CN115657373B - 发光板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例公开了一种发光板及其制备方法，该发光板包括衬底、发光器件、反射片，发光器件与反射片设置于衬底同一侧表面，其中，反射片包括与发光器件一一对应设置的第一通孔，第一通孔边缘处的反射片包裹发光器件的边缘设置，使第一通孔的边缘与邻近发光器件的边缘之间的间隙小于0.1毫米；降低了第一通孔的边缘与发光器件的边缘之间的距离，减小了开窗区域的尺寸及宽度，从而缓解现有发光板存在发光器件的边缘处光效不均匀的技术问题。

Description

发光板及其制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种发光板及其制备方法。
背景技术
为了让发光板的光在面内更加均匀，一般会通过贴附反射片增加反射率。但目前为了提升反射片的贴附良率，将与发光器件对应设置的第二通孔设置得尺寸较大，使反射片贴合后，在发光器件的边缘处存在未被反射片覆盖的开窗区域，在开窗区域内，反射主要靠底反射层，底反射层的反射率与反射片的反射率差值>5％时，会对光学品味产生影响，即发光器件的边缘处存在光效不均匀的技术问题。
影响开窗反射率问题的主因有2个：一是因为开窗区域没有设置反射片，底反射层和反射片的反射率没法一致，其中，底反射层最大反射率为93％，而反射片反射率大于98％；二是假设底反射层和反射片的反射率一致，二者存在高度差等地形问题，而且不是同一种材质，因此一致性还是不行，容易对光学品味产生影响，导致光效不均匀。
因此，现有发光板存在发光器件的边缘处光效不均匀的技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种发光板及其制备方法，可以缓解现有发光板存在发光器件的边缘处光效不均匀的技术问题。
本申请实施例提供一种发光板，包括：
衬底；
发光器件、反射片，所述发光器件与所述反射片设置于所述衬底同一侧表面；
其中，所述反射片包括与发光器件一一对应设置的第一通孔，所述第一通孔边缘处的反射片包裹所述发光器件的边缘设置；所述第一通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的间隙小于0.1毫米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射片包括热膨胀基底、反射涂层，所述反射涂层设置于所述热膨胀基底的一侧表面，所述第一通孔贯穿所述热膨胀基底和所述反射涂层，其中，所述热膨胀基底的制备材料的热膨胀系数大于或等于60ppm/℃。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述热膨胀基底的制备材料包括聚甲醛树脂、聚二甲基硅氧烷中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述反射涂层与所述热膨胀基底的热膨胀系数的差值的绝对值小于或等于50ppm/℃。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一通孔的形状与所述发光器件的形状相同，所述第一通孔的尺寸大于或等于所述发光器件的尺寸。
本申请实施例提供一种发光板制备方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底一侧表面制备得到发光器件；
提供一反射片，在所述衬底设置有所述发光器件的同一侧表面贴附所述反射片，所述反射片包括与发光器件一一对应设置的第二通孔，所述第二通孔的尺寸大于所述发光器件的尺寸；
加热所述反射片至预设温度，使所述反射片膨胀，所述第二通孔经所述反射片膨胀后形成第一通孔，所述第一通孔的边缘包裹所述发光器件的边缘设置；所述第一通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的间隙小于0.1毫米。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述衬底朝向所述发光器件的一侧贴附所述反射片的步骤中，所述第二通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的最小距离的范围为0.1毫米至0.2毫米。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述预设温度的范围为大于350℃且小于550℃。
