CN115455892B - 一种含低压管模块的版图设计方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种含低压管模块的版图设计方法,包括版图布局;对所有的低压管区域分别建立低压管模块;对每个低压管模块进行调整;完成低压管模块的内部连线;计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度;确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y;调整非低压管区域的布局;调用低压管模块按竖直方向摆放时对应的版图;完成版图V的设计;将版图V另存为版图H;完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。本发明可以使得含低压管的模块按竖直方向摆放时的版图V和按水平方向摆放时的版图H同时满足边框一致、lef一致、浪费面积小、总体工作量小、无传统设计隐患等要求。
Description
技术领域
本发明涉及版图设计技术领域,具体涉及一种含低压管模块的版图设计方法。
背景技术
在先进工艺下,由于工艺厂制造的原因,要求低压管mosL的多晶硅POLY的方向必须为竖直方向。由于受到多晶硅POLY方向的限制,含低压管mosL的模块cellA对应的版图的摆放方向也将受到限制。如图1所示,低压管mosL的摆放方向只能是竖直方向,不能是水平方向,否则会不满足设计规则。
在芯片版图设计中,由于模块复用的关系,同一个模块的版图会被不同的上层版图调用。如图2所示,如果某个含低压管mosL的模块cellA对应的版图在不同模块中的摆放方向不一致,必然会有违反设计规则的情况;如果含低压管mosL的模块cellA对应的版图必须按不同方向摆放,也必然会有违反设计规则的情况。所以含低压管mosL的模块cellA只设计一个版图是不能满足设计要求的,需要同时设计两个版图(版图V、版图H),当模块cellA按竖直方向摆放时选用对应的版图V,当模块cellA按水平方向摆放时选用对应的版图H,确保所有的版图都不会出现违反设计规则的情况。
传统的版图设计方法如图3所示,设计含低压管mosL的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V和按水平方向摆放时对应的版图H,包括:
1、根据含有低压管mosL的模块cellA的电路进行正确合理的版图布局;
2、将所有的低压管mosL按照竖直方向摆放;
3、完成走线及完成相关验证(DRC、LVS、后仿真等),得到模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V;DRC:设计规则验证;LVS:版图与电路进行对比;后仿真:在原电路基础上加上寄生电阻、电容等后的仿真。
4、将版图V另存为版图H用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图;
5、打开版图H进行设计;
6、将所有的低压管mosL调整至按水平方向摆放;
7、修改连线及完成相关验证(DRC、LVS、后仿真等),得到模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H;在进行DRC验证时需要将版图H旋转至低压管mosL按竖直方向摆放,验证通过后再恢复到原有的摆放位置。
8、完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。
然而,传统做法有以下几个隐患:
1、可能出现版图V和版图H的边框大小不一致的情况。在图3进行第6步时,低压管mosL可能无法在原有的区域内由按竖直方向摆放调整至按水平方向摆放,导致不得不将版图H的边框拉大,从而使得版图H和版图V的边框大小不一致。
边框大小不一致在版图设计中有以下不足:
A、版图H和版图V在布局或走线上差异可能会造成两者的后仿真结果有大的差异或者只有一个能满足设计要求的情况,这是不能接受的;
B、版图H和版图V相互替换难度大,如图4所示,版图H和版图V在相互替换时可能会出现低压管区域层次与非低压管区域层次交叠的情况,或者可能会出现低压管区域层次与非低压管区域层次之间出现较大空白的情况。处理层次交叠问题会带来很大的工作量,空白区域会浪费面积或引起密度过小的设计规则错误
C、边框大小不一致会导致版图H和版图V的lef(物理库交换文件)不同,在进行数字PR时,一个模块只对应一个lef(设计库交换文件),同一个模块同时使用两个不同的lef是不允许的。
2、可能出现浪费很大面积的情况。在图3进行第6步时,低压管mosL可能无法在原有的区域内由按竖直方向摆放调整至按水平方向摆放,为了挪出空间使低压管mosL按水平方向摆放时不与非低压管区域层次产生交叠,同时又保证版图V和版图H的边框大小一致,将版图V和版图H的边框都拉大,这样会造成版图中出现较多的空白区域,而这些空白区域一般用不上,会出现浪费很多面积的情况。
3、可能增加较大的修改工作量。在图3进行第6步时发现需要调整版图边框时,版图H的floorplan可能需要变动,连线可能需要调整,所有的验证要重新做,这些都会增加版图较大的修改工作量。为了使版图V和版图H的边框保持一致,需要对已经完成验证的版图V进行版图修改,后续的所有验证都需要重新做,这也会增加较大的修改工作量。
发明内容
本发明提供一种含低压管模块的版图设计方法,用于解决现有技术中存在的各种不足,可以使得含低压管mosL的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V和按水平方向摆放时对应的版图H同时满足边框一致、lef一致、浪费面积小、总体工作量小、无传统设计隐患等要求。
