CN115840181A - 充电桩高压采样校准电路、方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种充电桩高压采样校准电路、方法及电子设备，电路包括：高压外侧采样子电路采集高压外侧电压；高压内侧采样子电路采集高压内侧电压；参考电压产生电路产生不同电压的参考电压；第一信号调理子电路根据高压外侧电压和参考电压生成第一校准系数；第二、三信号调理子电路均根据高压内侧电压和参考电压生成第二校准系数；处理子电路根据第一校准系数更新初始校准参数得到高压外侧校准参数，并结合外侧显示电压和高压外侧电压对外侧的电压进行校准；根据第二校准系数更新初始校准参数得到高压内侧校准参数，根据高压内侧校准参数、内侧显示电压和高压内侧电压对内侧的电压进行校准。以此自动对充电桩的测量误差进行校准且校准成本较低。

Description

充电桩高压采样校准电路、方法及电子设备

技术领域

本申请涉及充电技术领域，特别是涉及一种充电桩高压采样校准电路、方法及电子设备。

背景技术

为了实时满足国家能源局标准中预充电功、绝缘检测功能的直流输出接触器内外侧电压不能超过10V要求，规定了充电桩电压测量误差不能超过±5V。为了节省成本，充电桩生产商工厂将充电桩的绝缘检测功能集成到充电监控板上，倘若测量误差超过±5V，预充电功能和绝缘检测功能都将不能使用，使充电桩无法正常充电，因此，需要对充电桩的高压直流采样电路进行校准，以将测量误差控制在±5V，从而保证充电桩能够正常使用。

相关场景中，通常在PCBA功能测试时，对高压直流采样电路进行校准，但是，随着温度变化和使用时间增加，充电桩内的元器件会按其温度系数发生变化，导致采样误差会变大，导致充电桩无法正常使用；在出厂测试时对高压直流采样电路进行校准，也就是在充电桩整机老化测试后进行校准，可以一定程度上克服温度变化引起的元器件老化，但是整机老化测试时间较短，一般不会超过8个小时，远远小于元器件老化时间，元器件随着使用时间和温度变化引起的误差并没有完全解决。在充电桩的屏幕上设计校准系数项，设较高的权限，可以开放给技术售后人员，由技术售后人员进行现场校准。当校对出因测试误差导致不能正常充电时，可以人为修正校准系数。这种方式过于依靠技术人员，增加了人力成本和往返花费。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够自动对充电桩的测量误差进行校准且成本较低的充电桩高压采样校准电路、方法及电子设备。

第一方面，本申请提供了一种充电桩高压采样校准电路，所述电路包括：

高压外侧采样子电路、高压内侧采样子电路、参考电压产生电路；

与所述高压外侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第一信号调理子电路、与所述高压内侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第二信号调理子电路和第三信号调理子电路；

与所述第一信号调理子电路、所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路均连接的处理子电路；

所述高压外侧采样子电路用于，从充电桩的高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压；

所述高压内侧采样子电路用于，从所述高压直流接触器的内侧采集高压内侧电压；

所述参考电压产生电路用于，产生不同电压大小的参考电压；

所述第一信号调理子电路用于，根据所述高压外侧电压以及所述参考电压，生成第一校准系数；

所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路均用于，根据所述高压内侧电压以及所述参考电压，生成第二校准系数；

所述处理子电路用于，根据所述第一校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压外侧校准参数，并根据所述高压外侧校准参数、外侧显示电压以及所述高压外侧电压，对所述高压直流接触器的外侧的电压进行校准；以及，根据所述第二校准系数更新所述初始校准参数，得到更新后的高压内侧校准参数，并根据所述高压内侧校准参数、内侧显示电压以及所述高压内侧电压，对所述高压直流接触器的内侧的电压进行校准。

在其中一个实施例中，所述电路还包括：

与所述高压外侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第一模拟开关子电路、均与所述高压内侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第二模拟开关子电路和第三模拟开关子电路；

所述第一模拟开关子电路用于，根据所述处理子电路提供的外侧电压置位信号，从所述不同电压大小的参考电压中选择第一目标参考信号，所述第一信号调理子电路具体用于根据所述高压外侧电压以及第一目标参考电压，生成第一校准系数；

所述第二模拟开关子电路和所述第三模拟开关子电路用于，根据所述处理子电路提供的内侧电压置位信号，从所述不同电压大小的参考电压中选择第二目标参考信号，所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路具体用于，根据所述高压内侧电压以及第二目标参考电压，生成第二校准系数。

在其中一个实施例中，所述电路还包括：驱动子电路，所述处理子电路通过所述驱动子电路分别与所述第一模拟开关子电路、所述第二模拟开关子电路和所述第三模拟开关子电路连接；

所述驱动子电路用于，根据所述外侧电压置位信号，对所述第一模拟开关子电路中的第一目标参考信号进行置位选择；以及

根据所述内侧电压置位信号，对所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路的第二目标参考信号进行置位选择。

在其中一个实施例中，所述处理子电路具体用于：

根据多个参考子电压的大小关系，根据取值最大的参考子电压以及取值最小的参考子电压，生成所述参考子电压对应的外侧电压置位信号以及内侧电压置位信号。

在其中一个实施例中，所述第一校准系数包括第一斜率校准子参数和第一截距校准子参数；

所述处理子电路具体用于：

根据所述第一斜率校准子参数、所述第一截距校准子参数、所述外侧显示电压以及所述高压外侧采样子电路中各电阻，生成高压外侧校准电压；

将所述高压外侧校准电压与所述高压外侧电压进行比较，得到针对所述高压直流接触器的外侧的电压的校准结果。

在其中一个实施例中，所述高压外侧采样子电路包括：依次串联的电阻R01、电阻R06、电阻R07；

所述处理子电路具体用于：

计算所述电阻R01、所述电阻R06以及所述电阻R07的第一总阻值、所述第一斜率校准子参数与所述电阻R06的第一乘积、以及所述外侧显示电压与所述第一截距校准子参数的第一差值；

计算所述第一总阻值与所述第一乘积的第二乘积，并将所述第二乘积与所述第一差值相除，得到所述高压外侧校准电压。

在其中一个实施例中，所述第二校准系数包括第二斜率校准子参数和第二截距校准子参数；

所述处理子电路具体用于：

根据所述第二斜率校准子参数、所述第二截距校准子参数、所述内侧显示电压以及所述高压内侧采样子电路中各电阻，生成高压内侧校准电压；

将所述高压内侧校准电压与所述高压内侧电压进行比较，得到针对所述高压直流接触器的内侧的电压的校准结果。

在其中一个实施例中，所述高压内侧采样子电路包括：依次串联的电阻R11、电阻R16、电阻R17；

所述处理子电路具体用于：

计算所述电阻R11、所述电阻R16以及电阻R17的第二总阻值、所述第二斜率校准子参数与所述电阻R16的第三乘积、以及所述内侧显示电压与所述第二截距校准子参数的第二差值；

计算所述第二总阻值与所述第三乘积的第四乘积，并将所述第四乘积与所述第二差值相除，得到所述高压内侧校准电压。

第二方面，本申请还提供了一种充电桩高压采样校准方法，所述方法应用于第一方面中任一项所述的充电桩高压采样校准电路，所述方法包括：

从充电桩的高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压以及从所述高压直流接触器的内侧采集高压内侧电压；

产生不同电压大小的参考电压；

根据所述高压外侧电压以及所述参考电压，生成第一校准系数，以及根据所述高压内侧电压以及所述参考电压，生成第二校准系数；

根据所述第一校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压外侧校准参数，并根据所述高压外侧校准参数、外侧显示电压以及所述高压外侧电压，对所述高压直流接触器的外侧的电压进行校准；以及，

根据所述第二校准系数更新所述初始校准参数，得到更新后的高压内侧校准参数，并根据所述高压内侧校准参数、内侧显示电压以及所述高压内侧电压，对所述高压直流接触器的内侧的电压进行校准。

第三方面，本申请还提供了一种电子设备。所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法的步骤。

上述充电桩高压采样校准电路、方法及电子设备，通过高压外侧采样子电路从高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压；高压内侧采样子电路从接触器的内侧采集高压内侧电压；参考电压产生电路产生不同电压的参考电压；第一信号调理子电路根据高压外侧电压和参考电压生成第一校准系数；第二、三信号调理子电路均根据高压内侧电压和参考电压生成第二校准系数；处理子电路根据第一校准系数更新初始校准参数得到高压外侧校准参数，根据高压外侧校准参数、外侧显示电压和高压外侧电压对外侧的电压进行校准；根据第二校准系数更新初始校准参数得到高压内侧校准参数，根据高压内侧校准参数、内侧显示电压和高压内侧电压对内侧的电压进行校准，这样，可以自动校准高压直流检测功能电路，例如每次充电前先进行一次自动校准。避免器件因环境、温度等变化导致测量误差过大而不能正常充电，降低了因绝缘电阻检测和预充电功能不能通过，导致的充电桩不能正常充电的概率，提高了充电桩对环境适应性，同时减少售后技术现场维护次数，缩小了充电桩维护成本。

附图说明

附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：

图1是根据说明书实施例示出的一种充电桩高压采样校准电路的电路图；

图2是根据说明书实施例示出的一种参考电压产生电路的电路图；

图3是根据说明书实施例示出的一种第一信号调理子电路的电路图；

图4是根据说明书实施例示出的一种第二信号调理子电路的电路图；

图5是根据说明书实施例示出的一种第三信号调理子电路的电路图；

图6是根据说明书实施例示出的一种第一模拟开关子电路与驱动子电路连接的电路图；

图7是根据说明书实施例示出的一种生成目标参考信号方法的流程图；

图8是根据说明书实施例示出的一种充电桩高压采样校准方法的流程图。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

为了实现上述目的，本申请提供一种充电桩高压采样校准电路，图1是根据一实施例示出的一种充电桩高压采样校准电路的电路图。应用于充电桩，参见图1所示，充电桩高压采样校准电路包括：高压外侧采样子电路、高压内侧采样子电路、参考电压产生电路；与高压外侧采样子电路和参考电压产生电路均连接的第一信号调理子电路、与高压内侧采样子电路和参考电压产生电路均连接的第二信号调理子电路和第三信号调理子电路；与第一信号调理子电路、第二信号调理子电路和第三信号调理子电路均连接的处理子电路。

高压外侧采样子电路用于，从充电桩的高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压；高压内侧采样子电路用于，从高压直流接触器的内侧采集高压内侧电压；参考电压产生电路用于，产生不同电压大小的参考电压。参见图1所示，本申请实施例中提供2.048、1.008和0.504三个不同电压大小的参考电压。参见图2所示，为本申请提供的一种参考电压产生电路的电路图，其中，该参考电压产生电路中包括多个比较器和电阻，其具体连接方式参见图2。

第一信号调理子电路用于，根据高压外侧电压以及参考电压，生成第一校准系数。请参阅图3所示，为本申请提供的一种第一信号调理子电路的电路图，其具体连接方式参见图3。

第二信号调理子电路和第三信号调理子电路均用于，根据高压内侧电压以及参考电压，生成第二校准系数。请参阅图4所示，为本申请提供的一种第二信号调理子电路的电路图，以及图5所示，为本申请提供的一种第三信号调理子电路的电路图。

处理子电路用于，根据第一校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压外侧校准参数，并根据高压外侧校准参数、外侧显示电压以及高压外侧电压，对高压直流接触器的外侧的电压进行校准；以及，根据第二校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压内侧校准参数，并根据高压内侧校准参数、内侧显示电压以及高压内侧电压，对高压直流接触器的内侧的电压进行校准。

上述电路可以自动校准高压直流检测功能电路，例如每次充电前先进行一次自动校准。避免器件因环境、温度等变化导致测量误差过大而不能正常充电，降低了因绝缘电阻检测和预充电功能不能通过，导致的充电桩不能正常充电的概率，提高了充电桩对环境适应性，同时减少售后技术现场维护次数，缩小了充电桩维护成本。

在其中一个实施例中，继续参阅图1所示，电路还包括：与高压外侧采样子电路和参考电压产生电路均连接的第一模拟开关子电路、均与高压内侧采样子电路和参考电压产生电路均连接的第二模拟开关子电路和第三模拟开关子电路；第一模拟开关子电路用于，根据处理子电路提供的外侧电压置位信号，从不同电压大小的参考电压中选择第一目标参考信号，第一信号调理子电路具体用于根据高压外侧电压以及第一目标参考电压，生成第一校准系数；第二模拟开关子电路和第三模拟开关子电路用于，根据处理子电路提供的内侧电压置位信号，从不同电压大小的参考电压中选择第二目标参考信号，第二信号调理子电路和第三信号调理子电路具体用于，根据高压内侧电压以及第二目标参考电压，生成第二校准系数。

请继续参阅图1所示，在其中一个实施例中，电路还包括：驱动子电路，处理子电路通过驱动子电路分别与第一模拟开关子电路、第二模拟开关子电路和第三模拟开关子电路连接；驱动子电路用于，根据外侧电压置位信号，对第一模拟开关子电路中的第一目标参考信号进行置位选择；以及根据内侧电压置位信号，对第二信号调理子电路和第三信号调理子电路的第二目标参考信号进行置位选择。

其中，在图1中，A10和A11即为驱动子电路发送的外侧电压置位信号，通过改变A10和A11的信号大小（置0或置1），从不同电压大小的参考电压（2.048V、1.008V、0.504V）中选择一个作为第一目标参考信号。A20和A21、A30和A31即为两个内侧电压置位信号，通过分别改变A20和A21、A30和A31的信号大小（置0或置1），从不同电压大小的参考电压（2.048V、1.008V、0.504V）中选择一个分别作为第二目标参考信号。

具体示例，参见图6所示，为本申请示出的一种第一模拟开关子电路与驱动子电路连接的电路图。第一模拟开关子电路通过设置模拟多路复用器U1，根据3位二进制地址线A0、A1和EN所确定的地址，将四路输入之一切换至公共输出D。例如，当EN置1、A0置0且A1置0时，公共输出D即输出S1端口的信号，即为2.048V。驱动子电路中通过设置线性光耦，将处理子电路发送的外侧电压置位信号进行信号转换，并发送给第一模拟开关子电路进行置位选择。可以理解的是，第二模拟开关子电路和第三模拟开关子电路也可以采用上述实施例的设置，此处不再一一赘述。

在其中一个实施例中，处理子电路具体用于：根据多个参考子电压的大小关系，根据取值最大的参考子电压以及取值最小的参考子电压，生成参考子电压对应的外侧电压置位信号以及内侧电压置位信号。

参见图7所示，为本申请示出的一种生成目标参考信号方法的流程图，其中，目标参考信号可以包括第一目标参考信号和第二目标参考信号。首先，处理子电路生成用于对前一次校准使用的第一目标参考信号、第二目标参考信号置0的置位信号，使得电路中各标志位均置0；其次，根据参考电压中电压取值最大的2.048计算采样电压V_2.048，进而判断采样电压V_2.048是否处于第一预设范围内，例如，第一预设范围可以是2.017-2.068，如果采样电压V_2.048不处于第一预设范围内，则将参考电压中电压取值最大的2.048的标志位置1，并将2.048作为目标参考信号。

进一步地，如果采样电压V_2.048处于第一预设范围内，则根据参考电压中电压取值最小的0.504计算采样电压V_0.504，进而判断采样电压V_0.504是否处于第二预设范围内，例如，第二预设范围可以是0.499-0.509，如果采样电压V_0.504不处于第二预设范围内，则将参考电压中电压取值最小的0.504的标志位置1，并将0.504作为目标参考信号。

再进一步地，如果采样电压V_0.504处于第二预设范围内，根据0.504及对应的显示电压，2.048及对应的显示电压求解线性函数的斜率和截距。例如，计算斜率K，截距B校准系数计算采用两点线性的校准方法：

设x1=2.048，CPU处理器内部AD读到数值为y1；

设x2=0.504，CPU处理器内部AD读到数值为y2；

可得到如下方程组：

y1=K*x1+B （1）

y2=K*x2+B （2）

联合（1）和（2），便可以求出来

K=（y1-y2）/（x1-x2）,

B=（y2*x1-y1*x2）/（x1-x2）。

进一步地，根据参考电压中电压取值居中的1.008计算采样电压V_1.008，进而判断采样电压V_1.008是否处于第三预设范围内，例如，第三预设范围可以是1.003-1.013，如果采样电压V_1.008不处于第三预设范围内，则将参考电压中电压取值居中的1.008的标志位置1，并将1.008作为目标参考信号。如果采样电压V_1.008处于第三预设范围内，则可以确定充电桩故障，进行故障报警。

在其中一个实施例中，第一校准系数包括第一斜率校准子参数和第一截距校准子参数；

处理子电路具体用于：根据第一斜率校准子参数、第一截距校准子参数、外侧显示电压以及高压外侧采样子电路中各电阻，生成高压外侧校准电压；将高压外侧校准电压与高压外侧电压进行比较，得到针对高压直流接触器的外侧的电压的校准结果。

在其中一个实施例中，高压外侧采样子电路包括：依次串联的电阻R01、电阻R06、电阻R07；本申请实施例中，电阻R01和电阻R07均可以为多个串联的电阻或者多个并联组成的电阻，其阻值为4MΩ，电阻R06为22KΩ的电阻。

处理子电路具体用于：计算电阻R01、电阻R06以及电阻R07的第一总阻值、第一斜率校准子参数与电阻R06的第一乘积、以及外侧显示电压与第一截距校准子参数的第一差值；计算第一总阻值与第一乘积的第二乘积，并将第二乘积与第一差值相除，得到高压外侧校准电压。

在其中一个实施例中，第二校准系数包括第二斜率校准子参数和第二截距校准子参数；

处理子电路具体用于：根据第二斜率校准子参数、第二截距校准子参数、内侧显示电压以及高压内侧采样子电路中各电阻，生成高压内侧校准电压；将高压内侧校准电压与高压内侧电压进行比较，得到针对高压直流接触器的内侧的电压的校准结果。

在其中一个实施例中，高压内侧采样子电路包括：依次串联的电阻R11、电阻R16、电阻R17；本申请实施例中，电阻R11和电阻R17均可以为多个串联的电阻或者多个并联组成的电阻，其阻值为4MΩ，电阻R16也可以为多个串联的电阻或者多个并联组成的电阻。

处理子电路具体用于：计算电阻R11、电阻R16以及电阻R17的第二总阻值、第二斜率校准子参数与电阻R16的第三乘积、以及内侧显示电压与第二截距校准子参数的第二差值；计算第二总阻值与第三乘积的第四乘积，并将第四乘积与第二差值相除，得到高压内侧校准电压。

基于相同的发明构思，本申请实施例还提供一种充电桩高压采样校准方法，方法应用于前述实施例中任一项的充电桩高压采样校准电路，参见图8所示，方法包括：

在步骤S11中，从充电桩的高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压以及从高压直流接触器的内侧采集高压内侧电压；

在步骤S12中，产生不同电压大小的参考电压；

在步骤S13中，根据高压外侧电压以及参考电压，生成第一校准系数，以及根据高压内侧电压以及参考电压，生成第二校准系数；

在步骤S14中，根据第一校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压外侧校准参数，并根据高压外侧校准参数、外侧显示电压以及高压外侧电压，对高压直流接触器的外侧的电压进行校准；以及，

在步骤S15中，根据第二校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压内侧校准参数，并根据高压内侧校准参数、内侧显示电压以及高压内侧电压，对高压直流接触器的内侧的电压进行校准。

本申请实施例的充电桩高压采样校准方法，与上述实施中的充电桩高压采样校准电路所执行的具体步骤相同，此处不再一一赘述。应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric RandomAccess Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccessMemory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述电路包括：

高压外侧采样子电路、高压内侧采样子电路、参考电压产生电路；

与所述高压外侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第一信号调理子电路、与所述高压内侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第二信号调理子电路和第三信号调理子电路；

与所述第一信号调理子电路、所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路均连接的处理子电路；

所述高压外侧采样子电路用于，从充电桩的高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压；

所述高压内侧采样子电路用于，从所述高压直流接触器的内侧采集高压内侧电压；

所述参考电压产生电路用于，产生不同电压大小的参考电压；

所述第一信号调理子电路用于，根据所述高压外侧电压以及所述参考电压，生成第一校准系数；

所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路均用于，根据所述高压内侧电压以及所述参考电压，生成第二校准系数；

所述处理子电路用于，根据所述第一校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压外侧校准参数，并根据所述高压外侧校准参数、外侧显示电压以及所述高压外侧电压，对所述高压直流接触器的外侧的电压进行校准；以及，根据所述第二校准系数更新所述初始校准参数，得到更新后的高压内侧校准参数，并根据所述高压内侧校准参数、内侧显示电压以及所述高压内侧电压，对所述高压直流接触器的内侧的电压进行校准。

2.根据权利要求1所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述电路还包括：

与所述高压外侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第一模拟开关子电路、均与所述高压内侧采样子电路和所述参考电压产生电路均连接的第二模拟开关子电路和第三模拟开关子电路；

所述第一模拟开关子电路用于，根据所述处理子电路提供的外侧电压置位信号，从所述不同电压大小的参考电压中选择第一目标参考信号，所述第一信号调理子电路具体用于根据所述高压外侧电压以及第一目标参考电压，生成第一校准系数；

所述第二模拟开关子电路和所述第三模拟开关子电路用于，根据所述处理子电路提供的内侧电压置位信号，从所述不同电压大小的参考电压中选择第二目标参考信号，所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路具体用于，根据所述高压内侧电压以及第二目标参考电压，生成第二校准系数。

3.根据权利要求2所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述电路还包括：驱动子电路，所述处理子电路通过所述驱动子电路分别与所述第一模拟开关子电路、所述第二模拟开关子电路和所述第三模拟开关子电路连接；

所述驱动子电路用于，根据所述外侧电压置位信号，对所述第一模拟开关子电路中的第一目标参考信号进行置位选择；以及

根据所述内侧电压置位信号，对所述第二信号调理子电路和所述第三信号调理子电路的第二目标参考信号进行置位选择。

4.根据权利要求3所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述处理子电路具体用于：

根据多个参考子电压的大小关系，根据取值最大的参考子电压以及取值最小的参考子电压，生成所述参考子电压对应的外侧电压置位信号以及内侧电压置位信号。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述第一校准系数包括第一斜率校准子参数和第一截距校准子参数；

所述处理子电路具体用于：

根据所述第一斜率校准子参数、所述第一截距校准子参数、所述外侧显示电压以及所述高压外侧采样子电路中各电阻，生成高压外侧校准电压；

将所述高压外侧校准电压与所述高压外侧电压进行比较，得到针对所述高压直流接触器的外侧的电压的校准结果。

6.根据权利要求5所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述高压外侧采样子电路包括：依次串联的电阻R01、电阻R06、电阻R07；

所述处理子电路具体用于：

计算所述电阻R01、所述电阻R06以及所述电阻R07的第一总阻值、所述第一斜率校准子参数与所述电阻R06的第一乘积、以及所述外侧显示电压与所述第一截距校准子参数的第一差值；

计算所述第一总阻值与所述第一乘积的第二乘积，并将所述第二乘积与所述第一差值相除，得到所述高压外侧校准电压。

7.根据权利要求1至4中任意一项所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述第二校准系数包括第二斜率校准子参数和第二截距校准子参数；

所述处理子电路具体用于：

根据所述第二斜率校准子参数、所述第二截距校准子参数、所述内侧显示电压以及所述高压内侧采样子电路中各电阻，生成高压内侧校准电压；

将所述高压内侧校准电压与所述高压内侧电压进行比较，得到针对所述高压直流接触器的内侧的电压的校准结果。

8.根据权利要求7所述的充电桩高压采样校准电路，其特征在于，所述高压内侧采样子电路包括：依次串联的电阻R11、电阻R16、电阻R17；

所述处理子电路具体用于：

计算所述电阻R11、所述电阻R16以及电阻R17的第二总阻值、所述第二斜率校准子参数与所述电阻R16的第三乘积、以及所述内侧显示电压与所述第二截距校准子参数的第二差值；

计算所述第二总阻值与所述第三乘积的第四乘积，并将所述第四乘积与所述第二差值相除，得到所述高压内侧校准电压。

9.一种充电桩高压采样校准方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1至8中任一项所述的充电桩高压采样校准电路，所述方法包括：

从充电桩的高压直流接触器的外侧采集高压外侧电压以及从所述高压直流接触器的内侧采集高压内侧电压；

产生不同电压大小的参考电压；

根据所述高压外侧电压以及所述参考电压，生成第一校准系数，以及根据所述高压内侧电压以及所述参考电压，生成第二校准系数；

根据所述第一校准系数更新初始校准参数，得到更新后的高压外侧校准参数，并根据所述高压外侧校准参数、外侧显示电压以及所述高压外侧电压，对所述高压直流接触器的外侧的电压进行校准；以及，

根据所述第二校准系数更新所述初始校准参数，得到更新后的高压内侧校准参数，并根据所述高压内侧校准参数、内侧显示电压以及所述高压内侧电压，对所述高压直流接触器的内侧的电压进行校准。

10.一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求9所述的方法的步骤。

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