可选的，在本申请的一些实施例中，提供反射片的步骤还包括：所述反射片的反射涂层是通过磁控溅射法制备得到。
可选的，在本申请的一些实施例中，在所述衬底朝向所述发光器件的一侧贴附所述反射片的步骤还包括：采用粘度大于或等于6000毫帕·秒的胶，将所述反射片贴附于所述发光器件远离所述基底的一侧。
有益效果：通过第一通孔边缘处的反射片包裹发光器件设置，所述第一通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的间隙小于0.1毫米，降低了所述第一通孔的边缘与所述发光器件的边缘之间的距离，减小了开窗区域的尺寸及宽度，从而缓解现有发光板存在发光器件的边缘处光效不均匀的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的发光板的俯视示意图；
图2是本申请提供的发光板A-A处的截面示意图；
图3是本申请图1中提供的发光板的第一特定区域2的放大示意图
图4A至图4D是本申请提供的发光板的步骤流程图；
图5是本申请图4C中提供的发光板的第二特定区域3的放大示意图；
图6是本申请提供的发光板的流程示意图；
图7是本申请提供的反射片的截面示意图；
图8是本申请提供的反射片的步骤流程图；
图9是本申请提供的反射片的流程示意图。
附图标记说明：
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
请参阅图1、图2、图3，本申请实施例提供的发光板1包括衬底20、发光器件30、反射片10，所述发光器件30与所述反射片10设置于所述衬底20同一侧表面，其中，所述反射片10包括与发光器件30一一对应设置的第一通孔50，所述第一通孔50边缘处的反射片10包裹所述发光器件30的边缘设置，所述第一通孔50的边缘与邻近所述发光器件30的边缘之间的间隙小于0.1毫米。
其中，所述图3为所述图1中第一特定区域2的放大图。
其中，所述第一通孔50的边缘环绕第一通孔50的内壁一周，发光器件30的边缘环绕发光器件30的外部一周，第一通孔50的边缘与邻近发光器件30的边缘之间的间隙是指相邻近两个边缘之间的距离，并且所述相邻近两个边缘其中之一是指第一通孔50的边缘，其中之另一是指发光器件30的边缘。
在一些实施例中，发光板的纵向截面剖示图如图2所示，发光板还包括驱动器件70，所述发光器件与反射片设置于所述衬底同一侧表面，所述驱动器件70与所述发光器件30设置于所述衬底20同一侧表面。
在本实施例中，所述第一通孔50的边缘与所述发光器件30的边缘贴合设置，降低了所述第一通孔50的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离，减小了开窗区域S的尺寸及宽度，从而缓解了发光器件30边缘处存在光效不均匀的技术问题。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
本申请实施例仅以反射片10在液晶显示面板的背光模组中的应用举例进行说明，对于其他采用反射片10且存在发光器件30边缘处的开窗区域S的光效不均匀的应用场景下，例如：OLED显示面板、MLED显示面板等，本申请的发明构思同样适用，所述反射片10可以应用于该应用场景下，从而缓解发光器件30边缘处光效不均匀的问题。
另外，本申请的温度、尺寸、加工工艺、所选材料等，仅以最佳或较佳的实施方式进行说明，对于提升热膨胀系数来实现提升光线均匀性的方案，其他较佳或较次的方案也应当属于本发明的保护范围，在此不再赘述。
在一种实施例中，所述反射片包括热膨胀基底、反射涂层，所述反射涂层设置于所述热膨胀基底的一侧表面，其中，所述热膨胀基底的制备材料的热膨胀系数大于或等于60ppm/℃。
在一种实施例中，所述热膨胀基底101的制备材料包括聚甲醛树脂、聚二甲基硅氧烷中的至少一种。
其中，所述聚甲醛树脂、所述聚二甲基硅氧烷的热膨胀系数均高于PET材料的热膨胀系数。
其中，所述聚甲醛树脂的热膨胀系数550ppm/℃，即温度每升高1℃，膨胀0.055％。
其中，所述聚二甲基硅氧烷的膨胀系数340ppm/℃，即温度每升高1℃，膨胀0.034％。
进一步的，上述材料还能在受热膨胀的时候保持良好的平整性，提升反射片10的反射光线的均匀性。
可以理解的是，目前量产的热膨胀基体的材料为PET塑料，所述PET塑料的热膨胀系数60ppm/℃，即温度每升高1℃，膨胀0.006％，热膨胀系数较低容易导致反射片10的边缘与发光器件30的边缘之间存在较大的间隔距离，产生光效不均匀的问题。
在本实施例中，使热膨胀基底101采用热膨胀系数较PET塑料更大的材料，提升在相同温度下反射片10的膨胀程度，从而进一步减小发光器件30与反射片10之间的间隔距离，缓解发光器件30边缘处光效不均匀的现象。
在一种实施例中，所述反射涂层102的制备材料至少包括有机膨胀材料。
其中，所述反射涂层102的制备材料还包括二氧化钛，所述二氧化钛作为高反射材料，起到反射光线的功能。
可以理解的是，所述反射涂层102通过包含有机膨胀材料，能使其具有一定热膨胀性，当热膨胀基底101发生膨胀时，反射涂层102也发生一定程度的膨胀，从而减弱热膨胀基底101与反射涂层102之间因膨胀产生的相对位移，从而降低了受热膨胀时反射涂层102从热膨胀基底101上脱落的风险。
在本实施例中，通过在反射涂层102内掺杂有机膨胀材料，使反射涂层102在受热时与热膨胀基底101同方向膨胀，避免发生反射涂层102与热膨胀基底101之间膜层位移、脱离的现象。
在一种实施例中，所述第一通孔50的形状与所述发光器件30的形状相同，所述第一通孔50的尺寸大于或等于所述发光器件30的尺寸。
其中，当所述第一通孔50的尺寸等于所述发光器件30的尺寸时，所述第一通孔50的边缘处的反射片10包裹发光器件30的边缘设置。
其中，所述第一通孔50的形状与所述发光器件30的形状相同。
在本实施例中，所述第一通孔50的尺寸等于所述发光器件30的尺寸时，所述第一通孔50的边缘与所述发光器件30的边缘之间的间隙的大小为0，开窗区域S任一方向的宽度也为0，能最大程度的降低发光器件30边缘光效不均匀的现象。
在一种实施例中，所述衬底20的种类不限于玻璃、印刷电路板，柔性电路板。
在一种实施例中，相邻所述发光器件30的间距可以相等，从而进一步提高出光均匀性。
在一种实施例中，驱动器件70和发光器件30种类、数量、尺寸均可以不加限制。
其中，发光器件30可以为LED灯，也可以为其他的发光元件。
其中，驱动器件70可以为驱动芯片、电阻等其他器件。
其中，发光器件30尺寸的长宽可以为300微米乘以300微米，发光器件30尺寸的长宽也可以为1000微米乘以500微米。
在一种实施例中，驱动方式可以不加限制，可以是AM TFT驱动，也可以是AM MicroIC驱动，还可以是PM驱动。
在一种实施例中，在所述反射片10上设置第二通孔40的挖孔方式可以不加限制。
其中，所述挖孔方式可以是机械挖孔，也可以是激光挖孔等。
可以理解的是，机械挖孔产生的热量少于激光挖孔，有利于降低反射片10自身发生的形变，提高生产良率。
在一种实施例中，反射片10贴附方式可以不加限制，可以是手工贴附，也可以机械贴附。
在一种实施例中，所述衬底20上设置有至少一真空孔，所述真空孔贯穿所述衬底20设置，在膜厚方向上，所述真空孔避开所述发光器件30和所述驱动器件70设置。
其中，所述真空孔用于配合抽真空工艺，使反射片10靠近所述衬底20一侧的残留气体从真空孔处被抽出，在反射片10靠近衬底20的一侧形成负压，利用负压使反射片10与驱动器件70贴合的更紧，从而使反射片10表面更平整，提升反射片10的反射光线的均匀性。
其中，对衬底20上真空孔采用的抽真空方式不限。
在本实施例中，通过在衬底20设置至少一真空孔，在真空孔处通过抽真空方式形成负压，使反射片10能更好的与驱动器件70贴合，提高了反射片10表面的平整程度，从而提升了反射片10的反射光线的均匀性。
请参阅图4A至4D、图6，本申请实施例提供的发光板1制备方法包括：
S10：提供一衬底20；
S20：在所述衬底20一侧表面制备得到发光器件3；
S30：提供上述任一实施例所述的反射片10，在所述衬底20设置有所述发光器件3的同一侧表面贴附所述反射片10，所述第二通孔40的尺寸大于所述发光器件30的尺寸，所述第二通孔40与所述发光器件30一一对应设置；
S40：加热所述反射片10至预设温度，使所述反射片10膨胀，所述第二通孔40经所述反射片10膨胀后形成所述第一通孔50，所述第一通孔50的边缘包裹所述发光器件30的边缘设置；所述第一通孔50的边缘与邻近所述发光器件30的边缘之间的间隙小于0.1毫米。
其中，请参阅图4A，提供一设置有发光器件30的衬底20；
其中，请参阅图4B，提供一具有第二通孔40的反射片10；
其中，请参阅图4C，将所述反射片10贴合到所述衬底20设置有发光器件30的一侧表面，且第二通孔40与发光器件30一一对应设置；
其中，请参阅图4D，通过加热反射片10，使反射片10膨胀，所述第二通孔40内缩为第一通孔50，第一通孔50的内径小于第二通孔40的内径，第一通孔50的边缘处的反射片10包裹发光器件30的边缘设置。
其中，在完成所述S40步骤之后，还可以通过自然冷却使所述反射片10定型；可以理解的是，采用所述聚甲醛树脂、所述聚二甲基硅氧烷制备的热膨胀基底101在热膨胀时，分子链会进行一部分拉长，变成线性，这个过程是不可逆过程，所以在冷却时，热膨胀基底101不会冷缩回去导致开窗区域S的宽度变大。
在一种实施例中，在所述衬底朝向所述发光器件的一侧贴附所述反射片的步骤中，所述第二通孔的边缘与所述发光器件的边缘之间的最小距离的范围为0.1毫米至0.2毫米。
其中，在所述反射片10贴合时，所述第二通孔40与发光器件30一一对应设置。
其中，当所述第二通孔40的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离越大时，反射片10的贴附难度越小，所述反射片10的贴附精度越差；当所述第二通孔40的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离越小时，反射片10的贴附难度越大，所述反射片10的贴附精度越好，因此，贴附难度与贴附精度之间是相互限制且相互矛盾的。
可以理解的是，为了使得反射片达到一定的贴覆良率，第二通孔40的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离需要不小于0.1毫米，当所述第二通孔40的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离为0.1毫米时，此时为满足反射片10贴附良率达到要求的最小距离。
可以理解的是，当所述第二通孔40的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离为0.2毫米时，为采用热膨胀基底101的热膨胀系数等于340ppm/℃时，反射片10在350℃的温度下受热膨胀后，能满足第一通孔50的边缘与发光器件30的边缘之间的距离为0.05毫米，即此时的反射片10的边缘能包裹发光器件的边缘设置。
需要注意的是，对于所述第二通孔40的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离范围为大于0.2毫米，可以通过提高热膨胀基底101的热膨胀系数大于340ppm/℃，同样能满足反射片10的边缘能包裹发光器件30的边缘设置。
在本实施例中，仅以热膨胀基底101的热膨胀系数等于340ppm/℃为例进行说明，所述热膨胀基底101的材料可以为聚二甲基硅氧烷，从而解决了贴附难度和贴附精度之间互相限制的问题。
在一种实施例中，所述预设温度的范围为大于350℃且小于550℃。
