CN115850796A - 一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法 - Google Patents
一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115850796A CN115850796A CN202211363265.9A CN202211363265A CN115850796A CN 115850796 A CN115850796 A CN 115850796A CN 202211363265 A CN202211363265 A CN 202211363265A CN 115850796 A CN115850796 A CN 115850796A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- composite material
- nanowire
- modified
- ceramic
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 28
- 229920005669 high impact polystyrene Polymers 0.000 claims description 27
- 239000004797 high-impact polystyrene Substances 0.000 claims description 27
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 17
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 claims description 16
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 claims description 8
- 239000005457 ice water Substances 0.000 claims description 8
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 claims description 8
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- ADCGAPKUMAQOLJ-UHFFFAOYSA-N azane;formic acid Chemical compound N.OC=O.OC=O ADCGAPKUMAQOLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 P (VDF-TrFE) Substances 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 abstract description 13
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 abstract description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 5
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N ammonium formate Chemical compound [NH4+].[O-]C=O VZTDIZULWFCMLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000013341 scale-up Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法，涉及纳米复合材料技术领域。本发明通过在陶瓷纳米线表面包覆金属氧化物Al2O3制备核壳结构纳米线填料，再将核壳结构纳米线填料与聚合物制备得到复合材料。本发明所述复合材料能够有效提高其导热性能。此外，随着核壳结构包覆层厚度的增大，复合材料的导热系数增大。本发明所述制备方法工艺成熟、简单、成本低、绿色环保，工艺参数易于控制，易实现放大生产。
Description
技术领域
本发明属于纳米复合材料技术领域，特别涉及一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法。
背景技术
陶瓷电介质具有大介电常数和高热稳定性，其对温度的敏感程度较低，能够在较宽的温度范围内保持较好的储能性能，但它们在高电场和高温下介电损耗较大，使得其遭受相当大的能量损失。
聚合物电介质具有高电压耐受性、高可靠性、可扩展性和重量轻，因此是高能量密度大功率薄膜电容器的首选。然而，由于聚合物电介质固有的热稳定性差，所有聚合物在高温和高电场下的介电常数都很低，在高电场和高温条件下工作时，聚合物电介质中的散热变得相当困难，因为聚合物通常具有相对较低的热导率。如果产生的热量超过热损失率，介电材料的温度将继续升高，这反过来又会导致产生的热量进一步增加，最终导致所谓的热击穿。目前的聚合物电介质无法满足恶劣环境下电能存储和转换新兴应用的温度要求。因此，亟需一种高导热率的聚合物介电材料。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法，本发明所述复合材料能够有效提高其导热性能，并且制备工艺成熟、简单、成本低、绿色环保，工艺参数易于控制，易实现放大生产。
为实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种改性纳米线，由陶瓷纳米线和包覆在陶瓷纳米线表面的金属氧化物Al2O3组成。
优选的，所述陶瓷纳米线为CCTO、BT、BST、SrTiO3、PbTiO3中的一种。
优选的，所述陶瓷纳米线的长径比为30～700。
本发明还提供了所述改性纳米线的制备方法，用金属氧化物对陶瓷纳米线进行化学包覆制得改性纳米材料。
优选的，所述化学包覆的方法为化学气相沉积法、化学液相沉积法或化学固相沉积法。
优选的，所述化学包覆具体包括以下步骤：
1)取Al2(SO4)3·18H2O加入甲酸-甲酸铵缓冲液中溶解，加入陶瓷纳米线混匀后得到混合溶液；
2)将步骤1)得到混合溶液转移至烘箱烘干，取出沉降水洗后烘干、研磨；
3)将步骤2)研磨得到的粉末放入马弗炉200～800℃反应1～8h，待到自然降温至室温后获得改性纳米线。
进一步优选的，所述Al2(SO4)3·18H2O与陶瓷纳米线按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为(1:1)～(1:5)进行称量；所述烘干的温度为50～90℃，时间为2～8h。
本发明还提供了一种高导热复合材料，由所述改性纳米线与聚合物复合制得；所述聚合物为HIPS、PVDF、P(VDF-TrFE)、PP、PE中的一种。
本发明还提供了所述高导热复合材料的制备方法，将改性纳米线与聚合物复合；所述复合的方法为熔融共混法、溶液混合法或热压法。
优选的，所述复合具体包括以下步骤：
A、将改性纳米线与聚合物溶于DMF溶液得到复合材料溶液；
B、将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱50～80℃烘干；
C、用冰水进行脱膜处理得到复合膜，水洗后常温静置晾干得到高导热复合材料。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
本发明提供了一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法，通过在陶瓷纳米线表面包覆金属氧化物Al2O3制备改性纳米线，再将改性纳米线与聚合物复合制得复合材料。该方法制备得到的复合材料能够有效提高其导热性能。此外，随着核壳结构包覆层厚度的增大，复合材料的导热系数增大。并且本方法制备工艺成熟、简单、成本低、绿色环保，工艺参数易于控制，易实现放大生产。
附图说明
图1为金属氧化物Al2O3包覆CCTO-NWs示意图；
图2为金属氧化物Al2O3包覆CCTO-NWs扫描透射图；
图3为CCTO纯样以及实施例1和实施例2制备CCTO的XRD图；
图4为CCTO-NWs/HIPS与实施例1～4的制得的复合材料的导热系数。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。附图中给出了本发明的若干实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
本发明提供了一种改性纳米线，由陶瓷纳米线和包覆在陶瓷纳米线表面的金属氧化物Al2O3组成。
本发明选用氧化铝(Al2O3)作为包覆在陶瓷纳米线表面的金属氧化物而形成核壳结构填料即改性纳米线，相较于常用的氧化锌(ZnO)和二氧化钛(TiO2)来说，Al2O3具有更高的击穿强度和更宽的带隙，作为中介电层，其介电常数介于陶瓷纳米线填料和聚合物基体之间，降低填料与基体间的介电梯度，起到了缓冲作用，另外核壳结构是平衡介电和储能性能的有效方法，因此使用Al2O3作为核壳填料的外壳能够更有效地抑制复合材料的漏电流和高场强下的介电损耗，并提高材料的导热系数。
在本发明中，所述陶瓷纳米线优选为CCTO、BT、BST、SrTiO3、PbTiO3中的一种，更优选为CCTO、BT、BST中的一种。
在本发明中，所述陶瓷纳米线的长径比优选为30～700。
本发明还提供了一种改性纳米线的制备方法，用金属氧化物对陶瓷纳米线进行化学包覆制得改性纳米材料。
在本发明中，所述化学包覆的方法优选为化学气相沉积法、化学液相沉积法或化学固相沉积法。
所述化学包覆具体包括以下步骤：
1)取Al2(SO4)3·18H2O加入甲酸-甲酸铵缓冲液中溶解，加入陶瓷纳米线混匀后得到混合溶液；
2)将步骤1)得到混合溶液转移至烘箱烘干，取出沉降水洗后烘干、研磨；
3)将步骤2)研磨得到的粉末放入马弗炉200～800℃反应1～8h，待到自然降温至室温后获得改性纳米线。
本发明将Al2(SO4)3·18H2O加入甲酸-甲酸铵缓冲液中溶解，加入陶瓷纳米线混匀后得到混合溶液。所述Al2(SO4)3·18H2O与陶瓷纳米线按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为(1:1)～(1:5)进行称量；所述甲酸-甲酸铵缓冲液pH优选为3～6。
得到混合溶液后，将混合溶液转移至烘箱烘干，所述烘干温度优选为50～90℃，烘干时间优选为2～8h；取出沉降水洗后烘干、研磨，所述研磨粒度优选为40～400目。
将研磨得到的粉末放入马弗炉200～800℃反应1～8h，待到自然降温至室温后获得改性纳米线。
本发明还提供了一种高导热复合材料，由所述改性纳米线与聚合物复合制得；所述聚合物优选为HIPS、PVDF、P(VDF-TrFE)、PP、PE中的一种，更优选为HIPS、PVDF、P(VDF-TrFE)中的一种。
本发明还提供了所述高导热复合材料的制备方法，将改性纳米线与聚合物复合；所述复合的方法为熔融共混法、溶液混合法或热压法。
所述复合具体包括以下步骤：
A、将改性纳米线与聚合物溶于DMF溶液得到复合材料溶液；
B、将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱50～80℃烘干；
C、用冰水进行脱膜处理得到复合膜，水洗后常温静置晾干得到高导热复合材料。
本发明将改性纳米线与聚合物溶于DMF溶液得到复合材料溶液。所述改性纳米线与聚合物的质量百分比优选为20wt％～25wt％。本发明将改性纳米线与聚合物溶于DMF溶液后优选为搅拌6～12h后进行超声，本发明进行超声操作，更有利于使复合材料溶液混合均匀。
得到复合材料溶液后，本发明将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱50～80℃烘干。
然后用冰水进行脱膜处理得到复合膜，水洗后常温静置晾干得到高导热复合材料。所述水洗优选为用去离子水进行水洗，选用去离子水可以减少杂质的加入。
为了更好的理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
1.制备陶瓷纳米线：两步水热法制备长径比为30～200的CCTO-NWs；
2.制备改性纳米线：将一定量的甲酸铵加入到去离子水，滴加甲酸配制pH＝3的缓冲液，按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为1:5称取1.3gAl2(SO4)3·18H2O倒入缓冲液搅拌溶解后，再称取1g CCTO-NWs倒入其中，搅拌均匀后超声，得到混合溶液，将混合溶液转移至烘箱70℃下反应3h，取出样品沉降水洗后烘干，研磨至40目，得到样品粉末；样品粉末放入马弗炉300℃反应2h，待到自然降温至室温后获得Al2O3@CCTO-NWs填料。
3.复合材料制备：将0.5g Al2O3@CCTO-NWs填料与2g HIPS溶于DMF溶液搅拌6h后超声使溶液均匀，得到复合材料溶液；将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱70℃烘干，将复合膜取出用冰水进行脱膜处理，后用去离子水冲洗复合膜，常温静置晾干得到Al2O3@CCTO-NWs/HIPS基复合材料。
测试该复合材料的导热系数，同时相同体积比的CCTO-NWs/HIPS复合材料作为对比，由图4可得(1:5)Al2O3@CCTO-NWs/HIPS复合材料的导热系数为0.5113W/(m·K)，较CCTO-NWs/HIPS(0.2068)提高了0.3045。
实施例2
1.制备陶瓷纳米线：两步水热法制备长径比为150～400的CCTO-NWs；
2.制备改性纳米线：将一定量的甲酸铵加入到去离子水，滴加甲酸配制pH＝5的缓冲液，按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为1:3称取2.6gAl2(SO4)3·18H2O倒入缓冲液搅拌溶解后，再称取1.2gCCTO-NWs倒入其中，搅拌均匀后超声，得到混合溶液，将混合溶液转移至烘箱50℃下反应8h，取出样品沉降水洗后烘干，研磨至100目，得到样品粉末；样品粉末放入马弗炉500℃反应1h，待到自然降温至室温后获得Al2O3@CCTO-NWs填料。
3.复合材料制备：将0.5g Al2O3@CCTO-NWs填料与2g HIPS溶于DMF溶液搅拌8h后超声使溶液均匀，得到复合材料溶液；将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱50℃烘干，将复合膜取出用冰水进行脱膜处理，后用去离子水冲洗复合膜，常温静置晾干得到Al2O3@CCTO-NWs/HIPS基复合材料。
测试该复合材料的导热系数，同时相同体积比的CCTO-NWs/HIPS复合材料作为对比，由图4可得(1:3)Al2O3@CCTO-NWs/HIPS复合材料的导热系数为0.9442W/(m·K)，较CCTO-NWs/HIPS(0.2068)提高了0.7374。
实施例3
1.制备陶瓷纳米线：两步水热法制备长径比为200～500的CCTO-NWs；
2.制备改性纳米线：将一定量的甲酸铵加入到去离子水，滴加甲酸配制pH＝6的缓冲液，按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为1:2称取3.3gAl2(SO4)3·18H2O倒入缓冲液搅拌溶解后，再称取1gCCTO-NWs倒入其中，搅拌均匀后超声，得到混合溶液，将混合溶液转移至烘箱80℃下反应1h，取出样品沉降水洗后烘干，研磨至400目，得到样品粉末；样品粉末放入马弗炉800℃反应2h，待到自然降温至室温后获得Al2O3@CCTO-NWs填料。
3.复合材料制备：将0.5g Al2O3@CCTO-NWs填料与2g HIPS溶于DMF溶液搅拌12h后超声使溶液均匀，得到复合材料溶液；将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱80℃烘干，将复合膜取出用冰水进行脱膜处理，后用去离子水冲洗复合膜，常温静置晾干得到Al2O3@CCTO-NWs/HIPS基复合材料。
测试该复合材料的导热系数，同时相同体积比的CCTO-NWs/HIPS复合材料作为对比，由图4可得(1:2)Al2O3@CCTO-NWs/HIPS复合材料的导热系数为1.5148W/(m·K)，较CCTO-NWs/HIPS(0.2068)提高了1.3080。
实施例4
1.制备陶瓷纳米线：两步水热法制备长径比为500～700的CCTO-NWs；
2.制备改性纳米线：将一定量的甲酸铵加入到去离子水，滴加甲酸配制pH＝4的缓冲液，按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为1:1称取6.5gAl2(SO4)3·18H2O倒入缓冲液搅拌溶解后，再称取1gCCTO-NWs倒入其中，搅拌均匀后超声，得到混合溶液，将混合溶液转移至烘箱60℃下反应6h，取出样品沉降水洗后烘干，研磨至200目，得到样品粉末；样品粉末放入马弗炉200℃反应8h，待到自然降温至室温后获得Al2O3@CCTO-NWs填料。
3.复合材料制备：将0.5g Al2O3@CCTO-NWs填料与2g HIPS溶于DMF溶液搅拌12h后超声使溶液均匀，得到复合材料溶液；将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱60℃烘干，将复合膜取出用冰水进行脱膜处理，后用去离子水冲洗复合膜，常温静置晾干得到Al2O3@CCTO-NWs/HIPS基复合材料。
