CN115747760B - 一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用 - Google Patents
一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115747760B CN115747760B CN202211511022.5A CN202211511022A CN115747760B CN 115747760 B CN115747760 B CN 115747760B CN 202211511022 A CN202211511022 A CN 202211511022A CN 115747760 B CN115747760 B CN 115747760B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- composite coating
- based material
- steps
- preparing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 title claims description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 26
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims description 17
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 claims description 4
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 abstract description 3
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910001290 LiPF6 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- GCNLQHANGFOQKY-UHFFFAOYSA-N [C+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] Chemical compound [C+4].[O-2].[O-2].[Ti+4] GCNLQHANGFOQKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002345 surface coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明公开了一种复合涂层包覆的硅基负极材料其制备方法，属于复材料领域及电化学领域。该方法首先采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法在电极材料表面沉积SiOx/SiC保护层，随后采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层。本发明提供的制备方法解决了传统硅基负极电极粉末本征电导率低，在充放电过程中的体积膨胀严重，稳定性差的问题，所制备的复合涂层包覆的硅基负极材料在制备成锂离子半电池后，在500 mA g‑1的电流密度下进行测试，体积膨胀明显较小，稳定性增加，倍率性能和循环性能有所提高。另外，本发明制备工艺简单、成本低、污染小，具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明涉及一种复合涂层包覆的硅基复合材料及其制备方法，主要用于锂离子电池负极材料，属于复材料领域及电化学领域。
背景技术
近年来，随着气候恶化和能源短缺，绿色可再生能源替代化石燃料的发展受到广泛关注。二次电池作为一种高效、清洁和可持续的能源，被认为是改善上述问题极有前途的技术之一。其中，锂离子电池因其能量密度高、无记忆效应、环境友好性等优点而被广泛应用于各种电子设备中。
负极材料被认为是影响锂离子电池性能的关键部件。目前，商用石墨负极材料受限于理论比容量（372 mA h g-1），已无法满足电动汽车市场对长续航能力的需求，亟需发展新型锂离子电池负极材料。
硅具有高达4200 mA h g-1的理论比容量，极丰富的自然界储备和环境友好等优势，被认为是最有前途的负极材料之一。然而，硅基负极材料仍存在许多问题，如本征电导率低；在充放电过程中体积膨胀/收缩大，易形成裂纹，随后电极活性物质粉碎并造成不可逆的容量损失。上述问题严重阻碍了硅基负极材料的商业化。
针对上述问题，CN115224257A公开了一种快离子复合体包覆硅基复合材料及其制备方法和应用；CN114132914A公开了一种二氧化钛-碳双层包覆硅基复合材料及其制备和应用。但上述方案制得的硅基负极材料表面薄膜包覆作用力都较弱，不足以形成牢固、均匀的包覆层，制备工艺较复杂，成本高且可控性差。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术制备的硅基负极表面包覆层不牢固及制备过程复杂、成本高且可控性差等的问题，提供一种复合涂层包覆的硅基负极材料及其制备方法，作为锂离子电池负极材料能够有效抑制硅基材料在充放电过程中的体积膨胀，且材料的导电性得到提升。
