CN115548175A - Micro-LED芯片外延片及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Micro‑LED芯片外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，制备方法包括以下步骤：(1)提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底上形成外延层；(2)在所述外延层远离所述GaAs衬底的一表面上形成牺牲层，得到第一外延结构；(3)将所述第一外延结构与玻璃片键合；(4)去除所述GaAs衬底，暴露所述外延层，得到第二外延结构；(5)将所述第二外延结构与蓝宝石衬底键合；(6)去除所述玻璃片；(7)去除所述牺牲层，得到Micro‑LED芯片外延片成品；其中，所述牺牲层为Ti层、Au层、SiNx层中的一种或多种。实施本发明，可有效提升Micro‑LED芯片外延片转移过程中的转移良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片外延片及其制备方法。
背景技术
LED的发展趋势是从早期的户内外显示到高密、高对比度的小间距显示再到Mini倒装RGB显示最后到Micro-LED的微米级显示。在Micro-LED中，AlGaInP系的LED通常采用GaAs基底进行生长，但GaAs基底吸光作用强，降低了发光效率。因此，现有技术中往往将外延结构由GaAs衬底转移到其他衬底后，再进行Micro-LED芯片的其他制程。
一种常见的技术是在外延层的P型层上形成氧化硅层，然后通过氧化硅表面悬挂的氢氧键将整个外延结构粘附到其他衬底(如蓝宝石等)。但氧化硅表面的氢氧键很难做到有效悬挂，另外对于氧化硅表面的粗糙度和平整度控制也很难控制，故目前行业内转移到蓝宝石上的外延层良率较低，只有50％左右。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种Micro-LED芯片外延片及其制备方法，其可提升转移良率，提升成品率。
本发明还要解决的技术问题在于，提供一种Micro-LED芯片，其制备成品率高。
为了解决上述问题，本发明公开了一种Micro-LED芯片外延片的制备方法，其包括以下步骤：
(1)提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底上形成外延层；
(2)在所述外延层远离所述GaAs衬底的一表面上形成牺牲层，得到第一外延结构；
(3)将所述第一外延结构与玻璃片键合；
(4)去除所述GaAs衬底，暴露所述外延层，得到第二外延结构；
(5)将所述第二外延结构与蓝宝石衬底键合；
(6)去除所述玻璃片；
(7)去除所述牺牲层，得到Micro-LED芯片外延片成品；
其中，所述牺牲层为Ti层、Au层、SiNx层中的一种或多种。
作为上述技术方案的改进，所述牺牲层包括依次形成于所述外延层上的SiNx层、Ti层和Au层；
所述SiNx层的厚度为
所述Ti层的厚度为
所述Au层的厚度为
作为上述技术方案的改进，步骤(3)中，在所述玻璃片和所述牺牲层上均涂覆第一有机粘结剂，然后将所述玻璃片与所述第一外延结构键合；
其中，所述第一有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；
其中，键合程序为：
在2000-2700s内将键合温度由10-30℃升高至200-230℃，且维持键合压力为0；
在1800-2000s内将键合温度由200-230℃升高至220-260℃，且将键合压力由0升高至750-850kgf/cm2；
在600-1000s内将键合温度由220-260℃降低至40-80℃，且维持键合压力为750-850kgf/cm2。
作为上述技术方案的改进，所述第一有机粘接剂选用BCB46胶；
在涂覆第一有机粘结剂前，涂覆增粘剂，所述增粘剂选用AP3000。
作为上述技术方案的改进，步骤(4)中，采用NH4OH和H2O2的混合液去除所述GaAs衬底，其中，NH4OH与H2O2的体积比为1:(8-10)；
步骤(6)中，采用HF溶液腐蚀去除所述玻璃片；
步骤(7)中，采用HF溶液和/或TFA溶液去除所述牺牲层；
所述TFA溶液包括：碘4-5.5重量份，KI 8-12重量份，水35-50体积份。
作为上述技术方案的改进，所述外延层与所述GaAs衬底之间形成有截止层，所述截止层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP层，其中，x为0.2-0.4，y为0.4-0.6；
步骤(4)中，去除GaAs衬底后，采用HCl和H3PO4的混合液去除所述截止层；其中，HCl和H3PO4的体积比为(1.8-2.5):1。
作为上述技术方案的改进，步骤(5)中，在所述外延层远离所述牺牲层的一表面和所述蓝宝石衬底上均涂覆第二有机粘结剂，然后将所述蓝宝衬底与所述第二外延结构键合；
所述第二有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；
其中，键合程序为：
在800-1000s内将键合温度由10-30℃升高至80-220℃，且维持键合压力为0；
在2000-2200s内将键合温度由80-120℃升高至230-260℃，且将键合压力由0升高至1200-1400kgf/cm2；
在800-1000s内将键合温度由230-260℃降低至40-70℃，且维持键合压力为1200-1400kgf/cm2。
作为上述技术方案的改进，所述二有机粘接剂选用BCB35胶；
在涂覆第二有机粘结剂前，涂覆增粘剂，所述增粘剂选用AP3000。
作为上述技术方案的改进，所述外延层包括依次形成于所述GaAs衬底上的N型AlInP连接层、N型AlInP包覆层、量子阱层、AlInP电子阻挡层、AlInP电子扩散层、P型AlInP包覆层、AlGaInP过渡层、P型GaP连接层和P型GaP窗口层。
相应的，本发明还公开了一种Micro-LED芯片外延片，其通过上述的制备方法制备而得。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明的Micro-LED芯片外延片的制备方法，先在GaAs衬底上形成外延层，然后将其转移到玻璃片上，再转移到蓝宝石衬底上。通过二次转移工艺，有效提升了转移良率。具体的，本发明的转移良率可达到90％以上。并且，本发明在外延层转移到玻璃片上之前，在外延层上形成了牺牲层，该牺牲层可在玻璃片去除的过程中保护外延层结构，进一步提升转移良率。
附图说明
图1是本发明一实施例中Micro-LED芯片外延片的制备方法流程图；
图2是本发明一实施例中S1步骤后外延结构的结构示意图；
图3是本发明一实施例中Micro-LED芯片外延片的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
参考图1，本发明提供了一种Micro-LED芯片外延片的制备方法，其包括以下步骤：
S1：提供GaAs衬底，在GaAs衬底上形成外延层；
其中，外延层可根据本领域的需要选用GaN基外延层(即采用缓冲层、U-GaN、N-GaN、MQW、电子阻挡层、P-GaN的结构)、AlGaN基外延层(即采用缓冲层、U-AlGaN、N-AlGaN、MQW、电子阻挡层、P-AlGaN的结构)、AlGaInP基外延层(即采用缓冲层、DBR、AlInP N限制层、AlGaInP N波导层、MQW、AlGaInP P波导层、AlInP P限制层、GaP窗口层的结构)，但不限于此。优选的，参考图2，在本发明的一个实施例之中，外延层200为AlGaInP基外延层，其具体包括依次设于衬底100上的N型AlInP连接层201、N型AlInP包覆层202、量子阱层203、AlInP电子阻挡层204、AlInP电子扩散层205、P型AlInP包覆层206、AlGaInP过渡层207、P型GaP连接层208和P型GaP窗口层209。优选的，外延层20还包括设置在N型ALINP包覆层202和量子阱层203之间的第一AlGaInP垒层210，设置在量子阱层203、AlInP电子阻挡层204之间的第二AlGaInP垒层211，和设置在P型GaP窗口层209上的掺碳P型GaP层212。其中，N型AlInP连接层201的厚度为300-400nm，N型AlInP包覆层202的厚度为200-300nm，第一AlGaInP垒层210的厚度为60-100nm，量子阱层203的厚度为10-30nm，第二AlGaInP垒层211的厚度为60-100nm，AlInP电子阻挡层204的厚度为15-30nm，AlInP电子扩散层205的厚度为80-120nm，P型AlInP包覆层206的厚度为130-200nm，AlGaInP过渡层207为30-40nm，P型GaP连接层208的厚度为900-1100nm，P型GaP窗口层209的厚度为3500-4200nm，掺碳P型GaP层212的厚度为80-120nm。
优选的，在本发明的一个实施例之中，在GaAs衬底100与外延层200之间还设有截止层300，其可在蚀刻去除GaAs衬底100的过程中保护外延层200。同时，其可一定程度上降低GaAs衬底100与N型AlInP连接层201之间的应力失配、晶格失配。具体的，截止层300为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP层，其中，x为0.2-0.4，y为0.4-0.6。截止层300的厚度为180-230nm。
