CN115734661A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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全亨一
金敏佑
朴声国
白成恩
徐基盛
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Abstract

本公开涉及显示装置及其制造方法。显示装置包括：衬底；第一电极，设置在衬底上；结合电极，设置在第一电极上并且电连接到第一电极；发光元件，设置在结合电极上，并且包括接触结合电极的第一端部、以及设置成在纵向方向上与第一端部相对的第二端部；第一绝缘层，覆盖发光元件的侧表面并且不覆盖发光元件的第二端部，使得发光元件的第二端部暴露；第二电极，覆盖第一绝缘层和发光元件的第二端部；第一堤部，设置在第二电极的一部分上；以及第二堤部，设置在第一堤部上，并且第一堤部和第二堤部包括金属。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年8月26日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2021-0113431号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
随着对信息显示的兴趣的增加和对使用便携式信息媒介的需求的增加，对显示装置的需求和商业化正受到关注。
将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。
发明内容
本公开将提供发光元件和结合电极可被稳定地结合的显示装置以及该显示装置的制造方法。
根据本公开的实施方式，显示装置可以包括：第一电极，设置在衬底上；结合电极，设置在第一电极上并且电连接到第一电极；发光元件，设置在结合电极上，并且包括接触结合电极的第一端部、以及设置成在纵向方向上与第一端部相对的第二端部；第一绝缘层，部分地覆盖发光元件，使得发光元件的第二端部暴露；第二电极，覆盖第一绝缘层和发光元件的第二端部；第一堤部，设置在第二电极的一部分上；以及第二堤部，设置在第一堤部上，并且第一堤部和第二堤部包括金属。
第一堤部和第二堤部可以包括相同的材料。
第二电极可以电连接到发光元件的第二端部。
第二电极可以包括部分地在纵向方向上延伸的凸出部分、以及在与纵向方向垂直的第一方向上延伸的平坦部分。
凸出部分可以与发光元件的一部分和第一绝缘层的一部分重叠，并且平坦部分可以与第一绝缘层的另一部分重叠。
第一堤部可以接触第二电极的上表面中的与平坦部分对应的部分和第二电极的侧表面。
第一堤部的上表面和第二电极的上表面中的与凸出部分对应的部分可以在纵向方向上具有相同的高度。
第一堤部可以直接接触第二电极，并且第一堤部和第二电极可以具有相同的电势。
第二堤部可以直接接触第一堤部的上表面，并且可以至少部分地与第一堤部重叠。
显示装置还可以包括设置在第二电极的上表面中的与凸出部分对应的部分上的第一颜色转换层、第二颜色转换层和光散射层，并且第一颜色转换层和第二颜色转换层可以各自将从发光元件发射的光转换成不同颜色的光，并且光散射层可以散射从发光元件发射的光。
显示装置还可以包括与结合电极的侧表面相邻的第二绝缘层。
显示装置还可以包括与发光元件的侧表面相邻的第三绝缘层。
发光元件可以包括第一半导体层、设置在第一半导体层上的有源层、以及设置在有源层上的第二半导体层。
根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法可以包括：将形成在叠层衬底上的发光叠层结合到形成在像素衬底上的结合电极层；去除叠层衬底；通过蚀刻发光叠层和结合电极层，在像素衬底上形成发光元件和结合电极；形成第一绝缘层以覆盖发光元件和像素衬底；蚀刻第一绝缘层以暴露发光元件的一个端部；形成公共电极以覆盖所蚀刻的第一绝缘层和发光元件的被暴露的一个端部；在公共电极上形成堤部层；通过抛光堤部层形成第一堤部；在公共电极的上表面上形成光刻胶图案，以及在光刻胶图案之间形成第二堤部。
堤部层可以包括金属。
第一堤部和第二堤部可以包括相同的材料。
形成第一堤部可以包括：去除堤部层的一部分，使得第一堤部的上表面和公共电极的上表面具有相同的高度。
该方法还可以包括：通过去除光刻胶图案的一部分，在第二堤部之间形成颜色转换层。
该方法还可以包括：通过氧化结合电极的表面来形成第二绝缘层。
该方法还可以包括：在发光元件的侧表面上或者在结合电极的侧表面上形成第三绝缘层。
根据实施方式，公共电极可以在第二堤部之前形成，并且第一堤部可以形成在公共电极上。因此，可以查验或检查发光元件和结合电极之间的结合程度。因此，可以实施发光元件和结合电极被稳定地结合的显示装置。
根据实施方式，由于第一堤部可以包括金属，因而第一堤部和公共电极可以具有相同的电势，因此，可以减小显示元件层内的电阻，并且可以最小化公共电极的电压降。
根据实施方式，第一堤部可以包括具有导电性的金属，以容易地扩散显示元件层内的热量。
此外，根据实施方式，第一堤部可以设置在子像素之间作为能够将每个像素区域分隔开的结构，从而可以防止子像素之间的颜色串扰。
根据实施方式的效果不限于以上例示的内容，并且更多的各种效果被包括在本公开中。
附图说明
通过参考附图更详细地描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据实施方式的显示装置的显示面板的示意性平面图；
图2和图3是示出在图1的显示面板中所包括的发光元件的立体图和剖视图；
图4是示意性地示出根据实施方式的子像素的示意性剖视图；
图5是示意性地示出根据实施方式的多个像素的示意性剖视图；
图6至图15是顺序地示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖视图；
图16是示意性地示出根据实施方式的多个像素的示意性剖视图；
图17是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的一个过程的示意性剖视图；
图18是示意性地示出根据实施方式的多个像素的示意性剖视图；
图19是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的一个过程的示意性剖视图；
图20是示出应用于智能眼镜的根据实施方式的显示装置的图；以及
图21是示出应用于VR装置的根据实施方式的显示装置的图。
具体实施方式