本发明复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，是首先采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法在纳米硅粉表面沉积SiOx/SiC保护层，随后采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层。具体制备工艺包括如下步骤：
（1）将硅粉真空干燥后放入磁控溅射装置真空镀膜室的旋转工架上，调整靶间距并抽真空至10-4 Pa，开启旋转工架和石墨靶，并使承载硅粉的旋转工架与石墨靶为反方向均速转动。所述硅粉的粒径在0.1~100um之间。真空干燥是在真空烘箱中，110℃条件下烘干处理120 min，以去除材料表面所吸附的水份和部分可挥发性有机物。
（2）通入氩气、二氧化碳，调节腔室气压至30 Pa，采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法在硅粉表面沉积SiOx/SiC保护层。其中，氩气和二氧化碳气体的气流量比控制在1:2~1:5。所用射频等离子体的电源为13.56MHz射频电源，输出功率300W，工作时间为8min。
（3）仅通入氩气，调节腔室气压至1 Pa，采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层，即得复合涂层包覆的硅基负极材料。其中，非平衡磁控溅射电源的占空比为0.6，电流为0.8~4 A，工作时间为10 min。
复合涂层的厚度可根据应用需要控制在15~110nm。
所得复合涂层包覆的硅基材料的结构示意图见图1。利用射频等离子体发生器，对二氧化碳气体进行处理，生成碳等离子体和氧等离子体作用于电极硅粉表面，形成Si-C、Si-O化学键，即在电极硅粉表面得到SiOx/SiC保护层（图2）。SiOx/SiC保护层能够有效抑制硅基材料在充放电过程中的体积膨胀，这将有力提升硅基电极材料的结构稳定性。同时，SiOx/SiC层也可以嵌入/脱出锂离子，进行储能，可以提高硅电极材料的储能性能。类石墨碳功能层具有良好的导电性能，能够有效提高硅电极材料的导电性，进而极大地提升材料的电化学性能。
将所制备的复合涂层包覆的硅基材料制备成锂离子半电池，在二次电解液（1.0MLiPF6 in EC:DEC:EMC=1:1:1 Vol%）中，电流密度500mA g-1时，0.1~1.5V电压区间下，经过90个循环周期，比容量可高达1108.6mA h g-1，显示出良好的循环稳定性。因此，作为锂离子电池负极材料具有广阔的市场应用前景。
综上所述，本发明相对于现有技术具有以下有益效果：
1、本发明解决了传统硅基负极电极粉末本征电导率低，在充放电过程中的体积膨胀严重，稳定性差的问题；所制备的复合涂层包覆的硅基负极材料在制备成锂离子半电池后，在500 mA g-1的电流密度下进行测试，体积膨胀明显较小，稳定性增加，倍率性能和循环性能有明显的提高；
2、本发明首先利用射频等离子体增强化学气相沉积的方法，在电极材料表面沉积SiOx/SiC保护层，随后采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层，其制备工艺简单、成本低、污染小。
附图说明
图1为本发明制备复合涂层包覆的硅基材料的结构示意图。
图2为本发明SiOx/SiC保护层形成过程示意图。
具体实施方式
下面结合具体实例对本发明的锂离子电池硅基负极材料的制备和性能进行详细说明。
实施例1
（1）薄膜沉积的实验条件：称取110℃真空烘干的150 g纳米硅粉，置于磁控溅射装置中真空腔室的旋转工架中，调整靶间距并抽真空至10-4 Pa，开启旋转装置使石墨靶与工架反方向匀速转动；
（2）SiOx/SiC保护层的制备：通入氩气、二氧化碳（气流量比为1:5），保持腔室工作压力为30 Pa，开启13.56 MHz的射频电源，输出功率300 W，工作时间为8 min；
（3）类石墨碳功能层的制备：仅通入氩气，保持腔室工作压力为1 Pa，采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层：靶电流4A，占空比为0.6，工作时间为10 min，即得复合涂层包覆的硅基负极材料，薄膜厚度110nm；
（4）将所制备的硅基负极材料制备成锂离子半电池，在二次电解液（1.0M LiPF6in EC:DEC:EMC=1:1:1 Vol%）中，电流密度500mA g-1时，0.1~1.5V电压区间下，经过90个循环周期，比容量达1004.2mA h g-1，显示出良好的循环稳定性。
实施例2
（1）薄膜沉积的实验条件：称取110℃真空烘干的150 g纳米硅粉，置于磁控溅射装置中真空腔室的旋转工架中，调整靶间距并抽真空至10-4 Pa，开启旋转装置使石墨靶与工架反方向匀速转动；
（2）SiOx/SiC保护层的制备：通入氩气、二氧化碳（气流量比为1:2），保持腔室工作压力为30 Pa，开启13.56 MHz的射频电源，输出功率300W，工作时间为8 min；
（3）类石墨碳功能层的制备：仅通入氩气，保持腔室工作压力为1 Pa，采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层，靶电流0.8A，占空比为0.6，工作时间为10 min，即得复合涂层包覆的硅基负极材料，薄膜厚度15nm；
（3）将制备的硅基负极材料制备成锂离子半电池，在二次电解液（1.0M LiPF6 inEC:DEC:EMC=1:1:1 Vol%）中，电流密度500mA g-1时，0.1~1.5V电压区间下，经过90个循环周期，比容量达890.3mA h g-1，显示出良好的循环稳定性。
实施例3
（1）薄膜沉积的实验条件：称取110℃真空烘干的150 g纳米硅粉，置于磁控溅射装置中真空腔室的旋转工架中，调整靶间距并抽真空至10-4 Pa，开启旋转装置使石墨靶与工架反方向匀速转动；
（2）SiOx/SiC保护层的制备：通入氩气、二氧化碳（气流量比为1:4），保持腔室工作压力为30 Pa，开启13.56 MHz的射频电源，输出功率300 W，工作时间为8 min；
（3）类石墨碳功能层的制备：仅通入氩气，保持腔室工作压力为1 Pa，采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层，靶电流2A，占空比为0.6，工作时间为10 min，即得复合涂层包覆的硅基负极材料，薄膜厚度65nm；
（4）将所制备的硅基负极材料制备成锂离子半电池，在二次电解液(1.0M LiPF6in EC:DEC:EMC=1:1:1 Vol%)中，电流密度500mA g-1时，0.1~1.5V电压区间下，经过90个循环周期，比容量达1108.6mA h g-1，显示出良好的循环稳定性。
对比例：未经表面包覆处理的纳米硅粉原料作为锂离子电池负极材料制备成锂离子半电池，在二次电解液（1.0M LiPF6 in EC:DEC:EMC=1:1:1 Vol%）中，电流密度500mA g-1时，0.1~1.5V电压区间下，经过20个循环周期，比容量达306 mA h g-1，循环稳定性较差。
Claims (9)
1.一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，是首先采用射频等离子体增强化学气相沉积法在纳米硅粉表面沉积SiOx/SiC保护层，随后采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层；其具体制备工艺包括以下步骤：
（1）将硅粉真空干燥后放入磁控溅射装置真空镀膜室的旋转工架上，调整靶间距并抽真空至10-4 Pa，开启旋转工架和石墨靶；
（2）通入氩气、二氧化碳，调节腔室气压至30 Pa，采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法在硅粉表面沉积SiOx/SiC保护层；
（3）仅通入氩气，调节腔室气压至1 Pa，采用非平衡磁控溅射的方法沉积类石墨碳功能层，即得复合涂层包覆的硅基负极材料。
2.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，所述硅粉的粒径在0.1~100μm之间。
3.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，真空干燥是在真空烘箱中，在110℃条件烘120 min。
4.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，承载硅粉的旋转工架与石墨靶为反方向均速转动。
5.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，氩气和二氧化碳气体的气流量比控制在1:2~1:5。
6.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，射频等离子体的电源为13.56MHz射频电源，输出功率300W，工作时间为8min。
7.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，非平衡磁控溅射电源的占空比为0.6，电流为0.8~4 A，工作时间为10 min。
8.如权利要求1所述一种复合涂层包覆的硅基材料的制备方法，其特征在于：所述复合涂层的厚度控制在15~110nm。
9.如权利要求1所述方法制备的复合涂层包覆的硅基材料作为锂离子电池负极材料的应用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211511022.5A CN115747760B (zh) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202211511022.5A CN115747760B (zh) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115747760A CN115747760A (zh) | 2023-03-07 |
| CN115747760B true CN115747760B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=85340198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202211511022.5A Active CN115747760B (zh) | 2022-11-30 | 2022-11-30 | 一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN115747760B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666543A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-10-16 | 同济大学 | 一种海海绵状C-SiC复合材料及其制备方法 |
| CN109888240A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-14 | 中南大学 | 一种具有核壳结构的SiOx-C复合负极材料及其制备方法 |
