CN115842034A - 显示面板和其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 632
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 288
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 288
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 121
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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Abstract
本发明公开一种显示面板和其制造方法,其中该显示面板包括基板、位于基板上方的像素衬垫层,以及位于基板上方且电连接至像素衬垫层的接触件堆叠。接触件堆叠包括第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层,以及位于第一金属层和第二金属层之间的第一层间绝缘层。第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的顶表面的边缘的第一顶部部分。第二金属层电连接至第一层间绝缘层所暴露的第一金属层的顶表面。第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的第一距离。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板和其制造方法,且特别是涉及显示面板的周边电路区。
背景技术
在显示装置中拼接多个显示面板来形成显示装置的显示区,可以使显示装置的成像效果更精细,也更容易维护显示装置的功能。为了同时提供电子信号至多个显示面板,不同显示面板之间可彼此电连接。然而,显示面板的多层结构在切割制作工艺中可能发生周边破损的情况,使得显示面板之间难以准确拼接,进而影响显示装置的成像效果。因此,如何避免上述显示面板的缺陷以提高显示装置的功能性是显示装置领域中待解决的问题之一。
发明内容
根据本发明的一些实施例,一种显示面板包括基板、位于基板上方的像素衬垫层,以及位于基板上方且电连接至像素衬垫层的接触件堆叠。接触件堆叠包括第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层,以及位于第一金属层和第二金属层之间的第一层间绝缘层。第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的顶表面的边缘的第一顶部部分。第二金属层电连接至第一层间绝缘层所暴露的第一金属层的顶表面。第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的第一距离。
在一些实施例中,第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩的第一距离介于0.1微米至1微米之间。
在一些实施例中,第二金属层的侧壁与基板的侧壁之间的第二距离介于20微米至200微米之间。
在一些实施例中,第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的侧壁的侧边部分,且第二金属层覆盖第一层间绝缘层的侧边部分。
在一些实施例中,第一金属层的顶表面和第二金属层的底表面夹置第一层间绝缘层的第一顶部部分。
在一些实施例中,第一层间绝缘层包括暴露第一金属层的顶表面的第一开口,第二金属层延伸穿过第一开口而接触第一金属层的顶表面。
在一些实施例中,接触件堆叠进一步包括位于第一层间绝缘层和第二金属层之间的第三金属层以及位于第三金属层和第二金属层之间的第二层间绝缘层,其中第二层间绝缘层包括覆盖第三金属层的顶表面的边缘的第二顶部部分。
在一些实施例中,第二层间绝缘层的侧壁从第一层间绝缘层的侧壁内缩大于0的第三距离。
在一些实施例中,第二层间绝缘层的侧壁从第一层间绝缘层的侧壁内缩的第三距离介于0.1微米至1微米之间。
在一些实施例中,第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的侧壁的第一侧边部分,第三金属层覆盖第一层间绝缘层的第一侧边部分,第二层间绝缘层包括覆盖第三金属层的侧壁的第二侧边部分,且第二金属层覆盖第二层间绝缘层的第二侧边部分。
在一些实施例中,接触件堆叠进一步包括位于第一金属层下方的金属底层以及位于金属底层和第一金属层之间的介电层,其中介电层包括暴露金属底层的顶表面的第二开口,第一金属层延伸穿过第二开口而接触金属底层。
在一些实施例中,介电层的侧壁与基板的侧壁齐平。
