CN115893478B - 一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用 - Google Patents
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- -1 Bromine sulfur germanium lead Chemical compound 0.000 title claims abstract description 80
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 68
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 39
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 30
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims abstract description 14
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 21
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 claims description 15
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical compound F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 6
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 3
- KRTIAPDUMFJDBE-UHFFFAOYSA-N [Pb].[S].[Ge] Chemical compound [Pb].[S].[Ge] KRTIAPDUMFJDBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 55
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 19
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 102100029469 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 101710097421 WD repeat and HMG-box DNA-binding protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种溴硫锗铅化合物,属于红外非线性光学晶体材料技术领域,其分子式为Pb3.5GeS4Br3,其分子量为1005.98。制备方法包括以下步骤:将含铅化合物或含铅化合物和单质铅的混合物、单质锗、单质硫或单质硫和含硫化合物的混合物和含溴化合物混合均匀,置于真空密闭容器中升温至600‑950℃,然后保温,降温冷却,得到溴硫锗铅化合物。本发明中硫锗铅化合物的纯样XRD图与理论值吻合;在2090nm的激光照射下,颗粒度为0.2‑0.25μm的Pb3.5GeS4Br3倍频效应是商业化的硫镓银(AgGaS2)的0.2倍,且具有一类相位匹配性质;激光损伤阈值是AgGaS2的2倍。
Description
技术领域
本发明属于红外非线性光学晶体材料技术领域,涉及一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用。
背景技术
非线性光学晶体材料,根据其透过波段的范围可将其分为三大类:一、红外及中远红外非线性光学材料;二、可见光及近红外波段非线性光学材料;三、紫外及深紫外波段非线性光学材料。其中,红外及中远红外非线性光学材料,该波段的非线性光学晶体材料具有广泛的用途,如在光电对抗、红外滤光器件、激光变频器件、红外激光雷达和激光通讯等方面的应用。
目前来看,红外非线性光学晶体市场上,常见的红外非线性光学晶体主要有AgGaS2,AgGaSe2,CdGeP2等。3-20μm固态中远红外波段激光的产生主要基于非线性光学原理及红外非线性光学晶体变频技术而得,尽管这些晶体都已在民用生产生活高科技领域和军事装备中得到作用,但是这些晶体材料也有自身的缺点,且在综合性能上还无法达到人们理想的要求,随着技术的发展与要求的提高,对性能更加优异的红外非线性晶体的需求更加紧迫,因此对于新型红外非线性晶体的探索,在民用高科技产业和提升军事装备方面都具有重要的战略意义,而且晶体材料合成与生长是该方向的一种巨大挑战。
因此,如何研发一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用是本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种溴硫锗铅化合物,其分子式为Pb3.5GeS4Br3。
本发明的有益效果是:本发明中硫锗铅化合物的纯样XRD图与理论值吻合;在2090nm的激光照射下,颗粒度为0.2-0.25μm的Pb3.5GeS4Br3倍频效应是商业化的硫镓银(AgGaS2)的0.2倍,且具有一类相位匹配性质;激光损伤阈值是AgGaS2的2倍。
进一步,上述溴硫锗铅化合物为溴硫锗铅粉末纯样。
进一步,上述化合物为红外非线性光学晶体Pb3.5GeS4Br3。
进一步,上述红外非线性光学晶体Pb3.5GeS4Br3为非中心对称结构单晶,晶系为六方晶系,空间群为P63。
进一步,上述红外非线性光学晶体Pb3.5GeS4Br3的晶胞参数 Z=2,单胞体积/>
本发明还提供一种上述溴硫锗铅化合物的制备方法,包括以下步骤:
将含铅化合物或含铅化合物和单质铅的混合物、单质锗、单质硫或单质硫和含硫化合物的混合物和含溴化合物混合均匀,置于真空密闭容器中升温至600-950℃,然后保温,降温冷却至室温,得到上述溴硫锗铅化合物。
本发明的有益效果是:本发明制备方法简单,工艺操作便利,适合广泛生产和应用。
进一步,上述含铅化合物或含铅化合物和单质铅的混合物、单质锗、单质硫或单质硫和含硫化合物的混合物和含溴化合物的摩尔比为7:2:8:6。
进一步,上述含铅化合物为氟化铅、氯化铅或溴化铅;上述含硫化合物为硫化铅;上述含溴化合物为溴化铅。
优选地,上述升温至600℃。
进一步,上述升温速率为35-40℃/h,保温时间为24-72h。
进一步,上述降温速率为2-5℃/h。
优选地,上述降温速率为2℃/h。
进一步,上述溴硫锗铅化合物的制备方法,包括以下步骤:
(1)在密闭设备内称取含铅化合物或含铅化合物和单质铅的混合物、单质锗、单质硫或单质硫和含硫化合物的混合物和含溴化合物混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至600-950℃,然后保温,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,得到上述溴硫锗铅化合物。
进一步,上述步骤(1)中,密闭设备为充有惰性气体为氮气的手套箱。
进一步,上述步骤(1)中,密闭设备内含水量和含氧气量均为0.01-0.1ppm。
进一步,上述步骤(1)中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口。
本发明还提供上述溴硫锗铅化合物或上述方法制备的溴硫锗铅化合物在制备红外波段激光变频晶体、红外电-光装置、红外通讯器件或红外激光制导器件中的应用。
附图说明
图1为本发明溴硫锗铅化合物X射线粉末衍射图与理论值的对比图,其中上为理论值,下为实验值;
图2为本发明溴硫锗铅化合物Pb3.5GeS4Br3单晶照片;
图3为本发明溴硫锗铅化合物在2090nm激光下,不同颗粒度时和对影响同颗粒度的硫镓银倍频对比图,其中—■—为AgGaS2,—●—为Pb3.5GeS4Br3;
图4为本发明溴硫锗铅化合物工作原理图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明溴硫锗铅化合物为橘黄色单晶颗粒,晶体结构中,Pb原子,Ge原子,S原子,Br原子的化合价分别为+2,+4,-2和-1。本发明溴硫锗铅化合物,按下列化学反应式制备:
(1)4PbS+3PbBr2+2Ge+4S=2Pb3.5GeS4Br3
(2)3PbS+3PbBr2+Pb+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3
(3)2PbS+3PbBr2+2Pb+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3
(4)PbS+3PbBr2+3Pb+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3
(5)3PbBr2+4Pb+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3
(6)3PbS+3PbBr2+PbF2+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3+F2↑
(7)2PbS+3PbBr2+2PbF2+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3+2F2↑
(8)PbS+3PbBr2+3PbF2+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3+3F2↑
(9)3PbBr2+4PbF2+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3+4F2↑
(10)3PbS+3PbBr2+PbCl2+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3+Cl2↑
(11)2PbS+3PbBr2+2PbCl2+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3+2Cl2↑
(12)PbS+3PbBr2+3PbCl2+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3+3Cl2↑
(13)3PbBr2+4PbCl2+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3+4Cl2↑
(14)3PbS+4PbBr2+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3+Br2↑
(15)2PbS+5PbBr2+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3+2Br2↑
(16)PbS+6PbBr2+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3+3Br2↑
(17)7PbBr2+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3+4Br2↑
实施例1
以化学方程式4PbS+3PbBr2+2Ge+4S=2Pb3.5GeS4Br3制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为4:3:2:4称取硫化铅、溴化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至850℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例2
以化学方程式3PbS+3PbBr2+Pb+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:3:1:2:5称取硫化铅、溴化铅、单质铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温72h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为2℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例3
实施例以化学方程式2PbS+3PbBr2+2Pb+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为2:3:2:2:6称取硫化铅、溴化铅、单质铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至900℃,升温速率为40℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例4
实施例以化学方程式PbS+3PbBr2+3Pb+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为1:3:3:2:7称取硫化铅、溴化铅、单质铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至950℃,升温速率为35℃/h,然后保温72h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为2℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例5
实施例以化学方程式3PbBr2+4Pb+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:4:3:2:8称取溴化铅、单质铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至950℃,升温速率为40℃/h,然后保温72h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为2℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例6
实施例以化学方程式3PbS+3PbBr2+PbF2+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3+F2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:3:1:2:5称取硫化铅、溴化铅、氟化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至650℃,升温速率为35℃/h,然后保温24h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为4℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例7
实施例以化学方程式2PbS+3PbBr2+2PbF2+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3+2F2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为2:3:2:2:6称取硫化铅、溴化铅、氟化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至650℃,升温速率为35℃/h,然后保温24h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为4℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例8
实施例以化学方程式PbS+3PbBr2+3PbF2+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3+3F2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为1:3:3:2:7称取硫化铅、溴化铅、氟化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至650℃,升温速率为35℃/h,然后保温24h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为4℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例9
实施例以化学方程式3PbBr2+4PbF2+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3+4F2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:4:2:8称取溴化铅、氟化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至600℃,升温速率为35℃/h,然后保温24h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为5℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例10