| CN112366301A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-12 | 宁夏博尔特科技有限公司 | 一种锂离子电池用硅/硅氧化物/碳复合负极材料及其制备方法 |
| JP2021183550A (ja) * | 2020-05-21 | 2021-12-02 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | リチウムダイシリケート含有リチウム含有酸化ケイ素およびその製造方法 |
-
2022
- 2022-11-30 CN CN202211511022.5A patent/CN115747760B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108666543A (zh) * | 2018-04-17 | 2018-10-16 | 同济大学 | 一种海海绵状C-SiC复合材料及其制备方法 |
| CN109888240A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-14 | 中南大学 | 一种具有核壳结构的SiOx-C复合负极材料及其制备方法 |
| JP2021183550A (ja) * | 2020-05-21 | 2021-12-02 | 株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ | リチウムダイシリケート含有リチウム含有酸化ケイ素およびその製造方法 |
| CN112366301A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-12 | 宁夏博尔特科技有限公司 | 一种锂离子电池用硅/硅氧化物/碳复合负极材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 碳化硅在能源领域的应用及展望;赵敏;贺文智;朱昊辰;黄菊文;李光明;;上海节能(10);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115747760A (zh) | 2023-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106450154B (zh) | 一种锂离子电池铝集流体表面原位生长石墨烯的制备方法 | |
| CN105226258B (zh) | 一种锂离子电池负极复合薄膜材料及其制备方法 | |
| CN111725504B (zh) | 一种锂离子电池用硅碳负极材料及其制备方法 | |
| CN108682791B (zh) | 一种气相法制备层状结构无机钙钛矿负极材料的方法 | |
| CN102709531A (zh) | 一种锂离子电池及其负极 | |
| CN108807883A (zh) | 硅碳薄膜负极材料及其制备方法 | |
| CN103413920B (zh) | 一种锂离子电池用硅/取向碳纳米管复合负极材料及其制备方法 | |
| CN109065834B (zh) | 一种锂离子用无机钙钛矿衍生相作负极材料的制备方法 | |
| CN114497506A (zh) | 一种硬碳-无机锂盐复合电极材料及其制备方法和应用 | |
| CN110943205A (zh) | 原子层沉积修饰的钾离子电池石墨负极改性方法及其应用 | |
| CN115747760B (zh) | 一种复合涂层包覆的硅基材料其制备方法和应用 | |
| CN110474037B (zh) | 一种多孔硅碳复合负极材料的制备方法 | |
| CN112635199A (zh) | 多级结构MXene@双活化杉木复合材料电极及其制备方法和应用 | |
| CN104445443B (zh) | 一种制备纳米片结构氧化钴电极的方法 | |
| CN112723337B (zh) | 等离子体改性氟化碳正极材料及制备方法和用途 | |
| CN109728267B (zh) | 含磷小分子功能化碳纳米管的复合材料制备方法和应用 | |
| CN110931743B (zh) | 复合电极材料及其制备方法与应用 | |
| CN109301224B (zh) | 一种锂离子电池硅基复合负极材料的制备方法及应用 | |
| CN108091859B (zh) | 一种锂电池用钼氧化物/金刚石负极复合材料及其制备方法 | |
| CN108110222B (zh) | 一种基于锂电池的多层金属-碳负极的制备方法 | |
| CN112331825A (zh) | 一种锂离子电池硅碳银复合负极的制备方法 | |
| US20240178371A1 (en) | Silicon-based anode material with high stability and conductivity for lithium-ion batteries and preparation method thereof | |
| CN113948677B (zh) | 可直接用于制备锂离子电池的硅烯负极片及其制备和应用 | |
| CN108987685A (zh) | 一种锂离子电池三维多孔硅基碳复合薄膜负极材料的制备方法 | |
| CN118213460A (zh) | 具有定向导离子通道的锌电池负极材料及制备方法和应用 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |