CN115421334A - 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器 - Google Patents

阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN115421334A
CN115421334A CN202211148646.5A CN202211148646A CN115421334A CN 115421334 A CN115421334 A CN 115421334A CN 202211148646 A CN202211148646 A CN 202211148646A CN 115421334 A CN115421334 A CN 115421334A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
pixel electrode
array substrate
resistance layer
color resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202211148646.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115421334B (zh
Inventor
熊子尧
郑浩旋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN202211148646.5A priority Critical patent/CN115421334B/zh
Publication of CN115421334A publication Critical patent/CN115421334A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN115421334B publication Critical patent/CN115421334B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136222Colour filters incorporated in the active matrix substrate
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136277Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开一种阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器。其中,阵列基板包括衬底、色阻层以及像素电极,色阻层设于衬底的一侧,像素电极设于色阻层上,色阻层背离衬底的一侧设有沟壑,沟壑的侧壁与衬底呈锐角设置,像素电极覆盖沟壑的表面。本发明技术方案通过在色阻层上设置有沟壑,沟壑的侧壁与衬底之间呈锐角设置,且像素电极覆盖沟壑的表面,则使得像素电极呈阶梯状,从而使得站位于像素电极上的多个液晶具有不同的站位角度,即多个液晶具有不同的朝向,从而可以扩大观看视角。另外,可以理解的是,还可以避免对像素电极进行拆分而需增加新的公共电极的设计,进而可以避免在使用时影响开口率和修补成功率的风险。

Description

阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,特别涉及一种阵列基板、阵列基板的制备方法、应用该阵列基板的显示面板及应用该显示面板的显示器。
背景技术
在显示器技术领域中,显示设备包括相对设置的两个基板,两个基板之间夹设有液晶,其中一个基板上还设有色阻层,透明导电层设于色阻层背离基板的一侧设有像素电极,该像素电极与另一基板之间夹设有液晶,即液晶站在像素电极上,在两个基板上的电压形成压差时,液晶发生偏转,从而使光能够穿透。
但是传统的像素电极仅仅在其边缘设有坡脚,从而仍然会使得视角不够大。或者,通过将一个像素电极拆分为主像素电极和亚像素电极,并使得主像素电极和亚像素电极的电压不同,从而使得液晶偏转程度存在一定差异继而形成大视角效果。但是这种设计需要增加新的公共电极的设计,进而会使得开口率或修补成功率受到影响。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种阵列基板,旨在不影响开口率的前提下增大显示设备的视角。
为实现上述目的,本发明提出的阵列基板包括衬底、色阻层以及像素电极,所述色阻层设于所述衬底的一侧,所述像素电极设于所述色阻层上,所述色阻层背离所述衬底的一侧设有沟壑,所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置,所述像素电极覆盖所述沟壑的表面。
在一实施例中,所述沟壑设有多条,多条所述沟壑形成枝状结构,所述像素电极在所述衬底的投影形状与多条所述沟壑形成的形状相同。
在一实施例中,所述像素电极的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
在一实施例中,所述沟壑的侧壁与衬底的锐角不同于所述像素电极的侧壁与所述衬底的锐角。
在一实施例中,定义所述沟壑远离所述衬底的一侧的开口的宽度尺寸为D1,定义所述像素电极背离所述衬底的一侧在所述衬底上的投影宽度为D2,0.6≤D1/D2≤0.8。
本发明还提出一种基于上述阵列基板的制备方法,所述阵列基板的制备方法包括:
准备衬底,在所述衬底上铺设色阻层;
利用光罩对所述色阻层进行蚀刻,以使色阻层上形成有沟壑,且所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置;
铺设像素电极,并使所述像素电极覆盖所述沟壑的内表面。
在一实施例中,所述利用光罩对所述色阻层进行蚀刻,以使色阻层上形成有沟壑,且所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置的步骤包括:
在所述色阻层上划分半透膜区;
利用半透膜光罩对所述半透膜区进行蚀刻,以使所述半透膜区形成有沟壑,且所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
在一实施例中,所述铺设像素电极,并使所述像素电极覆盖所述沟壑的内表面的步骤之后包括:
对所述像素电极的侧壁进行蚀刻,以使所述像素电极的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
本发明还提出一种显示面板,其特征在于,包括对置基板、液晶以及上述的阵列基板,所述对置基板与所述阵列基板对盒设置,所述液晶夹设于所述对置基板与所述阵列基板之间。
本发明还提出一种显示器,其特征在于,包括背光模组和上述的显示面板,所述背光模组设于所述阵列基板背离所述对置基板的一侧。
本发明技术方案通过在色阻层上设置有沟壑,沟壑的侧壁与衬底之间呈锐角设置,且像素电极覆盖沟壑的表面,则使得像素电极呈阶梯状,从而使得站位于像素电极上的多个液晶具有不同的站位角度,即多个液晶具有不同的朝向,从而可以扩大观看视角。另外,可以理解的是,还可以避免对像素电极进行拆分而需增加新的公共电极的设计,进而可以避免在使用时影响开口率和修补成功率的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明实施例一的阵列基板的剖面结构示意图;
图2为本发明实施例一的阵列基板中衬底和色阻层的剖面结构示意图;
图3为本发明实施例一的阵列基板的部分俯视图;
图4为本发明实施例二的阵列基板的制备方法的一流程示意图;
图5为本发明实施例二的阵列基板的制备方法中步骤200的细化步骤流程示意图;
图6为本发明实施例二的阵列基板的制备方法的另一流程示意图;
图7为本发明实施例三的显示面板的剖面结构示意图;
图8为本发明实施例四的显示器的剖面结构示意图。
附图标号说明:
标号 名称 标号 名称
100 阵列基板 110 衬底
120 色阻层 121 沟壑
130 像素电极 200 对置基板
300 液晶 400 背光模组
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……),则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例一:
本发明提出一种阵列基板100。
在本发明实施例中,如图1所示,该阵列基板100包括衬底110、色阻层120以及像素电极130,色阻层120设于衬底110的一侧,像素电极130设于色阻层120上,色阻层120背离衬底110的一侧设有沟壑121,沟壑121的侧壁与衬底110呈锐角设置,像素电极130覆盖沟壑121的表面。
色阻层120包括多种颜色的色阻本体,例如包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻,色阻层120背离衬底110的一侧设有像素电极130,为了实现较高的透光率,像素电极130可采用ITO(Indium Tin Oxides,氧化铟锡)电极,从而与阵列基板100上的薄膜晶体管的漏极相连。通常情况下该像素电极130为阵列基板100上制备的最后一道工序,结合图7所示,当阵列基板100与显示面板中的对置基板200对盒设置时,设于阵列基板100与对置基板200之间的液晶300会站位在像素电极130上。可以理解的是,当阵列基板100上的电压与对置基板200上的电压之间形成压差时,夹设于二者之间的液晶300会发生偏转,使光可以穿透,而光的传播为直线传播,若所有的液晶300站位角度一致,则偏转后所有的液晶300站位角度仍然是一致的,此时只能在特定的视角范围内观看到画面,而其他视角难以观察到画面,或者其他视角观看画面时会出现观看的画面颜色异常的现象。为了达到在不同方向观察显示面板都可以看到同样色彩的画面,本发明通过将设于像素电极130上的多个液晶300具有多个不同角度的站位,从而使得液晶300的朝向不同,使得显示面板具有更大的视角。
具体地,本发明通过在色阻层120背离衬底110的一侧设有沟壑121,沟壑121的侧壁与衬底110呈锐角设置,则当像素电极130覆盖沟壑121的表面时,像素电极130的至少部分也与衬底110呈锐角设置,从而使得多个液晶300中的至少一部分站位于像素电极130覆盖沟壑121侧壁的区域,还有一部分液晶300站位于像素电极130覆盖沟壑121底壁的区域,甚至当像素电极130的部分区域覆盖色阻背离衬底110一侧的表面时,还有一部分液晶300站位于像素电极130覆盖色阻背离衬底110一侧的区域,从而使得多个液晶300具有不同角度的站位,即使得液晶300的朝向不同,从而使得应用该阵列基板100的显示器具有更大的视角。
进一步地,沟壑121相对两侧的侧壁的倾斜方向不同或者倾斜角度不同,进而使得站位在沟壑121相对的两侧的侧壁上的液晶300的朝向不同,进而进一步扩大了观看视角。其中沟壑121的侧壁表面可呈平直的表面,沟壑121的开口在由衬底110至像素电极130的方向逐渐增大。或者沟壑121的侧壁可呈阶梯状,不同级台阶上连接的侧壁的倾角不同,从而使得液晶300的站位角度更加丰富,使得多个液晶300朝向更多不同的方向,进一步扩大了观看视角。另外,相对于传统的为了扩大观看视角而将像素电极130进行拆分成主像素和亚像素而需对应增加公共电极的方案,本发明技术方案无需新增公共电极,因此不会对开口率和修补成功率有影响。
本发明技术方案通过在色阻层120上设置有沟壑121,沟壑121的侧壁与衬底110之间呈锐角设置,且像素电极130覆盖沟壑121的表面,则使得像素电极130呈阶梯状,从而使得站位于像素电极130上的多个液晶300具有不同的站位角度,即多个液晶300具有不同的朝向,从而可以扩大观看视角。另外,可以理解的是,还可以避免对像素电极130进行拆分而需增加新的公共电极的设计,进而可以避免在使用时影响开口率和修补成功率的风险。
进一步地,请结合参照图2和图3,沟壑121设有多条,多条沟壑121形成枝状结构,像素电极130在衬底110的投影形状与多条沟壑121形成的形状相同。
通常情况下像素电极130呈枝状结构,本实施例中通过将多条沟壑121也形成枝状结构,且多条沟壑121形成的形状与像素电极130在衬底110的投影形状相同,则使得多条沟壑121形成的形状与像素电极130的形状一致,从而避免出现多余的沟壑121或者出现像素电极130无法覆盖沟壑121的表面而使得沟壑121结构被浪费的情况。
进一步地,请结合参照图1和图7,像素电极130的侧壁与衬底110呈锐角设置。
通过将像素电极130的侧壁与衬底110呈锐角设置,则使得像素电极130本身也具有坡脚结构,从而使得站位于像素电极130侧壁表面的液晶300的朝向与其他位置的液晶300朝向不同,从而进一步扩大了液晶300站位角度的范围,实现增大观看视角的效果。
进一步地,请结合参照图1和图7,沟壑121的侧壁与衬底110的锐角不同于像素电极130的侧壁与衬底110的锐角。
如此设置,则使得站位于像素电极130侧壁的液晶300与站位于像素电极130覆盖沟壑121侧壁的区域的液晶300朝向不同,且位于这两处位置的液晶300又均与位于像素电极130覆盖色阻层120背离衬底110的平直表面的区域的液晶300朝向不同,因此本实施例中的液晶300具有更多的朝向,从而进一步增大了观看视角。
当然,可以理解的是,当无需如此大视角的情况下,像素电极130的侧壁可与衬底110呈垂直设置,即像素电极130的侧壁无坡脚;或者像素电极130的侧壁与衬底110的夹角等同于沟壑121的侧壁与衬底110的夹角。
进一步地,如图1所示,定义沟壑121远离衬底110的一侧的开口的宽度尺寸为D1,定义像素电极130背离衬底110的一侧在衬底110上的投影宽度为D2,0.6≤D1/D2≤0.8。
如此设置,则沟壑121的开口小于像素电极130的宽度,从而可以使得像素电极130能够完全覆盖沟壑121的表面,避免像素电极130在沟壑121内部而出现液晶300接触不到像素电极130的风险。具体地,D1/D2可以为0.6、0.65、0.7、0.75、0.8。通过将D1/D2设置为不小于0.6,则避免沟壑121的开口较小而使得沟壑121的侧壁接近于竖直设置,进而避免液晶300分子难以站位于沟壑121的侧壁、进而难以实现增大观看视角的风险。通过将D1/D2设置为不大于0.8,则使得沟壑121的开口不会过大,进而避免像素电极130偏离沟壑121。
实施例二:
本发明还提出一种阵列基板的制备方法,该阵列基板的制备方法中的阵列基板的具体结构参照上述实施例一种阵列基板的结构,由于本阵列基板的制备方法中的阵列基板采用了上述实施例一的全部技术方案,因此至少具有上述实施例一的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。其中,如图4所示,阵列基板的制备方法包括:
步骤10:准备衬底110,在所述衬底110上铺设色阻层120。
衬底110可以为玻璃基板或者石英基板或者其他有机塑料基板。另外,衬底还可以为刚性基板或者可挠性基板。在衬底110上铺设色阻层120时,该色阻层120可包括红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
步骤20:利用光罩对所述色阻层120显影,以使色阻层120上形成有沟壑121,且所述沟壑121的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
通过利用光罩对色阻层120进行蚀刻,则使得色阻层120上形成有沟壑121。为了使得沟壑121的侧壁与衬底呈锐角设置,光罩可采用半透膜光罩,该半透膜光罩可以设计灰阶区,根据灰阶的不同,使光透过的程度不同,对色阻呈现不同程度的弱曝,使得色阻不同位置被蚀刻的厚度不同,进而可以实现在色阻上形成沟壑121,且沟壑121的侧壁与衬底呈锐角设置的效果。具体地,色阻的特性为紫外线照射时,其被紫外线照射的区域不被显影液去除,而在对应半透膜光罩的半透膜区的色阻因照到的光强较差,因此可以导致该处的色阻在显影后被洗去。
步骤30:铺设像素电极130,并使所述像素电极130覆盖所述沟壑121的内表面。
在铺设像素电极130时,该像素电极130可对应沟壑121的位置和形状进行铺设,从而使得像素电极130能够覆盖沟壑121的内表面。
本发明的阵列基板的制备方法,通过先在衬底上铺设色阻层120,然后利用光罩对色阻层120进行蚀刻,则使得色阻层120形成有沟壑121结构,且沟壑121的侧壁与衬底呈锐角设置。基于色阻层120形成有上述沟壑121的步骤,进一步地便于当铺设像素电极130时,部分像素电极130能够流进沟壑121内以覆盖沟壑121的内表面,从而使得站位于像素电极130上的液晶具有不同的朝向,从而可以扩大观看视角。另外,可以理解的是,还可以避免对像素电极130进行拆分而需增加新的公共电极的设计,进而可以避免在使用时影响开口率和修补成功率的风险。
进一步地,如图5所示,所述利用光罩对所述色阻层120进行蚀刻,以使色阻层120上形成有沟壑121,且所述沟壑121的侧壁与所述衬底呈锐角设置的步骤包括:
步骤210:在所述色阻层120上划分半透膜区。
步骤220:利用半透膜光罩对所述半透膜区进行蚀刻,以使所述半透膜区形成有沟壑121,且所述沟壑121的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
通过在色阻层120上划分半透膜区,则便于用户得知将光罩对准色阻的哪个位置以便进行沟壑121的蚀刻。当划分好半透膜区后,利用半透膜光罩对半透膜区进行蚀刻,从而使得半透膜区形成有沟壑121,且使得沟壑121的侧壁与衬底呈锐角设置。半透膜光罩可以设计灰阶区,根据灰阶的不同,使光透过的程度不同,对色阻呈现不同程度的弱曝,使得色阻不同位置被蚀刻的厚度不同,进而可以实现在色阻上形成沟壑121,且沟壑121的侧壁与衬底呈锐角设置的效果。具体地,色阻的特性为紫外线照射时,其被紫外线照射的区域不被显影液去除,而在对应半透膜光罩的半透膜区的色阻因照到的光强较差,因此可以导致该处的色阻在显影后被洗去。
进一步地,如图6所示,所述铺设像素电极130,并使所述像素电极130覆盖所述沟壑121的内表面的步骤之后包括:
步骤40:对所述像素电极130的侧壁进行蚀刻,以使所述像素电极130的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
当对像素电极130的侧壁进行蚀刻以使得其侧壁与衬底成锐角设置时,也可采用光罩对像素电极130的侧壁进行蚀刻。像素电极130上被光透过光罩照射到的位置会被蚀刻掉。具体地,光罩在对应像素电极130的侧壁的位置可开设有狭缝,当光通过狭缝照射至像素电极130时具有衍射作用,因此可以对像素电极130的侧壁进行蚀刻,且使得像素电极130的侧壁与衬底呈锐角设置。
通过将像素电极130的侧壁与衬底呈锐角设置,则使得像素电极130本身也具有坡脚结构,从而使得站位于像素电极130侧壁表面的液晶的朝向与其他位置的液晶朝向不同,从而进一步扩大了液晶站位角度的范围,实现增大观看视角的效果。
实施例三:
本发明还提出一种显示面板,如图7所示,该显示面板包括对置基板200、液晶300以及阵列基板100,该阵列基板100的具体结构参照上述实施例一种阵列基板100的结构,由于本显示面板采用了上述实施例一的全部技术方案,因此至少具有上述实施例一的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。其中,对置基板200与阵列基板100对盒设置,液晶300夹设于对置基板200与阵列基板100之间。
对置基板200与阵列基板100对盒设置,当阵列基板100与对置基板200提供的电压具有压差时,则夹设于对置基板200与阵列基板100之间的液晶300会发生偏转,进而使得光透过液晶300进行直线传播。由于本实施例中的显示面板包括上述实施例一种的阵列基板100,因此站位于阵列基板100上不同朝向的液晶300在压差作用下发生偏转后仍然具有不同的朝向,进而实现了增大观看视角的效果。
实施例四:
本发明还提出一种显示器,如图8所示,该显示器包括背光模组400和显示面板,该显示面板的具体结构参照上述实施例三,由于本显示面板采用了上述实施例三的全部技术方案,因此至少具有上述实施例三的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。其中,背光模组400设于阵列基板100背离对置基板200的一侧。
背光模组400用以提供光线,背光模组400设于阵列基板100背离对置基板200的一侧,则使得背光模组400发出的光线能够首先经过阵列基板100,然后通过液晶300照射到对置基板200上,进而实现能够供用户观看到该显示器的屏幕画面的效果。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板,包括衬底、色阻层以及像素电极,所述色阻层设于所述衬底的一侧,所述像素电极设于所述色阻层上,其特征在于,所述色阻层背离所述衬底的一侧设有沟壑,所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置,所述像素电极覆盖所述沟壑的表面。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述沟壑设有多条,多条所述沟壑形成枝状结构,所述像素电极在所述衬底的投影形状与多条所述沟壑形成的形状相同。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述像素电极的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述沟壑的侧壁与衬底的锐角不同于所述像素电极的侧壁与所述衬底的锐角。
5.如权利要求1至4中任意一项所述的阵列基板,其特征在于,定义所述沟壑远离所述衬底的一侧的开口的宽度尺寸为D1,定义所述像素电极背离所述衬底的一侧在所述衬底上的投影宽度为D2,0.6≤D1/D2≤0.8。
6.一种基于如权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法包括:
准备衬底,在所述衬底上铺设色阻层;
利用光罩对所述色阻层进行蚀刻,以使色阻层上形成有沟壑,且所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置;
铺设像素电极,并使所述像素电极覆盖所述沟壑的内表面。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述利用光罩对所述色阻层进行蚀刻,以使色阻层上形成有沟壑,且所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置的步骤包括:
在所述色阻层上划分半透膜区;
利用半透膜光罩对所述半透膜区进行蚀刻,以使所述半透膜区形成有沟壑,且所述沟壑的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
8.如权利要求6所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述铺设像素电极,并使所述像素电极覆盖所述沟壑的内表面的步骤之后包括:
对所述像素电极的侧壁进行蚀刻,以使所述像素电极的侧壁与所述衬底呈锐角设置。
9.一种显示面板,其特征在于,包括对置基板、液晶以及如权利要求1至5中任意一项所述的阵列基板,所述对置基板与所述阵列基板对盒设置,所述液晶夹设于所述对置基板与所述阵列基板之间。
10.一种显示器,其特征在于,包括背光模组和如权利要求9所述的显示面板,所述背光模组设于所述阵列基板背离所述对置基板的一侧。
CN202211148646.5A 2022-09-20 2022-09-20 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器 Active CN115421334B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211148646.5A CN115421334B (zh) 2022-09-20 2022-09-20 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211148646.5A CN115421334B (zh) 2022-09-20 2022-09-20 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115421334A true CN115421334A (zh) 2022-12-02
CN115421334B CN115421334B (zh) 2024-09-20

Family

ID=84204143

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211148646.5A Active CN115421334B (zh) 2022-09-20 2022-09-20 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN115421334B (zh)

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040080778A (ko) * 2003-03-13 2004-09-20 삼성전자주식회사 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판
CN1806195A (zh) * 2003-06-11 2006-07-19 夏普株式会社 液晶显示装置
JP2006243494A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Sharp Corp 液晶表示装置
KR20070078240A (ko) * 2006-01-26 2007-07-31 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 형성 방법
KR20070109092A (ko) * 2006-05-09 2007-11-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수직 배향 모드 액정표시장치용 컬러필터 기판과 그제조방법
JP2009015160A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Sony Corp 液晶表示装置および液晶表示パネル
CN101799597A (zh) * 2009-02-09 2010-08-11 三星电子株式会社 显示器件及其制造方法
CN102402042A (zh) * 2011-11-02 2012-04-04 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN104503159A (zh) * 2014-12-17 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制备方法
CN204331229U (zh) * 2014-12-03 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 液晶屏
CN106873263A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107942589A (zh) * 2017-11-07 2018-04-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素单元、阵列基板及显示面板
CN110018596A (zh) * 2019-04-08 2019-07-16 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及电子装置
CN111983856A (zh) * 2020-08-10 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
CN113504680A (zh) * 2021-06-29 2021-10-15 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040080778A (ko) * 2003-03-13 2004-09-20 삼성전자주식회사 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판
CN1806195A (zh) * 2003-06-11 2006-07-19 夏普株式会社 液晶显示装置
