CN115414956B - 一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料及其制备方法和应用 - Google Patents
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Abstract
本发明属于非均相类Fenton反应体系用催化剂技术领域，公开一种亚铜离子掺杂g‑C3N4复合材料及其制备方法和应用，所述制备方法为：将铜源均匀分散于水溶剂中，随后加入氮化碳前驱体A进行搅拌处理，干燥处理后，获得混合物A；将混合物A于200～500℃的温度下进行烧结处理A，获得混合物B；将混合物B与氮化碳前驱体B混匀后，于400～600℃的温度下进行烧结处理B，即获得所述亚铜离子掺杂g‑C3N4复合材料；所述氮化碳前驱体A和所述氮化碳前驱体B均选自尿素、三聚氰胺、双氰胺、硫脲中的一种。本发明在制备过程中无需特殊保护气进行保护，在自然空气条件下即可进行，反应条件更简便，更易于控制，经济成本更低。
Description
技术领域
本发明涉及非均相类Fenton反应体系用催化剂技术领域，尤其涉及一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料及其制备方法和应用。
背景技术
印染行业作为我国纺织工业的一个重要行业，随着社会的发展得到了迅猛发展，而随之带来的水环境污染问题也日益突出。我国印染废水年排放量约6.5×108t，占整个工业废水排放量的35％。因此，积极开展印染废水的污染减排，对于推动印染行业的可持续发展，改善我国水环境问题，具有重要意义。
近年来，印染废水的处理技术仍然是环保领域的热点课题。传统工艺如物理法中的吸附、膜分离、混凝和萃取等深度处理效果较好，但处理量有限，不适合高浓度、大规模废水处理工程，需与其它工艺进行组合；化学法中的氧化和电解等，虽然脱色较快、效率较高，但其药剂成本和设备成本较高；生物法对印染废水的处理受限于其难生物降解性，不仅处理周期较长，而且污染物的矿化率也较低，有的甚至会产生二次污染。因此，在当前形势下，迫切需要一种高效的处理方法。
高级氧化技术中的类Fenton技术具有处理效率较高、成本相对较低和工业化应用相对容易等特点，逐渐成为废水深度处理的主要方法之一近年，国外许多学者逐步将Fenton技术从实验室研究转向工程应用研究，用于处理实际难降解有机废水。
但是传统的均相Fenton工艺在实际应用中仍存在诸多缺陷，主要为：(1)适用pH范围窄，最佳运行pH＝3.0；(2)催化剂不可回收再利用；(3)产生大量的铁泥造成二次污染；(4)H2O2利用率不高；(5)Fe2+活化H2O2产·OH自由基的速率很低，且Fe3+和Fe2+之间相互转化效率很低。亟待对传统Fenton技术进行改进，不断减小反应中的不利影响，促使Fenton反应得到更广泛的应用。
传统Fenton氧化技术存在上述诸多不足，而针对其改进发展的非均相类Fenton反应具有更强的催化能力、更宽的pH适用范围、更低的金属溶出、更好的重复利用性，已成为国内外高级氧化技术的研究热点。虽然经过多年的研究已取得一定的进展，但非均相类Fenton反应在使用时依然会面临着几个突出的难题：(1)目前主要集中在铁基非均相催化剂的制备，催化剂活性较低；(2)使用后的催化剂回收比较困难；(3)催化剂稳定性能差，金属离子易溶出，不能多次重复使用(4)催化反应适应的pH范围仍然较窄，导致药剂消耗量大，运行成本高。稳定而有效的催化剂将是决定这一技术存在的关键因素。
为此，本发明提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料及其制备方法和应用。
发明内容
为了解决上述现有技术中传统均相芬顿技术的不足，增强芬顿体系的适用性，本发明提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料及其制备方法和应用，本发明以非均相类Fenton反应体系的研究现状为基础，制备出易于回收、重复利用率高的亚铜离子掺杂氮化碳的非均相催化剂，将制备的催化剂应用于H2O2反应体系中，解决传统均相Fenton反应体系中存在的pH适用范围窄、催化剂难回收、产生大量铁造成二次污染的问题。
本发明的一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料及其制备方法和应用是通过以下技术方案实现的：
本发明的第一个目的是提供一种高比表面积亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，将铜源均匀分散于水溶剂中，随后加入氮化碳前驱体A进行搅拌处理，干燥处理后，获得混合物A；
步骤2，将混合物A于200～500℃的温度下进行烧结处理A，获得混合物B；
步骤3，将混合物B与氮化碳前驱体B混匀后，于400～600℃的温度下进行烧结处理B，即获得所述亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料；
所述氮化碳前驱体A和所述氮化碳前驱体B均选自尿素、三聚氰胺、双氰胺、硫脲中的一种。