本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,该方法包括:
将含有低压管的模块cellA的电路进行正确合理的版图布局;
对所有的低压管区域分别建立低压管模块,并对每个低压管进行预处理;
对每个低压管模块的形状和尺寸进行调整;
完成低压管模块的内部连线;
计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度;
确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y;
调整非低压管区域的布局;
调用低压管模块按竖直方向摆放时对应的版图;
完成含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V的设计;
将版图V另存为用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H;
完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述将版图V另存为用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H,包括:打开版图H进行设计;
将所有低压管模块的版图换成按水平方向摆放时对应的版图;
修改连线以及对版图依次进行DRC-LVS-后仿真的验证工作,在所有验证通过后得到该低压管模块水平方向摆放的版图H。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述对每个低压管模块的形状和尺寸进行调整,包括:将低压管模块的形状调整为正方形或者接近正方形;
将不能调整为正方形或接近正方形的低压管模块的形状调整为多个相同尺寸的正方形区域拼接而成的长方形;
将形状不规则的低压管模块调整为多个不同尺寸的正方形区域拼接而成的图形。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,在进行低压管模块内部连线时,需要分别将低压管按竖直方向和按水平方向摆放进行连线,在连线时不影响低压管模块的形状;
若对低压管模块的形状影响很大,则需要根据连线结构重新对低压管模块的形状和尺寸进行调整。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度,包括:
设置低压管模块按竖直方向摆放时的版图LV所占区域的长度为XV,高度为YV,表示为公式(1)和(2):
XV=XV0+XV1+XV2 (1)
YV=YV0+YV1+YV2 (2)
其中,XV0为版图LV内所有层次的长度,XV1为使版图LV与版图LV外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XV2为使版图LV与版图LV外右侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV0为版图LV内所有层次的高度,YV1为使版图LV与版图LV外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV2为使版图LV与版图LV外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度,包括:设置低压管模块按水平方向摆放时的版图LH所占区域的长度为XH,高度为YH,表示为公式(3)和(4):
XH=XH0+XH1+XH2 (3)
YH=YH0+YH1+YH2 (4)
XH0为版图LH内所有层次的长度,XH1为使版图LH与版图LH外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XH2为使版图LH与版图LH外右侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH0为版图LH内所有层次的高度,YH1为使版图LH与版图LH外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH2为使版图LH与版图LH外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y,包括:
将长度XV和长度XH的大小进行对比,选取最大的长度值作为X的值;
将高度YV和高度YH的大小进行对比,选取最大的高度值作为Y的值。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述调整非低压管区域的布局,包括:
在确定好长度X和高度Y后,通过调整非低压管区域的布局消除掉低压管区域和相邻的非低压管区域出现的层次交叠或出现大的空白区域,进而减小版图的面积。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述完成含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V的设计,包括:
打开版图V进行设计,对版图V依次进行设计规则检查DRC、一致性检查LVS以及后仿真的验证工作,在所有的验证通过后得到含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V。
根据本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法,所述修改连线以及对版图依次进行DRC-LVS-后仿真的验证工作,包括:
在将低压管模块内部的连线连好后,只需修改与低压管连接的外部走线;
在进行DRC设计规则验证时先将版图H旋转至水平方向,使得低压管模块的多晶硅POLY的方向为竖直方向,在验证完之后再将版图H恢复到原来的位置;
使用一致性检查LVS工具进行验证时,要完全通过LVS版图与电路的对比检查;
编辑好的版图通过寄生参数提取程序来提取出电路寄生参数,通过电路仿真程序调用数据来进行后仿真,从而使得后仿真结果满足设计要求,在所有验证通过后得到含低压管的模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H。
由此可见,本发明具有以下有益效果:
1、本发明基本可以消除传统设计流程可能出现的隐患,不会存在模块cellA对应的版图H或版图V设计完后大改的情况。
2、模块cellA对应的版图H和版图V的边框大小一致。由于已经提前规划好能同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域,无论低压管按竖直方向摆放还是按水平方向摆放,都不会出现需要拉大边框的情况,版图H和版图V的边框大小一致。
3、模块cellA对应的版图H和版图V的lef相同。Lef包含模块的边框信息和模块内出pin的金属的位置信息,本发明提出的设计方法可以保证lef中的这些信息相同,从而消除了lef不一致而产生的对数字PR设计的影响。
4、模块cellA对应的版图H和版图V的差异小。由于低压管内部的连线基本一致,外部的连线除了与低压管相连的连线也基本一致,版图H和版图V的差异非常小。对于对后仿真要求高的模块,版图差异小意味着后仿真结果的差异也小,保证了设计的准确性。
5、模块cellA对应的版图H和版图V的面积小且相等。通过调整版图使得低压管模块所占区域很小,为满足两种摆放方向而产生的空白处几乎为0。
6、模块cellA对应的版图H和版图V之间的转换工作量小。所需的工作量很低,只需要将低压管模块外接的连线进行修改即可,连线修改工作量小,后续验证的工作量也小。
7、增加了调用模块cellA的上层电路对应的版图设计的灵活度。由于含低压管的模块较多,有些模块只有一个摆放方向,有的又有两个摆放方向,在进行底层模块设计时不能确定是否需要设计两个版本的版图(版图V和版图H)。如果每个含低压管的模块都设计两个版本的版图,整体的工作量会很大,且会出现版图设计完成却不被使用的情况,浪费时间,拖慢项目进度。因此,由以上6个可知,在进行含低压管模块的版图设计的时候,可以按照本发明提供的设计方法先只做低压管按竖直方向摆放的版图V,使得调用模块cellA的上层电路对应的版图的版图设计更加灵活。
8、具有通用性。如果模块中全部为低压管也可以按照本发明提供的设计方法进行设计,如果模块中的低压管区域里不全为单个的低压管,而是含有低压管的模块,也可以将此模块看作是单个的低压管,然后按照本发明提供的设计方法进行设计。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1是现有技术中低压管mosL的POLY方向为竖直方向和水平方向的原理图。
图2是现有技术中含低压管mosL的模块cellA对应的版图在不同模块中的摆放方向的原理图。
图3是现有技术中传统的版图设计方法的流程图。
图4是现有技术中版图H和版图V在相互替换时出现低压管区域层次与非低压管区域层次交叠和出现空白区域的示意图。
图5是本发明一种含低压管模块的版图设计方法实施例的流程图。
图6是本发明一种含低压管模块的版图设计方法实施例的具体流程图。
图7是本发明一种含低压管模块的版图设计方法实施例中将所有的低压管区域分别建立低压管模块的原理图。
图8是本发明一种含低压管模块的版图设计方法实施例中对每个低压管模块的形状和尺寸进行调整的原理图。
图9是本发明一种含低压管模块的版图设计方法实施例中完成低压管模块的内部连线的原理图。
图10是本发明一种含低压管模块的版图设计方法实施例中计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度的原理图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
参见图5,一种含低压管模块的版图设计方法,该方法包括以下步骤:
步骤S1,将含有低压管的模块cellA的电路进行正确合理的版图布局。
步骤S2,对所有的低压管区域分别建立低压管模块,并对每个低压管进行预处理。
步骤S3,对每个低压管模块的形状和尺寸进行调整。
步骤S4,完成低压管模块的内部连线。
步骤S5,计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度。
步骤S6,确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y。
步骤S7,调整非低压管区域的布局。
步骤S8,调用低压管模块按竖直方向摆放时对应的版图。
步骤S9,完成含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V的设计。
步骤S10,将版图V另存为用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H。
步骤S11,完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。
