CN115403385A - 一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法，属于新材料及高熵陶瓷制备技术领域。本发明通过机械合金化及烧结过程将TiO2与过渡族金属及其共价键化合物(包括碳化物、氮化物或碳氮化物)作为共同组元，使烧结后获得的过渡族金属共价键碳化物、氮化物高熵陶瓷块体材料(高熵陶瓷)的晶体结构中阴离子点位含有氧离子，获得的掺杂氧离子的非化学计量比高熵陶瓷具有面心立方的单相、单一晶体结构。这种在阴离子点位分布大量氧离子的耐辐射、耐腐蚀、高硬度强度的高熵陶瓷新材料，在催化、储能及特殊功能材料器件等方面有极大的应用空间。

Description

一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法
技术领域
本发明涉及新材料及高熵陶瓷制备技术领域，尤其涉及一种掺杂氧离子的高熵陶瓷及制备方法。
背景技术
高熵陶瓷(HECs)是近年出现的新材料体系。高熵陶瓷通常指五种或五种以上的过渡族金属和C、N、B和O元素形成的单相共价键晶体结构。晶体结构中不同的金属原子随机占据晶体结构中阳离子的晶格位点，而阴离子节点分布着C、N、B或O等轻元素。不同金属的随机分布增加了体系的混合熵，由此带来的熵增益使体系稳定于单相晶体结构。不同组元的特性和相互作用使高熵陶瓷表现出复杂的性能。高熵陶瓷具有广泛的设计空间，通过调控组元数目和种类，可以制备具有不同特性的高熵陶瓷。目前高熵陶瓷包括高熵氧化物、高熵碳化物、高熵氮化物、高熵硼化物等。高熵陶瓷的成分设计、制备和应用一直是该领域的研究热点。
从前面高熵陶瓷的种类包括高熵氧化物、高熵碳化物、高熵氮化物、高熵硼化物等可见，高熵陶瓷组元中的阳离子都是过渡族金属的强共价键化合物形成元素。高熵陶瓷研究成果中阳离子的组合、调换比较常见，而阴离子的调换则较少，基本是同样的元素。如碳化物类HECs其阴离子通常是C，只有少数研究中引入性状相近的N；氮化物类HECs主要是N，也有C、N共存的,这是由于C、N为阴离子与过渡族金属形成的共价键化合物性状相近，C、N原子的电子结构相近。至今还没有将氧原子引入到过渡族金属共价键碳化物或氮化物的晶体结构中而不出现氧化物的报导。主要原因是过渡族金属与O原子形成氧化物的吉布斯自由能相对于这些金属形成共价键碳化物或氮化物的自由能较低，而一旦形成氧化物，结构稳定，其分解的温度相对较高。因此，如何将O以离子态引入到具有共价键晶体结构的碳化物或氮化物高熵陶瓷的阴离子点位中仍旧是对材料制备与研究人员的一个挑战。
发明内容
为了解决上述问题，本发明的创新点在于提供一种掺杂氧离子的非化学计量比高熵陶瓷及其制备方法。
本发明提供了一种掺杂氧离子的高熵陶瓷，高熵陶瓷通过将过渡族金属氧化物和高熵陶瓷混合并经机械合金化及烧结制备而成。
优选的，过渡族金属氧化物包括TiO2、VO、CoO、ZrO、HfO、MoO3。
优选的，高熵陶瓷包括以下三种材料：①第一材料：选自IVB、VB和VIB族过渡族金属的碳化物、氮化物、碳氮化物中的至少二种；②第二材料：选自IVB、VB和VIB族过渡族金属中的至少一种但不多于第一材料的组元数；③第三材料：过渡族金属氧化物。
优选的，第一材料选自TiC、TiN、NbC、TiCN、ZrC、NbN、HfC、Mo2C、TaN、VC、TaC、VN、ZrN、MoN、HfN中的至少两种，第二材料选自Nb、V、Zr、Ta、Mo、Hf中的至少一种。
本发明还提供了该掺杂氧离子的高熵陶瓷的制备方法，按以下步骤进行：
(1)制备混合料：
称量第一材料、第二材料和第三材料并混匀，密封并球磨制成混合料；
(2)制备烧结体：
将混合料在氩气条件下取出，放入模具中烧结得到高熵陶瓷。
优选的，步骤(1)中，称量至少两种第一材料且每种1Mol，称量至少一种但不多于第一材料组元数的第二材料且每种1Mol，称量0.5～1.0Mol氧化物。
优选的，步骤(1)中，球磨的球料比为10～20:1，球磨时间为30h。
优选的，步骤(2)中，烧结过程为：通入氩气，加载30～50MPa，升温至1700～1900℃并保温10min，自然冷却，当温度低于60℃时，停止氩气，取出模具并拆解。
优选的，步骤(2)中，烧结的设备包括放电等离子热压烧结机。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
(1)本发明制备的具有氧离子的高熵陶瓷，由于晶体结构中氧离子的存在，使其具有了完全不同的和不可预期的性能，将扩大这类材料的使用范围，形成新材料种类，在催化、储能及特殊功能材料器件等方面有极大的研究、应用空间；
(2)本发明工艺简单高效，制备出的含有氧离子的非化学计量比高熵陶瓷具有单一面心立方晶体结构；
(3)TiO2属于非常稳定的氧化物，按照本发明的方法，其它稳定性稍差的氧化物如VO、CoO、ZrO、HfO等也可以作为向共价键高熵陶瓷结构中引入氧离子的组元。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理，其中：
图1为本发明提供的实施例1、2中不同温度烧结的Nb/VC/TaC/0.5TiO2烧结体XRD图；
图2为本发明提供的实施例3中不同温度烧结的Nb/TiC/TaC/0.5TiO2烧结体及未烧结混合料(raw)XRD图；
图3为本发明提供的实施例4、5中不同温度烧结的Nb/VC/TaC/TiO2烧结体XRD图；
图4为本发明提供的实施例4、5中Nb/VC/TaC/TiO2未烧结的混合料XRD图。
具体实施方式
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
综上所述，本发明将TiO2作为一个组元与过渡族金属及其共价键化合物(包括碳化物、氮化物或碳氮化物)作为共同组元，使烧结后获得的过渡族金属共价键化合物的高熵陶瓷块体材料的晶体结构中掺杂有数量显著的氧离子，并且是单相、具有单一面心立方晶体结构。而这种耐辐射、耐腐蚀、高硬度强度的高熵陶瓷中，在阴离子点位分布大量氧离子的新材料，在催化、储能及特殊功能材料器件等方面有极大的研究、应用空间。
实施例1Nb/VC/TaC/0.5TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/VC/TaC；称取0.5Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1800℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试，结果如附图1，证明1800℃及以上才能形成单相结构。
实施例2Nb/VC/TaC/0.5TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/VC/TaC，称取0.5Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1900℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试，结果如附图1，证明1800℃及以上才能形成单相结构。
实施例3Nb/TiC/TaC/0.5TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/TiC/TaC，称取0.5Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1700℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试，结果如附图2，证明1700℃及以上才能形成单相结构。
实施例4Nb/VC/TaC/TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/VC/TaC，称取1Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1800℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试，证明1800℃及以上才能形成单相结构。
实施例5Nb/VC/TaC/TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/VC/TaC，称取1Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1900℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试，证明1800℃及以上才能形成单相结构。
实施例6Nb/V/TiC/TaC/TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/V/TiC/TaC，称取1Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1800℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试。
实施例7Nb/TiC/TaC/VN/ZrN/TiO2
(1)制备混合料：
按照每个组元1Mol.的计算量分别称取Nb/TiC/TaC/VN/ZrN，称取1Mol.TiO2；混合后装入球磨罐中，同时按球料比20:1装入磨球，密封后装在球磨机上，球磨30小时；达到规定球磨时间后，在惰性气体环境开罐取料；
(2)烧结体制备：
将步骤(1)得到的混合料装入石墨模具中，放置烧结机的压砧上，施加40MPa的压力，并将温度升温至1800℃，保温10min，然后自然冷却并泄压，温度低于60℃后可取样，打磨后进行XRD测试。
表1不同实施例烧结体与烧结温度
Figure BDA0003842524740000081
Figure BDA0003842524740000091
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (9)

1.一种掺杂氧离子的高熵陶瓷，其特征在于，所述高熵陶瓷通过将过渡族金属氧化物和高熵陶瓷混合并经机械合金化及烧结制备而成。
2.根据权利要求1所述的掺杂氧离子的高熵陶瓷，其特征在于，所述过渡族金属氧化物包括TiO2、VO、CoO、ZrO、HfO、MoO3。
3.根据权利要求1所述的高熵陶瓷，其特征在于，所述高熵陶瓷包括以下三种材料：①第一材料：选自IVB、VB和VIB族过渡族金属的碳化物、氮化物、碳氮化物中的至少二种；②第二材料：选自IVB、VB和VIB族过渡族金属中的至少一种但不多余所述第一材料的组元数；③第三材料：所述过渡族金属氧化物。
4.根据权利要求3所述的高熵陶瓷，其特征在于，所述第一材料选自TiC、TiN、NbC、TiCN、ZrC、NbN、HfC、Mo2C、TaN、VC、TaC、VN、ZrN、MoN、HfN中的至少两种，所述第二材料选自Nb、V、Zr、Ta、Mo、Hf中的至少一种。
5.根据权利要求1～4任一项所述的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，按以下步骤进行：
(1)制备混合料：
称量所述第一材料、所述第二材料和所述第三材料并混匀，密封并球磨制成混合料；
(2)制备烧结体：
将所述混合料在氩气条件下取出，放入模具中烧结得到所述高熵陶瓷。
6.根据权利要求5所述的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，称量至少两种所述第一材料且每种1Mol，称量至少一种但不多于所述第一材料组元数的所述第二材料且每种1Mol，称量0.5～1.0Mol所述过渡族金属氧化物。
7.根据权利要求5所述的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述球磨的球料比为10～20:1，所述球磨时间为30～40h。
8.根据权利要求5所述的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述烧结过程为：通入氩气，加载30～50MPa，升温至1700～1900℃并保温10min，自然冷却，当温度低于60℃时，停止氩气，取出模具并拆解。
9.根据权利要求8所述的高熵陶瓷的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述烧结的设备包括放电等离子热压烧结机。
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Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63225579A (ja) * 1986-07-31 1988-09-20 日本特殊陶業株式会社 高靱性を有するセラミック焼結体及びセラミック工具と焼結体の製造方法
CN109987941A (zh) * 2019-03-11 2019-07-09 广东工业大学 一种具有抗氧化性的高熵陶瓷复合材料及其制备方法和应用
CN110104648A (zh) * 2019-05-10 2019-08-09 东华大学 一种高熵碳化物纳米粉体及其制备方法
WO2020142125A2 (en) * 2018-10-09 2020-07-09 Oerlikon Metco (Us) Inc. High-entropy oxides for thermal barrier coating (tbc) top coats
US20200303083A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Dalian University Of Technology Radiation resistant high-entropy alloy having fcc structure and preparation method thereof
CN111943682A (zh) * 2020-07-24 2020-11-17 广东工业大学 一种高韧性耐氧化的织构化高熵陶瓷及其制备方法和应用
US20210039999A1 (en) * 2019-08-09 2021-02-11 United Technologies Corporation High temperature fiber, method of making and high temperature fiber composites
AU2021102229A4 (en) * 2021-04-28 2021-07-08 Nanchang Hangkong University A new class of high-entropy perovskite ceramics with robust ferroelectricity
CN113233900A (zh) * 2021-06-07 2021-08-10 北京科技大学 一种氧化物增韧的耐烧蚀高熵碳氮化合物陶瓷的制备方法
WO2021179654A1 (zh) * 2020-03-12 2021-09-16 中国科学院化学研究所 一种碳化物高熵陶瓷及含稀土的碳化物高熵陶瓷及其纤维与前驱体及其制备方法
RU2762897C1 (ru) * 2020-12-22 2021-12-23 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Способ получения порошка карбида высокоэнтропийного сплава со сферической формой частиц
CN114956826A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 燕山大学 一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷及其制备方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63225579A (ja) * 1986-07-31 1988-09-20 日本特殊陶業株式会社 高靱性を有するセラミック焼結体及びセラミック工具と焼結体の製造方法
WO2020142125A2 (en) * 2018-10-09 2020-07-09 Oerlikon Metco (Us) Inc. High-entropy oxides for thermal barrier coating (tbc) top coats
CN109987941A (zh) * 2019-03-11 2019-07-09 广东工业大学 一种具有抗氧化性的高熵陶瓷复合材料及其制备方法和应用
US20200303083A1 (en) * 2019-03-21 2020-09-24 Dalian University Of Technology Radiation resistant high-entropy alloy having fcc structure and preparation method thereof
CN110104648A (zh) * 2019-05-10 2019-08-09 东华大学 一种高熵碳化物纳米粉体及其制备方法
US20210039999A1 (en) * 2019-08-09 2021-02-11 United Technologies Corporation High temperature fiber, method of making and high temperature fiber composites
WO2021179654A1 (zh) * 2020-03-12 2021-09-16 中国科学院化学研究所 一种碳化物高熵陶瓷及含稀土的碳化物高熵陶瓷及其纤维与前驱体及其制备方法
CN111943682A (zh) * 2020-07-24 2020-11-17 广东工业大学 一种高韧性耐氧化的织构化高熵陶瓷及其制备方法和应用
RU2762897C1 (ru) * 2020-12-22 2021-12-23 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ") Способ получения порошка карбида высокоэнтропийного сплава со сферической формой частиц
AU2021102229A4 (en) * 2021-04-28 2021-07-08 Nanchang Hangkong University A new class of high-entropy perovskite ceramics with robust ferroelectricity
CN113233900A (zh) * 2021-06-07 2021-08-10 北京科技大学 一种氧化物增韧的耐烧蚀高熵碳氮化合物陶瓷的制备方法
CN114956826A (zh) * 2022-06-28 2022-08-30 燕山大学 一种（TiNbCrWTa）Cx高熵陶瓷及其制备方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
邹芹等: "含氧超细TiN0．3 粉体与烧结体的制备及氧对其组织结构的影响研究" *

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