CN115881796A - 一种sgt器件制作方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一带有沟槽的硅片，沿沟槽的表面生长场板氧化层，在沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，第一多晶硅层的厚度小于沟槽的深度，再将位于第一多晶硅层上方的场板氧化层去除，再沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层，再对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，然后对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率，再沿沟槽的侧壁制作栅氧化层，最后沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。本申请提供的SGT器件制作方法具有工艺简单，成本更低的优点。

Description

一种SGT器件制作方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种SGT器件制作方法。

背景技术

在耐压为60V以上的中低压器件领域内，屏蔽栅沟槽型(Shield Gate沟槽，SGT)器件因为其低的比导通电阻和低的栅漏耦合电容，被得到广泛的应用。SGT器件的栅极结构包括屏蔽多晶硅和多晶硅栅，屏蔽多晶硅通常也称为源多晶硅，都形成于沟槽中，根据屏蔽多晶硅和多晶硅栅在沟槽中的设置不同通常分为上下结构和左右结构。上下结构中屏蔽多晶硅位于沟槽的底部，多晶硅栅位于沟槽的顶部，多晶硅栅和屏蔽多晶硅之间呈上下或者左右结构关系。

然而，在隔离栅制备过程中，需要沉积一层氮化硅用于做掩膜，后续还要将其去除，因此目前的SGT器件的制备工艺复杂，且制造成本较高。

发明内容

本申请的目的在于提供一种SGT器件制作方法，以解决现有技术中存在的SGT器件的制备工艺复杂、制造成本较高的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

本申请实施例提供了一种SGT器件制作方法，所述方法包括：

提供一带有沟槽的硅片；

沿所述沟槽的表面生长场板氧化层；

在所述沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，其中，所述第一多晶硅层的厚度小于所述沟槽的深度；

将位于所述第一多晶硅层上方的场板氧化层去除；

沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长二氧化硅层；

对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，且不对位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂；

对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率；

沿所述沟槽的侧壁制作栅氧化层；

沿所述沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。

可选地，所述对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的步骤包括：

通过离子注入方式按预设角度向位于侧壁的二氧化硅层注入硼或氢离子。

可选地，所述对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的步骤包括：

按预设角度对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂，其中，所述预设角度满足公式：

A＝arctan(x-y-a)/(z-2a)

其中，A表示预设角度，x表示所述沟槽的深度，y表示第一多晶硅层的厚度，z表示沟槽的宽度，a表示二氧化硅层的厚度。

可选地，所述二氧化硅层的目标厚度为B，沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长二氧化硅层的步骤包括：

沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长厚度大于B的二氧化硅层。

可选地，生长的二氧化硅层的厚度满足公式：

C＝5B/4

其中，C表示生长的二氧化硅层的厚度，B表示二氧化硅层的目标厚度。

可选地，对位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂，且不对侧壁的二氧化硅层掺杂的步骤包括：

通过离子注入方式绝对零度脚向位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂。

可选地，所述在所述沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层的步骤包括：

沿所述沟槽内沉积多晶硅，其中，所述多晶硅的表面高于所述硅片的台面；

对位于沟槽内的多晶硅进行回刻，并在所述沟槽内保留预设厚度的第一多晶硅层。

可选地，沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长二氧化硅层的步骤包括：

通过热氧化工艺，在所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁沉积预设厚度的二氧化硅层。

可选地，对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的厚度满足公式：

D＝a/cosA

其中，D表示侧壁的二氧化硅层掺杂的厚度，a表示二氧化硅层的厚度，A表示预设角度。

可选地，沿所述沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层的步骤包括：

沿所述沟槽内沉积多晶硅，以在所述的沟槽内形成第二多晶硅层，其中，所述第二多晶硅的表面高于所述硅片的台面；

对所述第二多晶硅进行研磨，以使所述第二多晶硅层的表面与所述硅片的台面齐平；

将位于硅片台面的栅氧化层去除。

相对于现有技术，本申请具有一下有益效果：

本申请提供了一种SGT器件制作方法，首先提供一带有沟槽的硅片，然后沿沟槽的表面生长场板氧化层，在沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，其中，第一多晶硅层的厚度小于沟槽的深度，再将位于第一多晶硅层上方的场板氧化层去除，再沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层，再对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，然后对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率，再沿沟槽的侧壁制作栅氧化层，最后沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。由于本申请中，通过对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂的方式，使得侧壁的二氧化硅层的刻蚀速率会相对较快，进而在制作第一多晶硅层与第二多晶硅层之间的隔离层时，可以直接采用刻蚀方式对二氧化硅层进行刻蚀，并在侧壁的二氧化硅层刻蚀完全后，底部还存在大量的二氧化硅层，进而可以将其作为隔离层，制备工艺的复杂度降低，且制作成本降低。

为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。

图1为本申请实施例提供的SGT器件制作方法的一种示例性流程图。

图2为本申请实施例提供的S102的一种子步骤的示例性流程图。

图3为本申请实施例提供的S1023对应的剖面示意图。

图4为本申请实施例提供的S1023对应的另一种剖面示意图。

图5为本申请实施例提供的S104对应的剖面示意图。

图6为本申请实施例提供的S1061对应的剖面示意图。

图7为本申请实施例提供的S1062对应的剖面示意图。

图8为本申请实施例提供的S108对应的剖面示意图。

图9为本申请实施例提供的S110对应的剖面示意图。

图10为本申请实施例提供的S112对应的剖面示意图。

图11为本申请实施例提供的S114对应的剖面示意图。

图12为本申请实施例提供的S116对应的剖面示意图。

图13为本申请实施例提供的S118对应的剖面示意图。

具体实施方式

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

下面结合附图，对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

现在技术中SGT器件的制备工艺一般为：

硅片光刻沟槽窗口—干法刻蚀沟槽—氧化—沟槽内填充多晶硅—回刻多晶硅(沟槽内保留部分多晶硅)--氧化形成栅—沉积氮化硅—回刻底部氮化硅—氧化(根据电压不同，保留相应氧化层厚度)—湿法去除氮化硅—进一步填充多晶硅—通过CMP(化学机械抛光)将表面及沟槽突出部分多晶硅去除，形成栅极。

正如背景技术中所述，由于现有的SGT器件工艺中，需要沉积一层氮化硅用于做掩膜，并且后续还要将其去除，导致工艺复杂，成本较高。

有鉴于此，本申请实施例提供了一种SGT器件制作方法，通过生长二氧化硅层后，将位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂的方式，简化SGT器件制作工艺，降低其制作成本。

下面对本申请提供的SGT器件制作方法进行示例性说明：

作为一种可选的实现方式，请参阅图1，本申请提供的SGT器件制作方法包括：

S102，提供一带有沟槽的硅片。

S104，沿沟槽的表面生长场板氧化层。

S106，在沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，其中，第一多晶硅层的厚度小于沟槽的深度。

S108，将位于第一多晶硅层上方的场板氧化层去除。

S110，沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层。

S112，对位于侧壁的二氧化硅层掺杂。

S114，对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率。

S116，沿沟槽的侧壁制作栅氧化层。

S118，沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。

由于本申请提供的SGT器件制作方法中，通过对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂的方式，实现对位于侧壁的二氧化硅层进行造损。由于造损区域氧化层腐蚀速率会远远大于未造损区域湿法腐蚀氧化层速率，

因此，当侧壁的二氧化硅层腐蚀完全后，位于第一多晶硅层表面的二氧5化硅层实际并未腐蚀完全，可作为第一多晶硅层与第二多晶硅层之间的隔离层，避免了需要沉积氮化硅作为掩膜，简化了工艺流程，同时节约了成本。

