CN211238254U - 显示基板、显示基板母板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开实施例公开了一种显示基板、显示基板母板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提升显示基板的生产良率。该显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的至少一层无机膜、设置于所述至少一层无机膜的背离衬底基板的一侧的至少一层金属图案、以及设置于每层金属图案的背离衬底基板的一侧的有机膜。所述至少一层无机膜位于非显示区内的至少一侧的边缘部分呈台阶状。每层金属图案均包括导电图案和残留图案，残留图案在衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在衬底基板上的正投影内。每层有机膜的边缘部分包覆对应金属图案的残留图案。本公开实施例提供的显示基板采用激光切割工艺获得。

Description

显示基板、显示基板母板及显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示基板母板及显示装置。

背景技术

在显示装置的生产制备过程中，无论是薄膜晶体管-液晶(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)显示装置，或者有机电致发光二极管(OrganicLight EmittingDiode，简称OLED)显示装置等，均是在母板上进行整体制作后再切割分离，以进一步完成后续工艺，从而提高显示装置的生产效率，并降低其生产成本。

实用新型内容

本公开实施例的目的在于提供一种显示基板、显示基板母板及显示装置，用于解决显示基板因其边缘区域内金属残留而导致显示不良的问题，以提升显示基板的生产良率。

为达到上述目的，本公开实施例提供了如下技术方案：

本公开实施例的第一方面提供了一种显示基板。该显示基板具有显示区和位于显示区的至少一侧的非显示区。该显示基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的至少一层无机膜、设置于所述至少一层无机膜的背离衬底基板的一侧的至少一层金属图案、以及设置于每层金属图案的背离衬底基板的一侧的有机膜。所述至少一层无机膜位于非显示区内的至少一侧的边缘部分呈台阶状。每层金属图案均包括导电图案和残留图案，残留图案在衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在衬底基板上的正投影内。每层有机膜的边缘部分包覆对应金属图案的残留图案。

在本公开实施例中，金属图案的残留图案的形成，是由于至少一层无机膜的边缘部分呈台阶状结构造成的。本公开实施例在每层金属图案的背离衬底基板的表面上制作有机膜，并使得有机膜的边缘部分有效包覆对应金属图案的残留图案，能够利用有机膜对该残留图案进行遮挡保护。由此，在制作后一层金属图案或其他导电部的过程中，利用有机膜对相应残留图案的包覆遮挡，可以有效防止后一层金属图案或其他导电部在湿法刻蚀时所需的刻蚀液与前一层金属图案的残留图案接触，从而避免后一层金属图案或其他导电部因所述残留图案短路，或者避免因刻蚀液中的金属离子与所述残留图案发生金属置换而造成显示区内具有显示暗点等。如此，有效解决了显示基板因其边缘部分的金属残留而导致的显示不良问题，有利于提升显示基板的生产良率。

在一些实施例中，所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分的厚度，沿平行于衬底基板且靠近衬底基板中的对应侧边界的方向逐渐减小；其中，所述对应侧边界为衬底基板的距离所述至少一层无机膜的边缘部分最近的边界。

在一些实施例中，所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分的边界在衬底基板上的正投影与衬底基板中的对应侧边界重合。

在一些实施例中，最外层有机膜的边缘部分的边界在衬底基板上的正投影，与衬底基板中的对应侧边界之间具有间隔；其中，所述对应侧边界为衬底基板的距离所述最外层有机膜的边缘部分最近的边界。

在一些实施例中，所述至少一层无机膜包括阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜或层间绝缘膜中至少一种的至少一层。

在一些实施例中，金属图案的层数为两层。两层金属图案包括：第一金属图案，和设置于第一金属图案的背离衬底基板的一侧的第二金属图案。第一金属图案和第二金属图案之间的有机膜为第一有机膜。第二金属图案的残留图案形成在第一有机膜的背离衬底基板的表面上，和/或，形成在所述至少一层无机膜的呈台阶状的且未被第一有机膜覆盖的表面上。

在一些实施例中，第一金属图案的导电图案包括多个第一电极和多条信号线；其中，第一电极包括源漏电极，信号线包括数据信号线、电压信号线、时钟信号线或感测信号线中的至少一种。第二金属图案的导电图案包括多条信号线辅助线。

在一些实施例中，所述至少一层无机膜包括：沿远离衬底基板的方向设置的阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜和层间绝缘膜。阻挡膜的边缘部分的凹陷部分构成第一台阶。缓冲膜的边缘部分与阻挡膜的边缘部分的非凹陷部分构成第二台阶。栅绝缘膜的边缘部分和层间绝缘膜的边缘部分构成第三台阶。

在一些实施例中，第一金属图案的残留图案形成在第二台阶上。第一有机膜的边缘部分延伸至第一台阶上。第二金属图案的残留图案形成在第一台阶上。第二金属图案的背离衬底基板的一侧的有机膜为第二有机膜，第二有机膜的边缘部分覆盖在第一台阶上。

