CN115572582A - 一种双相变导热相变界面材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及导热界面材料技术领域，尤其是涉及一种双相变导热相变界面材料及其制备方法,双相变导热相变界面材料，包括由以下重量份的原料制成：2‑69份相变基体、0‑30份非相变流变助剂、30‑97份相变填料和0.05‑10份复合分散助剂；所述相变基体为相变温度为30‑130℃的高分子有机材料，相变填料为相变温度为47‑150℃的低熔点合金。本申请的双相变导热相变界面材料在使用过程中，相变基体和相变填料均发生相变形成液体，不仅可以被压缩到更薄的厚度，还可以形成液态金属部分与非导热部分双连续相结构，使液态金属形成连续无阻碍导热通路，从而提高了导热相变材料的导热率，降低了导热相变材料的热阻。
Description
技术领域
本申请涉及导热界面材料技术领域，尤其是涉及一种双相变导热相变界面材料及其制备方法。
背景技术
目前对于高功能芯片与散热器间界面导热材料，主要有导热硅脂、导热相变材料和液态金属。通过这些材料的润湿、形变，将界面中的空气挤出，形成高导热、低热阻、超薄的导热界面层。
导热硅脂是以低导热硅油为基体，内部悬浮分散大量高导热金属或陶瓷粉体，粉体尺寸从几十微米到亚微米级。由于在导热硅脂中，绝大多数导热粉体都被低导热硅油包覆，在传热路径上形成阻碍，因此导热硅脂的导热率很难超过5W/mk；同时由于粉体尺寸的限制，导热硅脂的应用厚度很难被压到很薄，一般在20μm左右，从而导致了导热硅胶应用中的热阻很难进一步降低，目前热阻最低的导热硅脂实测值约为0.007℃inch2/W；再者由于基体是低粘度的硅油，使材料更容易变干，长期可靠性差。
液态金属，虽然其导热率高(一般为10-100W/mK)，可以压缩到亚微米甚至纳米尺寸的厚度，但是由于其高的表面能，同时由于其特殊金属键，使其无法和硅表面，金属表面氧化层有较好的吸附，从而造成很难挤出界面内微小空气，润湿粗糙界面，因此也很难进一步降低界面热阻，另外由于液态金属导电，在使用时，很容易造成电子设备内部短路。如果接触到的金属表面氧化层较薄或不够致密，还会导致严重的腐蚀。
导热相变材料，与导热硅脂结构类似，仅把低导热硅油基体更换为相变材料，在相变温度以下，导热相变材料为固体，在相变温度以上，材料为粘稠流体，在散热界面中受到压力作用变薄，起到类似导热硅脂的作用形成低界面热阻的超薄导热界面层。由于其基体为非硅的相变材料，赋予了导热相变材料更好长期可靠性。但是由于其基体-填料悬浮体系与导热硅脂相同，因此具有与硅脂相同的缺点，导热率低，热阻很难进一步降低。
因此，提高导热相变界面材料的导热率同时降低导热相变界面材料热阻对于发热器件具有重要的意义。
发明内容
为了提高导热相变界面材料的导热率，降低导热相变界面材料的热阻，本申请提供一种双相变导热相变界面材料及其制备方法。
第一方面，本申请提供一种双相变导热相变界面材料，采用如下的技术方案：
一种双相变导热相变界面材料，包括由以下重量份的原料制成：2-69份相变基体、0-30份非相变流变助剂、30-97份相变填料和0.05-10份复合分散助剂；所述相变基体为相变温度为30-130℃的高分子有机材料，相变填料为相变温度为47-150℃的低熔点合金。
通过采用上述技术方案，一方面，相变基体和相变填料在使用过程中均发生相变，形成双连续相结构，使液态金属形成连续无阻碍导热通路，从而获得更高的导热率。同时由于相变基体和相变填料都可以发生相变形成液体，因此可以被压缩到更薄的状态，从而获得更低热阻。故本申请的双相变导热相变界面材料具有高导热、低热阻的优异特性，作为导热界面材料可广泛应用于通讯、电脑、汽车等领域的电子设备中的高功耗芯片或发热元件与散热器将界面热阻降低，提高芯片的散热效率。另一方面，由于相变基体的存在改善了相变填料的润湿性，降低了相变填料液化后不受控制流动导致短路的风险，提高了芯片的使用寿命。
优选的，所述相变填料为一种或多种粒径为亚微米、微米和几十微米的低熔点合金。
通过采用上述技术方案，小颗粒的低熔点合金能够进入大颗粒的低熔点合金无法占据的空间，存在于大颗粒的低熔点合金之间的间隙中，与大颗粒或小颗粒的低熔点合金形成更紧密的堆积，从而使混合加工过程中，添加更多的低熔点合金粉体的同时，整体体系粘度不会大幅提高，使基体润湿分散粉体更快，分散效果更好。
优选的，所述复合分散助剂为纳米级粉体和液态分散剂的复合体系；所述纳米级粉体为粒径10-200nm的二氧化硅、炭黑、石墨烯粉体、碳酸钙、蒙脱土、二氧化钛、氧化锌中的一种或多种；所述液态分散剂为硅烷偶联剂、TEOS、钛酸酯偶联剂、离子表面活性剂、非离子表面活性剂中的一种或多种。
通过采用上述技术方案，分散剂可以提高相变基体与相变填料之间混合效果，同时使用纳米级粒径的粉体，可以使复合分散助剂更加均匀地分散在相变基体和相变填料中，提高整个体系的混合的均匀性，从而提高双相变导热相变界面材料的综合性能；另外纳米级的粉体具有超高的比表面，可以有效降低液态金属在使用过程中熔融后的表面张力，从而有助于液态金属由分散相形成连续相。
相变基体为高分子有机材料，而相变填料为低熔点合金，故采用硅烷偶联剂、TEOS或钛酸酯偶联剂分子结构中含有性质不同的两个基团，一个是亲无机物的基团，可以与低熔点合金表面发生物理吸附或化学反应，另一个是亲有机物的基团，能与高分子有机物发生物理吸附或化学反应，因此硅烷偶联剂、TEOS或钛酸酯偶联剂改善了相变基体与相变填料之间的界面作用，从而大大提高双相变导热相变界面材料的性能。
优选的，所述相变基体为聚反式-1,4-异戊二烯、聚顺式-1,4-异戊二烯、聚氯代丁二烯、聚环氧乙烷、聚乙二醇、热塑性聚酰胺弹性体、聚乙烯蜡、EVA蜡或石蜡中的一种。
通过采用上述技术方案，聚顺式-1,4-异戊二烯(天然橡胶)，内能大、顺式异构两个电负性相同的原子处于分子的同侧,偶奇距较大,因此有较低的熔点,较大的溶解度.柔顺性较好,因此弹性较高；聚反式-1,4-异戊二烯(古塔橡胶)，原子排列比较对称,分子能规则的排入晶体结构中,因而具有较高的熔点,电负性不同的原子和原子团排在同一侧,因此偶奇距较小,溶解度较低，性质比较稳定,易结晶,柔顺性较差；两者熔点相差就大，制成的双相变导热相变界面材料可满足不同发热温度的芯片。
聚氯代丁二烯(氯丁橡胶)具有优良的耐油、耐候、耐臭氧养老化性，不仅可提高体系的稳定性，而且还可提高双相变导热相变界面材料的抗拉强度。
聚环氧乙烷由于存在C-O-C键，通常具有柔顺性，形成的双相变导热相变界面材料与芯片的附着性较好。
聚乙二醇具有良好的水溶性，对低熔点合金具有良好的润滑性、保湿性和分散性。
热塑性聚酰胺弹性体具有优异的柔软性、小荧星和耐紫外光的性能；耐油性、翘曲性、耐疲劳性、耐磨性及耐化学药品性优良；具有良好的弹性，可增强双相变导热相变界面材料的综合性能。
聚乙烯蜡具有优良的耐寒性、耐热性、耐化学性和耐磨性，熔点较高，制成的双相变导热相变界面材料适用于较高工作温度的芯片。
EVA蜡分子链带有以一定量的羰基和羟基，热稳定好，高温挥发性低，对相变填料具有极好的分散性，可提高双相变导热相变界面材料的各组分间的相容性，还具有偶联作用，提高双相变导热相变界面材料的生产效率，降低生产成本。
石蜡相变潜热高、固-液相变过程溶剂变化小，热稳定性好，几乎没有过冷现象、熔化时蒸汽压力低，不易发生化学反应且化学稳定性较好，在多次吸放热后相变温度和相变潜热变化很小，自成核、没有相分离和腐蚀性。
通过采用上述不同熔融点的高分子有机材料，得到的双相变导热相变界面材料可以适用于不同工作温度的芯片，扩大了使用范围。
优选的，所述聚乙二醇的分子量为1000-20000。
通过采用上述技术方案，分子量为1000-20000聚乙二醇呈固体蜡状，具有较高的熔点，获得的双相变导热相变界面材料可适用于发热温度较高的芯片。
优选的，所述非相变流变助剂为低粘度油、触变剂、流平剂中的一种或多种。
通过采用上述技术方案，非相变流变助剂，可以调节材料在混合加工过程中具有合适的粘度和触变性，同时在应用过程中，对双连续相结构的形成起到一定的作用。
第二方面，本申请提供一种双相变导热相变界面材料的制备方法，采用如下方案：取相应重量份的相变基体，升温至高于相变基体相变温度，使相变基体充分熔融；
将复合分散助剂和非相变流变助剂加入熔融后的相变基体中，搅拌并研磨得到混合液；
将温度控制在高于相变基体的相变温度，低于相变填料的相变温度，加入相变填料，搅拌后得到混合物；
将所述混合物压延成型，形成双相变导热相变界面材料。
通过采用上述技术方案，制备方法简单，适用范围广，易于量产；以相变基体为载体，通过将温度调试在相变基体与相变填料之间，使得相变基体很容易与相变填料结合，提高制备效率；同时制备出的双相变导热相变界面材料导热率大、电阻率低，应用在通讯、电脑、汽车等领域的电子设备中的高功耗芯片或发热元件与散热器件界面热阻降低，提高芯片散热效率。
优选的，所述相变基体、复合分散助剂和非相变流变助剂混合时，搅拌转速为2800-3200r/min，搅拌时间为40min-70min。
通过采用上述技术方案，更易制备出双相变导热相变界面材料，提高了制备效率。
优选的，双相变导热相变界面材料的厚度为0.1-0.5mm。
通过采用上述技术方案，本申请中制备的双相变导热相变界面材料厚度较小，有效降低了通讯、电脑、汽车等领域的电子设备中的高功耗芯片与发热元件与散热器间界面热阻，从而提高了芯片散热效率。
综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
1.本申请双相变导热相变界面材料不仅在使用时由于相变基体和相变填料均发生相变，使得双相变导热相变界面材料形成连续无阻碍的导热通路，从而获得更高的导热率；同时由于相变基体和相变填料都由固体转变为液体，可以被压缩成更薄的厚度(最低可达亚微米或几十纳米)，降低了热阻；而且由于相变基体可以改善相变填料的润湿性，降低了相变填料液化后不受控制流动导致芯片短路的风险，提高了芯片的使用寿命；
2.本申请中复合分散剂采用纳米级粉体和液体分散剂的复合体系，纳米级粉体具有超高的比表面，可以有效降低液态金属在使用过程中熔融后的表面张力，从而有助于液态金属由分散相形成连续相，液态分散剂可以提高相变基体与相变填料之间的界面作用，在纳米级粉体和液态金属分散剂的共同作用下，提高了双相变导热相变界面材料的性能；
3.本申请中制备双相变导热相变界面材料时，一方面通过将温度控制在相变基体与相变填料的相变温度之间，使得更易制备出双相变导热相变界面材料片材，提高了制备效率；另一方面保证在使用前低熔点合金为分散相，被相变基体包覆，从而在应用初始阶段，首先由相变基体对界面进行润湿，有利于界面的空气排除，然后低熔点合金再形成连续导热通路，解决了纯低熔点合金润湿界面难的问题。
具体实施方式
以下实施例对本申请作进一步详细说明。
实施例
实施例1-7
如表1所述，本实施例1-7的主要区别在于双相变导热相变界面材料的原料配比不同。
以下以实施例1为例进行说明。本申请实施例公开了一种双相变导热相变界面材料，以聚顺式-1,4-异戊二烯2Kg(天然橡胶，熔点为36℃)、低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In，熔点为47℃，粒径为20μm)97Kg、0.025Kg二氧化硅、0.025Kg硅烷偶联剂和0Kg触变剂为原料制成。其中二氧化硅平均粒径为50nm，在其他实施例中也可以为粒径为10-200nm的炭黑、石墨烯粉体、碳酸钙、蒙脱土、二氧化钛、氧化锌、氧化铝中的一种或多种；硅烷偶联剂选用KH-570，在其他实施例中硅烷偶联剂也可以是TEOS、钛酸酯偶联剂、离子表面活性剂，非离子表面活性剂中的一种或多种；触变剂选用硅酸镁铝CAS：71205-22-6，在其他实施例中触变剂也可以为低粘度油、流平剂中的一种或多种。
本实施例中还公开了一种双相变导热相变界面材料的制备方法，具体过程如下：
S1，将顺反式-1,4-异戊二烯加入双行星混料机中，升温至40℃，充分熔融后，加入硅烷偶联剂、二氧化硅和触变剂，打开高速搅拌头，在转速为2800r/min下搅拌70min后转移至三辊研磨机中，研磨5遍得到混合液；
S2，将上述混合液转移至双行星混料机中，升温至45℃，加入低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)，在10r/min下搅拌30min后进一步高速搅拌，在50r/min下搅拌2h得到混合物；
S3，将上述混合物在压延机下压延成厚度为0.5mm的片材即为双相变导热相变界面材料。
表1实施例1-7中双相变导热相变界面材料中各原料配比
实施例2的双相变导热相变界面材料的厚度为0.15mm。
实施例3的双相变导热相变界面材料的厚度为0.3mm。
实施例4的双相变导热相变界面材料的厚度为0.1mm。
实施例5的双相变导热相变界面材料的厚度为0.15mm。
实施例6的双相变导热相变界面材料的厚度为0.1mm。
实施例7的双相变导热相变界面材料的厚度为0.2mm。
实施例8
本实施例与实施例6不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为聚反式-1,4-异戊二烯(古塔橡胶，熔点为74℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为低熔点合金(52％Bi-40％Pb-8％Cd，熔点为92℃，粒径为2.5μm)。
实施例9
本实施例与实施例6不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为聚氯代丁二烯(熔点为43℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为低熔点合金(49％Bi-18％Pb-12％Sn-21％In，熔点为57℃，粒径为15μm)。
实施例10
本实施例与实施例6不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为聚环氧乙烷(熔点为66.2℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为低熔点合金(53％Bi-32％Pb-15％Sn，熔点为96℃，粒径为5μm)。
实施例11
本实施例与实施例8不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为聚乙二醇(分子量为1000，熔点为37℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为低熔点合金(50％Bi-27％Pb-13％Sn-10％Cd，熔点为70℃，粒径为18μm)。
实施例12
本实施例与实施例10不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为聚乙二醇(分子量为20000，熔点为62℃)。
实施例13
本实施例与实施例6不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为热塑性聚酰胺弹性体(熔点为120℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为低熔点合金(57％Bi-43％Sn，熔点为138℃，粒径为25μm)。
实施例14
本实施例与实施例6不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为聚乙烯蜡(熔点为102-115℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为低熔点合金(56％Bi-40％Sn-4％Zn，熔点为130℃，粒径为32μm)。
实施例15
本实施例与实施例6不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为EVA蜡(熔点为93-100℃)，低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In，)替换为低熔点合金(55.5％Bi-44.5％Pb，熔点为124℃，粒径为30μm)。
实施例16
本实施例与实施例10不同之处在于,将聚顺式-1,4-异戊二烯替换为石蜡(熔点为57-63℃)。
实施例17
本实施例与实施例13不同之处在于,将84Kg低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为40Kg低熔点合金(57％Bi-43％Sn，熔点为138℃，粒径为40μm)和44Kg低熔点合金(29％Bi-43％Pb-28％Sn，熔点为132℃，粒径为8μm)的组合物。
本实施例双相变导热相变界面材料的制备方法，与实施例13公开的双相变导热相变界面材料的制备方法不同的是，S2中，将上述混合液转移至双行星混料机中，升温至125℃，加入低熔点合金(57％Bi-43％Sn)，在10r/min下搅拌30min后，在加入低熔点合金(29％Bi-43％Pb-28％Sn)，在10r/min下搅拌30min后，进一步高速搅拌，在50r/min下搅拌2h得到混合物。
实施例18
本实施例与实施例13不同之处在于,将64Kg低熔点合金(45％Bi-23％Pb-8％Sn-5％Cd-19％In)替换为21Kg低熔点合金(57％Bi-43％Sn，熔点为138℃，粒径为40μm)、21.3Kg低熔点合金(29％Bi-43％Pb-28％Sn，熔点为132℃，粒径为8μm)和21.4Kg低熔点合金(32％Pb-50％Sn-18％Cd，熔点为145℃，粒径为1.5μm)，在其他实施例中低熔点合金也可以相变温度高于相变基材相变温度的多种低熔点合金的组合物。
本实施例双相变导热相变界面材料的制备方法，与实施例13公开的双相变导热相变界面材料的制备方法不同的是，S2中，将上述混合液转移至双行星混料机中，升温至125℃，加入低熔点合金(57％Bi-43％Sn)，在10r/min下搅拌30min后，在加入低熔点合金(29％Bi-43％Pb-28％Sn)，在10r/min下搅拌30min后，在加入低熔点合金(32％Pb-50％Sn-18％Cd)，在10r/min下搅拌30min后，进一步高速搅拌，在50r/min下搅拌2h得到混合物。
实施例19
本实施例与实施例6不同之处在于，S1中，搅拌转速为3200r/min，搅拌时间为40min。
对比例
对比例1
本对比例与实施例6不同之处在于，导热界面材料为一种市售的导热硅脂，型号为：Tpcm788，购自合肥高志电子科技有限公司。
对比例2
本对比例与实施例6不同之处在于，导热相变界面材料采用一种市售目前热阻最低的一款导热相变材料PTM7950，购自霍尼韦尔公司。
对比例3
本对比例与实施例6不同之处在于，导热相变界面材料为一种市售的液态金属镓铟合金，购自湖南中材盛特新材料有限公司。
对比例4
本对比例与实施例6不同之处在于，将0.25Kg硅烷偶联剂和0.25Kg二氧化硅替换为0.5Kg的硅烷偶联剂。
对比例5
本对比例与实施例6不同之处在于，将0.25Kg硅烷偶联剂和0.25Kg二氧化硅替换为0.5Kg的二氧化硅。
性能检测
采用相同尺寸的由实施例1-19获得的导热相变界面材料作为试验样1-19，采用与试验样相同尺寸的由对比例1-5获得的导热相变界面材料作为对照样1-5。对试验样和对照样进行性能检测，结果如表2。
导热系数测定，参照ASTM D5470，热阻θ＝L/(λS)，其中L是导热材料厚度，S是接触面积，λ是导热系数。
表2实施例1-19及对比例1-5性能检测数据表
参照表2，结合实施例1-3，可以看出，在适当的范围内改变相变基体和相变填料的含量，得到的双相变导热相变界面材料均具有高导热系数、低热阻的优点，特别是实施例2中的相变基体和相变填料配比最优，得到的双相变导热相变界面材料的导热系数更高，热阻更低。
参照表2，结合实施例2、4和5和对比例4和5，可以看出，纳米级粉体(二氧化硅)和液体分散剂(硅烷偶联剂)同时添加时材料的性能优于两者单独添加形成的材料的性能(对比例4和5)；特别是当二氧化硅和硅烷偶联剂的添加量均为0.25Kg时(实施例4)，形成的材料的导热系数最高，热阻最低。二氧化硅粒径为纳米级的具有超高的比表面，可以有效降低液态金属在使用过程中熔融后的表面张力，有助于液态金属由横山县形成连续相；同时硅烷偶联剂可以有效的降低相变基体和相变填料间的界面阻力，使两者在使用过程中，熔融形成导热通路；两者具有协同作用，提高了双相变导热相变界面材料的导热系数，降低了热阻。
参照表2，结合实施例4、6和7，可以看出，在导热相变界面材料中添加一定量的非相变流变助剂(触变剂)，可调节材料在混合加工过程中具有合适的粘度和触变性，同时在使用过程中，对双连续线结构的形成起到一定的促进作用，得到的导热相变界面材料均具有高导热系数，低热阻的优点。
参照表2，结合实施例6和对比例1-3，可以看出，本申请双相变导热相变界面材料相比现有的导热硅脂、导热相变材料以及液态金属，同时具有高导热系数、低热阻的优异特性。本申请双相变导热相变界面材料在使用过程中发生相变，形成双连续相变，构成连续无阻碍导热通入，从而获得更高的导热率，且相变基体和相变填料均可发生相变变成液体，因此可以被压缩成更薄的片材，获得更低的热阻。同时由于相变基体的存在改善了相变填料的润湿性，降低了相变填料液化后不受控制流程，导致芯片发生短路的风险，提高了芯片的使用寿命。综上所述，本申请的双相变导热相变界面材料同时具有更高的导热率、更低的热阻和更优异的可靠性。
参照表2，结合实施例6和8-16，可以看出，通过等效替换相变基体和相变填料，得到的双相相变导热相变填料均具有高导热系数，低热阻。
参照表2，结合实施13、17和18，可以看出，将相变填料由一种低熔点合金等效替换为多种不同粒径的低熔点合金时，得到的双相变导热相变界面材料的导热性系数上升，热阻下降，因而对芯片的散热性更好。这是因为不同粒径的低熔点合金可以形成更紧密的堆积，增加相变填料之间的接触，从而提高双相变导热相变界面材料的导热率。
本具体实施例仅仅是对本申请的解释，其并不是对本申请的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本申请的权利要求范围内都受到专利法的保护。
Claims (9)
1.一种双相变导热相变界面材料，其特征在于：包括由以下重量份的原料制成：2-69份相变基体、0-30份非相变流变助剂、30-97份相变填料和0.05-10份复合分散助剂；所述相变基体为相变温度为30-130℃的高分子有机材料，相变填料为相变温度为47-150℃的低熔点合金。
2.根据权利要求1所述的一种双相变导热相变界面材料，其特征在于：所述相变填料为一种或多种粒径为亚微米、微米和几十微米的低熔点合金。
3.根据权利要求1所述的一种双相变导热相变界面材料，其特征在于：所述复合分散助剂为纳米级粉体和液态分散剂的复合体系；所述纳米级粉体为粒径10-200nm的 二氧化硅、炭黑、石墨烯粉体、碳酸钙、蒙脱土、二氧化钛、氧化锌中的一种或多种；所述液态分散剂为硅烷偶联剂、TEOS、钛酸酯偶联剂、离子表面活性剂、非离子表面活性剂中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种双相变导热相变界面材料，其特征在于：所述相变基体为聚反式-1,4-异戊二烯、聚顺式-1,4-异戊二烯、聚氯代丁二烯、聚环氧乙烷、聚乙二醇、热塑性聚酰胺弹性体、聚乙烯蜡、EVA蜡或石蜡中的一种。
5.根据权利要求4所述的一种双相变导热相变界面材料，其特征在于：所述聚乙二醇的分子量为1000-20000。
6.根据权利要求1所述的一种双相变导热相变界面材料，其特征在于：所述非相变流变助剂为低粘度油、触变剂、流平剂中的一种或多种。
7.权利要求1-6任意一项所述的一种双相变导热相变界面材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
取相应重量份的相变基体，升温至高于相变基体相变温度，使相变基体充分熔融；
将复合分散助剂和非相变流变助剂加入熔融后的相变基体中，搅拌并研磨得到混合液；
将温度控制在高于相变基体的相变温度，低于相变填料的相变温度，加入相变填料，搅拌后得到混合物；
将所述混合物压延成型，形成双相变导热相变界面材料。
8.根据权利要求7所述的一种双相变导热相变界面材料制备方法，其特征在于：所述相变基体、复合分散助剂和非相变流变助剂混合时，搅拌转速为2800-3200r/min，搅拌时间为40min-70min。
9.根据权利要求7所述的一种双相变导热相变界面材料制备方法，其特征在于：双相变导热相变界面材料的厚度为0.1-0.5mm。
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