CN115763661A - 紫外发光二极管及其制造方法 - Google Patents

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CN115763661A CN202211587031.2A CN202211587031A CN115763661A CN 115763661 A CN115763661 A CN 115763661A CN 202211587031 A CN202211587031 A CN 202211587031A CN 115763661 A CN115763661 A CN 115763661A
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岳金顺
陈景文
王永忠
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Abstract

本公开提供了一种紫外发光二极管及其制造方法，属于半导体技术领域。该紫外发光二极管包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，外延层包括依次层叠在衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，紫外发光二极管具有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽从P型层开设至N型层，第一凹槽的槽底为N型层，N型电极设置在第一凹槽槽底的N型层上，P型电极设置在第一凹槽外的P型层上；第二凹槽从第一凹槽槽底的N型层开设至缓冲层或衬底，第二凹槽的槽底为缓冲层或衬底。通过设置第二凹槽可以打破紫外LED内部的全反射效应，提高紫外LED的光提取效率。

Description

紫外发光二极管及其制造方法
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种紫外发光二极管及其制造方法。
背景技术
基于(Al)GaN材料的紫外发光二极管在空气净化、杀菌消毒、紫外光疗、生化检测、保密通信等领域的应用非常广泛，是氮化物半导体研究领域的一个重要研究内容。
然而，(Al)GaN基的DUV LED具有独特的光学偏振特性，首先是随着A1组份不断上升，DUV LED发光波长变短，光的偏振态从横向电极化模式(TE)向横向磁极化模式(TM)转化。而因为AlGaN的折射率与空气的折射率相差巨大，TM偏振光又主要沿横向传播，因此界面入射角较大，在不同材料界面处发生的全反射作用会导致(A1)GaN基DUV LED的光提取效率(LEE)很低，严重降低了紫外发光二极管的出光效率。
发明内容
本公开实施例提供了一种紫外发光二极管及其制造方法，通过形成第一凹槽和第二凹槽，改变紫外LED的内部结构，可以打破紫外LED内部的全反射效应，提高紫外LED的光提取效率。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种紫外发光二极管，所述紫外发光二极管包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；
所述紫外发光二极管具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽从所述P型层开设至所述N型层，所述第一凹槽的槽底为所述N型层，所述N型电极设置在所述第一凹槽槽底的所述N型层上，所述P型电极设置在所述第一凹槽外的所述P型层上；所述第二凹槽从所述第一凹槽槽底的所述N型层开设至所述缓冲层或所述衬底，所述第二凹槽的槽底为所述缓冲层或所述衬底。
可选的，所述紫外发光二极管还包括第一接触层和第二接触层；
所述P型层的除所述P型电极设置区域外的其他区域上、所述第一凹槽的侧壁上、以及所述第一凹槽槽底除所述N型电极设置区域外的其他区域上均铺设有所述第一接触层，所述第一接触层为钝化层或增透膜层；
所述第二凹槽的侧壁和槽底均铺设有所述第二接触层，所述第二接触层为增透膜层或反射层，或者，所述第二接触层的材料与所述N型电极或所述N型层的材料相同。
可选的，所述紫外发光二极管还包括反射层，所述反射层覆盖所述N型电极、所述P型电极、所述第一接触层和所述第二接触层。
可选的，所述紫外发光二极管还包括N型焊盘、P型焊盘和P型焊盘连接层；