在另一些实施例中，所述至少一层无机膜包括：沿远离衬底基板的方向设置的阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜、第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜。所述显示基板还包括：形成在缓冲膜的背离衬底基板的表面上的半导体图案；形成在栅绝缘膜的背离衬底基板的表面上的第一栅极图案；以及，形成在第一层间绝缘膜的背离衬底基板的表面上的第二栅极图案。第一金属图案的导电图案位于第二层间绝缘膜的背离衬底基板的表面，第一金属图案的导电图案中的部分还与对应的半导体图案连接。

可选的，阻挡膜的边缘部分的凹陷部分构成第一台阶。缓冲膜的边缘部分与阻挡膜的边缘部分的非凹陷部分构成第二台阶。栅绝缘膜的边缘部分、第一层间绝缘膜的边缘部分和第二层间绝缘膜的边缘部分构成第三台阶。第一金属图案的残留图案形成在第二台阶上，第二金属图案的导电图案的残留图案形成第一台阶上。

在又一些实施例中，所述显示基板还包括：形成在第一金属图案的导电图案的背离衬底基板的表面上的钝化膜。第一有机膜的位于显示区内的部分位于钝化膜的背离衬底基板的表面上。

在一些实施例中，显示基板还包括设置于最外层有机膜的背离衬底基板的表面上的导电部。导电部在衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在衬底基板上的正投影外。

在一些实施例中，导电部包括多个第二电极；第二电极包括像素电极。

基于上述显示基板的技术方案，本公开实施例的第二方面提供了一种显示装置。所述显示装置包括上述技术方案所提供的显示基板。本公开实施例提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

基于上述显示基板的技术方案，本公开实施例的第三方面提供了一种显示基板母板。本公开实施例提供的显示基板母板所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的显示基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

所述显示基板母板具有多个显示区、位于每相邻的两个显示区之间的切割区、以及位于每个显示区与对应切割区之间的过渡区。该显示基板母板包括：衬底母板、设置于衬底母板上的至少一层无机层、设置于所述至少一层无机层的背离衬底母板的一侧的至少一层金属层、以及设置于每层金属层的背离衬底母板的表面上的有机层。所述至少一层无机层的位于过渡区内的部分呈台阶状。每层金属层均包括位于过渡区内的残留图案。有机层在衬底母板上的正投影位于切割区外，且有机层的位于过渡区内的部分包覆同一个过渡区内对应的所述残留图案。所述至少一层无机层的呈台阶状的部分的厚度沿靠近切割区的方向逐渐减小。所述至少一层无机层的呈台阶状的部分的最小厚度大于或等于所述至少一层无机层的位于切割区内的部分的厚度。

在一些实施例中，所述显示基板母板还包括：设置于最外层有机层的背离衬底母板的表面上的导电层。导电层在衬底母板上的正投影位于所述至少一层无机层的呈台阶状的部分在衬底母板上的正投影外。

在一些实施例中，金属层的层数为两层。两层金属层包括：第一金属层，和设置于第一金属层的背离衬底母板的一侧的第二金属层。第一金属层和第二金属层之间的有机层为第一有机层。第二金属层的残留图案形成在第一有机层的背离衬底母板的表面上，和/或，形成在所述至少一层无机层的呈台阶状的且未被第一有机层覆盖的表面上。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，构成本公开实施例的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：

图1为本公开实施例提供的一种显示基板母板的结构示意图；

图2为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图3为图2所示的一种显示基板的沿HH’向的局部剖面图；

图4为图2所示的另一种显示基板的沿HH’向的局部剖面图；

图5为图2所示的又一种显示基板的沿HH’向的局部剖面图；

图6为图2所示的又一种显示基板的沿HH’向的局部剖面图；

图7为图1所示的一种显示基板母板的沿GG’向的局部剖面图；

图8为图1所示的另一种显示基板母板的沿GG’向的局部剖面图；

图9为图8所示的一种显示基板母板的制作方法的过程图；

图10为本公开实施例提供的一种显示基板母板的制作方法的流程示意图；

图11为本公开实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

为便于理解，下面结合说明书附图，对本公开实施例提供的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是所提出的技术方案的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，均属于本公开保护的范围。

以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。

“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。

相关技术中，显示基板母板的切割多采用激光切割工艺实现。

目前，柔性显示基板母板采用有机层，例如聚酰亚胺层，作为柔性衬底母板。在柔性显示基板母板的制作过程中，在柔性衬底母板的位于切割区的部分形成至少一层厚度较薄的无机层，能够对柔性衬底母板进行保护，以防止柔性显示基板母板切割过程中的激光对柔性衬底母板造成损坏，例如烧焦。

然而，位于切割区内的无机层是通过无机膜减薄工艺获得的，也即，先在柔性衬底母板的一侧制作至少一层的无机层，然后对该至少一层的无机层的位于切割区内的部分进行减薄，这也就使得该无机层的位于切割区和显示区之间的过渡区内的部分通常呈台阶状。

基于此，采用金属材料在前述的无机层上制作导电图案(例如源漏电极)的过程中，容易在无机层的呈台阶状的部分造成金属残留，也即在无需设置导电图案的部分留下未能被刻蚀去除的金属，也即金属残留图案。如此，在后续制作其他导电部(例如阳极)的过程中，所述其他导电部容易与金属残留图案接触短路，或，容易因所述其他导电部的湿法刻蚀工艺，使得刻蚀液中的金属离子与金属残留图案之间出现金属置换，这样被置换出的金属单质在随刻蚀液移动至显示区后，可能会对显示区内相应的导电图案造成短路、或在显示区内呈现暗点等。从而导致显示基板母板切割后的显示基板出现显示不良的问题。

请参阅图1～图3，本公开实施例提供了一种显示基板及用来制作该显示基板的显示基板母板。显示基板100具有显示区AA和位于显示区AA的至少一侧的非显示区BB。显示基板100包括衬底基板101、设置于衬底基板101上的至少一层无机膜120、设置于所述至少一层无机膜120的背离衬底基板101的一侧的至少一层金属图案130、以及设置于每层金属图案130的背离衬底基板101的一侧的有机膜140。所述至少一层无机膜120位于非显示区BB内的至少一侧的边缘部分121呈台阶状。每层金属图案130均包括导电图案131和残留图案132，残留图案132在衬底基板101上的正投影位于所述至少一层无机膜120的呈台阶状的边缘部分121在衬底基板101上的正投影内。每层有机膜140的边缘部分包覆对应金属图案130的残留图案132。

此处，显示基板100的非显示区BB包括绑定(PAD)区CC。显示基板100还包括设置于绑定区CC内的驱动电路110。可以理解的是，如图1和图2所示，在制作完成显示基板100中的薄膜结构之后，制作通过测试连接线201与驱动电路110连接的驱动测试(Array Test，简称AT)单元200，可以利用该驱动测试单元200对显示基板100中的驱动电路110进行检查，以确定显示基板100中的各电路(包括驱动电路110以及显示区AA内的像素电路等)是否有短路或断路的问题。当然，驱动测试单元200在后续工艺中会被切除掉。

此处，示例的，衬底基板101为柔性衬底基板，采用聚酰亚胺材料制作形成。当然，衬底基板101的制作材料也并不仅限于此，其他能够制作透光衬底的柔性材料均适用。

此处，无机膜的层数可以为一层或多层。在无机膜为多层的情况下，多层无机膜依次层叠设置，或每两层无机膜之间设有其他功能膜(例如金属膜或有机膜等)，均可。此外，无机膜采用例如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等的无机化合物制作形成。

此处，每层金属图案130中的导电图案131，是指该金属图案130的用于形成显示基板100中电极和/或信号线的有效导电部分。每层金属图案130中的残留图案132，是指显示基板100中无需设置，但由于显示基板100中膜层结构或其制作工艺导致无法有效去除的部分。

此处，术语“包覆”是指包裹覆盖，也即每层有机膜140的边缘部分能够将对应金属图案130的残留图案132完全遮挡，以确保该残留图案132不会裸露。此外，有机膜140设置于对应金属图案130的背离衬底基板101的一侧，可以表现为有机膜140直接形成在对应金属图案130的背离衬底基板101的表面上，或者表现为有机膜140与对应的金属图案130之间设有其他膜，例如钝化膜。

在本公开实施例中，金属图案130的残留图案132的形成，是由于前述至少一层无机膜120的边缘部分121呈台阶状结构造成的。本公开实施例在每层金属图案130的背离衬底基板101的一侧制作有机膜140，并使得有机膜140的边缘部分有效包覆对应金属图案130的残留图案132，能够利用有机膜140对该残留图案132进行遮挡保护。由此，在制作后一层金属图案或其他导电部的过程中，利用有机膜140对相应残留图案132的包覆遮挡，可以有效防止后一层金属图案或其他导电部在湿法刻蚀时所需的刻蚀液与前一层金属图案的残留图案接触，从而避免后一层金属图案或其他导电部因所述残留图案短路，或者避免因刻蚀液中的金属离子与所述残留图案发生金属置换而造成显示区AA内具有显示暗点等。如此，有效解决了显示基板100因其边缘部分的金属残留而导致的显示不良问题，有利于提升显示基板100的生产良率。

请参阅图3和图4，在一些实施例中，上述至少一层无机膜120的呈台阶状的边缘部分121的厚度，沿平行于衬底基板101且靠近衬底基板101中的对应侧边界Lo的方向逐渐减小；其中，所述对应侧边界Lo为衬底基板101的距离所述至少一层无机膜120的边缘部分121最近的边界。

基于显示基板100是通过激光切割显示基板母板之后获得的，也即显示基板100中的各边界是由切割工艺切割形成，因此显示基板100中该至少一层无机膜120的呈台阶状的边缘部分121越靠近显示基板100的切割面，其厚度越小。

此外，上述至少一层无机膜120的呈台阶状的边缘部分121的边界在衬底基板101上的正投影与衬底基板101中的对应侧边界Lo重合。这也就是说，显示基板100的切割面处设有无机膜120。如此，在激光切割显示基板母板以获得显示基板100的过程中，能够利用厚度较薄的无机膜120有效保护显示基板100的衬底基板101，以防止衬底基板101被激光损坏。

在一些实施例中，最外层有机膜140的边缘部分的边界在衬底基板101上的正投影，与衬底基板101中的对应侧边界Lo之间具有间隔W，此处的对应侧边界Lo为衬底基板101的距离所述最外层有机膜的边缘部分最近的边界。这也就是说，显示基板100的切割面处不会存在有有机膜140，从而在激光切割显示基板母板以获得显示基板100的过程中，能够有效防止有机膜140因激光能量而烧灼。

在一些实施例中，如图3和图4所示，显示基板100还包括设置于最外层有机膜140的背离衬底基板101的表面上的导电部150。导电部150在衬底基板101上的正投影位于所述至少一层无机膜120的呈台阶状的边缘部分121在衬底基板101上的正投影外。

此处，导电部150采用金属材料或包含有金属材料的导电材料，可通过湿法刻蚀工艺制作形成。在制作导电部150的过程中，若导电部150制作材料中的金属溶解于刻蚀液中并以金属离子的方式存在，在有机膜140对相应金属图案130的残留图案132的包覆保护下，该金属离子也不会与残留图案132发生金属置换。从而能够避免被置换出的金属单质随着刻蚀液的流动而移动至显示基板100的显示区AA内，造成显示暗点。

为了更清楚的说明上述实施例中显示基板100的结构，以下以显示基板100中的金属图案为两层进行示例性的详细说明。

如图4所示，金属图案130的层数为两层。两层金属图案130包括：第一金属图案1301，和设置于第一金属图案1301的背离衬底基板101的一侧的第二金属图案1302。第一金属图案1301和第二金属图案1302之间的有机膜为第一有机膜141。第二金属图案1302和导电部150之间的有机膜为第二有机膜142。

此处，第二金属图案1302的残留图案132形成在所述至少一层无机膜120的呈台阶状的且未被第一有机膜141覆盖的表面上。当然，在另一些实施例中，第二金属图案1302的残留图案132形成在第一有机膜141的背离衬底基板101的表面上，例如图4中第一有机膜141的斜坡面上。或者，在又一些实施例中，第二金属图案1302的残留图案132同时形成在所述至少一层无机膜120的呈台阶状的且未被第一有机膜141覆盖的表面上，以及第一有机膜141的背离衬底基板101的表面上。均是允许的，本实施例对此不作限定。

在一些实施例中，第一金属图案1301和第二金属图案1302采用相同的金属材料制作形成。第一金属图案1301和第二金属图案1302为单层结构或多层结构，均可。示例的，第一金属图案1301和第二金属图案1302分别为钛-铝-钛(Ti/Al/Ti)的叠层结构。

在另一些实施例中，第一金属图案1301和第二金属图案1302采用不同的金属材料制作形成。

在制作第二金属图案1302的过程中，即便第二金属图案1302制作材料中的金属溶解于刻蚀液中并以金属离子的方式存在，在第一有机膜141对第一金属图案1301的残留图案132的包覆保护下，该金属离子也不会与残留图案132发生金属置换。

此外，可以理解的是，上述该显示基板100中第一金属图案1301的导电图案131、第二金属图案1302的导电图案131以及导电部150，可以作为显示基板100中位于对应不同膜层位置的电极和/或信号线使用。具体的，其与显示基板100的结构相关，本公开实施例对此不作限定。

可选的，第一金属图案1301的导电图案131包括多个第一电极和多条信号线；该第一电极为源漏电极，该信号线为数据信号线、电压信号线、时钟信号线或感测信号线中的至少一种。

第二金属图案1302的导电图案131包括多条信号线辅助线。此处，信号线辅助线可以与第一金属图案1301中对应的信号线或第一电极电连接，用于辅助传输信号。

导电部150包括多个第二电极。该第二电极为像素电极。此处，像素电极包括发光器件的阳极。

在一些实施例中，请继续参阅图4，所述至少一层无机膜120包括：沿远离衬底基板101的方向设置的阻挡膜121、缓冲膜122、栅绝缘膜123和层间绝缘膜124。其中，阻挡膜121的边缘部分的凹陷部分构成第一台阶T1。缓冲膜122的边缘部分与阻挡膜121的边缘部分的非凹陷部分构成第二台阶T2。栅绝缘膜123的边缘部分和层间绝缘膜124的边缘部分构成第三台阶T3。

相应的，第一金属图案1301的残留图案132形成在第二台阶T2上，第一有机膜141的边缘部分延伸至第一台阶T1上。第二金属图案1302的残留图案132形成在第一台阶T1上，第二有机膜142的边缘部分覆盖在第一台阶T1上。

上述第一台阶T1、第二台阶T2和第三台阶T3的高度、长度和宽度等尺寸，可以根据实际需求选择设置，本公开实施例对此不作限定。

当然，上述至少一层无机膜120的边缘部分121的台阶结构，与其无机膜的层数和厚度相关，具体可以根据实际需求选择设置。

在另一些实施例中，如图5所示，显示基板100为有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)基板。所述至少一层无机膜120包括：沿远离衬底基板101的方向设置的阻挡膜121、缓冲膜122、栅绝缘膜123、第一层间绝缘膜124和第二层间绝缘膜125。该显示基板100还包括：形成在缓冲膜122的背离衬底基板101的表面上的半导体图案601；形成在栅绝缘膜123的背离衬底基板101的表面上的第一栅极图案602；以及，形成在第一层间绝缘膜124的背离衬底基板101的表面上的第二栅极图案603。

此处，阻挡膜121的边缘部分的凹陷部分构成第一台阶T1。缓冲膜122的边缘部分与阻挡膜121的边缘部分的非凹陷部分构成第二台阶T2。栅绝缘膜123的边缘部分、第一层间绝缘膜124的边缘部分和第二层间绝缘膜125的边缘部分构成第三台阶T3。

相应的，第一金属图案1301的导电图案131位于第二层间绝缘膜125的背离衬底基板101的表面，第一金属图案1301的导电图案131包括源漏电极图案，该源漏电极图案还与半导体图案601对应连接。第一金属图案1301的残留图案132形成在第二台阶T2上。第二金属图案1302的残留图案132形成在第一台阶T1上。第一金属图案1301和第二金属图案1302采用相同材料制作且结构相同，例如二者均为钛-铝-钛(Ti/Al/Ti)的叠层结构。其中，第一金属图案1301为源漏电极图案、多条数据信号线和多条电压信号线。第二金属图案1302包括多条信号线辅助线。

请继续参阅图5，该显示基板100还包括沿远离衬底基板101的方向依次设置于第二有机膜142的背离衬底基板101的表面上导电部150、像素界定膜151以及发光图案152。

此处，导电部150包括多个发光器件的阳极。导电部150为透光导电部，例如为银-氧化铟锡-银(Ag/ITO/Ag)的叠层结构。

在又一些实施例中，如图6所示，在图5所示结构的基础上，显示基板100还包括形成在第一金属图案1301的导电图案131的背离衬底基板101的表面上的钝化膜604。也即，第一金属图案1301与第一有机膜141之间设有钝化膜604。第一有机膜141的位于显示区AA内的部分位于钝化膜604的背离衬底基板101的表面上。

此处，钝化膜604一般采用氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等无机材料制作形成。钝化膜604可以仅形成在显示区AA内，也可以延伸至非显示区BB。在钝化膜604延伸至非显示区BB的情况下，钝化膜604的边缘部分与第二层间绝缘膜125、第一层间绝缘膜124、栅绝缘膜123的边缘部分一起构成第三台阶T3，也是允许的。

综上，在本公开实施例中，所述至少一层无机膜120包括阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜或层间绝缘膜中至少一种的至少一层。也即，将显示基板100中已有的阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜和层间绝缘膜复用为无机膜，便无需针对显示基板母板1000的切割区的需求而增设无机膜的制作工艺。

以上一些实施例，仅是针对顶栅型的薄膜晶体管，示例性的给出了几种对应方案，但本公开实施例的保护范围并不仅限于此。例如，对于底栅型的薄膜晶体管，显示基板100中的各膜层关系可对应变更或调换。本公开实施例对此不再详述。

基于上述显示基板100的一些实施例，如图11所示，本公开实施例提供了一种显示装置1001。所述显示装置1001包括上述实施例所提供的显示基板100。

在一些实施例中，显示装置1001为OLED显示面板、OLED显示器、OLED电视机、手机、平板电脑、笔记本电脑、电子纸、数码相框或导航仪等具有显示功能的产品或部件。

本公开实施例提供的显示装置1001所能实现的有益效果，与上述实施例提供的显示基板100所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

基于上述显示基板100的一些实施例，如图1和图7、图8所示，本公开实施例提供了一种显示基板母板1000。本公开实施例提供的显示基板母板1000用于在切割后获得如上一些实施例所述的显示基板100，其所能实现的有益效果，与上述一些实施例提供的显示基板100所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

请参阅图1和图7、图8，显示基板母板1000具有多个显示区AA、位于每相邻的两个显示区AA之间的切割区DD、以及位于每个显示区AA与对应切割区DD之间的过渡区EE。其中，多个显示区AA呈阵列状排列，每个显示区AA及相邻过渡区EE对应的部分可被切割为一个显示基板100。激光对显示基板母板1000的切割在切割区DD内进行。

请继续参阅图1和图7、图8，该显示基板母板1000包括：衬底母板11、设置于衬底母板11上的至少一层无机层12、设置于所述至少一层无机层12的背离衬底母板11的一侧的至少一层金属层13、以及设置于每层金属层13的背离衬底母板11的表面上的有机层14。所述至少一层无机层12的位于过渡区EE内的部分呈台阶状。每层金属层13均包括位于过渡区EE内的残留图案132。有机层14在衬底母板11上的正投影位于切割区DD外，且有机层14的位于过渡区EE内的部分包覆同一个过渡区EE内对应的残留图案132。

此外，在一些实施例中，如图7所示，所述至少一层无机层12的呈台阶状的部分的厚度沿靠近切割区DD的方向逐渐减小。所述至少一层无机层12的呈台阶状的部分的最小厚度大于或等于所述至少一层无机层12的位于切割区DD内的部分的厚度。也即，在所述至少一层无机层12中，其位于切割区DD内的部分的厚度最小。这样便不会因该至少一层无机层12的厚度而影响激光在切割区DD内的切割，并且，利用该至少一层无机层12对衬底母板11进行切割保护，还能有效防止衬底母板11被激光烧焦。

在一些实施例中，如图7所示，显示基板母板1000还包括：设置于最外层有机层14的背离衬底母板11的表面上的导电层15。导电层15在衬底母板11上的正投影位于所述至少一层无机层12的呈台阶状的部分在衬底母板11上的正投影外。

此处，导电层15采用金属材料或包含有金属材料的导电材料，可通过湿法刻蚀工艺制作形成。在制作导电层15的过程中，即便导电层15制作材料中的金属溶解于刻蚀液中并以金属离子的方式存在，在有机层14对相应金属层13的残留图案132的包覆保护下，该金属离子也不会与残留图案132发生金属置换。从而能够避免被置换出的金属单质随着刻蚀液的流动而移动至显示区AA内，造成显示暗点。

可以理解的是，前述一些实施例所述的显示基板100通过激光切割显示基板母板1000获得。也即，显示基板100中的衬底基板101通过切割衬底母板11获得。显示基板100中的至少一层无机膜120通过切割显示基板母板1000中的至少一层无机层12获得。显示基板100中的金属图案130通过切割显示基板母板1000中的金属层13获得。显示基板100中的有机膜140通过切割显示基板母板1000中的有机层14获得。显示基板100中的导电部150通过切割显示基板母板1000中的导电层15获得。由此，衬底基板母板11、前述的至少一层无机层12、金属层13、有机层14以及导电层15的制作材料及其对应结构，可参见前述一些实施例中的相关描述，此处不再赘述。

为了更清楚的说明上述实施例中显示基板母板1000的结构，以下以显示基板母板1000中的金属层13为两层进行示例性的详细说明。

如图8所示，金属层13的层数为两层。两层金属层13包括：第一金属层113，和设置于第一金属层113的背离衬底母板11的一侧的第二金属层213。第一金属层113和第二金属层213之间的有机层14为第一有机层114。第二金属层213的残留图案132形成在第一有机层114的背离衬底母板11的表面上，和/或，形成在所述至少一层无机层12的呈台阶状的且未被第一有机层114覆盖的表面上。

可选的，第一金属层113和第二金属层213采用相同的金属材料制作形成，第一金属层113和第二金属层213均采用多层结构，例如为钛-铝-钛(Ti/Al/Ti)的叠层结构。或者，可选的，第一金属层113和第二金属层213采用不同的金属材料制作形成。在制作第二金属层213的过程中，即便第二金属层213制作材料中的金属溶解于刻蚀液中并以金属离子的方式存在，在第一有机层114对第一金属层113的残留图案132的包覆保护下，该金属离子也不会与残留图案132发生金属置换。

基于上述显示基板母板1000的一些实施例，如图10所示，本公开实施例提供了一种显示基板母板1000的制作方法。所述显示基板母板1000的制作方法用于制作上述一些实施例中的显示基板母板1000。本公开实施例提供的显示基板母板的制作方法1000所能实现的有益效果，与上述实施例提供的显示基板母板1000所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。

请参阅图7和图10，所述显示基板母板1000的制作方法，包括S100～S400。

S100，提供一衬底母板11。

S200，在衬底母板11的一侧制作至少一层无机层12，所述至少一层无机层12的位于过渡区EE内的部分呈台阶状。

S300，在所述至少一层无机层12的背离衬底母板11的一侧制作至少一层金属层13，每层金属层13均包括位于过渡区EE内的残留图案132。

S400，在每层金属层13的背离衬底母板11的表面上制作有机层14，有机层14在衬底母板11上的正投影位于切割区DD外，且有机层14的位于过渡区EE内的部分包覆同一个过渡区EE内对应的残留图案132。

此处，需要说明的是，S300和S400穿插进行，其步骤序号并非对其步骤执行的顺序限定。

在一些实施例中，上述显示基板母板的制作方法还包括S500。

S500，在最外层有机层14的背离衬底母板11的表面上形成导电层15。导电层15在衬底母板11上的正投影位于所述至少一层无机层12的呈台阶状的部分在衬底母板11上的正投影外。

可选的，导电层15采用湿法刻蚀工艺形成。

为了更清楚的说明上述实施例中显示基板母板1000的制作方法，以下以图8所示的显示基板母板1000为例进行详细说明。该显示基板母板1000的制作方法如图9中(a)～(i)所示。

如图9中的(a)所示，提供衬底母板11，并在衬底母板11的一侧通过PECVD工艺沉积至少一层无机层12，例如沿远离衬底母板11的方向沉积的阻挡层112、缓冲层212、栅绝缘层312和层间绝缘层412。

如图9中的(b)所示，对前述的至少一层无机层12的位于切割区DD内以及过渡区EE内的部分，通过EBA(Etch Bending A)MASK进行第一次开孔刻蚀。

如图9中的(c)所示，对前述的至少一层无机层12的位于切割区DD内以及过渡区EE内的部分，通过EBB(Etch Bending B)MASK进行第二次开孔刻蚀。

如图9中的(d)所示，在所述至少一层无机层12的表面上沉积第一金属薄膜0113。

如图9中的(e)所示，采用湿法刻蚀工艺，将第一金属薄膜0113图案化，获得第一金属层113。该第一金属层113包括导电图案131和位于过渡区EE内的残留图案132。

如图9中的(f)所示，在第一金属层113的表面上形成第一有机层114，第一有机层114至少包覆第一金属层113的残留图案132。

如图9中的(g)所示，类似于图9中的(d)～(f)，在第一有机层114的表面上形成第二金属薄膜，并采用湿法刻蚀工艺将第二金属薄膜图案化，获得第二金属层213。该第二金属层213包括导电图案131和位于过渡区EE内的残留图案132。然后，在第二金属层213的表面上形成第二有机层214，第二有机层214至少包覆第二金属层213的残留图案132。

当然，如果显示基板母板1000中有更多的金属层以及对应的有机层，可参见该步骤进行制作。

上述金属薄膜可以为由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)或铝钕合金(AlNd)形成的单层金属薄膜，或者，由铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)或铝钕合金(AlNd)形成的多层金属薄膜，比如：钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)薄膜、钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)薄膜等。此外，金属薄膜的沉积可以通过磁控溅射工艺实现。

如图9中的(h)所示，在第二有机层214的表面上沉积导电薄膜015。

如图9中的(i)所示，采用湿法刻蚀工艺，将导电薄膜015图案化，获得导电层15。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (18)

1.一种显示基板，具有显示区和位于所述显示区的至少一侧的非显示区；其特征在于，所述显示基板，包括：

衬底基板；

设置于所述衬底基板上的至少一层无机膜；所述至少一层无机膜位于所述非显示区内的至少一侧的边缘部分呈台阶状；

设置于所述至少一层无机膜的背离所述衬底基板的一侧的至少一层金属图案；其中，每层金属图案均包括导电图案和残留图案，所述残留图案在所述衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在所述衬底基板上的正投影内；

以及，设置于所述每层金属图案的背离所述衬底基板的一侧的有机膜，所述有机膜的边缘部分包覆对应所述金属图案的残留图案。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分的厚度，沿平行于所述衬底基板且靠近所述衬底基板中的对应侧边界的方向逐渐减小；其中，所述对应侧边界为所述衬底基板的距离所述至少一层无机膜的边缘部分最近的边界。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分的边界在所述衬底基板上的正投影与所述衬底基板中的对应侧边界重合。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，最外层有机膜的边缘部分的边界在所述衬底基板上的正投影，与所述衬底基板中的对应侧边界之间具有间隔；其中，所述对应侧边界为所述衬底基板的距离所述最外层有机膜的边缘部分最近的边界。

5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述至少一层无机膜包括阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜或层间绝缘膜中至少一种的至少一层。

6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述金属图案的层数为两层；两层所述金属图案包括：第一金属图案，和设置于所述第一金属图案的背离所述衬底基板的一侧的第二金属图案；

所述第一金属图案和所述第二金属图案之间的有机膜为第一有机膜；

所述第二金属图案的残留图案形成在所述第一有机膜的背离所述衬底基板的表面上，和/或，形成在所述至少一层无机膜的呈台阶状的且未被所述第一有机膜覆盖的表面上。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，

所述第一金属图案的导电图案包括多个第一电极和多条信号线；其中，所述第一电极包括源漏电极，所述信号线包括数据信号线、电压信号线、时钟信号线或感测信号线中的至少一种；

所述第二金属图案的导电图案包括多条信号线辅助线。

8.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述至少一层无机膜包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜和层间绝缘膜；其中，

所述阻挡膜的边缘部分的凹陷部分构成第一台阶；

所述缓冲膜的边缘部分与所述阻挡膜的边缘部分的非凹陷部分构成第二台阶；

所述栅绝缘膜的边缘部分和所述层间绝缘膜的边缘部分构成第三台阶。

9.根据权利要求8所述的显示基板，其特征在于，

所述第一金属图案的残留图案形成在所述第二台阶上；所述第一有机膜的边缘部分延伸至所述第一台阶上；

所述第二金属图案的残留图案形成在所述第一台阶上；所述第二金属图案的背离所述衬底基板的一侧的有机膜为第二有机膜；所述第二有机膜的边缘部分覆盖在所述第一台阶上。

10.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述至少一层无机膜包括：沿远离所述衬底基板的方向设置的阻挡膜、缓冲膜、栅绝缘膜、第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜；

所述显示基板还包括：

形成在所述缓冲膜的背离所述衬底基板的表面上的半导体图案；

形成在所述栅绝缘膜的背离所述衬底基板的表面上的第一栅极图案；

以及，形成在所述第一层间绝缘膜的背离所述衬底基板的表面上的第二栅极图案；

其中，所述第一金属图案的导电图案位于所述第二层间绝缘膜的背离所述衬底基板的表面，所述第一金属图案的导电图案中的部分还与对应的半导体图案连接。

11.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述阻挡膜的边缘部分的凹陷部分构成第一台阶；所述缓冲膜的边缘部分与所述阻挡膜的边缘部分的非凹陷部分构成第二台阶；所述栅绝缘膜的边缘部分、所述第一层间绝缘膜的边缘部分和所述第二层间绝缘膜的边缘部分构成第三台阶；

所述第一金属图案的残留图案形成在所述第二台阶上，所述第二金属图案的残留图案形成在所述第一台阶上。

12.根据权利要求10所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：形成在所述第一金属图案的导电图案的背离所述衬底基板的表面上的钝化膜；所述第一有机膜的位于所述显示区内的部分位于所述钝化膜的背离所述衬底基板的表面上。

13.根据权利要求1～12任一项所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：设置于最外层有机膜的背离所述衬底基板的表面上的导电部；

所述导电部在所述衬底基板上的正投影位于所述至少一层无机膜的呈台阶状的边缘部分在所述衬底基板上的正投影外。

14.根据权利要求13所述的显示基板，其特征在于，所述导电部包括多个第二电极；所述第二电极包括像素电极。

15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～14任一项所述的显示基板。

16.一种显示基板母板，具有多个显示区、位于每相邻的两个显示区之间的切割区、以及位于每个显示区与对应切割区之间的过渡区；其特征在于，所述显示基板母板包括：

衬底母板；

设置于所述衬底母板上的至少一层无机层；所述至少一层无机层的位于所述过渡区内的部分呈台阶状；

设置于所述至少一层无机层的背离所述衬底母板的一侧的至少一层金属层；每层金属层均包括位于所述过渡区内的残留图案；

以及，设置于所述每层金属层的背离所述衬底母板的表面上的有机层；所述有机层在所述衬底母板上的正投影位于所述切割区外，且所述有机层的位于所述过渡区内的部分包覆同一个所述过渡区内对应的所述残留图案；

所述至少一层无机层的呈台阶状的部分的厚度沿靠近所述切割区的方向逐渐减小；所述至少一层无机层的呈台阶状的部分的最小厚度大于或等于所述至少一层无机层的位于所述切割区内的部分的厚度。

17.根据权利要求16所述的显示基板母板，其特征在于，所述显示基板母板还包括：设置于最外层有机层的背离所述衬底母板的表面上的导电层；

所述导电层在所述衬底母板上的正投影位于所述至少一层无机层的呈台阶状的部分在所述衬底母板上的正投影外。

18.根据权利要求16或17所述的显示基板母板，其特征在于，所述金属层的层数为两层；两层所述金属层包括：第一金属层，和设置于所述第一金属层的背离所述衬底母板的一侧的第二金属层；

所述第一金属层和所述第二金属层之间的有机层为第一有机层；

所述第二金属层的残留图案形成在所述第一有机层的背离所述衬底母板的表面上，和/或，形成在所述至少一层无机层的呈台阶状的且未被所述第一有机层覆盖的表面上。

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