其中，所述预设温度可以为400℃、450℃、500℃，由于此时的预设温度小于550℃，因此，该温度下发光器件30不会产生失效等不良现象，同时，此时的预设温度也大于350℃，也能够满足反射片10膨胀使得第一通孔50的边缘处的反射片10包裹发光器件30的边缘设置。
其中，所述预设温度小于550℃，能避免因温度过高导致发光器件以及衬底上的其他器件失效。
在一种实施例中，提供反射片10的步骤还包括：所述反射片10的反射涂层102是通过磁控溅射法制备得到。
可以理解的是，通过磁控溅射法能提升的反射涂层102和热膨胀基底101的连接强度，使结合得牢固，因此，反射涂层102会随热膨胀基底101的膨胀而膨胀。
进一步的，所述反射涂层102也可以采用热膨胀系数大于60ppm/℃反射材料制备得到。
其中，所述反射涂层102与所述热膨胀基底101的热膨胀系数可以相同或相似，所述热膨胀系数相似指的是：所述反射涂层102与所述热膨胀基底101的热膨胀系数的差值的绝对值小于或等于50ppm/℃。
在一种实施例中，在所述衬底20朝向所述发光器件30的一侧贴附所述反射片10的步骤还包括：采用粘度大于或等于6000毫帕·秒的胶，将所述反射片10贴附于所述发光器件30远离所述基底的一侧。
在本实施例中，通过高强度的胶固定反射片10和发光器件30，保证了反射片10膨胀时，反射涂层102、热膨胀基底101、反射片10以及发光器件30都不会发生相对位移，降低反射涂层102脱落的风险以及反射片10移动的风险。
在一种实施例中，还包括：在所述衬底20上通过机械切割的方式，形成至少一贯穿所述衬底20设置的真空孔，所述真空孔在膜厚方向上避开所述驱动器件70和所述发光器件30设置。
本申请通过将反射片10的热膨胀基底101的热膨胀系数设置为大于60ppm/℃，使反射片10在贴合时能设置较大的第二通孔40，降低贴合难度，提升贴合良率，在完成反射片10贴合后，再利用加热反射片10，使反射片10受热膨胀，由于热膨胀基底101的热膨胀系数为大于60ppm/℃，因此，反射片10的边缘能包裹发光器件30的边缘设置，使发光器件30周围的开窗区域S的宽度减小或为0，从而大大缓解了现有发光板1存在发光器件30的边缘处光效不均匀的技术问题。
需要注意的是，请参阅图5，所述开窗区域S包括间距d1、d2、d3、d4，其中，间距d1为发光器件30的第一侧边缘与第二通孔40的第一侧边缘之间的垂直距离，间距d2为发光器件30的第二侧边缘与第二通孔40的第二侧边缘之间的垂直距离，间距d3为发光器件30的第三侧边缘与第二通孔40的第三侧边缘之间的垂直距离，间距d4为发光器件30的第四侧边缘与第二通孔40的第四侧边缘之间的垂直距离。
其中，所述图5为所述图4C中第二特定区域3的放大图，在图5中具体标注出了开窗区域S，具体的，所述开窗区域S为所述第二通孔40的边缘到所述发光器件30边缘之间的区域。需要说明的是，第二通孔40边缘处即为第二通孔40的孔壁。
其中，所述第二通孔40的边缘环绕第二通孔40的内壁一周，发光器件30的边缘环绕发光器件30的外部一周，第二通孔40的边缘与邻近发光器件30的边缘之间的间距d1、d2、d3、d4是指相邻近两个边缘之间的距离，并且所述相邻近两个边缘其中之一是指第二通孔40的边缘，其中之另一是指发光器件30的边缘。
其中，当所述d1、d2、d3、d4中至少两者存在不相等的情况时，取d1、d2、d3、d4中的最小值dm，通过使反射片10的膨胀量小于dm，从而避免反射片10过度膨胀挤压发光器件30，导致发光器件30产生位移或发生脱落。
进一步的，dm＝所述反射片10的膨胀量+0.05毫米。
可以理解的是，当d1、d2、d3、d4的平均值为0.2毫米时，由于存在±0.05毫米的贴附精度的误差，以d1、d2、d3、d4中至少一者为0.15毫米，另一者为0.25毫米为例进行说明，此时，dm＝0.15毫米，所述反射片10的膨胀量
＝dm-0.05毫米＝0.1毫米；再通过控制温度、热膨胀基底的热膨胀系数等因素，使反射片10的膨胀量为0.1毫米，从而避免反射片10挤压发光器件30。
可以理解的是，使第一通孔50边缘与发光器件30边缘之间的间隙预留为0.05毫米，就可以在实现所述反射片10的边缘包裹所述发光器件30的边缘设置的同时，反射片10不会对发光器件30产生挤压，进一步避免了发光器件30受反射片10挤压导致产生位移或发生脱落。
另外，请参阅图7，本申请还提供一种反射片10包括热膨胀基底101、反射涂层102，所述反射涂层102设置于所述热膨胀基底101的一侧表面，其中，所述反射片10设置有至少一贯穿所述热膨胀基底101和所述反射涂层102设置的第二通孔40，所述热膨胀基底101的制备材料的热膨胀系数大于60ppm/℃。
进一步的，所述热膨胀基底101的制备材料的热膨胀系数可以大于或等于340ppm/℃，通过加热反射片10，所述反射片10的边缘能够包裹所述发光器件30的边缘设置。
其中，所述反射涂层102用于反射光线。
可以理解的是，所述热膨胀基底101在受热时会产生膨胀，反射片10膨胀后会使第二通孔40的尺寸变小。
在本实施例中，通过采用热膨胀基底101的热膨胀系数大于60ppm/℃的反射片10，在贴合反射片10后，通过加热使所述反射片10膨胀，从而使所述反射片10的边缘与所述发光器件30的边缘之间的距离减小，从而缓解现有发光板1存在发光器件30的边缘处光效不均匀的技术问题。
请参阅图8、图9本申请实施例提供的反射片10制备方法包括：
S1：提高一热膨胀基底101；
S2：沉积一层高反射材料制备得到反射涂层102；
S3：对反射涂层102进行压合平整化操作，制备得到反射母板；
S4：对所述反射母板进行分割，形成多个反射片10。
其中，所述高反射材料可以为二氧化钛。
其中，在制备得到反射片10之后，可以对所述反射片10部分区域进行挖孔，还可以进行离型膜60的贴膜覆盖，从而保护反射片10。
在一种实施例中，沉积一层高反射材料制备得到反射涂层102的步骤还包括：采用磁控溅射的方式，沉积一层高反射材料制备得到所述反射涂层102。
其中，磁控溅射的方式比机械压合的方式制备得到的反射涂层102的紧密性更好，且更加均匀。
可以理解的是，磁控溅射的方式将高反射材料更均匀且紧密的沉积到基板上，防止反射片10膨胀，反射涂层102与热膨胀基底101之间发生相对位移，避免了反射涂层102的脱落。
在本实施例中，通过对制备反射涂层102的工艺限定为磁控溅射，提高了反射涂层102与热膨胀基底101的结合力，使反射涂层102设置得更均匀且紧密，避免了反射片10受热膨胀导致得反射涂层102脱落的问题。
在一种实施例中，对所述反射母板进行分割的步骤还包括：采用机械切割的方式对所述反射母板进行分割。
其中，可以通过对机械切割的切割速率、移动速率、材料等进行选择或限定，进一步降低机械切割产生的热量，防止热膨胀基底101发生受热形变或位移。
可以理解的是，由于热膨胀基底101在受热时会发生膨胀，因此，相对于激光切割，机械切割不容易使热膨胀基底101发生较大的形变或位移，可以提高制备良率。
在本实施例中，限定切割方式为产生热量较低的机械切割，进一步提高了良率。
本申请实施例提供的反射片包括衬底、发光器件、反射片，所述发光器件与反射片设置于所述衬底同一侧表面，其中，所述反射片包括与发光器件一一对应设置的第一通孔，所述第一通孔边缘处的反射片包裹所述发光器件的边缘设置；通过第一通孔边缘处的反射片包裹发光器件设置，使所述第一通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的间隙小于0.1毫米，降低了所述第一通孔的边缘与所述发光器件的边缘之间的距离，减小了开窗区域的尺寸及宽度，从而缓解现有发光板存在发光器件的边缘处光效不均匀的技术问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的反射片及其制备方法、发光板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种发光板制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底一侧表面制备得到发光器件；
提供一反射片，在所述衬底设置有所述发光器件的同一侧表面贴附所述反射片，所述反射片包括与发光器件一一对应设置的第二通孔，所述第二通孔的尺寸大于所述发光器件的尺寸；
加热所述反射片至预设温度，使所述反射片膨胀，所述第二通孔经所述反射片膨胀后内缩形成第一通孔，所述第一通孔的边缘包裹所述发光器件的边缘设置；所述第一通孔的尺寸大于或等于所述发光器件的尺寸，所述第一通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的间隙小于0.1毫米，所述反射片包括热膨胀基底、反射涂层，所述反射涂层设置于所述热膨胀基底的一侧表面，所述第一通孔贯穿所述热膨胀基底和所述反射涂层，所述热膨胀基底的制备材料的热膨胀系数大于或等于60ppm/℃，所述热膨胀基底的制备材料包括聚甲醛树脂、聚二甲基硅氧烷中的至少一种；
通过自然冷却使所述反射片定型。
2.如权利要求1所述的发光板制备方法，其特征在于，在所述衬底朝向所述发光器件的一侧贴附所述反射片的步骤中，所述第二通孔的边缘与邻近所述发光器件的边缘之间的距离的范围为0.1毫米至0.2毫米。
3.如权利要求2所述的发光板制备方法，其特征在于，所述预设温度的范围为大于350℃且小于550℃。
4.如权利要求2所述的发光板制备方法，其特征在于，提供反射片的步骤还包括：所述反射片的反射涂层是通过磁控溅射法制备得到。
5.如权利要求2所述的发光板制备方法，其特征在于，在所述衬底朝向所述发光器件的一侧贴附所述反射片的步骤还包括：采用粘度大于或等于6000毫帕·秒的胶，将所述反射片贴附于所述衬底上方。
6.如权利要求2所述的发光板制备方法，其特征在于，所述反射涂层与所述热膨胀基底的热膨胀系数的差值的绝对值小于或等于50ppm/℃。
7.如权利要求2所述的发光板制备方法，其特征在于，所述第一通孔的形状与所述发光器件的形状相同。
8.一种发光板，采用如权利要求1至7任一项所述的发光板制备方法制备得到。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08262209A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 反射体及びそれを用いた反射部材及びその製造方法
CN102738363A (zh) * 2011-04-14 2012-10-17 日东电工株式会社 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
CN204127877U (zh) * 2014-09-30 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种反射片、背光模组和显示装置
CN212623484U (zh) * 2020-08-14 2021-02-26 湖北弘汉精密光学科技有限公司 一种用于液晶电视背光模组的扩散板
JP2022022648A (ja) * 2020-06-30 2022-02-07 富士フイルム株式会社 発光装置および液晶表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08262209A (ja) * 1995-03-27 1996-10-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 反射体及びそれを用いた反射部材及びその製造方法
CN102738363A (zh) * 2011-04-14 2012-10-17 日东电工株式会社 反射树脂片、发光二极管装置及其制造方法
CN204127877U (zh) * 2014-09-30 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 一种反射片、背光模组和显示装置
JP2022022648A (ja) * 2020-06-30 2022-02-07 富士フイルム株式会社 発光装置および液晶表示装置
CN212623484U (zh) * 2020-08-14 2021-02-26 湖北弘汉精密光学科技有限公司 一种用于液晶电视背光模组的扩散板

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