CN115735328A - 高频电路和通信装置 - Google Patents

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Abstract

在支持APT方式及ET方式的情况下，使在APT方式中向功率放大器提供的电源电压稳定化。高频电路(100)具备功率放大器(111)、控制电路(控制器(107))、通断开关(108)、连接端子(85)以及安装基板。功率放大器(111)能够支持APT方式及ET方式。控制电路通过APT方式及ET方式来控制功率放大器(111)。通断开关(108)与电容元件(320)串联连接，该电容元件(320)连接在路径(R2)与地之间。连接端子(85)与电容元件(320)连接。在从安装基板的厚度方向俯视时，控制电路与连接端子(85)重叠。

Description

高频电路和通信装置
技术领域
本发明一般涉及一种高频电路和通信装置，更详细地说，涉及一种具备功率放大器的高频电路以及具备高频电路的通信装置。
背景技术
在专利文献1中记载了具备包络跟踪器、第一～第三功率放大器(PowerAmplifier)以及第一～第三开关电容器的功率放大器系统(高频电路)。在专利文献1所记载的功率放大器系统中，能够通过启用第一～第三功率放大器中的1个功率放大器并禁用剩下的2个功率放大器来减少包络跟踪器上的容性负载，从而提高功率放大器系统的效率。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2014-502808号公报
发明内容
发明要解决的问题
若是如专利文献1所记载那样的功率放大器系统，那么在想要支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式的情况下，在平均功率跟踪方式中向功率放大器提供的电源电压可能会不稳定。
本发明的目的在于提供一种在支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式的情况下，能够使在平均功率跟踪方式中向功率放大器提供的电源电压稳定化的高频电路和通信装置。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频电路具备功率放大器、控制电路、通断开关、连接端子以及安装基板。所述功率放大器具有电源端子，能够支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式。所述控制电路与所述电源端子连接，通过所述平均功率跟踪方式及所述包络跟踪方式来控制所述功率放大器。所述通断开关与电容元件串联连接，所述电容元件连接在所述控制电路同所述电源端子之间的路径与地之间。所述连接端子与电容元件连接。所述安装基板具有彼此相向的第一主面及第二主面。在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述控制电路与所述连接端子重叠。
本发明的一个方式所涉及的通信装置具备所述高频电路和信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频电路连接，对高频信号进行处理。
发明的效果
根据本发明的上述方式所涉及的高频电路和通信装置，在支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式的情况下，能够使在平均功率跟踪方式中向功率放大器提供的电源电压稳定化。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频电路和通信装置的电路结构图。
图2是上述的高频电路的俯视图。
图3是图2的A1-A1截面图。
图4是实施方式1的变形例1所涉及的高频电路的截面图。
图5是实施方式1的变形例2所涉及的高频电路的截面图。
图6是实施方式1的变形例3所涉及的高频电路的截面图。
图7是实施方式2所涉及的高频电路的主要部分的电路结构图。
图8是上述的高频电路的截面图。
具体实施方式
在下面的实施方式1、2等中参照的图2～图6以及图8均为示意性的图，图中的各构成要素的大小之比、厚度之比未必反映实际的尺寸比。
另外，在本公开中，“任意的构成要素配置于安装基板的第一主面侧”是指，上述构成要素在具有彼此相向的第一主面及第二主面的安装基板被配置于比安装基板的第二主面更靠第一主面侧的位置。作为“任意的构成要素配置于安装基板的第一主面侧”的例子，存在上述构成要素配置于安装基板的第一主面的情况以及上述构成要素配置于与安装基板的第一主面分离的位置的情况。作为“上述构成要素配置于安装基板的第一主面”的例子，存在上述构成要素安装于安装基板的第一主面的情况以及上述构成要素的一部分安装于安装基板的第一主面且上述构成要素的剩余部分安装于安装基板内的情况。作为“上述构成要素配置于与安装基板的第一主面分离的位置”的例子，存在上述构成要素与其它构成要素堆叠的情况。在该情况下，在安装基板的第一主面安装有其它构成要素，在其它构成要素之上层叠有上述构成要素。也可以是，在上述构成要素与其它构成要素之间还存在其它构成要素。
同样地，在本公开中，“任意的构成要素配置于安装基板的第二主面侧”是指，上述构成要素在具有彼此相向的第一主面及第二主面的安装基板被配置于比安装基板的第一主面更靠第二主面侧的位置。作为“任意的构成要素配置于安装基板的第二主面侧”的例子，存在上述构成要素配置于安装基板的第二主面的情况以及上述构成要素配置于与安装基板的第二主面分离的位置的情况。作为“上述构成要素配置于安装基板的第二主面”的例子，存在上述构成要素安装于安装基板的第二主面的情况以及上述构成要素的一部分安装于安装基板的第二主面且上述构成要素的剩余部分安装于安装基板内的情况。作为“上述构成要素配置于与安装基板的第二主面分离的位置”的例子，存在上述构成要素与其它构成要素堆叠的情况。在该情况下，在安装基板的第二主面安装有其它构成要素，在其它构成要素之上层叠有上述构成要素。也可以是，在上述构成要素与其它构成要素之间还存在其它构成要素。
(实施方式1)
如图1所示，实施方式1所涉及的高频电路100具备功率放大器111、控制器(控制电路)107、通断开关108、连接端子85以及安装基板9(参照图2)。功率放大器111具有电源端子1111，能够支持平均功率跟踪(Average Power Tracking)方式(下面也称为“APT方式”)及包络跟踪(Envelope Tracking)方式(下面也称为“ET方式”)。控制器107与电源端子1111连接，通过平均功率跟踪方式及包络跟踪方式来控制功率放大器111。通断开关108与电容元件320串联连接，该电容元件320连接在控制器107同电源端子1111之间的路径R2与地之间。在此，“电容元件连接在控制器同电源端子之间的路径与地之间”是指，电容元件在上述路径与地之间电连接于上述路径及地双方。连接端子85与电容元件320连接。安装基板9具有彼此相向的第一主面91及第二主面。在从安装基板9的厚度方向D1(参照图3)俯视时，控制电路107与连接端子85重叠。由此，实施方式1所涉及的高频电路100能够在支持平均功率跟踪方式和包络跟踪方式双方的情况下，使在平均功率跟踪方式中向功率放大器111提供的电源电压稳定化。另外，能够以使控制电路107与连接端子85之间的布线长度变短的方式进行设计。
下面，参照图1～图6来说明实施方式1所涉及的高频电路100及通信装置300。
(1)高频电路及通信装置
(1.1)高频电路及通信装置的电路结构
首先，参照图1来说明实施方式1所涉及的高频电路100及通信装置300的电路结构。
实施方式1所涉及的高频电路100例如用于通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如智能手机)，但不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如智能手表)。高频电路100例如是能够支持4G(第四代移动通信)标准、5G(第五代移动通信)标准的模块。4G标准例如是3GPP LTE(Long Term Evolution：长期演进)标准。5G标准例如是5G NR(New Radio：新空口)。高频电路100是能够支持载波聚合及双连接的模块。
高频电路100例如构成为能够将从信号处理电路301输入的发送信号(高频信号)放大后输出到天线310。另外，高频电路100构成为能够将从天线310输入的接收信号(高频信号)放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频电路100的构成要素，而是具备高频电路100的通信装置300的构成要素。高频电路100例如由通信装置300所具备的信号处理电路301控制。通信装置300具备高频电路100和信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300还具备电容元件320以及安装有高频电路100的电路基板13。
电容元件320连接在设置于高频电路100的连接端子85与地之间。电容元件320例如由1个电容器构成，但也有时包括多个电容器。在该情况下，多个电容器既可以相互串联连接，也可以相互并联连接，还可以是它们的组合。
电路基板13例如是印刷电路板。电路基板13具有被施加地电位的地电极。另外，电路基板13具有在电路基板13的厚度方向(后述的安装基板9的厚度方向D1)上彼此相向的第一主面131及第二主面132(参照图3)。在通信装置300中，高频电路100配置于电路基板13的第一主面131侧。另外，在通信装置300中，电容元件320配置于电路基板13的第一主面131侧。另外，在通信装置300中，高频电路100与电容元件320在电路基板13的第一主面131上邻接。在此，“2个构成要素邻接”是指在相邻的2个构成要素之间不存在其它构成要素。因而，在图3中，在高频电路100与电容元件320之间不存在其它构成要素。这样，高频电路100与电容元件320在电路基板13的第一主面131邻接，由此能够使高频电路100与电容元件320之间的布线长度短。
信号处理电路301例如包括RF信号处理电路302和基带信号处理电路303。RF信号处理电路302例如是RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit：射频集成电路)，其进行针对高频信号的信号处理。RF信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号(发送信号)进行上变频等信号处理，输出进行信号处理后的高频信号。另外，RF信号处理电路302例如对从高频电路100输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，将进行信号处理后的高频信号向基带信号处理电路303输出。基带信号处理电路303例如是BBIC(Baseband Integrated Circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303根据基带信号生成I相信号及Q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将I相信号与Q相信号合成来进行IQ调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制所得到的调制信号(IQ信号)。在基带信号处理电路303中进行处理后的接收信号例如作为图像信号被用于图像显示、或者作为声音信号被用于通话。高频电路100在天线310与信号处理电路301的RF信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
高频电路100具备功率放大器111和低噪声放大器121。另外，高频电路100具备多个(在图示例中为2个)发送滤波器112A、112B和多个(在图示例中为2个)接收滤波器122A、122B。另外，高频电路100具备输出匹配电路113、输入匹配电路123以及多个(在图示例中为2个)匹配电路114、124。另外，高频电路100具备第一开关104、第二开关105以及第三开关106。另外，高频电路100具备控制器(控制电路)107和通断开关108。
另外，高频电路100具备多个外部连接端子80。多个外部连接端子80包括天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84、连接端子85以及多个地端子86(参照图5)。多个地端子86是与通信装置300所具备的上述的电路基板13的地电极电连接从而被施加地电位的端子。
功率放大器111设置于发送信号用的信号路径T1。功率放大器111具有输入端子、输出端子以及电源端子1111。功率放大器111将输入到输入端子的第一频带的发送信号放大后从输出端子输出。第一频带例如包含第一通信频段和第二通信频段。第一通信频段与通过发送滤波器112A的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band11。第二通信频段与通过发送滤波器112B的发送信号对应，例如是3GPP LTE标准的Band22。
功率放大器111的输入端子与信号输入端子82连接。功率放大器111的输入端子经由信号输入端子82来与信号处理电路301连接。信号输入端子82是用于将来自外部电路(例如信号处理电路301)的高频信号(发送信号)输入到高频电路100的端子。功率放大器111的输出端子经由输出匹配电路113来与第二开关105的共用端子150连接。功率放大器111的电源端子1111与控制器107连接。功率放大器111例如由控制器(控制电路)107控制。
低噪声放大器121设置于接收信号用的信号路径R1。低噪声放大器121具有输入端子及输出端子。低噪声放大器121将输入到输入端子的第二频带的接收信号放大后从输出端子输出。第二频带例如与第一频带相同，包含第一通信频段和第二通信频段。
低噪声放大器121的输入端子经由输入匹配电路123来与第三开关106的共用端子160连接。低噪声放大器121的输出端子与信号输出端子83连接。低噪声放大器121的输出端子例如经由信号输出端子83来与信号处理电路301连接。信号输出端子83是用于将来自低噪声放大器121的高频信号(接收信号)向外部电路(例如信号处理电路301)输出的端子。
发送滤波器112A例如是以第一通信频段的发送带为通带的滤波器。发送滤波器112B例如是以第二通信频段的发送带为通带的滤波器。接收滤波器122A例如是以第一通信频段的接收带为通带的滤波器。接收滤波器122B例如是以第二通信频段的接收带为通带的滤波器。在实施方式1所涉及的高频电路100中，由发送滤波器112A和接收滤波器122A构成第一双工器，由发送滤波器112B和接收滤波器122B构成第二双工器。
第一开关104具有共用端子140和多个(在图示例中为2个)选择端子141、142。共用端子140与天线端子81连接。在天线端子81连接天线310。选择端子141与发送滤波器112A的输出端子及接收滤波器122A的输入端子连接。选择端子142与发送滤波器112B的输出端子及接收滤波器122B的输入端子连接。第一开关104例如是能够将多个选择端子141、142中的至少1个选择端子与共用端子140连接的开关。在此，第一开关104例如是能够进行一对一连接以及一对多连接的开关。
第一开关104设置于发送信号用的信号路径T1(T11、T12)和接收信号用的信号路径R1(R11、R12)双方。更详细地说，第一开关104设置于设置有功率放大器111、输出匹配电路113、第二开关105、发送滤波器112A以及匹配电路114的发送信号用的信号路径T11。另外，第一开关104设置于设置有功率放大器111、输出匹配电路113、第二开关105、发送滤波器112B以及匹配电路124的发送信号用的信号路径T12。另外，第一开关104设置于设置有匹配电路114、接收滤波器122A、第三开关106、输入匹配电路123以及低噪声放大器121的接收信号用的信号路径R11。另外，第一开关104设置于设置有匹配电路124、接收滤波器122B、第三开关106、输入匹配电路123以及低噪声放大器121的接收信号用的信号路径R12。
第一开关104例如由信号处理电路301控制。第一开关104按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换共用端子140与多个选择端子141、142的连接状态。第一开关104例如是开关IC(Integrated Circuit：集成电路)。
第二开关105具有共用端子150和多个(在图示例中为2个)选择端子151、152。共用端子150经由输出匹配电路113来与功率放大器111的输出端子连接。选择端子151与发送滤波器112A的输入端子连接。选择端子152与发送滤波器112B的输入端子连接。第二开关105例如是能够将多个选择端子151、152中的至少1个选择端子与共用端子150连接的开关。在此，第二开关105例如是能够进行一对一连接以及一对多连接的开关。第二开关105是具有在通信频段互不相同的多个发送信号用的信号路径T11、T12之间切换的功能的开关。
第二开关105例如由信号处理电路301控制。第二开关105按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换共用端子150与多个选择端子151、152的连接状态。第二开关105例如是开关IC。
第三开关106具有共用端子160和多个(在图示例中为2个)选择端子161、162。共用端子160经由输入匹配电路123来与低噪声放大器121的输入端子连接。选择端子161与接收滤波器122A的输出端子连接。选择端子162与接收滤波器122B的输出端子连接。第三开关106例如是能够将多个选择端子161、162中的至少1个选择端子与共用端子160连接的开关。在此，第三开关106例如是能够进行一对一连接以及一对多连接的开关。第三开关106是具有在通信频段互不相同的多个接收信号用的信号路径R11、R12之间切换的功能的开关。
第三开关106例如由信号处理电路301控制。第三开关106按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号，切换共用端子160与多个选择端子161、162的连接状态。第三开关106例如是开关IC。
输出匹配电路113设置于功率放大器111的输出端子与第二开关105的共用端子150之间的信号路径。输出匹配电路113是用于取得功率放大器111与发送滤波器112A、112B的阻抗匹配的电路。输出匹配电路113例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器及多个电容器。
输入匹配电路123设置于低噪声放大器121的输入端子与第三开关106的共用端子160之间的信号路径。输入匹配电路123是用于取得低噪声放大器121与接收滤波器122A、122B的阻抗匹配的电路。输入匹配电路123例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器及多个电容器。
匹配电路114设置于发送滤波器112A的输出端子及接收滤波器122A的输入端子与第一开关104的选择端子141之间的信号路径。匹配电路114是用于取得发送滤波器112A及接收滤波器122A与第一开关104的阻抗匹配的电路。匹配电路114例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器及多个电容器。
匹配电路124设置于发送滤波器112B的输出端子及接收滤波器122B的输入端子与第一开关104的选择端子142之间的信号路径。匹配电路124是用于取得发送滤波器112B及接收滤波器122B与第一开关104的阻抗匹配的电路。匹配电路124例如由1个电感器构成，但不限于此，例如也有时包括多个电感器及多个电容器。
控制器107与功率放大器111连接。控制器107例如经由控制端子84来与信号处理电路301连接。控制端子84是用于将来自外部电路(例如信号处理电路301)的控制信号输入到控制器107的端子。控制器107基于从控制端子84获取到的控制信号来控制功率放大器111。控制器107按照来自信号处理电路301的RF信号处理电路302的控制信号来控制功率放大器111。在此，控制器107获取来自RF信号处理电路302的控制信号，基于该控制信号，使功率放大器111例如在第一功率模式或第二功率模式下进行动作。在来自RF信号处理电路302的控制信号是指示功率放大器111在第一功率模式下进行动作的信号的情况下，控制器107使功率放大器111在第一功率模式下进行动作。另外，在来自RF信号处理电路302的控制信号是指示功率放大器111在第二功率模式下进行动作的信号的情况下，控制器107使功率放大器111在第二功率模式下进行动作。
在第一功率模式下，控制器107使功率放大器111进行包络跟踪动作。即，在第一功率模式下，控制器107以包络跟踪方式对功率放大器111进行控制。在该情况下，控制器107根据输入到功率放大器111的发送信号(来自信号处理电路301的发送信号)的输入信号电平来控制功率放大器111的电源电压。更详细地说，在高频电路100中，功率放大器111的电源端子1111被提供与发送信号的振幅电平相应的电源电压。控制器107例如基于来自信号处理电路301的基带信号处理电路303的电源控制信号(包络信号)来生成电源电压，并提供到功率放大器111的电源端子1111。基带信号处理电路303基于IQ信号对调制信号的振幅电平进行检测，并向控制器107输出电源控制信号以使电源电压成为与发送信号的振幅电平相应的电平。
在第二功率模式下，控制器107使功率放大器111进行平均功率跟踪动作。即，在第二功率模式下，控制器107以平均功率跟踪方式对功率放大器111进行控制。在该情况下，控制器107基于来自基带信号处理电路303的电源控制信号，每隔规定期间计算高频信号的平均功率振幅，根据所计算出的平均功率振幅来控制功率放大器111的电源电压。
通断开关108连接在路径R2与连接端子85之间。路径R2是功率放大器111的电源端子1111与控制器107之间的路径。通断开关108例如由控制器107控制。在第一功率模式下，通断开关108根据来自控制器107的控制信号而断开，以使连接于连接端子85的电容元件320不连接到路径R2。换言之，在控制器107通过包络跟踪方式来控制功率放大器111的情况下，控制器107使通断开关108断开。另外，在第二功率模式下，通断开关108根据来自控制器107的控制信号而接通，以使电容元件320连接到路径R2。换言之，在控制器107通过平均功率跟踪方式来控制功率放大器111的情况下，控制器107使通断开关108接通。
(1.2)高频模块的结构
如图2及图3所示，实施方式1所涉及的高频电路100具备安装基板9。下面，也有时将具备安装基板9的高频电路100称为“高频模块100”。下面，参照图2及图3来说明实施方式1所涉及的高频模块100的结构。
如图2及图3所示，实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板9、第一电子部件1、第二电子部件2以及多个外部连接端子80(参照图1)。第一电子部件1例如是控制器107。第二电子部件2例如是通断开关108。在实施方式1所涉及的高频模块100中，控制器107和通断开关108由1个芯片10构成。即，芯片10包括控制器107和通断开关108。
安装基板9具有在安装基板9的厚度方向D1上彼此相向的第一主面91及第二主面92。安装基板9例如是包括多个电介质层及多个导电层的多层基板。多个电介质层及多个导电层在安装基板9的厚度方向D1上层叠。多个导电层形成为按层决定的规定图案。多个导电层的各层在与安装基板9的厚度方向D1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层的材料例如是铜。多个导电层包括地层。在高频模块100中，多个地端子86与地层经由安装基板9所具有的通路导体等来进行电连接。安装基板9例如是LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板9不限于LTCC基板，例如也可以是印刷电路板、HTCC(High Temperature Co-fired Ceramics：高温共烧陶瓷)基板、或者树脂多层基板。
另外，安装基板9不限于LTCC基板，例如也可以是布线结构体。布线结构体例如是多层结构体。多层结构体包括至少1个绝缘层以及至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层为多个的情况下，多个绝缘层形成为按层决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层为多个的情况下，多个导电层形成为按层决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线结构体中，在多层结构体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板9的第一主面91，第二面是安装基板9的第二主面92。布线结构体例如可以是内插板(interposer)。内插板既可以是使用硅基板的内插板，也可以是由多层构成的基板。
安装基板9的第一主面91及第二主面92在安装基板9的厚度方向D1上分离，与安装基板9的厚度方向D1交叉。安装基板9中的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但也可以例如包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9中的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向D1正交，但也可以例如包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向D1正交的面。另外，安装基板9的第一主面91及第二主面92也可以形成有微小的凹凸、凹部或者凸部。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，安装基板9是长方形形状，但不限于此，例如也可以是正方形状。在实施方式1所涉及的高频模块100中，安装基板9是仅在第一主面91安装电子部件的单面安装基板。
功率放大器111例如是包括具有彼此相向的第一主面及第二主面的基板以及形成于该基板的第一主面侧的具有晶体管的电路部(IC部)的IC芯片。基板例如是砷化镓基板。电路部具有将输入到功率放大器111的输入端子的发送信号放大的功能。晶体管例如是HBT(Heterojunction Bipolar Transistor：异质结双极晶体管)。功率放大器111例如可以包括直流截止用的电容器。包括功率放大器111的IC芯片例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面及第二主面中的第一主面成为安装基板9的第一主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，包括功率放大器111的IC芯片的外周形状是四边形形状。包括功率放大器111的IC芯片中的基板不限于砷化镓基板，也可以是硅基板、锗化硅基板、或者氮化镓基板等。另外，晶体管不限于HBT等双极晶体管，例如也可以是FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。FET例如是MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。
低噪声放大器121例如是包括具有彼此相向的第一主面及第二主面的基板以及形成于该基板的第一主面侧的电路部(IC部)的IC芯片。基板例如是硅基板。电路部具有将输入到低噪声放大器121的输入端子的接收信号放大的功能。低噪声放大器121例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面及第二主面中的第一主面成为安装基板9的第一主面91侧。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，低噪声放大器121的外周形状是四边形形状。
多个发送滤波器112A、112B及多个接收滤波器122A、122B中的各滤波器例如是梯型滤波器。多个发送滤波器112A、112B及多个接收滤波器122A、122B中的各滤波器具有多个(例如4个)串联臂谐振器和多个(例如3个)并联臂谐振器。多个发送滤波器112A、112B及多个接收滤波器122A、122B中的各滤波器例如是弹性波滤波器。关于弹性波滤波器，多个串联臂谐振器及多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的表面声波滤波器。
在表面声波滤波器中，多个串联臂谐振器及多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)谐振器。
表面声波滤波器例如包括：基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面；以及电路部，其形成于该基板的第一主面侧。基板是压电基板。压电基板例如是铌酸锂基板。电路部具有与多个串联臂谐振器一一对应的多个IDT(Interdigital Transducer：叉指换能器)电极以及与多个并联臂谐振器一一对应的多个IDT电极。
多个发送滤波器112A、112B及多个接收滤波器122A、122B中的各滤波器例如是裸芯片的弹性波滤波器。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，多个发送滤波器112A、112B及多个接收滤波器122A、122B各自的外周形状是四边形形状。多个发送滤波器112A、112B及多个接收滤波器122A、122B中的各滤波器例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面和第二主面中的第一主面成为安装基板9侧。
第一开关104、第二开关105以及第三开关106中的各开关是开关IC。更详细地说，第一开关104、第二开关105以及第三开关106中的各开关例如是包括具有彼此相向的第一主面及第二主面的基板以及具有形成于该基板的第一主面侧的FET的电路部(IC部)的IC芯片。基板例如是硅基板。电路部是具有切换共用端子与多个选择端子的连接状态的功能的功能部。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，构成第一开关104、第二开关105以及第三开关106中的各开关的IC芯片的外周形状是四边形形状。第一开关104、第二开关105以及第三开关106中的各开关例如以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91，使得基板的第一主面及第二主面中的第一主面成为安装基板9的第一主面91侧。
如图3所示，控制器107及通断开关108由1个芯片10构成。即，芯片10包括控制器107和通断开关108。芯片10以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，芯片10例如是四边形形状。
输出匹配电路113中的电感器例如是芯片电感器。输出匹配电路113中的电感器例如配置于安装基板9的第一主面91侧，但不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电感器的外周形状是四边形形状。
输入匹配电路123中的电感器例如是芯片电感器。输入匹配电路123中的电感器例如配置于安装基板9的第一主面91侧，但不限于此。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，电感器的外周形状是四边形形状。
多个外部连接端子80配置于安装基板9的第二主面92。多个外部连接端子80中的各端子是柱状(例如圆柱状)的端子。多个外部连接端子80的材料是金属(例如铜或者铜合金)。
多个外部连接端子80除了包括上述的天线端子81、信号输入端子82、信号输出端子83、控制端子84以及连接端子85以外，还包括多个地端子86。如上所述，多个地端子86与安装基板9的地层电连接。地层是高频模块100的电路地。
如图2及图3所示，在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一电子部件1和第二电子部件2由1个芯片10构成。即，在实施方式1所涉及的高频模块100中，控制器107和通断开关108由1个芯片10构成。另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，芯片10所包括的控制器107及通断开关108配置于安装基板9的第一主面91侧。
另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，如上所述，控制器107配置于安装基板9的第一主面91侧，连接端子85配置于安装基板9的第二主面92侧。而且，如图2所示，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，芯片10的包括控制器107在内的一部分与连接端子85的一部分重叠。由此，相比于控制器107与连接端子85不重叠的情况而言，能够设计为使控制器107与连接端子85之间的布线长度变短。
(2)高频电路的动作
接着，说明实施方式1所涉及的高频电路100的动作。
在实施方式1所涉及的高频电路100中，如上所述，控制器107构成为使功率放大器111在第一功率模式或第二功率模式下进行动作。如上所述，第一功率模式是以包络跟踪方式对功率放大器111进行控制的模式，第二功率模式是以平均功率跟踪方式对功率放大器111进行控制的模式。具体地说，在发送功率高的情况下，控制器107使功率放大器111在第一功率模式下进行动作，在发送功率低的情况下，控制器107使功率放大器111在第二功率模式下进行动作。
在第一功率模式下，控制器107根据输入到功率放大器111的发送信号的输入信号电平来控制输入到功率放大器111的电源端子1111的电源电压。具体地说，控制器107例如基于来自信号处理电路301的基带信号处理电路303的电源控制信号(包络信号)来生成电源电压，并将所生成的电源电压提供到功率放大器111的电源端子1111。
在此，在包络跟踪动作中，以比平均功率跟踪动作短的周期控制电压。因此，当在包络跟踪动作时将电容元件320连接到路径R2时，不再能够进行包络跟踪动作。因而，在使功率放大器111进行包络跟踪动作的第一功率模式下，控制器107使通断开关108断开，将电容元件320从路径R2分离。
如上所述，在第二功率模式下，控制器107根据平均功率振幅来控制输入到功率放大器111的电源端子1111的电源电压。具体地说，控制器107例如基于来自基带信号处理电路303的电源控制信号来针对各规定期间计算高频信号的平均功率振幅，将根据所计算出的平均功率振幅而生成的电源电压提供到功率放大器111的电源端子1111。
另外，在第二功率模式下，路径R2的寄生电感成分大，从控制器107向功率放大器111的电源端子1111提供的电源电压不稳定。因此，控制器107使通断开关108接通，将电容元件320连接到路径R2。由此，能够抑制路径R2的寄生电感成分，其结果，能够使在第二功率模式下向功率放大器111的电源端子1111提供的电源电压稳定化。
(3)总结
(3.1)高频电路
实施方式1所涉及的高频电路100具备功率放大器111、控制器107、通断开关108、连接端子85以及安装基板9。功率放大器111具有电源端子1111，能够支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式。控制器107与电源端子1111连接，通过平均功率跟踪方式及包络跟踪方式来控制功率放大器111。通断开关108与电容元件320串联连接，该电容元件320连接在控制器107同电源端子1111之间的路径R2与地之间。连接端子85与电容元件320连接。安装基板9具有彼此相向的第一主面91及第二主面92。在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制电路107与连接端子85重叠。
在实施方式1所涉及的高频电路100中，在平均功率跟踪方式中使通断开关108接通从而将电容元件320连接到路径R2。由此，能够抑制路径R2的寄生电感成分，因此能够在平均功率跟踪方式中使去向功率放大器111的电源端子1111的电源电压稳定化。
另外，在实施方式1所涉及的高频电路100中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制器107与连接端子85重叠。由此，相比于控制器107与连接端子85不重叠的情况而言，能够设计为使控制器107与连接端子85之间的布线长度变短。
另外，在实施方式1所涉及的高频电路100中，控制器107和通断开关108由1个芯片10构成。由此，相比于控制器107和通断开关108由不同的芯片构成的情况而言，能够使在从安装基板9的厚度方向D1俯视时的安装基板9的面积小。
(3.2)通信装置
实施方式1所涉及的通信装置300具备上述的高频电路100和信号处理电路301。信号处理电路301与高频电路100连接，对高频信号进行处理。
实施方式1所涉及的通信装置300具备高频电路100，因此能够在平均功率跟踪方式中使去向功率放大器111的电源端子1111的电源电压稳定化。
(4)变形例
下面列举实施方式1的变形例。以下所说明的变形例能够适当组合来进行应用。
(4.1)变形例1
参照图4来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频电路100a。关于变形例1所涉及的高频电路100a，对与实施方式1所涉及的高频电路100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。
在变形例1所涉及的高频电路100a中，与实施方式1所涉及的高频电路100的不同之处在于，包括第一电子部件1及第二电子部件2的芯片10与第四电子部件4在安装基板9的第一主面91进行层叠。
如图4所示，在变形例1所涉及的高频电路100a中，第四电子部件4以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91。第四电子部件4例如是功率放大器111。另外，在变形例1所涉及的高频电路100a中，包括第一电子部件1及第二电子部件2的芯片10以倒装芯片安装的方式安装于第四电子部件4的与安装基板9相反的一侧的主面。即，在变形例1所涉及的高频电路100a中，第四电子部件4、芯片10(第一电子部件1及第二电子部件2)在安装基板9的第一主面91从安装基板9侧起按此顺序进行层叠。总之，控制器107及通断开关108配置于功率放大器111的与安装基板9相反的一侧。
在变形例1所涉及的高频电路100a中，如上所述，芯片10所包括的第一电子部件1及第二电子部件2与第四电子部件4在安装基板9的第一主面91进行层叠。由此，相比于将芯片10和第四电子部件4分开地配置于安装基板9的第一主面91的情况而言，能够使在从安装基板9的厚度方向D1俯视时的安装基板9的面积小。
另外，在变形例1所涉及的高频电路100a中，在安装基板9的厚度方向D1上，包括第一电子部件1及第二电子部件2的芯片10与第四电子部件4重叠。由此，相比于将芯片10和第四电子部件4分开地配置于安装基板9的第一主面91的情况而言，能够使第一电子部件1与第四电子部件4之间的布线长度以及第二电子部件2与第四电子部件4之间的布线长度短。
(4.2)变形例2
参照图5来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频电路100b。关于变形例2所涉及的高频电路100b，对与变形例1所涉及的高频电路100a相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。
在变形例2所涉及的高频电路100b中，与变形例1所涉及的高频电路100a的不同之处在于，包括第一电子部件1及第二电子部件2的芯片10配置于安装基板9的第二主面92侧。
在变形例2所涉及的高频电路100b中，如图5所示，第四电子部件4以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第一主面91。另外，在变形例2所涉及的高频电路100b中，包括第一电子部件1及第二电子部件2的芯片10以倒装芯片安装的方式安装于安装基板9的第二主面92。即，在变形例2所涉及的高频电路100b中，功率放大器111(第四电子部件4)配置于安装基板9的第一主面91侧，控制器107及通断开关108(第一电子部件1及第二电子部件2)配置于安装基板9的第二主面92侧。
在变形例2所涉及的高频电路100b中，如上所述，第四电子部件4配置于安装基板9的第一主面91侧，芯片10所包括的第一电子部件1及第二电子部件2配置于安装基板9的第二主面92。由此，相比于将芯片10和第四电子部件4配置于安装基板9的第一主面91侧的情况而言，能够使在从安装基板9的厚度方向D1俯视时的安装基板9的面积小。
另外，在变形例2所涉及的高频电路100b中，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，包括第一电子部件1及第二电子部件2的芯片10与第四电子部件4重叠。由此，相比于在从安装基板9的厚度方向D1俯视时芯片10与第四电子部件4不重叠的情况而言，能够使第一电子部件1与第四电子部件4之间的布线长度以及第二电子部件2与第四电子部件4之间的布线长度短。
(4.3)变形例3
参照图6来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频电路100c。关于变形例3所涉及的高频电路100c，对与实施方式1所涉及的高频电路100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。
在变形例3所涉及的高频电路100c中，与实施方式1所涉及的高频电路100的不同之处在于，芯片10c除了包括第一电子部件1及第二电子部件2以外，还包括第五电子部件5。
在变形例3所涉及的高频电路100c中，如图6所示，第一电子部件1、第二电子部件2以及第五电子部件5由1个芯片10c构成。即，芯片10c包括第一电子部件1、第二电子部件2以及第五电子部件5。第五电子部件5例如是第二开关105。也就是说，在变形例3所涉及的高频电路100c中，控制器107、通断开关108以及第二开关105由1个芯片10c构成。如图6所示，芯片10c配置于安装基板9的第一主面91侧。
在变形例3所涉及的高频电路100c中，如上所述，第一电子部件1、第二电子部件2以及第五电子部件5由1个芯片10c构成，且配置于安装基板9的第一主面91侧。由此，相比于将第一电子部件1、第二电子部件2以及第五电子部件5中的至少2个分开地配置于第一主面91侧的情况而言，能够使在安装基板9的厚度方向D1上的安装基板9的面积小。
(4.4)其它变形例
在实施方式1所涉及的高频电路100中，至少控制器107和通断开关108由1个芯片10、10c构成，但例如也可以是，控制器107和通断开关108由不同的芯片构成。
在实施方式1所涉及的高频电路100中，在控制器107同功率放大器111的电源端子1111之间的路径R2与地之间，通断开关108与电容元件320以通断开关108位于与地相反的一侧且电容元件320位于地侧的方式连接，但不限于此。即，也可以是，在路径R2与地之间，通断开关108与电容元件320以通断开关108位于地侧且电容元件320位于与地相反的一侧的方式连接。
在实施方式1所涉及的高频电路100中，如图2所示，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，控制器(控制电路)107的一部分与连接端子85的位置重叠，但不限于此。例如，在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，既可以是控制器107的全部与连接端子85的全部重叠，也可以是控制器107的全部与连接端子85的一部分重叠，还可以是控制器107的一部分与连接端子85的全部重叠。总之，“在从安装基板的厚度方向俯视时，控制器与连接端子重叠”是指，在从安装基板的厚度方向俯视时，控制器的至少一部分与连接端子的至少一部分重叠。
(实施方式2)
参照图7及图8来说明实施方式2所涉及的高频电路100d。关于实施方式2所涉及的高频电路100d，对与实施方式1所涉及的高频电路100相同的构成要素标注相同的附图标记并省略说明。
在实施方式2所涉及的高频电路100d中，与实施方式1所涉及的高频电路100的不同之处在于，取代功率放大器111的输出侧的第二开关105，而在多个(在图示例中为2个)功率放大器111A、111B的输入侧设置有第四开关(切换开关)109。
(1)高频电路的电路结构
首先，参照图7来说明实施方式1所涉及的高频电路100d的电路结构。
实施方式2所涉及的高频电路100d具备多个(在图示例中为2个)功率放大器111A、111B和低噪声放大器121(参照图1)。另外，高频电路100d具备多个(在图示例中为2个)发送滤波器112A、112B(参照图1)和多个(在图示例中为2个)接收滤波器122A、122B(参照图1)。另外，高频电路100d具备输出匹配电路113(参照图1)、输入匹配电路123(参照图1)以及多个(在图示例中为2个)匹配电路114、124(参照图1)。另外，高频电路100d具备第一开关104(参照图1)、第三开关106(参照图1)以及第四开关(切换开关)109。另外，高频电路100d具备控制器(控制电路)107和通断开关108。另外，高频电路100d具备多个外部连接端子80(参照图1)。
多个功率放大器111A、111B中的各功率放大器具有输入端子、输出端子以及电源端子1111。功率放大器111A将输入到输入端子的第一通信频段的发送信号放大后从输出端子输出。功率放大器111B将输入到输入端子的第二通信频段的发送信号放大后从输出端子输出。
功率放大器111A的输入端子与第四开关109的选择端子191连接。功率放大器111A的输出端子与发送滤波器112A连接。功率放大器111B的输入端子与第四开关109的选择端子192连接。功率放大器111B的输出端子与发送滤波器112B连接。功率放大器111A、111B各自的电源端子1111与控制器107连接。功率放大器111A、111B中的各功率放大器例如由控制器107控制。
第四开关109具有共用端子190和多个(在图示例中为2个)选择端子191、192。共用端子190与信号输入端子82连接。选择端子191与功率放大器111A的输入端子连接。选择端子192与功率放大器111B的输入端子连接。第四开关109例如是能够将多个选择端子191、192中的至少1个与共用端子190连接的开关。在此，第四开关109例如是能够进行一对一连接以及一对多连接的开关。第四开关109是具有在通信频段互不相同的多个发送信号用的信号路径T11、T12之间切换的功能的开关。
第四开关109例如由控制器107控制。第四开关109按照来自控制器107的控制信号，切换共用端子190与多个选择端子191、192的连接状态。
(2)高频模块的结构
如图8所示，实施方式2所涉及的高频电路100d具备安装基板9。下面，也有时将具备安装基板9的高频电路100d称为“高频模块100d”。下面，参照图8来说明实施方式2所涉及的高频模块100d的结构。
如图8所示，实施方式2所涉及的高频模块100d具备安装基板9、第一电子部件1、第二电子部件2、第六电子部件6以及多个外部连接端子80(参照图1)。第一电子部件1例如是控制器107。第二电子部件2例如是通断开关108。第六电子部件6例如是第四开关109。在实施方式2所涉及的高频模块100d中，控制器107、通断开关108以及第四开关109由1个芯片10d构成。即，芯片10d包括控制器107、开关108以及第四开关109。而且，芯片10d配置于安装基板9的第一主面91侧。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中，第一电子部件1、第二电子部件2以及第六电子部件6由1个芯片10d构成。由此，相比于第一电子部件1、第二电子部件2以及第六电子部件6中的至少2个由不同的芯片构成的情况而言，能够使在从安装基板9的厚度方向D1俯视时的安装基板9的面积小。
在实施方式2所涉及的高频模块100d中，虽然省略了图示，但在从安装基板9的厚度方向D1俯视时，芯片10d所包括的控制电路107的一部分与连接端子85的一部分重叠。由此，能够设计为使控制电路107与连接端子85之间的布线长度变短。
(方式)
在本说明书中公开了下面的方式。
第一方式所涉及的高频电路(100；100a～100d)具备功率放大器(111；111A、111B)、控制电路(107)、通断开关(108)、连接端子(85)以及安装基板(9)。功率放大器(111；111A、111B)具有电源端子(1111)，能够支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式。控制电路(107)与电源端子(1111)连接，通过平均功率跟踪方式及包络跟踪方式来控制功率放大器(111；111A、111B)。通断开关(108)与电容元件(320)串联连接，该电容元件(320)连接在控制电路(107)同电源端子(1111)之间的路径(R2)与地之间。连接端子(85)与电容元件(320)连接。安装基板(9)具有彼此相向的第一主面(91)及第二主面(92)。在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，控制电路(107)与连接端子(85)重叠。
根据该方式，在平均功率跟踪方式中使通断开关(108)接通从而将电容元件(320)连接到路径(R2)。由此，能够抑制路径(R2)的寄生电感成分，因此，能够使在平均功率跟踪方式中去向电源端子(1111)的电源电压稳定化。另外，根据该方式，能够设计为使控制电路(107)与连接端子(85)之间的布线长度变短。
在第二方式所涉及的高频电路(100；100a～100d)中，在第一方式中，通断开关(108)连接在路径(R2)与电容元件(320)之间。
根据该方式，在平均功率跟踪方式中使通断开关(108)接通从而将电容元件(320)连接到路径(R2)。由此，能够抑制路径(R2)的寄生电感成分，因此能够使在平均功率跟踪方式中去向电源端子(1111)的电源电压稳定化。
在第三方式所涉及的高频电路(100；100a～100d)中，在第一或第二方式中，在控制电路(107)通过平均功率跟踪方式来控制功率放大器(111；111A、111B)的情况下，控制电路(107)使通断开关(108)接通。在控制电路(107)通过包络跟踪方式来控制功率放大器(111；111A、111B)的情况下，控制电路(107)使通断开关(108)断开。
根据该方式，在平均功率跟踪方式中使通断开关(108)接通从而将电容元件(320)连接到路径(R2)。由此，能够抑制路径(R2)的寄生电感成分，因此能够使在平均功率跟踪方式中去向电源端子(1111)的电源电压稳定化。
在第四方式所涉及的高频电路(100a)中，在第一方式～第三方式中的任一方式中，功率放大器(111)配置于第一主面(91)侧。控制电路(107)及通断开关(108)配置于功率放大器(111)的与安装基板(9)相反的一侧。
根据该方式，相比于功率放大器(111)与控制电路(107)及通断开关(108)分开地配置于第一主面(91)侧的情况而言，能够使在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(9)的面积小。
在第五方式所涉及的高频电路(100)中，在第一方式～第三方式中的任一方式中，控制电路(107)及通断开关(108)配置于第一主面(91)侧。
在第六方式所涉及的高频电路(100；100a；100b)中，在第一方式～第五方式中的任一方式中，控制电路(107)和通断开关(108)由1个芯片(10)构成。
根据该方式，相比于控制电路(107)和通断开关(108)由不同的芯片构成的情况而言，能够使在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(9)的面积小。
第七方式所涉及的高频电路(100d)在第一方式～第五方式中的任一方式中，还具备切换开关(109)。切换开关(109)连接在具有互不相同的通带的多个发送滤波器(112A、112B)与功率放大器(111A、111B)之间。控制电路(107)、通断开关(108)以及切换开关(109)由1个芯片(10d)构成。
根据该方式，相比于控制电路(107)、通断开关(108)以及切换开关(109)中的至少2个由不同的芯片构成的情况而言，能够使在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时的安装基板(9)的面积小。
第八方式所涉及的通信装置(300；300d)具备第一方式～第七方式中的任一方式的高频电路(100；100a～100d)以及信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频电路(100；100a～100d)连接，对高频信号进行处理。
根据该方式，在平均功率跟踪方式中使通断开关(108)接通从而将电容元件(320)连接到路径(R2)。由此，能够抑制路径(R2)的寄生电感成分，因此能够使在平均功率跟踪方式中去向电源端子(1111)的电源电压稳定化。另外，根据该方式，能够设计为使控制电路(107)与连接端子(85)之间的布线长度变短。
附图标记说明
1：第一电子部件；2：第二电子部件；3：第三电子部件；4：第四电子部件；5：第五电子部件；6：第六电子部件；9：安装基板；10、10d：芯片；13：电路基板；80：外部连接端子；81：天线端子；82：信号输入端子；83：信号输出端子；84：控制端子；85：连接端子；86：地端子；91：第一主面；92：第二主面；100、100a～100d：高频电路；104：第一开关；105：第二开关；106：第三开关；107：控制器(控制电路)；108：通断开关；109：第四开关(切换开关)；111、111A、111B：功率放大器；112A、112B：发送滤波器；114：匹配电路；121：低噪声放大器；122A、122B：接收滤波器；124：匹配电路；131：第一主面；132：第二主面；140：共用端子；141、142：选择端子；150：共用端子；151、152：选择端子；160：共用端子；161、162：选择端子；190：共用端子；191、192：选择端子；300、300a～300d：通信装置；301：信号处理电路；302：RF信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：天线；320：电容元件；1111：电源端子；D1：厚度方向；R1、R11、R12：信号路径；R2：路径；T1、T11、T12：信号路径。

Claims (8)

1.一种高频电路，具备：
功率放大器，其具有电源端子，能够支持平均功率跟踪方式及包络跟踪方式；
控制电路，其与所述电源端子连接，通过所述平均功率跟踪方式及所述包络跟踪方式来控制所述功率放大器；
通断开关，其与电容元件串联连接，所述电容元件连接在所述控制电路同所述电源端子之间的路径与地之间；
连接端子，其与所述电容元件连接；以及
安装基板，其具有彼此相向的第一主面及第二主面，
其中，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述控制电路与所述连接端子重叠。
2.根据权利要求1所述的高频电路，其中，
所述通断开关连接在所述路径与所述电容元件之间。
3.根据权利要求1或2所述的高频电路，其中，
所述控制电路进行以下动作：
在所述控制电路通过所述平均功率跟踪方式来控制所述功率放大器的情况下，使所述通断开关接通，
在所述控制电路通过所述包络跟踪方式来控制所述功率放大器的情况下，使所述通断开关断开。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，
所述功率放大器配置于所述第一主面侧，
所述控制电路及所述通断开关配置于所述功率放大器的与所述安装基板相反的一侧。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的高频电路，其中，
所述控制电路及所述通断开关配置于所述第一主面侧。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频电路，其中，
所述控制电路和所述通断开关由一个芯片构成。
7.根据权利要求1～5中的任一项所述的高频电路，其中，
还具备切换开关，所述切换开关连接在具有互不相同的通带的多个发送滤波器与所述功率放大器之间，
所述控制电路、所述通断开关以及所述切换开关由一个芯片构成。
8.一种通信装置，具备：
根据权利要求1～7中的任一项所述的高频电路；以及
信号处理电路，其与所述高频电路连接，对高频信号进行处理。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024135460A1 (ja) * 2022-12-22 2024-06-27 株式会社村田製作所 トラッカモジュールおよび通信装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008148098A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体増幅器
JP2011176529A (ja) * 2010-02-24 2011-09-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 増幅器及び信号処理装置
JP5614273B2 (ja) * 2010-12-21 2014-10-29 富士通株式会社 増幅装置
US9583471B2 (en) * 2014-01-13 2017-02-28 Qorvo Us, Inc. Integrated circuit module having a first die with a power amplifier stacked with a second die and method of making the same
JP2018182720A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール及び高周波モジュール
US11114989B2 (en) * 2018-11-28 2021-09-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Power amplifying circuit

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