进一步地，所述铜源选自五水合硫酸铜、一水合乙酸铜、三水合硝酸铜、氧化铜中的任意一种。
进一步地，所述氮化碳前驱体A为三聚氰胺；所述氮化碳前驱体B为尿素。
进一步地，所述铜源与所述氮化碳前驱体A的摩尔比为1:2～8；
所述混合物B与所述氮化碳前驱体B的质量比为1:2～12。
进一步地，所述水溶剂与所述铜源的用量比为30～50mL:0.01～0.02mol。
进一步地，所述搅拌处理的搅拌速率为400～600r/min，搅拌时间为0.5～1.5h。
进一步地，步骤2中，所述烧结处理A的升温速率为3～7℃/min，保温时间为3～5h；
步骤3中，所述烧结处理B的升温速率为3～7℃/min，保温时间为3～5h。
进一步地，步骤1中，所述干燥处理的温度为50～70℃，干燥时间为12～36h。
本发明的第二个目的是提供一种上述制备方法制备的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料。
本发明的第三个目的是提供一种上述亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料在非均相催化剂中的应用。
本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明通过将铜源和氮化碳前驱体A在溶剂中混合均匀后干燥，然后对其进行烧结处理A，在烧结过程中，氮化碳前驱体A煅烧发生脱氨反应释放出具有还原性质的氨气，且释放的氨气能够将铜源提供的处于熔融态二价铜还原为亚铜离子，且在较高温度下亚铜离子更为稳定。本发明注意到，在进行烧结处理A形成作为中间体的混合物B时，虽然大部分二价铜会被还原为亚铜离子，但是氮化碳前驱体A的缩聚反应并不完全，将亚铜离子截留在晶格中，并且与氮原子形成了Cu-N配位键；在进行烧结处理B时，新加入的氮化碳前驱体B会沿着中间体方向缩聚，同时进一步还原二价铜，从而使二价铜被完全还原的同时控制了氮化碳的生长方向，进而使铜源中的铜以亚铜离子的形式与氮化碳中氮形成配位键，从而使获得的复合材料更为松散，比表面积更大，暴露出更多的活性位点。
本发明在制备过程中无需特殊保护气进行保护，在自然空气条件下即可进行，反应条件更简便，更易于控制，经济成本更低。
本发明制备的复合材料中铜以亚铜离子的形式与氮化碳中氮形成配位键，且制备的复合材料具有高比表面积，且其BET面积可达233m2/g。
附图说明
图1为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的EDS分析结果图；
图2为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的XPS的survey谱图；
图3为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的XPS的Cu2p谱图；
图4为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的氮气吸附脱附分析结果；
图5为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的孔径分布图；
图6为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的模拟污染物降解曲线；
图7为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的不同初始pH降解曲线；
图8为本发明的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的循环试验结果图。
具体实施方式
正如背景技术中所述，目前，关于非均相类Fenton技术的研究主要集中在非均相催化剂的制备和反应体系的转变两个方面。非均相催化剂的研究重点主要围绕在含过渡金属离子催化剂的制备上，研究发现负载型及过度金属化合物型等非均相催化剂，均不同程度的解决了均相Fenton体系中存在的问题，具有实际研究意义。
Fenton高级氧化技术具有氧化能力强(羟基自由氧化电位2.8eV)、反应速率快、亲电子性(羟基自由基电子亲和能力为569.3KJ/mol)、反应过程温和、低选择性和无二次污染等优点，被广泛应用于难降解有机污染物的去除。除此之外，Fenton反应中铁离子发生水合作用形成复杂的络合物质，起到良好的絮凝作用，可将污水中的悬浮固体颗粒有效去除，可进一步提升污水的净化能力。然而，传统的铁基均相Fenton反应对污染物的去除效果和实际应用受诸多因素(如反应液pH值、H2O2投加量、Fe2+投加量和二次污染)的影响和限制。
为此，本发明提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料及其制备方法和应用，本发明以非均相类Fenton反应体系的研究现状为基础，制备出易于回收、重复利用率高的亚铜离子掺杂氮化碳的非均相催化剂，将制备的催化剂应用于H2O2反应体系中，解决传统均相Fenton反应体系中存在的pH适用范围窄、催化剂难回收、产生大量铁造成二次污染的问题。下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
本发明提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法如下：
步骤1，将铜源均匀分散于溶剂中，随后加入氮化碳前驱体A进行搅拌处理，干燥处理后，获得混合物A；
需要说明的是，本发明不限制铜源的具体类型，只要能够提供二价铜离子即可。本发明的铜源可选自硫酸铜、乙酸铜、硝酸铜和氧化铜中的任意一种。
本发明的氮化碳前驱体A可选自尿素、三聚氰胺、双氰胺、硫脲中的任意一种，以使氮化碳前驱体A既作为碳源也作为氮源，以在后续烧结处理A过程中形成g-C3N4，g-C3N4独特的晶体结构使其成为一种很好的载体，不仅能使金属离子或氧化物沉积在其表面，而且可以使亚铜离子镶嵌于其晶格中，从而有效提高复合材料的催化活性。
本发明不限制铜源在溶剂中的具体分散方式，只要能够使铜源均匀分散或溶解于溶剂中，获得组分均一的溶液即可。本发明可采用超声或搅拌的方式进行分散。
本发明不限制搅拌处理的具体工艺参数，只要能够将铜源与氮化碳前驱体A充分混合即可。本发明优选的搅拌速率为400～600r/min，搅拌时间为0.5～1.5h。
本发明不限制溶剂的具体类型，只要能够使铜源均匀分散或溶解于溶剂中，获得组分均一的溶液即可。
本发明不限制干燥处理的具体工艺及参数设置，只要能够将溶剂去除即可。
步骤2，将混合物A于200～500℃的温度下进行烧结处理A，获得混合物B；
本发明不限制烧结处理A的具体工艺参数，只要能够使得在烧结过程中，氮化碳前驱体A煅烧发生脱氨反应释放出具有还原性质的氨气，铜源提供的二价铜离子在较高的温度下处于熔融态，会被氨气还原为亚铜离子，形成作为中间体的混合物B即可。
步骤3，将混合物B与氮化碳前驱体B混匀后，于400～600℃的温度下进行烧结处理B，即获得所述亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料；
本发明不限制烧结处理A的具体工艺参数，只要能够使得在烧结过程中，只要能够实现使新加入的氮化碳前驱体B沿着中间体方向缩聚，同时进一步还原二价铜，从而使二价铜被完全还原，使铜源中的铜以亚铜离子的形式与氮化碳中氮形成配位键即可。且本发明的氮化碳前驱体B均选自尿素、三聚氰胺、双氰胺、硫脲中的一种。
实施例1
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法如下：
步骤1，以五水硫酸铜为铜源，以去离子水为溶剂，称取0.01mol的五水硫酸铜，将其完全溶解于40mL去离子水中；
随后，本实施例优选三聚氰胺为氮化碳前驱体A以保证制备的材料具有较高的产量，按照铜源与氮化碳前驱体A的摩尔比为1:4的用量比，加入相应质量的氮化碳前驱体A三聚氰胺，以500r/min的搅拌速率搅拌1h，然后将搅拌获得的产物在鼓风干燥箱中于60℃下干燥24h，获得混合物A；
步骤2，将混合物A于研钵中研磨15min，此时粉体中无白色颗粒存在，将研磨后的混合物A转移到带盖氧化铝坩埚中，然后置于管式炉中，在空气氛围下，以5℃/min的升温速率下升温至400℃后保温4h，然后自然冷却至室温，研磨得到墨绿色粉末，即获得中间体混合物B；
其中，硫酸铜既作为铜源，也作为造孔剂；硫酸根在烧结过程中被氧化而释放出二氧化硫气体，进而使材料在无需额外添加造孔剂的情况下，具有一定孔隙，从而使得获得的复合材料更为松散，比表面积更大，暴露出更多的活性位点；同时氮化碳前驱体A三聚氰胺在烧结过程中发生脱氨反应释放出具有还原性质的氨气，进而通过氨气将在较高的温度下处于熔融态的二价铜会被氨气还原为亚铜离子，且在较高温度下亚铜离子更为稳定。
步骤3，按照混合物B与氮化碳前驱体B的质量比为1:8的用量比，将上述获得的混合物B与相应质量的氮化碳前驱体B混匀后在研钵中混合研磨10min后转移到带盖氧化铝坩埚中，然后置于管式炉中，在空气氛围下，以5℃/min的升温速率下升温至550℃的某一温度下保持4h，自然冷却至室温后，即获得所述亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料；
为了使获得的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料具有较好的催化性能，本实施例中，以尿素作为氮化碳前驱体B。
实施例2
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例中，铜源与氮化碳前驱体A的摩尔比为1:2；
混合物B与氮化碳前驱体B的质量比为1:2。
实施例3
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例中，铜源与氮化碳前驱体A的摩尔比为1:4；
混合物B与氮化碳前驱体B的质量比为1:4。
实施例4
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例中，铜源与氮化碳前驱体A的摩尔比为1:6；
混合物B与氮化碳前驱体B的质量比为1:8。
实施例5
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例中，铜源与氮化碳前驱体A的摩尔比为1:8；
