CN115769490A - 滤波器装置以及具备该滤波器装置的高频前端电路 - Google Patents

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Abstract

本发明的滤波器装置(100)具备：输入端子(T1)、输出端子(T2)、主体(110)、设置于主体(110)的共用电极(PC)、接地端子(GND)、与共用电极(PC)以及接地端子(GND)连接的LC并联谐振器(RC1～RC3)。各谐振器包括电容器、第一导通孔以及第二导通孔。第一导通孔的一端与共用电极(PC)连接，另一端经由电容器与接地端子(GND)连接。第二导通孔的一端与共用电极(PC)连接，另一端不经由电容器与接地端子(GND)连接。在共用电极(PC)中的供相邻的两个谐振器的第一导通孔连接的部分之间连接有第二导通孔。

Description

滤波器装置以及具备该滤波器装置的高频前端电路
技术领域
本公开涉及滤波器装置以及具备该滤波器装置的高频前端电路，更特定而言，涉及用于提高层叠LC滤波器的特性的技术。
背景技术
在国际公开第2019/097774号(专利文献1)中公开了在输入端子与输出端子之间配置有四级的LC并联谐振器的层叠型的带通滤波器。在国际公开第2019/097774号(专利文献1)的带通滤波器中，在与输入端子连接的谐振器以及与输出端子连接的谐振器之间形成有串联连接的两个电容器(第一电容器、第二电容器)，在该两个电容器的连接节点与接地点之间形成有第三电容器。通过设为这样的结构，能够使比通带靠低频侧的衰减极的频率几乎不变化，而使比通带靠高频侧的衰减极的频率变化。
专利文献1：国际公开第2019/097774号。
国际公开第2019/097774号(专利文献1)的形成带通滤波器所包含的各LC并联谐振器的电感器由在多层构造的电介质基板的层叠方向上形成的两个导通孔导体和连接该导通孔导体的线路导体形成，各LC并联谐振器的线路导体相互分离而配置。在这样的带通滤波器中调整谐振器间的磁耦合的情况下，一般而言，通过形成电感器的导通孔导体的位置(间隔)的变更、或者谐振器彼此的间隔的变更来进行。
然而，若变更导通孔导体的配置，则由于电感器的空芯直径变化而有可能Q值降低。另外，在变更特定的谐振器彼此的间隔的情况下，对与其它的谐振器的磁耦合也产生影响，反而有可能损耗变大。
上述那样的带通滤波器有时用于以移动电话或者智能手机为代表的便携式的通信设备。在这样的便携终端中，要求进一步的小型化以及轻薄化，但伴随此，若使滤波器小型化，则进一步限制导通孔导体的配置的自由度，因此可能难以调整谐振器间的磁耦合。
发明内容
本公开是为了解决这样的课题而完成的，其目的在于在包含多个LC并联谐振器的多级型的层叠滤波器中，抑制Q值的降低的同时，调整谐振器间的磁耦合。
本公开所涉及的滤波器装置具备：输入端子、输出端子、主体、设置于主体的共用电极、接地端子、与共用电极以及接地端子连接的第一～第三LC并联谐振器。各谐振器包括电容器、第一导通孔以及第二导通孔。第一导通孔的一端与共用电极连接，另一端经由电容器与接地端子连接。第二导通孔的一端与共用电极连接，另一端不经由电容器与接地端子连接。在共用电极中的供相邻的两个谐振器的第一导通孔连接的部分之间连接有第二导通孔。
在本公开的滤波器装置中，相互磁耦合的多个LC并联谐振器(第一LC并联谐振器～第三LC并联谐振器)由共用电极连接。通过设为这样的结构，不限制构成各谐振器的电感器的导通孔的配置，相邻的LC并联谐振器彼此的磁耦合通过共用电极的形状来调整。因此，在多级型的LC滤波器中，能够抑制Q值的降低并且调整谐振器间的磁耦合。
附图说明
图1是具有应用实施方式1的滤波器装置的高频前端电路的通信装置的框图。
图2是实施方式1的滤波器装置的等效电路图。
图3是图2的滤波器装置的外观立体图。
图4是表示图2的滤波器装置的层叠构造的一个例子的分解立体图。
图5是图2的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图6是用于说明比较例的滤波器装置中的谐振器的配置的图。
图7是表示图2的滤波器装置的通过特性的图。
图8是用于说明磁耦合调整的第一例的图。
图9是表示图8的第一例中的通过特性的图。
图10是用于说明磁耦合调整的第二例的图。
图11是表示图8的第二例中的通过特性的图。
图12是变形例1的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图13是变形例2的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图14是变形例3的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图15是变形例4的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图16是表示实施方式2的滤波器装置的层叠构造的一个例子的分解立体图。
图17是图16的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图18是表示图16的滤波器装置的通过特性的图。
图19是实施方式3的滤波器装置的等效电路图。
图20是表示图19的滤波器装置的层叠构造的分解立体图。
图21是图19的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图22是表示图19的滤波器装置的通过特性的图。
图23是变形例5的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图24是变形例6的滤波器装置中的共用电极的俯视图。
图25是表示实施方式4的滤波器装置的层叠构造的一个例子的分解立体图。
图26是表示图25的滤波器装置的通过特性的图。
图27是用于说明共用电极以及内部屏蔽的有无对外部屏蔽的影响的图。
具体实施方式
以下，参照附图并对本公开的实施方式进行详细说明。此外，对图中相同或者相当的部分标注相同的附图标记，不反复其说明。
[实施方式1]
(通信装置的基本结构)
图1是具有应用实施方式1的滤波器装置的高频前端电路20的通信装置10的框图。通信装置10例如是移动电话基站。
参照图1，通信装置10具备：天线12、高频前端电路20、混频器30、局部振荡器32、D/A转换器(DAC)40以及RF电路50。另外，高频前端电路20包括带通滤波器22、28、放大器24以及衰减器26。此外，在图1中，对高频前端电路20包括从天线12发送高频信号的发送电路的情况进行说明，但高频前端电路20也可以包括经由天线12接收高频信号的接收电路。
通信装置10将从RF电路50传递的发送信号上变频为高频信号并从天线12放射。从RF电路50输出的发送信号即调制完毕的数字信号通过D/A转换器40转换为模拟信号。混频器30将通过D/A转换器40从数字信号转换为模拟信号的发送信号与来自局部振荡器32的振荡信号进行混合并上变频为高频信号。带通滤波器28除去由上变频产生的无用波，仅提取所希望的频带的发送信号。衰减器26调整发送信号的强度。放大器24将通过衰减器26的发送信号功率放大至规定的电平。带通滤波器22除去在放大过程中产生的无用波，并且仅使由通信标准确定的频带的信号成分通过。通过带通滤波器22的发送信号从天线12放射。
作为上述那样的通信装置10中的带通滤波器22、28，能够采用与本公开对应的滤波器装置。
(滤波器装置的结构)
接下来，使用图2～图5，对实施方式1的滤波器装置100的详细的结构进行说明。
图2是滤波器装置100的等效电路图。参照图2，滤波器装置100具备输入端子T1、输出端子T2以及谐振器RC1～RC4。谐振器RC1～RC4的各个是将电感器和电容器并联连接的LC并联谐振器。
谐振器RC1包括串联连接的电感器L1A、L1B、和与该电感器L1A、L1B并联连接的电容器C1。电感器L1A和电容器C1的连接节点N1A经由电容器C0与输入端子T1连接。电感器L1B和电容器C1的连接节点N1B与接地端子GND连接。
谐振器RC2包括串联连接的电感器L2A、L2B、和与该电感器L2A、L2B并联连接的电容器C2。电感器L2A和电容器C2的连接节点N2A经由电容器C5与输出端子T2连接。电感器L2B和电容器C2的连接节点N2B与接地端子GND连接。
谐振器RC3包括串联连接的电感器L3A、L3B、和与该电感器L3A、L3B并联连接的电容器C3。电感器L3A和电容器C3的连接节点N3A经由电容器C13与谐振器RC1的连接节点N1A连接。电感器L3B和电容器C3的连接节点N3B与接地端子GND连接。
谐振器RC4包括串联连接的电感器L4A、L4B、和与该电感器L4A、L4B并联连接的电容器C4。电感器L4A和电容器C4的连接节点N4A经由电容器C24与谐振器RC2的连接节点N2A连接。电感器L4B和电容器C4的连接节点N4B与接地端子GND连接。
另外，谐振器RC1的连接节点N1A和谐振器RC2的连接节点N2A经由电容器C12连接。并且，各谐振器中的两个电感器的连接节点彼此相互连接。将谐振器共用连接的该部分与图4等中后述的共用电极PC对应。
各谐振器彼此通过磁耦合而耦合。这样，滤波器装置100具有在输入端子T1与输出端子T2之间配置有相互磁耦合的四级的谐振器的结构。通过调整各谐振器的谐振频率，滤波器装置100作为使所希望的频带的信号通过的带通滤波器发挥功能。
此外，与输入端子T1连接的电容器C0以及与输出端子T2连接的电容器C5不是必须的，谐振器RC1、RC2也可以与输入端子T1以及输出端子T2分别直接连接。
图3是滤波器装置100的外观立体图，图4是表示滤波器装置100的层叠构造的一个例子的分解立体图。
参照图3以及图4，滤波器装置100具备通过将多个电介质层LY1～LY12在层叠方向上层叠而形成的长方体或者大致长方体的主体110。电介质层LY1～LY12例如由低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)等陶瓷、或者树脂形成。在主体110的内部，通过设置于各电介质层的多个电极、以及设置于电介质层间的多个导通孔构成用于构成LC谐振电路的电感器以及电容器。此外，在本说明书中，“导通孔”表示为了连接设置于不同的电介质层的电极而设置于电介质层中的导体。导通孔例如由导电糊剂、镀层、以及/或者金属销等形成。
此外，在以下的说明中，将主体110中的电介质层LY1～LY12的层叠方向设为“Z轴方向”，将与Z轴方向垂直且沿着主体110的长边的方向设为“X轴方向”，将沿着主体110的短边的方向设为“Y轴方向”。另外，在以下，有时将各图中的Z轴的正方向称为上侧，将负方向称为下侧。
在主体110的上表面111(第一层LY1)配置有用于确定滤波器装置100的方向的方向性标记DM。在主体110的下表面112(第十二层LY12)配置有用于连接该滤波器装置100和外部设备的外部端子(输入端子T1、输出端子T2以及接地端子GND)。输入端子T1、输出端子T2以及接地端子GND的各个是平板状的电极，是规则地配置于主体110的下表面112的LGA(Land Grid Array：连接盘网格阵列)端子。
如图2中说明那样，滤波器装置100具有四级的LC并联谐振器。更具体而言，包括：构成为包含导通孔V1A、V1B以及电容器电极P2的谐振器RC1、构成为包含导通孔V2A、V2B以及电容器电极P8的谐振器RC2、构成为包含导通孔V3A、V3B以及电容器电极P3的谐振器RC3、构成为包含导通孔V4A、V4B以及电容器电极P7的谐振器RC4。
谐振器RC1的电容器电极P2以及谐振器RC2的电容器电极P8设置于第十层LY10。电容器电极P2与设置于第十一层LY11的平板电极P1对置。通过电容器电极P2和平板电极P1构成图2的电容器C0。平板电极P1通过导通孔V0与设置于第十二层LY12的输入端子T1连接。
电容器电极P8与设置于第十一层LY11的平板电极P9对置。通过电容器电极P8和平板电极P9构成图2的电容器C5。平板电极P9通过导通孔V5与设置于第十二层LY12的输出端子T2连接。
谐振器RC1的电容器电极P2通过导通孔V1A与设置于第二层LY2的共用电极PC连接。另外，共用电极PC通过导通孔V1B与设置于第九层LY9的平板电极PG1连接。平板电极PG1通过导通孔VG1、VG2、VG3与设置于第十一层LY11的平板电极PG2连接。并且，平板电极PG2通过导通孔VG4、VG5与设置于第十二层LY12的接地端子GND连接。电容器电极P2的一部分也与平板电极PG1对置，通过电容器电极P2和平板电极PG1构成图2中的电容器C1。此外，导通孔V1A以及导通孔V1B与图2中的电感器L1A以及电感器L1B分别对应。
谐振器RC2的电容器电极P8通过导通孔V2A与设置于第二层LY2的共用电极PC连接。另外，共用电极PC通过导通孔V2B与设置于第九层LY9的平板电极PG1连接。电容器电极P8的一部分也与平板电极PG1对置，通过电容器电极P8和平板电极PG1构成图2中的电容器C2。此外，导通孔V2A以及导通孔V2B与图2中的电感器L2A以及电感器L2B分别对应。
谐振器RC3的电容器电极P3以及谐振器RC4的电容器电极P7设置于第八层LY8。电容器电极P3通过导通孔V3A与设置于第二层LY2的共用电极PC连接。另外，共用电极PC通过导通孔V3B与设置于第九层LY9的平板电极PG1连接。电容器电极P3与平板电极PG1对置，通过电容器电极P3和平板电极PG1构成图2的电容器C3。此外，导通孔V3A以及导通孔V3B与图2中的电感器L3A以及电感器L3B分别对应。
电容器电极P7通过导通孔V4A与设置于第二层LY2的共用电极PC连接。另外，共用电极PC通过导通孔V4B与设置于第九层LY9的平板电极PG1连接。电容器电极P7与平板电极PG1对置，通过电容器电极P7和平板电极PG1构成图2的电容器C4。此外，导通孔V4A以及导通孔V4B与图2中的电感器L4A以及电感器L4B分别对应。
谐振器RC1的导通孔V1A也与设置于第七层LY7的平板电极P4连接。平板电极P4的一部分与谐振器RC3的电容器电极P3对置。通过平板电极P4和电容器电极P3构成图2中的电容器C13。
谐振器RC2的导通孔V2A也与设置于第七层LY7的平板电极P6连接。平板电极P6的一部分与谐振器RC4的电容器电极P7对置。通过平板电极P6和电容器电极P7构成图2中的电容器C24。
另外，平板电极P4的一部分以及平板电极P6的一部分与设置于第六层LY6的平板电极P5对置。通过平板电极P4～P6构成图2中的电容器C12。
在以下的说明中，将各谐振器中经由电容器与接地端子GND连接的导通孔V1A、V2A、V3A、V4A称为“第一导通孔”。另外，将各谐振器中不经由电容器地与接地端子GND连接的导通孔V1B、V2B、V3B、V4B称为“第二导通孔”。
图5是滤波器装置100中的共用电极PC的俯视图。共用电极PC由具有第一端部E1以及第二端部E2的带状的布线图案构成。在图5中，共用电极PC具有将沿着主体110的短边(Y轴)的布线图案PT1、PT3、PT5、PT7和沿着主体110的长边(X轴)的布线图案PT2、PT4、PT6交替地连接的曲折形状。布线图案PT1～PT7的线宽相同。
在共用电极PC的第一端部E1(即，布线图案PT1的一端)连接有谐振器RC1的导通孔V1A。在布线图案PT1的另一端(即，布线图案PT2的一端)连接有谐振器RC1的导通孔V1B。在布线图案PT2的另一端(即，布线图案PT3的一端)连接有谐振器RC3的导通孔V3A。在布线图案PT3的另一端(即，布线图案PT4的一端)连接有谐振器RC3的导通孔V3B。
在布线图案PT4的另一端(即，布线图案PT5的一端)连接有谐振器RC4的导通孔V4B。在布线图案PT5的另一端(即，布线图案PT6的一端)连接有谐振器RC3的导通孔V4A。在布线图案PT6的另一端(即，布线图案PT7的一端)连接有谐振器RC2的导通孔V2B。在布线图案PT7的另一端(即，共用电极PC的第二端部E2)连接有谐振器RC2的导通孔V2A。如图5所示，在共用电极PC中，为了确保滤波器特性的对称性，各导通孔配置为相对于假想线CL1成为线对称。
这样，沿着共用电极PC，在谐振器RC1的导通孔V1A与谐振器RC3的导通孔V3A(第一导通孔)之间配置有谐振器RC1的导通孔V1B(第二导通孔)。另外，沿着共用电极PC，在谐振器RC2的导通孔V2A与谐振器RC4的导通孔V4A(第一导通孔)之间配置有谐振器RC2的导通孔V2B(第二导通孔)。并且，沿着共用电极PC，在谐振器RC3的导通孔V3A与谐振器RC4的导通孔V4A(第一导通孔)之间配置有谐振器RC3的导通孔V3B以及谐振器RC4的导通孔V4B(第二导通孔)。
换言之，在沿着共用电极PC的路径中，在相邻的两个谐振器的第一导通孔被连接的部分之间连接有第二导通孔。此外，相邻的导通孔V3B以及导通孔V4B都经由平板电极PG1、PG2以及导通孔VG1、VG2、VG3、VG4、VG5与接地端子GND连接，因此这两个导通孔如图5的虚线的导通孔V34B那样可以考虑为一个导通孔。这样，成为第一导通孔和第二导通孔沿着共用电极PC从第一端部E1朝向第二端部E2交替地配置的结构。
这样，多个LC并联谐振器与带状的共用电极连接，经由电容器与接地端子GND连接的“第一导通孔”和不经由电容器与接地端子GND连接的“第二导通孔”沿着该共用电极交替地配置，从而相邻的谐振器彼此电感耦合。
此处，作为由多个LC并联谐振器构成的多级型的滤波器装置，已知有构成各谐振器的线路导体相互分离而配置的结构。例如，在国际公开第2019/097774号(专利文献1)中，如图6所示的滤波器装置200那样，构成各谐振器的电感器的导通孔由按各谐振器相互独立的单个布线电极PD1～PD4连接。
一般而言，为了提高滤波器装置的特性，需要提高Q值。在使用了上述那样的多级型的LC并联谐振器的滤波器装置中，Q值由于各谐振器中的电感器的空芯直径、即导通孔间隔受到影响。具体而言，具有各谐振器中的电感器的空芯直径越大Q值越高的趋势。因此，在滤波器装置中，配置有导通孔，使得各谐振器的导通孔间隔尽可能变宽。
另一方面，为了实现所希望的滤波器特性，有时需要调整各谐振器间的磁耦合的强度。谐振器间的磁耦合的强度能够通过谐振器彼此的距离(间隔)来调整，但在多级型的滤波器装置的情况下，各谐振器彼此相互耦合，若变更特定的谐振器间的距离，则除此以外的谐振器的耦合状态也可能变化，因此基于谐振器间的距离的调整有可能伴随设计上的困难。因此，从设计上的简便出发，虽然有可能Q值变低，但一般使用通过导通孔间隔的变更来调整耦合状态的方法。然而，在进一步使滤波器装置小型化的情况下，进一步限制导通孔的配置的自由度，有可能无法实现所希望的滤波器特性。
在实施方式1的滤波器装置100中，如上述说明那样，构成为构成多个LC并联谐振器RC1～RC4的电感器的导通孔与共用电极PC连接，经由电容器与接地端子GND连接的“第一导通孔”和不经由电容器与接地端子GND连接的“第二导通孔”沿着该共用电极PC交替地配置。这样，相邻的谐振器彼此由共用电极连接，从而在特别是配置于主体110的中心附近的谐振器RC3、RC4中，相对于一个第一导通孔配置有两个以上的第二导通孔，因此能够减少损耗。另外，通过调整共用电极的形状(例如，线宽或者线路长度)，能够变更谐振器间的耦合状态。由此，在各谐振器中，能够在能够实现最佳的Q值的位置配置导通孔，因此能够抑制Q值的降低并且调整谐振器间的磁耦合。
接下来，使用图7～图11，对实施方式1的滤波器装置100中的、基于共用电极的形状的变更的磁耦合的调整例进行说明。
图7是表示具有图5所示的形状的共用电极PC的滤波器装置100中的从输入端子T1向输出端子T2的插入损耗(实线LN10)、以及图6所示的比较例的滤波器装置200中的插入损耗(虚线LN11)的图。此外，下部分的图7的(b)是上部分的图7的(a)中的区域RG1的部分的放大图。
参照图7，在实施方式1的滤波器装置100中，与比较例的滤波器装置200相比，比通带靠低频侧的非通带中的衰减极向通带侧移动。由此，如图7的(b)所示，通带向低频侧扩大，进而非通带中的陡峭度提高。另外，在实施方式1的滤波器装置100中，比通带靠高频侧的非通带中的衰减极的衰减量与比较例的滤波器装置200相比较大。这样，通过设为在共用电极PC连接有各谐振器的结构，从而能够扩大通带并且改善陡峭度。
准备具有与实施方式1的滤波器装置100不同的形状的共用电极PC的滤波器装置100A和滤波器装置100B。图8是滤波器装置100A中的共用电极PC的俯视图。如图8所示，在滤波器装置100A中，共用电极PC中的布线图案PT2和布线图案PT6的线宽W1比图5所示的滤波器装置100的共用电极PC宽。即，在滤波器装置100A中，共用电极PC中的布线图案PT2和布线图案PT6的线宽比布线图案PT1、PT3、PT4、PT5、PT7的线宽宽。图9是表示具有图8所示的形状的共用电极PC的滤波器装置100A中的插入损耗的图。图10是滤波器装置100B中的共用电极PC的俯视图。如图10所示，在滤波器装置100B中，共用电极PC中的布线图案PT4的线宽W2比图5所示的滤波器装置100的共用电极PC宽。即，在滤波器装置100B中，共用电极PC中的布线图案PT4的线宽比布线图案PT1～PT3、PT5～PT7的线宽宽。图11是表示具有图10所示的形状的共用电极PC的滤波器装置100B中的插入损耗的图。此外，在图9以及图11中，为了比较，用虚线LN10表示图5的情况的插入损耗。
参照图9，在使共用电极PC的布线图案PT2、PT6的线宽W1比布线图案PT1、PT3、PT4、PT5、PT7的线宽宽的情况下，比通带靠低频侧的衰减极的频率与布线图案PT1～PT7的线宽相同的图5的情况相比，向通带侧偏移(图9中的实线LN20)。即，通带的低频侧的衰减的陡峭度提高。这是因为，由于布线图案PT2、PT6的线宽的扩大，最远的谐振器间、即谐振器RC1与谐振器RC2之间的最短距离变短，谐振器RC1与谐振器RC2之间的磁耦合的灵敏度变高。这意味着图2的等效电路中的电感器L1A、L2A的电感值变小，谐振器整体中的电感器L1B、L2B的比例变大。
接下来，参照图11，在使共用电极PC的布线图案PT4的线宽W2比布线图案PT1～PT3、PT5～PT7的线宽宽的情况下，通带的高频侧向更高频侧偏移，通带宽度扩大(图11中的实线LN30)。这是因为由于布线图案PT4的线宽的扩大，谐振器RC3与谐振器RC4之间的最短距离变短，谐振器RC3与谐振器RC4之间的磁耦合的灵敏度变高。这意味着图2的等效电路中的电感器L3A、L4A的电感值变小，谐振器整体中的电感器L3B、L4B的比例变大。
如以上那样，在由多个LC并联谐振器构成的滤波器装置中，设为各谐振器由共用电极连接的结构，通过变更该共用电极的形状，能够将谐振器间的磁耦合调整为与所希望的滤波器特性相应的耦合状态。该情况下，不需要变更各谐振器中构成电感器的导通孔的配置，因此能够抑制Q值的降低。
[变形例]
在以下的变形例中，对滤波器装置所包含的LC并联谐振器的级数不同的情况、以及谐振器的导通孔配置不同的情况的例子进行说明。
(变形例1)
图12是变形例1的滤波器装置100C中的共用电极PC1的俯视图。滤波器装置100C是包括三个LC并联谐振器的结构的例子。
参照图12，在滤波器装置100C中，在主体110中，沿着与X轴平行的一个长边配置有各谐振器中的第一导通孔V10A、V11A、V12A，沿着另一个长边配置有第二导通孔V10B、V11B。共用电极PC1设置为大致W形状，使得从导通孔V10A经由导通孔V10B、导通孔V11A以及导通孔V11B到达导通孔V12A。即，在共用电极PC1中，沿着从第一端部朝向第二端部的路径，第一导通孔以及第二导通孔呈锯齿状交替地配置。
此外，在滤波器装置100C中，为了使导通孔成为相对于假想线CL1线对称的配置，包括导通孔V11A的谐振器的第二导通孔与导通孔V10B以及/或者导通孔V11B被共用。
在这样的结构中，将连接导通孔V10A以及V10B的布线图案、以及连接导通孔V10B以及V11A的布线图案的线宽向箭头AR11的方向调整，从而能够调整第一级和第二级的谐振器的磁耦合、以及第一级和第三级的谐振器的磁耦合。
另外，将连接导通孔V10B以及V11A的布线图案、以及连接导通孔V11A以及V11B的布线图案的线宽向箭头AR12的方向调整，从而能够调整第二级和第三级的谐振器的磁耦合。