在一些实施例中,接触件堆叠位于显示面板的周边电路区中。
在一些实施例中,显示面板进一步包括透明导电层连续覆盖像素衬垫层和接触件堆叠。
在一些实施例中,透明导电层的侧壁与基板的侧壁位于不同平面上。
根据本发明的一些实施例,一种制造显示面板的方法包括以下步骤。在基板上方形成第一金属层。在第一金属层上方形成第一层间绝缘层,其中第一层间绝缘层包括覆盖第一金属层的顶表面的边缘的顶部部分和覆盖第一金属层的侧壁的侧边部分,且第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的第一距离。在第一层间绝缘层和第一金属层上方形成第二金属层,其中第二金属层穿过第一层间绝缘层而电连接第一金属层,以形成接触件堆叠。
在一些实施例中,形成接触件堆叠之后进一步包括沿着基板的预定切割道切割基板,其中第一层间绝缘层的侧壁位于第一金属层的侧壁与预定切割道之间。
在一些实施例中,第一层间绝缘层的侧壁与预定切割道之间的第二距离介于0.1微米至1微米之间。
在一些实施例中,第二金属层的侧壁与预定切割道之间的第三距离介于20微米至200微米之间。
在一些实施例中,形成第一层间绝缘层包括在第一金属层上方形成共形覆盖第一金属层的第一绝缘层,其中第一绝缘层的侧壁与基板的侧壁齐平。图案化第一绝缘层以形成第一层间绝缘层,其中第一层间绝缘层包括暴露第一金属层的顶表面的第一开口,且图案化之后的第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩第一距离。
附图说明
当结合附图阅读时,从以下详细描述中可以最好地理解本发明的各方面。应注意,根据工业中的标准方法,各种特征未按比例绘制。实际上,为了清楚地讨论,可任意增加或减少各种特征的尺寸。
图1A为本发明的一比较例绘示显示面板的局部俯视图;
图1B为本发明的一比较例绘示图1A中的显示面板沿着线A-A'的截面图;
图2A为本发明的一实施例绘示显示面板的截面图;
图2B为图2A中的显示面板的局部放大图;
图3为本发明的另一实施例绘示显示面板的截面图;
图4A至图4H为本发明的一些实施例绘示显示面板在制造制作工艺多个阶段的截面图。
符号说明
10,20,30:显示面板
10a:像素区
10b:周边电路区
100,100':接触件堆叠
110:基板
120:缓冲层
130:绝缘层
140:介电层
140p:开口
150,152,154,156,158:金属层
160,160':层间绝缘层
162:第一层间绝缘层
162a,164a,166a:顶部部分
162b,164b,166b:侧边部分
162p:开口
164:第二层间绝缘层
164p:开口
166:第三层间绝缘层
170:透明导电层
200:像素衬垫层
210a,210b,210c:平坦层
300:预定切割道
A-A':线
D1,D2,D3,D4,D5:距离
具体实施方式
为了实现提及主题的不同特征,以下公开内容提供了许多不同的实施例或示例。以下描述组件、配置等的具体示例以简化本发明。当然,这些仅仅是示例,而不是限制性的。例如,在以下的描述中,在第二特征之上或上方形成第一特征可以包括第一特征和第二特征以直接接触形成的实施例,并且还可以包括在第一特征和第二特征之间形成附加特征,使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。另外,本发明可以在各种示例中重复参考数字和/或字母。此重复是为了简单和清楚的目的,并且本身并不表示所讨论的各种实施例和/或配置之间的关系。
此外,本文可以使用空间相对术语,诸如「在…下面」、「在…下方」、「下部」、「在…上面」、「上部」等,以便于描述一个元件或特征与如图所示的另一个元件或特征的关系。除了图中所示的取向之外,空间相对术语旨在包括使用或操作中的装置的不同取向。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方向上),并且同样可以相应地解释在此使用的空间相对描述符号。
应当理解,尽管术语「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下文讨论的「第一元件」可以被称为第二元件而不脱离本文的教导。
参考图1A和图1B,图1A绘示作为比较例的显示面板10的局部俯视图,图1B则绘示显示面板10沿着图1A中的线A-A'的截面图。显示面板10包括像素区10a和邻近像素区10a的周边电路区10b。
具体而言,像素区10a包括像素单元下方的像素衬垫层200。周边电路区10b中包括具有多层结构的接触件堆叠100。接触件堆叠100电连接至像素衬垫层200,使得电子信号可以通过接触件堆叠100与像素衬垫层200提供至像素区10a中的多个像素单元,从而使显示面板10呈现影像(图像)。为了清楚绘示接触件堆叠100与像素衬垫层200的相应位置,图1A和图1B所示的显示面板10可省略部分的元件,例如像素衬垫层200上的像素单元。