在本实施例中,将版图V另存为用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H,包括:
打开版图H进行设计;
将所有低压管模块的版图换成按水平方向摆放时对应的版图;
修改连线以及对版图依次进行DRC-LVS-后仿真的验证工作,在所有验证通过后得到该低压管模块水平方向摆放的版图H。
在上述步骤S3中,对每个低压管模块的形状和尺寸进行调整,包括:
将低压管模块的形状调整为正方形或者接近正方形;
将不能调整为正方形或接近正方形的低压管模块的形状调整为多个相同尺寸的正方形区域拼接而成的长方形;
将形状不规则的低压管模块调整为多个不同尺寸的正方形区域拼接而成的图形。
在上述步骤S4中,在进行低压管模块内部连线时,需要分别将低压管按竖直方向和按水平方向摆放进行连线,在连线时不影响低压管模块的形状;
若对低压管模块的形状影响很大,则需要根据连线结构重新对低压管模块的形状和尺寸进行调整。
在上述步骤S5中,计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度,包括:
设置低压管模块按竖直方向摆放时的版图LV所占区域的长度为XV,高度为YV,表示为公式(1)和(2):
XV=XV0+XV1+XV2 (1)
YV=YV0+YV1+YV2 (2)
其中,XV0为版图LV内所有层次的长度,XV1为使版图LV与版图LV外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XV2为使版图LV与版图LV外右侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV0为版图LV内所有层次的高度,YV1为使版图LV与版图LV外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV2为使版图LV与版图LV外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
在上述步骤S5中,计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度,包括:设置低压管模块按水平方向摆放时的版图LH所占区域的长度为XH,高度为YH,表示为公式(3)和(4):
XH=XH0+XH1+XH2 (3)
YH=YH0+YH1+YH2 (4)
其中,XH0为版图LH内所有层次的长度,XH1为使版图LH与版图LH外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XH2为使版图LH与版图LH外右侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH0为版图LH内所有层次的高度,YH1为使版图LH与版图LH外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH2为使版图LH与版图LH外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
在上述步骤S6中,确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y,包括:
将长度XV和长度XH的大小进行对比,选取最大的长度值作为X的值;
将高度YV和高度YH的大小进行对比,选取最大的高度值作为Y的值。
在上述步骤S7中,调整非低压管区域的布局,包括:
在确定好长度X和高度Y后,通过调整非低压管区域的布局消除掉低压管区域和相邻的非低压管区域出现的层次交叠或出现大的空白区域,进而减小版图的面积。
在上述步骤S9中,完成含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V的设计,包括:
打开版图V进行设计,对版图V依次进行设计规则检查DRC、一致性检查LVS以及后仿真的验证工作,在所有的验证通过后得到含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V。
在本实施例中,修改连线以及对版图依次进行DRC-LVS-后仿真的验证工作,包括:
在将低压管模块内部的连线连好后,只需修改与低压管连接的外部走线;
在进行DRC设计规则验证时先将版图H旋转至水平方向,使得低压管模块的多晶硅POLY的方向为竖直方向,在验证完之后再将版图H恢复到原来的位置;
使用一致性检查LVS工具进行验证时,要完全通过LVS版图与电路的对比检查;
编辑好的版图通过寄生参数提取程序来提取出电路寄生参数,通过电路仿真程序调用数据来进行后仿真,从而使得后仿真结果满足设计要求,在所有验证通过后得到含低压管的模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H。
在实际应用中,如图6所示,本发明提供的一种含低压管模块的版图设计方法具体包括以下步骤:
1、根据含有低压管mosL的模块cellA的电路进行正确合理的版图布局。
其中,在进行版图布局时尽量将低压管放在一起,版图布局完之后,低压管所在的区域可能有多个,且有些区域的形状可能不规则。
2、将所有的低压管区域分别建立低压管模块。
具体的,如图7所示,本实施例假设有6个低压管区域,分别建立低压管模块L1、L2、L3、L4、L5、L6。在建立低压管模块后对每个低压管进行基本的处理:例如,如图1所示,四端口mos管的源极(S)、漏极(D)、栅极(G)的接口需加上,衬底极(B)可先不加,但要预留位置。可见,本实施例对每个低压管进行基本的处理是必要的,处理完后的低压管模块的形状和尺寸才接近于最后的形状和尺寸。
3、对低压管模块进行调整。
其中,根据已完成基本处理的低压管模块的形状和尺寸进行调整,调整的方法如下:
A、将低压管模块的形状调整为正方形或者接近正方形。如图8所示,将模块L1、L2分别由图7中的长方形调整为正方形或接近正方形;
B、将不能调整为正方形或接近正方形的模块调整为多个相同尺寸的正方形区域拼接而成的长方形。如图8所示,将模块L3调整为4个正方形区域p1按竖直方向拼接的长方形,将模块L4调整为4个正方形区域p2按水平方向拼接的长方形;
C、将形状不规则的模块调整为多个不同尺寸的正方形区域拼接而成的图形。如图8所示,将模块L5调整为1个正方形区域p3、4个正方形区域p4、1个正方形区域p5按竖直方向拼接的图形,其中,p3、p4、p5的尺寸不同;将模块L6调整为1个正方形区域p6、4个正方形区域p7、1个正方形区域p8按水平方向拼接的图形,其中,p6、p7、p8的尺寸不同。
4、完成低压管模块的内部连线。
具体的,在进行低压管模块内部连线时,需要分别将低压管按竖直方向和按水平方向摆放进行连线,连线时尽量不影响低压管模块的形状,如果对低压管模块的形状影响很大,则需要返回第3步,将连线也考虑进去,重新对低压管模块进行调整。如图9所示,L1V、L2V、L3V、L4V、L5V、L6V分别为图8中模块L1、L2、L3、L4、L5、L6的低压管按竖直方向摆放时完成内部连线的版图;L1H、L2H、L3H、L4H、L5H、L6H分别为图8中模块L1、L2、L3、L4、L5、L6的低压管按水平方向摆放时完成内部连线的版图。对于形状为正方形或接近正方形的低压管模块,如L1、L2,在完成版图L1V、L2V后直接通过旋转得到版图L1H、L2H;对于形状为非正方形或非接近正方形的低压管模块,如L3、L4、L5、L6,在完成L3V、L4V、L5V、L6V时先将每个划分的正方形区域p1、p2、p3、p4、p5、p6、p7、p8内的低压管分别按水平方向摆放后再完成所有的内部连线,尽量保证形状不变。由图9可知,L1V与L1H、L2V与L2H、L3V与L3H、L4V与L4H、L5V与L5H、L6V与L6H的形状基本一致。
5、计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度。
如图10所示,低压管模块按竖直方向摆放时的版图LV所占区域的长度为XV,高度为YV,满足公式XV=XV0+XV1+XV2和YV=YV0+YV1+YV2。其中,XV0代表版图LV内所有层次的长度,XV1代表使版图LV与版图LV外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XV2代表使版图LV与版图LV外右侧层次满足设计规则所需的最小距离。YV0代表版图LV内所有层次的高度,YV1代表使版图LV与版图LV外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV2代表使版图LV与版图LV外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
低压管模块按水平方向摆放时的版图LH所占区域的长度为XH,高度为YH,满足公式XH=XH0+XH1+XH2和YH=YH0+YH1+YH2。其中,XH0代表版图LH内所有层次的长度,XH1代表使版图LH与版图LH外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XH2代表使版图LH与版图LH外右侧层次满足设计规则所需的最小距离。YH0代表版图LH内所有层次的高度,YH1代表使版图LH与版图LH外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH2代表使版图LH与版图LH外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
6、确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y。
具体的,根据第5步计算的结果,对比XV和XH的大小,选大的那个值作为X的值,对比YV和YH的大小,选大的那个值作为Y的值。
7、调整非低压管区域的布局。
在第6步确定好长度X和高度Y后,低压管区域和相邻的非低压管区域可能出现层次交叠、或出现大的空白区域的情况,通过调整非低压管区域的布局消除掉这些交叠与空白的情况,尽可能地减小版图的面积。
8、调用低压管模块按竖直方向摆放时对应的版图;
9、完成含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V的走线及完成相关验证(DRC、LVS、后仿真等);
其中,在走线时应尽量避免在低压管模块上走线,DRC设计规则检查除了部分可以忽略的错,其他的错都要消除,LVS版图与电路对比检查要完全通过,后仿真结果要能满足设计要求,所有的验证通过后得到含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V。
10、将版图V另存为版图H用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H。
11、打开版图H进行设计。
12、将所有低压管模块的版图换成按水平方向摆放时对应的版图。
13、修改连线及相关验证(DRC、LVS、后仿真等),得到模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H。
其中,在低压管模块内部的连线都已经连好时,只需要修改与低压管连接的外部走线;在进行DRC设计规则验证时要先将版图H旋转至水平方向,使得低压管模块的多晶硅POLY的方向为竖直方向,验证做完之后再将版图H恢复到原来的位置;LVS版图与电路对比检查要完全通过,后仿真结果要能满足设计要求,所有验证通过后得到该模块水平方向摆放的版图H。
14、完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。
因此,相比较于传统的版图设计方法,本发明具有以下优势:
1、本发明提出减小工作量的方法,将低压管区域做成小模块,然后提前将模块内的内部连线完成,在进行图6中第13步修改连线时只需要将外接的连线进行修改即可,连线修改工作量减小,后续的验证的工作量也减小。
2、本发明提出最小化同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的方法,如图6中第2、第3、第4步。
3、本发明提出同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y的计算方法,如图6中的第5、第6步。通过此方法能准确确定该尺寸,能避免预留尺寸过大造成面积浪费或预留尺寸过小导致无法满足设计规则的情况。
4、本发明提出消除传统设计流程可能出现的隐患的方法,通过优化设计流程,提前确定好同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时所占的区域的长度X和高度Y,在该区域内,无论低压管按竖直方向摆放还是按水平方向摆放都能满足设计规则。确定好低压管模块所占区域的尺寸之后,非低压管区域的版图设计就可以按正常流程去完成,不用担心后续会有由低压管的摆放方向产生的大的修改。消除了图3中第6步无法实现而带来的版图H和版图V的边框大小不一致、出现浪费很大面积的情况、增加较大修改工作量等隐患。
5、本发明提出一种转移设计重点的思路,将设计重点由含低压管mosL的模块cellA对应的版图满足设计要求,转移成cellA中的低压管满足设计要求,显然后者处理起来更加简单方便。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
上述实施方式仅为本发明的优选实施方式,不能以此来限定本发明保护的范围,本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。
Claims (5)
1.一种含低压管模块的版图设计方法,其特征在于,该方法包括:
将含有低压管的模块cellA的电路进行合理的版图布局;
对所有的低压管区域分别建立低压管模块,并对每个低压管模块进行预处理,包括加上四端口mos管的源极、漏极、栅极的接口,先不加衬底极,预留衬底极的位置,处理完后的低压管模块的形状和尺寸接近于最后的形状和尺寸;
对每个低压管模块的形状和尺寸进行调整,将不能调整为正方形的低压管模块的形状调整为多个相同尺寸的正方形区域拼接而成的长方形;将形状不规则的低压管模块调整为多个不同尺寸的正方形区域拼接而成的图形;
完成低压管模块的内部连线,包括在进行低压管模块内部连线时,需要分别将低压管按竖直方向和按水平方向摆放进行连线,在连线时不影响低压管模块的形状;若对低压管模块的形状影响很大,则需要根据连线结构重新对低压管模块的形状和尺寸进行调整;对于形状为正方形的低压管模块,在完成低压管按竖直方向摆放时完成内部连线的版图后,直接通过旋转得到低压管按水平方向摆放时完成内部连线的版图;对于形状为非正方形的低压管模块,在完成低压管按竖直方向摆放时完成内部连线的版图时先将每个划分的正方形区域内的低压管分别按水平方向摆放后再完成所有的内部连线;
计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度;
确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时的版图所占的区域的长度X和高度Y;
调整非低压管区域的版图布局;
调用低压管模块按竖直方向摆放时对应的版图;
完成含低压管的模块cellA按竖直方向摆放时对应的版图V的设计;
将版图V另存为用于设计模块cellA按水平方向摆放时对应的版图H;
完成模块cellA对应的版图V和版图H的设计。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度,包括:
设置低压管模块按竖直方向摆放时的版图LV所占区域的长度为XV,高度为YV,表示为公式(1)和(2):
XV=XV0+XV1+XV2 (1)
YV=YV0+YV1+YV2 (2)
其中,XV0为版图LV内所有层次的长度,XV1为使版图LV与版图LV外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XV2为使版图LV与版图LV外右侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV0为版图LV内所有层次的高度,YV1为使版图LV与版图LV外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YV2为使版图LV与版图LV外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述计算低压管模块按不同方向摆放时的版图所占区域的长度和高度,包括:
设置低压管模块按水平方向摆放时的版图LH所占区域的长度为XH,高度为YH,表示为公式(3)和(4):
XH=XH0+XH1+XH2 (3)
YH=YH0+YH1+YH2 (4)
XH0为版图LH内所有层次的长度,XH1为使版图LH与版图LH外左侧层次满足设计规则所需的最小距离,XH2为使版图LH与版图LH外右侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH0为版图LH内所有层次的高度,YH1为使版图LH与版图LH外下侧层次满足设计规则所需的最小距离,YH2为使版图LH与版图LH外上侧层次满足设计规则所需的最小距离。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述确定同时满足低压管模块按竖直方向摆放和按水平方向摆放时的版图所占的区域的长度X和高度Y,包括:
将长度XV和长度XH的大小进行对比,选取最大的长度值作为X的值;
将高度YV和高度YH的大小进行对比,选取最大的高度值作为Y的值。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述调整非低压管区域的版图布局,包括:
在确定长度X和高度Y后,通过调整非低压管区域的版图布局消除掉低压管区域和相邻的非低压管区域出现的层次交叠或出现大的空白区域,减小版图LV、LH的面积。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211144228.9A CN115455892B (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 一种含低压管模块的版图设计方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115455892A CN115455892A (zh) | 2022-12-09 |
CN115455892B true CN115455892B (zh) | 2023-06-13 |
Family
ID=84304269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211144228.9A Active CN115455892B (zh) | 2022-09-20 | 2022-09-20 | 一种含低压管模块的版图设计方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115455892B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114048700A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-02-15 | 程韬 | 一种半导体芯片版图的设计方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101923595B (zh) * | 2010-08-25 | 2012-10-24 | 清华大学 | 模拟集成电路版图寄生器件提取系统及方法 |
US20170162559A1 (en) * | 2015-12-07 | 2017-06-08 | Dumitru Nicolae LESENCO | Integrated vertical sharp transistor and fabrication method thereof |
CN111079368B (zh) * | 2019-08-23 | 2023-06-09 | 上海东软载波微电子有限公司 | 电平移位电路版图设计方法及装置、介质 |
CN114036889A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-02-11 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 标准单元库边缘单元的版图布局设计方法 |
CN114611451A (zh) * | 2022-03-10 | 2022-06-10 | 成都复锦功率半导体技术发展有限公司 | 一种半导体版图设计方法及其制备芯片、终端 |
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2022
- 2022-09-20 CN CN202211144228.9A patent/CN115455892B/zh active Active
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---|---|---|---|---|
CN114048700A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-02-15 | 程韬 | 一种半导体芯片版图的设计方法 |
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Publication number | Publication date |
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CN115455892A (zh) | 2022-12-09 |
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