S2：在外延层上形成牺牲层，得到第一外延结构；
其中，牺牲层可在玻璃片去除的过程中保护外延层20中的P型层(P型GaP连接层208、P型GaP窗口层209和掺碳P型GaP层212)，尤其是当采用湿法腐蚀工艺去除玻璃片时。具体的，牺牲层为Ti层、Au层、SiNx层中的一种或多种，但不限于此。优选的，牺牲层包括依次形成于所述外延层上的SiNx层、Ti层和Au层；其中，SiNx层的厚度为
Ti层的厚度为
Au层的厚度为
牺牲层可通过气相沉积法形成。优选的，通过真空蒸镀法形成。
优选的，在本发明的一个实施例之中，在形成牺牲层之前，对步骤S1得到的外延片进行清洗。具体的，依次采用H2O2、NH4OH、H2O的混合液和H2SO4、H2O2、H2O的混合液进行清洗，以有效清洗掉外延片表面的脏污和背面的磷化物。具体的，H2O2、NH4OH、H2O的混合液中，三者的体积比(H2O2:NH4OH:H2O)为(1.7-2.5):(0.8-1.2):1，优选的为2:1:1。H2SO4、H2O2、H2O的混合液中，三者的体积比(H2SO4:H2O2:H2O)为(4.7-5.2):(0.8-1.2):1，优选的为5:1:1。
S3：将第一外延结构与玻璃片键合；
其中，可通过静电键合、热键合将第一外延结构与玻璃片键合，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，通过热键合工艺进行第一外延结构与玻璃片的键合。其具体工艺为：在玻璃片、牺牲层上涂覆第一有机粘结剂，然后将玻璃片与第一外延结构按照预设键合程序键合。
其中，第一有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；但不限于此。优选的，第一有机粘结剂为BCB胶，更优选的为BCB46胶(美国杜邦公司)；且在涂覆第一有机粘结剂前，涂覆增粘剂，增粘剂选用AP3000(美国杜邦公司)。
其中，键合程序为：
在2000-2700s内将键合温度由10-30℃升高至200-230℃，且维持键合压力为0；
在1800-2000s内将键合温度由200-230℃升高至220-260℃，且将键合压力由0升高至750-850kgf/cm2；
在600-1000s内将键合温度由220-260℃降低至40-80℃，且维持键合压力为750-850kgf/cm2。
优选的，在本发明的一个实施例之中，在玻璃片上涂覆第一有机粘结剂前，对玻璃片进行清洗，具体的，依次采用丙酮、异丙醇、水对玻璃片进行清洗，清洗后干燥。
S4：去除GaAs衬底，暴露外延层，得到第二外延结构；
具体的，可采用激光剥离、干法刻蚀、湿法腐蚀等工艺去除GaAs衬底，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，采用湿法腐蚀去除GaAs衬底。具体的，采用NH4OH和H2O2的混合液去除GaAs衬底，其中，NH4OH与H2O2的体积比为1:(8-10)；优选的为1:9。此外，在去除GaAs衬底的过程中，需控制温度≤45℃。优选的，在去除GaAs衬底后，对所得第二外延结构进行清洗，具体的，依次通过水、丙酮、异丙醇、水清洗，清洗后干燥。
优选的，在本发明的一个实施例之中，在去除GaAs衬底之前，对键合后的外延结构进行清洗。具体的清洗步骤为，依次采用H2O2、NH4OH、H2O的混合液、水、H2O2、NH4OH、H2O的混合液、水进行清洗。其中，H2O2、NH4OH、H2O的混合液中，三者的体积比(H2O2:NH4OH:H2O)为(1.7-2.5):(0.8-1.2):1，优选的为2:1:1。通过上述清洗以及NH4OH和H2O2的混合液的共同作用，可衬底去除GaAs衬底，且不损伤外延层。
优选的，在本发明一个实施例之中，在去除GaAs之后，去除截止层。具体的，可采用激光剥离、干法刻蚀、湿法腐蚀等工艺去除截止层，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，采用湿法腐蚀去除截止层。具体的，采用HCl和H3PO4的混合液去除截止层；其中，HCl和H3PO4的体积比为(1.8-2.5):1，优选的为2:1。具体的，在去除截止层后，进行清洗，具体的，去除截止层后静置3min，然后水洗，甩干，再通过刮边和去胶的方式将外圈的杂质去除，再通过丙酮清洗。
S5：将第二外延结构与蓝宝石衬底键合；
其中，可通过静电键合、热键合将第二外延结构与蓝宝石衬底键合，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，通过热键合工艺进行第二外延结构与蓝宝石衬底的键合。其具体工艺为：在蓝宝石衬底、外延层原理牺牲层的一表面上涂覆第二有机粘结剂，然后将蓝宝衬底与第二外延结构键合。
其中，第二有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；但不限于此。优选的，第二有机粘结剂为BCB胶，更优选的为BCB35胶(美国杜邦公司)；且在涂覆第二有机粘结剂前，涂覆增粘剂，增粘剂选用AP3000(美国杜邦公司)。
其中，键合程序为：
在800-1000s内将键合温度由10-30℃升高至80-220℃，且维持键合压力为0；
在2000-2200s内将键合温度由80-120℃升高至230-260℃，且将键合压力由0升高至1200-1400kgf/cm2；
在800-1000s内将键合温度由230-260℃降低至40-70℃，且维持键合压力为1200-1400kgf/cm2。
优选的，在本发明的一个实施例之中，在蓝宝石衬底上涂覆第二有机粘结剂前，对蓝宝石衬底进行清洗，具体的，依次采用丙酮、异丙醇、水对蓝宝石衬底进行清洗，清洗后干燥。
S6：去除玻璃片；
具体的，可采用激光剥离、干法刻蚀、湿法腐蚀等工艺去除玻璃片，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，采用湿法腐蚀去除玻璃片。具体的，采用HF溶液腐蚀去除玻璃片。
S7：去除牺牲层，得到Micro-LED芯片外延片成品；
具体的，可采用激光剥离、干法刻蚀、湿法腐蚀等工艺去除牺牲层，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，采用湿法腐蚀去除牺牲层。具体的，采用HF溶液和/或TFA溶液腐蚀去除牺牲层；更具体的，采用TFA溶液腐蚀去除Ti层和Au层，然后采用HF溶液腐蚀去除SiNx层。具体的，TFA溶液包括：碘4-5.5重量份，KI 8-12重量份，水35-50体积份(其中，重量份为g，体积份为mL)。优选的，TFA溶液包括：碘5重量份，KI 10重量份，水40体积份。
优选的，在本发明的一个实施例之中，腐蚀去除牺牲层后，对所得外延片进行清洗。具体的，依次采用丙酮、异丙醇、水进行清洗，然后干燥，即得到Micro-LED芯片外延片成品。
相应的，本发明还公开了一种Micro-LED芯片外延片，其采用上述的制备方法制备而得。具体的，参考图3，在本发明的一个实施例之中，Micro-LED芯片外延片包括蓝宝石衬底1、依次设于蓝宝石衬底1上的N型AlInP连接层2、N型AlInP包覆层3、量子阱层4、AlInP电子阻挡层5、AlInP电子扩散层6、P型AlInP包覆层7、AlGaInP过渡层8、P型GaP连接层9和P型GaP窗口层10。优选的，Micro-LED芯片外延片还包括还包括设置在N型ALINP包覆层3和量子阱层4之间的第一AlGaInP垒层11，设置在量子阱层4、AlInP电子阻挡层5之间的第二AlGaInP垒层12，和设置在P型GaP窗口层10上的掺碳P型GaP层13。其中，N型AlInP连接层2的厚度为300-400nm，N型AlInP包覆层3的厚度为200-300nm，第一AlGaInP垒层11的厚度为60-100nm，量子阱层4的厚度为10-30nm，第二AlGaInP垒层12的厚度为60-100nm，AlInP电子阻挡层5的厚度为15-30nm，AlInP电子扩散层6的厚度为80-120nm，P型AlInP包覆层7的厚度为130-200nm，AlGaInP过渡层8为30-40nm，P型GaP连接层9的厚度为900-1100nm，P型GaP窗口层10的厚度为3500-4200nm，掺碳P型GaP层13的厚度为80-120nm。
下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：
实施例1
本实施例提供一种Micro-LED芯片的制备方法，其具体包括以下步骤：
(1)提供GaAs衬底，在GaAs衬底上形成外延层；
其中，参考图2，外延层200包括依次设于衬底100上的N型AlInP连接层201、N型AlInP包覆层202、第一AlGaInP垒层210、量子阱层203、第二AlGaInP垒层211、AlInP电子阻挡层204、AlInP电子扩散层205、P型AlInP包覆层206、AlGaInP过渡层207、P型GaP连接层208、P型GaP窗口层209和掺碳P型GaP层212。
此外，在GaAs衬底100与外延层200之间还设有截止层300，其为n-(Al0.3Ga0.7)0.5In0.5P层，厚度为200nm。
(2)在外延层上形成牺牲层，得到第一外延结构；
在形成牺牲层之前，对步骤(1)得到的外延片进行清洗。具体的，依次采用H2O2、NH4OH、H2O的混合液(H2O2:NH4OH:H2O＝2:1:1，体积比)和H2SO4、H2O2、H2O的混合液(H2SO4:H2O2:H2O＝5:1:1，体积比)进行清洗。
其中，牺牲层包括依次形成于外延层上的SiNx层、Ti层和Au层；其中，SiNx层的厚度为
Ti层的厚度为
Au层的厚度为
牺牲层通过真空蒸镀法形成。
(3)将第一外延结构与玻璃片键合；
其中，依次采用丙酮、异丙醇、水对玻璃片进行清洗，然后干燥，在干燥的玻璃片上旋涂增粘剂AP3000(美国杜邦公司)，然后旋涂BCB46胶。在第一外延结构上旋涂增粘剂AP3000(美国杜邦公司)，然后旋涂BCB46胶，然后将两者键合。
键合程序为：
在2300s内将键合温度由10℃升高至220℃，且维持键合压力为0；
在1800s内将键合温度由220℃升高至250℃，且将键合压力由0升高至800kgf/cm2；
在910s内将键合温度由250℃降低至50℃，且维持键合压力为800kgf/cm2。
(4)去除GaAs衬底，暴露外延层，得到第二外延结构；
具体的，在去除GaAs衬底之前，对键合后的外延结构进行清洗。具体的清洗步骤为，依次采用H2O2、NH4OH、H2O的混合液(H2O2:NH4OH:H2O＝2:1:1，体积比)、水、H2O2、NH4OH、H2O的混合液(H2O2:NH4OH:H2O＝2:1:1，体积比)、水进行清洗。
然后采用NH4OH和H2O2的混合液(NH4OH:H2O2＝1:9，体积比)去除GaAs衬底，控制温度≤45℃。在去除GaAs衬底后，依次通过水、丙酮、异丙醇、水清洗，清洗后干燥。
在去除GaAs衬底后，采用HCl和H3PO4的混合液(HCl和H3PO4＝2:1，体积比)去除截止层，静置3min，然后水洗，甩干，再通过刮边和去胶的方式将外圈的杂质去除，再通过丙酮清洗。
(5)将第二外延结构与蓝宝石衬底键合；
其中，依次采用丙酮、异丙醇、水对蓝宝石衬底进行清洗，然后干燥，在干燥的蓝宝石衬底上旋涂增粘剂AP3000(美国杜邦公司)，然后旋涂BCB35胶。在第二外延结构上旋涂增粘剂AP3000(美国杜邦公司)，然后旋涂BCB35胶，然后将两者键合。
其中，键合程序为：
在950s内将键合温度由10℃升高至100℃，且维持键合压力为0；
在2100s内将键合温度由100℃升高至250℃，且将键合压力由0升高至1300kgf/cm2；
在910s内将键合温度由250℃降低至50℃，且维持键合压力为1300kgf/cm2。
(6)去除玻璃片；
具体的，采用HF溶液腐蚀去除玻璃片。
(7)去除牺牲层，得到Micro-LED芯片外延片成品；
具体的，采用TFA溶液腐蚀去除Ti层和Au层，然后采用HF溶液腐蚀去除SiNx层。其中，TFA溶液包括碘500g，KI 1000g，水4000mL。
腐蚀去除牺牲层后，对所得外延片进行清洗。具体的，依次采用丙酮、异丙醇、水进行清洗，然后干燥，即得到Micro-LED芯片外延片成品。
根据统计，本实施例中制备方法的良率达到了95.3％。
实施例2
本实施例提供一种Micro-LED芯片外延片，其由实施例1的制备方法制备而得。参考图3，Micro-LED芯片外延片具体包括蓝宝石衬底1，N型AlInP连接层2、N型AlInP包覆层3、第一AlGaInP垒层11、量子阱层4、第二AlGaInP垒层12、AlInP电子阻挡层5、AlInP电子扩散层6、P型AlInP包覆层7、AlGaInP过渡层8、P型GaP连接层9、P型GaP窗口层10和掺碳P型GaP层13。
其中，N型AlInP连接层2为n-Al0.5In0.5P层，其厚度为350nm；N型AlInP包覆层3为n-Al0.5In0.5P层，其厚度为250nm；第一AlGaInP垒层11为u-(Al0.65Ga0.35)0.5In0.5P层，其厚度为80nm；量子阱层4的厚度为20nm；第二AlGaInP垒层12为u-(Al0.65Ga0.35)0.5In0.5P层，其厚度为80nm。AlInP电子阻挡层5为u-Al0.65In0.35P层，其厚度为20nm；AlInP电子扩散层6为u-Al0.5In0.5P层，其厚度为100nm、P型AlInP包覆层7为p-Al0.5In0.5P层，其厚度为150nm；AlGaInP过渡层8为p-AlGaInP层，其厚度为32nm；P型GaP连接层的厚度为1000nm，P型GaP窗口层10的厚度为4000nm，掺碳P型GaP层13的厚度为100nm。
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供GaAs衬底，在所述GaAs衬底上形成外延层；
(2)在所述外延层远离所述GaAs衬底的一表面上形成牺牲层，得到第一外延结构；
(3)将所述第一外延结构与玻璃片键合；
(4)去除所述GaAs衬底，暴露所述外延层，得到第二外延结构；
(5)将所述第二外延结构与蓝宝石衬底键合；
(6)去除所述玻璃片；
(7)去除所述牺牲层，得到Micro-LED芯片外延片成品；
其中，所述牺牲层为Ti层、Au层、SiNx层中的一种或多种。
2.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，所述牺牲层包括依次形成于所述外延层上的SiNx层、Ti层和Au层；
所述SiNx层的厚度为
所述Ti层的厚度为
所述Au层的厚度为
3.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，在所述玻璃片和所述牺牲层上均涂覆第一有机粘结剂，然后将所述玻璃片与所述第一外延结构键合；
其中，所述第一有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；
其中，键合程序为：
在2000-2700s内将键合温度由10-30℃升高至200-230℃，且维持键合压力为0；
在1800-2000s内将键合温度由200-230℃升高至220-260℃，且将键合压力由0升高至750-850kgf/cm2；
在600-1000s内将键合温度由220-260℃降低至40-80℃，且维持键合压力为750-850kgf/cm2。
4.如权利要求3所述的Micro-LED芯片外延片，其特征在于，所述第一有机粘接剂选用BCB46胶；
在涂覆第一有机粘结剂前，涂覆增粘剂，所述增粘剂选用AP3000。
5.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，采用NH4OH和H2O2的混合液去除所述GaAs衬底，其中，NH4OH与H2O2的体积比为1:(8-10)；
步骤(6)中，采用HF溶液腐蚀去除所述玻璃片；
步骤(7)中，采用HF溶液和/或TFA溶液去除所述牺牲层；
所述TFA溶液包括：碘4-5.5重量份，KI 8-12重量份，水35-50体积份。
6.如权利要求5所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，所述外延层与所述GaAs衬底之间形成有截止层，所述截止层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP层，其中，x为0.2-0.4，y为0.4-0.6；
步骤(4)中，去除GaAs衬底后，采用HCl和H3PO4的混合液去除所述截止层；其中，HCl和H3PO4的体积比为(1.8-2.5):1。
7.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，步骤(5)中，在所述外延层远离所述牺牲层的一表面和所述蓝宝石衬底上均涂覆第二有机粘结剂，然后将所述蓝宝衬底与所述第二外延结构键合；
所述第二有机粘结剂选用硅基胶、环氧树脂化合物、BCB胶、聚酰亚胺胶中的一种或多种；
其中，键合程序为：
在800-1000s内将键合温度由10-30℃升高至80-220℃，且维持键合压力为0；
在2000-2200s内将键合温度由80-120℃升高至230-260℃，且将键合压力由0升高至1200-1400kgf/cm2；
在800-1000s内将键合温度由230-260℃降低至40-70℃，且维持键合压力为1200-1400kgf/cm2。
8.如权利要求7所述的Micro-LED芯片外延片，其特征在于，所述二有机粘接剂选用BCB35胶；
在涂覆第二有机粘结剂前，涂覆增粘剂，所述增粘剂选用AP3000。
9.如权利要求1所述的Micro-LED芯片外延片的制备方法，其特征在于，所述外延层包括依次形成于所述GaAs衬底上的N型AlInP连接层、N型AlInP包覆层、量子阱层、AlInP电子阻挡层、AlInP电子扩散层、P型AlInP包覆层、AlGaInP过渡层、P型GaP连接层和P型GaP窗口层。
10.一种Micro-LED芯片外延片，其特征在于，通过如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备而得。
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