CN115865040A - 一种可双向工作的可变增益有源移相器 - Google Patents

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CN115865040A CN202211511657.5A CN202211511657A CN115865040A CN 115865040 A CN115865040 A CN 115865040A CN 202211511657 A CN202211511657 A CN 202211511657A CN 115865040 A CN115865040 A CN 115865040A
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张长春
顾壮志
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Abstract

本发明公开了一种可双向工作的可变增益有源移相器，包括阻抗匹配网络、多相滤波器、矢量调制器和数字控制模块。阻抗匹配网络由一对阻抗匹配网络构成，该对阻抗匹配网络分别连接外部特征阻抗为50欧姆的系统，多相滤波器左侧的一对差分信号线连接一对阻抗匹配网络其中之一，右侧两对差分信号线Q和I通过开关连接到矢量调制器内部，矢量调制器分别连接多相滤波器以及另一阻抗匹配网络，数字控制电路的输出端连接矢量调制器，输入端连接外部输入的数字控制信号端口。本发明实现了有源移相器的双向工作和双向匹配，同时具有TX和RX双模式，能够减小面积和调制增益。

Description

一种可双向工作的可变增益有源移相器
技术领域
本发明属于集成电路设计技术领域，尤其涉及一种可双向工作的可变增益有源移相器。
背景技术
为了满足人们对第五代移动网络提出的高数据传输速率和低成本的要求，相控阵技术应运而生，成为发展高速无线通信技术的关键技术。相控阵系统具有多个阵列天线和收发机组件，通过控制每一个天线所辐射信号的幅度和相位来改变等效波束的方向和强度。多个信号在空间上相互增强或抵消，可以形成一个窄方向的波束，将能量集中在所需要的特定方向上，提高传输的距离并减少干扰，因此相控阵系统需在具备精确波束控制能力的同时具有更小的阵列尺寸。作为相控阵的重要模块之一，移相器影响波束转向分辨率、指向精度和控制范围，它的反应速度决定波束方向的切换时间，因此移相器需具有精度高、体积小和成本低的特点。
能够对信号进行相位调节的移相器主要被分为有源移相器和无源移相器。反射负载和开关滤波结构通常作为无源移相器来实现，反射负载结构移相器带宽窄，相位精度低；开关滤波器结构移相器芯片尺寸大，插入损耗高。相比较无源移相器，有源相器一般指的是矢量和移相器，具有面积小、插入损耗低和高移相精度的优点，但目前有源移相器多为单向工作的移相器，应用在相控阵系统中的RX和TX两条通路上，占用了双倍的面积。在通路中还需要额外的可变增益放大器或是衰减器调制信号增益，既降低了集成度又增加了成本。
有鉴于此，有必要设计一种可双向工作同时可增益调制的移相器，以解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种可双向工作的可变增益有源移相器，以解决单向有源移相器在收发机组件接收和发射两条通路占用双倍面积，不可调制增益的问题。
为实现以上目的，本发明提供了一种可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于，包括阻抗匹配网络、多相滤波器、矢量调制器和数字控制模块；所述阻抗匹配网络由一对阻抗匹配网络构成，该对阻抗匹配网络分别连接外部特征阻抗为50欧姆的系统，所述多相滤波器左侧的一对差分信号线连接所述一对阻抗匹配网络其中之一，右侧两对差分信号线Q和I通过开关连接到所述矢量调制器内部，所述矢量调制器分别连接多相滤波器以及所述另一阻抗匹配网络，所述数字控制电路的输出端连接矢量调制器，输入端连接外部输入的数字控制信号端口。
本发明的进一步改进在于，所述多相滤波器由四个电阻R1、四个电容C1，四个电阻R2和四个电容C2组成，四个电阻R1和四个电容C1交叉串联构成一阶RC网络，四个电阻R2和四个电容C2交叉串联构成另一阶RC网络，二者级联构成二阶多相滤波器。