实施例以化学方程式3PbS+3PbBr2+PbCl2+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3+Cl2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:3:1:2:5称取硫化铅、溴化铅、氯化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例11
实施例以化学方程式2PbS+3PbBr2+2PbCl2+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3+2Cl2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为2:3:2:2:6称取硫化铅、溴化铅、氯化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例12
实施例以化学方程式PbS+3PbBr2+3PbCl2+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3+3Cl2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为1:3:3:2:7称取硫化铅、溴化铅、氯化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例13
实施例以化学方程式3PbBr2+4PbCl2+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3+4Cl2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:4:2:8称取溴化铅、氯化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例14
实施例以化学方程式3PbS+4PbBr2+2Ge+5S=2Pb3.5GeS4Br3+Br2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为3:4:2:5称取硫化铅、溴化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例15
实施例以化学方程式2PbS+5PbBr2+2Ge+6S=2Pb3.5GeS4Br3+2Br2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为2:5:2:6称取硫化铅、溴化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例16
实施例以化学方程式PbS+6PbBr2+2Ge+7S=2Pb3.5GeS4Br3+3Br2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为1:6:2:7称取硫化铅、溴化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至800℃,升温速率为35℃/h,然后保温48h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为3℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例17
实施例以化学方程式7PbBr2+2Ge+8S=2Pb3.5GeS4Br3+4Br2↑制备溴硫锗铅化合物,包括以下步骤:
(1)在含水量和含氧气量均为0.01ppm的充有惰性气体为氮气的手套箱内按照摩尔比为7:2:8称取溴化铅、单质锗和单质硫混合均匀,放入石墨坩埚中,然后装入石英玻璃管中,将石英玻璃管抽真空至真空度为10-5-10-3Pa后封口;
(2)将步骤(1)封口后的石英玻璃管放入高温炉中,升温至950℃,升温速率为35℃/h,然后保温72h,得到化合物;
(3)将步骤(2)所得化合物冷却降温至室温,降温速率为2℃/h,得到溴硫锗铅化合物。
实施例18
如图1所示,本发明中溴硫锗铅化合物纯样XRD图与理论值吻合;如图3所示,在2090nm的激光照射下,颗粒度为0.2-0.25μm的Pb3.5GeS4Br3倍频效应是商业化的硫镓银(AgGaS2)的0.2倍,且具有一类相位匹配性质;激光损伤阈值是AgGaS2的2倍。
将实施例1-17中所得的任意一种溴硫锗铅化合物,按附图4所示安置在3的位置上,在室温下,用调Q Ho:Tm:Cr:YAG激光器的2090nm输出作光源,输出倍频光强度与同等条件AgGaS2的相等,图4所示为,由调Q Ho:Tm:Cr:YAG激光器1发出波长为2090nm的红外光束经全聚透镜2射入溴硫锗铅非线性光学晶体,产生波长为1045nm的倍频光,出射光束4含有波长为2090nm的红外光和1045nm的光,经滤波片5滤去后得到波长为1045nm的倍频光。
对所公开的实施例的说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (10)
1.一种溴硫锗铅化合物,其特征在于,其分子式为Pb3.5GeS4Br3。
2.根据权利要求1所述一种溴硫锗铅化合物,其特征在于,所述化合物为红外非线性光学晶体Pb3.5GeS4Br3。
3.根据权利要求2所述一种溴硫锗铅化合物,其特征在于,所述红外非线性光学晶体Pb3.5GeS4Br3为非中心对称结构单晶,晶系为六方晶系,空间群为P63。
4.根据权利要求2所述一种溴硫锗铅化合物,其特征在于,所述红外非线性光学晶体Pb3.5GeS4Br3的晶胞参数a=11.0145(2)Å,b=11.0145(2)Å,c=6.0539(2)Å,Z=2,单胞体积V=636.06(3)Å3。
5.一种权利要求1-4任一项所述溴硫锗铅化合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将含铅化合物或含铅化合物和单质铅的混合物、单质锗、单质硫或单质硫和含硫化合物的混合物和含溴化合物混合均匀,置于真空密闭容器中升温至600-950℃,然后保温,降温冷却至室温,得到所述溴硫锗铅化合物。
6.根据权利要求5所述一种溴硫锗铅化合物的制备方法,其特征在于,所述含铅化合物或含铅化合物和单质铅的混合物、单质锗、单质硫或单质硫和含硫化合物的混合物和含溴化合物的摩尔比为7:2:8:6。
7.根据权利要求5所述一种溴硫锗铅化合物的制备方法,其特征在于,所述含铅化合物为氟化铅、氯化铅或溴化铅;所述含硫化合物为硫化铅;所述含溴化合物为溴化铅。
8.根据权利要求5所述一种溴硫锗铅化合物的制备方法,其特征在于,所述升温速率为35-40℃/h, 保温时间为24-72h。
9.根据权利要求5所述一种溴硫锗铅化合物的制备方法,其特征在于,所述降温速率为2-5℃/h。
10.权利要求1-4任一项所述溴硫锗铅化合物或权利要求5-9任一项所述方法制备的溴硫锗铅化合物在制备红外波段激光变频晶体、红外电-光装置、红外通讯器件或红外激光制导器件中的应用。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211425317.0A CN115893478B (zh) | 2022-11-14 | 2022-11-14 | 一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211425317.0A CN115893478B (zh) | 2022-11-14 | 2022-11-14 | 一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115893478A CN115893478A (zh) | 2023-04-04 |
CN115893478B true CN115893478B (zh) | 2024-03-08 |
Family
ID=86473942
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211425317.0A Active CN115893478B (zh) | 2022-11-14 | 2022-11-14 | 一种溴硫锗铅化合物及其制备方法和应用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115893478B (zh) |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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