作为一种可选的实现方式，请参阅图2，S102的步骤包括：

S1021，提供一硅片；

0S1022，沿硅片的表面制作掩膜层，并对掩膜层进行图形化；

S1023，基于图形化的掩膜层对硅片进行刻蚀，并去除掩膜层，以在硅片上形成沟槽。

其中，本申请所述的硅片可以为掺杂的硅片，例如，选用N型掺杂硅片或P型掺杂硅片，在此不做限定。并且，在一种实现方式中，可5以在衬底上生长外延层的方式形成硅片。当然，衬底与外延层也可进行相应的掺杂，例如，衬底与外延层均采用N型。

当需要在硅片上制作沟槽时，可以采用掩膜的方式实现。例如，可以采用光刻胶作为掩膜，首先在硅片表面涂布光刻胶，然后通过匀胶曝光显影的方式，对掩膜层进行图形化，即在掩膜层上制作多个窗口，该0窗口露出硅片的表面，而其余区域则在硅片上的覆盖光刻胶。

接着，可以基于图形化的掩膜层对硅片进行刻蚀，刻蚀出沟槽后的结构如图3所示，其中，本申请并不对刻蚀工艺进行限定，例如，可以采用干法刻蚀的方式刻蚀出沟槽后，干扰刻蚀为在通四氟化碳、氯气等气体，并在等离子作用下，对硅片进行刻蚀)，在无光刻胶保护的区域，即在光刻胶的窗口区域，刻蚀出1-20um的沟槽。其中，沟槽的数量可以根据实际需求确定，在此不做限定。

在刻蚀出沟槽后，即可在除掩膜层，以在硅片上形成沟槽，结构如图4所示。其中，去除掩膜层的方式可以为本通过硫酸双氧水腐蚀的方式，将光刻胶去除。

在沟槽制作完成，且去除掩膜层后，可以沿沟槽的表面生长场板氧化层。其中，可以通过在1000-1200度，氧气2-10L条件下，生长200-2000A的场板氧化层。由于本申请采用的硅片，在制作场板氧化层时，即采用将硅片表面进行氧化，形成二氧化硅的方式实现。生长场板氧化层后的结构如图5所示。

由图5可知，在生长场板氧化层时，会在沟槽的表面硅片的台面均会形成氧化层。

在生长场板氧化层后，可以沿着沟槽生长预设厚度的第一多晶硅层，其中，第一多晶硅层即为屏蔽多晶硅层。

作为一种实现方式，S106包括：

S1061，沿沟槽内沉积多晶硅，其中，多晶硅的表面高于硅片的台面。

S1062，对位于沟槽内的多晶硅进行回刻，并在沟槽内保留预设厚度的第一多晶硅层。

如图6所示，先在沟槽内沉积多晶硅，例如，可以通过LPCVD的方式沉积多晶硅，使得沟槽内填充完整，其中，为了保证沟槽内的多晶硅填充完整，本申请填充的多晶硅的表面高于硅片的台面。例如，同时多晶硅的表面超过硅片表面的5000～8000A。

然后对沟槽内的多晶硅进行回刻，并在沟槽内保留第一多晶硅层，结构如图7所述。例如，可以通过等离子进行刻蚀的方式，将表面的多多晶硅去除，同时将沟槽内的多晶硅刻蚀到一定厚度，该厚度小于沟槽的深度，例如，该厚度为4000-10000A。

接着，请参阅图8，可将多余的场板氧化层去除，例如，可以采用湿法腐蚀的方式，将多余的场板氧化层去除。需要说明的是，本申请所述的多余的场板氧化层，指位于硅片的台面与在第一多晶硅层上方的沟槽侧壁的场板氧化层。

在此之后，继续制作屏蔽多晶硅和多晶硅栅之间的隔离层，首先，沿所第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层；当然地，硅片的台面也会生长二氧化硅层，如图9所示。

可选地，本申请采用热氧化的方式，将表面及沟槽侧壁沉积相同厚度的二氧化硅层。其中，如图9所示，二氧化硅层分为虚线AA以下区域与虚线AA以上区域，且虚线AA以下区域的二氧化硅层会作为隔离层，虚线AA以上区域的二氧化硅层包括位于沟槽侧壁与台面的二氧化硅层。并且，每一处的二氧化硅层的厚度均相同，例如，厚度可以为2000～10000A，且该厚度可以根据实际需求选定，在此做不限定。

可以理解地，位于虚线AA以上区域的二氧化硅层实际为牺牲层，其需要去除，但位于虚线AA以下区域的二氧化硅层则需要被保留。

在此基础上，本申请采用对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，而对于虚线AA以下区域的二氧化硅层不进行掺杂的方式，实现刻蚀速率的差异。

在一种实现方式中，可以通过离子注入方式按预设角度向位于侧壁的二氧化硅层注入硼或氢离子，实现位于侧壁的二氧化硅层的造损。如图10所示。可以按照预设角度对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂，其中，预设角度满足公式：

A＝arctan(x-y-a)/(z-2a)

其中，A表示预设角度，x表示沟槽的深度，y表示第一多晶硅层的厚度，z表示沟槽的宽度，a表示二氧化硅层的厚度。

当然地，在对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂时，实际也会对硅片台面的二氧化硅层进行掺杂。

并且，还需要说明的是，本申请中，沟槽的形状采用长方体形，其包括四个侧面，因此需要4个不同的面均进行掺杂，图10中，离子注入的方向为从右至左，使得左侧侧壁的二氧化硅层掺杂；在左侧面的二氧化硅层掺杂完成后，将离子注入的方向更改为从左至右，但注入角度不变，使得右侧侧壁的二氧化硅层掺杂，以此类推。

同时，由于成一定角度进行离子注入，因此对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的厚度满足公式：

D＝a/cosA

其中，D表示侧壁的二氧化硅层掺杂的厚度，a表示二氧化硅层的厚度，A表示预设角度。

此外，由于刻蚀侧壁的二氧化硅层时，底部的二氧化硅层也会同时被刻蚀，只是刻蚀速率相对较小，进而使得刻蚀的量较小。因此，S110的步骤包括：

沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长厚度大于B的二氧化硅层。

经研究发现，造损区域氧化层腐蚀速率为未造损区域湿法腐蚀氧化层速率的5倍及以上，在此基础上，生长的二氧化硅层的厚度满足公式：

C＝5B/4

其中，C表示生长的二氧化硅层的厚度，B表示二氧化硅层的目标厚度。

例如，若需要制作出的SGT器件的隔离层的厚度的为6000A，则在生长二氧化硅层时，需要生长的二氧化硅层的厚度为7500A，接着，对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层。

例如，当位于侧壁的二氧化硅层的厚度为7500A时，若将该二氧化硅层刻蚀完全，则位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层也会被部分刻蚀掉，以刻蚀速率为5:1为例，则位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的厚度会被刻蚀掉1500A，剩余的二氧化层层的厚度刚好达到目标厚度6000A。刻蚀后结构如图11所示。

接着，根据产品电压要求，请参阅图12，生长一层栅氧化层，栅氧化层一般较薄。然后沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。

S118的步骤包括：

S1181，沿沟槽内沉积多晶硅，以在的沟槽内形成第二多晶硅层，其中，第二多晶硅的表面高于硅片的台面。

S1182，对第二多晶硅进行研磨，以使第二多晶硅层的表面与硅片的台面齐平。

S1183，将位于硅片台面的栅氧化层去除。

例如，可以通过LPCVD的方式在沟槽内沉积一层poly，并通过CMP的方式，形成第二多晶硅层，然后通过腐蚀氧化层的方式，将表面栅氧层去除，并最终完成SGT器件的制作，如图13所示。

在另一种实现方式中，也可以对位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂，且不对侧壁的二氧化硅层掺杂，掺杂元素使得位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率小于侧壁的二氧化硅层的刻蚀速率，同样能够达到去除侧壁的二氧化硅层的目的。

作为一种可选的实现方式，在该实现方式中，可以通过离子注入方式绝对零度脚向位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂。