本发明的进一步改进在于，所述矢量调制器由开关K1～K7、QVGA和IVGA组成，矢量调制器左侧的两对差分线号线Q和I通过开关K2和K3连接QVGA和IVGA的输入端，通过开关K1和K4连接QVGA和IVGA的输出端；右侧的一对差分信号线通过开关K5和K7连接QVGA和IVGA的输出端，通过K6连接QVGA和IVGA的输入端。
本发明的进一步改进在于，所述开关K1、K4、K5、K7只包含了串联NMOS管，所述开关K2和K3包含并联NMOS管KT1和串联NMOS管，所述开关K6包含了并联电感L5和串联NMOS管。
本发明的进一步改进在于，所述QVGA和IVGA的结构相同，由吉尔伯特单元和低附加相移VGA组成。
本发明的进一步改进在于，吉尔伯特单元输入端为差分信号I/Qin+和I/Qin-端口，分别连接到M2、M3的栅极和M1、M4的栅极，M1～4的漏极交叉连接到差分电感L1的差分端，L1通过中心抽头连接电源，M5和M6的漏极分别连接到M1、M2的源极和M3、M4的源极，M5的栅极通过开关S连接偏置信号I/QBias，通过开关SN连接地，M6的栅极通过开关SN连接偏置信号I/QBias，通过开关S连接地，M5～6的源极均连接M7的漏极，M7的栅极连接偏置信号I/Q-DAC，源极连接地；所述低附加相移VGA的输入端连接吉尔伯特单元的输出端，L1的差分端口通过电容C分别连接M8～9的栅极和M10～11的栅极；M8、M11的栅极和M9、M10的栅极通过电阻R分别连接偏置信号V1和V2，M8～M11的漏极交叉连接到电感L2的差分端，M8～M11的源极连接地，L2通过中心抽头接入电源，差分端为输出端口I/Qout+和I/Qout。
本发明的进一步改进在于，所述数字控制电路由SPI和译码电路、相位调制DAC、增益调制DAC组成，输出端连接所述矢量调制器，所述SPI和译码电路输出端分别连接开关K1～K7、幅度调制DAC和相位调制DAC；所述相位调制DAC输出端连接吉尔伯特单元，所述增益调制DAC输出端连接低附加相移VGA。
本发明的进一步改进在于，所述相位调制DAC由四个NMOS管M12～15、第一组到第六组共六组不同尺寸相同结构的PMOS电流镜阵列和偏置PMOS管M29～30组成；所述增益调制DAC由NMOS管M16～17，PMOS管M25～28和第七组到第十一组共五组不同尺寸相同结构的PMOS电流镜阵列组成。
本发明的进一步改进在于，M29的源极连接电源，栅极和漏极连接M30源极，M30的栅极和漏极连接参考电流源；M15和M13的源极都接地，M15的栅极和漏极相连作为端口Q-DAC，M13的栅极和漏极相连作为端口I-DAC；M14的栅极和漏极相连作为端口Q-Bias，源极连接端口Q-DAC；M12的栅极和漏极相连作为端口I-Bias，源极连接端口I-DAC；第一组电流镜中左侧M18漏极连接M14漏极，源极连接M20的漏极，栅极分别通过开关K1和K1N连接M30的栅极和电源；右侧M19漏极连接M12漏极，源极连接M21的漏极，栅极分别通过开关K2和K2N连接M30的栅极和电源；M20源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M18的源极；M21源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M19的源极；其他第二组到第六组电流镜都采用相同结构，与第一组共同形成阵列。
本发明的进一步改进在于，M16和M17的源极接地，M16的漏极和栅极连接作为端口V1，M17的栅极和漏极连接作为端口V2；M26的源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M25的源极M25的栅极连接M30的栅极，漏极连接端口V1；M28的源极接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M27的源极；M27的栅极连接M30的栅极，漏极连接端口V2；第七组电流镜中左侧M22漏极连接端口V1，栅极分别通过开关S1和S1N连接M30栅极和电源；右侧M23漏极连接端口V2，栅极分别通过开关S1N和S1连接M30栅极和电源；其他第八组到第十一组电流镜采用相同结构，与第七组共同形成阵列；DAC中所有开关的控制信号输入均连接到SPI和译码电路的输出端。