并且，将连接导通孔V11A以及V11B的布线图案、以及连接导通孔V11B以及V12A的布线图案的线宽向箭头AR13的方向调整，从而能够调整第二级和第三级的谐振器的磁耦合、以及第一级和第三级的谐振器的磁耦合。
如以上那样，在滤波器装置包括三个LC并联谐振器的情况下，将各谐振器与共用电极连接，通过变更共用电极的线宽等，也能够不变更导通孔位置地调整谐振器间的耦合状态。因此，能够抑制Q值的降低，并且调整谐振器间的耦合。
(变形例2)
图13是变形例2的滤波器装置100D中的共用电极PC2的俯视图。滤波器装置100D与实施方式1同样，包括四个LC并联谐振器，但与滤波器装置100相比，导通孔的配置不同。
参照图13，在滤波器装置100D中，与变形例1同样，沿着主体110的一个长边配置有第一导通孔V20A～V23A，沿着另一个长边配置有第二导通孔V20B～V22B。共用电极PC2设置为从导通孔V20A经由导通孔V20B、导通孔V21A、导通孔V21B、导通孔V22A、以及导通孔V22B到达导通孔V23A。即，在共用电极PC2中，沿着从第一端部朝向第二端部的路径，第一导通孔以及第二导通孔呈锯齿状交替地配置。
此外，在滤波器装置100D中，为了将导通孔配置为相对于假想线CL1线对称，任意一个谐振器的第二导通孔与相邻的谐振器的第二导通孔被共用。
在这样的结构中，将连接导通孔V20A以及V20B的布线图案、以及连接导通孔V20B以及V21A的布线图案的线宽向箭头AR21的方向调整，从而能够调整第一级和第二级的谐振器的磁耦合、第一级和第三级的谐振器的磁耦合、以及第一级和第四级的谐振器的磁耦合。
另外，将连接导通孔V21A以及V21B的布线图案、以及连接导通孔V21B以及V22A的布线图案的线宽向箭头AR22的方向调整，从而能够调整第二级和第三级的谐振器的磁耦合。
并且，将连接导通孔V22A以及V22B的布线图案、以及连接导通孔V22B以及V23A的布线图案的线宽向箭头AR23的方向调整，从而能够调整第一级和第四级的谐振器的磁耦合、第二级和第四级的谐振器的磁耦合、以及第三级和第四级的谐振器的磁耦合。
如以上那样，在滤波器装置中的导通孔的配置不同的情况下，将各谐振器与共用电极连接，通过变更共用电极的线宽等，也能够不变更导通孔位置地调整谐振器间的耦合状态。因此，能够抑制Q值的降低，并且调整谐振器间的耦合。
(变形例3)
图14是变形例3的滤波器装置100E中的共用电极PC3的俯视图。滤波器装置100E是包括五个LC并联谐振器的结构的例子。
参照图14，在滤波器装置100E中，沿着主体110的一个长边配置有第一导通孔V30A、第二导通孔V31B、第二导通孔V32B以及第一导通孔V34A，沿着另一个长边配置有第二导通孔V30B、第一导通孔V31A～V33A以及第二导通孔V33B。共用电极PC3设置为从导通孔V30A经由导通孔V30B、导通孔V31A、导通孔V31B、导通孔V32A、导通孔V32B、导通孔V33A以及导通孔V33B到达导通孔V34A。
在滤波器装置100E中，为了将导通孔配置为相对于假想线CL1线对称，任意一个谐振器的第二导通孔与相邻的谐振器的第二导通孔被共用。此外，在五级的滤波器装置中，也可以如变形例1以及变形例2那样，将导通孔配置为锯齿状。
在这样的结构中，将连接导通孔V30A以及V30B的布线图案、以及连接导通孔V30B以及V31A的布线图案的线宽向箭头AR31的方向调整，从而能够调整第一级和第二级的谐振器的磁耦合、第一级和第三级的谐振器的磁耦合、第一级和第四级的谐振器的磁耦合、以及第一级和第五级的谐振器的磁耦合。
另外，将连接导通孔V31A以及V31B的布线图案、以及连接导通孔V31B以及V32A的布线图案的线宽向箭头AR32的方向调整，从而能够调整第二级和第三级的谐振器的磁耦合、以及第二级和第四级的谐振器的磁耦合。
另外，将连接导通孔V32A以及V32B的布线图案、以及连接导通孔V32B以及V323的布线图案的线宽向箭头AR33的方向调整，从而能够调整第二级和第四级的谐振器的磁耦合、以及第三级和第四级的谐振器的磁耦合。
并且，将连接导通孔V33A以及V33B的布线图案、以及连接导通孔V33B以及V34A的布线图案的线宽向箭头AR34的方向调整，从而能够调整第一级和第五级的谐振器的磁耦合、第二级和第五级的谐振器的磁耦合、第三级和第五级的谐振器的磁耦合、以及第四级和第五级的谐振器的磁耦合。
如以上那样，在滤波器装置包括五个LC并联谐振器的情况下，将各谐振器与共用电极连接，通过变更共用电极的线宽等，也能够不变更导通孔位置地调整谐振器间的耦合状态。因此，能够抑制Q值的降低，并且调整谐振器间的耦合。
(变形例4)
图15是变形例4的滤波器装置100F中的共用电极PC4的俯视图。滤波器装置100F与实施方式1以及变形例2同样，包括四个LC并联谐振器，但导通孔的配置进一步不同。更具体而言，在滤波器装置100F中，导通孔配置为成为点对称。
参照图15，在滤波器装置100F中，沿着主体110的一个长边配置有第一导通孔V40A、第二导通孔V41B、第一导通孔V42A以及第二导通孔V43B，沿着另一个长边配置有第二导通孔V40B、第一导通孔V41A、第二导通孔V42B以及第一导通孔V43A。共用电极PC4设置为从导通孔V40A经由导通孔V40B、导通孔V41A、导通孔V41B、导通孔V42B、导通孔V42A、导通孔V43B到达导通孔V43A。在共用电极PC4中，配置有导通孔以使得相对于点CP成为点对称。
这样，在滤波器装置中导通孔配置为点对称的情况下，将各谐振器与共用电极连接，通过变更共用电极的线宽等，也能够不变更导通孔位置地调整谐振器间的耦合状态。因此，能够抑制Q值的降低，并且调整谐振器间的耦合。
此外，关于本公开的特征，对六级以上的滤波器装置也能够应用。
[实施方式2]
在实施方式1的图8以及图10中，对通过调整连接谐振器间的布线图案的线宽来调整磁耦合的方法进行了说明。
在实施方式2中，对关于与输入输出端子连接的谐振器RC1以及谐振器RC2的磁耦合的其它的调整例进行说明。
图16是表示实施方式2的滤波器装置100G的层叠构造的一个例子的分解立体图。另外，图17是图16的滤波器装置100G中的共用电极PC1的俯视图。
参照图16，在滤波器装置100G中，成为将实施方式1的图4中说明的滤波器装置100中的共用电极PC置换为共用电极PC1，将导通孔V3B、V4B如图5中说明那样置换为一个导通孔V34B，进而追加了设置于第七层LY7的平板电极P10的结构。在滤波器装置100G中，不反复与图4重复的要素的说明。
平板电极P10具有大致U字形状，在第七层LY7，配置在平板电极P4以及平板电极P6之间。平板电极P10与导通孔V34B连接，经由导通孔V34B，与共用电极PC1以及平板电极PG1(即接地端子GND)连接。平板电极P10与设置于第六层LY6的平板电极P5、以及设置于第八层LY8的电容器电极P3、P7电容耦合。通过平板电极P10，增加谐振器RC1～RC4中的电容器C1～C4(图2)的电容。
另外，在设置于第二层LY2的共用电极PC1中，如图17所示，成为布线图案PT2的与布线图案PT1、PT3的连接位置、以及布线图案PT6的与布线图案PT5、PT7的连接位置向Y轴的正方向移动的结构。换言之，布线图案PT2连接在布线图案PT1的供谐振器RC1的导通孔V1A(第一导通孔)连接的部分与供导通孔V1B(第二导通孔)连接的部分之间、以及连接在布线图案PT3的供谐振器RC3的导通孔V3A(第一导通孔)连接的部分与供导通孔V34B(第二导通孔)连接的部分之间。另外，布线图案PT6连接在布线图案PT7的供谐振器RC2的导通孔V2A(第一导通孔)连接的部分与供导通孔V2B(第二导通孔)连接的部分之间、以及连接在布线图案PT5的供谐振器RC4的导通孔V4A(第一导通孔)连接的部分与供导通孔V34B(第二导通孔)连接的部分之间。
连接谐振器RC1和谐振器RC3的布线图案PT2接近谐振器RC1的开放端侧(即，导通孔V1A侧)，从而从导通孔V1A到导通孔V34B的路径的最短距离变短，因此能够加强谐振器RC1和谐振器RC3的磁耦合。同样地，连接谐振器RC2和谐振器RC4的布线图案PT6接近谐振器RC4的开放端侧(即，导通孔V2A侧)，从而从导通孔V2A到导通孔V34B的路径的最短距离变短，因此能够加强谐振器RC2和谐振器RC4的磁耦合。即，通过调整从布线图案PT1的导通孔V1A侧的端部到布线图案PT2的距离LG1、以及从布线图案PT7的导通孔V2A侧的端部到布线图案PT6的距离LG1，能够调整谐振器RC1、RC2与其它谐振器之间的磁耦合。
此外，如图8中说明那样，通过调整布线图案PT2、PT6的线宽W1，能够调整布线图案PT2、PT6的电感值。另外，如图10中说明那样，通过调整谐振器RC3、RC4间的布线图案PT4的线宽W2，能够调整布线图案PT4的电感值。
如图8那样，在布线图案PT2、PT6的Y轴的负方向侧的边固定于布线图案PT1、PT7的Y轴的负方向侧的端部的状态下，调整布线图案PT2、PT6的线宽W1的情况下，若使线宽W1变窄而增大电感值，则距离LG1变长，因此谐振器间的磁耦合变弱。相反，若使线宽W1变宽而减小电感值，则距离LG1变短，因此谐振器间的磁耦合变强。即，连接谐振器间的电感器的电感值的大小和谐振器间的磁耦合联动地变化。因此，例如，如小型的滤波器装置那样，在想要使谐振器间的电感值变大，进而也使谐振器间的磁耦合变强的情况下，通过这样的调整方法，可能产生无法实现所希望的滤波器特性的情况。
在实施方式2的结构中，对于谐振器间的电感值，通过布线图案PT2、PT6的线宽W1来调整，对于谐振器间的磁耦合，通过布线图案PT2、PT6的连接位置(即，距离LG1)来调整，从而能够独立地调整谐振器间的电感值和谐振器间的磁耦合。因此，设计的自由度提高，容易实现所希望的滤波器特性。
此外，若增大谐振器间的电感值，则有提高谐振器的阻抗的效果。若增大谐振器RC1与谐振器RC4之间的磁耦合，则有使通带附近的衰减极向通带侧偏移的效果。另外，若增大谐振器RC2与谐振器RC3之间的磁耦合，则能够扩大通带宽度。
此外，在上述的例子中，对关于布线图案PT2、PT6的双方调整线宽以及连接位置的情况进行了说明，但也可以仅对布线图案PT2以及布线图案PT6的任一方调整线宽以及连接位置。
图18是比较在实施方式2的滤波器装置100G以及实施方式1的滤波器装置100中，在将布线图案PT2、PT6设为相同的线宽W1的状态下，使布线图案PT2、PT6的连接位置(即，距离LG1)变化时的插入损耗的图。此外，滤波器装置100G中的布线图案PT2、PT6的连接位置比滤波器装置100中的布线图案PT2、PT6的连接位置更接近导通孔V1A、V2A。在图18中，实线LN40表示滤波器装置100G的情况，虚线LN41表示滤波器装置100的情况。
如图18所示，在滤波器装置100G中，谐振器间的磁耦合变强，从而衰减极产生的频率与滤波器装置100相比更接近通带侧。即，能够提高非通带中的衰减的陡峭度。
此外，虽然在图中未示出，但对于连接谐振器RC3和谐振器RC4的布线图案PT4，也可以分别独立地调整线宽W2和连接位置。
如以上那样，通过分别独立地进行基于连接各谐振器间的布线图案的线宽的电感值的调整、和基于布线图案的连接位置的谐振器间的磁耦合的调整，能够提高设计的自由度，实现所希望的滤波器特性。
此外，实施方式2中的“布线图案PT2”以及“布线图案PT6”与本公开中的“第一部分”以及“第二部分”分别对应。
[实施方式3]
在实施方式3中，对使通带附近的衰减特性进一步提高的滤波器装置的结构进行说明。
图19是实施方式3的滤波器装置100H的等效电路图。滤波器装置100H成为除去图2所示的滤波器装置100的等效电路中的设置于输入输出端的电容器C0、C5，将谐振器RC3、RC4中的电感器L3B、L4B共用为电感器L34B，进而将谐振器RC3、RC4通过电容器C34进行耦合的结构。在图19中，不反复与图2重复的要素的说明。
图20是表示实施方式3的滤波器装置100H的层叠构造的一个例子的分解立体图。参照图20，在滤波器装置100H中，与滤波器装置100同样，在具有多个电介质层LY1～LY12的主体110内构成谐振器RC1～RC4。谐振器RC1构成为包括导通孔V51A、V51B以及电容器电极P12。谐振器RC2构成为包括导通孔V52A、V52B以及电容器电极P19。谐振器RC3构成为包括导通孔V53A、V534B以及电容器电极P13。谐振器RC4构成为包括导通孔V54A、V534B以及电容器电极P18。
在主体110的上表面111(第一层LY1)配置有用于确定滤波器装置100的方向的方向性标记DM。另外，在主体110的下表面112(第十二层LY12)配置有用于与外部设备连接的外部端子(输入端子T1、输出端子T2以及接地端子GND)。
输入端子T1通过导通孔V50与第十一层LY11的平板电极P11连接。在平板电极P11连接有谐振器RC1的导通孔V51A。导通孔V51A与设置于第二层LY2的共用电极PC11连接。另外，共用电极PC11通过导通孔V51B与设置于第十层LY10的平板电极PG11连接。平板电极PG11通过导通孔VG4、VG5与设置于第十二层LY12的接地端子GND连接。
导通孔V51A在第九层LY9与电容器电极P12连接，并且在第七层LY7与电容器电极P14连接。电容器电极P12的一部分与第十层LY10的平板电极PG11对置。通过电容器电极P12和平板电极PG11，构成图19中的电容器C1。此外，导通孔V51A以及导通孔V51B与图19中的电感器L1A以及电感器L1B分别对应。
输出端子T2通过导通孔V55与第十一层LY11的平板电极P20连接。在平板电极P20连接有谐振器RC2的导通孔V52A。导通孔V52A与第二层LY2的共用电极PC11连接。另外，共用电极PC11通过导通孔V52B与设置于第十层LY10的平板电极PG11连接。
导通孔V52A在第九层LY9与电容器电极P19连接，并且在第七层LY7与电容器电极P17连接。电容器电极P19的一部分与第十层LY10的平板电极PG11对置。通过电容器电极P19和平板电极PG11构成图19中的电容器C2。此外，导通孔V52A以及导通孔V52B与图19中的电感器L2A以及电感器L2B分别对应。
设置于第七层LY7的电容器电极P14与设置于第八层LY8的谐振器RC3的电容器电极P13对置。通过电容器电极P13以及电容器电极P14构成图19中的电容器C13。
电容器电极P13通过导通孔V53A与第二层LY2的共用电极PC11连接。另外，共用电极PC11通过导通孔V534B与第十层LY10的平板电极PG11连接。电容器电极P13与平板电极PG11对置，通过电容器电极P13和平板电极PG11构成图19的电容器C3。
导通孔V53A与图19中的电感器L3A对应。另外，导通孔V534B与图19中的电感器L34B对应。
第七层LY7的电容器电极P17与设置于第八层LY8的谐振器RC4的电容器电极P18对置。通过电容器电极P17以及电容器电极P18构成图19中的电容器C24。
电容器电极P18通过导通孔V54A与第二层LY2的共用电极PC11连接。另外，共用电极PC11如上述那样通过导通孔V534B与第十层LY10的平板电极PG11连接。电容器电极P18与平板电极PG11对置，通过电容器电极P18和平板电极PG11构成图19的电容器C4。导通孔V54A与图19中的电感器L4A对应。
第七层LY7的电容器电极P14的一部分以及电容器电极P17的一部分与设置于第六层LY6的电容器电极P15对置。通过电容器电极P14、P15、P17构成图19中的电容器C12。
另外，在第六层LY6还设置有电容器电极P16。电容器电极P16与第八层LY8的电容器电极P13、P18部分对置。通过电容器电极P13、P16、P18构成图19中的电容器C34。
在实施方式3中，将各谐振器中经由电容器与接地端子GND连接的导通孔V51A、V52A、V53A、V54A称为“第一导通孔”。另外，将各谐振器中不经由电容器与接地端子GND连接的导通孔V51B、V52B、V534B称为“第二导通孔”。
图21是滤波器装置100H中的共用电极PC11的俯视图。共用电极PC11由具有第一端部E11以及第二端部E12的带状的布线图案构成。如图21所示，共用电极PC11包括沿主体110的短边(Y轴)延伸的布线图案PT11、PT14、PT16、和沿主体110的长边(X轴)延伸的布线图案PT12、PT13、PT15。布线图案PT12、PT13、PT15在布线图案PT11与布线图案PT16之间串联连接。布线图案PT14与布线图案PT13连接。即，共用电极PC11具有大致E字形状。
在共用电极PC11的第一端部E11(即，布线图案PT11的一端)连接有谐振器RC1的导通孔V51A。在布线图案PT11的另一端连接有谐振器RC1的导通孔V51B。在共用电极PC11的第二端部E12(即，布线图案PT16的一端)连接有谐振器RC2的导通孔V52A。在布线图案PT16的另一端连接有谐振器RC2的导通孔V52B。
在布线图案PT13中，在布线图案PT11侧的端部连接有谐振器RC3的导通孔V53A。另外，在布线图案PT13中，在布线图案PT16侧的端部连接有谐振器RC4的导通孔V54A。
布线图案PT12连接在布线图案PT11与布线图案PT13之间。布线图案PT15连接在布线图案PT13与布线图案PT16之间。
在布线图案PT14的一端连接有在谐振器RC3、RC4中被共用的导通孔V534B。布线图案PT14的另一端与布线图案PT13连接。
换言之，在共用电极PC11中，从第一端部E11朝向第二端部E12，导通孔V51A、导通孔V51B、导通孔V53A、导通孔V54A、导通孔V52B、导通孔V52A沿着共用电极PC11依次与共用电极PC11连接。
共用电极PC11具有大致E字形状，供谐振器RC3的导通孔V53A连接的部分和供谐振器RC4的V导通孔54A连接的部分相邻，从而与图5所示的实施方式1的曲折形状的共用电极PC相比，谐振器RC1的导通孔V51A与谐振器RC4的导通孔V54A之间的沿着共用电极PC11的最短距离变短。即，与实施方式1的滤波器装置100相比，谐振器RC1与谐振器RC4之间的磁耦合变强。
同样地，谐振器RC2的导通孔V52A与谐振器RC3的导通孔V53A之间的沿着共用电极PC11的最短距离、以及谐振器RC1的导通孔V51A与谐振器RC2的导通孔V52A之间的沿着共用电极PC11的最短距离也变短。由此，谐振器RC2与谐振器RC3之间的磁耦合、以及谐振器RC1与谐振器RC2之间的磁耦合变强。
一般而言，在具有四级的谐振器的滤波器装置中，已知若加强第一级的谐振器与第三级的谐振器之间的磁耦合以及第二级的谐振器与第四级的谐振器之间的磁耦合，则比通带靠高频侧的衰减量增加。另外，已知若加强第一级的谐振器与第四级的谐振器之间的磁耦合，则比通带靠低频侧的衰减量增加。因此，通过将共用电极PC11设为图21所示那样的形状，能够提高通带附近的衰减特性。
图22是用于说明图19的滤波器装置100H的通过特性的图。在图22中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗。此外，在图22中，示出比通带靠高频侧的部分。图22中的实线LN50表示实施方式3的滤波器装置100H的情况，虚线LN51表示实施方式1的滤波器装置100的情况。
如图22所示，滤波器装置100H(实线LN50)与滤波器装置100(虚线LN51)相比，比衰减极靠高频侧的插入损耗(衰减量)变大。因此，在滤波器装置100H中，与实施方式1的结构相比，能够进一步提高衰减特性。
此外，若变更布线图案PT12、PT15距共用电极PC11的Y轴的正方向的端部(布线图案PT11、PT14、PT16的一端)的距离LG11来调整布线图案PT12、PT15的线宽，则导通孔间的最短距离不改变，因此能够维持磁耦合的程度，并且变更谐振器间的电感值。另外，若变更布线图案PT12、PT15距共用电极PC11的Y轴的负方向的端部(布线图案PT11、PT16的另一端)的距离LG12来调整布线图案PT12、PT15的线宽，则导通孔间的最短距离变化，因此能够使磁耦合的强度变化，并且调整谐振器间的电感值。
另外，若缩短导通孔V53A与导通孔V54A之间的距离LG13，则能够缩短谐振器RC1与谐振器RC4的距离、谐振器RC2与谐振器RC3的距离、以及谐振器RC3与谐振器RC4的距离，因此能够加强这些谐振器间的磁耦合。另一方面，谐振器RC1与谐振器RC3的距离、以及谐振器RC2与谐振器RC4的距离变长，因此这些谐振器间的磁耦合减弱，输入输出端的阻抗变化。对于该阻抗的变化，例如能够通过调整谐振器间的电容器(图19的电容器C13、C24)的值来匹配。
(变形例5)
图23是变形例5的滤波器装置100H1中的共用电极PC11A的俯视图。在滤波器装置100H1中，成为对谐振器RC3、RC4分别独立地配置有连接共用电极PC11A和平板电极PG11的导通孔的结构。
更具体而言，在滤波器装置100H1中，图21中的布线图案PT13、PT14构成为一个布线图案P134，谐振器RC3、RC4中的电感器不被共用为一个电感器，对导通孔V53A配置有导通孔V53B，对导通孔V54A配置有导通孔V54B。
在滤波器装置100H1那样的结构中，与滤波器装置100H相比，谐振器RC3与谐振器RC4之间的磁耦合变弱，因此接近通带的衰减极的衰减量增加，另一方面通带宽度稍微变窄。对于采用滤波器装置100H以及滤波器装置100H1的哪一个结构而言，考虑所希望的衰减特性以及通带宽度适当地选择。
(变形例6)
图24是变形例6的滤波器装置100H2中的共用电极PC11B的俯视图。共用电极PC11B包括沿主体110的短边(Y轴)延伸的布线图案PT11、PT16、PT17、PT18、和沿主体110的长边(X轴)延伸的布线图案PT12、PT13、PT15。布线图案PT12连接在布线图案PT11与布线图案PT17之间。布线图案PT13连接在布线图案PT17与布线图案PT18之间。布线图案PT15连接在布线图案PT18与布线图案PT16之间。
在滤波器装置100H2中，若与图23所示的变形例5的滤波器装置100H1相比，则成为谐振器RC3中的导通孔V53A的位置和导通孔V53B的位置被置换，谐振器RC4中的导通孔V54A的位置和导通孔V54B的位置被置换的结构。并且，在滤波器装置100H2中，谐振器RC1中的导通孔V51B与谐振器RC3中的导通孔V53B被共用并被删除，谐振器RC2中的导通孔V52B与谐振器RC4中的导通孔V54B被共用化并被删除。
即，在布线图案PT11、PT16、PT17、PT18的Y轴的负方向的端部分别连接有经由电容器与接地端子GND连接的导通孔V51A、V52A、V53A、V54A，在布线图案PT17、PT18的Y轴的正方向的端部分别连接有不经由电容器与接地端子GND连接的导通孔V53B、V54B。
在这样的结构，在各谐振器中由布线图案和导通孔构成的闭合环路的线圈所产生的磁力线的方向成为相同的方向，因此与变形例5的滤波器装置100H1的结构相比，谐振器RC1与谐振器RC3之间的磁耦合、以及谐振器RC2与谐振器RC4之间的磁耦合也变强。因此，能够增大比通带靠高频侧的衰减量。
此外，在谐振器RC1与谐振器RC3之间、以及谐振器RC2与谐振器RC4之间，如滤波器装置100H2那样采用将导通孔设为相同的配置的结构，还是如滤波器装置100H1那样采用将导通孔相互相反地配置的结构，例如根据滤波器装置整体的尺寸等适当地选择。
具体而言，在滤波器装置的尺寸、特别是Z轴方向的尺寸比较大的情况下，导通孔的长度变长，各谐振器中的线圈的空芯直径变大。因此，若如变形例6的滤波器装置100H2那样将谐振器的导通孔设为相同的配置，则有可能磁耦合过度。在这样的情况下，优选如变形例5的滤波器装置100H1那样，采用将导通孔相互相反地配置的结构，减弱磁耦合，从而实现所希望的滤波器特性。
另一方面，在滤波器装置的尺寸、特别是Z轴方向的尺寸比较小的情况下，导通孔的长度变短，因此谐振器间的磁耦合容易变弱。因此，优选如变形例6的滤波器装置100H2那样将谐振器的导通孔设为相同的配置，加强磁耦合，从而实现所希望的滤波器特性。
此外，在变形例6的滤波器装置100H2中，通过调整布线图案PT12、PT13、PT15的线宽，也能够调整各谐振器间的耦合程度。
