法、耐酸金刚釉陶瓷砖制备方法 | |
CN107586032B (zh) | 一种碳酸钴高温紫色陶瓷釉及其制备方法 | |
CN106631172A (zh) | 具有金属光泽的银色釉及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170922 |