JP2009015160A - 液晶表示装置および液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】液晶表示パネル内に傾斜部が存在する場合であっても、高いコントラスト比を実現することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ基板２１の表面に形成された傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域の少なくとも一部分に、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａを設ける。傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域における配向膜２４１の傾斜に起因して液晶層２５の液晶分子２６が傾斜配向している場合であっても、バックライト部３０から発せられた光Ｌoutが、補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａにおいて遮蔽される。これにより、傾斜部４７−１〜４７−４の付近における液晶分子２６の黒表示時の光漏れが、従来と比べて低減する。
【選択図】図３

Description

本発明は、特定の方向に配向させた液晶分子を利用して映像表示を行う液晶表示装置およびそのような液晶表示装置に適用される液晶表示パネルに関する。

近年、液晶テレビやノート型パソコン、カーナビゲーション等の表示モニタとして、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が多く用いられている。液晶ディスプレイは、そのパネル基板間での分子配列によって様々なモード（方式）に分類され、例えば、電圧をかけない状態での液晶分子がねじれて配向してなるＴＮ（Twisted Nematic；ねじれネマティック）モードがよく知られている。このＴＮモードでは、液晶分子が正の誘電率異方性、すなわち分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて大きい性質を有しており、基板の面に対して平行な面内において液晶分子の配向方位を順次回転させつつ、基板の面に垂直な方向に整列させた構造となっている。

この一方で、電圧をかけない状態での液晶分子が基板の面に対して垂直に配向してなるＶＡ（Vertical Alignment）モードを用いた液晶ディスプレイが提案されている（例えば、特許文献１）。この垂直配向型のＶＡモードでは、液晶分子が負の誘電率異方性、すなわち分子の長軸方向の誘電率が短軸方向に比べて小さい性質を有しており、ＴＮモードに比べて広視野角を実現できる。

このようなＶＡモードの液晶ディスプレイでは、電圧が印加されると、基板に垂直に配向していた液晶分子が、負の誘電率異方性により、基板に対して平行な方向に倒れるように応答することにより、光を透過させる構成となっている。ところが、基板に対して垂直方向に配向した液晶分子の倒れる方向（電圧印加時のダイレクタ）は任意であるため、電圧印加により液晶分子の配向が乱れ、電圧に対する応答特性を悪化させる要因となっていた。

そこで、電圧に応答して倒れる方向の規制手段として、基板の対向面側に傾斜面を有する絶縁性の突起物を一定間隔で設けることにより、液晶分子を基板と垂直な方向から特定の方向に傾けて配向させる技術が開示されている。しかしながら、この技術を用いると、突起物上の液晶分子は基板面から傾いて配向しているため、複屈折が生じることにより黒表示である電圧オフ時に光漏れが起こり、コントラスト比の低下を招いてしまう。

このため、別の規制手段として、基板の対向面に設けられる画素電極や、これに対向する電極の一部にスリット（電極のない部分）を設けることにより、液晶分子に対して斜めに電圧を印加して（斜め電界により）液晶の配向方向を制御する方式が提案されている。この方式は、黒表示である電圧オフ時に複屈折が生じないため、高コントラストな液晶ディスプレイを実現することができる。

特開平１１−２４２２２５号公報

しかしながら、液晶ディスプレイのパネル（液晶表示パネル）内には、補助容量電極のコンタクト部や、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）素子のドレイン電極と画素電極との間のコンタクト部など、さまざまな段差（傾斜部）が存在する。したがって、液晶の配向方向の規制手段としての突起物が設けられてない場合であっても、このような傾斜部では液晶分子が基板面に対して傾斜配向しているため、複屈折により黒表示時に光漏れが生じてしまい、やはりコントラスト比の低下を招いてしまうことになる。

このように従来の技術では、液晶表示パネル内に傾斜部が存在すると、液晶分子はその傾斜面に対して垂直に配向するため、高いコントラスト比を示す液晶ディスプレイを実現するのが困難であった。なお、このような傾斜部の存在に起因したコントラスト比の低下は、垂直配向型の液晶ディスプレイには限られず、水平配向型の液晶ディスプレイにおいても同様に生じるものである。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、液晶表示パネル内に傾斜部が存在する場合であっても、高いコントラスト比を実現することが可能な液晶表示装置および液晶表示パネルを提供することにある。

本発明の液晶表示装置は、光源と、この光源から発せられる光を変調することにより映像を表示する液晶表示パネルとを備えたものである。ここで、この液晶表示パネルは、互いに対向配置された一対の基板と、これら一対の基板の対向する面に設けられた一対の電極と、一対の基板のうちの一の基板側に設けられたＴＦＴ素子と、一対の電極の対向する面に設けられた一対の配向膜と、これら一対の配向膜間に封止された液晶層とを有するものである。また、上記一の基板の表面に、傾斜部を有する凹部が形成されていると共に、この傾斜部に対応する領域の少なくとも一部分に、光源から発せられた光を遮蔽するための遮蔽部が設けられている。

本発明の液晶表示パネルは、光を変調することにより映像を表示するものであって、互いに対向配置された一対の基板と、これら一対の基板の対向する面に設けられた一対の電極と、一対の基板のうちの一の基板側に設けられたＴＦＴ素子と、一対の電極の対向する面に設けられた一対の配向膜と、これら一対の配向膜間に封止された液晶層とを有するものである。また、上記一の基板の表面に、傾斜部を有する凹部が形成されていると共に、この傾斜部に対応する領域の少なくとも一部分に、光源から発せられた光を遮蔽するための遮蔽部が設けられている。

本発明の液晶表示装置および液晶表示パネルでは、一の基板の表面に形成された傾斜部に対応する領域の少なくとも一部分に遮蔽部が設けられているため、この傾斜部に対応する領域における配向膜の傾斜に起因して液晶層の液晶分子が傾斜配向している場合であっても、液晶表示パネル内に入射した光が、遮蔽部において遮蔽される。これにより、液晶の複屈折による電圧オフ時の光漏れが、従来よりも低減される。

本発明の液晶表示装置または液晶表示パネルによれば、一の基板の表面に形成された傾斜部に対応する領域の少なくとも一部分に遮蔽部を設けるようにしたので、液晶層の液晶分子が傾斜配向している場合であっても、液晶表示パネル内に入射した光を遮蔽し、液晶の複屈折による電圧オフ時の光漏れを従来よりも低減することができる。よって、液晶表示パネル内に傾斜部が存在する場合であっても、高いコントラスト比を実現することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置（液晶表示装置１）の全体の機能ブロック構成を表すものである。この液晶表示装置１は、液晶表示パネル２と、バックライト部３０と、画像処理部３１と、フレームメモリ３２と、ゲートドライバ３３と、データドライバ３４と、タイミング制御部３５と、バックライト駆動部３６とを備えている。

バックライト部３０は、液晶表示パネル２に光を照射する光源であり、例えば、ＣＣＦＬ（Cold Cathode Fluorescent Lamp：冷陰極傾向ランプ）や、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）などを含んで構成されている。

液晶表示パネル２は、ゲートドライバ３３から供給される駆動信号に従って、データドライバ３４から伝達される映像信号に基づき、バックライト３０から発せられる光を変調して映像表示を行うものであり、マトリクス状に配置された複数の画素４を有し、これらの画素４ごとに駆動が行われるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルである。なお、この画素４の詳細な構成については後述する。

画像処理部３１は、外部からの映像信号Ｄinに対して所定の画像処理を施すことにより、ＲＧＢ信号である映像信号を生成するものである。

フレームメモリ３２は、画像処理部３１から供給される映像信号をフレーム単位で画素４ごとに記憶するものである。

ゲートドライバ３３は、タイミング制御部３５によるタイミング制御に従って、液晶表示パネル２内の各画素４を図示しない走査線（ゲート線）に沿って線順次駆動するものである。データドライバ３４は、液晶表示パネル２の各画素４へそれぞれ、フレームメモリ３２に記憶されている映像信号に基づく駆動電圧を供給するものである。

バックライト駆動部３６は、タイミング制御部３５のタイミング制御に従って、バックライト部３０の点灯動作を制御するものである。

タイミング制御部３５は、ゲートドライバ３３、データドライバ３４およびバックライト駆動部３６の駆動タイミングを制御するものである。

次に、図２〜図４を参照して、各画素４の詳細構成について説明する。ここで、図２は１つの画素４内の平面構成を表したものであり、図２（Ａ）は後述するＴＦＴ基板（ＴＦＴ基板２１）側の平面構成を、図２（Ｂ）は後述する対向基板（対向基板２７）側の平面構成を、それぞれ表している。また、図３は、図２（Ａ），図２（Ｂ）のＩＩ−ＩＩ線における矢視断面図である。

図２（Ａ）に示したように、各画素４のＴＦＴ基板側には、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明性を有する２つの画素電極４１Ａ，４１Ｂが配置されている。これら画素電極４１Ａ，４１Ｂ間には、斜め電界を発生させて電圧印加時の液晶分子ダイレクタを制御するためのスリットが設けられている。また、画素電極４１Ａ，４１Ｂにはそれぞれ、ＴＦＴ素子４２Ａ，４２Ｂが対応して配置されている。ＴＦＴ素子４２Ａにはゲート線Ｇおよびデータ線Ｄ１が接続され、映像信号に基づく電圧が画素電極４１Ａに印加されるようになっている。一方、ＴＦＴ素子４２Ｂにはゲート線Ｇおよびデータ線Ｄ２が接続され、映像信号に基づく電圧が画素電極４１Ｂに印加されるようになっている。また、補助容量線Ｃｓには、画素電極４１Ａ，４１Ｂに対応してそれぞれ補助容量電極４４Ａ，４４Ｂが形成されており、補助容量が構成されるようになっている。これら補助容量電極４４Ａ，４４Ｂと画素電極４１Ａ，４１Ｂとの間はそれぞれ、コンタクト部４５−２，４５−３によって電気的に接続されている。なお、ＴＦＴ素子４２Ａのドレイン電極４３Ａと画素電極４１Ａとの間は、コンタクト部４５−１によって電気的に接続されており、ＴＦＴ素子４２Ｂのドレイン電極４３Ｂと補助容量電極４４Ｂとの間は、配線Ｌ１によって電気的に接続されている。

一方、図２（Ｂ）に示したように、各画素４の対向基板側には、各画素４に共通の対向電極４６が配置されている。この対向電極４６も例えばＩＴＯ等の透明性を有する電極であり、画素電極４１Ａ，４１Ｂと同様に、斜め電界を発生させて電圧印加時の液晶分子ダイレクタを制御するためのスリットが設けられている。ただし、画素電極４１Ａ，４１Ｂ間のスリットと対向電極４６のスリットとは、互いに基板間で対向しないように交互に配置される。これにより、画素電極４１Ａ，４１Ｂと対向電極４６との間に駆動電圧が印加されると、後述する液晶分子の長軸に対して斜めに電界がかかることで、電圧に対する応答速度が向上すると共に、画素４内に配向方向の異なる領域が形成（配向分割）されるため、視野角特性が向上するようになっている。

また、図３に示したように、この液晶表示パネル２では、ＴＦＴ基板２１と対向基板（ＣＦ（Color Filter；カラーフィルタ）基板）２７との間に、液晶分子２６を含む液晶層２５が設けられている。

ＴＦＴ基板２１は、例えばガラス基板により構成されている。このＴＦＴ基板２１の上には、絶縁膜２２および平坦化膜２３を介して、前述の画素電極４１Ａ，４１Ｂが配置されている。ＴＦＴ基板２１の上にはまた、前述の補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａが形成されている。これら補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａと画素電極４１Ａ，４１Ｂとの間のコンタクト部４５−２，４５−１の付近では、絶縁膜２２や平坦化膜２３に凹部が存在し、これらの凹部にはそれぞれ、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４が形成されている。このような凹部の深さ（高さ）は、補助容量電極４４Ａ側のもので１．０μｍ程度であり、ドレイン電極４３Ａ側のもので０．６μｍ程度である。また、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４の幅は、１０〜２０μｍ程度である。

このＴＦＴ基板２１側では、図３や図１中の符号Ｐ０で示したように、補助容量電極４４Ａおよびドレイン電極４３Ａ（配線部）の幅がそれぞれ、コンタクト部４５−２，４５−１の幅（大きさ）よりも大きくなっており、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４に対応する領域の全てを覆う（遮蔽する）ようになっている。これにより、詳細は後述するが、補助容量電極４４Ａおよびドレイン電極４３Ａは、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４傾斜部に対応する領域において、光源であるバックライト部３０から発せられた光Ｌoutを遮蔽するための遮蔽部として機能するようになっている。この場合、補助容量電極４４Ａおよびドレイン電極４３Ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料により構成される。

なお、例えば図４に示した液晶表示パネル２Ａのように、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａは、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４に対応する領域の少なくとも一部分を遮蔽するにようにしてもよく、この場合、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４に対応する領域のうちの８０％以上の部分を遮蔽するのが好ましい。

対向基板２７は、例えばガラス基板により構成されている。この対向基板２７の上には、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタがストライプ状に設けられたカラーフィルタ（図示せず）と、前述の対向電極４６とが配置されている。

ＴＦＴ基板２１側の画素電極４１Ａ，４１Ｂ上、および対向基板２７側の対向電極４６上にはそれぞれ、垂直配向膜２４１，２４２が形成されている。これら垂直配向膜２４１，２４２はそれぞれ、例えば、ポリイミド等の有機材料により構成されており、液晶分子２５を基板面に対して垂直方向に配向させるためのものである。

液晶層２５は、垂直配向型液晶より構成され、例えば、負の誘電率異方性を有する液晶分子２６を含んでいる。液晶分子２６は、その短軸方向の誘電率が長軸方向よりも大きいという性質を有している。この性質により、画素電極４１Ａ，４１Ｂと対向電極４６との間に印加される駆動電圧がオフのときは、液晶分子２６の長軸が基板に対して垂直になるように配列する一方、駆動電圧がオンになると、液晶分子２６の長軸が基板に対して平行になるように傾いて配向するようになっている。なお、詳細は後述するが、本実施の形態の液晶層２５では、各液晶分子２６が、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４に対応する領域においても、それらの傾斜面に対して略垂直となるように配向している。

この液晶表示パネル２は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、前述した材料よりなるＴＦＴ基板２１の表面に、絶縁膜２２および平坦化膜２３を形成すると共に、画素４ごとに、画素電極４１Ａ，４１Ｂと、これら画素電極４１Ａ，４１Ｂをそれぞれ駆動するゲート・ソース・ドレイン等を備えたＴＦＴ素子４２Ａ，４２Ｂ、これらＴＦＴ素子４２Ａ，４２Ｂにそれぞれ接続されたゲート線Ｇ、データ線Ｄ１，Ｄ２や補助容量線Ｃｓ等を形成する。

一方、前述した材料よりなる対向基板２７の表面には、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のフィルタがストライプ状に設けられたカラーフィルタ（図示せず）と、対向電極４６を形成する。

このとき、画素電極４１Ａ，４１Ｂおよび対向電極４６は、１つの画素４内で、所定のスリットを有するように形成する。これらのスリットは、電極が形成されていない部分であり、電極面内の領域を分離するものである。ここで、これらのスリットが、ＴＦＴ基板２１と対向基板２７との間で互いに対向しないように交互に配置するようにする。また、ＴＦＴ基板２１側において、補助容量電極４４Ａおよびドレイン電極４３Ａの幅がそれぞれ、コンタクト部４５−２，４５−１の幅よりも大きくなるように形成し、これにより傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４に対応する領域の少なくとも一部分が、補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａにより覆われる（遮蔽される）ようする。

続いて、形成した画素電極４１Ａ，４１Ｂおよび対向電極４６の表面に、後述の液晶分子２６を基板に対して垂直方向に配列させるための垂直配向膜２４１，２４２を、それぞれ形成する。具体的には、垂直配向剤の塗布や、垂直配向膜を基板上に印刷し焼成することにより形成する。

他方、液晶層２５を、負の誘電率異方性を有する液晶（ネガ型ネマチック液晶）分子２６を含むようにして形成する。

続いて、ＴＦＴ基板２１あるいは対向基板２７のどちらか一方の表面（垂直配向膜２４１，２４２の形成されている面）に対して、セルギャップを確保するためのスペーサを、例えばフォトリソグラフィ工程によって形成した後に、例えばディスペンサ方式によりエポキシ接着剤等を用いて、シール部を印刷する。こののち、液晶材料を基板上に滴下してＴＦＴ基板２１と対向基板２７とを、それぞれの基板に形成された垂直配向膜２４１，２４２が対向するように、スペーサおよびシール部を介して貼り合わせる。その後、紫外線（ＵＶ）照射等によってシール部の硬化を行うことにより、液晶層２５をＴＦＴ基板２１と対向基板２７との間に封止する。これにより、図１〜図４に示した液晶表示パネル２が完成する。

次に、図１〜図９を参照して、本実施の形態の液晶表示装置１の作用・効果について詳細に説明する。

まず、図１〜図３を参照して、液晶表示装置１の基本動作について説明する。

この液晶表示装置１では、図１に示したように、外部から供給された映像信号Ｄinが画像処理部３１により画像処理され、各画素４用の映像信号が生成される。この映像信号はフレームメモリ３２において記憶されたのち、データドライバ３４へ供給される。このようにして供給された映像信号に基づき、ゲートドライバ３３およびデータドライバ３４から出力される各画素４内への駆動電圧によって、画素４ごとに線順次表示駆動動作がなされる。具体的には、図２に示したように、ゲートドライバ３３からゲート線Ｇを介して供給される選択信号に応じて、ＴＦＴ素子４２Ａ，４２Ｂのオン・オフが切り替えられ、データ線Ｄ１，Ｄ２と画素電極４１Ａ，４１Ｂとの間を選択的に導通する。

すると、データ線Ｄ１，Ｄ２と画素電極４１Ａ，４１Ｂとの間が導通された画素４では、図３に示したように、バックライト部３０からの照明光が液晶表示パネル２において変調され、表示光として出力される。これにより、映像信号Ｄinに基づく映像表示が、液晶表示装置１において行われる。

次に、図３，図５〜図９を参照して、本発明の液晶表示装置の特徴的部分の作用・効果について、詳細に説明する。ここで、図５は、比較例に係る従来の液晶表示パネル（液晶表示パネル１０２）の断面構成を表したものである。また、図６は、この比較例に係る液晶表示パネル１０２における傾斜部での漏れ光の様子を表したものであり、図７は、図３に示した本実施の形態の液晶表示パネル２における傾斜部での漏れ光の様子を表したものである。なお、図６および図７に示した透過率は、液晶表示パネルにおけるそれぞれの場所（位置）に対応する電圧オフ時（黒表示時）の透過率を表している。

まず、図５に示した比較例に係る液晶表示パネル１０２では、ＴＦＴ基板２１側に存在する凹部に形成された傾斜部４７−１〜４７−４の存在により、これら傾斜部４７−１〜４７−４の付近において垂直配向膜２４１も傾斜しており、これによりこの付近では、図中の符号Ｐ１１，Ｐ１２で示したように、液晶分子２６が基板面に対して傾斜配向している。また、この液晶表示パネル１０２では、補助容量電極１０４等の幅がコンタクト部４５−２，４５−１の幅と同一となっているため、傾斜部４７−１，４７−２や傾斜部４７−３，４７−４に対応する領域が覆われていない（遮蔽されていない）。したがって、例えば図６に示したように、液晶分子２６の複屈折に起因して、傾斜部４７−１〜４７−４の付近において、黒表示時に光漏れが生じてしまっている。そしてこのような黒表示時の光漏れは、コントラスト比の低下を招いてしまうことになる。

これに対し、図３や図４に示した本実施の形態の液晶表示パネル２では、ＴＦＴ基板２１の表面に形成された傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域の少なくとも一部分に、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａが設けられているため、これら傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域における配向膜２４１の傾斜に起因して液晶層２５の液晶分子２６が傾斜配向している場合であっても、バックライト部３０から発せられた光Ｌoutが、補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａにおいて遮蔽される。これにより、例えば図７に示したように、傾斜部４７−１〜４７−４の付近において、液晶分子２６の複屈折に起因する黒表示時の光漏れが、図６に示した比較例と比べて低減される。

ここで、表１は、傾斜部４７−１〜４７−４における片側の傾斜（テーパー）幅を１５μｍとした場合における、液晶表示装置１の傾斜部および遮蔽部（補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１やドレイン電極４３Ａ）の重なり割合と漏れ光量およびコントラスト比との関係の一例を表したものである。また、図８は、この場合における重なり割合と漏れ光の割合との関係を特性図で表したものであり、図９は、この場合における重なり割合とコントラスト比との関係を特性図で表したものである。

表１および図８，図９により、傾斜部と遮蔽部との重なりが８０％以上あれば、漏れ光量を１０分の１以下にでき、コントラスト比を２倍以上にできることがわかる。また、傾斜部と遮蔽部との重なりが８０％以上あれば、漏れ光量、コントラスト比ともに概ね飽和している様子がわかる。さらに、従来の液晶表示装置のコントラスト比が約１：１０００であったのに対し、本実施例では、コントラスト比を約１：２１８８とすることができた。なお、図示していないが、傾斜部４７−１〜４７−４における片側の傾斜（テーパー）幅を、１０〜２０μｍとした場合であっても、表１および図８，図９と同様の結果が得られた。

以上のように本実施の形態では、ＴＦＴ基板２１の表面に形成された傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域の少なくとも一部分に、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａを設けるようにしたので、これら傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域における配向膜２４１の傾斜に起因して液晶層２５の液晶分子２６が傾斜配向している場合であっても、バックライト部３０から発せられた光Ｌoutを補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａにおいて遮蔽し、傾斜部４７−１〜４７−４の付近における液晶分子２６の黒表示時の光漏れを、従来と比べて低減することができる。よって、液晶表示パネル２内に傾斜部が存在する場合であっても、高いコントラスト比を実現することが可能となる。

また、ＴＦＴ基板２１を形成するときの補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａ（金属配線）の幅を変更するだけでコントラスト比を飛躍的に改善することができるため、新規の材料や装置を導入不要であり、コストアップを伴わずにコントラスト比の改善が可能である。

以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。

例えば、図１０（Ａ）に示した液晶表示パネル２Ｂのように、補助容量電極４４Ａ２の中心付近に、図１０（Ｂ）に示したような開口４８を設けることにより、補助容量電極の面積を大きくしたことによる容量値の増加をキャンセルするようにしてもよい。

また、上記実施の形態等では、補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａが遮蔽部を兼ねている場合について説明したが、このような遮蔽部を、補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａとは別個に設けるようにしてもよい。例えば、ＴＦＴ基板２１側に存在する凹部内に、そのような遮蔽部を設けるようにしてもよい。

また、上記実施の形態等では、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３ＡがＴＦＴ基板２１側に設けられている場合について説明したが、例えば図１１に示した液晶表示パネル２Ｃのように、遮蔽部として機能する層（遮蔽層）４９を、対向基板２７側に設けるようにしてもよい。ただし、ＴＦＴ基板２１と対向基板２７との位置合わせのマージン等を考慮すると、このような遮蔽部は、傾斜部が存在するＴＦＴ基板２１側に設けるようにするのが好ましい。

また、上記実施の形態等では、傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域と、コンタクト部４５−１，４５−２に対応する領域との両領域に、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａを設ける場合について説明したが、場合によっては、例えば、傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域にのみ、遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａやドレイン電極４３Ａを設けるようにしてもよい。

さらに、上記実施の形態等では、液晶分子の配向膜が垂直配向膜２４１，２４２であり、液晶層２５が負の誘電率異方性を有する液晶を含む垂直配向型の液晶表示装置１について説明したが、本発明は、例えば、液晶分子の配向膜が水平配向膜２９１，２９２であり、液晶層２５が正の誘電率異方性を有する液晶を含む水平配向型（例えば、ＴＮモードや、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード）の液晶表示装置にも適用することが可能である。具体的には、例えば図１２に示した従来の垂直配向型の液晶表示パネル２０２では、傾斜部４７−１〜４７−４の付近において水平配向膜２９１も傾斜しており、これによりこの付近では、図中の符号Ｐ２１，Ｐ２２のように、液晶分子２６Ａが基板面に水平な面内において回転するように配向している。したがって、この場合も液晶分子２６Ａの複屈折に起因して、傾斜部４７−１〜４７−４の付近において、黒表示時に光漏れが生じてしまう。これに対し、例えば図１３に示した本発明の変形例に係る液晶表示パネル２Ｄでは、傾斜部４７−１〜４７−４に対応する領域の少なくとも一部分に遮蔽部として機能する補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａが設けられているため、バックライト部３０から発せられた光Ｌoutが、補助容量電極４４Ａ，４４Ａ１およびドレイン電極４３Ａにおいて遮蔽される。これにより、傾斜部４７−１〜４７−４の付近において、黒表示時の光漏れを、図１２に示した比較例と比べて低減することが可能となる。

本発明の一実施の形態に係る液晶表示装置の構成を表す機能ブロック図である。 図１に示した画素内の詳細構成の一例を表す平面図である。 図２に示した画素内の断面構成の一例を表す図である。 図２に示した画素内の断面構成の他の例を表す図である。 比較例に係る従来の液晶表示パネルの構成を表す断面図である。 比較例に係る液晶表示パネルにおける傾斜部での漏れ光を表す特性図である。 図３に示した液晶表示パネルにおける傾斜部での漏れ光を表す特性図である。 本実施の形態の液晶表示装置における傾斜部および遮蔽部の重なり割合と漏れ光の割合との関係を表す特性図である。 本実施の形態の液晶表示装置における傾斜部および遮蔽部の重なり割合とコントラスト比との関係を表す特性図である。 本発明の変形例に係る液晶表示パネルの構成を表す断面図および平面図である。 本発明の変形例に係る液晶表示パネルの構成を表す断面図である。 比較例に係る従来の水平配向型の液晶表示パネルの構成を表す断面図である。 本発明の変形例に係る水平配向型の液晶表示パネルの構成を表す断面図である。

符号の説明

１…液晶表示装置、２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ…液晶表示パネル、２１…ＴＦＴ基板、２２…絶縁膜、２３…平坦化膜、２４１，２４２…垂直配向膜、２５，２５Ａ…液晶層、２６，２６Ａ…液晶分子、２７…対向（ＣＦ）基板、２８…絶縁膜、２９１，２９２…水平配向膜、３０…バックライト部、３１…画像処理部、３２…フレームメモリ、３３…ゲートドライバ、３４…データドライバ、３５…タイミング制御部、３６…バックライト駆動部、４…画素、４１Ａ，４１Ｂ…画素電極、４２Ａ，４２Ｂ…ＴＦＴ素子、４３Ａ，４３Ｂ…ドレイン電極、４４Ａ，４４Ａ１，４４Ａ２，４４Ｂ…補助容量電極、４５−１，４５−２，４５−３…コンタクト部、４６…対向電極、４７−１，４７−２，４７−３，４７−４…傾斜部、４８…開口、４９…遮蔽層、Ｄin…映像信号、Ｇ…ゲート線、Ｄ１，Ｄ２…データ線、Ｃｓ…補助容量線、Ｌ１…配線。

Claims (9)

1. 光源と、
   前記光源から発せられる光を変調することにより映像を表示する液晶表示パネルと
   を備え、
   前記液晶表示パネルは、
   互いに対向配置された一対の基板と、
   前記一対の基板の対向する面に設けられた一対の電極と、
   前記一対の基板のうちの一の基板側に設けられたＴＦＴ素子と、
   前記一対の電極の対向する面に設けられた一対の配向膜と、
   前記一対の配向膜間に封止された液晶層と
   を有し、
   前記一の基板の表面に、傾斜部を有する凹部が形成されており、
   前記傾斜部に対応する領域の少なくとも一部分に、前記光源から発せられた光を遮蔽するための遮蔽部が設けられている
   ことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記遮蔽部は、前記傾斜部に対応する領域のうちの８０％以上の部分を遮蔽するものである
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記遮蔽部は、前記傾斜部に対応する領域の全てを遮蔽するものである
   ことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記遮蔽部が、前記一の基板側に設けられている
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記液晶表示パネルは、前記一の基板側に補助容量電極を有し、
   前記補助容量電極が、前記遮蔽部を兼ねている
   ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記一の基板側において前記ＴＦＴ素子の端子電極と前記電極との間を電気的に接続する配線部が、前記遮蔽部を兼ねている
   ことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
7. 前記遮蔽部が、前記一対の基板のうちの他の基板側に設けられている
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 前記配向膜が垂直配向膜であり、
   前記液晶層は、負の誘電率異方性を有する液晶を含む
   ことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
9. 光を変調することにより映像を表示する液晶表示パネルであって、
   互いに対向配置された一対の基板と、
   前記一対の基板の対向する面に設けられた一対の電極と、
   前記一対の基板のうちの一の基板側に設けられたＴＦＴ素子と、
   前記一対の電極の対向する面に設けられた一対の配向膜と、
   前記一対の配向膜間に封止された液晶層と
   を備え、
   前記一の基板の表面に、傾斜部を有する凹部が形成されており、
   前記傾斜部に対応する領域の少なくとも一部分に、前記光源から発せられた光を遮蔽するための遮蔽部が設けられている
   ことを特徴とする液晶表示パネル。

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