CN115611242B - 一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法 - Google Patents

一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115611242B
CN115611242B CN202211220580.6A CN202211220580A CN115611242B CN 115611242 B CN115611242 B CN 115611242B CN 202211220580 A CN202211220580 A CN 202211220580A CN 115611242 B CN115611242 B CN 115611242B
Authority
CN
China
Prior art keywords
refractory metal
entropy
metal high
nitride powder
refractory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211220580.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115611242A (zh
Inventor
王传彬
刘龙
彭健
耿子健
何正发
王君君
徐志刚
沈强
张联盟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CN202211220580.6A priority Critical patent/CN115611242B/zh
Publication of CN115611242A publication Critical patent/CN115611242A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115611242B publication Critical patent/CN115611242B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0602Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with two or more other elements chosen from metals, silicon or boron
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/04Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from solid material, e.g. by crushing, grinding or milling
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02Making non-ferrous alloys by melting
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C30/00Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/24Nitriding
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/72Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/03Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/01Particle morphology depicted by an image
    • C01P2004/04Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/80Compositional purity

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)

Abstract

本发明涉及金属氮化物技术领域,尤其涉及一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法。这种制备方法,包括以下步骤:使用电弧熔炼的方法将原料熔炼,制得难熔金属高熵合金块体;所述原料包括至少四种难熔金属;对所述难熔金属高熵合金块体进行氮化处理,得到难熔金属高熵氮化物粉体。本申请能够获得单一物相的难熔金属高熵氮化物粉体,而非二元或者三元氮化物的混合物,且各元素分布均匀,纯度高。

Description

一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法
技术领域
本发明涉及金属氮化物技术领域,尤其涉及一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法。
背景技术
难熔金属高熵氮化物是一类性能优异的氮化物新材料,通常由四种或四种以上的难熔金属主元(Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W)与氮所构成。相比传统氮化物(以一种或两种金属为主元,如TiN、CrN和CrAlN等),难熔金属高熵氮化物具有热力学上的高熵效应、结构上的晶格畸变效应、动力学上的迟滞扩散效应以及性能上的“鸡尾酒”效应,因而较传统氮化物展现出更为优异的力学性能、高温稳定性、耐磨损烧蚀、抗化学侵蚀性能等。此外,由于含有多种主元,难熔金属高熵氮化物比传统氮化物具有更大的成分设计灵活性和性能调控空间,因而在高温防护、催化化学、新能源等诸多高新技术领域具有广泛而重要的应用前景。
高品质的原料粉体是制备高性能难熔金属高熵氮化物材料的前提和基础,而目前关于难熔金属高熵氮化物粉体的研究报道很少,基本以各难熔金属的粉体或其氮化物粉体为原料,采用高能球磨的机械合金化方法进行制备,但难以在短时间内制备出物相单一、高纯度的高熵氮化物粉体。例如,文献“D. Moskovskikh, S. Vorotilo, V. Buinevich, etal., Scientific Reports 10 (2020) 19874”:以Hf、Nb、Ta、Ti、Zr等难熔金属粉体为原料,等摩尔比混合后高能球磨10 h,然后在8 atm压力的N2气氛下进行合成,合成后反应产物再球磨2 h,但得到的粉体仅为多种二元或者三元氮化物的混合物且含有一定量的氧化物(HfO2);文献“O.F. Dippo, N. Mesgarzadeh, T.J. Harrington, Scientific Reports10 (2020) 21288”:以CrN、HfN、NbN、TaN、TiN、VN、ZrN等难熔金属二元氮化物为原料,加入5at.%石墨作为助剂,高能球磨3 h后得到的粉体也仅为原料粉体的混合物,未能得到物相单一的高熵氮化物粉体。
文献“张咪,纳米晶难熔高熵合金与高熵氮化物的结构与性能研究,硕士学位论文,燕山大学,2019”:以V、Nb、Mo、Ta、W等难熔金属粉体为原料,在N2气氛下高能球磨30 h,虽然可以得到物相较纯的(VNbMoTaW)N难熔金属高熵氮化物粉体,但球磨时间过长,生产效率较低,不适于大规模生产。同时,由于原料粉体尤其是超细金属粉体的活性较高,在球磨过程中还存在安全隐患。此外,超细金属粉体的成本较高。并且高能球磨过程中,研磨球与原料的高速碰撞也会引入其它杂质,会在一定程度上影响高熵氮化物的纯度。
因此,为获得物相单一、纯度较高的难熔金属高熵氮化物粉体原料,满足高性能难熔金属高熵氮化物的制备需求,有必要开发一种简便、高效、安全的难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法。
发明内容
本发明要解决上述问题,提供一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法。
本发明解决问题的技术方案是,首先提供一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,包括以下步骤:
(1)使用电弧熔炼的方法将原料熔炼,制得难熔金属高熵合金块体;所述原料包括至少四种难熔金属,所述难熔金属是指Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W;
(2)对所述难熔金属高熵合金块体进行氮化处理,得到难熔金属高熵氮化物粉体。
本申请中,首先利用电弧熔炼得到合金块体,电弧熔炼是利用电能在电极与电极或电极与被熔炼物料之间产生电弧来熔炼金属的电热冶金方法。电弧熔炼的电极和坩埚均为金属材料,不会引入其它杂质,合成产物纯度高。并且,电弧熔炼在密闭的氩气保护气氛下进行,可以避免熔炼金属的氧化,同时可以促进金属原料内部氧气、氮气等气体杂质的去除和铜、锌、铅、锑、铋、锡和砷等高蒸汽压金属杂质的挥发去除以及金属原料中可能存在的金属氧化物的分解,保证熔炼得到的难熔金属高熵合金的高纯度。此外,电弧熔炼方法可迅速将各原料熔化成液态,可保证在较短的时间原料之间充分混合反应,熔炼获得的合金纯度高且成分分布较为均匀。
其中,作为本发明的优选,原料可以是难熔金属的纯金属颗粒/块体,也可以是各难熔金属任意组合得到的二元或多元合金颗粒/块体,也可以是纯金属和合金的混合物。本申请无需使用高活性超细金属粉体为原料,避免超细金属粉体安全性低、易含有氧化物杂质等问题。
作为本发明的优选,所述原料中,各难熔金属元素的原子比例控制在5~35at.%。
作为本发明的优选,电弧熔炼时,在氩气气氛下进行熔炼,其中氩气浓度高于99.9%。
作为本发明的优选,电弧熔炼时,气氛压力为0.04~0.05MPa。
作为本发明的优选,电弧熔炼时,电极头电流为100~400A。
作为本发明的优选,单次熔炼时长为5~15 min,反复熔炼若干次。优选地,反复熔炼3~10次。
然后,在这种纯度高且成分分布较为均匀的合金块体的基础上,再进行氮化处理时,不仅能得到单一物相的氮化物,还能同时得到粒径在微米级乃至纳米级的粉末状材料。这是因为,难熔金属高熵合金和难熔金属高熵氮化物之间物性(晶胞尺寸、密度、力学性能等)差异巨大,且难熔金属高熵合金高温下会受到较大的晶格应力,在二者的协同作用下,难熔金属高熵合金块体在氮化过程中产生分布较为均匀的高密度裂纹。裂纹在氮化过程中为氮扩散提供了物理通道,可极大地促进了氮在合金中的扩散与反应,加速了难熔金属高熵合金转化成难熔金属高熵氮化物并逐渐破碎成粉体。本申请无需将金属原料破碎成粉体,工艺简单、成本低、易操作、适合大规模生成。
其中,作为本发明的优选,所述氮化处理中,氮化气氛为氨气、或氮气、或氮气与氢气的混合气体、或氨气与氢气的混合气体。
作为本发明的优选,所述氮化处理中,气氛压力为常压。
作为本发明的优选,所述氮化处理中,气体流量为50~1000 mL/min。
作为本发明的优选,所述氮化处理中,氮化温度为800~1200℃。
作为本发明的优选,所述氮化处理中,氮化时长为2~20h。
本发明还有一个目的是提供一种难熔金属高熵氮化物粉体,所述难熔金属高熵氮化物为单一物相的立方结构,且为各元素分布均匀、纯度高的粉体状。
作为本发明的优选,所述难熔金属高熵氮化物粉体的粒径为微米级。
本发明的有益效果:
1.本申请能够获得单一物相的难熔金属高熵氮化物粉体,而非二元或者三元氮化物的混合物,且各元素分布均匀。
2.本申请以金属或者合金的大颗粒或块体(而非高活性的细小或超细金属粉体)为原料,成本较低,且不需要长时间高速球磨,制备过程安全可靠,直接得到微米级乃至纳米级的粉体材料,而且不会引入其它杂质,合成粉体的纯度高。
3.本申请的合成工艺简单、制备周期较短,有利于规模化批量生产。
附图说明
图1为实施例1中CrMoNbV难熔金属高熵合金块体及(CrMoNbV)N难熔金属高熵氮化物粉体的XRD图谱;
图2为实施例1中(CrMoNbV)N难熔金属高熵氮化物粉体的SEM照片;
图3为实施例1中(CrMoNbV)N难熔金属高熵氮化物粉体的TEM暗场像以及对应的元素分布。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施方式,并结合附图,对本发明的技术方案作进一步的描述,但本发明并不限于这些实施例。
实施例1
一种(CrMoNbV)N难熔金属高熵氮化物粉体,通过以下步骤制备:
(1)按照化学计量比0.25:0.25:0.25:0.25称量Cr、Mo、Nb、V纯金属颗粒,并混合均匀,得到混合物。将混合物置于电弧熔炼设备内,在氩气氛下进行熔炼,其中氩气浓度为99.999%,气氛压力为0.04 MPa,电极头电流为200 A,单次熔炼时长为10 min,反复熔炼5次,得到合金块体。
该合金块体的XRD图谱如图1所示,其为单一物相的体心立方结构,无杂相存在,证明得到了单一物相的CrMoNbV高熵合金块体。
(2)将CrMoNbV高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,置于气氛炉中,在氨气气氛下进行氮化处理,其中氨气纯度为99.9%,氮化温度为1000 ℃,氨气流量为200 mL/min,氮化时长为10 h,冷却后得到氮化物粉体。
该氮化物粉体的XRD图谱如图1所示,其为单一物相的面心立方结构,无杂相存在。
该氮化物粉体的SEM照片如图2所示,其粉体颗粒尺寸介于数十纳米至数十微米之间。
该氮化物粉体的TEM暗场像以及对应的元素分布如图3所示,其Cr、Mo、Nb、V、N五种元素分布均匀,未检测出氧等杂质。
证明得到了单一物相、立方结构、纯度高、各元素分布均匀的(CrMoNbV)N高熵氮化物粉体。
实施例2
一种(HfNbTaTiZr)N难熔金属高熵氮化物粉体,通过以下步骤制备:
(1)按照化学计量比0.20:0.20:0.20:0.20:0.20称量Hf、Nb、Ta、Ti、Zr纯金属颗粒,并混合均匀,得到混合物。将混合物置于电弧熔炼设备内,在氩气氛下进行熔炼,其中氩气浓度为99.999%,气氛压力为0.045 MPa,电极头电流为300 A,单次熔炼时长为8 min,反复熔炼8次,得到单一物相的HfNbTaTiZr难熔金属高熵合金块体。
(2)将熔炼得到的HfNbTaTiZr难熔金属高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,置于气氛炉中,在氮气和氢气的混合气氛下进行氮化处理,其中气体纯度为99.95%,氮氢原子数之比为9:1,氮化温度为800℃,气体流量为50 mL/min,氮化时长为20h,冷却后得到单一物相、立方结构、纯度高、各元素分布均匀的(HfNbTaTiZr)N难熔金属高熵氮化物粉体。
实施例3
一种(HfNbTiZr)N难熔金属高熵氮化物粉体,通过以下步骤制备:
(1)按照化学计量比0.30:0.25:0.20:0.25称量的Hf、Nb、Ti、Zr纯金属块体并置于电弧熔炼设备内,在氩气氛下进行熔炼,其中氩气浓度为99.999%,气氛压力为0.042 MPa,电极头电流为250 A,单次熔炼时长为12min,反复熔炼7次,得到单一物相的HfNbTiZr难熔金属高熵合金块体。
(2)将HfNbTiZr难熔高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,置于气氛炉中,在氮气气氛下进行氮化处理,其中氮气纯度为99.999%,氮化温度为1200 ℃,氨气流量为1000mL/min,氮化时长为2 h,冷却后得到单一物相、立方结构、纯度高、各元素分布均匀的(HfNbTiZr)N难熔金属高熵氮化物粉体。
实施例4
一种(NbTiVZr)N难熔金属高熵氮化物粉体,通过以下步骤制备:
(1)按照化学计量比0.20:0.30:0.25:0.25称量的Nb、Ti、V、Zr纯金属块体并置于电弧熔炼设备内,在氩气氛下进行熔炼,其中氩气浓度为99.999%,气氛压力为0.048 MPa,电极头电流为350 A,单次熔炼时长为10 min,反复熔炼4次,得到单一物相的NbTiVZr难熔金属高熵合金块体。
(2)将NbTiVZr难熔金属高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,置于气氛炉中,在氨气气氛下进行氮化处理,其中氨气纯度为99.9%,氮化温度为1200℃,氨气流量为200 mL/min,氮化时长为4 h,冷却后得到单一物相、立方结构、纯度高、各元素分布均匀的(NbTiVZr)N难熔金属高熵氮化物粉体。
实施例5
一种(CrMoNbV)N难熔金属高熵氮化物粉体,通过以下步骤制备:
(1)按照化学计量比0.20:0.30:0.25:0.25称量Cr、Mo、Nb、V纯金属块体,并混合均匀;将混合物置于电弧熔炼设备内,在氩气氛下进行熔炼,其中氩气浓度为99.9%,气氛压力为0.040 MPa,电极头电流为400 A,单次熔炼时长为5 min,反复熔炼10次,得到单一物相的CrMoNbV高熵合金块体。
(2)将CrMoNbV高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,置于气氛炉中,在氮气和氢气的混合气氛下进行氮化处理,其中气体纯度为99.95%,氮氢原子数之比为9:1,氮化温度为800 ℃,气体流量为50 mL/min,氮化时长为20h,冷却后得到单一物相、立方结构、纯度高、各元素分布均匀的(CrMoNbV)N高熵氮化物粉体。
实施例6
一种(CrMoNbV)N难熔金属高熵氮化物粉体,通过以下步骤制备:
(1)按照化学计量比0.35:0.35:0.05:0.25称量Cr、Mo、Nb、V纯金属块体,并混合均匀;将混合物置于电弧熔炼设备内,在氩气氛下进行熔炼,其中氩气浓度为99.9%,气氛压力为0.050 MPa,电极头电流为100 A,单次熔炼时长为15 min,反复熔炼3次,得到单一物相的CrMoNbV高熵合金块体。
(2)将CrMoNbV高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,置于气氛炉中,在氮气气氛下进行氮化处理,其中氮气纯度为99.999%,氮化温度为1200 ℃,氨气流量为1000 mL/min,氮化时长为2 h,冷却后得到单一物相、立方结构、纯度高、各元素分布均匀的(CrMoNbV)N高熵氮化物粉体。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (6)

1.一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)使用电弧熔炼的方法将原料熔炼,制得难熔金属高熵合金块体,难熔金属高熵合金块体为单一物相的体心立方结构;所述原料包括至少四种难熔金属,所述难熔金属是指Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta和W;
(2)将难熔金属高熵合金块体切割成厚度为0.3 cm的块体,然后进行氮化处理,氮化温度为800~1200℃,氮化时长为2~20h,氮化气氛为氨气、氮气、氮气与氢气的混合气体、氨气与氢气的混合气体中的一种,气氛压力为常压,得到难熔金属高熵氮化物粉体;所述难熔金属高熵氮化物为单一物相的面心立方结构。
2.根据权利要求1所述的一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,其特征在于:所述原料中,各难熔金属元素的原子比例控制在5~35at.%。
3.根据权利要求1所述的一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,其特征在于:所述原料包括难熔金属的纯金属体或/和各难熔金属任意组合得到的二元或多元合金体。
4.根据权利要求1所述的一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,其特征在于:所述电弧熔炼在氩气保护气氛下进行,气氛压力为0.04~0.05MPa。
5.根据权利要求1所述的一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,其特征在于:电弧熔炼时,电极头电流为100~400A,单次熔炼时长为5~15min,反复熔炼若干次。
6.根据权利要求1所述的一种难熔金属高熵氮化物粉体的制备方法,其特征在于:所述氮化处理中,气体流量为50~1000mL/min。
CN202211220580.6A 2022-10-08 2022-10-08 一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法 Active CN115611242B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211220580.6A CN115611242B (zh) 2022-10-08 2022-10-08 一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211220580.6A CN115611242B (zh) 2022-10-08 2022-10-08 一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115611242A CN115611242A (zh) 2023-01-17
CN115611242B true CN115611242B (zh) 2024-02-02

Family

ID=84860985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211220580.6A Active CN115611242B (zh) 2022-10-08 2022-10-08 一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115611242B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103252496A (zh) * 2013-05-03 2013-08-21 中国人民解放军装甲兵工程学院 一种含非晶纳米晶高熵合金粉末及其制备方法
CN104630706A (zh) * 2015-01-21 2015-05-20 北京科技大学 一种高性能光热转化多基元合金氮化物薄膜及其制备方法
CN111423236A (zh) * 2020-03-22 2020-07-17 华南理工大学 一种(Hf0.25Ti0.25Zr0.25W0.25)N高熵陶瓷粉体及其制备方法
CN112705717A (zh) * 2020-12-17 2021-04-27 浙江亚通焊材有限公司 原位生成氮化物增强高熵合金基粉体材料的制备方法
US20220274888A1 (en) * 2020-04-09 2022-09-01 Institute Of Chemistry, Chinese Academy Of Sciences High-entropy nitride ceramic fiber and preparation method and use thereof

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102317953B1 (ko) * 2019-11-29 2021-10-28 한국생산기술연구원 다상의 고엔트로피 세라믹 분말 제조 기술 및 그 방법으로 제조된 분말

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103252496A (zh) * 2013-05-03 2013-08-21 中国人民解放军装甲兵工程学院 一种含非晶纳米晶高熵合金粉末及其制备方法
CN104630706A (zh) * 2015-01-21 2015-05-20 北京科技大学 一种高性能光热转化多基元合金氮化物薄膜及其制备方法
CN111423236A (zh) * 2020-03-22 2020-07-17 华南理工大学 一种(Hf0.25Ti0.25Zr0.25W0.25)N高熵陶瓷粉体及其制备方法
US20220274888A1 (en) * 2020-04-09 2022-09-01 Institute Of Chemistry, Chinese Academy Of Sciences High-entropy nitride ceramic fiber and preparation method and use thereof
CN112705717A (zh) * 2020-12-17 2021-04-27 浙江亚通焊材有限公司 原位生成氮化物增强高熵合金基粉体材料的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
氮元素对Ti2ZrHfV0.5Mo0.2高熵合金组织及力学性能的影响;张长亮等;《材料导报》;第33卷(第Z1期);第329-331页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN115611242A (zh) 2023-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4774052A (en) Composites having an intermetallic containing matrix
CN104593651B (zh) 一种Mg-Ti-RE-Ni基贮氢合金及其制备方法
JP3211960B2 (ja) バナジウムを多く含む水素吸蔵合金の製造方法
Balcı et al. Synthesis of niobium borides by powder metallurgy methods using Nb2O5, B2O3 and Mg blends
CN105063457A (zh) 一种纳米石墨复合的高容量RE-Mg-Ni基贮氢材料及其制备方法
Niu et al. Formation of magnesium silicide by mechanical alloying
CN114774727B (zh) 纳米二氧化锆增强NbMoTaW难熔高熵合金的制备方法
JPS6289803A (ja) 硬質合金物品製造用チタン基硬質合金粒子の調製方法
EP0577116B1 (en) Process for producing a composite material consisting of gamma titanium aluminide as matrix with titanium diboride as perserdoid therein
CN115611242B (zh) 一种难熔金属高熵氮化物粉体及其制备方法
Balcı et al. Synthesis and characterization of vanadium boride powders and their sintered bodies
CN112048655B (zh) 一种高密度高活性多主元合金及其制备方法
Li et al. A facile route for the synthesis of high‐entropy transition carbides/borides at low temperatures
CN114318067B (zh) 一种多元碳化物颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
JP6648161B2 (ja) 硼化ジルコニウム及びその製造方法
US20170081196A1 (en) Novel process and product
CN112941367B (zh) 一种纳米氧化物弥散增强耐热锆合金及其制备方法
Bosselet et al. Solid states solubility of aluminum in the δ-Ni2Si nickel silicide
CN113136516B (zh) 一种兼具固溶和弥散强化的钨基材料及其制备方法
Long et al. Research on Zr50Al15− xNi10Cu25Yx amorphous alloys prepared by mechanical alloying with commercial pure element powders
CN112589090B (zh) 一种单质态和氧化态共混的金属纳米粉末的制备方法
CN108220743A (zh) 一种多主元合金高耐磨刀具及其制备方法
JP4060803B2 (ja) ホウ化ジルコニウム粉末の製造方法
Saghafi Yazdi et al. Mechano-chemical activation of MoO3-CuO/C powder mixture to synthesis nano crystalline Mo-Cu alloy
Voitovich et al. The effect of purity on high-temperature oxidation of zirconium

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Wang Chuanbin

Inventor after: Liu Long

Inventor after: Peng Jian

Inventor after: Geng Zijian

Inventor after: He Zhengfa

Inventor after: Wang Junjun

Inventor after: Xu Zhigang

Inventor after: Shen Qiang

Inventor after: Zhang Lianmeng

Inventor before: Wang Chuanbin

Inventor before: Peng Jian

Inventor before: Liu Long

Inventor before: Geng Zijian

Inventor before: He Zhengfa

Inventor before: Wang Junjun

Inventor before: Xu Zhigang

Inventor before: Shen Qiang

Inventor before: Zhang Lianmeng

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant