CN115488512A - 制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备。所述方法包括：获取陶瓷基材，陶瓷基材的厚度小于或等于0.3mm，根据纹理图案确定镭雕参数，根据镭雕参数对陶瓷基材进行激光镭雕处理，并在激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层，得到陶瓷壳体。通过在对陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，来防止超薄陶瓷基材因温度过高而发生形变，得到结构稳定的超薄陶瓷壳体。

Description

制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备

技术领域

本公开涉及计算机通信技术领域，尤其涉及一种制作陶瓷壳体的方法、陶瓷壳体及电子设备。

背景技术

陶瓷具有质地坚硬的特点，被用来制作电子设备的壳体。目前，需要使用较厚的陶瓷基材来制作壳体，导致壳体的重量较大且占用较大的安装空间，不利于电子设备的轻薄化发展。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本公开提供了一种制作陶瓷壳体的方法及装置。

根据本公开实施例的第一方面，提供了一种制作陶瓷壳体的方法，所述方法包括：

获取陶瓷基材，所述陶瓷基材的厚度小于或等于0.3mm；

根据纹理图案确定镭雕参数；

根据所述镭雕参数对所述陶瓷基材进行激光镭雕处理，并在所述激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度；

在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层，得到陶瓷壳体。

可选地，所述根据纹理图案确定镭雕参数，包括：

确定所述纹理图案的深度信息；

根据所述深度信息确定雕刻时长。

可选地，所述保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，包括：

使用风冷系统，向所述激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面输送冷风。

可选地，所述激光镭雕处理的条件包括以下至少一项：激光波长范围为1000nm-1100nm、激光能量范围为30W-50W、处理时间范围为大于或等于1h。

可选地，所述保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，包括：

保持所述激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于100℃。

可选地，在所述在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层之前，所述方法还包括：

对所述镭雕处理后的陶瓷基材的表面进行抛光处理。

可选地，在所述根据所述镭雕参数对所述陶瓷基材进行激光镭雕处理之前，所述方法还包括：

对所述陶瓷基材的表面进行抛光处理。

可选地，所述方法还包括：

在所述陶瓷壳体上形成功能结构，所述功能结构包括以下至少一项：固定结构、图形结构。

可选地，所述获取陶瓷基材，包括：

对陶瓷胚体进行CNC加工；

对CNC加工后的陶瓷胚体的表面进行抛光处理，得到所述陶瓷基材。

根据本公开实施例的第二方面，提供了一种陶瓷壳体，所述陶瓷壳体是采用上述第一方面中任一项所述的方法制作的壳体。

根据本公开实施例的第三方面，提供了一种电子设备，包括上述第二方面所述的陶瓷壳体。

本公开实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本公开实施例中，使用厚度小于或等于0.3mm的超薄陶瓷基材作为制作陶瓷壳体的原料，在制作陶瓷壳体的过程中，具体在对陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，以防止超薄陶瓷基材因温度过高而发生形变，从而得到结构稳定的超薄陶瓷壳体。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

图1是根据一示例性实施例示出的一种制作陶瓷壳体的方法流程图；

图2是根据一示例性实施例示出的一种用于制作陶瓷壳体的系统的示意图；

图3是根据一示例性实施例示出的一种陶瓷壳体的示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本公开相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本公开的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本公开使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本公开。在本公开和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本公开可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本公开范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

图1是根据一示例性实施例示出的一种制作陶瓷壳体的方法流程图，图1所示的方法包括：

在步骤101中，获取陶瓷基材，陶瓷基材的厚度小于或等于0.3mm。

本实施例中，选用厚度小于或等于0.3mm的超薄陶瓷基材制作超薄陶瓷壳体。陶瓷基材的厚度可以为0.3mm、0.25mm、0.2mm等。

陶瓷基材可以是白色的陶瓷基材或其他颜色的陶瓷基材。陶瓷基材可以是透明的陶瓷基材或非透明的陶瓷基材。本实施例不对陶瓷基材的颜色和透明度进行限定。

在可选的实施例中，CNC(Computerized Numerical Control，计算机数控)技术，是采用计算机实现数字程序控制的技术。

可以获取陶瓷胚体，对陶瓷胚体进行CNC加工，对CNC加工后的陶瓷胚体的表面进行抛光处理，得到与需要制作的陶瓷壳体的结构匹配的陶瓷基材。抛光处理的目的是：去除因CNC加工产生的刀纹，得到表面平整的陶瓷基材。

在步骤102中，根据纹理图案确定镭雕参数。

待雕刻的纹理图案影响激光镭雕处理的过程中使用的镭雕参数。镭雕参数有多种，例如，镭雕参数可以包括以下至少一项：激光能量、雕刻时间等。

在可选的实施例中，可以确定纹理图案的深度信息，根据深度信息确定雕刻时长。

通常，在使用的激光能量一定的前提下，纹理图案越深，雕刻时间越长。

在步骤103中，根据镭雕参数对陶瓷基材进行激光镭雕处理，并在激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度。

可以将陶瓷基材置于镭雕夹具中，使用激光对镭雕夹具中的陶瓷基材进行镭雕处理，在陶瓷基材表面上雕刻出所需的纹理等图案。镭雕处理使用的激光可以是红外激光或其他适用的激光。

本实施例在激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，以防止陶瓷基材因温度过高而发生形变，保证陶瓷基材的结构的稳定性。

在可选的实施例中，设置了冷却系统，使用冷却系统对激光镭雕处理中的陶瓷基材进行冷却处理，以降低陶瓷基材的温度，防止陶瓷基材发生形变。

冷却系统有多种，例如，风冷系统、水冷系统等。其中，风冷系统以空气为冷却介质，能够输送冷风，使用冷风来冷却物体；水冷系统以水为冷却介质，能够输送低温水，使用低温水来冷却物体。

一种情况：冷却系统包括风冷系统，使用风冷系统，向激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面输送冷风，以降低陶瓷配体的温度。

另一种情况：冷却系统包括水冷系统，水冷系统包括水管。水冷系统靠近陶瓷基材设置，或者，水冷系统包围在陶瓷基材的四周等。使用水冷系统输送低温水，通过热传导来降低陶瓷配体的温度。

在保证完成图案雕刻和陶瓷基材不发生形变的条件下，可以根据需要设置冷却系统的工作参数，例如，风冷系统输送的冷风的温度、风量、输送时间等，或者，水冷系统输送的低温水的温度、水量、输送时间等。

对于一些陶瓷基材，包括叠层设置的陶瓷层和树脂层。相比于仅包括陶瓷层的陶瓷基材，当陶瓷基材的总厚度一样的情况下，减小陶瓷层的厚度以及增设树脂层的目的是：减小陶瓷基材的重量，以减小由陶瓷基材制作的陶瓷壳体的重量，便于陶瓷壳体的使用和安装。

在对包括陶瓷层和树脂层的陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中，当陶瓷基材的温度过高时，陶瓷层和树脂层发生分离，陶瓷基材发生形变，结构发生破坏。

在激光镭雕处理的过程中，使用冷却系统对激光镭雕处理中的陶瓷基材进行冷却处理，来降低陶瓷基材的温度，防止陶瓷基材内部的陶瓷层和树脂层发生分离，保证了陶瓷基材的结构的稳定性，提高了陶瓷壳体产品的良率。

在对陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中，在不使用冷却系统对陶瓷基材进行冷却处理的情况下，通过增加陶瓷基材的厚度的方式防止陶瓷基材发生形变，导致制作的陶瓷壳体较厚，不利于陶瓷壳体的安装和使用。

相比于上述方法，通过在对陶瓷基材进行激光镭雕处理的过程中，使用冷却系统对陶瓷基材进行冷却处理，能够有效防止陶瓷基材发生形变，制作出结构稳定的超薄陶瓷壳体。

在可选的实施例中，图2是根据一示例性实施例示出的一种用于制作陶瓷壳体的系统的示意图，参见图2，该系统包括激光发射装置a和风冷系统b。

在使用激光发射装置a发出的激光，对陶瓷基材c的表面进行激光镭雕处理的过程中，使用风冷系统b，向陶瓷基材c的表面输送冷风，使得陶瓷基材c的表面温度降低至预设温度以下，从而防止陶瓷基材c的表面因温度过高而发生形变。

对于一些电子设备，如手机、平板电脑等，使用陶瓷壳体作为后盖。陶瓷壳体包括正面和背面，陶瓷壳体的背面面向电子设备的内部结构，陶瓷壳体的正面面向电子设备的外部。图2中，向陶瓷基材c的表面输送冷风，可以理解为向陶瓷基材c的正面输送冷风。

在可选的实施例中，可以根据需要设置预设温度的大小。预设温度可以为100℃、95℃、90℃、85℃、80℃、70℃等。

例如，预设温度为100℃，可以保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于100℃。

在可选的实施例中，可以根据需要设置激光镭雕处理的条件。

例如，激光镭雕处理的条件可以包括以下至少一项：激光波长范围为1000nm-1100nm、激光能量范围为30W-50W、时间范围为大于或等于1h。

其中，激光镭雕处理所使用的激光的波长可以是1000nm、1200nm、1400nm、1450nm、1500nm、1640nm、1100nm等；激光镭雕处理所使用的激光的激光能量可以是30W、35W、40W、45W、50W等；激光镭雕处理的时间可以是1h、1.5h、2h、2.2h、2.5h等。

举例：使用红外激光对CNC加工后的陶瓷基材的表面进行镭雕处理，激光波长为1640nm、激光能量为40W、镭雕处理时间为2h。在镭雕处理过程中，CNC加工后的陶瓷基材的表面的温度升至160℃以上，使用风冷系统向CNC加工后的陶瓷基材的表面输送冷风，使表面的温度降低至100℃以下，从而保证陶瓷基材的结构稳定。

在步骤104中，在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层，得到陶瓷壳体。

保护层可以包括防指纹膜层，防指纹膜层起到防指纹和防脏污的作用。防指纹膜层有多种，例如，PVD(Physical Vapour Deposition，物理气相沉积)镀膜或AF(Anti-fingerprint，抗指纹)镀膜等。

可以根据需要设置防指纹膜层的厚度。例如，防指纹膜层的厚度范围为8nm-20nm，防指纹膜层的厚度可以是8nm、10nm、12nm、15nm、18nm或20nm等。

在可选的实施例中，可以根据纹理图案的深度来设置保护层的厚度，比如，越深的纹理图案设置更厚的保护层，以便保护层在起到防指纹和防脏污的作用的同时，对陶瓷基材形成更好的保护层。

在可选的实施例中，在在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层之前，还可以对激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面进行抛光处理，目的是：去除激光镭雕过程中的杂质和不圆滑的结构，提高陶瓷基材表面的光滑度。

在可选的实施例中，在制作出陶瓷壳体后，还可以在陶瓷壳体上形成功能结构，功能结构可以包括以下至少一项：固定结构、图形结构等。

在陶瓷壳体上形成固定结构，例如，在陶瓷壳体上形成卡扣，在陶瓷壳体的背面贴附双面胶等。陶瓷壳体通过固定结构与其他结构固定。

在陶瓷壳体上形成图形结构，例如，在陶瓷壳体上贴附厂商标识等。

本公开实施例提供了一种制作超薄陶瓷壳体的新方法，使用厚度小于或等于0.3mm的超薄陶瓷基材作为制作陶瓷壳体的原料，在制作过程中，具体在进行激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，以防止超薄陶瓷基材因温度过高而发生形变，从而得到结构稳定的超薄陶瓷壳体。

本公开另一实施例还提供了一种陶瓷壳体，该陶瓷壳体是采用本公开上述实施例提供的制作陶瓷壳体的方法制作的壳体。

基于本公开上述实施例提供的制作陶瓷壳体的方法的特点，使用该方法制作出的陶瓷壳体具有结构稳定、超薄等优点。

本公开上述实施例提供的制作陶瓷壳体的方法中，在激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，这样可以在保证陶瓷基材不因温度过高而发生形变的情况下，延长激光镭雕处理的时间，增加在陶瓷表面上雕刻的图案的深度，使得最终得到的陶瓷壳体呈现三维效果明显的图案。

使用本公开上述实施例提供的方法制作出的陶瓷壳体，陶瓷壳体表面上的图案的深度可达到0.03mm以上。

图3是根据一示例性实施例示出的一种陶瓷壳体的示意图，参见图3，采用本公开上述实施例提供的方法制作超薄陶瓷壳体，超薄陶瓷壳体的表面呈现三维立体层次变化的装饰效果，用户手持超薄陶瓷壳体时，具有非常好的三维立体触感。

本公开另一实施例还提供了一种电子设备，包括本公开上述实施例提供的陶瓷壳体。

由于本公开上述实施例提供的陶瓷壳体具有结构稳定、超薄等优点，因此选用这类陶瓷壳体制作电子设备，减小了电子设备的体积和重量，提升了电子设备的使用体验。

本公开实施例提供的电子设备具有体积小、重量轻等优点，便于用户携带和使用。

本公开实施例提供的电子设备可以是手机、平板电脑、可穿戴设备等。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本公开旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (11)

1.一种制作陶瓷壳体的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取陶瓷基材，所述陶瓷基材的厚度小于或等于0.3mm；

根据纹理图案确定镭雕参数；

根据所述镭雕参数对所述陶瓷基材进行激光镭雕处理，并在所述激光镭雕处理的过程中，保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度；

在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层，得到陶瓷壳体。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据纹理图案确定镭雕参数，包括：

确定所述纹理图案的深度信息；

根据所述深度信息确定雕刻时长。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，包括：

使用风冷系统，向所述激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面输送冷风。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光镭雕处理的条件包括以下至少一项：激光波长范围为1000nm-1100nm、激光能量范围为30W-50W、处理时间范围为大于或等于1h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保持激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于预设温度，包括：

保持所述激光镭雕处理中的陶瓷基材的表面温度低于100℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在激光镭雕处理后的陶瓷基材的表面上形成保护层之前，所述方法还包括：

对所述镭雕处理后的陶瓷基材的表面进行抛光处理。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根据所述镭雕参数对所述陶瓷基材进行激光镭雕处理之前，所述方法还包括：

对所述陶瓷基材的表面进行抛光处理。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述陶瓷壳体上形成功能结构，所述功能结构包括以下至少一项：固定结构、图形结构。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取陶瓷基材，包括：

对陶瓷胚体进行CNC加工；

对CNC加工后的陶瓷胚体的表面进行抛光处理，得到所述陶瓷基材。

10.一种陶瓷壳体，其特征在于，所述陶瓷壳体是采用权利要求1-9中任一项所述的方法制作的壳体。

11.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求10所述的陶瓷壳体。

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