[实施方式4]
在实施方式4中，对用于减少配置于收容滤波器装置的通信设备的框体等的外部屏蔽引起的滤波器特性的影响的结构进行说明。
在上述的实施方式所公开的各滤波器装置中，在主体110的最上部侧的第二层LY2配置有共用电极。该共用电极成为在谐振器内流动的电流的通过路径，因此若在滤波器装置的上表面侧存在外部屏蔽，则产生与该外部屏蔽的电容耦合，可能成为滤波器特性的变动的重要因素。
作为减少该外部屏蔽的影响的方法，考虑延长滤波器装置与外部屏蔽之间的距离，但在这种情况下，为了确保该分离距离，可能成为阻碍通信设备主体的小型化的重要因素。
在实施方式4的滤波器装置中，在主体110中，在比共用电极还靠上表面侧的层配置有与接地端子GND连接的内部屏蔽。由此，能够抑制外部屏蔽引起的滤波器特性的变动。
图25是表示实施方式4的滤波器装置100I的层叠构造的一个例子的分解立体图。参照图25，在滤波器装置100I中，也与滤波器装置100同样，在具有多个电介质层LY1～LY12的主体110内构成谐振器RC1～RC4。此外，滤波器装置100I成为除去了图19所示的实施方式3的滤波器装置100H的等效电路中的电容器C34的结构。
在滤波器装置100I中，谐振器RC1构成为包括导通孔V61A、V61B以及电容器电极P21。谐振器RC2构成为包括导通孔V62A、V62B以及电容器电极P28。谐振器RC3构成为包括导通孔V63A、V634B以及电容器电极P22。谐振器RC4构成为包括导通孔V64A、V634B以及电容器电极P26。
在主体110的上表面111(第一层LY1)配置有用于确定滤波器装置100的方向的方向性标记DM。另外，在主体110的下表面112(第十二层LY12)配置有用于与外部设备连接的外部端子(输入端子T1、输出端子T2以及接地端子GND)。
输入端子T1通过导通孔V60与第十一层LY11的电容器电极P21连接。电容器电极P21的一部分与设置于第十层LY10的平板电极PG21对置。通过电容器电极P21和平板电极PG21构成图19中的电容器C1。
在电容器电极P21连接有谐振器RC1的导通孔V61A。导通孔V61A与设置于第三层LY3的共用电极PC21以及设置于第四层LY4的共用电极PC22连接。另外，共用电极PC21、PC22通过导通孔V61B与设置于第十层LY10的平板电极PG21连接。平板电极PG21通过导通孔VG4与第十二层LY12的接地端子GND连接。另外，导通孔VG4也与设置于第十一层LY11的平板电极P27连接。平板电极P27通过导通孔VG4、VG5与接地端子GND连接。
导通孔V61A在第八层LY8与电容器电极P23连接。电容器电极P23的一部分与第九层LY9的电容器电极P22对置。通过电容器电极P22和电容器电极P23构成图19中的电容器C13。此外，导通孔V61A以及导通孔V61B与图19中的电感器L1A以及电感器L1B分别对应。
输出端子T2通过导通孔V65与第十一层LY11的电容器电极P28连接。电容器电极P28的一部分与设置于第十二层LY12的平板电极PG21对置。通过电容器电极P28和平板电极PG21构成图19中的电容器C2。
在电容器电极P28连接有谐振器RC2的导通孔V62A。导通孔V62A与设置于第三层LY3的共用电极PC21以及设置于第四层LY4的共用电极PC23连接。另外，共用电极PC21、PC23通过导通孔V62B与第十层LY10的平板电极PG21连接。
另外，导通孔V62A在第八层LY8与电容器电极P25连接。电容器电极P25的一部分与第九层LY9的电容器电极P26对置。通过电容器电极P25和电容器电极P26构成图19中的电容器C24。此外，导通孔V62A以及导通孔V62B与图19中的电感器L2A以及电感器L2B分别对应。
第九层LY9的电容器电极P22通过导通孔V63A与第三层LY3的共用电极PC21以及第四层LY4的共用电极PC22连接。另外，共用电极PC21通过导通孔V634B与第十层LY10的平板电极PG21连接。导通孔V63A与图19中的电感器L3A对应。另外，导通孔V634B与图19中的电感器L34B对应。
第九层LY9的电容器电极P26通过导通孔V64A与第三层LY3的共用电极PC21以及第四层LY4的共用电极PC23连接。另外，共用电极PC21如上述那样通过导通孔V634B与第十层LY10的平板电极PG21连接。导通孔V64A与图19中的电感器L4A对应。
另外，在第七层LY7还设置有电容器电极P24。电容器电极P24与第八层LY8的电容器电极P23、P25部分对置。通过电容器电极P23～P25构成图19中的电容器C12。
在实施方式4的滤波器装置100I中，在第二层LY2设置有平板电极PG22。平板电极PG22至少覆盖第三层LY3的共用电极PC21。换言之，在从层叠方向(Z轴方向)俯视主体110的情况下，平板电极PG22与共用电极PC21重叠。
平板电极PG22经由导通孔V61B、V62B、V634B与平板电极PG21(即，接地端子GND)连接。平板电极PG22作为针对共用电极PC21的内部屏蔽部件发挥功能。通过平板电极PG22，能够防止共用电极PC21与滤波器装置外部的外部屏蔽(未图示)电容耦合。此外，在图25的例子中，平板电极PG22通过三个导通孔V61B、V62B、V634B与平板电极PG21(即，接地端子GND)连接，连接平板电极PG21和平板电极PG22的导通孔的数量多，从而平板电极PG22的电位更稳定化。
此外，第四层LY4中的共用电极PC22、PC23为了提高输入输出端的Q值而设置。通过配置共用电极PC22、PC23，从而插入损耗提高。
图26是表示图25的滤波器装置100I的通过特性的图。在图26中，横轴表示频率，纵轴表示插入损耗以及反射损耗。在图26中，实线LN60、LN70分别表示实施方式4的滤波器装置100I的情况下的插入损耗以及反射损耗，虚线LN61、LN71分别表示不设置内部屏蔽的情况下的插入损耗以及反射损耗。
参照图26，对于通带内的插入损耗，有内部屏蔽的情况以及没有内部屏蔽的情况都成为大致相同程度的值。然而，特别是对于比通带靠低频侧，有内部屏蔽的滤波器装置100I的插入损耗变大，衰减特性改善。另外，对于通带内的反射损耗，滤波器装置100I与没有内部滤波器的情况相比减少。因此，可知通过设置内部屏蔽，抑制滤波器特性的降低。
图27是用于说明共用电极的有无以及内部屏蔽的有无对外部屏蔽的滤波器特性的影响的图。在图27中，表示在情况1～3中，基于外部屏蔽的有无的通带中的插入损耗的劣化度、以及高频侧的衰减量成为20dB的点(以下，称为“衰减点”)的频率。
情况1是如图6的比较例那样，不设置共用电极而各谐振器独立，并且不具有内部屏蔽的情况。另外，情况2是具有共用电极但不具有内部屏蔽的情况，情况3是如实施方式4的滤波器装置100I那样，具有共用电极以及内部屏蔽的情况。
参照图27，对于通带中的插入损耗，在不具有内部屏蔽的情况下(情况1、情况2)为0.30dB左右的降低，但在具有内部屏蔽的情况3中，改善为0.06dB左右的降低。
另外，对于高频侧的衰减点的频率，在情况1中，在具有外部屏蔽的情况下，与不具有外部屏蔽的情况相比，衰减点的频率低4GHz以上。另一方面，在情况2以及情况3中，衰减点的频率高1～2GHz。这样，对于衰减点，几乎看不见因内部屏蔽的有无而产生的差异，通过使用共用电极能够抑制衰减点的变动。
这样，在具备共用电极以及内部屏蔽的实施方式4的滤波器装置100I中，能够抑制基于外部屏蔽的滤波器特性的降低。
此外，在实施方式4中，共用电极PC21也可以是矩形形状的平板电极，也可以是上述的实施方式以及变形例那样的形状。另外，在图24中，示出了作为内部屏蔽仅在上表面侧配置有平板电极PG22的例子，但除此之外，也可以在主体110的侧面部分配置内部屏蔽。
本次公开的实施方式在所有方面应被认为是例示，并非是对本发明进行的限制。本公开的范围不是由上述的实施方式的说明表示，而是由权利要求书表示，意在包括与权利要求书等同的意思以及在范围内的全部变更。
附图标记说明