其中，所述P型焊盘连接层设置在所述反射层的远离所述衬底的一面上，且所述P型焊盘连接层位于所述P型电极的正上方，所述P型焊盘位于所述P型焊盘连接层的远离所述衬底的一面上；
所述N型焊盘设置在所述反射层的远离所述衬底的一面上，且所述N型焊盘位于所述N型电极的正上方。
可选的，所述紫外发光二极管还包括钝化层，所述反射层上除所述P型焊盘连接层和所述N型焊盘的设置区域外的其它区域上均铺设有所述钝化层。
第二方面，提供了一种紫外发光二极管的制造方法，所述制造方法包括：
在衬底上生长外延层得到外延片，所述外延层包括依次生长在衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；
对所述外延层进行多次刻蚀，以在所述外延层上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽从所述P型层开设至所述N型层，所述第一凹槽的槽底为所述N型层；所述第二凹槽从所述第一凹槽槽底的所述N型层开设至所述缓冲层或所述衬底，所述第二凹槽的槽底为所述缓冲层或所述衬底；
在所述第一凹槽槽底的所述N型层上形成N型电极；
在所述第一凹槽外的所述P型层上形成P型电极。
可选的，所述制造方法还包括：
在所述P型层的除所述P型电极设置区域外的其他区域上、所述第一凹槽的侧壁上、以及所述第一凹槽槽底除所述N型电极设置区域外的其他区域上形成第一接触层，所述第一接触层为钝化层或增透膜层；
在所述第二凹槽的侧壁和槽底形成第二接触层，所述第二接触层为增透膜层或反射层，或者，所述第二接触层的材料与所述N型电极或所述N型层的材料相同。
可选的，所述制造方法还包括：
在所述N型电极、所述P型电极、所述第一接触层和所述第二接触层上形成反射层。
可选的，所述制造方法还包括：
在所述反射层的远离所述衬底的一面上形成P型焊盘连接层，所述P型焊盘连接层位于所述P型电极的正上方；
在所述P型焊盘连接层的远离所述衬底的一面上形成P型焊盘；
在所述反射层的远离所述衬底的一面上形成N型焊盘，所述N型焊盘位于所述N型电极的正上方。
可选的，所述制造方法还包括：
在所述反射层上除P型焊盘连接层和N型焊盘的设置区域外的其它区域上形成钝化层。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在紫外LED内形成第一凹槽和第二凹槽，以改变LED的内部结构。其中，第一凹槽从P型层开设至N型层，第二凹槽从第一凹槽槽底的N型层开设至缓冲层或衬底。通过设置第二凹槽可以减少多量子阱层产生的光子在N型层到缓冲层或衬底内产生的全反射效应。多量子阱层产生的光子不仅可以从衬底方向出光，还可以从第一凹槽和第二凹槽的侧壁出光，以改变光子的传播方向，使得光子在LED内部形成多次反射，从而可以减少光子在器件内的全反射效应，提高芯片的光提取效率。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种紫外发光二极管的截面示意图；
图2是本公开实施例提供的一种紫外发光二极管的制造方法流程图；
图3是本发明实施例提供的一种外延片刻蚀截面示意图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
图1是本公开实施例提供的一种紫外发光二极管的截面示意图，如图1所示，该紫外发光二极管100包括衬底10、外延层、N型电极30和P型电极40。外延层包括依次层叠在衬底10上的缓冲层21、N型层22、多量子阱层23和P型层25。
紫外发光二极管100具有第一凹槽a1和第二凹槽a2。第一凹槽a1从P型层25开设至N型层22，第一凹槽a1的槽底为N型层22。N型电极30设置在第一凹槽a1槽底的N型层22上。P型电极40设置在第一凹槽a1外的P型层25上。第二凹槽a2从第一凹槽a1槽底的N型层22开设至缓冲层21或衬底10。第二凹槽a2的槽底为缓冲层21或衬底10
本发明实施例通过在紫外LED内形成第一凹槽和第二凹槽，以改变LED的内部结构。其中，第一凹槽从P型层开设至N型层，第二凹槽从第一凹槽槽底的N型层开设至缓冲层或衬底。通过设置第二凹槽可以减少多量子阱层产生的光子在N型层到缓冲层或衬底内产生的全反射效应。多量子阱层产生的光子不仅可以从衬底方向出光，还可以从第一凹槽和第二凹槽的侧壁出光，以改变光子的传播方向，使得光子在LED内部形成多次反射，从而可以减少光子在器件内的全反射效应，提高芯片的光提取效率。
在本实施例的一种实现方式中，第二凹槽a2的底面宽度小于第一凹槽a1的底面宽度。且从外延层的P型层25至衬底10方向，第二凹槽a2的宽度逐层减小。
可选的，第一凹槽a1可以通过一次刻蚀成型。第一凹槽a1的刻蚀深度为h1，h2＜h1≤h3，h2为N型层上方的外延层的厚度，h3为缓冲层上方的外延层厚度，h3-h2为N型层的厚度。考虑到后续的工艺与钝化层材料的覆盖性，第一凹槽a1的刻蚀角度在5°～75°。其最优的刻蚀角度可根据量子阱层的全反射角度进行计算，本实施例中，较优的角度在35°。其中刻蚀角度不同，形成的第一凹槽a1的侧壁的倾斜角度即不同。
第二凹槽a2可以通过多次刻蚀得到。例如，通过对N型层22进行一次刻蚀，刻蚀深度为h4，0um＜h4≤h5，h5为剩余N型层的厚度，刻蚀角度在5°～80°；对缓冲层21进行二次刻蚀，刻蚀深度为h6在0＜h6≤h7，h7为缓冲层厚度，刻蚀角度在10°～85°；得到槽底为缓冲层21的第二凹槽a2。此时第二凹槽a2通过两次刻蚀得到。
或者，通过对N型层22进行一次刻蚀，刻蚀深度为h4，0um＜h4≤h5，h5为剩余N型层的厚度，刻蚀角度在5°～80°；对缓冲层21进行二次刻蚀，刻蚀深度为h6在0＜h6≤h7，h7为缓冲层厚度，刻蚀角度在10°～85°；对衬底10进行三次刻蚀，h8在0＜h8≤h9，h9为衬底厚度，刻蚀角度在5°～85°，得到槽底为衬底10的第二凹槽a2。此时第二凹槽a2通过三次刻蚀得到。
需要说明的是，刻蚀形成的上述第一凹槽a1和第二凹槽a2的横截面形状可以为圆柱形、正梯形、倒梯形等，刻蚀侧壁可进行粗化，刻蚀的台面可进行粗化、光子晶体、图形化等设计，本发明实施例对此不做限定。
在本实施例中，衬底1可以为蓝宝石衬底。缓冲层21可以为A1N层，生长缓冲层2主要是为了缓解蓝宝石衬底与AlGaN材料的晶格失配和热失配。但是该层的厚度不宜过厚，因为该层晶体质量较差，如果生长过厚，则会影响后续外延结构的生长并且会吸光，影响外量子效率。N型层22可以为掺Si的AlGaN层。多量子阱层23可以包括多个周期交替生长的量子阱层和量子垒层其中量子阱层为AlxGa1-xN层，0＜x＜1，量子垒层为AlyGa1-yN层，0＜y＜1。量子阱层和量子垒层中Al组分含量不同，即x和y的取值不同，以提供不同的禁带宽度。根据不同的紫外波长，x和y可以选取不同的取值组合。P型层25可以为掺Mg的AlGaN层。N型层22提供的电子和P型层25提供的空穴可以在多量子阱层23中进行辐射复合发光。N型电极30的材料包括但不限于Cr、Al、Ti、Pt、Au等组合金属或者叠层金属、外延二次生长的高电导性n型半导体等。例如，当N型电极30的材料为组合金属结构时，厚度为200～500nm。P型电极40的材料包括但不限于NiAu、氧化铟锡、Rh等。例如当P型电极40的材料为氧化铟锡时，厚度为10～70nm。
可选地，如图1所示，紫外发光二极管还包括设置在多量子阱层23和P型层25之间的电子阻挡层24，电子阻挡层24可以为掺Mg的A1GaN层。通过设置电子阻挡层可以有效阻挡电子从多量子阱层23逃逸到P型层25，从而可以提高LED的内量子效率。
可选的，紫外发光二极管100还包括第一接触层51和第二接触层52。
P型层25的除P型电极40设置区域外的其他区域上、第一凹槽a1的侧壁上、以及第一凹槽a1槽底除N型电极30设置区域外的其他区域上均铺设有第一接触层51，第一接触层51为钝化层或增透膜层。
第二凹槽a2的侧壁和槽底均铺设有第二接触层52，第二接触层52为增透膜层或反射层，或者，第二接触层52的材料与N型电极或N型层的材料相同。
其中，当第一接触层51为钝化层时，可以起到绝缘和保护的作用。增透膜是一种表面光学镀层，它通过减少反射光来增加光在表面的透过率。当第一接触层51和第二接触层52均为增透膜层时，可以进一步减少紫外LED中光的全反射，从而光的提取效率。
当第二接触层52为反射层时，可以将原本被损耗的光子尽可能反射到衬底背面，进一步提高芯片的光提取效率。当第二接触层的材料与N型电极或N型层的材料相同时，可以充当电流扩展层或者二次外延的接触电极，降低器件电压的同时，减少工艺步骤，降低器件成本提高良率等。在本实施例中，第二接触层的材料可以为例如Cr、Ti、Al、PT、Au等单层或者叠层金属材料。
可选的，紫外发光二极管100还包括反射层60，反射层60覆盖N型电极30、P型电极40、第一接触层51和第二接触层52。
在本实施例中，反射层60可以为Al、Rh等单层结构的反射层，或者多层金属构成的ODR(Omni-DirectionasRefIector，全角反射镜)或者DBR(Distributed BraggReflection，分布式布拉格反射镜)结构。
可选地，反射层可以为Cr/Al基反射结构，即掺Cr/Al的反射层。这样反射层不仅可以起到反射作用，同时也是对N型电极与P型电极进行加厚，使其具有更均匀的电流扩展。
可选的，紫外发光二极管还包括N型焊盘70、P型焊盘80和P型焊盘连接层81。
其中，P型焊盘连接层81设置在反射层60的远离衬底10的一面上，且P型焊盘连接层81位于P型电极40的正上方，P型焊盘80位于P型焊盘连接层81的远离衬底10的一面上。
N型焊盘70设置在反射层60的远离衬底10的一面上，且N型焊盘70位于N型电极30的正上方。
在本实施例中，P型焊盘连接层81可以为Cr/Al/Ti/Pt/Au层，厚度例如可以为300nm。P型焊盘连接层81不仅可以起到连接P型电极的作用，还可以起到加厚P型电极的作用。N型焊盘70和P型焊盘80的材料可以为AuSn，厚度可以为1.9um。
可选的，紫外发光二极管还包括钝化层90，反射层60上除P型焊盘连接层81和N型焊盘70的设置区域外的其它区域上均铺设有钝化层90。钝化层90可以起到绝缘和保护作用。示例性的，钝化层90的厚度可以为1um。
需要说的是本发明实施例提供的紫外发光二极管可以为UVA长波紫外发光二极管，也可以为UVB中波紫外发光二极管或者UVC短波紫外发光二极管，本发明对此不作限定。
本发明实施例还提供了一种紫外发光二极管的制造方法，用于制造如图1所示的紫外发光二极管。图2是本公开实施例提供的一种紫外发光二极管的制造方法流程图，如图2所示，该制造方法包括：
步骤201、在衬底上生长外延层得到外延片。
其中，衬底可以为蓝宝石衬底。外延层包括依次生长在衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层。外延层各层的具体可以参见如图1的相关描述，在此不再赘述。
在本实施例中，可以采用Veeco K465i or C4 or RB MOCVD(Metal OrganicChemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现外延层的生长。采用高纯H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂剂，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂。
在执行完步骤S201之后，执行步骤S202之前，该制造方法还可以包括：
将外延片使用丙酮和异丙醇分别超声清洗5min，去除表面的有机物；再用去离子水冲洗5min，甩干机甩干。
步骤202、对外延层进行多次刻蚀，以在外延层上形成第一凹槽和第二凹槽。
其中，第一凹槽从P型层开设至N型层，第一凹槽的槽底为N型层；第二凹槽从第一凹槽槽底的N型层开设至缓冲层或衬底，第二凹槽的槽底为缓冲层或衬底。
在本实施例中，第一凹槽a1可以通过一次刻蚀成型。具体可以通过正性光刻胶作为掩膜，使用感应耦合等离子体(ICP)对外延片进行MESA台面刻蚀，刻蚀比为3∶1，刻蚀深度为450～850nm，较优的刻蚀角度为35°。将刻蚀后的外延片放在85℃去胶液、丙酮和异丙醇各超声10min、5min和5min，去离子水冲洗5min，去除表面正性光刻胶，以形成第一凹槽。
在本实施例中，可以通过多次刻蚀得到第二凹槽。例如，通过对N型层进行一次刻蚀，刻蚀深度为h4，0um＜h4≤h5，h5为剩余N型层的厚度，刻蚀角度在5°～80°；对缓冲层进行二次刻蚀，刻蚀深度为h6在0＜h6≤h7，h7为缓冲层厚度，刻蚀角度在10°～85°；得到槽底为缓冲层的第二凹槽。此时第二凹槽通过两次刻蚀得到。
或者，通过对N型层进行一次刻蚀，刻蚀深度为h4，0um＜h4≤h5，h5为剩余N型层的厚度，刻蚀角度在5°～80°(优选为45°)；对缓冲层进行二次刻蚀，刻蚀深度为h6在0＜h6≤h7，h7为缓冲层厚度，刻蚀角度在10°～85°(优选为55°)；对衬底进行三次刻蚀，h8在0＜h8≤h9，h9为衬底厚度，刻蚀角度在5°～85°，得到槽底为衬底的第二凹槽。
其中，在刻蚀N型层和缓冲层时，可以采用正性光刻胶作为掩膜，在BCl3和Cl2的混合气氛下，使用感应耦合等离子体(ICP)进行刻蚀。通过调节掩膜版与样品的距离，可以使得光刻胶在台面具有一定的角度，光刻胶的胶厚可以为8～10um。由于衬底相对于外延层更难刻蚀，因此，可以通过二氧化硅与光刻胶共同掩膜的方法，采用干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方法对衬底进行刻蚀，刻蚀衬底时，较优的刻蚀角度为36°，刻蚀深度为20～30um。
图3是本发明实施例提供的一种外延片刻蚀截面示意图，如图3所示，此时外延片上形成有第一凹槽a1和第二凹槽a2。
可选地，在执行完步骤S202之后，执行步骤S203之前，该方法还可以包括：
对外延片进行划片道刻蚀。
示例性的，可以采用ICP刻蚀法对外延片进行划片道刻蚀，刻蚀深度为4～5um。通过对外延片进行划片道刻蚀，以便于后续对外延片进行划片。
步骤203、在第一凹槽槽底的N型层上形成N型电极。
其中，N型电极的材料包括但不限于Cr、Al、Ti、Pt、Au等组合金属或者叠层金属、外延二次生长的高电导性n型半导体等。例如，当N型电极的材料为组合金属结构时，厚度为200～500nm。
在本实施例中，可以通过蒸镀、退火、刻蚀的方法形成N型电极，此为常规技术，在此不再赘述。其中，N型电极的退火条件可以为氮气氛围、800～900℃、快速退火1min。
步骤204、在第一凹槽外的P型层上形成P型电极。
其中，P型电极的材料包括但不限于NiAu、氧化铟锡、Rh等。例如当P型电极的材料为氧化铟锡时，厚度为10～70nm。
在本实施例中，可以通过蒸镀、退火、刻蚀的方法形成P型电极，此为常规技术，在此不再赘述。其中，P型电极的退火条件可以为氧气氛围、500℃、快速退火5min。
可选地，该制造方法还可以包括：
在P型层的除P型电极设置区域外的其他区域上、第一凹槽的侧壁上、以及第一凹槽槽底除N型电极设置区域外的其他区域上形成第一接触层，第一接触层为钝化层或增透膜层。
在第二凹槽的侧壁和槽底形成第二接触层，第二接触层为增透膜层或反射层，或者，第二接触层的材料与N型电极或N型层的材料相同。
示例性的，当第一接触层为钝化层时，可以采用PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，等离子体增强化学的气相沉积)法沉积钝化层。当第一接触层和第二接触层为增透膜层时，可以采用PECVD法沉积一层厚度为四分之一波长奇数倍的二氧化硅层，得到增透膜层。当第二接触层为反射层时，可以采用电子束蒸发沉积反射层，或者采用PECVD设备或者电子枪真空蒸镀系统(E-Gun)沉积高低折射率差的多层钝化层材料，得到反射层。当第二接触层的材料与N型电极或N型层的材料相同时，可以采用电子束蒸发或者磁控溅射等方法制备得到。
可选地，该制造方法还可以包括：
在N型电极、P型电极、第一接触层和第二接触层上形成反射层。
在本实施例中，可以使用负性光刻胶作为掩膜，采用电子束蒸发蒸镀的方法制备反射层，然后使用剥离液将负性光刻胶进行剥离。
可选地，该制造方法还可以包括：
在反射层的远离衬底的一面上形成P型焊盘连接层，P型焊盘连接层位于P型电极的正上方；
在P型焊盘连接层的远离衬底的一面上形成P型焊盘；
在反射层的远离衬底的一面上形成N型焊盘，N型焊盘位于N型电极的正上方。
在本实施例中，可以采用蒸镀的方法制备P型焊盘连接层、P型焊盘和N型焊盘。具体的，在制备P型焊盘连接层N型焊盘之前，可以先采用PECVD法在反射层的远离衬底的一面上沉积一层二氧化硅保护层，以对N区进行保护。然后将P型层正上方的二氧化硅保护层进行腐蚀在腐蚀区域蒸镀金属Cr/Al/Ti/Pt/Au以形成P型焊盘连接层。最后，可以通过光刻掩膜与ICP刻蚀工艺去除剩余的二氧化硅保护层。P型焊盘和N型焊盘的蒸镀方式与P型焊盘连接层类似蒸镀的金属可以为AuSn电极。
可选地，该制造方法还可以包括：
在反射层上除P型焊盘连接层和N型焊盘的设置区域外的其它区域上形成钝化层。
在本实施例中，可以采用蒸镀的方法制备钝化层，蒸镀厚度约1um，蒸镀温度约220℃。
需要说的是，可以在制备P型焊盘连接层之后，制备P型焊盘和N型焊盘之前，形成上述钝化层。
本发明实施例通过在紫外LED内形成第一凹槽和第二凹槽，以改变LED的内部结构。其中，第一凹槽从P型层开设至N型层，第二凹槽从第一凹槽槽底的N型层开设至缓冲层或衬底。通过设置第二凹槽可以减少多量子阱层产生的光子在N型层到缓冲层或衬底内产生的全反射效应。多量子阱层产生的光子不仅可以从衬底方向出光，还可以从第一凹槽和第二凹槽的侧壁出光，以改变光子的传播方向，使得光子在LED内部形成多次反射，从而可以减少光子在器件内的全反射效应，提高芯片的光提取效率。
以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种紫外发光二极管，所述紫外发光二极管包括衬底、外延层、N型电极和P型电极，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层，其特征在于，
所述紫外发光二极管具有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽从所述P型层开设至所述N型层，所述第一凹槽的槽底为所述N型层，所述N型电极设置在所述第一凹槽槽底的所述N型层上，所述P型电极设置在所述第一凹槽外的所述P型层上；所述第二凹槽从所述第一凹槽槽底的所述N型层开设至所述缓冲层或所述衬底，所述第二凹槽的槽底为所述缓冲层或所述衬底。
2.根据权利要求1所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括第一接触层和第二接触层；
所述P型层的除所述P型电极设置区域外的其他区域上、所述第一凹槽的侧壁上、以及所述第一凹槽槽底除所述N型电极设置区域外的其他区域上均铺设有所述第一接触层，所述第一接触层为钝化层或增透膜层；
所述第二凹槽的侧壁和槽底均铺设有所述第二接触层，所述第二接触层为增透膜层或反射层，或者，所述第二接触层的材料与所述N型电极或所述N型层的材料相同。
3.根据权利要求2所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括反射层，所述反射层覆盖所述N型电极、所述P型电极、所述第一接触层和所述第二接触层。
4.根据权利要求3所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括N型焊盘、P型焊盘和P型焊盘连接层；
其中，所述P型焊盘连接层设置在所述反射层的远离所述衬底的一面上，且所述P型焊盘连接层位于所述P型电极的正上方，所述P型焊盘位于所述P型焊盘连接层的远离所述衬底的一面上；
所述N型焊盘设置在所述反射层的远离所述衬底的一面上，且所述N型焊盘位于所述N型电极的正上方。
5.根据权利要求4所述的紫外发光二极管，其特征在于，所述紫外发光二极管还包括钝化层，所述反射层上除所述P型焊盘连接层和所述N型焊盘的设置区域外的其它区域上均铺设有所述钝化层。
6.一种紫外发光二极管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
在衬底上生长外延层得到外延片，所述外延层包括依次生长在衬底上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；
对所述外延层进行多次刻蚀，以在所述外延层上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽从所述P型层开设至所述N型层，所述第一凹槽的槽底为所述N型层；所述第二凹槽从所述第一凹槽槽底的所述N型层开设至所述缓冲层或所述衬底，所述第二凹槽的槽底为所述缓冲层或所述衬底；
在所述第一凹槽槽底的所述N型层上形成N型电极；
在所述第一凹槽外的所述P型层上形成P型电极。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述P型层的除所述P型电极设置区域外的其他区域上、所述第一凹槽的侧壁上、以及所述第一凹槽槽底除所述N型电极设置区域外的其他区域上形成第一接触层，所述第一接触层为钝化层或增透膜层；
在所述第二凹槽的侧壁和槽底形成第二接触层，所述第二接触层为增透膜层或反射层，或者，所述第二接触层的材料与所述N型电极或所述N型层的材料相同。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述N型电极、所述P型电极、所述第一接触层和所述第二接触层上形成反射层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述反射层的远离所述衬底的一面上形成P型焊盘连接层，所述P型焊盘连接层位于所述P型电极的正上方；
在所述P型焊盘连接层的远离所述衬底的一面上形成P型焊盘；
在所述反射层的远离所述衬底的一面上形成N型焊盘，所述N型焊盘位于所述N型电极的正上方。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
在所述反射层上除P型焊盘连接层和N型焊盘的设置区域外的其它区域上形成钝化层。
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