综上所述，本申请提供了一种SGT器件制作方法，首先提供一带有沟槽的硅片，然后沿沟槽的表面生长场板氧化层，在沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，其中，第一多晶硅层的厚度小于沟槽的深度，再将位于第一多晶硅层上方的场板氧化层去除，再沿第一多晶硅层的表面与沟槽的侧壁生长二氧化硅层，再对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，然后对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率，再沿沟槽的侧壁制作栅氧化层，最后沿沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。由于本申请中，通过对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂的方式，使得侧壁的二氧化硅层的刻蚀速率会相对较快，进而在制作第一多晶硅层与第二多晶硅层之间的隔离层时，可以直接采用刻蚀方式对二氧化硅层进行刻蚀，并在侧壁的二氧化硅层刻蚀完全后，底部还存在大量的二氧化硅层，进而可以将其作为隔离层，制备工艺的复杂度降低，且制作成本降低。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

对于本领域技术人员而言，显然本申请不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下，能够以其它的具体形式实现本申请。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

Claims (10)

1.一种SGT器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一带有沟槽的硅片；

沿所述沟槽的表面生长场板氧化层；

在所述沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层，其中，所述第一多晶硅层的厚度小于所述沟槽的深度；

将位于所述第一多晶硅层上方的场板氧化层去除；

沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长二氧化硅层；

对位于侧壁的二氧化硅层掺杂，且不对位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂；或对位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂，且不对侧壁的二氧化硅层掺杂；

对位于侧壁的二氧化硅层进行刻蚀，并保留位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层；其中，掺杂后的二氧化硅层的刻蚀速率大于位于第一多晶硅层表面的二氧化硅层的刻蚀速率；

沿所述沟槽的侧壁制作栅氧化层；

沿所述沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层。

2.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，所述对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的步骤包括：

通过离子注入方式按预设倾斜角度向位于侧壁的二氧化硅层注入硼或氢离子。

3.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，所述对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的步骤包括：

按预设角度对位于侧壁的二氧化硅层进行掺杂，其中，所述预设角度满足公式：

A＝arctan(x-y-a)/(z-2a)

其中，A表示预设角度，x表示所述沟槽的深度，y表示第一多晶硅层的厚度，z表示沟槽的宽度，a表示二氧化硅层的厚度。

4.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，所述二氧化硅层的目标厚度为B，沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长二氧化硅层的步骤包括：

沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长厚度大于B的二氧化硅层。

5.如权利要求4所述的SGT器件制作方法，其特征在于，生长的二氧化硅层的厚度满足公式：

C＝5B/4

其中，C表示生长的二氧化硅层的厚度，B表示二氧化硅层的目标厚度。

6.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，对位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂，且不对侧壁的二氧化硅层掺杂的步骤包括：

通过离子注入方式绝对零度脚向位于所述第一多晶硅层表面的二氧化硅层掺杂。

7.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，所述在所述沟槽内生长预设厚度的第一多晶硅层的步骤包括：

沿所述沟槽内沉积多晶硅，其中，所述多晶硅的表面高于所述硅片的台面；

对位于沟槽内的多晶硅进行回刻，并在所述沟槽内保留预设厚度的第一多晶硅层。

8.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，沿所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁生长二氧化硅层的步骤包括：

通过热氧化工艺，在所述第一多晶硅层的表面与所述沟槽的侧壁沉积预设厚度的二氧化硅层。

9.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，对位于侧壁的二氧化硅层掺杂的厚度满足公式：

D＝a/cosA

其中，D表示侧壁的二氧化硅层掺杂的厚度，a表示二氧化硅层的厚度，A表示预设角度。

10.如权利要求1所述的SGT器件制作方法，其特征在于，沿所述沟槽内沉积多晶硅，以形成第二多晶硅层的步骤包括：

沿所述沟槽内沉积多晶硅，以在所述的沟槽内形成第二多晶硅层，其中，所述第二多晶硅的表面高于所述硅片的台面；

对所述第二多晶硅进行研磨，以使所述第二多晶硅层的表面与所述硅片的台面齐平；

将位于硅片台面的栅氧化层去除。

Images