10…通信装置；12…天线；20…高频前端电路；22、28…带通滤波器；24…放大器；26…衰减器；30…混频器；32…局部振荡器；40…D/A转换器；50…RF电路；100、100A～100I、200…滤波器装置；110…主体；C0～C5、C12、C13、C24、C34…电容器；DM…方向性标记；E1、E2…端部；GND…接地端子；L1A～L4A、L1B～L4B、L34B…电感器；LY1～LY12…电介质层；N1A～N4A、N1B～N4B…连接节点；P1、P4～P6、P9～P11、P20、P27、PG1、PG2、PG11、PG21、PG22…平板电极；P2、P3、P7、P8、P11～P19、P21～P26、P28…电容器电极；PC、PC1～PC4、PC11、PC21～PC23…共用电极；PD1～PD4…布线电极；PT1～PT7、PT11～PT16、PT134…布线图案；RC1～RC4…谐振器；T1…输入端子；T2…输出端子；V0、V1A～V4A、V1B～V4B、V5、V10A～V12A、V10B、V11B、V23、V20A～V23A、V20B～V22B、V30A～V34A、V30B～V34B、V40A～V43A、V40B～V43B、V50、V51A～V54A、V51B～V54B、V534B、V55、V60、V61A～V64A、V61B、V62B、V634B、V65、VG1～VG5…导通孔。

Claims (12)

1.一种滤波器装置，具备：
输入端子；
输出端子；
主体；
共用电极，设置于所述主体；
接地端子；以及
第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器以及第三LC并联谐振器，分别与所述共用电极以及所述接地端子连接，
所述第一LC并联谐振器、所述第二LC并联谐振器以及所述第三LC并联谐振器分别包括：
电容器；
第一导通孔，一端与所述共用电极连接，另一端经由所述电容器与所述接地端子连接；以及
第二导通孔，一端与所述共用电极连接，另一端不经由所述电容器与所述接地端子连接，
在所述共用电极中的供相邻的两个LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分之间连接有第二导通孔。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
所述共用电极是带状，且包括第一端部以及第二端部，
所述第一LC并联谐振器的第一导通孔与所述第一端部连接，并且与所述输入端子电连接，
所述第二LC并联谐振器的第一导通孔与所述第二端部连接，并且与所述输出端子电连接，
所述第三LC并联谐振器配置在所述第一LC并联谐振器与所述第二LC并联谐振器之间。
3.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，
还具备在所述第二LC并联谐振器与所述第三LC并联谐振器之间排列而配置的第四LC并联谐振器。
4.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
所述共用电极具有曲折形状，
沿着所述共用电极从所述第一端部朝向所述第二端部，所述第一LC并联谐振器的第一导通孔、所述第一LC并联谐振器的第二导通孔、所述第三LC并联谐振器的第一导通孔、所述第三LC并联谐振器的第二导通孔、所述第四LC并联谐振器的第二导通孔、所述第四LC并联谐振器的第一导通孔、所述第二LC并联谐振器的第二导通孔、以及所述第二LC并联谐振器的第一导通孔依次与所述共用电极连接，
供所述第一LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分与供所述第三LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分之间的所述共用电极的宽度、以及供所述第二LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分与供所述第四LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分之间的所述共用电极的宽度的至少一者比所述共用电极的其它部分的宽度宽。
5.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
所述共用电极具有曲折形状，
沿着所述共用电极从所述第一端部朝向所述第二端部，所述第一LC并联谐振器的第一导通孔、所述第一LC并联谐振器的第二导通孔、所述第三LC并联谐振器的第一导通孔、所述第三LC并联谐振器的第二导通孔、所述第四LC并联谐振器的第二导通孔、所述第四LC并联谐振器的第一导通孔、所述第二LC并联谐振器的第二导通孔、以及所述第二LC并联谐振器的第一导通孔依次与所述共用电极连接，
供所述第三LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分与供所述第四LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分之间的所述共用电极的宽度比所述共用电极的其它部分的宽度宽。
6.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
所述共用电极包括供所述第一LC并联谐振器连接的部分与供所述第三LC并联谐振器连接的部分之间的第一部分，
所述第一部分连接在供所述第一LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分与供所述第一LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分之间、以及供所述第三LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分与供所述第三LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分之间。
7.根据权利要求3或6所述的滤波器装置，其中，
所述共用电极包括供所述第二LC并联谐振器连接的部分与供所述第四LC并联谐振器连接的部分之间的第二部分，
所述第二部分连接在供所述第二LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分与供所述第二LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分之间、以及供所述第四LC并联谐振器的第一导通孔连接的部分与供所述第四LC并联谐振器的第二导通孔连接的部分之间。
8.根据权利要求3～7中任一项所述的滤波器装置，其中，
还具备：
连接在所述第一LC并联谐振器与所述第三LC并联谐振器之间的第一电容器；
连接在所述第二LC并联谐振器与所述第四LC并联谐振器之间的第二电容器；以及
连接在所述第一LC并联谐振器与所述第二LC并联谐振器之间的第三电容器。
9.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，
沿着所述共用电极从所述第一端部朝向所述第二端部，所述第一LC并联谐振器的第一导通孔、所述第一LC并联谐振器的第二导通孔、所述第三LC并联谐振器的第一导通孔、所述第四LC并联谐振器的第一导通孔、所述第二LC并联谐振器的第二导通孔、以及所述第二LC并联谐振器的第一导通孔依次与所述共用电极连接。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的滤波器装置，其中，
还具备屏蔽部件，所述屏蔽部件配置在比所述共用电极靠近所述主体的上表面侧，并与所述接地端子连接，
在从所述主体的上表面侧俯视的情况下，所述屏蔽部件与所述共用电极重叠。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述滤波器装置是使特定的频带的信号通过的带通滤波器。
12.一种高频前端电路，
具备权利要求1～11中任一项所记载的滤波器装置。
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