CN115820466B - 硫自养反硝化菌株、菌制剂及其应用 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及生物工程,应用在微生物处理废水技术领域。本申请提供了一种硫自养反硝化菌株、菌制剂及其应用。硫自养反硝化菌株为氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans),保藏编号为CGMCC No.25134。本申请的硫自养反硝化菌株能够有效去除高盐高硝氮废水中的NO3 ,去除率高达99.5%,尤其适用于盐浓度为1%~4%的废水脱氮处理。

Description

硫自养反硝化菌株、菌制剂及其应用
技术领域
本申请涉及生物工程技术领域,尤其是涉及一种硫自养反硝化菌株、菌制剂及其应用。
背景技术
目前,硝氮污水处理技术研究最多的是生物法,生物法主要是由反硝化菌参与。反硝化菌以NO3—N为电子受体进行反硝化作用,在无氧条件下,最终将硝氮还原为氮气。在这个过程中,NO3—N代替氧气作为最终电子受体,当电子从供体转移到受体时,产生能量,以供微生物维持生长和活动所需。反硝化菌根据所能够利用的碳源形式不同,又分为异养反硝化菌和自养反硝化菌。目前污水处理中常用的大多是异养反硝化菌,异养反硝化菌需要以水中的有机物作为电子供体,在实际应用过程中,经常会因为水中有机物的成分和含量的问题而需额外投加有机碳,但是由于很难精确地计算所需的有机碳总量,容易对水体会造成二次污染;而且在硝氮还原为氮气的过程中,硝氮首先会还原为亚硝氮(NO2—N),亚硝氮是一种毒性物质,会导致高铁血红蛋白血症,影响人体健康。
自养反硝化菌是一类利用H2、单质Fe、单质硫、硫化物等无机物质作为电子供体,以NO3—N为电子受体进行反硝化作用,可将NO3—N直接转为氮气。自养硝化菌以二氧化碳等无机物作为碳源,无需投加额外的有机物,降低了运行成本以及后续的二次污染,而且产泥量较异养硝化菌少,可有效的减少污泥量,具有很好的应用前景。
然而,目前的自养反硝化菌对于高盐浓度的高硝氮废水难以处理,主要是由于高盐会对微生物产生较强的抑制作用,进而使硝氮难以被微生物利用降解,因此,即使经过自养反硝化菌处理过的污水也难以达到可排放标准。
所以,筛选出一种可适用于高盐高硝氮废水的自养反硝化菌具有极高应用价值。
发明内容
为了改善目前自养反硝化菌难以处理高盐浓度的高硝氮废水的问题,本申请提供了一种硫自养反硝化菌株,能够有效去除高盐高硝氮废水中的NO3 -,去除率高达99.5%,尤其适用于盐浓度为1%~4%的废水脱氮处理。
第一方面,本申请提供了一种硫自养反硝化菌株,该菌株分离自皮革污水处理厂生化池活性污泥,通过对其形态特征、生理生化检测及16S rDNA基因序列分析初步鉴定为氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans),该菌株的16S rDNA的核苷酸序列如SEQ IDNo.1所示。本申请将该菌株命名为HZ-006。该菌株已于2022年06月20日保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏编号为CGMCC No.25134,保藏地址为北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研究所。该菌株能够有效去除高盐高硝氮废水中的NO3-,去除率高达99.5%,尤其适用于盐浓度为1%~4%的废水脱氮处理。
第二方面,本申请还提供了一种硫自养反硝化菌制剂,所述硫自养反硝化菌制剂中含有保藏编号为CGMCC No.25134的硫自养反硝化菌株,所述硫自养反硝化菌制剂为固态或液态菌制剂。
通过提供该硫自养反硝化菌株的不同形态,均可保留其良好的脱氮性能。
第三方面,本申请还提供了所述硫自养反硝化菌株或硫自养反硝化菌制剂在高盐高硝氮废水中脱氮处理的应用。
第四方面,本申请还提供了一种高盐高硝氮废水的脱氮处理的方法,包括将含硫自养反硝化菌株或硫自养反硝化菌制剂的菌液加入到高盐高硝氮废水中的步骤,所述菌液的添加量为体积比0.1%~2%。
通过采用以上的技术方案,可实现高盐高硝氮废水中高效脱氮的目的。