测试该复合材料的导热系数，同时相同体积比的CCTO-NWs/HIPS复合材料作为对比，由图4可得(1:1)Al2O3@CCTO-NWs/HIPS复合材料的导热系数为3.2158W/(m·K)，较CCTO-NWs/HIPS(0.2068)提高了3.0090。
实施例5
同实施例1，区别在于，将CCTO-NWs陶瓷换为BT-NWs陶瓷，制备Al2O3@BT-NWs/HIPS复合材料。Al2O3@BT-NWs/HIPS复合材料的导电系数为0.4628。
实施例6
同实施例1，区别在于，将HIPS基体换为PVDF，制备Al2O3@CCTO-NWs/PVDF复合材料。Al2O3@CCTO-NWs/PVDF复合材料的导电系数为0.6190，导热系数较CCTO-NWs/PVDF(0.2314)提高了0.3876。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种改性纳米线，其特征在于，由陶瓷纳米线和包覆在陶瓷纳米线表面的金属氧化物Al2O3组成。
2.根据权利要求1所述的改性纳米线，其特征在于，所述陶瓷纳米线为CCTO、BT、BST、SrTiO3、PbTiO3中的一种。
3.根据权利要求1所述的改性纳米线，其特征在于，所述陶瓷纳米线的长径比为30～700。
4.权利要求1-3任一项所述的改性纳米线的制备方法，其特征在于，用金属氧化物对陶瓷纳米线进行化学包覆制得改性纳米材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述化学包覆的方法为化学气相沉积法、化学液相沉积法或化学固相沉积法。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述化学包覆具体包括以下步骤：
1)取Al2(SO4)3·18H2O加入甲酸-甲酸铵缓冲液中溶解，加入陶瓷纳米线混匀后得到混合溶液；
2)将步骤1)得到混合溶液转移至烘箱烘干，取出沉降水洗后烘干、研磨；
3)将步骤2)研磨得到的粉末放入马弗炉200～800℃反应1～8h，待到自然降温至室温后获得改性纳米线。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述Al2(SO4)3·18H2O与陶瓷纳米线按照Al2O3与陶瓷纳米线质量比为(1:1)～(1:5)进行称量；所述烘干的温度为50～90℃，时间为2～8h。
8.一种高导热复合材料，其特征在于，由权利要求1-3任一项所述的改性纳米线与聚合物复合制得；所述聚合物为HIPS、PVDF、P(VDF-TrFE)、PP、PE中的一种。
9.权利要求8所述高导热复合材料的制备方法，其特征在于，将改性纳米线与聚合物复合；所述复合的方法为熔融共混法、溶液混合法或热压法。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，复合具体包括以下步骤：
A、将改性纳米线与聚合物溶于DMF溶液得到复合材料溶液；
B、将复合材料溶液倒入内壁光滑干净的培养皿中，放入真空干燥箱50～80℃烘干；
C、用冰水进行脱膜处理得到复合膜，水洗后常温静置晾干得到高导热复合材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211363265.9A CN115850796A (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | 一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211363265.9A CN115850796A (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | 一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115850796A true CN115850796A (zh) | 2023-03-28 |
Family
ID=85662299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211363265.9A Pending CN115850796A (zh) | 2022-11-02 | 2022-11-02 | 一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115850796A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103756256A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-30 | 华中科技大学 | 一种环氧树脂/银纳米线复合材料及制备方法和应用 |
| CN106832772A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 深圳先进技术研究院 | 一种导热陶瓷纳米线/环氧树脂复合材料及其制备方法 |
| CN110358146A (zh) * | 2018-04-10 | 2019-10-22 | 博世汽车部件(苏州)有限公司 | 氧化铝包覆的铜纳米线、导热硅胶及其制备方法 |
| CN111592738A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-08-28 | 郑州大学 | 一种EP/h-BN/MWCNTs@Al2O3导热绝缘导热复合材料及其制备方法 |
| WO2022142586A1 (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 华南理工大学 | 一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用 |
-
2022
- 2022-11-02 CN CN202211363265.9A patent/CN115850796A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103756256A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-30 | 华中科技大学 | 一种环氧树脂/银纳米线复合材料及制备方法和应用 |
| CN106832772A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 深圳先进技术研究院 | 一种导热陶瓷纳米线/环氧树脂复合材料及其制备方法 |
| CN110358146A (zh) * | 2018-04-10 | 2019-10-22 | 博世汽车部件(苏州)有限公司 | 氧化铝包覆的铜纳米线、导热硅胶及其制备方法 |
| CN111592738A (zh) * | 2020-06-16 | 2020-08-28 | 郑州大学 | 一种EP/h-BN/MWCNTs@Al2O3导热绝缘导热复合材料及其制备方法 |
| WO2022142586A1 (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 华南理工大学 | 一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Enhancement of dielectric and electrical properties in BFN/Ni/PVDF three-phase composites | |
| CN108570200B (zh) | 聚合物基复合材料及其制备方法 | |
| CN106946566B (zh) | 一种片状钛酸锶钡粉体材料的制备方法 | |
| CN106430295B (zh) | 一种微纳米分级结构BaTiO3晶体及其制备方法 | |
| CN101712784A (zh) | 一种核壳结构填料/聚合物基复合材料及其制备方法 | |
| CN109809481B (zh) | 一种利用碳化钛超薄纳米片制备具有中空结构的二氧化钛多面体的方法 | |
| Adireddy et al. | Polymer-ceramic nanocomposites for high energy density applications | |
| CN113736195B (zh) | 一种耐高温铁电聚合物基介电储能复合薄膜及其制备方法和应用 | |
| WO2020114089A1 (zh) | 低频吸波材料及其制备方法 | |
| Yue et al. | Significantly enhanced dielectric constant and energy storage properties in polyimide/reduced BaTiO 3 composite films with excellent thermal stability | |
| Sang et al. | Improved dielectric properties and energy-storage densities of BaTiO3-doped PVDF composites by heat treatment and surface modification of BaTiO3 | |
| CN105513836B (zh) | 一种超级电容器电极材料镍、钴复合纳米氧化物的制备方法 | |
| CN113045845A (zh) | 一种TiO2纳米材料掺杂的双层聚偏氟乙烯复合介质及其制备方法 | |
| Li et al. | Enhanced discharged energy density in poly (vinylidene fluoride) composites with a small loading of (K0. 5Na0. 5) NbO3 particles | |
| WO2019033761A1 (zh) | 一种膜电容器复合介电薄膜的制备方法 | |
| CN103755958B (zh) | 一种聚酰亚胺/钛酸铜钙包覆银纳米颗粒复合材料的制备方法 | |
| Zhou et al. | Excellent microwave absorption of void@ carbon@ TiO2 cubes by a template sol method | |
| KR101484304B1 (ko) | 산화알루미늄이 코팅된 그라펜, 이의 제조방법과 이를 포함하는 나노복합재료 | |
| CN112645709A (zh) | 一种pzt基压电陶瓷及其制备方法 | |
| Wang et al. | The size-matching effect in 0.1 Na1/3Ca1/3Bi1/3Cu3Ti4O12-xBa (Fe0. 5Nb0. 5) O3-(0.9-x) PVDF composites | |
| CN115850796A (zh) | 一种改性纳米线、高导热复合材料及其制备方法 | |
| CN109265925B (zh) | 一种聚合物基复合柔性压电传感器的制备方法 | |
| CN115028864B (zh) | 一种元素掺杂的bczt/pvdf核壳材料、柔性膜、制备方法及电容器 | |
| CN115418028A (zh) | 一种改性钛酸钡纳米线及其高介电复合材料的制备方法 | |
| CN105776327B (zh) | 一种纳米棒组装的板钛矿和锐钛矿混合相TiO2微米空心球及其制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |