CN115472701A - 太阳能电池及光伏组件 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面上的第一钝化叠层，所述第一钝化叠层包括沿远离所述第一表面的方向上依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层，其中，所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比；设置在所述第二表面上的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层上的掺杂导电层；以及设置在所述掺杂导电层上的第二钝化层。本申请实施例有利于提升太阳能电池的吸收效率。

Description

太阳能电池及光伏组件
技术领域
本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。
背景技术
电势诱导衰减(PID，potential induced degradation)是指外电压下长期作用下，光伏组件发生功率衰减的现象。关于PID的失效机理，目前比较公认的为PID-s和PID-p理论，前者是指组件封装材料中的乙烯-醋酸乙烯酯(EVA，Ethylene Vinyl Acetate)与水汽反应水解生成醋酸，醋酸与玻璃表面反应生成可游离的钠离子Na+，在电场作用下Na+离子穿透过钝化层而进入PN结内，进而形成漏电流路径；后者则是特指Na+吸引背面少子导致的载流子复合。
发明内容
本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，有利于提升太阳能电池及光伏组件对太阳光的吸收效率。
为解决上述问题，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；设置在所述第一表面上的第一钝化叠层，所述第一钝化叠层包括依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层，其中，所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比；设置在所述第二表面上的隧穿氧化层；设置在所述隧穿氧化层表面上的掺杂导电层；以及设置在所述掺杂导电层上的第二钝化层。
另外，所述第一富硅介质层和所述第二富硅介质层中包含氧原子，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～70％，所述第一富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为30％～80％，所述第二富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％。
另外，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～60％，所述第一富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为50％～80％，所述第二富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％。
另外，所述第一富氧介质层的材料包括氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、氧化镓、氧化钛或氧化铪中一者或多者的组合。
另外，所述第一富氧介质层包括氧化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝层位于所述氮氧化硅层和所述基底之间。
另外，所述氧化铝中氧原子数与铝原子数的比值为[0.6，2.4]。
另外，所述第一富氧介质层的折射率大于所述第二富氧介质层的折射率。
另外，所述第一富氧介质层包含氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.58～1.61，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为2nm～15nm。
另外，所述第一富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.61～1.71，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为8nm～20nm。
另外，所述第一富氧介质层包含氧化铝材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.71～1.81，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为1nm～20nm。
另外，所述第二富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第二富氧介质层的折射率为1.56～1.62，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二富氧介质层的厚度为5nm～20nm。
另外，所述第一富硅介质层的折射率大于所述第二富硅介质层的折射率。
另外，所述第一富硅介质层的折射率为2.02～2.2，所述第二富硅介质层的折射率为1.98～2.06。
另外，所述第一富硅介质层的材料包括第一氮化硅材料，所述第一氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.66～2.3。
另外，所述第一富硅介质层的折射率为2.06～2.2，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富硅介质层的厚度为20nm～50nm。
另外，所述第二富硅介质层的材料包括第二氮化硅材料，所述第二氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.46～1.87。
另外，所述第二富硅介质层的折射率为1.98～2.06，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二富硅介质层的厚度为20nm～50nm。
另外，，所述第二钝化层的折射率为2.04～2.2，在垂直于所述第二表面的方向上，所述第二钝化层的厚度为60nm～100nm。
相应地，本申请实施例还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个上述任一项所述的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
与相关技术相比，本申请实施例提供的技术方案具有以下优点：
上述技术方案中，富氧介质层与富硅介质层依次设置，相较于富硅介质层，富氧介质层具有较高的致密性、较弱的正电性以及较低的硬度，有利于阻拦外部离子扩散进入基底以及降低发射极的缺陷密度和应力损伤，或者具有较强的负电性，有利于对基底形成场钝化，实现载流子的选择性传输，设置至少两层富氧介质层，有利于强化上述任一方面的技术效果或者使得太阳能电池同时具备两方面效果；此外，相较于富氧介质层，富硅介质层通常具有折射率高的特点，间隔设置两层富硅介质层，有利于形成两道折射率梯度，使得不同波长的光都能有效入射进入基底，提升太阳能电池的吸收效率；进一步地，设置第二富氧介质层中氧原子数占比大于第一富氧介质层中氧原子数占比，有利于使得第二富氧介质层具有较高的致密度，从而将外部离子或其他杂质阻隔在更外层，避免第一富硅介质层的减反射性能受到影响，保证太阳能电池具有较高的光吸收效率。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请实施例提供的太阳能电池的剖面结构示意图；
图2为本申请实施例提供的太阳能电池的局部剖面图；
图3为本申请实施例提供的太阳能电池的位置-原子数占比示意图；
图4和图5为本申请实施例提供的光伏组件的结构示意图；
图6～图10为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。
本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，以下将结合附图对本申请实施例提供的太阳能电池进行详细说明。图1为本申请实施例提供的太阳能电池的剖面结构示意图；图2为本申请实施例提供的太阳能电池的局部剖面图；图3为本申请实施例提供的太阳能电池的位置-原子数占比示意图。
参考图1，太阳能电池包括：基底10，基底10具有相对的第一表面10a和第二表面10b；设置在第一表面10a上的第一钝化叠层，第一钝化叠层包括沿远离第一表面10a的方向上依次设置的第一富氧介质层111、第一富硅介质层112、第二富氧介质层113以及第二富硅介质层114，其中，第一富氧介质层111的氧原子数占比小于第二富氧介质层113中的氧原子数占比；设置在第二表面10b上的隧穿氧化层121；设置在隧穿氧化层121表面上的掺杂导电层122；以及设置在掺杂导电层122表面上的第二钝化层123。
需要说明的是，富氧介质层和富硅介质层是一个相对的概念，与之相对的是欠氧介质层和欠硅介质层，在局部环境下，部分氧原子数占比较高的介质层可称为富氧介质层，部分氧原子数占比较低或不含氧的介质层可称为欠氧介质层，同理，部分硅原子数占比较高的介质层可称为富硅介质层，部分硅原子数占比较低或不含硅的介质层可称为欠硅介质层，本申请并不对富氧介质层中氧原子数占比的数值和富硅介质层中硅原子数占比的数值进行限制。
相较于富硅介质层，富氧介质层可以具有较高的致密性、较弱的正电性以及较低的硬度，有利于阻拦外部离子扩散进入基底以及减小基底受到的应力损伤，或者具有较强的负电性，有利于对基底形成场钝化，实现载流子的选择性传输，设置至少两层富氧介质层，有利于强化上述任一方面的技术效果或者使得太阳能电池同时具备两方面效果；此外，相较于富氧介质层，富硅介质层通常具有折射率高的特点，间隔设置两层富硅介质层，有利于形成两道折射率渐变梯度，即第二富硅介质层与外部膜层(例如封装膜层和盖板)构成的第一道折射率渐变梯度，以及第一富硅介质层与第二富氧介质层构成的第二道折射率渐变梯度，从而使得不同波长的光都能有效入射进入基底，有利于提升太阳能电池的吸收效率。
此外，第一富氧介质层111中氧原子数占比小于第二富氧介质层113中氧原子数占比。由于氧原子数占比越高，对应膜层的致密性越强，对外部离子或其他杂质的阻隔性能越好，设置第二富氧介质层113中氧原子数占比较大，有利于将外部离子或其他杂质阻隔在更外层，避免第一富硅介质层112的减反射性能受到影响，保证太阳能电池具有较高的光吸收效率。
以下将结合附图对图1所示太阳能电池进行更为详细地描述。
在一些实施例中，基底10为硅基底材料，例如单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅中的一种或多种；在其他实施例中，基底的材料还可以为碳单质、有机材料或多元化合物，多元化合物可以包括但不限于钙钛矿、砷化镓、碲化镉、铜铟硒等材料。
在一些实施例中，第一表面10a为光接收表面，第二表面10b为与光接收表面相对的背表面，第一表面10a可以设置为金字塔绒面，以降低第一表面10a对光线的反射，增加对光线的吸收利用率，提升太阳能电池的转换效率。在一些实施例中，当太阳能电池为双面电池时，所述第二表面10b也可以作为光接收表面。
基底10包括基区101和发射极102，在一些实施例中，太阳能电池为N型电池，比如TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池，基区101包括N型掺杂元素(如磷、砷、锑等)，发射极102包含P型掺杂元素，发射极102与基区101形成PN结，第一富氧介质层111覆盖第一表面10a；在其他实施例中，电池为P型电池，比如PERC(Passivated Emitter and RearCell)电池，基区包括P型掺杂元素(如硼、铟等)，发射极包含N型掺杂元素，发射极与基区形成PN结，第一富氧介质层覆盖第二表面。以下以太阳能电池为TOPCon电池作为示例进行详细说明。
在一些实施例中，第一富氧介质层111的材料包括氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、氧化镓、氧化钛或氧化铪中一者或多者的组合。由于第一富氧介质层111可由不同电性的材料组成，而不同电性的材料的功能作用不同，因此，可基于不同的材料组成对第一富氧介质层111的功能作用进行解释，具体如下：
在一些实施例中，第一富氧介质层111呈现负电性，第一富氧介质层111的材料包括氧化铝、氧化镓、氧化钛或氧化铪中一者或多者的组合，以对基底10形成场钝化，有利于实现载流子的选择性传输，减少载流子复合和提升光电转换效率。在此基础上，可设置第一富氧介质层111的氧原子数占比为40％～70％，例如45％、50％、55％、60％或65％，氧原子数占比过低时，第一富氧介质层111的负电性较弱以及硬度较高，较弱的负电性不利于饱和界面处的悬挂键以及不利于抑制载流子复合，较高的硬度不利于减缓基底10与第一富氧介质层111之间的应力损伤；氧原子数占比过高时，第一富氧介质层111的负电性较强，不利于阻隔外部正离子向基底10迁移渗透。优选地，第一富氧介质层111的氧原子数占比为40％～60％。
当光伏组件的边缘发生受潮时，组件封装材料中的EVA材料与水汽反应水解生成醋酸，醋酸与盖板玻璃反应生成可游离的Na+，在电场作用下Na+穿过钝化层并对PN结造成破坏，形成漏电通道。当采用氧化铝等呈现负电性的材料构成第一富氧介质层111时，由于第一富氧介质层111携带电荷的极性与Na+的极性相反，因此无法通过极性相斥阻隔Na+的渗透迁移，甚至可能吸引Na+朝基底移动，不利于保护PN结。通过合理第一富氧介质层111的组分，将第一富氧介质层111的负电性控制在一定范围内，有利于抑制第一富氧介质层111对Na+的吸引力，以改善PN结的电学特性。
在一些实施例中，第一富氧介质层111的材料包括氧化硅或氮氧化硅中的至少一者。若基区101主要由硅元素等半导体元素构成，则由于第一富氧介质层111与基底10包含有特性相近的元素，第一富氧介质层111的材料特性与基底10的材料特性相近，如此，有利于降低第一富氧介质层111与基底10之间因材料特性差异而导致的应力损伤和界面缺陷，提高光生载流子的传输效率。
此外，氧化硅和氮氧化硅一般呈正电性以及具有较高的致密性，采用氧化硅或氮氧化硅中的至少一者作为第一富氧介质层111的主要材料，可使得第一富氧介质层111呈正电性以及具有较高的致密度，有利于阻隔Na+的渗透。在此基础上，可设置第一富氧介质层111的氧原子数占比为40％～70％，例如45％、50％、55％、60％或65％，氧原子数占比过低时，第一富氧介质层111呈现较强的正电性，多数载流子电子可能填补第一富氧介质层111内的空穴或者与掺杂的氢离子反应，不利于抑制载流子复合；氧原子数占比过高时，第一富氧介质层111的折射率较低，可能增强入射光线的反射和出射，不利于提升光线的吸收效率。
在一些实施例中，第一富氧介质层111中同时包括正电性材料氧化硅和负电性材料氧化铝等，且氧原子数占比为40％～70％，例如45％、50％、55％、60％或65％，如此，有利于使得第一富氧介质层111具备上述两种材料的优点，即第一富氧介质层111呈现负电性，能够对基底10形成场钝化，实现载流子的选择性传输；同时，第一富氧介质层111呈现较高的致密性，有利于阻隔钠离子的渗透；此外，第一富氧介质层111的材料特性与基底10的材料特性相近，第一富氧介质层111对基底10造成的应力损伤较小；并且，富含的氧原子可与第一表面10a未饱和的硅原子结合，降低悬挂键的密度，抑制载流子的复合，提高光电转换效率。
在一些实施例中，第一富氧介质层111中正电性材料与负电性材料相互混合，没有明显的界限；在另一些实施例中，第一富氧介质层111为叠层结构，参考图2，第一富氧介质层111包括氧化铝层和氮氧化硅层，氧化铝层位于氮氧化硅层和基底10之间。
图3为一实施例所述的太阳能电池第一钝化叠层的元素分析示例，参考图3，在位置区间0～37.5nm内，主要元素为硅元素，其指代的是基底10；在位置区间37.5～50nm内，主要元素为氧元素和铝元素，其指代的是第一富氧介质层111中的氧化铝层；在位置区间50～53nm内，氧原子数占比和铝原子数占比逐渐下降，硅原子数占比和氮原子数占比逐渐上升，其指代的是将要在氧化铝层上形成氮化硅层，但值得注意的是，在52nm附近，氮原子数占比发生一次突降，这可能是因为具有特定含量的氮离子源和硅离子源的轰击，导致氧化铝层中的氧元素发生溅射而与氮离子和硅离子混合在一起，最终形成一层较薄的氮氧化硅层；在位置区间53～85nm以及位置区间90～125nm内，主要元素为氮元素和硅元素，其分别指代由第一氮化硅材料组成的第一富硅介质层112和由第二氮化硅材料组成的第二富硅介质层114；在位置区间85～90nm内，主要元素为氧元素和硅元素，且硅原子数占比相对于两侧出现一定幅度的下降，其指代的是第二富氧介质层113，且第二富氧介质层113中氧原子数含量大于第一富硅介质层112以及第二富硅介质层114中硅元素的含量；此外，无论是第一富氧介质层111还是第二富氧介质层113，其氧原子数占比都呈现峰状，这说明氧元素在向相邻膜层迁移渗透，同理，第一富硅介质层112以及第二富硅介质层114中的氮原子数占比也是逐渐上升和逐渐下降，这说明氮元素也会向相邻膜层迁移渗透。氮氧化硅层的存在有利于减少氧化铝层和氮化硅层之间的应力损伤和界面缺陷，抑制载流子复合，提升太阳能电池的光电转换效率。
需要说明的是，无论第一富氧介质层111是单层结构还是叠层结构，当第一富氧介质层111主要由氧化铝材料组成时，基于负电性和硬度的双重考虑，需要对覆盖第一表面10a的氧化铝材料的成分占比进行限制，例如设置氧原子数与铝原子数的比值为[0.6～2.4]，例如为1、1.5或2，如此，有利于第一富氧介质层111的负电性控制在合理范围内，从而平衡氧化铝材料对基底10的场钝化作用和对Na+的吸引力，以及有利于保证第一富氧介质层111具有较高的致密度和较低的硬度，使得第一富氧介质层111相对于Na+有较好的阻隔作用以及使得第一富氧介质层111对基底10施加较小的应力。
其中，第一富氧介质层111的折射率可以设置为1.71～1.81，例如1.173、1.76以及1.79，在垂直于第一表面10a的方向上，第一富氧介质层111的厚度可以设置为1nm～20nm，第一富氧介质层111的厚度可设置为5nm～10nm，例如6nm、7nm、8nm或9nm。
此外，当第一富氧介质层111由氧化硅或氮氧化硅中的至少一者组成时，基于正电性和致密度的双重考虑，需要对第一富氧介质层111中不同元素的含量进行限制，具体表现为对第一富氧介质层111的折射率进行限制；同时，由于氧化硅的致密度高于氮氧化硅，阻拦性较好，为使得由氮氧化硅组成的第一富氧介质层111满足预设阻拦要求，氮氧化硅组成的第一富氧介质层111需要具有较厚的厚度。
示例性地，第一富氧介质层111包含氧化硅材料，第一富氧介质层111的折射率为1.58～1.61，例如为1.59或1.60，在垂直第一表面10a的方向上，第一富氧介质层111的厚度为2nm～15nm，例如为5nm、8nm、10nm或13nm；或者，第一富氧介质层111包含氮氧化硅材料，第一富氧介质层111的折射率为1.61～1.71，例如为1.62、1.65或1.68，在垂直于第一表面10a的方向上，第一富氧介质层111的厚度为8nm～15nm，例如为10nm、12nm或14nm。
在一些实施例，可通过将基底10置于富氧气氛下氧化形成由氧化硅材料组成的第一富氧介质层111，工艺温度可以为450℃～500℃，例如460℃、470℃、480℃或490℃，工艺时长可以为15min～30min，例如18min、23min或28min，富氧气氛中氧气的体积比可以大于21％，以保证氧化硅材料具有较高的致密性；同时，氧化硅材料还可以通过臭氧氧化、笑气氧化或硝酸钝化等方式在基底10表面形成。由氧化铝、氧化镓、氧化钛或氧化铪中至少一些组成的负电性层或第一富氧介质层111可由原子层沉积和等离子体增强沉积形成，以使得负电性层具有较高的致密度。
在一些实施例中，第二富氧介质层113的材料包括氧化硅或氮氧化硅中的至少一者，通过控制第二富氧介质层113中氧原子数占比为30％～80％，例如40％、50％、60％或70％，有利于使得第二富氧介质层113具有合适的折射率范围，折射率过小可能导致经过第二富硅介质层114入射的太阳光发生内反射和出射，折射率过大不利于实现短波的折射和吸收。可以理解的是，当短波的吸收率较低时，光伏组件呈现为蓝色或暗蓝色，不利于制备黑色外观的光伏组件。优选地，第二富氧介质层113的氧原子数占比为50％～80％。
在一些实施例中，为使得太阳光尽量垂直入射进入基底10，将第二富氧介质层113的折射率设置得较小，即使得第一富氧介质层111的折射率大于第二富氧介质层113的折射率，以及使得第一富硅介质层112的折射率大于第二富氧介质层113的折射率，如此，有利于使得经第二富氧介质层113入射的太阳光在穿过第一富硅介质层112和第一富氧介质层111之后以垂直角度入射进入基底10，减少太阳光的内反射和出射，提升太阳能电池对光线的吸收效率。其中，第一富氧介质层111的折射率范围可以设置为1.58～1.78，例如为1.63、1.68或1.73，第二富氧介质层113的折射率可以设置为1.56～1.62，例如为1.57或1.59。
其中，在垂直于第一表面10a的方向上，可设置第一富氧介质层111的厚度大于第二富氧介质层113的厚度，以及设置第一富硅介质层112的厚度大于第二富氧介质层113的厚度，以匹配上述折射率关系。如此，有利于使得第一富硅介质层112着重吸收长波光线，以及使得第一富氧介质层111和第二富氧介质层113着重吸收波长不同的短波光线，保证太阳能电池对不同波段的光线具有较高的吸收效率，以及使得光伏组件的外观呈现为黑色。
在一些实施例中，第二富氧介质层113包含氮氧化硅材料，第二富氧介质层113的折射率为1.56～1.62，例如为1.57或1.59，在垂直第一表面10a的方向上，第二富氧介质层113的厚度为5nm～20nm，进一步地，第二富氧介质层113的厚度可设置为5nm～18nm，例如7nm、10nm、13nm或16nm。受第二富氮介质层113的折射率限制，氮氧化硅材料中氧原子数与氮原子数的比值可设置为2.58～7.58，例如3.5、4.5、5.5或6.5，氮氧化硅材料中的氮元素既可以来源于制备工艺，也可以来源于相邻膜层的元素扩散，氮元素的存在可用于提升第二富氧介质层113的折射率，抑制因折射率较小而导致的内反射，也可用于提升第二富氮介质层113与相邻包含氮化硅材料的膜层的匹配特性，降低第二富氮介质层113与相邻膜层的接触应力。
在一些实施例中，第一富硅介质层112的折射率大于第二富硅介质层114的折射率，如此，有利于减小第二富硅介质层114与第二富氧介质层113之间的折射率差值，减少因折射率差值导致的内反射和出射；此外，还有利于使得第一富硅介质层112的折射率大于第二富氧介质层113的折射率，实现折射率梯度升高，从而保证光线有效入射至基底10内，提升太阳能电池对光线的吸收效率。其中，第一富硅介质层112的折射率可以设置为2.02～2.2，例如为2.04、2.06、2.10、2.14或2.18，第二富硅介质层114的折射率可以设置为1.98～2.06，例如2.00、2.02或2.04。
相应地，在垂直于基底10表面的方向上，可设置第一富硅介质层112的厚度大于第二富硅介质层114的厚度，以匹配上述折射率关系。如此，有利于使得第一富硅介质层112和第二富硅介质层114着重吸收波长不同的长波光线，从而提升太阳能电池对不同波段光线的吸收效率。
在一些实施例中，第一富硅介质层112的材料包括氮硅化物，在设置第一富硅介质层112的原子占比时，需要避免第一富硅介质层112的正电性过强而对第一富氧介质层111的场钝化效果和/或发射极的电学特性造成影响，同时，需要避免第一富硅介质层112正电性过弱、折射率过低或致密性过低，正电性较弱不利于通过电性相斥阻隔Na+，折射率过低容易导致内反射和出射，致密度过低同样不利于阻隔Na+。基于上述考虑，可设置第一富硅介质层112包括第一氮化硅材料，第一氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.66～2.3，例如为1.1、1.6或2.1。
为使得不同膜层着重吸收不同波长的光线，以及使得经第二富氧介质层113入射的光线能够更好地进入基底10，在上述原子数占比的限制下，可设置第一富硅介质层112的折射率为2.02～2.2，例如为2.04、2.06、2.10、2.14或2.18，在垂直于第一表面10a的方向上，第一富硅介质层112的厚度为20nm～50nm，进一步地，可设置为20nm～40nm，例如25nm、30nm或35nm。第一富硅介质层112的厚度过薄时，不利于将光线折射至基底10内；第一富硅介质层112的厚度过厚时，可能对第一富氧介质层111施加过大的应力，导致界面缺陷，且不利于减薄太阳能电池的整体尺寸。
其中，第一富硅介质层112可以为掺氧氮化硅层，且氧原子数占比较低，即第一富硅介质层112为富硅欠氧介质层(也可以称为第一富硅欠氧介质层)。在一些实施例中，氧原子来源于相邻富氧介质层，相邻富氧介质层中的氧原子基于设定的工艺扩散至第一富硅介质层112中，例如利用浓度差或者基于热处理工艺赋予的热能扩散至第一富硅介质层112中；在另一些实施例中，氧原子来源于反应腔室的残留氧源气体或者故意预留的氧源气体。
其中，可采用同一反应腔室先后形成第一富氧介质层111和第一富硅介质层112，在形成第一富硅介质层112之前，若吹扫工艺的时长不够或者部分反应物附着在反应腔室的侧壁，则反应腔室内可能残留有氧原子，在形成第一富硅介质层112的过程中，氧原子可能掺杂至氮化硅材料内，从而形成掺氧氮化硅。若第一富氧介质层111的材料为氧化硅，则在进行氧化硅的沉积工艺之后，可将氧源气体直接替换为氮源气体，以形成氮化硅，在替换为氮源气体之前，若反应腔室内具有氧源气体，则最终形成掺氧氮化硅。需要说明的是，反应腔室内的氧源气体既可以是意外残留的，也可以是故意保留的，以控制第一富硅介质层112中氧原子数占比。
以第一富硅介质层112为掺氧氮化硅层作为示例，设定第一富硅介质层112为富硅欠氧介质层，需要控制第一富硅介质层112中氧原子数占比大于0且小于等于10％，例如为2％、4％、6％或8％，有利于使得第一富氧介质层111与第一富硅介质层112之间的材料特性更为接近，从而改善两者之间的界面特性。具体来说，在第一富氧介质层111的材料为氧化铝等负电性材料时，掺杂的氧原子可使得第一富氧介质层111与第一富硅介质层112具有相同的元素，两者的晶格特性相互靠近，如此，有利于降低第一富氧介质层111与第一富硅介质层112的界面缺陷和应力损伤。
