CN115353813A - 一种网格硅胶保护膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种网格硅胶保护膜及其制备方法，该网格硅胶保护膜其按照重量份数计，包含以下组分的原料：二羟基聚二甲基硅氧烷5‑10份、改性聚二甲基硅氧烷1‑5份、溶剂10‑20份、交联剂0.1‑0.5份、锚固剂0.1‑0.5份、铂催化剂0.1‑0.5份。该网格硅胶保护膜粘性稳定，残余较高，并且与客户产品对贴，粘性爬升很小，符合设计要求。

Description

一种网格硅胶保护膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及硅胶保护膜技术领域，具体涉及一种网格硅胶保护膜及其制备方法。
背景技术
保护膜是电子产品屏幕保护常见的膜结构，常见于手机、平板、汽车显示屏等等数码产品的保护，随着电子产品的发展，保护膜的种类和功能也在逐渐发展，材质由最早的PP材料到现今流行的硅胶材质，越来越有助于保护功能的发挥。
而现在的硅胶保护膜是应用较为广泛的保护膜之一，但是现有的硅胶保护膜仍存在一定的缺陷，如溶液型的压敏胶表面张力较高，在PET基材表面的湿润性较差，因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种网格硅胶保护膜。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种网格硅胶保护膜，其按照重量份数计，包含以下组分的原料：二羟基聚二甲基硅氧烷5-10份、改性聚二甲基硅氧烷1-5份、溶剂10-20份、交联剂0.1-0.5份、锚固剂0.1-0.5份、铂催化剂0.1-0.5份。
作为一种具体的实施方式，所述交联剂购自陶氏化学公司生产的型号为SL7028交联剂。
作为一种具体的实施方式，所述溶剂采用了甲苯和/或二甲苯。
作为一种具体的实施方式，所述改性聚二甲基硅氧烷为乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷，且所述聚二甲基硅氧烷的中间段嵌有线性聚乙烯链。
本发明的另一个目的是提供上述网格硅胶保护膜的制备方法，包括以下步骤：
1)按照重量份数称取原料，在温度23±2℃、湿度55％±10％的恒温恒湿条件下，在量杯中依次加入溶剂、二羟基聚二甲基硅氧烷、改性聚二甲基硅氧烷，高速搅拌10分钟，而后将交联剂、锚固剂、铂催化剂每隔5分钟依次加入到混合液中，最后再混合搅拌10分钟以上得到所需胶水；
2)将步骤1)得到的胶水采用正涂的方式涂布在网纹辊上，而后经过烘箱烘烤即得到所述的网格硅胶保护膜。
作为一种具体的实施方式，所述网纹辊包括辊轴本体，所述辊轴本体的表面上均布有凹槽。
作为一种具体的实施方式，所述凹槽的径向截面呈圆台形，所述凹槽的槽口的直径大于槽底的直径。
作为一种具体的实施方式，步骤2)中，烘箱有7节，每节长度相同，共28米，整个烘烤温度由低到高再到低，最低温度不低于80℃，最高温度不高于180℃。
由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明的网格硅胶保护膜，其采用了二羟基聚二甲基硅氧烷、改性聚二甲基硅氧烷结合甲苯/二甲苯溶剂、交联剂、锚固剂及铂催化剂，得到的网格硅胶保护膜粘性稳定，残余较高，并且与客户产品对贴，粘性爬升很小，符合设计要求。
附图说明
附图1为涂布过程示意图；
其中：1、网纹辊；2、压辊；3、胶槽；4、刮刀。
具体实施方式
下面结合具体实施例来对本发明的技术方案作进一步的阐述。
实施例1
一种网格硅胶保护膜，其制备方法包括以下步骤：
1)在百级配胶室内，温度23±2℃、湿度55％±10％的恒温恒湿的环境下，将二羟基聚二甲基硅氧烷(固含100％)、改性聚二甲基硅氧烷(固含57％)分别进行稀释至固含45％，准备一个大量杯，依次加入20份甲苯、8份二羟基聚二甲基硅氧烷、2份改性聚二甲基硅氧烷，而后进行高速搅拌10分钟，将0.1份交联剂、0.1份锚固剂及0.2份铂催化剂依次间隔5分钟加入至量杯中，而后混合搅拌10分钟以上得到所需胶水；
2)将步骤1)得到的胶水采用正涂的方式涂布在网纹辊上，而后经过烘箱烘烤即得到所述的网格硅胶保护膜。
这里的网纹辊包括辊轴本体，该辊轴本体的表面均布有凹槽，该凹槽的径向截面呈圆台型，本例中该凹槽的槽口直径为0.25mm，槽底直径为0.15mm，凹槽的高度为0.06mm。通过设置的该凹槽，使得涂布出来的膜面呈现网格状，格点均匀排列，外观整洁。
这里，采用的交联剂购自陶氏化学公司生产的型号为SL7028交联剂，具体为SYL-OFFTM SL 7028Crosslinker。
这里采用的改性聚二甲基硅氧烷为乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷，且所述聚二甲基硅氧烷的中间段嵌有线性聚乙烯链。
固化过程就是一个热量不断从空气传入胶黏剂层而溶剂不断从胶层内部向表面扩散并在表面气化后又向空气中扩散的热质传递过程，多节烘道不同的温度使溶剂很快挥发，但是温度过高会使压敏胶容易氧化变质，涂布机器设定温度由低到高再到低。这里该烘箱有7节，每节长度相同，一共28米，整个烘烤温度由低到高再到低，最低温度不低于80℃，最高温度不高于180℃。
涂布时，参见图1所示，网纹辊1置于胶槽3的上方，网纹辊1的上方设置有压辊2，网纹辊1的前方设置有倾斜设置的陶瓷刮刀4，刮刀4的刀口所在面与所述网纹辊1的竖直中心线的夹角为45°。
实施例2
本例中与实施例1的区别点在于，本例中的网格硅胶保护膜所采用的原料为15份甲苯、6份二羟基聚二甲基硅氧烷、2份改性聚二甲基硅氧烷、0.1份交联剂、0.1份锚固剂及0.2份铂催化剂。
实施例3
本例中与实施例1的区别点在于，本例中的网格硅胶保护膜所采用的原料为10份甲苯、10份二羟基聚二甲基硅氧烷、1份改性聚二甲基硅氧烷、0.1份交联剂、0.1份锚固剂及0.2份铂催化剂。
实施例4
本例中与实施例1的区别点在于，本例中的网格硅胶保护膜所采用的原料为15份甲苯、5份二羟基聚二甲基硅氧烷、3份改性聚二甲基硅氧烷、0.1份交联剂、0.1份锚固剂及0.2份铂催化剂。
实施例5
本例中与实施例1的区别点在于，本例中的网格硅胶保护膜所采用的原料为15份甲苯、5份二羟基聚二甲基硅氧烷、5份改性聚二甲基硅氧烷、0.1份交联剂、0.1份锚固剂及0.2份铂催化剂。
对实施例1至实施例5得到的胶膜进行性能检测。
检测内容：贴合PET、钢板、亮黑、哑黑测试相对力
检测方式：在常温实验室条件下，将25μm厚度的PET裁成25mm宽贴合胶面，将一端固定在拉力机上，测试相对力，记录结果，参见表1。
残余粘着率测试：
测试条件：
老化温度：70±2℃
老化压力：2000克±50克
老花时间：20-24小时
剥离速度：300mm/min
标准胶带：NITT031B，25mm
测试温度：23±℃
测试湿度50％
测试方法：1)将标准胶带(日本31B，25mm宽度)贴于离型膜(离型纸)样品上，用2公斤标准压辊来回滚压3次，然后在70℃下，2公斤标准砝码的压力下老化20小时，然后在室温23±2℃，相对湿度50％下冷却0.5-2小时，然后以300mm/min进行180°剥离，每组试样不少于3条；
2)将步骤1)中剥离下来的标准胶带再贴于标准不锈钢上，在2000克压力，室温23±2℃，相对湿度50％下放置2小时，然后以300mm/min进行180°剥离，得测试值L1，取平均值；
3)将标准胶带贴于空白样品(和步骤2)所用材料相同)，用2公斤标准压辊来回滚压3次，在2000克压力，室温23±2℃，相对湿度50％下放置2小时，然后以300mm/min进行180°剥离，得测试值L0，取平均值；
4)计算数值L1/L0×100％，即为残余粘着率。
表1
Figure BDA0003826910510000041
Figure BDA0003826910510000051
表1中，对不同的产品料号做相对力测试，其中PET、钢板、残余粘着率均采用了三组数据，从中我们可以看出，得到的网格硅胶保护膜粘性稳定，残余较高，并且与客户产品对贴，粘性爬升很小，符合设计要求。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种网格硅胶保护膜，其特征在于，其按照重量份数计，包含以下组分的原料：二羟基聚二甲基硅氧烷5-10份、改性聚二甲基硅氧烷1-5份、溶剂10-20份、交联剂0.1-0.5份、锚固剂0.1-0.5份、铂催化剂0.1-0.5份。
2.根据权利要求1所述的网格硅胶保护膜，其特征在于，所述交联剂购自陶氏化学公司生产的型号为SL7028交联剂。
3.根据权利要求1所述的网格硅胶保护膜，其特征在于，所述溶剂采用了甲苯和/或二甲苯。
4.根据权利要求1所述的网格硅胶保护膜，其特征在于，所述改性聚二甲基硅氧烷为乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷，且所述聚二甲基硅氧烷的中间段嵌有线性聚乙烯链。
5.一种如权利要求1所述的网格硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）按照重量份数称取原料，在温度23±2℃、湿度55%±10%的恒温恒湿条件下，在量杯中依次加入溶剂、二羟基聚二甲基硅氧烷、改性聚二甲基硅氧烷，高速搅拌10分钟，而后将交联剂、锚固剂、铂催化剂每隔5分钟依次加入到混合液中，最后再混合搅拌10分钟以上得到所需胶水；
2）将步骤1）得到的胶水采用正涂的方式涂布在网纹辊上，而后经过烘箱烘烤即得到所述的网格硅胶保护膜。
6.根据权利要求5所述的网格硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，所述网纹辊包括辊轴本体，所述辊轴本体的表面上均布有凹槽。
7.根据权利要求6所述的网格硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，所述凹槽的径向截面呈圆台形，所述凹槽的槽口的直径大于槽底的直径。
8.根据权利要求5所述的网格硅胶保护膜的制备方法，其特征在于，步骤2）中，烘箱有7节，每节长度相同，共28米，整个烘烤温度由低到高再到低，最低温度不低于80℃，最高温度不高于180℃。
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