本公开可以进行各种修改并具有各种形式。因此，实施方式将在附图中示出，并将在说明书中对其进行详细描述。然而，应理解的是，本公开不旨在限于所公开的特定形式，并且本公开包括在本公开的精神和技术范围内的所有修改、等同和替代。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有组合。在本公开全文中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部、或其变形。
术语“和”和“或”可以以连接词性含义或反意连接词性含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的组中的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B或A和B”。
还将理解的是，当本说明书中使用术语“包含”和/或“包含有”、“包括”和/或“包括有”、“具有(have)”和/或“具有(having)”时，其可以指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其任何组合的存在或添加。
术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种部件，但这些部件不应受到这些术语的限制。所述术语仅出于将一个部件和另一部件进行区分的目的来使用。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一部件可以被称为第二部件，并且类似地，第二部件也可以被称为第一部件。单数表述包括复数表述，除非上下文另外清楚地指示。
应理解的是，在本公开中，术语“包括”、“具有”等用于指定在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在，但不预先排除一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合的存在或添加的可能性。此外，层、膜、区域、板等的一部分被称为“在”另一部分“上”的情况，其不仅包括该部分“直接在”另一部分“上”的情况，而且包括在该部分和另一部分之间还有另外部分的情况。此外，在本公开中，当在另一部分上形成层、膜、区域、板等的一部分时，形成方向不限于向上方向，而是包括在侧表面上或在向下方向上形成该部分。相反，当层、膜、区域、板等的一部分形成在另一部分“之下”时，这不仅包括该部分“直接在”另一部分“下面”的情况，而且包括在该部分和另一部分之间还有另外部分的情况。
为便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解的是，除了图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。装置也可以取向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据取向而被不同地解释。
在附图中，为了更好理解、清楚和易于对其进行描述，元件的尺寸和厚度可以被放大。然而，本公开不限于中所示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区域和其它元件的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，一些层和区域的厚度可以被夸大。
此外，在本说明书中，短语“在平面图中”意指当从上方观察对象部分时，并且短语“在示意性剖视图中”意指当从侧面观察通过竖直切割对象部分而获得的示意性剖面时。
另外，术语“重叠”或“重叠的”意为第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且意为第二对象可以在第一对象的上方或下方，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在…之上延伸、覆盖或部分覆盖，或者可以是如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。术语“面对”和“面向”意为第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件插置在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但仍彼此面对。当元件被描述为“不与”另一元件“重叠”或“…成不与”另一元件“重叠”时，其可以包括这些元件彼此间隔开、与彼此偏离、或设定在彼此旁边，或可以包括如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当实施方式可以不同地实施时，具体处理顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受变化范围内的平均值。例如，“约”可以意为在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接到”或“联接到”另一层、区域或元件时，其可以直接连接或联接到另一层、区域或元件，或可以存在中间的层、区域或元件。例如，如本文中所使用的，当层、区域或元件被称为“电连接到”另一层、区域或元件时，其可以直接电连接到另一层、区域或元件，或者可以存在中间的层、中间的区域或中间的元件。
此外，当元件被称为与另一元件“接触(being in contact)”或“接触(beingcontacted)”等时，该元件可以与另一元件“电接触”或“物理接触”；或与另一元件“间接接触”或“直接接触”。
在下文中，参考与本公开的实施方式相关的附图来描述根据本公开的实施方式的显示装置。
图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置的显示面板PNL的示意性平面图。
参考图1，根据实施方式的显示装置可以包括显示面板PNL，该显示面板PNL包括像素PXL，像素PXL包括基础层BSL和设置在基础层BSL上的功能性部件。
显示面板PNL可以应用到其中显示表面被应用到至少一个表面的电子装置的显示部分，所述电子装置诸如是智能电话、电视、平板PC、移动电话、视频电话、电子书阅读器、台式PC、膝上型PC、上网本计算机、工作站、服务器、PDA、便携式多媒体播放器(PMP)、MP3播放器、医疗装置、相机、增强现实(AR)眼镜、虚拟现实(VR)装置或可佩戴显示装置。
在实施方式中，显示面板PNL可以实施为能够自发射光的显示面板，诸如有机发光显示面板(OLED面板)、微米或纳米LED显示面板和量子点有机发光显示面板(QD OLED面板)。
基础层BSL可以包括显示装置的基础部件。根据实施方式，基础层BSL可以是刚性或柔性的衬底或膜，并且其材料或物理性质不限于此。例如，基础层BSL可以是由玻璃或钢化玻璃形成的刚性衬底、由塑料或金属形成的柔性衬底(或薄膜)、或者可以由至少一个绝缘层形成，并且其材料和/或物理性质不限于此。
基础层BSL可以包括显示图像的显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以是不在其中显示图像的区域，并且可以是围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻的边框区域。
显示区域DA可以设置在显示面板PNL的至少一个表面上。例如，显示区域DA可以设置在显示面板PNL的前侧上，并且可以设置在显示面板PNL的侧表面和后表面上。
非显示区域NDA可以设置成围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以包括与显示区域DA中的像素PXL连接的线、焊盘、驱动电路等。
像素PXL可以设置在显示区域DA中。例如，像素PXL可以在显示区域DA中以诸如矩阵或条纹的布置进行设置。然而，本公开不限于此。
像素PXL中的每个可以包括第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3。第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3可以分别发射不同颜色的光。
在下文中，参考图2和图3描述根据实施方式的发光元件。
图2和图3是示出图1的显示面板PNL中所包括的发光元件LD的示意性立体图和剖视图。
参考图2和图3，发光元件LD可以包括第一半导体层11、有源层12、第二半导体层13和绝缘层INF。例如，发光元件LD可以包括发光叠层，其中第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13顺序地堆叠(例如，参见图3)。
发光元件LD可以具有在一个方向上延伸的柱形形状。发光元件LD沿着所述一个方向可以具有一个端部或一端部(或第一端部EP1)和另一端部(或第二端部EP2)。第一半导体层11和第二半导体层13中的一个可以设置在发光元件LD的第一端部EP1处，并且第一半导体层11和第二半导体层13中的另一个可以设置在发光元件LD的第二端部EP2处。
发光元件LD可以通过蚀刻方法等制造成柱形形状。在实施方式中，柱形形状可以包括具有大于1的纵横比的棒状形状或条状形状，诸如圆柱形或多边柱形，然而，其剖面的形状不限于此。在实施方式中，发光元件LD的端部可以实施为诸如矩形、正方形、正三角形或正五边形的多边形，并且可以实施为上表面和下表面可以彼此不同的截顶棱锥形状。
发光元件LD可以具有小至纳米级至微米级的尺寸。例如，发光元件LD中的每个可以具有纳米级到微米级的范围的宽度D和/或长度L。然而，发光元件LD的尺寸不限于此，并且发光元件LD的尺寸可以根据使用利用发光元件LD作为光源的发光装置的各种装置(例如，显示装置等)的设计条件而不同地改变。
第一半导体层11可以包括第一导电(或类型)半导体层。例如，第一半导体层11可以包括至少一个n型半导体。例如，第一半导体层11可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任何一种的半导体材料，并且可以包括掺杂有第一导电掺杂剂(诸如，Si、Ge或Sn)的n型半导体层。然而，第一半导体层11的材料不限于此，并且第一半导体层11可以包括各种其它材料。
有源层12可以设置在第一半导体层11的表面上。例如，有源层12可以设置在第一半导体层11上。有源层12可以形成为单量子阱结构或多量子阱结构。在实施方式中，掺杂有导电掺杂剂的包覆层(未示出)可以形成或设置在有源层12上和/或之下(或下方)。例如，包覆层可以由AlGaN层或InAlGaN层形成。根据实施方式，有源层12可以由诸如AlGaN或InAlGaN的材料以及各种其它材料形成。
在向发光元件LD的上表面和下表面施加等于或大于阈值电压的电压的情况下，发光元件LD可以在电子-空穴对在有源层12中结合时发光。因此，可以控制发光元件LD的发光，因此，发光元件LD可以用作各种发光装置的光源。
第二半导体层13可以设置在有源层12的表面上。第二半导体层13可以设置在有源层12上。第二半导体层13可以包括具有与第一半导体层11的导电性(或类型)不同的导电性(或类型)的半导体层。例如，第二半导体层13可以包括至少一个p型半导体层。例如，第二半导体层13可以包括InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料，并且可以包括掺杂有第二导电掺杂剂(诸如，Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)的p型半导体层。然而，第二半导体层13的材料不限于此。
同时，尽管第一半导体层11和第二半导体层13中的每个被示出为一个层，但是本公开不限于此。在实施方式中，根据有源层12的材料，第一半导体层11和第二半导体层13中的每个还可以包括一个或多个层，例如包覆层和/或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。TSBR层可以是设置在具有不同晶格结构的半导体层之间的应变释放层，以用作缓冲器来减小晶格常数差。TSBR层可以是p型半导体层，诸如p-GaInP、p-AlInP或p-AlGaInP，但本公开不限于此。
根据实施方式，发光元件LD还可以包括设置在第一半导体层11和/或第二半导体层13的表面上的电极(未示出)。
电极可以是欧姆接触电极，但本公开不限于此。根据实施方式，电极可以是肖特基接触电极。电极可以包括导电材料。例如，电极可以包括单独或以其组合使用铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、或者其氧化物或其合金等的不透明金属，但本公开不限于此。根据实施方式，电极可以包括透明导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)或氧化铟锡锌(ITZO)。电极可以包括接触(例如，直接接触)阳极或阴极的部分。
绝缘层INF可以与发光叠层相邻并防止在有源层12与除了第一半导体层11和第二半导体层13之外的导电材料接触的情况下可能发生的电短路。绝缘层INF可以最小化发光元件LD的表面缺陷，因此，可以改善发光元件LD的寿命和发光效率。在紧密设置发光元件LD的情况下，绝缘层INF可以防止发光元件LD之间的不期望的短路。然而，可以省略绝缘层INF，只要有源层12可以防止与外部导电材料的短路即可。
发光元件LD还可以包括围绕绝缘层INF的外周表面或与绝缘层INF的外周表面相邻的反射构件(未示出)。反射构件可以由具有预定反射率的材料形成，使得从发光元件LD发射的光可以聚焦到特定区域，同时允许光在图像显示方向(例如，参见图1中的第三方向DR3)上行进。例如，反射构件可以由具有预定反射率的导电材料(或物质)形成。
在下文中，参考图4和图5描述根据实施方式的显示装置和像素。
图4是示出根据实施方式的第一子像素PXL1的示意性剖视图，以及图5是示出根据实施方式的像素PXL的示意性剖视图。
参考图4和图5，根据实施方式的显示装置中包括的第一子像素PXL1可以包括基础层BSL、像素电路层PCL和显示元件层DPL。
图5中所示的像素PXL可以包括在第一方向DR1上顺序地设置的第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3。像素衬底PCS可以被称为包括基础层BSL和像素电路层PCL的衬底，并且显示元件层DPL可以设置在像素衬底PCS上。
基础层BSL可以是刚性或柔性衬底。例如，在基础层BSL是刚性衬底的情况下，基础层BSL可以实施为玻璃衬底、石英衬底、玻璃陶瓷衬底、结晶玻璃衬底等。在基础层BSL是柔性衬底的情况下，基础层BSL可以实施为聚合物有机衬底、塑料衬底等，其包括聚酰亚胺、聚酰胺等。
像素电路层PCL可以设置在基础层BSL上。
像素电路层PCL可以包括晶体管TR和与其连接的线。像素电路层PCL可以包括在基础层BSL的表面上顺序地堆叠的缓冲层BFL、第一栅极绝缘层GI1、第二栅极绝缘层GI2、层间绝缘层ILD和过孔层VIA。在实施方式中，像素电路层PCL可以包括第一电极EL1。根据实施方式，第一电极EL1可以包括在显示元件层DPL中。
缓冲层BFL可以设置在基础层BSL上以覆盖基础层BSL或与基础层BSL重叠。缓冲层BFL可以防止杂质从外部扩散到像素电路层PCL中。缓冲层BFL可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)的金属氧化物中的至少一种。根据实施方式，可以省略缓冲层BFL。在实施方式中，下部金属层(未示出)可以设置在基础层BSL和缓冲层BFL之间。
晶体管TR可以包括半导体图案SCL、栅电极GAT、源电极SE和漏电极DE。晶体管TR可以是驱动晶体管。
半导体图案SCL可以设置在缓冲层BFL上。半导体图案SCL可以包括沟道区、以及设置在沟道区的两侧上的源区和漏区。半导体图案SCL的源区可以电连接到源电极SE，并且漏区可以电连接到漏电极DE。例如，源区和漏区可以被扩展以分别通过接触孔电连接到不同层的电极。
半导体图案SCL可以包括多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的至少一种。
第一栅极绝缘层GI1可以设置在半导体图案SCL和缓冲层BFL上。第一栅极绝缘层GI1可以覆盖半导体图案SCL和缓冲层BFL，或与之重叠。
第一栅极绝缘层GI1可以包括无机材料。例如，第一栅极绝缘层GI1可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种。根据实施方式，第一栅极绝缘层GI1可以包括有机材料。
栅电极GAT可以设置在第一栅极绝缘层GI1上。栅电极GAT可以设置成与半导体图案SCL的沟道区重叠。
第二栅极绝缘层GI2可以设置在栅电极GAT和第一栅极绝缘层GI1上。第二栅极绝缘层GI2可以覆盖栅电极GAT和第一栅极绝缘层GI1，或与之重叠。
第二栅极绝缘层GI2可以包括与第一栅极绝缘层GI1相同的材料。例如，第二栅极绝缘层GI2可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种。
层间绝缘层ILD可以设置在第二栅极绝缘层GI2上。层间绝缘层ILD可以覆盖第二栅极绝缘层GI2，或与之重叠。层间绝缘层ILD可以包括与第二栅极绝缘层GI2相同的材料，并且可以包括无机材料或有机材料。
源电极SE和漏电极DE可以设置在层间绝缘层ILD上。漏电极DE可以通过穿透将稍后进行描述的过孔层VIA的第一接触孔CH1电连接到第一电极EL1。因此，晶体管TR可以向第一电极EL1传输驱动电压。
过孔层VIA可以设置在层间绝缘层ILD上。过孔层VIA可以包括至少一个有机绝缘层。过孔层VIA可以形成为单层或多层，并且可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，过孔层VIA可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
第一电极EL1可以设置在过孔层VIA上。第一电极EL1可以通过将稍后进行描述的结合电极(结合金属)BMT电连接到发光元件LD中的每个的第一端部EP1。第一电极EL1可以是阳极。
第一电极EL1可以包括具有预定反射率的透明导电材料。例如，第一电极EL1可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO))、导电聚合物(诸如，聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT))等。第一电极EL1可以包括不透明金属，使得从发光元件LD发射的光可以被反射在显示方向上。例如，第一电极EL1还可以包括金属，诸如镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、铜(Cu)、锡(Sn)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼(Mo)、其合金等。
如图5中所示，显示元件层DPL可以包括结合电极BMT、发光元件LD、第一绝缘层INS1、第二电极EL2、第一堤部BNK1、第二堤部BNK2、颜色转换层CCL和滤色器层CF。
结合电极BMT可以设置在第一电极EL1上，并且可以包括结合到发光元件LD的部分。结合电极BMT可以电连接到第一电极EL1。
结合电极BMT可以设置在第一电极EL1和发光元件LD之间，并且可以电连接第一电极EL1和发光元件LD。例如，结合电极BMT可以接触(例如，直接接触)发光元件LD的第一端部EP1以电连接第一电极EL1和发光元件LD的第一端部EP1。
结合电极BMT可以是用于将从发光元件LD发射的光引导在图像显示方向(例如，第三方向DR3)上的反射构件。例如，结合电极BMT可以由具有预定反射率的不透明导电材料形成。结合电极BMT可以包括与第一电极EL1相同的材料，或者可以包括从第一电极EL1的材料中选择的一种或多种材料。例如，结合电极BMT可以包括可结合到发光元件LD的金属，诸如，铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、锡(Sn)及其合金。
第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3中的每个的结合电极BMT可以在第一方向DR1上彼此间隔开。
发光元件LD可以设置在结合电极BMT上。发光元件LD的第一端部EP1可以设置在结合电极BMT上，并且可以电连接到结合电极BMT。
发光元件LD的第一端部EP1可以面对结合电极BMT，并且发光元件LD的第二端部EP2可以面对第二电极EL2。例如，发光元件LD的第二端部EP2可以设置成在长度L方向上与第一端部EP1相对。
发光元件LD可以在发光元件LD的长度L方向上设置在结合电极BMT和第二电极EL2之间。图4和图5中所示的发光元件LD可以对应于以上描述的图2和图3的发光元件LD。
尽管发光元件LD的宽度D被示出为与结合电极BMT的上表面的宽度基本上相同，但是本公开不限于此。根据实施方式，结合电极BMT的上表面的宽度可以比发光元件LD的宽度D宽。
第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3的每个发光元件LD可以设置成在第一方向DR1上彼此间隔开。
第一绝缘层INS1可以设置成在剖视图中覆盖发光元件LD的侧表面、结合电极BMT的侧表面以及像素电路层PCL，或与之重叠。第一绝缘层INS1可以暴露发光元件LD的第二端部EP2(例如，不覆盖发光元件LD的第二端部EP2或不与之重叠)。
第一绝缘层INS1可以设置在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3的每个发光元件LD之间。
第一绝缘层INS1可以包括无机材料。根据示例，第一绝缘层INS1可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种。根据实施方式，第一绝缘层INS1可以包括有机材料。
第二电极EL2可以设置在显示装置的整个表面上。例如，第二电极EL2可以设置在发光元件LD和第一绝缘层INS1上，以覆盖发光元件LD和第一绝缘层INS1，或与之重叠。
第二电极EL2可以包括凸出部分EL2a和平坦部分EL2b，其中，凸出部分EL2a部分地沿着第三方向DR3(或长度L方向)延伸并且覆盖发光元件LD的侧表面，或与之重叠，平坦部分EL2b沿着第一方向DR1(或与长度L方向垂直的方向)延伸并且覆盖第一绝缘层INS1，或与之重叠。凸出部分EL2a可以覆盖发光元件LD的一部分和第一绝缘层INS1的一部分，或与之重叠，并且平坦部分EL2b可以覆盖第一绝缘层INS1的另一部分，或与之重叠。平坦部分EL2b可以设置在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3的发光元件LD中的每个之间。例如，第二电极EL2的形状可以对应于凸出部分EL2a和平坦部分EL2b沿着第一方向DR1连续延伸的凹凸形状。然而，本公开不限于此，并且第二电极EL2的形状可以不同地改变。
第二电极EL2可以接触(例如，直接接触)发光元件LD的第二端部EP2。第二电极EL2可以电连接到发光元件LD的第二端部EP2。第二电极EL2可以是阴极。因此，第二电极EL2可以将从外部提供的驱动低电压传输到发光元件LD的第二端部EP2。
第二电极EL2可以包括具有预定反射率的透明导电材料。例如，第二电极EL2可以包括导电氧化物(诸如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO))、导电聚合物(诸如，聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT))等。然而，第二电极EL2的材料不限于此。
第一堤部BNK1可以设置在第二电极EL2的一部分上。第一堤部BNK1可以在剖视图中接触(例如，直接接触)第二电极EL2的上表面的一部分(例如，第二电极EL2的上表面中的与平坦部分EL2b对应的部分)和第二电极EL2的侧表面。第一堤部BNK1可以接触(例如，直接接触)第二电极EL2的设置成在第一方向DR1上彼此间隔开的侧表面。因此，第一堤部BNK1的剖面可以对应于其长边沿着第三方向DR3延伸的长矩形形状。本公开不限于此，并且第一堤部BNK1的形状可以根据实施方式不同地改变。
第一堤部BNK1的上表面和第二电极EL2的上表面TSF可以具有相同的高度。本文中，第二电极EL2的上表面TSF可以表示第二电极EL2的上表面中的与凸出部分EL2a对应的部分。因此，第一堤部BNK1的上表面和第二电极EL2的上表面TSF可以是平坦的。
第一堤部BNK1可以接触(例如，直接接触)第二电极EL2，并且可以具有与第二电极EL2相同的电势。因此，第一堤部BNK1可以减小显示元件层DPL内的电阻，从而可以最小化第二电极EL2的电压降。
第一堤部BNK1可以包括金属材料。例如，第一堤部BNK1可以包括电解质、电镀材料等。
在实施方式中，由于第一堤部BNK1可以包括具有导电性的金属材料，所以显示元件层DPL内的热量可以容易地扩散。
第一堤部BNK1可以包括具有预定反射率的导电材料。因此，第一堤部BNK1可以被用作反射构件，其将从发光元件LD发射的光引导在图像显示方向上。
第一堤部BNK1可以作为能够将每个像素区域分隔开的结构设置在第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3之间，因此，可以防止第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3之间的颜色串扰。第一堤部BNK1可以设置成在第一方向DR1上彼此间隔开。
第二堤部BNK2可以设置在第一堤部BNK1上。第二堤部BNK2可以设置成在第一方向DR1上彼此间隔开。
第二堤部BNK2可以包括与第一堤部BNK1相同的材料。因此，第一堤部BNK1和第二堤部BNK2可以形成堤部BNK，并且可以是能够将每个像素区域分隔开的结构。第二电极EL2可以在第二堤部BNK2之前形成，并且第一堤部BNK1可以形成或设置在第二电极EL2上。因此，可以查验或检查发光元件LD和结合电极BMT之间的结合程度。因此，发光元件LD和结合电极BMT可以在显示装置中稳定地结合。
颜色转换层CCL可以设置在第二电极EL2上。例如，颜色转换层CCL可以设置在第二堤部BNK2之间。
颜色转换层CCL可以转换从发光元件LD发射的光，并且可以包括与预定颜色对应的颜色转换颗粒(例如，量子点)，以转换由发光元件LD生成的光。颜色转换层CCL可以与滤色器层CF一起选择性地透射和转换从发光元件LD发射的光。
颜色转换层CCL可以包括沿着第一方向DR1彼此间隔开的第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2以及光散射层LSL，且第二堤部BNK2插置在它们之间。
第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和光散射层LSL可以设置在第二电极EL2的上表面TSF上。
第一颜色转换层CCL1可以在第一子像素PXL1中设置在第二电极EL2上并且与发光元件LD重叠。第一颜色转换层CCL1可以包括红色量子颗粒(未示出)，其将从发光元件LD发射的蓝光转换成红光。红色量子颗粒可以吸收蓝光并且根据能量跃迁改变波长以发射约620nm至约780nm的波长带的红光。
第二颜色转换层CCL2可以在第二子像素PXL2中设置在第二电极EL2上并且与发光元件LD重叠。第二颜色转换层CCL2可以包括绿色量子颗粒(未示出)，其将从发光元件LD发射的蓝光转换成绿光。绿色量子颗粒可以吸收蓝光并且根据能量跃迁改变波长以发射约500nm至约570nm的波长带的绿光。
光散射层LSL可以在第三子像素PXL3中设置在第二电极EL2上并且与发光元件LD重叠。光散射层LSL可以包括光散射颗粒以散射从发光元件LD发射的蓝光，并且光散射颗粒可以是钛氧化物(TixOy)(其包括二氧化钛(TiO2))、二氧化硅等。
滤色器层CF可以设置在颜色转换层CCL和第二堤部BNK2上。
滤色器层CF可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3和光阻挡构件BM。
第一滤色器CF1可以设置在第一颜色转换层CCL1上。第一滤色器CF1可以包括选择性地透射在第一子像素PXL1中生成的光的滤色器材料。例如，在第一子像素PXL1是红色像素的情况下，第一滤色器CF1可以包括红色滤色器材料。
第二滤色器CF2可以设置在第二颜色转换层CCL2上。第二滤色器CF2可以包括选择性地透射在第二子像素PXL2中生成的光的滤色器材料。例如，在第二子像素PXL2是绿色像素的情况下，第二滤色器CF2可以包括绿色滤色器材料。
第三滤色器CF3可以设置在光散射层LSL上。第三滤色器CF3可以包括选择性地透射在第三子像素PXL3中生成的光的滤色器材料。例如，在第三子像素PXL3是蓝色像素的情况下，第三滤色器CF3可以包括蓝色滤色器材料。
光阻挡构件BM可以设置在第二堤部BNK2上。光阻挡构件BM可以在第一方向DR1上设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。
光阻挡构件BM可以包括各种类型的黑色矩阵材料中的至少一种黑色矩阵材料(例如，至少一种已知的光阻挡材料)、特定颜色的滤色器材料等。
根据实施方式，光阻挡构件BM可以包括重叠滤色器。重叠滤色器可以通过在第二堤部BNK2上延伸第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少两个来形成。因此，重叠滤色器可以用作阻挡光的黑色矩阵。
在下文中，参考图6至图15描述根据实施方式的制造显示装置的方法。
图6至图15是顺序地示出根据实施方式的制造显示装置的方法的剖视图。
参考图6，可以将形成或设置在叠层衬底20上的发光叠层10结合到形成或设置在像素衬底PCS上的结合电极层BMTL。像素衬底PCS可以是参考图4和图5描述的包括基础层BSL和像素电路层PCL的衬底。
叠层衬底20可以是用于堆叠材料的基础衬底。叠层衬底20可以是用于预定材料的外延生长的晶圆。根据示例，叠层衬底20可以是蓝宝石衬底、GaAs衬底、Ga衬底和InP衬底中的任何一个，但本公开不限于此。
发光叠层10可以包括顺序地形成在叠层衬底20上或设置在叠层衬底20下方的第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13。第一半导体层11、有源层12和第二半导体层13可以在第三方向DR3上顺序设置或堆叠。第二半导体层13可以设置成面对结合电极层BMTL，使得第二半导体层13可以接触(例如，直接接触)并结合到结合电极层BMTL。本公开不限于此，并且第一半导体层11可以设置成面对结合电极层BMTL，使得第一半导体层11可以接触(例如，直接接触)并结合到结合电极层BMTL。
参考图7和图8，可以去除叠层衬底20，并且可以通过蚀刻工艺在像素衬底PCS上形成或设置发光元件LD和结合电极BMT。
如图8中所示，发光元件LD的长度L方向可以对应于第三方向DR3，并且发光元件LD的第一端部EP1可以接触(例如，直接接触)结合电极BMT。
每一组发光元件LD和结合电极BMT可以形成为在第一方向DR1上彼此间隔开。
为了形成发光元件LD和结合电极BMT，可以在发光叠层10上涂覆或设置光敏材料，并且然后可以执行光刻工艺和蚀刻工艺。干法蚀刻方法可以应用于蚀刻工艺。根据示例，干法蚀刻方法可以是反应离子蚀刻(RIE)、反应离子束蚀刻(RIBE)和电感耦合等离子体反应离子蚀刻(ICP-RIE)中的任何一种，但本公开不限于此。
参考图9，可以形成第一绝缘层INS1，以覆盖发光元件LD和像素衬底PCS，或与之重叠。
第一绝缘层INS1可以形成为覆盖像素衬底PCS的一部分、结合电极BMT的侧表面、发光元件LD的侧表面、以及发光元件LD的第二端部EP2，或与之重叠。第一绝缘层INS1的与像素衬底PCS接触(例如，直接接触)的下部分可以对应于在第一方向DR1上彼此间隔开的发光元件LD之间的间隙(或空间)。
第一绝缘层INS1可以是无机材料，其包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)和铝氧化物(AlOx)中的至少一种。根据实施方式，第一绝缘层INS1可以包括有机材料。
参考图10，可以蚀刻第一绝缘层INS1以暴露发光元件LD的第二端部EP2。可以形成第二电极EL2(或公共电极)，以覆盖第一绝缘层INS1和发光元件LD的第二端部EP2，或与之重叠。
第二电极EL2可以形成或设置在显示装置的整个表面上。例如，第二电极EL2可以形成为覆盖第一绝缘层INS1的下部分、第一绝缘层INS1的侧表面以及发光元件LD的第二端部EP2，或与之重叠。第二电极EL2的覆盖第一绝缘层INS1的下部分和第一绝缘层INS1的侧表面或与之重叠的一部分可以对应于发光元件LD之间的空间。
参考图11，可以在第二电极EL2上形成堤部层BNKL。
堤部层BNKL可以形成为覆盖显示装置的整个表面，或与之重叠。例如，堤部层BNKL可以接触(例如，直接接触)第二电极EL2的上表面，并且可以形成在发光元件LD之间的空间中。
堤部层BNKL可以包括金属材料。例如，第一堤部BNK1可以包括电解质、电镀材料等，并且可以包括具有导电性的金属材料。
参考图12，可以通过去除(例如，抛光)堤部层BNKL的一部分来形成第一堤部BNK1。
可以通过抛光工艺去除堤部层BNKL的一部分，使得堤部层BNKL的上表面和第二电极EL2的上表面TSF可以具有相同的高度。因此，第一堤部BNK1的上表面和第二电极EL2的上表面TSF可以在第三方向DR3上具有相同的高度。第一堤部BNK1可以形成或设置在发光元件LD之间的空间中。在发光元件LD之间的空间中，第一堤部BNK1可以接触(例如，直接接触)第二电极EL2的上表面中的与平坦部分EL2b(参见图5)对应的部分和第二电极EL2的侧表面。
可以通过化学机械抛光(CMP)工艺来平坦化堤部层BNKL以暴露第二电极EL2的上表面TSF。第二电极EL2的上表面TSF可以在第三方向DR3上是第二电极EL2的表面中的最高表面。
参考图13和图14，可以在第二电极EL2的上表面TSF上形成光刻胶图案PR，并且可以在光刻胶图案PR之间形成第二堤部BNK2。
光刻胶图案PR可以形成为在第三方向DR3上伸长，并且第二堤部BNK2可以形成在沿着第一方向DR1彼此间隔开的光刻胶图案PR之间。例如，第二堤部BNK2可以形成在第一堤部BNK1上。
第二堤部BNK2可以包括与第一堤部BNK1相同的材料。因此，堤部BNK可以包括第一堤部BNK1和第二堤部BNK2，并且可以是能够将每个像素区域分隔开的结构。
在实施方式中，第二电极EL2可以在第二堤部BNK2之前形成，并且第一堤部BNK1可以在第二电极EL2上形成。因此，可以查验或检查发光元件LD和结合电极BMT之间的结合程度。因此，发光元件LD和结合电极BMT可以在显示装置中稳定地结合。
参考图15，通过去除光刻胶图案PR，可以在第二堤部BNK2之间形成用于形成颜色转换层CCL的空间。
参考以上描述的图5，可以在沿着第一方向DR1彼此间隔开的第二堤部BNK2之间形成颜色转换层CCL。此后，可以形成第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及光阻挡构件BM。
在下文中，参考图16和图17描述根据实施方式的显示装置和制造该显示装置的方法。
图16是示出根据实施方式的像素PXL的示意性剖视图，并且图17是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖视图。
参考图16，根据实施方式的显示装置中的像素PXL可以包括在第一方向DR1上顺序地设置的第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3。由于图16与以上描述的图5类似，因而为了防止重复描述，在下文中，基于与图5的不同之处来描述本公开。
根据实施方式的像素PXL还可以包括第二绝缘层INS2。
第二绝缘层INS2可以设置在结合电极BMT的侧表面上。例如，第二绝缘层INS2可以设置成围绕结合电极BMT的侧表面或与结合电极BMT的侧表面相邻。
第二绝缘层INS2可以包括氧化物绝缘层。例如，第二绝缘层INS2可以包括金属(诸如，铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、锡(Sn)及其合金)的金属氧化物。本公开不限于此。例如，第二绝缘层INS2可以包括金属氧化物，其中形成结合电极BMT的金属材料可以被氧化。
参考以上描述的图8、图9和图16、以及图17，可以在像素衬底PCS上形成或设置发光元件LD和结合电极BMT，并且可以通过氧化发光元件LD和/或结合电极BMT的表面来形成第二绝缘层INS2。此后，可以形成第一绝缘层INS1以覆盖发光元件LD、第二绝缘层INS2和像素衬底PCS，或与之重叠。
第一绝缘层INS1可以形成为在剖视图中覆盖或接触(例如，直接接触)像素衬底PCS的一部分、第二绝缘层INS2的侧表面、发光元件LD的侧表面、以及发光元件LD的第二端部EP2。
在图17中，第二绝缘层INS2可以形成在结合电极BMT的侧表面上，但是根据实施方式第二绝缘层INS2也可以形成在发光元件LD的侧表面上。例如，第二绝缘层INS2可以仅形成在结合电极BMT的侧表面上，但是第二绝缘层INS2也可以形成在发光元件LD的侧表面上。
随后，可以通过顺序地执行图10至图15的制造方法来制造图16中所示的显示装置。
在实施方式中，第二电极EL2可以在第二堤部BNK2之前形成，并且第一堤部BNK1可以形成或设置在第二电极EL2上。因此，可以查验或检查发光元件LD和结合电极BMT之间的结合程度。因此，发光元件LD和结合电极BMT可以在显示装置中稳定地结合。
在下文中，参考图18和图19描述根据实施方式的显示装置和制造该显示装置的方法。
图18是示出根据实施方式的多个像素PXL的示意性剖视图，并且图19是示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性剖视图。
参考图18，根据实施方式的显示装置中包括的像素PXL可以包括在第一方向DR1上顺序地设置的第一子像素PXL1、第二子像素PXL2和第三子像素PXL3。由于图18类似于以上描述的图5，因此为了防止重复描述，在下文中，基于与图5的不同之处来描述本公开。
根据实施方式的像素PXL还可以包括第三绝缘层INS3。
第三绝缘层INS3可以设置在发光元件LD的侧表面上。例如，第三绝缘层INS3可以设置成围绕发光元件LD的侧表面或与发光元件LD的侧表面相邻。
第三绝缘层INS3可以包括氧化物绝缘层。例如，第三绝缘层INS3可以包括金属(诸如，铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、锡(Sn)及其合金)的金属氧化物。这是示例，并且本公开不限于此。
第三绝缘层INS3可以包括无机材料，其包括硅氧化物(SiOx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、铝氧化物(AlOx)等。
参考以上描述的图8、图9和图18、以及图19，可以在像素衬底PCS上形成或设置发光元件LD和结合电极BMT，并且可以在发光元件LD的表面上形成或设置第三绝缘层INS3。可以形成第一绝缘层INS1以覆盖发光元件LD、第三绝缘层INS3和像素衬底PCS，或与之重叠。
第一绝缘层INS1可以形成为在剖视图中覆盖或接触(例如，直接接触)像素衬底PCS的一部分、结合电极BMT的侧表面、第三绝缘层INS3的侧表面、以及发光元件LD的第二端部EP2。
随后，可以通过顺序地执行图10至图15的制造方法来制造图18中所示的显示装置。
在实施方式中，第二电极EL2可以在第二堤部BNK2之前形成，并且第一堤部BNK1可以形成或设置在第二电极EL2上。因此，可以查验或检查发光元件LD和结合电极BMT之间的结合程度。因此，发光元件LD和结合电极BMT可以在显示装置中稳定地结合。
在下文中，参考图20和图21描述了可向其应用根据实施方式的显示面板的各种实施方式。
图20是示出应用于智能眼镜的根据实施方式的显示装置的示意图，以及图21是示出应用于VR装置的根据实施方式的显示装置的示意图。
参考图20，根据实施方式的显示装置可以应用于包括框架170和镜片单元171的智能眼镜。智能眼镜可以是可佩戴在用户的脸部上的可佩戴电子装置，并且可以具有框架170的一部分可折叠或展开的结构。例如，智能眼镜可以是用于增强现实(AR)的可佩戴装置。
框架170可以包括支承镜片单元171的壳体170b和供用户佩戴的镜腿单元170a。镜腿单元170a可以通过铰接件连接到壳体170b，并且可以折叠或展开。
框架170可以在其中包括电池、触摸板、麦克风、相机等。此外，框架170可以在其中包括输出光的投影仪、控制光信号等的处理器等。
镜片单元171可以是透射光或反射光的光学构件。镜片单元171可以包括玻璃、透明合成树脂等。
镜片单元171可以通过由镜片单元171的后表面(例如，面对用户眼睛的表面)从框架170的投影仪传输的光信号来反射图像，以允许用户的眼睛识别图像。例如，如图中所示，用户可以识别在镜片单元171上显示的诸如时间和日期的信息。镜片单元171可以是一种类型的显示装置，并且根据以上描述的实施方式的显示装置可以应用于镜片单元171。
参考图21，根据实施方式的显示装置可以应用于包括头部安装带180和显示器存储壳181的头戴式显示器(HMD)。HMD是可佩戴在用户的头部上的可佩戴电子装置。例如，HMD可以是用于虚拟现实(VR)的可佩戴装置。
头部安装带180可以包括连接到显示器存储壳181并固定到显示器存储壳181的部分。如图中所示，头部安装带180可以围绕用户的头部的上表面和侧部，但本公开不限于此。头部安装带180可以将HMD固定到用户的头部，并且可以形成为眼镜框架形式或头盔形式。
显示器存储壳181可以容纳显示装置并且可以包括至少一个镜片。所述至少一个镜片可以包括向用户提供图像的部分。例如，根据实施方式的显示面板可以应用于显示器存储壳181中的左眼镜片和右眼镜片。
尽管已经参考以上实施方式描述了本公开，但是本领域技术人员或具有本领域公知常识的技术人员将理解，在不背离所附权利要求书中描述的本公开的精神和技术领域的情况下，可以对本公开进行各种修改和改变。
因此，本公开的技术范围不应限于说明书的详细描述中所描述的内容，而是应由权利要求书限定。

Claims (10)

1.显示装置，包括：
第一电极，设置在衬底上；
结合电极，设置在所述第一电极上并且电连接到所述第一电极；
发光元件，设置在所述结合电极上，并且包括：
第一端部，接触所述结合电极；以及
第二端部，设置成在纵向方向上与所述第一端部相对；
第一绝缘层，部分地覆盖所述发光元件，使得所述发光元件的所述第二端部暴露；
第二电极，覆盖所述第一绝缘层和所述发光元件的所述第二端部；
第一堤部，设置在所述第二电极的一部分上；以及
第二堤部，设置在所述第一堤部上，
其中，所述第一堤部和所述第二堤部包括金属。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一堤部和所述第二堤部包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二电极包括：
凸出部分，部分地在所述纵向方向上延伸；以及
平坦部分，在与所述纵向方向垂直的第一方向上延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述凸出部分与所述发光元件的一部分和所述第一绝缘层的一部分重叠，以及
所述平坦部分与所述第一绝缘层的另一部分重叠。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一堤部接触所述第二电极的上表面中的与所述平坦部分对应的部分和所述第二电极的侧表面。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一堤部的上表面和所述第二电极的所述上表面中的与所述凸出部分对应的部分在所述纵向方向上具有相同的高度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：
第一颜色转换层、第二颜色转换层和光散射层，设置在所述第二电极的所述上表面中的与所述凸出部分对应的所述部分上，
其中，所述第一颜色转换层和所述第二颜色转换层各自将从所述发光元件发射的光转换成不同颜色的光，并且所述光散射层散射从所述发光元件发射的所述光。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第二绝缘层，围绕所述结合电极的侧表面。
9.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第三绝缘层，围绕所述发光元件的侧表面。
10.制造显示装置的方法，所述方法包括：
将形成在叠层衬底上的发光叠层结合到形成在像素衬底上的结合电极层；
去除所述叠层衬底；
通过蚀刻所述发光叠层和所述结合电极层，在所述像素衬底上形成发光元件和结合电极；
形成第一绝缘层以覆盖所述发光元件和所述像素衬底；
蚀刻所述第一绝缘层以暴露所述发光元件的端部；
形成公共电极以覆盖所蚀刻的第一绝缘层和所述发光元件的被暴露的所述端部；
在所述公共电极上形成堤部层；
通过抛光所述堤部层形成第一堤部；
在所述公共电极的上表面上形成光刻胶图案，以及
在所述光刻胶图案之间形成第二堤部。
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