可选地,所述菌液在加入到高盐高硝氮废水之前经过了活化处理的步骤,所述活化处理是将所述硫自养反硝化菌株挑取单菌落或将所述硫自养反硝化菌制剂接种到装有培养基的容器中,在初始pH=5.0~7.0、温度为20℃~35℃、盐浓度为1%~3%、130~150r/min摇床中进行缺氧培养24-48h,获得活化的菌液。
通过采用以上的技术方案,通过将硫自养反硝化菌株采用活化处理,对其进行高密度培养,使得菌液浓度达到最佳,获得较好的脱氮性能。
可选地,所述培养基包括:基础培养基、葡萄糖、NaCl和单质硫,且每1L基础培养基中,配有5g葡萄糖、10~30gNaCl和2g单质硫。
通过采用以上的技术方案,能够使硫自养反硝化菌株充分活化,达到最好的活化效果。
可选地,所述高盐高硝氮废水中的盐含量为1%~4%。
通过采用以上的技术方案,氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)在盐含量为1%~4%的高硝氮废水中能够充分降解硝氮,具有良好的脱氮效果。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益效果:
1、本申请提供的氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)菌株,能够有效去除高盐高硝氮废水中的NO3-,去除率高达99.5%,尤其适用于盐浓度为1%~4%的废水脱氮处理。
2、本申请的氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)菌株,经过活化处理后,脱氮效果显著,24h后即可将废水中的NO3 -降解到1mg/L以下,远低于一级排放标准(<5mg/L)的要求。
附图说明
图1为本申请的氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)菌株HZ-006的扫描电镜照片;
图2为本申请实施例1中所构建的筛选菌株和相似菌种的系统发育树;
图3为本申请实施例3中培养基中硝氮、亚硝氮和氨氮的含量变化的折线图。
用于专利程序的微生物保存:
保藏日期:2022年06月20日
保藏单位:中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心
保藏单位地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研究所
保藏编号:CGMCC No.25134
分类命名:氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)。
具体实施方式
硫自养反硝化技术的研究最早起源于20世纪70年代,该技术的核心原理是硫氧化细菌在缺氧或者厌氧条件下将还原态的硫化物(S0,S2-,SO3 2-)作为电子供体,并将NO3—N作为电子受体,将其还原为N2。由于作为电子供体的硫化物廉价易得,受水质影响小,且已易于被利用,因此硫自养反硝化技术一直被认为是处理低C/N污水时用来替代传统异养硝化工艺的最佳工艺,反硝化过程中也不产生亚硝酸盐。常用的电子供体包括硫铁矿、硫代硫酸盐和单质硫(粉末)。由于硫铁矿容易板结、矿石中常有生物毒性,而硫代硫酸盐由于成本高,容易投加过量等缺点,无法在工程中使用。而单质硫粉由于其价格便宜,粉末的形状提供了更大的比表面积给微生物菌群,易于反应的传质效率,是目前硫自养反硝化反应最佳的电子供体。
为了对本发明的技术特征、目的和有益效果有更加清楚的理解,现对本发明中的氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)的特点及应用中所具有的技术效果,但本发明并不因此而受到任何限制。
【实施例1】
硫自养反硝化氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)菌株的分离及鉴定
1、菌株富集
采用河北开阳某皮革污水处理厂生化池活性污泥作为筛选富集用泥。取活性污泥100ml与富集培养基(配方是基础培养基+2g/L单质硫)150ml混合后放入300ml顶空瓶中缺氧富集,另外加入足量的单质硫粉(5-10g/L)在25℃条件下,140r/min摇床缺氧培养。每隔5天检测上清液中硝酸盐(NO3 -)的含量,如已经降解完,则将上清液全部替换为新鲜的基础培养基继续富集培养,如此重复5-7次后,取混匀的富集物进行分离和纯化。
2、菌株分离和纯化
取1ml混匀的富集物进行梯度稀释,稀释液采用灭菌后的富集培养基,富集物稀释成10-1、10-2、10-3、10-4、10-5、10-6共6个梯度,每个梯度取100ul分别涂布于含单质硫的固体富集培养基(配方是基础培养基+2g/L单质硫+2%琼脂粉)上,每个梯度做5个平行,在25℃,微好氧条件下(O2浓度6-12%,CO2浓度5-8%)培养72-84h,挑取平板上长出的不同菌落进行划线纯化。通过3-4轮的划线纯化,最后得到1株菌株,命名为HZ-006。
3、菌株鉴定
(1)菌株形态
菌株HZ-006在固体富集培养基上划线,于25℃下微好氧条件下培养24-48h。菌落直径为0.5-1.2mm,菌落呈乳白色,隆起,表面光滑没有光泽,圆形,边缘光滑,不透明,无臭无味。通过扫描电镜观察菌株显微形态。图1是本发明的硫自养反硝化氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)菌株的扫描电镜照片。参见图1,可知该菌为短杆菌,长0.5-1μm。
(2)生理生化检测
对菌株HZ-006的生理生化鉴定参照《伯杰细菌鉴定手册》第八版操作,鉴定结果为非发酵革兰氏阴性菌,兼性厌氧菌。该菌株的营养多样化,可利用有机物培养也可无机培养。氧化酶阴性,V.P.实验阴性,明胶固化,柠檬酸可利用,鸟氨酸,精氨酸等可利用,产吲哚阴性。结果如下表所示:
(3)分子生物学鉴定
对菌株HZ-006进行16S rRNA鉴定,所得序列如SEQ ID No.1所示。
SEQ ID No.1:
AGCGGCAGACGGGTGAGTAACGCGTGGGAATCTACCCATCCCTACGGAACAACTCCGGGAAACTGGAGCTAATACCGTATACGCCCTTAGGGGGAAAGATTTATCGGGGATGGATGAGCCCGCGTTGGATTAGCTAGTTGGTGGGGTAAAGGCCTACCAAGGCGACGATCCATAGCTGGTCTGAGAGGATGATCAGCCACATTGGGACTGAGACACGGCCCAAACTCCTACGGGAGGCAGCAGTGGGGAATATTGGACAATGGGCGCAAGCCTGATCCAGCCATGCCGCGTGAGTGATGAAGGCCTTAGGGTTGTAAAGCTCTTTCACCGGTGAAGATAATGACGGTAACCGGAGAAGAAGCCCCGGCTAACTTCGTGCCAGCAGCCGCGGTAATACGAAGGGGGCTAGCGTTGTTCGGAATTACTGGGCGTAAAGCGCATGTAGGCGGACATTTAAGTCAGGGGTGAAATCCCGGGGCTCAACCTCGGAACTGCCTTTGATACTGGGTGTCTAGAGTGTGGAAGAGGTAAGTGGAATTCCGAGTGTAGAGGTGAAATTCGTAGATATTCGGAGGAACACCAGTGGCGAAGGCGGCTTACTGGTCCATTACTGACGCTGAGGTGCGAAAGCGTGGGGAGCAAACAGGATTAGATACCCTGGTAGTCCACGCCGTAAACGATGAATGTTAGCCGTCGGGCAGTTGACTGTTCGGTGGCGCAGCTAACGCATTAAACATTCCGCCTGGGGAGTACGGTCGCAAGATTAAAACTCAAAGGAATTGACGGGGGCCCGCACAAGCGGTGGAGCATGTGGTTTAATTCGAAGCAACGCGCAGAACCTTACCAGCTCTTGACATCCGGGTCGCGGACAGTGGAGACATTGTCCTTCAGTTAGGCTGGACCCAGGACAGGTGCTGCATGGCTGTCGTCAGCTCGTGTCGTGAGATGTTGGGTTAAGTCCCGCAACGAGCGCAACCCTCGCCCTTAGTTGCCAGCATTTAGTTGGGCACTCTAAGGGGACTGCCGGTGATAAGCCGAGAGGAAGGTGGGGATGACGTCAAGTCCTCATGGCCCTTACGGGCTGGGCTACACACGTGCTACAATGGTGGTGACAGTGGGCAGCGAGACCGCGAGGTCGAGCTAATCTCCAAAAGCCATCTCAGTTCGGATTGCACTCTGCAACTCGAGTGCATGAAGTTGGAATCGCTAGTAATCGCGGATCAGCATGCCGCGGTGAATACGTTCCCGGGCCTTGTACACACCGCCCGTCACACCATGGGAGTTGG
将测序结果与Genbank数据库中的已知序列进行相似度对比,如图2所示,菌株HZ-006与氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)序列同源性最高,鉴定为氧化硫环杆菌Ciceribacter thiooxidans。
综合来看,本申请经得到的菌株HZ-006为氧化硫环杆菌(Ciceribacterthiooxidans)。该菌株HZ-006已保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心(CGMCC)(地址:北京市朝阳区北辰西路1号院3号,中国科学院微生物研究所,邮政编码:100101),保藏日期:2022年06月20日,保藏编号为:CGMCC No.25134,分类命名:氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)。
【实施例2】
菌株HZ-006的培养基配方及培养条件筛选
本实施例采用单因素分析方法,对菌株HZ-006的培养基进行筛选以及培养基中盐浓度、不同碳源种类、不同初始pH、不同培养温度这四个方面进行筛选,筛选出最佳的适用于氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)HZ-006的生长条件。
本示例所采用的基础培养基的配方为:
KNO3 0.72g/L;NaHCO3 1000mg/L;CaCl2·2H2O 136mg/L;
Trace elementⅠ1ml;Trace elementⅡ1.25ml;
Trace elementⅠ:EDTA 5000mg/L;FeSO4 5000mg/L;
Trace elementⅡ:ZnSO4·7H2O 430mg/L;CoCl2·6H2O 240mg/L;MnCl2·4H2O990mg/L;CuSO4·5H2O 250mg/L;NiCl2·6H2O 190mg/L;H3BO4 14mg/L。
本示例中关于NaCl的含量1%是指在每1L基础培养基中的NaCl质量为10g,碳源的含量0.5%是指在每1L基础培养基中的碳源质量为5g,单质硫的含量2g/L是指在每1L基础培养基中的单质硫质量为2g。
(1)菌株培养基筛选实验方法:配置表1中的培养基,分别取3ml到玻璃管中进行灭菌待用;挑取固体富集培养基上的单菌落到上述各培养基中;在25℃,130r/min摇床中进行缺氧培养48h,检测各培养基中的菌浓度(OD600),检测结果见表2。
表1
表2
实验例 OD600
1 0.065
2 0.163
3 1.628
4 1.238
5 1.073
从表2的结果可以看出,菌浓度生长效果最好的培养基为实验例3的培养基,因此之后的实验都在此培养基基础上进行调整。
(2)培养基中盐浓度筛选实验方法:配置表3中的培养基,并在其中添加硝酸盐,分别取3ml到玻璃管中进行灭菌待用;挑取固体富集培养基上的单菌落到上述各培养基中;在25℃,150r/min摇床中进行缺氧培养48h,检测各培养基中的菌浓度(OD600)、硝酸盐(NO3 -)浓度和培养基的pH值,检测结果见表4。
表3
表4
从表4的结果可以看出,盐浓度在1%-3%时候,菌株生长最好,而且在此范围内,随着盐浓度升高,硝氮的浓度也随之降低。
(3)培养基中碳源筛选实验方法:配置表5中的培养基,实验例11-16中的区别在于碳源选择不同。将实验例11-16中的培养基分别取3ml到玻璃管中进行灭菌待用;挑取固体富集培养基上的单菌落到上述各培养基中;在25℃,150r/min摇床中进行缺氧培养48h,检测各培养基中的菌浓度(OD600)、硝酸盐(NO3 -)浓度和培养基的pH值,检测结果见表6。
表5
表6
从表6的结果来看,酵母提取物、葡萄糖、胰蛋白胨作为碳源时菌株生长的都很好,结合硝氮去除率,可以选择葡萄糖作为最佳碳源。
(4)培养基初始pH值筛选
以实验例3的培养基配方(基础培养基+0.5%酵母提取物+1%NaCl+2g/L单质硫)为基础,将培养基的pH分别调整为3.0,4.0,5.0,6.0,7.0,8.0,9.0和10.0八个梯度,初始硝氮浓度为300mg/L,在25℃,150r/min摇床,缺氧培养48h后,检测不同实验组中菌液浓度(OD600),硝酸盐(NO3 -)浓度和培养基pH的变化,结果见表7。
表7
从表7的结果可以得出,当pH在5.0-7.0的时候菌株生长最好,同时考虑到当pH在5.0时,硝氮降解最多,因此后续采用pH5.0作为最佳初始pH。
(5)培养温度筛选
将菌种接种至实验例3的培养基配方(基础培养基+0.5%酵母提取物+1%NaCl+2g/L单质硫),培养基初始pH为7.0,初始硝氮浓度为300mg/L。培养温度分别设置为20℃,25℃,30℃,35℃,40℃,在25℃,150r/min摇床,缺氧培养48h后,检测不同实验组中菌液浓度(OD600),硝酸盐(NO3 -)浓度和培养基pH的变化,结果见表8。
表8
从表8中可以看出,当温度在20-35℃时,菌株生长情况最好,且在温度为20℃时,硝氮去除率最多。因此选择20℃作为最佳培养温度。
【实施例3】脱氮效果验证
将实施例1中筛选出的菌株挑取单菌落接种到装有经过实施例2筛选优化的高密度培养基(基础培养基+0.5%葡萄糖+3%NaCl+2g/L单质硫)中,初始pH5.0,20℃,130r/min,缺氧培养48h,进行活化。再将活化后的菌株按照1%(v/v)接种于培养基中,20℃,130r/min,缺氧培养48h,每隔12h检测培养基中硝氮、亚硝氮和氨氮的含量变化,实验结果见表9。
表9
从表9的结果可以看出,菌株在48h内,将培养基中的硝氮从178mg/L降至0.93mg/L,基本上将硝氮完全降解了,同时亚硝氮和氨氮均没有升高,说明硝氮可能转变为氮气或者菌体中的有机氮,对于污水中硝氮的去除有重要意义。
根据能量守恒定律,氮元素不会在培养基中无故消失。一般情况下,培养基中硝氮的去向是转化为亚硝氮、氨氮、氮气和菌体中的有机氮,其中亚硝氮和氨氮会对水体产生污染。因此,通过测定培养基中的亚硝氮和氨氮含量,可以反向推断氮元素的去向。当培养基中的硝氮含量下降,且亚硝氮和氨氮并没有大量上升时,可以推测硝氮转变为菌体以及氮气,达到了利用菌株氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)处理含硝氮的污水,而不产生其他污染物的目的。
【实施例4】脱氮应用示例
取污水处理厂高盐高硝氮废水,废水中含盐浓度达到2.8%,硝氮浓度为200mg/L。
将实施例1中筛选出的菌株挑取单菌落接种到装有经过实施例2筛选优化的高密度培养基(基础培养基+0.5%葡萄糖+3%NaCl+2g/L单质硫)中,初始pH5.0,20℃,130r/min,缺氧培养48h,进行活化。
按照1%(v/v)的比例将活化后的菌株加入到污水中,进行缺氧培养。同时设置一组不加菌的水样作为对照例1。缺氧培养24h后,检测水样中硝氮的变化,结果见表10。
表10
从表10的结果可以看出,经过24h后,实施例4的废水中硝氮即下降至0.3816mg/L,满足一级排放标准(<5mg/L)的出水要求。
【实施例5】脱氮应用示例
将实施例1中筛选出的菌株挑取单菌落接种到装有经过实施例2筛选优化的高密度培养基(基础培养基+0.5%葡萄糖+3%NaCl+2g/L单质硫)中,初始pH5.0,20℃,130r/min,缺氧培养24-48h,进行活化。
取另一污水处理厂高盐废水,废水中含盐浓度1%,硝氮浓度调整为200mg/L,同时取低盐废水(盐浓度0.5%),硝氮浓度调整为200mg/L作为对照例2,另设置一组不加菌的废水作为对照例3,按照1%(v/v)的比例将活化后的菌株加入到污水中,缺氧培养24h后,检测水样中硝氮的变化,结果见表11。
表11
从表中可以看出,实施例5中硝氮降解率达到了99.5%,当盐浓度低于1%的时候,菌株降解硝氮的能力大大下降,仅有15.23%;因此菌株氧化硫环杆菌(Ciceribacterthiooxidans)适合处理盐浓度1%以上的污水。
【实施例6】脱氮应用示例
将实施例1中筛选出的菌株挑取单菌落接种到装有经过实施例2筛选优化的高密度培养基(基础培养基+0.5%葡萄糖+3%NaCl+2g/L单质硫)中,初始pH5.0,20℃,130r/min,缺氧培养24-48h,进行活化。
取另一污水处理厂高盐废水,废水中含盐浓度4%,硝氮浓度调整为200mg/L同时将废水中的含盐量调整为4.5%,作为对照例4,另设置一组不加菌的废水作为对照例5,按照1%(v/v)的比例将活化后的菌株加入到污水中,缺氧培养24h后,检测水样中硝氮的变化,结果见表12。
表12
从表中可以看出,当盐浓度大于4%的时候,菌株的脱氮性能就被严重抑制了,硝氮的降解率由96.5%降至3.5%,因此,菌株氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)的能承受的污水盐浓度的上限为4%。
【实施例7】脱氮应用示例
实施例7与实施例4的区别仅在于,按照0.1%(v/v)的比例将活化后的菌株加入到污水中,进行缺氧培养。同时设置一组不加菌的水样作为对照例6。缺氧培养24h后,检测水样中硝氮的变化,结果见表13。
表13
当菌株接种比例为0.1%时,其处理高硝氮废水的能力减弱,硝氮的降解率为95.45%。
【实施例8】脱氮应用示例
实施例8与实施例4的区别仅在于,按照2%(v/v)的比例将活化后的菌株加入到污水中,进行缺氧培养。同时设置一组不加菌的水样作为对照例7。缺氧培养24h后,检测水样中硝氮的变化,结果见表14。
表14
当菌株接种比例为2%时,硝氮的降解率为99.83%。
综上,本申请的菌株氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)具有较强的污水脱氮效果,主要适用于盐浓度为1%~4%的污水,填补了目前高盐浓度废水处理领域微生物脱氮处理的空白。

Claims (8)

1.一株氧化硫环杆菌(Ciceribacter thiooxidans)菌株HZ-006,所述菌株的保藏编号为CGMCC NO.25134。
2.根据权利要求1所述的氧化硫环杆菌菌株HZ-006,其特征在于,所述氧化硫环杆菌菌株HZ-006的16S rDNA的核苷酸序列如SEQ ID No .1所示。
3.一种硫自养反硝化菌制剂,其特征在于,所述硫自养反硝化菌制剂中含有权利要求1所述的氧化硫环杆菌菌株HZ-006,所述硫自养反硝化菌制剂为固态或液态菌制剂。
4. 如权利要求1或2所述的氧化硫环杆菌菌株HZ-006或权利要求3所述的硫自养反硝化菌制剂在高盐高硝氮废水中脱氮处理的应用,所述高盐高硝氮废水中的废水盐浓度为1-4%,硝氮浓度为200 mg/L。
5. 一种高盐高硝氮废水的脱氮处理的方法,其特征在于,包括将含权利要求1或2所述的氧化硫环杆菌菌株HZ-006或权利要求3所述的硫自养反硝化菌制剂的菌液加入到高盐高硝氮废水中的步骤,所述菌液的添加量为体积比0.1%~2%,所述高盐高硝氮废水中的废水盐浓度为1-4%,硝氮浓度为200 mg/L。
6.根据权利要求5所述的高盐高硝氮废水的脱氮处理的方法,其特征在于,所述菌液在加入到高盐高硝氮废水之前经过了活化处理的步骤,所述活化处理是将所述氧化硫环杆菌菌株HZ-006挑取单菌落或将所述硫自养反硝化菌制剂接种到装有培养基的容器中,在初始pH=5.0~7.0、温度为20℃~35℃、盐浓度为1%~3%、130~150r/min摇床中进行缺氧培养24-48h,获得活化的菌液。
7. 根据权利要求6所述的高盐高硝氮废水的脱氮处理的方法,其特征在于,所述培养基包括:基础培养基、碳源、NaCl和单质硫,且每1L基础培养基中,配有5g碳源、10~30g NaCl和2g单质硫。
8.根据权利要求7所述的高盐高硝氮废水的脱氮处理的方法,其特征在于,所述碳源为酵母膏、葡萄糖或胰蛋白胨。
CN202211154897.4A 2022-09-21 2022-09-21 硫自养反硝化菌株、菌制剂及其应用 Active CN115820466B (zh)

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