混合物B与氮化碳前驱体B的质量比为1:12。
实施例6
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例步骤1中，五水硫酸铜的用量为0.015mol。
实施例7
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例步骤1中，五水硫酸铜的用量为0.02mol。
实施例8
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例步骤1中，去离子水的用量为30mL。
实施例9
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例步骤1中，去离子水的用量为50mL。
实施例10
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例以一水合乙酸铜作为铜源。
实施例11
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例以三水合硝酸铜作为铜源。
实施例12
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例以氧化铜作为铜源。
实施例13
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例以双氰胺作为氮化碳前驱体A，硫脲为氮化碳前驱体B。
实施例14
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例步骤1中，搅拌处理的搅拌速率为600r/min，搅拌时间为0.5h；
干燥处理的温度为50℃，干燥时间为36h。
本实施例步骤2中，烧结处理A的升温速率为3℃/min，保温温度为200℃，保温时间为5h。
本实施例步骤3中，烧结处理B的升温速率为3℃/min，保温温度为400℃，保温时间为5h。
实施例15
本实施例提供一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料，且其制备方法与实施例1的区别仅在于：
本实施例步骤1中，搅拌处理的搅拌速率为400r/min，搅拌时间为1.5h；
干燥处理的温度为70℃，干燥时间为12h。
本实施例步骤2中，烧结处理A的升温速率为7℃/min，保温温度为500℃，保温时间为3h。
本实施例步骤3中，烧结处理B的升温速率为7℃/min，保温温度为600℃，保温时间为3h。
试验部分
为了验证本发明制备的复合材料中确实成功掺入Cu，且掺入的Cu以亚铜离子形式存在，本发明对实施例1制备的复合材料进行了以下测试：
(一)EDS分析
图1为本发明实施例1制备的复合材料的EDS测试结果图，其他图1(a)为本发明对实施例1制备的复合材料的EDS下的电子图形，本发明对图1(a)中方框处材料的元素分布进行测试，且其中C、N、Cu和O的分布结果分别如图1(b)、图1(c)、图1(d)、图1(e)和图1(f)所示，可以看出：本发明制备的复合材料中Cu成功的掺入复合材料中且均匀分布。
(二)XPS分析
请参阅图2，图2为实施例1复合材料XPS的survey谱图，可以看出：Cu成功的掺入复合材料中。
图3为实施例1复合材料XPS的Cu2p谱图，可以看出：证明铜以亚铜离子的形式存在于复合材料中。
(三)BET分析
请参阅图4和图5，实施例1复合材料的氮气吸附脱附分析结果表明其BET面积达到233m2/g，且为典型的介孔材料。
为了验证本发明制备的复合材料的催化性能，本发明对实施例1制备的复合材料进行了以下测试：
(四)污染物降解性能及适用pH范围
传统的均相Fenton反应受pH限制，因此研究了该催化剂在不同初始pH下的催化性能，如图6和图7所示，其中，图6为模拟污染物降解曲线；图7为不同初始pH降解曲线。
需要说明的是，本发明中以目前实验研究较多的染料罗丹明B(RhB)作为模拟污染物，以实施例1制备的复合材料作为催化剂，按照如下过程进行类Fenton实验：
用容量瓶准确量取200mL已配置好的浓度为10mg/L的RhB模拟废水于250mL烧杯中，实施例1制备的复合材料的投加量为0.25g/L，置于磁力搅拌器上以500r/min的转速在黑暗条件搅拌30min达到吸附解吸平衡，取样后向烧杯中投加H2O2，投加量为10mmol/L，仍在黑暗条件下继续搅拌，并开始计时，每间隔10min用移液枪取样一次，每次取样4mL于7mL离心管中(离心管中已提前加入0.2mL饱和硫代硫酸钠溶液用来终止反应)，所取的样放入离心机立即以10000r/min的转速离心10min，取2mL上清液于比色管中稀释至10mL，然后用VIS-722G型可见分光光度计在波长554nm处测定吸光度。以C/C0表示污染物的去除率，其中C0为初始时刻污染物的浓度，C为降解过程中取样时刻污染物的浓度，即得到图6降解曲线。
本发明在上述类Fenton实验的基础上，将上述模拟污染物用酸碱调节为不同pH后，再加入实施例1制备的复合材料，重复上述实验，获得如图7所示的不同初始pH降解曲线。