本发明的有益效果如下：本发明使用二阶多相滤波器在TX模式下作为正交信号发生器，在RX模式下作为正交信号合成器，使用开关切换矢量调制器的工作方向，最终实现有源移相器的双向工作，减小了有源移相器在收发机组件所占面积，降低成本；本发明不仅在端口设计了匹配网络，还在开关内部增加匹配网络，使开关内部的匹配网络跟随开关接入或断离电路，凭借TX模式和RX模式的匹配网络不同实现任何模式下端口都能与50欧姆负载良好匹配；本发明采用交叉耦合结构的VGA，实现调制增益同时减小所引起的附加相移，使得该双向有源移相器可以进行调幅，进一步提高集成度，降低成本。
附图说明
图1是本发明可双向工作的可变增益有源移相器结构框图；
图2是矢量调制器内部QVGA和IVGA的电路结构图：
图3是相位调制DAC和增益调制DAC的电路结构图；
图4(a)和图4(b)分别是PPF在TX和RX模式的正交误差仿真图；
图5(a)和图5(b)分别是本发明在TX和RX模式下相位调制时的相位响应仿真图；
图6(a)和图6(b)分别是本发明在TX和RX模式下相位调制时的增益响应仿真图；
图7(a)和图7(b)分别是本发明在TX和RX模式下增益调制时的仿真图；
图8是本发明在TX和RX模式下|S11|和|S22|仿真图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
需要强调的是，在描述本发明过程中，各种公式和约束条件分别使用前后一致的标号进行区分，但也不排除使用不同的标号标志相同的公式和/或约束条件，这样设置的目的是为了更清楚的说明本发明特征所在。
如图1所示，本发明的实施例提供一种可双向工作的可变增益有源移相器结构，包括阻抗匹配网络、多相滤波器(Poly-Phase Filters,PPF)、矢量调制器和数字控制模块。
所述阻抗匹配网络由阻抗匹配网络1和阻抗匹配网络2共同构成。该阻抗匹配网络1和阻抗匹配网络2连接外部特征阻抗为50欧姆的系统，所述PPF左侧一对差分信号线直接连接阻抗匹配网络1，右侧两对差分信号线Q/I通过开关连接到矢量调制器内部，所述矢量调制器左侧连接PPF，右侧连接阻抗匹配网络2，所述数字控制电路的输出端连接矢量调制器，输入端连接外部输入的数字控制信号端口。
所述PPF由四个电阻R1、四个电容C1，四个电阻R2和四个电容C2组成，四个电阻R1和四个电容C1交叉串联构成一阶RC网络，四个电阻R2和四个电容C2交叉串联构成另一阶RC网络，二者级联构成二阶PPF。
在TX模式，二阶PPF作为正交信号发生器，从而实现在较宽的频带内产生正交信号。受到数字控制模块的调制，矢量调制器对I和Q正交信号进行幅度的调制和极性的选择，使合成输出的信号具有一定的相位和增益；在RX模式，信号由RF2端口输入，先经过矢量调制器的幅度调制和极性选择，再由PPF进行信号合成。此时，PPF作为正交加法器，将同相位不同幅度的两路信号以正交的方式合成为输出信号。矢量调制器中的开关用于切换移相器的工作方向，从而实现TX和RX两种模式。输出信号的增益和相位通过矢量调制器对I和Q信号增益和极性调节来控制，矢量调制器由数字控制模块控制，控制逻辑由译码电路生成，从而实现5bit相位调制和4bit增益调制。
图2为本发明的实施例中矢量调制器内部用于调节增益的QVGA和IVGA电路图。所述矢量调制器由开关K1～K7、QVGA和IVGA组成。矢量调制器左侧的两对差分线号线Q和I分别通过开关K2和K3连接QVGA和IVGA的输入端，分别通过开关K1和K4连接QVGA和IVGA的输出端；右侧的一对差分信号线通过开关K5和K7连接QVGA和IVGA的输出端，通过K6连接QVGA和IVGA的输入端。所述开关K1、K4、K5、K7只包含了串联NMOS管，所述开关K2和K3包含并联NMOS管KT1和串联NMOS管，所述开关K6包含了并联电感L5和串联NMOS管。通过开关，TX模式下L5断离电路，RX模式下L5接入电路从而实现了两种模式下RF2端口与50欧姆匹配。所述QVGA和IVGA的结构相同，由吉尔伯特单元和低附加相移VGA组成。吉尔伯特单元输入端为差分信号I/Qin+和I/Qin-端口，分别连接到M2、M3的栅极和M1、M4的栅极，M1～4的漏极交叉连接到电感L1的差分端，L1通过中心抽头接入电源，M5和M6的漏极分别连接到M1、M2的源极和M3、M4的源极，M5的栅极通过开关S连接偏置信号I/QBias，通过开关SN连接地，M6的栅极通过开关SN连接偏置信号I/QBias，通过开关S连接地，M5～6的源极均连接M7的漏极，M7的栅极连接偏置信号I/Q-DAC，源极连接地；所述低附加相移VGA的输入端连接吉尔伯特单元的输出端，L1的差分端口通过电容C分别连接M8～9的栅极和M10～11的栅极。M8、M11的栅极和M9、M10的栅极通过电阻R分别连接偏置信号V1和V2，M8～M11的漏极交叉连接到电感L2的差分端，M8～M11的源极连接地，L2通过中心抽头连接电源，差分端为输出端口I/Qout+和I/Qout。吉尔伯特单元对I和Q进行幅度和极性的调制，从而使合成的输出信号具有可控的相移和不变的幅度；低附加相移VGA采用交叉耦合结构减小栅漏寄生电容造成的相位变化，其中的M8～M11均处于饱和状态，通过改变V1和V2偏置从而实现低附加相移的调制增益。
图3为上述本发明实施例中的相位调制DAC和增益调制DAC的电路结构图。
所述数字控制电路由SPI和译码电路、相位调制DAC、增益调制DAC组成，输出端连接所述矢量调制器。所述SPI和译码电路输出端分别连接开关K1～K7，幅度调制DAC和相位调制DAC。所述相位调制DAC输出端连接吉尔伯特单元，所述增益调制DAC输出端连接低附加相移VGA。
所述相位调制DAC由四个NMOS管M12～15，第一组到第六组共六组不同尺寸相同结构的PMOS电流镜阵列和偏置PMOS管M29～30组成。M29的源极连接电源，栅极和漏极都和M30的源极连接，M30的栅极和漏极连接参考电流源。M15和M13的源极都接地，M15的栅极和漏极相连作为端口Q-DAC，M13的栅极和漏极相连作为端口I-DAC。M14的栅极和漏极相连作为端口Q-Bias，源极连接端口Q-DAC。M12的栅极和漏极相连作为端口I-Bias，源极连接端口I-DAC。第一组电流镜中左侧M18漏极连接M14漏极，源极连接M20的漏极，栅极分别通过开关K1和K1N连接M30的栅极和电源；右侧M19漏极连接M12漏极，源极连接M21的漏极，栅极分别通过开关K2和K2N连接M30的栅极和电源；M20源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M18的源极；M21源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M19的源极；其他第二组到第六组电流镜都采用相同结构，与第一组共同形成阵列。所述增益调制DAC由NMOS管M16～17，PMOS管M25～28和第七组到第十一组共五组不同尺寸相同结构的PMOS电流镜阵列组成。M16和M17的源极接地，M16的漏极和栅极连接作为端口V1，M17的栅极和漏极连接作为端口V2。M26的源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M25的源极。M25的栅极连接M30的栅极，漏极连接端口V1。M28的源极接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M27的源极。M27的栅极连接M30的栅极，漏极连接端口V2。第七组电流镜中左侧M22漏极连接端口V1，栅极分别通过开关S1和S1N连接M30栅极和电源；右侧M23漏极连接端口V2，栅极分别通过开关S1N和S1连接M30栅极和电源；其他第八组到第十一组电流镜采用相同结构，与第七组共同形成阵列。DAC中所有开关的控制信号输入均连接到SPI和译码电路的输出端。
所述相位调制DAC调整所述吉尔伯特单元尾电流的大小进而控制相位，流入Q和I的电流可独立调节以实现高精度电流之比，同时也基本满足电流之和不变的要求，从而减小相位调制时的增益误差。所述增益调制DAC改变V1和V2偏置从而控制低附加相移VGA的增益，保证M1和M2管总电流大小不变使得低附加相移VGA输出节点的阻抗稳定，进一步降低附加相移。I1和I2通路为常导通支路，使得V1和V2始终高于阈值电压，保证M8～M11管处于饱和状态。
如图4(a)所示，上述本发明的实施例中二阶PPF在TX模式下可获得较低的正交误差。如图4(b)所示，在上述本发明的实施例中，RX模式下KT1的添加提高了K2和K3关断时的隔离，降低了前级QVGA和IVGA阻抗变化对PPF的影响，从而降低了正交误差。
图5(a)和图5(b)分别是上述本发明实施例在TX和RX模式下相位调制时的相位响应仿真图，图6(a)和图6(b)分别是上述本发明实施例在TX和RX模式下相位调制时的增益响应仿真图。可以看出实现了双向移相功能，并且具有与单向有源移相器相当的性能表现。
图7(a)和图7(b)分别是上述本发明实施例在TX和RX模式下增益调制时的仿真图，可以看出在11.25dB增益调制范围内产生低附加相移。
图8是上述本发明实施例在TX和RX模式下|S11|和|S22|仿真图，可以看出通过上述阻抗匹配网络实现了TX和RX模式下端口与50欧姆的良好匹配。
以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于，包括阻抗匹配网络、多相滤波器、矢量调制器和数字控制模块；所述阻抗匹配网络由一对阻抗匹配网络构成，该对阻抗匹配网络分别连接外部特征阻抗为50欧姆的系统，所述多相滤波器左侧的一对差分信号线连接所述一对阻抗匹配网络其中之一，右侧两对差分信号线Q和I通过开关连接到所述矢量调制器内部，所述矢量调制器分别连接多相滤波器以及所述另一阻抗匹配网络，所述数字控制电路的输出端连接矢量调制器，输入端连接外部输入的数字控制信号端口。
2.根据权利要求1所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：所述多相滤波器由四个电阻R1、四个电容C1，四个电阻R2和四个电容C2组成，四个电阻R1和四个电容C1交叉串联构成一阶RC网络，四个电阻R2和四个电容C2交叉串联构成另一阶RC网络，二者级联构成二阶多相滤波器。
3.根据权利要求1所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：所述矢量调制器由开关K1～K7、QVGA和IVGA组成，矢量调制器左侧的两对差分线号线Q和I通过开关K2和K3连接QVGA和IVGA的输入端，通过开关K1和K4连接QVGA和IVGA的输出端；右侧的一对差分信号线通过开关K5和K7连接QVGA和IVGA的输出端，通过K6连接QVGA和IVGA的输入端。
4.根据权利要求3所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：所述开关K1、K4、K5、K7只包含了串联NMOS管，所述开关K2和K3包含并联NMOS管KT1和串联NMOS管，所述开关K6包含了并联电感L5和串联NMOS管。
5.根据权利要求3所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：所述QVGA和IVGA的结构相同，由吉尔伯特单元和低附加相移VGA组成。
6.根据权利要求5所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：吉尔伯特单元输入端为差分信号I/Qin+和I/Qin-端口，分别连接到M2、M3的栅极和M1、M4的栅极，M1～4的漏极交叉连接到差分电感L1的差分端，L1通过中心抽头连接电源，M5和M6的漏极分别连接到M1、M2的源极和M3、M4的源极，M5的栅极通过开关S连接偏置信号I/QBias，通过开关SN连接地，M6的栅极通过开关SN连接偏置信号I/QBias，通过开关S连接地，M5～6的源极均连接M7的漏极，M7的栅极连接偏置信号I/Q-DAC，源极连接地；所述低附加相移VGA的输入端连接吉尔伯特单元的输出端，L1的差分端口通过电容C分别连接M8～9的栅极和M10～11的栅极；M8、M11的栅极和M9、M10的栅极通过电阻R分别连接偏置信号V1和V2，M8～M11的漏极交叉连接到电感L2的差分端，M8～M11的源极连接地，L2通过中心抽头接入电源，差分端为输出端口I/Qout+和I/Qout。
7.根据权利要求1所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：所述数字控制电路由SPI和译码电路、相位调制DAC、增益调制DAC组成，输出端连接所述矢量调制器，所述SPI和译码电路输出端分别连接开关K1～K7、幅度调制DAC和相位调制DAC；所述相位调制DAC输出端连接吉尔伯特单元，所述增益调制DAC输出端连接低附加相移VGA。
8.根据权利要求7所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：所述相位调制DAC由四个NMOS管M12～15、第一组到第六组共六组不同尺寸相同结构的PMOS电流镜阵列和偏置PMOS管M29～30组成；所述增益调制DAC由NMOS管M16～17，PMOS管M25～28和第七组到第十一组共五组不同尺寸相同结构的PMOS电流镜阵列组成。
9.根据权利要求8所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：M29的源极连接电源，栅极和漏极连接M30源极，M30的栅极和漏极连接参考电流源；M15和M13的源极都接地，M15的栅极和漏极相连作为端口Q-DAC，M13的栅极和漏极相连作为端口I-DAC；M14的栅极和漏极相连作为端口Q-Bias，源极连接端口Q-DAC；M12的栅极和漏极相连作为端口I-Bias，源极连接端口I-DAC；第一组电流镜中左侧M18漏极连接M14漏极，源极连接M20的漏极，栅极分别通过开关K1和K1N连接M30的栅极和电源；右侧M19漏极连接M12漏极，源极连接M21的漏极，栅极分别通过开关K2和K2N连接M30的栅极和电源；M20源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M18的源极；M21源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M19的源极；其他第二组到第六组电流镜都采用相同结构，与第一组共同形成阵列。
10.根据权利要求8所述的可双向工作的可变增益有源移相器，其特征在于：M16和M17的源极接地，M16的漏极和栅极连接作为端口V1，M17的栅极和漏极连接作为端口V2；M26的源极连接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M25的源极M25的栅极连接M30的栅极，漏极连接端口V1；M28的源极接电源，栅极连接M29的栅极，漏极连接M27的源极；M27的栅极连接M30的栅极，漏极连接端口V2；第七组电流镜中左侧M22漏极连接端口V1，栅极分别通过开关S1和S1N连接M30栅极和电源；右侧M23漏极连接端口V2，栅极分别通过开关S1N和S1连接M30栅极和电源；其他第八组到第十一组电流镜采用相同结构，与第七组共同形成阵列；DAC中所有开关的控制信号输入均连接到SPI和译码电路的输出端。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN116455355A (zh) * 2023-06-20 2023-07-18 华南理工大学 一种双向矢量调制有源移相器及电子设备
CN117856762A (zh) * 2024-03-06 2024-04-09 成都通量科技有限公司 一种基于功分器架构的双向有源中和移相器

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116455355A (zh) * 2023-06-20 2023-07-18 华南理工大学 一种双向矢量调制有源移相器及电子设备
CN116455355B (zh) * 2023-06-20 2023-09-26 华南理工大学 一种双向矢量调制有源移相器及电子设备
CN117856762A (zh) * 2024-03-06 2024-04-09 成都通量科技有限公司 一种基于功分器架构的双向有源中和移相器
CN117856762B (zh) * 2024-03-06 2024-05-03 成都通量科技有限公司 一种基于功分器架构的双向有源中和移相器

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