在一些实施例中，在第一富氧介质层111的材料为氧化硅时，第一富硅介质层112内可不掺杂氧原子，因为两个膜层都包含有共同的硅元素，此时氧原子数占比可以为0％；在另一些实施例中，第一富硅介质层112中氧原子数占比大于0且小于等于7％。
此外，掺杂的氧原子还可以用于调整第一富硅介质层112的正电性强弱和折射率大小，氧原子越多，正电性越弱，折射率越小，通过掺杂一定量的氧原子，有利于使得第一富硅介质层112具有相对较强的正电性，避免第一富硅介质层112的正电性过强而对第一富氧介质层111的场钝化效果和发射极102的电学特性造成影响，以及有利于避免第一富硅介质层112的折射率过高，进而避免第一富硅介质层112与第一富氧介质层111的折射率差值过大而导致的内反射。
在一些实施例中，第二富硅介质层114的材料包括氮硅化物，在设置第二富硅介质层114的原子占比时，需要控制第二富硅介质层114具有较高的折射率，以使得经第二富硅介质层114入射的光线能够垂直入射至基底10内，同时，需要控制第二富硅介质层114与第二富氧介质层113的折射率差值较小，从而抑制光线的内反射和出射。基于上述考虑，可设置第二富硅介质层114包括第二氮化硅材料，第二氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为3.82～6.37，例如为4.35、4.85、5.35或5.85。
相应地，为使得第一富硅介质层112和第二富硅介质层114着重吸收不同的长波光线，以及尽量抑制光线在穿过不同膜层时的内反射和出射，在上述原子数占比的限制下，可设置第二富硅介质层114的折射率为1.98～2.06，例如为2.00，2.02，2.04，在垂直于第一表面10a的方向上，第二富硅介质层114的厚度为20nm～50nm，进一步地，可设置为20nm～40nm，例如25nm、30nm或35nm。此外，第二富硅介质层114的厚度过薄时，不利于将光线折射至基底10内；第二富硅介质层114的厚度过厚时，可能对第二富氧介质层113施加过大的应力，导致界面缺陷，且不利于减薄太阳能电池的整体尺寸。
在一些实施例中，第二富硅介质层114内掺杂有氧原子，但掺杂的氧原子数较少，即第二富硅介质层112为富硅欠氧介质层(也可以称为第二富硅欠氧介质层)，掺杂的氧原子用于缓和第二富硅介质层114与第二富氧介质层113之间的应力，示例性地，第二富硅介质层114中氧原子数占比大于0且小于等于10％，优选地，氧原子数占比大于0且小于等于7％，例如为2％、4％或6％。
在一些实施例中，第一富硅介质层112和第二富硅介质层114为除掺氧氮化硅层以外的富硅层，例如碳化硅层或掺氧碳化硅层，或者说，第一富硅介质层112和第二富硅介质层114内还包含出氧、氮以及硅以外的其他元素，为保证第一富硅介质层112和第二富硅介质层114具有较高的折射率，可控制第一富硅介质层112和第二富硅介质层114中硅原子数占比为30％～70％，例如40％、50％或60％。
在一些实施例中，第一富硅介质层112中硅原子数占比大于第二富硅介质层114中硅原子数占比，如此，有利于使得第一富硅介质层112的折射率较大，以形成折射率由小变大的梯度，抑制光线的内反射和出射。示例性地，第二富硅介质层114中硅原子数占比可以为30％～60％，例如35％、40％、45％、50％或55％，硅原子数占比与的氮原子数占比的比值可以为0.46～1.87，例如为0.8、1.1、1.4或1.7，第一富硅介质层112中硅原子数占比可以为40％～70％，例如为45％、50％、55％、60％或65％，硅原子数占比与的氮原子数占比的比值可以为0.66～2.3，例如为1、1.3、1.6、1.9或2.2。
在一些实施例中，太阳能电池还包括：沿远离基底10方向设置的至少一叠层结构，叠层结构包括依次层叠的富氧介质层和欠氧介质层。也就是说，在一些实施例中，太阳能电池表面可设置至少三层叠层结构，以增强富氧介质层的电学特性和欠氧介质层的电学特性。
在一些实施例中，在第二表面10b还设置有钝化接触结构，钝化接触结构至少包括：在远离基底10的方向上依次设置的隧穿氧化层121和掺杂导电层122。其中，隧穿氧化层121的材料为电介质材料，例如氧化硅，用于实现第二表面10b的界面钝化，在垂直于后表面10b的方向上，隧穿氧化层121的厚度可设置为0.5～3nm，例如为1nm、1.5nm、2nm或2.5nm，隧穿氧化层121过厚不利于载流子穿过，过薄则钝化效果较差；掺杂导电层122的材料用于形成场钝化，例如掺杂硅，掺杂硅具体可以为掺杂多晶硅、掺杂微晶硅或掺杂非晶硅的一种或多种，掺杂导电层122的掺杂离子类型与基区101的掺杂离子类型相同，在垂直于后表面10b的方向上，掺杂导电层122的厚度范围为80nm～160nm，例如为100nm、120nm或140nm，掺杂导电层122的折射率范围为3.5～4.5，例如为3.75、4或4.25。
在一些实施例中，在掺杂导电层122上还设置有第二钝化层123，第二钝化层123用于增强入射光在电池背部的反射效果，第二钝化层123可以为单层结构或叠层结构，叠层结构中不同子层可以材料相同而折射率不同，也可以为材料不同。其中，第二钝化层123可以包含多层子层，且在第二表面10b朝向掺杂导电层122的方向上，不同子层的折射率逐渐降低，如此，有利于利用内反射增强入射光在电池背部的反射效果。当第二钝化层123的材料为氮化硅时，折射率较高的氮化硅子层具有更多的氢离子，氢离子可在浓度差形成的扩散动力或热处理工艺形成热动力下迁移至第二表面10b，以钝化基底10与钝化接触结构之间的界面缺陷，抑制载流子复合和提升光电转换效率。
具体地，第二钝化层123可包括依次设置的底层钝化层、中间钝化层以及顶层钝化层，底层钝化层覆盖掺杂导电层122表面，底层钝化层的折射率可设置为2.12～2.2，例如为2.14、2.16或2.18，在垂直于第二表面10b的方向上，厚度为10～20nm，例如为13nm、15nm或18nm；中间钝化层的折射率可设置为2.10～2.12，例如为2.13、2.15或2.18，厚度为20～30nm，例如为23nm、25nm或28nm；顶层钝化层的折射率可设置为2.09～2.10，厚度为30～50nm，例如为35nm、40nm或45nm。总的来说，第二钝化层123的平均折射率可设置为2.04～2.2，例如2.08、2.12或2.16，在垂直于第二表面10b的方向上，第二钝化层123的厚度可设置为60nm～100nm，例如70nm、80nm或90nm。
此外，太阳能电池还包括第一电极115和第二电极124，第一电极115与发射极102电连接，第二电极124贯穿钝化层123与场钝化层122电连接。在一些实施例中，第一电极115和/或所述第二电极124可以通过导电浆料(银浆、铝浆或者银铝浆)烧结印刷而成。
在一些实施例中，富氧介质层与富硅介质层依次设置，相较于富硅介质层，富氧介质层具有较高的致密性、较弱的正电性以及较低的硬度，有利于阻拦外部离子扩散进入基底以及降低发射极的缺陷密度和应力损伤，或者具有较强的负电性，有利于对基底形成场钝化，实现载流子的选择性传输，设置至少两层富氧介质层，有利于强化上述任一方面的技术效果或者使得太阳能电池同时具备两方面效果；此外，相较于富氧介质层，富硅介质层通常具有折射率高的特点，间隔设置两层富硅介质层，有利于形成两道折射率梯度，使得不同波长的光都能有效入射进入基底，提升太阳能电池的吸收效率；进一步地，设置第二富氧介质层中氧原子数占比大于第一富氧介质层中氧原子数占比，有利于将外部离子或其他杂质阻隔在更外层，避免第一富硅介质层的减反射性能受到影响，保证太阳能电池具有较高的光吸收效率。
本申请实施例还提供一种光伏组件，光伏组件用于将接收的光能转化为电能。参考图4，光伏组件包括电池串(未标示)、封装胶膜2以及盖板3；电池串由多个太阳能电池1连接形成，太阳能电池1可以为前述的任一太阳能电池(包括但不限于如图1的太阳能电池)，相邻太阳能电池1之间通过导电带(未图示)电连接，同时，相邻太阳能电池1之间的位置关系既可以是部分层叠，也可以是相互拼接；封装胶膜2可以为乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体(POE)胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)胶膜等有机封装胶膜，封装胶膜2覆盖在电池串的表面以密封；盖板3可以为玻璃盖板或塑料盖板等透明或半透明盖板，盖板3覆盖在封装胶膜2背离电池串的表面。在一些实施例中，盖板3上设置有陷光结构以增加入射光的利用率，不同盖板3的陷光结构可以不同。光伏组件具有较高的电流收集能力和较低的载流子复合率，可实现较高的光电转换效率；同时，光伏组件正面呈现暗蓝色甚至黑色，可应用于更多场景中。
在一些实施例中，封装胶膜2和盖板3仅位于太阳能电池1的前表面，避免位于后表面的封装胶膜2和盖板3对较弱的光线造成进一步阻隔和削弱；同时，光伏组件还可以采用侧边全包围式封装，即采用封装胶膜2完全包覆光伏组件的侧边，以防止光伏组件在层压过程中发生层压偏移的现象，以及避免外部环境通过光伏组件的侧边影响太阳能电池的性能，例如水汽侵入。
在一些实施例中，参考图5，光伏组件还包括封边部件6，该封边部件6至少固定封装于光伏组件的侧边；进一步地，封边部件6至少固定封装于光伏组件的靠近拐角处的侧边。封边部件6可以为耐高温胶带，基于耐高温胶带的耐高温特性，太阳能电池在层压过程中以及在使用过程中不会发生分解或脱落，有利于保证对光伏组件的可靠封装。在一些实施例中，耐高温胶带不仅粘贴于光伏组件的侧面，还粘贴于光伏组件的前表面和后表面，如此，有利于抑制光伏组件在层压过程中发生层压偏移以及抑制光伏组件在应力作用下发生的应力形变。本申请实施例还提供一种太阳能电池的制作方法。参考图6～图10以及图1，图4～图10以及图1为本申请实施例提供的太阳能电池的制作方法各步骤对应的结构示意图。
参考图6，提供基区101并进行双面制绒。
具体地，对N型基底101进行清洗，并采用湿法化学腐蚀的方式制备金字塔绒面，金字塔绒面可以降低基区101表面对光线的反射，从而增加基区101对光线的吸收利用率，提升太阳能电池的转换效率。在一些实施例中，基区101的材料为单晶硅，基区101的厚度为60um～240um，具体可以是60um、80um、90um、100um、120um、150um、200um或240um等，基区101的电阻率范围为0.3-2ohm.cm。
需要指出的是，本申请对于制绒的具体操作方式不作限定。例如，可以选用不限于湿法制绒工艺进行制绒，当基区101为N型单晶硅时，可以采用碱性溶液例如氢氧化钾溶液进行制绒，由于NaOH溶液的腐蚀具有各向异性，有利于制备得到金字塔状微结构。金字塔状微结构可以是四面体、近似四面体、五面体、近似五面体等结构；此外，制绒工艺还可以是化学刻蚀、激光刻蚀、机械法、等离子刻蚀等，金字塔状微结构使得丝网印刷金属浆料形成电极时可以更好地填充于所述微结构中，获得更优异的电极接触，能够有效降低电池串联电阻，提高填充因子。通过控制金字塔状微结构的形貌，可使得太阳能电池的整体折射率小于10％。参考图7，形成P型发射极102。
在双面制绒之后，对基区101的第一表面10a进行硼扩散处理，形成P型发射极102，P型发射极102占据基区101朝阳侧的部分表层空间，P型发射极102与N型基区101构成基底10；其中，P型发射极102的扩散方阻范围在130-150Ω，表面扩散浓度在E18～E19。
需要说明的是，硼扩散处理还会同时在基区101前表面(即第一表面10a)、后表面以及侧面生成不必要的硼硅玻璃，硼硅玻璃对基区101有一定的保护作用，可避免某些工艺制程对基区101表面造成损伤，换句话说，不必要的硼硅玻璃可作为基区101的掩膜层。硼扩散处理所使用的硼源包括液态三溴化硼，且在进行硼扩散处理时，微晶硅相会转变为多晶硅相。
参考图8，对基区101后表面进行平坦化工艺(例如，抛光)。
后表面为太阳能电池背离阳光的一面，平坦化工艺可形成用于沉积后表面膜层所需的平坦表面，即第二表面10b。在进行平坦化工艺的过程中，后表面的硼硅玻璃被一并去除。
在一些实施例中，在进行抛光工艺之前，还包括以下步骤：用配制好的混合酸去除基区101后表面10b的硼硅玻璃，混合酸包括质量分数为0.1％～10％的氢氟酸溶液、质量分数为10％～20％的硫酸溶液与25％～50％的硝酸溶液，酸洗时间为10s～180s，酸洗温度为7℃～20℃；将酸洗后的基后表面10b进行水洗、烘干处理。需要说明的是，在酸洗后基底10的后表面10b会出现多孔结构。
在一些实施例中，可采用碱溶液对后表面10b进行抛光处理。具体地，采用质量分数为5％～15％碱溶液清洗后表面10b，去除多孔硅；采用喷淋方式将碱溶液的微液滴滴至后表面10b进行粗糙化处理，再用质量分数为5％～10％的氢氟酸进行预清洗；采用抛光液对后表面10b进行抛光，抛光温度为70℃～80℃，抛光时间＜260s，其中，抛光液包括质量分数为1％～15％的NaOH、质量分数为1％～15％的KOH及质量分数为0.5％～2.5％的添加剂；采用质量分数为5％～15％的氢氧化钾与质量分数为15％～40％的双氧水的混合液对刻蚀液中的有机成分进行去除；对抛光后的基底10进行水洗、烘干处理。
在一些实施例中，由于后表面10b的硼浓度较低，采用碱溶液进行蚀刻，可以有效提高蚀刻效率。碱溶液中含有有机碱和/或无机碱，无机碱可以是NaOH、KOH、Ga(OH)2、NH3.H2O，有机碱可以是三乙胺、硝基苯酚、吡啶、奎宁、秋水仙素等。抛光液中的添加剂可以是由磺酸钠、马来酸酐、烷基糖苷等组成的缓冲液。在一些实施例中，基底10的抛光减重小于0.3g，通过控制抛光时间与抛光温度，可以使得后表面10b具有预设结构。
参考图9，形成隧穿氧化层121和掺杂导电层122。
在一些实施例中，采用沉积工艺形成隧穿氧化层121，具体来说，隧穿氧化层121的材料包括氧化硅，沉积工艺包括化学气相沉积工艺，在垂直于第二表面10b的方向上，隧穿氧化层121的厚度为1～2nm，例如1.2nm、1.4nm、1.6nm或1.8nm；在其他实施例中，还可以采用原位生成工艺形成隧穿氧化层，具体来说，可以在硅基底的基础上，采用热氧化工艺以及硝酸钝化等工艺原位生成隧穿氧化层。
在一些实施例中，采用变温式工艺以及化学气相沉积法在后表面10b沉积形成隧穿氧化层121。在沉积过程中，控制升温速率为0.5℃/min～3℃/min，例如为1.0℃/min、1.5℃/min、2.0℃/min或2.5℃/min等，沉积温度为560℃～620℃，例如为570℃、590℃或610℃等，沉积时间为3min～10min，例如为4min、6min或8min等。
在一些实施例中，在形成隧穿氧化层121之后，沉积本征多晶硅以形成多晶硅层，并通过离子注入以及源扩散的方式掺杂磷离子，形成N型掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层作为掺杂导电层122。在垂直于第二表面10b的方向上，掺杂导电层122的厚度可设置为80～160nm，例如为100nm、120nm或140nm。
当采用沉积工艺形成隧穿氧化层121和掺杂导电层122时，由于前表面有硼硅玻璃作为掩膜层对基区101第一表面10a进行保护，因此，在进行沉积工艺时无需通过掩膜将沉积区域限定在后表面，后续可采用同一工艺同时去除前表面的硼酸玻璃以及沉积在前表面的氧化硅和多晶硅。如此，无需设置额外的掩膜，有利于减少工艺步骤，缩短工艺流程，降低工艺成本。在其他实施例中，当界面钝化层采用原位生成工艺形成时，沉积在基底前表面的硼硅玻璃表面的只有多晶硅。
在一些实施例中，隧穿氧化层121与多晶硅层的沉积以及多晶硅层的掺杂均在低压化学气相沉积设备中形成。具体步骤包括：首先，将碱抛光后的基底10置于沉积设备中，通入20L至60L的氧源(例如可以是氧气、一氧化二氮、臭氧)，按照升温速率为0.5℃/min～3℃/min将沉积设备内的温度加热至560℃～620℃，沉积时间为3min～10min，形成隧穿氧化层121；通氧结束后，进行恒温阶段，然后通入适量硅烷气体，形成多晶硅层；最后，对多晶硅层进行原位掺杂，形成掺杂导电层122。
参考图10，在基底10第一表面形成第一钝化叠层，第一钝化叠层包括依次设置的第一富氧介质层111、第一富硅介质层112、第二富氧介质层113以及第二富硅介质层114，第一富氧介质层111覆盖第一表面10a。
在一些实施例中，在形成第一钝化叠层之前，需要去除绕镀在基底10第一表面10a的多余的硼硅玻璃、氧化硅和多晶硅；在其他实施例中，在形成第一钝化叠层之前，需要去除绕镀在基底第一表面的多余的硼硅玻璃和多晶硅。
进一步地，在其他实施例中，在去除多余材料之后，还会在基底第一表面生长薄氧化硅层。薄氧化硅层的形成工艺包括自然氧化、热氧化、湿法氧化、原子层沉积、等离子体增强化学气相沉积等工艺，在垂直于基底表面的方向上，薄氧化硅层的厚度为0～3nm，例如1nm、1.5nm或2nm。
在一些实施例中，可采用且不限于化学气相沉积、低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积(含直接等离子体沉积和间接等离子体沉积)和磁控溅射等工艺形成第一富氧介质层111、第一富硅介质层112、第二富氧介质层113以及第二富硅介质层114，其中，第二富氧介质层113的氧原子数占比大于第一富氧介质层111的氧原子数占比。
在一些实施例中，第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～70％，优选为40％～60％，第一富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于10％，优选为大于0且小于等于7％，第二富氧介质层中氧原子数占比为30％～80％，优选为50％～80％，第二富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于10％，优选为大于零且小于等于7％。
第一富氧介质层111可由至少两个子富氧层构成。第一富氧介质层111的材料包括氧化铝、氧化硅、氧化镓、氧化铪、氧化钛、氮氧化硅等。其中，若第一富氧介质层111为氮氧化硅，则其反应物可以为硅烷、笑气和氨气，第一富氧介质层111的折射率范围可以为1.61～1.71，厚度范围在8～20nm；若第一富氧介质层111的材料为氧化硅，则其反应物可以为硅烷、笑气、氧气中的一种或多种，第一富氧介质层111的折射率范围可以为1.58～1.61，厚度范围在2～15nm；若第一富氧介质层111的材料为氧化铝，则其反应物为三甲基铝和水，第一富氧介质层111的折射率范围在1.71～1.78，厚度范围在1-20nm。
第一富硅介质层112的材料可为氮化硅或碳化硅中的至少一者。当第一富硅介质层112为氮化硅层时，可以依据实际需求将其设置为2～3层的渐变折射层，即在远离基底10的方向上，不同氮化硅子层的折射率逐渐变低；此外，其反应物可以为硅烷和氨气，第一富硅介质层112中硅原子数与氮原子数的比值可以为0.66～2.3，折射率范围可以为2.02～2.2，厚度范围在20～50nm。
第二富氧介质层113的材料可为氧化硅、氮氧化硅中的一种，其反应物包括硅烷、笑气以及氨气，第二富氧介质层113中氧原子数与氮原子数的比值可以为2.58～7.58，折射率范围可以为1.56～1.62，厚度范围在5～20nm。
第二富硅介质层114的材料可为氮化硅或碳化硅中的一种。当第二富硅介质层114为氮化硅层时，可以依据实际需求将其设置为2～3层的渐变折射层，即在远离基底10的方向上，不同氮化硅子层的折射率逐渐变低；此外，其反应物可以为硅烷和氨气，第一富硅介质层112中硅原子数与氮原子数的比值可以为0.46～1.78，折射率范围可以为1.98～2.06，厚度范围在20～50nm。
参考图1，在掺杂导电层122上形成第二钝化层123，以及形成第一电极115和第二电极124。
当第二钝化层123为氮化硅层时，可以依据实际需求将其设置为2～4层的渐变折射层，即在远离基底10的方向上，不同氮化硅子层的折射率逐渐变低；此外，其反应物可以为硅烷和氨气，第二钝化层123中硅原子数与氮原子数的比值可以为3.82～6.37，折射率范围可以为2.04～2.2，厚度范围在60～100nm。
在形成第二钝化层123之后，可通过金属化处理、丝网印刷以及高温烧结等工艺形成第一电极115和第二电极124。此外，在形成电极之后，还需要进行光退火处理，即将太阳能电池片设置在400～700℃温度下加热1-6min，例如500℃或600℃，以及例如2min、3min、4min或5min，随后同时在150-400℃温度和1-6个太阳光照强度下处理1～6min，例如200℃、250℃、300℃以及350℃，以及例如2、3、4或5个太阳光照强度。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (19)

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有相对的第一表面和第二表面；
设置在所述第一表面上的第一钝化叠层，所述第一钝化叠层包括沿远离所述第一表面的方向上依次设置的第一富氧介质层、第一富硅介质层、第二富氧介质层以及第二富硅介质层，其中，所述第一富氧介质层的氧原子数占比小于所述第二富氧介质层中的氧原子数占比；
设置在所述第二表面上的隧穿氧化层；
设置在所述隧穿氧化层表面上的掺杂导电层；以及
设置在所述掺杂导电层表面上的第二钝化层。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富硅介质层和所述第二富硅介质层中包含氧原子，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～70％，所述第一富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为30％～80％，所述第二富硅介质层包含氧原子，其中氧原子数占比大于0且小于等于10％。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层中氧原子数占比为40％～60％，所述第一富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％，所述第二富氧介质层中氧原子数占比为50％～80％，所述第二富硅介质层中氧原子数占比大于0且小于等于7％。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层的材料包括氧化铝、氧化硅、氮氧化硅、氧化镓、氧化钛或氧化铪中一者或多者的组合。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包括氧化铝层和氮氧化硅层，所述氧化铝层位于所述氮氧化硅层和所述基底之间。
6.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述氧化铝中氧原子数与铝原子数的比值为[0.6，2.4]。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层的折射率大于所述第二富氧介质层的折射率。
8.根据权利要求1或7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包含氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.58～1.61，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为2nm～15nm。
9.根据权利要求1或7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.61～1.71，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为8nm～20nm。
10.根据权利要求1或7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富氧介质层包含氧化铝材料，所述第一富氧介质层的折射率为1.71～1.81，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富氧介质层的厚度为1nm～20nm。
11.根据权利要求1或7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二富氧介质层包含氮氧化硅材料，所述第二富氧介质层的折射率为1.56～1.62，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二富氧介质层的厚度为5nm～20nm。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富硅介质层的折射率大于所述第二富硅介质层的折射率。
13.根据权利要求12所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富硅介质层的折射率为2.02～2.2，所述第二富硅介质层的折射率为1.98～2.06。
14.根据权利要求1或12所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富硅介质层的材料包括第一氮化硅材料，所述第一氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.66～2.3。
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一富硅介质层的折射率为2.02～2.2，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第一富硅介质层的厚度为20nm～50nm。
16.根据权利要求1或12所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二富硅介质层的材料包括第二氮化硅材料，所述第二氮化硅材料中硅原子数与氮原子数的比值为0.46～1.87。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二富硅介质层的折射率为1.98～2.06，在垂直于所述第一表面的方向上，所述第二富硅介质层的厚度为20nm～50nm。
18.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二钝化层的折射率为2.04～2.2，在垂直于所述第二表面的方向上，所述第二钝化层的厚度为60nm～100nm。
19.一种光伏组件，其特征在于，包括：
电池串，由多个权利要求1至18中任一项所述的太阳能电池连接而成；
封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；
盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。
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