由图6和图7可以看出，本发明实施例1制备的复合材料能够高效的降解RhB，且实施例1制备的复合材料作为催化剂能够在初始pH在5.0-12.0范围内保持高催化活性。
本发明实施例1制备的复合材料之所以能够高效的降解RhB，主要是高比表面积和亚铜离子的存在，复合材料催化H2O2降解污染物可能的类Fenton反应机理如下：
首先，复合材料中的亚铜离子(Cu+)催化H2O2快速生成大量具有强氧化能力的羟基自由基(·OH)，而复合材料中的Cu+则被氧化为Cu2+，·OH自由基的强氧化能力使污染物快速降解，如反应式(1)所示。
其次，Cu+和Cu2+间的快速转换是反应高效进行的基础，该复合材料有两个途径可以实现Cu+/Cu2+间的快速转换，第一个途径是被氧化生成的Cu2+成为一个临时的电子俘获位点，它通过转移在g-C3N4中电子被还原为Cu+，由此在g-C3N4中生成具有氧化能力的对污染物降解起作用，如反应式(2)所示，此时复合材料中的g-C3N4也能够降解污染物。Cu+/Cu2+间的转换的第二种途径是Cu2+与H2O2反应生成Cu+，如反应式(3)所示，这一过程类似于Fe3+/H2O2 Fenton系统，但Cu2+/Cu+的转化速率远远高于Fe3+/Fe2+。
此外，·OH自由基的生成会同时引发产生一系列其他活性物质，例如·O2 -，1O2和·OOH等，而1O2是另一种具有较强氧化性的活性物质，可将污染物降解，1O2可能的生成的路径如反应式(4-7)所示。最终，污染物在多种活性物质的共同作用下被降解，如反应式(8)所示。
Cu++H2O2→Cu2++·OH+OH (1)
Cu2++H2O2→Cu++·OOH+H+ (2)
Cu2++H2O2→Cu++·O2 -+H+ (4)
·O2 -+H2O→·OOH+OH- (5)
·OOH+·O2 -→1O2+HOO- (6)
·OOH+·OOH→1O2+H2O2 (7)
(五)催化剂的重复利用性
催化剂性的重复利用性具体测试过程如上述污染物降解性能测试过程，而催化剂的回收过程具体具体如下：每一次降解实验结束后，离心回收反应液中的催化剂，分离回收的催化剂经去离子水和无水乙醇交替洗涤三次后在60℃恒温干燥箱中干燥12h。烘干后的催化剂继续按照降解RhB的过程进行实验，如此重复5次实验，其测试结果图8所示，可以看出：实施例1的复合材料经5次循环实验后仍保持良好的稳定性。
显然，上述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
Claims (10)
1.一种亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，将铜源均匀分散于水溶剂中，随后加入氮化碳前驱体A进行搅拌处理，干燥处理后，获得混合物A；
步骤2，将混合物A于200～500℃的温度下进行烧结处理A，获得混合物B；
步骤3，将混合物B与氮化碳前驱体B混匀后，于400～600℃的温度下进行烧结处理B，即获得所述亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料；
所述氮化碳前驱体A和所述氮化碳前驱体B均选自尿素、三聚氰胺、双氰胺、硫脲中的一种。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜源选自硫酸铜、乙酸铜、硝酸铜和氧化铜中的任意一种。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮化碳前驱体A为三聚氰胺；所述氮化碳前驱体B为尿素。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜源与所述氮化碳前驱体A的摩尔比为1:2～8；
所述混合物B与所述氮化碳前驱体B的质量比为1:2～12。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水溶剂与所述铜源的用量比为30～50mL:0.01～0.02mol。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述搅拌处理的搅拌速率为400～600r/min，搅拌时间为0.5～1.5h。
7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述烧结处理A的升温速率为3～7℃/min，保温时间为3～5h；
步骤3中，所述烧结处理B的升温速率为3～7℃/min，保温时间为3～5h。
8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述干燥处理的温度为50～70℃，干燥时间为12～36h。
9.一种权利要求1-8任意一项所述的制备方法制备的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料。
10.一种权利要求9所述的亚铜离子掺杂g-C3N4复合材料在非均相催化剂中的应用。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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