更具体而言,显示面板10包括延伸横跨像素区10a和周边电路区10b的基板110、缓冲层120、绝缘层130和介电层140。基板110、缓冲层120、绝缘层130和介电层140集体作为承载组件,从而可以在基板110的同一侧(例如前表面)上方形成像素衬垫层200和接触件堆叠100。像素衬垫层200和承载组件之间可还包括多个平坦层,使得像素衬垫层200和接触件堆叠100位于不同的水平面上,例如图1B所示的平坦层210a、平坦层210b和平坦层210c。
接触件堆叠100包括金属层150至金属层158与层间绝缘层160形成的多层结构。接触件堆叠100中不同层级的金属层150至金属层158可分别电连接至不同的元件,从而可以灵活配置显示面板10的布局。举例而言,最顶部的金属层158可与像素衬垫层200位于相同层级中且彼此电连接,而金属层150作为最底部的金属层(或称为金属底层)可电连接至位于基板110的相对侧(例如相对于前表面的背表面)上的驱动电路。层间绝缘层160介入金属层152至金属层158之间,用以隔离与保护部分的金属层152至金属层158。层间绝缘层160可更延伸至像素衬垫层200下方的平坦层210a至平坦层210c之间,使得层间绝缘层160横跨像素区10a和周边电路区10b而形成更稳固的显示面板10的结构。在一些实施例中,显示面板10可还包括横跨像素区10a和周边电路区10b的透明导电层170,且透明导电层170连续覆盖像素衬垫层200、接触件堆叠100和延伸的层间绝缘层160。
如图1B所示,显示面板10的层间绝缘层160延伸至显示面板10的边缘,使得层间绝缘层160的侧壁与基板110的侧壁共平面。换而言之,当基板110经切割而形成显示面板10时,基板110与层间绝缘层160一起受到切割而形成层间绝缘层160与基板110齐平的侧壁。然而,在切割制作工艺中,层间绝缘层160可能从切割处产生裂痕或破损。由于接触件堆叠100中的层间绝缘层160介入金属层152至金属层158之间,层间绝缘层160中的裂痕或破损可能延伸至金属层152至金属层158,造成接触件堆叠100的损坏并影响显示面板10中的电子信号传递。
本发明内容提供一种显示面板与其制造方法,用以解决上述显示面板边缘破损的问题。本发明的显示面板包括基板、位于基板上方的像素衬垫层以及电连接至像素衬垫层的接触件堆叠。接触件堆叠包括第一金属层、第一金属层上方的第二金属层以及第一金属层和第二金属层之间的第一层间绝缘层所形成的多层结构。由于在切割基板以形成显示面板之后,第一层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的一段距离,使得第一层间绝缘层在切割基板制作工艺期间免于受到切割影响,以避免第一层间绝缘层产生裂痕或是破损。因此,本发明的接触件堆叠可维持完整的结构,从而避免显示面板的周边电路区受损、提升显示面板的良率。
依据本发明的一些实施例,图2A绘示显示面板20的截面图,图2B则绘示图2A中的显示面板20的接触件堆叠100'的局部放大图。显示面板20类似于图1B中的显示面板10,除了显示面板20的接触件堆叠100'的结构不同于显示面板10中的接触件堆叠100。因此,下文将详述显示面板20的接触件堆叠100'的细节,而显示面板20与显示面板10相似的其余部件将不在此特地描述。
参考图2A和图2B,接触件堆叠100'包括从下至上排列的金属层150、金属层152、金属层154、金属层156和金属层158所形成的多层结构,且接触件堆叠100'中的金属层150至金属层158彼此电连接。金属层150至金属层158可包括适用于电极的金属材料,例如铜。在图2A与图2B所绘示的实施例中,接触件堆叠100'包括五个金属层,但接触件堆叠100'的金属层数量可取决于显示面板的设计,其他实施例中的接触件堆叠100'可包括多于或少于五个金属层。
介电层140位于最底部的金属层150和金属层152之间,因此介电层140与绝缘层130可共同保护作为金属底层的金属层150。具体而言,介电层140覆盖金属层150的顶表面的边缘以及金属层150的侧壁,使得介电层140夹置于金属层150的顶表面和金属层152的底表面之间。
介电层140上方的层间绝缘层160'介入金属层152至金属层158之间,使得层间绝缘层160'包括位于金属层152和金属层154之间的第一层间绝缘层162、位于金属层154和金属层156之间的第二层间绝缘层164以及位于金属层156和金属层158之间的第三层间绝缘层166。具体而言,第一层间绝缘层162包括覆盖金属层152的顶表面的边缘的顶部部分162a以及覆盖金属层152的侧壁的侧边部分162b,其中顶部部分162a夹置于金属层152的顶表面和金属层154的底表面之间。相似地,第二层间绝缘层164包括覆盖金属层154的顶表面的边缘的顶部部分164a以及覆盖金属层154的侧壁的侧边部分164b,且第三层间绝缘层166包括覆盖金属层156的顶表面的边缘的顶部部分166a以及覆盖金属层156的侧壁的侧边部分166b。最顶部的金属层158位于第三层间绝缘层166上方,使得顶部部分166a夹置于金属层156的顶表面和金属层158的底表面之间。
如图2B所示,层间绝缘层160'中的第一层间绝缘层162的侧壁最接近基板110的边缘,但第一层间绝缘层162的侧壁与基板110的侧壁不共平面。详细而言,第一层间绝缘层162的侧壁从基板110的侧壁内缩第一距离D1,其中第一距离D1大于0。在本文中,第一距离D1定义为第一层间绝缘层162的侧壁落于基板110上的正投影与基板110的侧壁之间的距离。换而言之,整体的层间绝缘层160'从基板110的侧壁内缩一段大于0的距离,使得层间绝缘层160'远离切割基板110所形成的侧壁。
由于层间绝缘层160'与基板110之间有所间隔,在基板110的切割制作工艺中可免于切割层间绝缘层160',从而避免层间绝缘层160'产生裂痕或破损。因此,维持结构完整度的层间绝缘层160'可以保护接触件堆叠100'中的金属层152至金属层158,且不会产生延伸至金属层152至金属层158的裂痕而损坏接触件堆叠100'。此外,免于产生裂痕的层间绝缘层160'可以维持显示面板20的周边电路区10b的完整性,使得多个显示面板20之间可以周边电路区10b直接进行拼接以实现无边框拼接面板的显示装置。这样的拼接方式可以最大化显示装置的显示区,并且降低材料耗损与制作工艺成本。在其他示例中,层间绝缘层160'维持周边电路区10b的完整性,使得接触件堆叠100'可经由周边电路区10b的边缘而电连接至基板110另一侧上的驱动电路。
在一些实施例中,第一层间绝缘层162的侧壁从基板110的侧壁内缩的第一距离D1可大于0.1微米,从而确保层间绝缘层160'的结构完整性。举例而言,第一距离D1可介于0.1微米至100微米之间。若第一距离D1小于0.1微米,第一层间绝缘层162的侧壁可能太接近基板110的侧壁,使得第一层间绝缘层162在基板110的切割制作工艺中受到外力而产生裂痕。若第一距离D1大于100微米,第一层间绝缘层162的侧壁与基板110的侧壁之间的距离可能太远,使得显示面板20形成太多无功能性的边缘区域,从而影响多个显示面板20之间的拼接或不必要地提升成本。
在一些实施例中,第一层间绝缘层162上方的第二层间绝缘层164与第三层间绝缘层166的侧壁可以从第一层间绝缘层162的侧壁进一步内缩,从而确保层间绝缘层160'的结构完整性。举例而言,如图2B所示,第二层间绝缘层164的侧壁可以从下方的第一层间绝缘层162的侧壁内缩大于0的第二距离D2。第三层间绝缘层166的侧壁可以从下方的第二层间绝缘层164的侧壁内缩大于0的第三距离D3。在本文中,第二距离D2定义为第二层间绝缘层164的侧壁与第一层间绝缘层162的侧壁落于基板110上的正投影之间的距离,第三距离D3定义为第三层间绝缘层166的侧壁与第二层间绝缘层164的侧壁落于基板110上的正投影之间的距离。
换而言之,接近基板110的侧壁的第一层间绝缘层162、第二层间绝缘层164与第三层间绝缘层166的侧壁可以逐渐远离基板110的边缘,从而形成具有阶梯状结构的层间绝缘层160'。由于第二层间绝缘层164与第三层间绝缘层166相比第一层间绝缘层162更远离基板110的侧壁,因此层间绝缘层160'的整体侧壁与基板110的侧壁之间具有不小于第一距离D1的间距。在一些示例中,第二距离D2和第三距离D3可以介于0.1微米至1微米之间。在层间绝缘层160'具有阶梯状结构的一些实施例中,第二层间绝缘层164或第三层间绝缘层166的侧壁顶部可以比侧壁底部更远离基板110的侧壁,从而形成第二层间绝缘层164或第三层间绝缘层166朝向多层结构中的金属层(例如金属层158)倾斜的侧壁。
在一些实施例中,最顶部金属层158位于层间绝缘层160'上方,且最顶部金属层158的侧壁可以是接触件堆叠100'中最接近基板110的边缘的金属层侧壁。最接近基板110边缘的金属层158的侧壁可以与基板110的侧壁之间具有适当的第四距离D4,从而确保接触件堆叠100'中的金属层的结构完整性。举例而言,第四距离D4可以介于20微米至200微米之间。若第四距离D4小于20微米,金属层158的侧壁可能太接近基板110的侧壁,使得金属层158的侧壁与基板110的侧壁之间的层间绝缘层160'不足以在基板110的切割制作工艺中保护金属层158。若第四距离D4大于200微米,金属层158的侧壁与基板110的侧壁之间的距离可能太远,使得显示面板20形成太多无功能性的边缘区域,从而影响多个显示面板20之间的拼接或不必要地提升成本。
在一些实施例中,层间绝缘层160'中的多个子层与接触件堆叠100'中的多个金属层可形成交错排列的多层结构,使得层间绝缘层160'与金属层形成彼此保护的稳固结构。举例而言,如图2B所示,第一层间绝缘层162的顶部部分162a覆盖金属层152的顶表面的边缘,且第一层间绝缘层162的侧边部分162b覆盖金属层152的侧壁。第一层间绝缘层162上的金属层154连续覆盖第一层间绝缘层162的顶部部分162a和侧边部分162b,从而形成具有弯折形状的金属层154。相似地,第二层间绝缘层164的顶部部分164a与侧边部分164b分别覆盖金属层154的顶表面边缘和侧壁,第二层间绝缘层164上的金属层156连续覆盖顶部部分164a与侧边部分164b。第三层间绝缘层166的顶部部分166a与侧边部分166b分别覆盖金属层156的顶表面边缘和侧壁,第三层间绝缘层166上的金属层158连续覆盖顶部部分166a与侧边部分166b。在层间绝缘层160'与金属层交错排列的一些示例中,金属层152至金属层158可具有倾斜的侧壁,使得第一层间绝缘层162至第三层间绝缘层166的侧边部分162b至侧边部分166b也具有共形的倾斜侧壁。
在一些实施例中,第一层间绝缘层162可包括暴露金属层152的顶表面的开口,使得第一层间绝缘层162覆盖金属层152的顶表面的边缘且暴露金属层152的顶表面的中心。如图2B所示,金属层152上方的金属层154可延伸穿过第一层间绝缘层162的开口而接触金属层152的顶表面,从而形成金属层152与金属层154之间的导电途径。相似地,第二层间绝缘层164可包括暴露金属层154的顶表面的开口,金属层154上方的金属层156延伸穿过第二层间绝缘层164的开口而接触金属层154的顶表面。第三层间绝缘层166可包括暴露金属层156的顶表面的开口,金属层156上方的金属层158延伸穿过第三层间绝缘层166的开口而接触金属层156的顶表面。因此,接触件堆叠100'的多个金属层可通过接触件堆叠100'中的垂直通孔形成导电途径,降低接触件堆叠100'的图案化难度。
在一些实施例中,介电层140可包括暴露金属层150的顶表面的开口,使得介电层140覆盖金属层150的顶表面的边缘且暴露介电层140的顶表面的中心。如图2B所示,金属层150上方的金属层152可延伸穿过介电层140的开口而接触金属层150的顶表面,从而形成金属层150与金属层152之间的导电途径。因此,接触件堆叠100'的金属底层(即金属层150)与上方的多个金属层可通过接触件堆叠100'中的垂直通孔形成导电途径。在一些示例中,由于金属层150相比其他金属层远离基板110的侧壁,介电层140的侧壁可以与基板110的侧壁齐平而不会影响接触件堆叠100'中的多个金属层。
在一些实施例中,第一层间绝缘层162、第二层间绝缘层164和第三层间绝缘层166可包括相同的材料,使得层间绝缘层160'之中不具有明显的界面。举例而言,第一层间绝缘层162、第二层间绝缘层164和第三层间绝缘层166可包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或类似者。在一些实施例中,介电层140与层间绝缘层160'可包括不同的材料,从而形成介电层140与层间绝缘层160'之间的界面,但本发明并不以此为限。举例而言,层间绝缘层160'可以包括氮化硅,且介电层140包括氧化硅。
在一些实施例中,如图2B所示,金属层158上方的透明导电层170的侧壁可以从基板110的侧壁内缩一段距离,使得透明导电层170的侧壁与基板110的侧壁位于不同的平面上。在一些其他实施例中,透明导电层170的侧壁可以与基板110的侧壁齐平。图3依据本发明的一实施例绘示显示面板30的截面图。如图3所示,显示面板30类似于图2A中的显示面板20,但显示面板30的接触件堆叠100'上的透明导电层170延伸至基板110的侧壁所位于的平面上,使得透明导电层170的侧壁与基板110的侧壁共平面。
依据本发明的一些实施例,图4A至图4H绘示显示面板在制造制作工艺中的多个阶段的截面图。图4A至图4H将参考图2A中的显示面板20进行绘示与描述,然而本领域技术人员应理解,本发明的显示面板制造制作工艺并不限于制造显示面板20。在图4A至图4H所绘示的制造制作工艺之前、期间及/或之后可增加额外的步骤,且图4A至图4H所绘示的步骤可经删除或被其他步骤取代。
参考图4A,在基板110上方形成最底部的金属层150。具体而言,在基板110上方形成毯覆(blanket)的金属材料层,且金属材料层经图案化以形成金属层150。经图案化的金属层150的侧壁不仅远离基板110的侧壁,更远离基板110的预定切割道300。在形成金属层150之后,可以在金属层150上形成介电材料层,并将介电材料层图案化以形成介电层140。如图4A所示,介电层140包括开口140p,使得金属层150的顶表面通过开口140p暴露在外。在一些实施例中,在形成金属层150之前,可以在基板110上形成缓冲层120与绝缘层130,使得基板110上方的元件可以更好地粘附于基板110上或免于受到基板110背侧的元件影响。
参考图4B,在基板110上方形成金属层152,使得金属层152位于金属层150上且电连接至金属层150。具体而言,在金属层150和介电层140上形成毯覆的金属材料层,其中金属材料层填入介电层140的开口140p而接触金属层150的顶表面。接着,将金属材料层图案化以形成金属层152,其中经图案化的金属层152的侧壁不仅远离基板110的侧壁,更远离基板110的预定切割道300。在一些实施例中,经图案化的金属层152可具有倾斜侧壁,使得金属层152的侧壁顶部比侧壁底部更远离基板110的预定切割道300。
参考图4C,在金属层152上方形成第一层间绝缘层162,其中第一层间绝缘层162包括覆盖金属层152的顶表面的边缘的顶部部分和覆盖金属层152的侧壁的侧边部分。具体而言,在金属层152上形成毯覆的绝缘层,使得绝缘层共形覆盖金属层152的顶表面和侧壁,且绝缘层的侧壁与基板110的侧壁齐平。接着,将绝缘层图案化以形成包括开口162p的第一层间绝缘层162,使得金属层152的顶表面通过开口162p暴露在外。
经图案化的第一层间绝缘层162的侧壁从基板110的侧壁内缩一段距离,导致第一层间绝缘层162的侧壁与基板110的侧壁不共平面。具体而言,第一层间绝缘层162相对接近基板110边缘的侧壁从基板110的侧壁内缩大于0的第五距离D5,使得第一层间绝缘层162的侧壁远离基板110的侧壁。更详细而言,基板110的预定切割道300位于第一层间绝缘层162的侧壁与基板110的侧壁之间,使得第一层间绝缘层162的侧壁和预定切割道300之间具有第一距离D1。在一些实施例中,第一距离D1可介于0.1微米至1微米之间。值得说明的是,第一层间绝缘层162覆盖金属层152的侧壁,因此第一层间绝缘层162的侧壁位于金属层152的侧壁与预定切割道300之间。
参考图4D,在第一层间绝缘层162和金属层152上方形成金属层154,使得金属层154位于金属层152上且电连接至金属层152。具体而言,在金属层152和第一层间绝缘层162上形成毯覆的金属材料层,其中金属材料层填入第一层间绝缘层162的开口162p而接触金属层152的顶表面。接着,将金属材料层图案化以形成金属层154,其中经图案化的金属层154的侧壁不仅远离基板110的侧壁,更远离基板110的预定切割道300。如图4D所示,经图案化的金属层154可覆盖第一层间绝缘层162的顶部部分和侧边部分,使得金属层154具有弯折形状。换而言之,金属层154的顶表面的宽度可以大于金属层152的顶表面的宽度,但第一层间绝缘层162的侧壁仍位于金属层154的侧壁与基板110的预定切割道300之间。
参考图4E,在金属层154上方形成第二层间绝缘层164,其中第二层间绝缘层164包括覆盖金属层154的顶表面的边缘的顶部部分和覆盖金属层154的侧壁的侧边部分。具体而言,在金属层154上形成毯覆的绝缘层,使得绝缘层共形覆盖金属层154的顶表面和侧壁,且绝缘层的侧壁与基板110的侧壁齐平。接着,将绝缘层图案化以形成包括开口164p的第二层间绝缘层164,使得金属层154的顶表面通过开口164p暴露在外。经图案化的第二层间绝缘层164的侧壁从基板110的侧壁内缩一段距离,导致第二层间绝缘层164的侧壁远离基板110的预定切割道300。更详细而言,第二层间绝缘层164的侧壁可以从第一层间绝缘层162的侧壁内缩一段大于0的距离,使得第一层间绝缘层162的侧壁位于第二层间绝缘层164的侧壁与预定切割道300之间。
参考图4F,重复图4D至图4E所示的步骤直到形成具有足够金属层与层间绝缘层数量的多层结构,且金属层位于多层结构的最顶部。举例而言,如图4F所示,在第二层间绝缘层164和金属层154上方形成金属层156,使得金属层156位于金属层154上且穿过第二层间绝缘层164的开口164p电连接至金属层154。接着,在金属层156上方形成第三层间绝缘层166,其中第三层间绝缘层166包括覆盖金属层156的顶表面的边缘的顶部部分和覆盖金属层156的侧壁的侧边部分。接着,在第三层间绝缘层166和金属层156上方形成金属层158,使得金属层158位于金属层156上且穿过第三层间绝缘层166的开口而电连接至金属层156。第一层间绝缘层162、第二层间绝缘层164和第三层间绝缘层166集体形成层间绝缘层160'。金属层150、金属层152、金属层154、金属层156、金属层158和与多个金属层交错排列的层间绝缘层160'集体形成接触件堆叠100'。
金属层156的顶表面的宽度可以大于金属层154的顶表面的宽度,且金属层158的顶表面的宽度可以大于金属层156的顶表面的宽度,但第一层间绝缘层162的侧壁仍位于金属层158的侧壁与基板110的预定切割道300之间,使得金属层158的侧壁远离预定切割道300。例如,金属层158的侧壁与预定切割道300之间可具有第四距离D4,第四距离D4介于20微米至200微米之间。第三层间绝缘层166的侧壁可以从第二层间绝缘层164的侧壁内缩一段大于0的距离,使得第二层间绝缘层164的侧壁位于第三层间绝缘层166的侧壁与预定切割道300之间。
参考图4G,形成金属层158上方的透明导电层170,使得透明导电层170覆盖金属层158与层间绝缘层160'。透明导电层170可包括适当的材料成分,使得透明导电层170共形覆盖层间绝缘层160'与层间绝缘层160'上方的金属层158,从而形成更稳固的接触件堆叠100'。举例而言,透明导电层170可包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)。在一些实施例中,透明导电层170可经图案化,使得透明导电层170的侧壁与基板110的预定切割道300有所间隔,且预定切割道300位于透明导电层170的侧壁与基板110的侧壁之间。在一些其他实施例中,透明导电层170的侧壁可以与基板110的预定切割道300共平面。
参考图4H,沿着基板110的预定切割道300切割基板110,从而形成显示面板20。在切割基板110的制作工艺中,基板110、缓冲层120、绝缘层130和介电层140一起经历切割制作工艺,使得基板110、缓冲层120、绝缘层130和介电层140具有共平面的侧壁。如图4H所示,由于层间绝缘层160'侧壁远离预定切割道300,在切割制作工艺期间的层间绝缘层160'可免于受到切割,从而避免层间绝缘层160'中产生裂痕或破损。因此,层间绝缘层160'可维持切割基板110后的接触件堆叠100'的完整性,进而减少显示面板20的周边电路区的损坏、提升显示面板20的良率。
根据本发明上述实施方式,本发明的制造方法所制成的显示面板包括位于基板的像素区的像素衬垫层与基板的周边电路区的接触件堆叠,其中接触件堆叠包括多个金属层与层间绝缘层所形成的多层结构。层间绝缘层位于多个金属层中的第一金属层和第二金属层之间,其中层间绝缘层包括覆盖第一金属层的顶表面的边缘的顶部部分,且第二金属层电连接至层间绝缘层所暴露的第一金属层的顶表面。由于层间绝缘层的侧壁从基板的侧壁内缩大于0的一段距离,使得层间绝缘层在基板切割制作工艺期间不会随基板一起经历切割,从而避免层间绝缘层中产生切割造成的裂痕或是破损。因此,远离基板侧壁的层间绝缘层可以改善接触件堆叠的结构完整性,以维持显示面板的周边电路区的功能性、实现可无边框拼接的显示面板。
前面概述一些实施例的特征,使得本领域技术人员可更好地理解本发明的观点。本领域技术人员应该理解,他们可以容易地使用本发明作为设计或修改其他制作工艺和结构的基础,以实现相同的目的和/或实现与本文介绍的实施例相同的优点。本领域技术人员还应该理解,这样的等同构造不脱离本发明的精神和范围,并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以进行各种改变、替换和变更。
Claims (20)
1.一种显示面板,包括:
基板;
像素衬垫层,位于该基板上方;及
接触件堆叠,位于该基板上方且电连接至该像素衬垫层,其中该接触件堆叠包括:
第一金属层;
第二金属层,位于该第一金属层上方;及
第一层间绝缘层,位于该第一金属层和该第二金属层之间,
其中该第一层间绝缘层包括覆盖该第一金属层的顶表面的边缘的第一顶部部分,
其中该第二金属层电连接至该第一层间绝缘层所暴露的该第一金属层的该顶表面,及
其中该第一层间绝缘层的侧壁从该基板的侧壁内缩大于0的第一距离。
2.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一层间绝缘层的该侧壁从该基板的该侧壁内缩的该第一距离介于0.1微米至1微米之间。
3.如权利要求1所述的显示面板,其中该第二金属层的侧壁与该基板的该侧壁之间的第二距离介于20微米至200微米之间。
4.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一层间绝缘层包括覆盖该第一金属层的侧壁的侧边部分,且该第二金属层覆盖该第一层间绝缘层的该侧边部分。
5.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一金属层的该顶表面和该第二金属层的底表面夹置该第一层间绝缘层的该第一顶部部分。
6.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一层间绝缘层包括暴露该第一金属层的该顶表面的第一开口,该第二金属层延伸穿过该第一开口而接触该第一金属层的该顶表面。
7.如权利要求1所述的显示面板,其中该接触件堆叠进一步包括:
第三金属层,位于该第一层间绝缘层和该第二金属层之间;及
第二层间绝缘层,位于该第三金属层和该第二金属层之间,其中该第二层间绝缘层包括覆盖该第三金属层的一顶表面的边缘的第二顶部部分。
8.如权利要求7所述的显示面板,其中该第二层间绝缘层的侧壁从该第一层间绝缘层的该侧壁内缩大于0的第三距离。
9.如权利要求8所述的显示面板,其中该第二层间绝缘层的该侧壁从该第一层间绝缘层的该侧壁内缩的该第三距离介于0.1微米至1微米之间。
10.如权利要求7所述的显示面板,其中该第一层间绝缘层包括覆盖该第一金属层的侧壁的第一侧边部分,该第三金属层覆盖该第一层间绝缘层的该第一侧边部分,该第二层间绝缘层包括覆盖该第三金属层的侧壁的第二侧边部分,且该第二金属层覆盖该第二层间绝缘层的该第二侧边部分。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中该接触件堆叠进一步包括:
金属底层,位于该第一金属层下方;及
介电层,位于该金属底层和该第一金属层之间,其中该介电层包括暴露该金属底层的一顶表面的第二开口,该第一金属层延伸穿过该第二开口而接触该金属底层。
12.如权利要求11所述的显示面板,其中该介电层的侧壁与该基板的该侧壁齐平。
13.如权利要求1所述的显示面板,其中该接触件堆叠位于该显示面板的周边电路区中。
14.如权利要求1所述的显示面板,进一步包括透明导电层连续覆盖该像素衬垫层和该接触件堆叠。
15.如权利要求14所述的显示面板,其中该透明导电层的侧壁与该基板的该侧壁位于不同平面上。
16.一种制造显示面板的方法,包括:
在基板上方形成第一金属层;
在该第一金属层上方形成第一层间绝缘层,其中该第一层间绝缘层包括覆盖该第一金属层的顶表面的边缘的顶部部分和覆盖该第一金属层的侧壁的侧边部分,且该第一层间绝缘层的侧壁从该基板的侧壁内缩大于0的第一距离;及
在该第一层间绝缘层和该第一金属层上方形成第二金属层,其中该第二金属层穿过该第一层间绝缘层而电连接至该第一金属层,以形成接触件堆叠。
17.如权利要求16所述的方法,其中形成该接触件堆叠之后进一步包括:
沿着该基板的预定切割道切割该基板,其中该第一层间绝缘层的该侧壁位于该第一金属层的该侧壁与该预定切割道之间。
18.如权利要求17所述的方法,其中该第一层间绝缘层的该侧壁与该预定切割道之间的第二距离介于0.1微米至1微米之间。
19.如权利要求17所述的方法,其中该第二金属层的侧壁与该预定切割道之间的第三距离介于20微米至200微米之间。
20.如权利要求16所述的方法,其中形成该第一层间绝缘层包括:
在该第一金属层上方形成共形覆盖该第一金属层的第一绝缘层,其中该第一绝缘层的侧壁与该基板的该侧壁齐平;及
图案化该第一绝缘层以形成该第一层间绝缘层,其中该第一层间绝缘层包括暴露该第一金属层的该顶表面的第一开口,且图案化之后的该第一层间绝缘层的该侧壁从该基板的该侧壁内缩该第一距离。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202263313744P | 2022-02-25 | 2022-02-25 | |
US63/313,744 | 2022-02-25 | ||
TW111128197A TWI818646B (zh) | 2022-02-25 | 2022-07-27 | 顯示面板和其製造方法 |
TW111128197 | 2022-07-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115842034A true CN115842034A (zh) | 2023-03-24 |
Family
ID=85577579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211713486.4A Pending CN115842034A (zh) | 2022-02-25 | 2022-12-27 | 显示面板和其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230275101A1 (zh) |
CN (1) | CN115842034A (zh) |
-
2022
- 2022-11-08 US US17/983,076 patent/US20230275101A1/en active Pending
- 2022-12-27 CN CN202211713486.4A patent/CN115842034A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230275101A1 (en) | 2023-08-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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