JP2006243494A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Sharp Corp 液晶表示装置
KR20070078240A (ko) * 2006-01-26 2007-07-31 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 형성 방법
KR20070109092A (ko) * 2006-05-09 2007-11-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 수직 배향 모드 액정표시장치용 컬러필터 기판과 그제조방법
JP2009015160A (ja) * 2007-07-06 2009-01-22 Sony Corp 液晶表示装置および液晶表示パネル
CN101799597A (zh) * 2009-02-09 2010-08-11 三星电子株式会社 显示器件及其制造方法
CN102402042A (zh) * 2011-11-02 2012-04-04 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN204331229U (zh) * 2014-12-03 2015-05-13 京东方科技集团股份有限公司 液晶屏
CN104503159A (zh) * 2014-12-17 2015-04-08 深圳市华星光电技术有限公司 液晶面板及其制备方法
CN106873263A (zh) * 2017-01-18 2017-06-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN107942589A (zh) * 2017-11-07 2018-04-20 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种像素单元、阵列基板及显示面板
CN110018596A (zh) * 2019-04-08 2019-07-16 成都中电熊猫显示科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及电子装置
CN111983856A (zh) * 2020-08-10 2020-11-24 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
CN113504680A (zh) * 2021-06-29 2021-10-15 惠科股份有限公司 阵列基板、阵列基板的制作方法和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN115421334B (zh) 2024-09-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3599663B2 (ja) 広視野角液晶ディスプレイとその製造方法
US10254595B2 (en) Liquid crystal display and panel therefor
EP1655632B1 (en) Thin film transistor array panel
US6522375B1 (en) Reflection type liquid crystal display and a method for fabricating the same
TWI383234B (zh) 薄膜電晶體陣列面板及該薄膜電晶體陣列面板之製造方法
JP4921701B2 (ja) 多重ドメイン液晶表示装置及びその薄膜トランジスタ基板
JP4791099B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板
WO2018176629A1 (zh) 显示面板及其制造方法
TWI228187B (en) MVA-LCD device with color filters on a TFT array substrate
US6798471B2 (en) Liquid crystal display
US20060192906A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
CN103140797B (zh) 液晶显示面板用基板的制造方法和光掩膜
US20060126004A1 (en) Thin film transistor array panel and repairing method therefor
CN113341605B (zh) 显示面板和显示装置
CN110361886B (zh) 一种彩膜基板、液晶显示板及显示装置
US8466863B2 (en) Liquid crystal display and method for manufacturing the same
JPH1138426A (ja) 液晶表示装置
WO2021184186A1 (zh) 阵列基板及显示装置
KR20150110962A (ko) 액정 표시 장치
KR101542396B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN115421334A (zh) 阵列基板、阵列基板的制备方法、显示面板及显示器
WO2021017298A1 (zh) 显示面板及其制备方法
JP2004301960A (ja) 液晶表示パネル
KR101222973B1 (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN109709727B (zh) 一种显示面板及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant