CN115458694A - 量子点led显示设备 - Google Patents

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爱德华·安德鲁·伯尔德曼
恩里科·安焦尼
蒂姆·米迦勒·斯米顿
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Abstract

量子点LED显示设备包括基板，其上设置有多个堤。多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素被单独地设置在所述堤之间。所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层，其中，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂。蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。

Description

量子点LED显示设备
技术领域
本发明涉及在量子点LED内的发光层，该发光层发射蓝光且可以通过暴露于紫外光或近紫外光来空间图案化。得到的量子点LED可以作为显示装置中的蓝色子像素。
背景技术
已知使用红、绿、蓝量子点LED作为显示装置中子像素的几种方式。例如，可以将电致发光量子点LED图案化，以在宽色域显示装置中形成R、G、B子像素。生成图案化发光层的一种方法是使用喷墨印刷。量子点油墨配方可用于通过将油墨沉积到期望的位置中来形成发光层。可以加热油墨以去除溶剂，然后，干燥油墨以留下固态量子点层。
量子点空间图案化的另一种方法是使用光刻。包含纳米级荧光材料(如量子点)的光敏混合物通过暴露于光下图案化以形成色彩转换膜。目前存在许多此类色彩转换膜的其他实例，其具有附加特征，例如可与LCD或OLED显示器组合使用的光散射粒子或抗氧化剂。本发明还提供了详细说明使用正型或负型量子点光刻胶通过光刻法形成色彩转换膜的步骤的方法。
通过光刻直接图案化用于电致发光器件的量子点LED发光层是较不为人所知的，但也存在实例。量子点可与对紫外光敏感的可交联配体一起使用。另外，用于量子点LED的发光层可以包括在通过暴露于紫外光而交联的电荷传输基质中的量子点。
在光刻过程中，残留膜可能会残留在光刻过程中没有直接暴露于UV光下的显影区域中。减少剩余的残留膜的其中一种方法是改变用于沉积量子点光致抗蚀剂的液体的组成。另一种方法是将黑色吸光材料用于像素界定层(例如，“堤”)以减少在固化过程期间散射的UV光的影响。
发明内容
量子点发光二极管LED显示设备包括基板，其上设置有多个堤。多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素被单独地设置在所述堤之间。所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂。蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。
在所述量子点LED显示设备中，所述蓝色发光LED子像素中的光引发剂对波长400nm与500nm之间的蓝光的吸收系数低于所述红色发光LED子像素中的光引发剂和所述绿色发光LED子像素中的光引发剂低。此外，蓝色发光LED子像素中的光引发剂的吸收波长可以在0nm至400nm的紫外波长范围内。
所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点的表面积与所述绿色发光LED子像素中的所述量子点的表面积相同或更大。在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括CdxZn1-xSe(0≤x<1)或ZnSeyTe1-y(0<y≤1)的核。在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括CdxZn1-xSeyS1-y(0≤x≤1；0≤y＜1)的壳。所述有机基质包括交联的电荷传输材料。
所述量子点LED显示设备包括一个或多个第二电极，所述第二电极形成为所有所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用的连续层。还包括多个第一电荷传输层，在所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素中分别具有一个或多个所述第一电荷传输层。所述红色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层、所述绿色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层以及所述蓝色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层具有不同的厚度。
所述量子点LED显示设备包括设置在所述发光层之上的一个或多个第二电荷传输层。一个或多个所述第二电荷传输层被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素的全部共用。所述量子点LED显示设备进一步包括在所述基板与多个第一电极之间的反射器，其中，一个或多个第二电极是部分透明的，且所述量子点LED显示设备通过一个或多个所述第二电极发光。
一个或多个所述第二电极被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用。所述量子点LED显示设备还包括多个部分透射的第一电极、一个或多个反射性第二电极，其中，所述量子点LED显示设备发射光穿过所述基板。在该实施方式中，一个或多个所述反射性第二电极被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用。
附图说明
结合附图一起阅读时，从以下详细描述中最佳地理解示例性公开的方面。不同特征不是按比例绘制的，为了讨论的清楚起见，不同特征的尺寸可以任意增大或缩小。
图1示出了QLED设备的剖视图。
图2示出了通过光刻形成的有机基质中具有量子点的QLED发光层。
图3示出了用于形成QLED的发光层的光刻步骤的剖视图。
图4示出由图3的光刻工艺得到的发光层和其他结构的剖视图。
图5示出了具有红色、绿色和蓝色子像素的QLED显示设备的剖视图。
图6示出了根据本公开的示例性实施方式，当用紫外光照射时有机层中的量子点的光致发光发射特性。
图7示出了根据本公开的示例性实施方式，比较蓝色、红色和绿色量子点光致发光的波长的光引发剂吸收系数的曲线图。
图8示出了根据本公开的示例性实施方式的子像素的剖视图，该子像素延伸至子像素界定层的界限之外并延伸到相邻的子像素中。
图9示出了根据本公开的示例性实施方式的具有光引发剂的红色发光层光致抗蚀剂。
图10示出了根据本公开的示例性实施方式的具有光引发剂的绿色发光层光致抗蚀剂。
图11示出了根据本公开的示例性实施方式的具有减少的光引发剂的蓝色发光层光致抗蚀剂。
图12示出了根据本公开的示例性实施方式的将蓝色光致抗蚀剂光引发剂吸收光谱与红色和绿色光致抗蚀剂光引发剂吸收光谱相比较的曲线图。
图13示出了根据本公开的示例性实施方式的红色发光层光致抗蚀剂的替代性实施方式。
图14示出了根据本公开的示例性实施方式的绿色发光层光致抗蚀剂的替代性实施方式。
图15示出了根据本公开的示例性实施方式的一种替代性实施方式蓝色发光层光致抗蚀剂。
具体实施方式
以下描述包含与本公开中的实施例有关的具体信息。本公开中的附图及其附图说明仅涉及实施例。然而，本公开并不仅限于这些实施例。本领域技术人员将想到本公开的其他变形和实施方式。除非另外指出，否则附图中相同或相应的元件可以由相同或相应的附图标记表示。此外，本公开中的附图和说明通常不是按比例的，并不旨在对应于实际的相对尺寸。
为了一致性和易于理解的目的，相似的特征可以由示例图中的标号来标识(尽管在一些示例中未示出)。然而，在不同实施方式的特征可以在其他方面不同，且因此不应局限于附图中所示出的。
本描述使用短语“在一个实施方式中”、或“在一些实施方式中”，这些短语各自可以指代相同或不同的实施方式中的一个或多个。术语“耦合”被定义为连接，无论是直接地还是间接地通过介入部件，且不一定限于物理连接。当使用术语“包括”时是指“包括，但不必限于”；它确切地在如此描述的组合、组、系列和等效物中指代不限成员名额或成员资格。
另外，出于解释和非限制的目的，阐述了例如功能实体、技术、协议、标准等具体细节以便提供对所描述技术的理解。在其他例子中，省略对众所周知的方法、技术、系统、架构等的详细描述，使得不会以不必要的细节模糊描述。
本公开涉及一种用于电致发光量子点LED(例如，也被称为“QLED”、“QD-LED”或“EL-QD”)显示器的发光层的结构和材料，该显示器包含红色、绿色和蓝色子像素(下文为“QLED”)。作为光刻工艺的一部分，这些发光层通过暴露于特定波长的光被图案化。
在此所讨论的发光层可以用作典型的QLED结构的发光层，其被描述为：设置在基板上的第一电极、与该第一电极相对设置的第二电极以及包含设置在该第一电极与第二电极之间的量子点的发光层。施加在这些电极的偏压引起第一电荷载流子(例如，空穴)从该第一电极被注入到该发光层中，并且引起相反的电荷载流子(例如，电子)从该第二电极被注入到该发光层中。这些电荷载流子在发光层的量子点中复合，使光从QLED发出。诸如电荷注入层、电荷传输层或电荷阻挡层的附加层可以被布置在该发光层与电极之间。
QLED显示器可以包括多个QLED，这些QLED具有被配置成用于在施加的偏压下发射红光、绿光或蓝光之一的发光层，这些发光层被布置在共用基板上并且被惰性像素界定层(“堤”)分隔开。在这种情况下，每个QLED是显示器的一个子像素。QLED的一个或多个层可被显示器的所有QLED共用，而其他层可经图案化使得其被个别QLED专用。例如，第一电极可被图案化，第二电极被共用，通过单独地控制施加至每个子像素的第一电极的电压并将第二电极保持在固定电位，从而使得各个子像素发射不同量的光。
需要图案化制程以配置发光层根据其位置发射不同波长的光。例如，可以使用喷墨印刷或光刻。喷墨印刷有利地仅在需要的子像素中沉积材料，从而减少所使用的材料的总量。然而，喷墨印刷的分辨率受到印刷过程中可能产生的液滴尺寸的限制。因此，对于高分辨率显示器，光刻工艺是优选的。
在光刻工艺中，在关注的区域上沉积光致抗蚀剂。随后通过经由含有一个或多个孔隙的掩模暴露于光(例如UV光)以将其图案化。响应于光的施加，在光致抗蚀剂中发生化学反应。引发该反应的分子被称为光引发剂。在“正型”工艺中，已经曝光的光致抗蚀剂变为可溶于显影剂中，而未曝光的光致抗蚀剂则不溶于显影剂中。相反，在“负型”工艺中，已经曝光的光致抗蚀剂变为不溶于显影剂中，同时未被曝光的光致抗蚀剂可溶于显影剂中。作为光刻工艺的一部分，可能存在多个其他步骤，例如曝光前退火和曝光后退火。
对于QLED显示器，将包含在电激发下发射红光的量子点的光致抗蚀剂沉积在显示器的有源区域上并形成图案，这样，在显影之后，红色发光层不会存在于绿色或蓝色子像素中。用包含绿色量子点的第二光致抗蚀剂重复该过程，并图案化第二光致抗蚀剂，使得绿色发光层不会存在于红色或蓝色子像素中。用包含蓝色量子点的第三光致抗蚀剂再次重复该过程，并且将其图案化，使得蓝色发光层不会存在于红色或绿色子像素中。图案化步骤的顺序可以改变，并且应当理解的是，红色、绿色和蓝色图案化步骤不必遵循这里呈现的顺序。
在显示器中期望的特性是能够实现宽色域的高色纯度。这对应于从具有窄光谱的单个子像素发射的光，并从相同颜色的每个子像素发射的光谱在轮廓上是统一的。已知QLED能够发射具有窄发射光谱的光。然而，在利用光刻法制造的显示装置中，重要的是在显影过程中去除所有可溶性量子点材料。任何剩余的量子点可能发射非期望波长的光并降低显示器的色纯度。例如，红色量子点可能残留在绿色子像素中，导致在工作期间从绿色子像素发射不需要的绿光和红光。
具体地，在包含蓝色量子点的发光层的图案化过程中，可能仍然残留不希望的光刻胶。典型地，在光刻过程中使用的光是紫外光，光引发剂对其敏感并有效地引发化学反应。光引发剂的灵敏度通常随着波长增加而降低，但是许多光引发剂仍然表现出对蓝光的灵敏度。在曝光过程中，入射到光刻胶上的紫外光会蓝色量子点吸收而不是被光引发剂吸收，然后经过光致发光重新发射蓝光。这种蓝光可以在任何方向上重新发射，因此大量的这种光将在该发光层的平面内传播(例如，垂直于UV照射的方向)，被全内反射捕获。光引发剂和量子点二者对蓝光的吸收系数将低于紫外光的吸收系数，因此这种蓝光在被吸收之前可能会从它产生的地方传播相当长的距离，例如，在邻近的子像素中。如果蓝光被光引发剂再吸收，则可能在非预期和不期望的区域中引发化学反应，导致蓝色量子点存在于红色或绿色子像素中。
在光刻工艺中将发生红色量子点和绿色量子点的光致发光，但是由于光引发剂对较长波长的光的吸收更低，对图案化工艺的影响将显著降低。此外，较长波长的光的较低能量可能不足以引发化学反应。
在本公开的一实施方式中，含蓝色量子点的光致抗蚀剂中的光引发剂的浓度低于红色和绿色光致抗蚀剂中的光引发剂的浓度。这有利地降低了对从光致抗蚀剂的未直接曝光部分的量子点再发射的蓝光的灵敏度。
在本公开的另一实施方式中，使用对可见光波长具有下降的灵敏度的光引发剂。灵敏度的下降可能是由于光引发剂在光谱的蓝色部分中具有较低的吸收系数。灵敏度的下降可能是由于有助于引发化学反应的蓝光的量减少。例如，所吸收的蓝光可能会作为具有较长波长的光重新发射或作为热损失。光引发剂的灵敏度下降有利地降低了对从光致抗蚀剂的未直接曝光部分的量子点再发射的蓝光的灵敏度。
降低光引发剂对蓝光的吸收系数也可以降低光引发剂对紫外光的吸收系数。这可通过降低光刻工艺的曝光步骤期间使用的光的波长(例如，使用较短波长的紫外光)来补偿。这有效地减少了处理时间，在制造过程中增加生产量是所期望的。
在本公开的又一实施方式中，蓝色子像素的光致抗蚀剂包含大的量子点。量子点的发光波长由量子点核的材料和尺寸限定。因此，壳的厚度可在不影响光的波长的情况下增加，该光是从量子点发射并因此从QLED显示装置发射的。对于光致抗蚀剂中给定浓度(质量浓度)的量子点，当量子点的体积较小时，量子点的相对表面积较大。量子点的表面覆盖有有机配体以钝化表面，并减少非辐射复合，这提高了QLED的效率，并因此提高了显示装置的效率。这些配体可能干扰光刻工艺的化学反应。因此，通过增加量子点的表面积，从而增加配体的数量，在光致抗蚀剂中，在光刻过程期间未直接暴露的区域中可以有利地防止交联。
可以单独地或组合地使用这些实施方式以实现使用光刻工艺制造的QLED显示器，其具有来自红色和绿色子像素的高色纯度和低蓝光发射。
参照图1，示出了量子点LED(QLED)100。反射器102设置在基板101上。在一实施方式中，反射器102在由QLED100发射的光的波长处具有大于80％的反射率。在另一实现方式中，反射器102在QLED100的波长处具有大于90％的反射率。100nm铝和100nm银是反射器102的合适材料和厚度的实例。阳极103设置在反射器102上。在一个实施例中，10nm氧化铟锡(ITO)可用作阳极103。或者，金属反射器102可用作阳极103。
在阳极103上设置空穴注入层104。40nmPEDOT：PSS是合适的空穴注入层104材料的一例。空穴传输层105和发光层106通过使用光致抗蚀剂(未示出)的溶液处理被设置在空穴注入层104上。光致抗蚀剂包括空穴传输材料、量子点107(图2)及光引发剂与溶剂的溶液混合物。将溶液沉积到空穴注入层104上(例如，通过旋涂)，在加热板上加热，暴露于紫外光，并再次加热以形成这些层。在旋涂过程中，量子点107与空穴传输材料相分离，产生在下的空穴传输层105和在上的发光层106。
参照图2，详细示出了发光层106。该发光层106包含在空穴传输材料108的基质内的量子点107以及一定量的光引发剂109。合适的材料包括：空穴传输材料108的OTPD、核-壳InP、CdSe和ZnSe量子点107、以及光致抗蚀剂中的光引发剂109的OPPI。
再次参照图1，电子传输层110设置在发光层106上。60nm的氧化锌纳米颗粒是一个合适的电子传输层110的例子。部分透明的阴极111设置在电子传输层110上。在一实施方式中，阴极111具有大于20％的透射率。在另一实施方式中，阴极111具有大于40％的透射率。15nm银和15nmMg0.1Ag0.9是适合于阴极111的材料和厚度的实例。
空穴注入层104和电子传输层110可由溶液沉积，如通过旋涂、槽染涂布或喷墨印刷。反射器102、阳极103和阴极111可通过诸如溅射涂布或热蒸发的技术来沉积。
当在阳极103和阴极111之间施加电偏压时，光从发光层106中的量子点107(图2)发射。朝向阴极111发射的光可以透射穿过部分透明的阴极111并被外部观察者观察到。朝向阳极103发射的光可由反射器102反射并引向阴极111。
以上实例产生具有常规层结构的顶发射QLED100。应当认识到，反射器102被移除且阴极111被制成反射性以制成底发射QLED(未示出)。应当认识到，层结构可以反转，使阴极111最接近反射器102并通过阳极103发出光，制成倒置的QLED(未示出)。本文中描述的设备同样适用于这些QLED架构中的任一个。
参考图3、4和5，示出了QLED显示设备200的某些制造步骤。空穴注入层104沉积在阳极层103上，阳极层103沉积在反射层102上，其全部由堤202隔开。这些层已经沉积在含有薄膜晶体管(TFT)的背板基板201上，该背板基板电连接至阳极层103。第一光致抗蚀剂层203沉积在空穴注入层104之上并延伸跨越堤202。在一示例性光刻制程中，光致抗蚀剂层203包括发射红光的InP量子点206。参照图3，光致抗蚀剂层203的一部分通过掩模205暴露于紫外(UV)光204。
参照图4，显影剂(未示出)被施加于发光层106，从而去除未暴露于紫外光的光致抗蚀剂层203(图3)，如图3所示。重复该过程(未示出)，其中第二光致抗蚀剂层包括例如发射绿光的InP量子点207(图5)，通过掩模205(图3)偏移，将基板的不同区域暴露于UV光204(图3)。再次重复此过程(未示出)，其中第三光致抗蚀剂层包括例如发射蓝光的ZnSe量子点208(图5)，通过掩模205(图3)偏移，将基板的不同区域暴露于UV光204(图3)。然后，将参考图1所描述的其余层(电子传输层110、阴极层111)设置在所得到的包含量子点206、207、208的发光层106上，从而得到如图5中的横截面所示的QLED200显示装置结构。
参照图6和图7，示出了发光层300中的量子点301被UV光302照射时的光致发光的发光特性，以及光引发剂吸收光谱与来自蓝色量子点(例如，蓝光305)、绿色量子点(例如，绿光306)和红色量子点(例如，红光307)的光致发光发射波长的比较。图6示出了发光层300，其包括在光刻制成的曝光步骤期间被UV光204照射的量子点301(未按比例)。紫外光302被量子点301在光致发光303的所有方向上吸收并重新发射。如图所示，该光中的一部分将在所示的层的平面中传播。
参照图7，在蓝光305的情况下，在一个例子中，量子点301(图6)(例如，多个量子点)的发射光谱包含光引发剂吸收(例如，在光引发剂吸收系数304内)QLED的光的波长，该QLED出现在光刻制程之后如图8(以下讨论)所示。
参照图8，在量子点301(图6)的发射光谱包含在光引发剂吸收系数304(图7)中的光的波长(如蓝光305(图7))的情况下，在光刻制程后得到的发光层106延伸到子像素限制层的边界之外并进入相邻的子像素中。与图4中所示的分层相比，这是不利的，且有害地降低了最终显示器的色纯度，降低了可实现的色域。通常，只有蓝光305(图7)与这种效应有关。在量子点301(图6)的发射光谱仅包括光引发剂不吸收的光的波长，如绿光306和红光307(图7)的情况下，如图5中所示，所得的发光层将被正确地图案化。
参考图9至图11，在一实施方式中，可通过光刻如下制造具有高色纯度的QLED显示器：参照图9和图10，红色和绿色子像素的红色发光层光致抗蚀剂401和绿色发光层光致抗蚀剂402可以根据先前描述的实施方式制造。参照图11，蓝色子像素的蓝色发光层光致抗蚀剂403中的光引发剂109浓度相对于红色子像素的红色发光层光致抗蚀剂401和绿色子像素的绿色发光层光致抗蚀剂402而改变。具体地，蓝色子像素的蓝色发光层光致抗蚀剂403所包含的光引发剂109的量减少。优选地，蓝色发光层光致抗蚀剂403中的光引发剂109的浓度比红色发光层光致抗蚀剂401或绿色发光层光致抗蚀剂402中的光引发剂109的浓度低至少五倍。更优选地，蓝色发光层光致抗蚀剂403中的光引发剂109的浓度比红色发光层光致抗蚀剂401或绿色发光层光致抗蚀剂402中的光引发剂109的浓度低至少十倍。
在光刻制程中，并非所有光引发剂109都会被使用。因此，在光刻制程之后，空穴传输层(例如，图1中的105)和发光层(例如，图1中的106)将仍然包含大量的未使用的光引发剂109。与光致抗蚀剂类似，最终固化层中光引发剂109的浓度优选在蓝色子像素中比红色或绿色子像素低五倍。更优选地，最终固化层中光引发剂109的浓度在蓝色子像素中比红色或绿色子像素低十倍。
参照图12，示出了一替代性实施方式，其中在蓝色子像素中光引发剂对蓝光的敏感性降低。这通过使用用于蓝色光致抗蚀剂的光引发剂109(图11)来实现，光引发剂109相比有常规吸收系数502的光引发剂109(图9、图10)(例如，用于红色光致抗蚀剂和绿色光致抗蚀剂)，具有更低的吸收系数501。相较于在蓝色量子点波长区域503中发射的光的光谱与具有常规吸收系数502的光引发剂109的常规重叠505，更低的吸收系数501导致与蓝色量子点波长区域503的变小的重叠504。有利地，这产生具有发光层的蓝色子像素，该发光层不延伸至堤的边界之外，从而得到具有高色纯度的显示器。
仍然参照图12，通过使用具有较低吸收系数501的光引发剂109(图11)降低蓝色量子点发射波长区域503中的吸收系数(例如，吸收灵敏度)还可以降低光引发剂109的在光谱的紫外区域中吸收。因此，在光刻制程的曝光步骤中可以使用更短波长的光。例如，来自UVALED、过滤汞灯或过滤氙灯的365nm光可以用于暴露红色和绿色子像素的发光层。相比之下，为了暴露蓝色子像素的发光层，示例性光源包括：发射具有在240nm与300nm之间的峰值波长的深紫外LED发光、来自汞灯的254nm发射线、来自汞灯、过滤氙灯或过滤氘灯的在297nm与334nm之间的发光。
参照图13-图15，在另一替代性实施方式中，相对于红色和绿色子像素，在蓝色子像素中可以采用具有不同尺寸的量子点。图13和14中所示的实施方式对应于图11和12中所示的实施方式，在空穴传输材料108中分别具有红色量子点206和绿色量子点207。然而，在图15中所示的实施方式中，蓝色发光层光致抗蚀剂603的空穴传输材料108包括大量子点608，大量子点608相对于红色量子点光致抗蚀剂401和绿色量子点光致抗蚀剂402具有增大的尺寸。具有适于发射期望的蓝色波长的光的核尺寸和材料以及厚壳的大量子点608包含在用于沉积蓝色发光层的蓝色量子点光致抗蚀剂603中。CdxZn1-xSe(0≤x<1)和ZnSeyTe1-y(0<y≤1)是用于量子点608的核的合适材料的实例。CdxZn1-xSeyS1-y(0≤x≤1；0≤y＜1)是合适的壳材料的实例。大量子点608的组成可作为距离大量子点608的中心的距离的函数，在核内、在壳内或者在核与壳之间连续地变化。
增大量子点的尺寸会增加其表面积。将有机配体附着到量子点表面以钝化表面缺陷并且增加激子(电子-空穴对)转换成光子的效率。这些配体包含在光刻过程期间干扰光致抗蚀剂交联的官能团。增大的配体浓度可有效地终止交联过程，该交联过程在光刻制程期间由蓝色量子点再发射的蓝光引发，从而降低发光层延伸到像素界定层之外的概率，如图8所示。

Claims (16)

1.一种量子点LED显示设备，其特征在于，包括：
基板，其上设置有多个堤；以及
多个红色发光LED子像素、绿色发光LED子像素及蓝色发光LED子像素，这些子像素被单独地设置在所述堤之间，
所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素及所述蓝色发光LED子像素的每一个均具有发光层；
其中，所述发光层的每一个包括量子点、有机基质和光引发剂；并且
蓝色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第一浓度低于红色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第二浓度，并低于绿色发光LED子像素发光层中的光引发剂的第三浓度。
2.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述蓝色发光LED子像素中的光引发剂对波长400nm与500nm之间的蓝光的吸收系数低于所述红色发光LED子像素中的光引发剂和所述绿色发光LED子像素中的光引发剂。
3.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述蓝色发光LED子像素中的光引发剂的吸收波长在200nm至400nm的紫外波长范围内。
4.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点的表面积与所述绿色发光LED子像素中的所述量子点的表面积相同或更大。
5.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括CdxZn1-xSe或ZnSeyTe1-y的核，其中，0≤x<1，0<y≤1。
6.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，在所述蓝色发光LED子像素中的所述量子点包括CdxZn1-xSeyS1-y的壳，其中，0≤x≤1；0≤y＜1。
7.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述有机基质包括交联的电荷传输材料。
8.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，包括一个或多个第二电极，所述第二电极形成为所有所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用的连续层。
9.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，包括多个第一电荷传输层，在所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素中分别具有一个或多个所述第一电荷传输层。
10.根据权利要求9所述的量子点LED显示设备，其特征在于，所述红色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层、所述绿色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层以及所述蓝色发光LED子像素中的一个或多个所述第一电荷传输层具有不同的厚度。
11.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，包括设置在所述发光层之上的一个或多个第二电荷传输层。
12.根据权利要求11所述的量子点LED显示设备，其特征在于，一个或多个所述第二电荷传输层被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素的全部共用。
13.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，进一步包括在所述基板与多个第一电极之间的反射器，其中，一个或多个第二电极是部分透明的，且所述量子点LED显示设备通过一个或多个所述第二电极发光。
14.根据权利要求13所述的量子点LED显示设备，其特征在于，一个或多个所述第二电极被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用。
15.根据权利要求1所述的量子点LED显示设备，其特征在于，还包括多个部分透射的第一电极、一个或多个反射性第二电极，其中，所述量子点LED显示设备发射光穿过所述基板。
16.根据权利要求15所述的量子点LED显示设备，其特征在于，一个或多个所述反射性第二电极被所述红色发光LED子像素、所述绿色发光LED子像素和所述蓝色发光LED子像素共用。
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