CN115349163B - 基板处理方法和基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。

Description

基板处理方法和基板处理装置
技术领域
本公开涉及基板处理方法和基板处理装置。
背景技术
在专利文献1所记载的液处理方法中，在水平地保持基板并使其旋转的状态下，向基板的下表面依次供给化学溶液和冲洗液。在基板的下表面中央的正下方配置包括多个喷嘴的流体供给管。流体供给管插入到水平地保持基板的保持部的旋转轴的内部，设置为即使旋转轴旋转该流体供给管也不旋转。流体供给管向基板的下表面供给化学溶液、冲洗液以及氮气等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014－130931号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开的一技术方案提供对与基板的下表面中央相对配置的喷嘴单元进行清洗的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一技术方案的基板处理方法具有下述(A)～(C)。(A)在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水。(B)水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥。(C)在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
发明的效果
根据本公开的一技术方案，能够对与基板的下表面中央相对配置的喷嘴单元进行清洗。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的剖视图。
图2是表示一实施方式的基板处理方法的图。
图3是表示图2的S101的一例的图。
图4是表示图2的S102的一例的图。
图5是表示图2的S103的一例的图。
图6是表示图2的S104的一例的图。
图7是表示图2的S105的一例的图。
图8是表示图2的S106的一例的图。
图9是表示图2的S107的一例的图。
图10是表示图2的S108的一例的图。
图11是表示变形例的基板处理方法的图。
图12是表示图11的S106的一例的图。
图13是表示图11的S107的一例的图。
图14是表示挡板的第1例的俯视图。
图15是沿着图14的XV-XV线的剖视图，是表示向基板的上表面供给有机溶剂的状态的剖视图。
图16是放大地表示图15的挡板的剖视图。
图17是表示挡板的第2例的剖视图。
图18是表示挡板的第3例的剖视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。另外，在各附图中，对相同的或对应的结构标注相同的附图标记，有时省略说明。在本说明书中，X轴方向、Y轴方向、Z轴方向是互相垂直的方向。X轴方向和Y轴方向是水平方向，Z轴方向是铅垂方向。
首先，参照图1，对基板处理装置10进行说明。基板处理装置10对基板W进行处理。基板W例如包括硅晶圆或化合物半导体晶圆等。另外，基板W也可以是玻璃基板。基板处理装置10例如包括保持部20、旋转部30、第1液供给部40、第2液供给部50、喷嘴单元60、环62、导水槽63、流体供给单元70、杯80以及控制部90。
保持部20水平地保持基板W。基板W包括上表面Wa和下表面Wb。保持部20具有在与基板W的下表面Wb之间形成空间的底板21和抓住基板W的周缘的开闭爪22。底板21是圆盘状，水平地配置。在底板21的中央形成有孔，在该孔配置有流体供给单元70的流体供给轴71。开闭爪22沿着底板21的周缘空开间隔地配置有多个。
旋转部30使保持部20旋转。旋转部30例如包括：旋转轴31，其从保持部20的底板21的中央向下方延伸；旋转马达32，其使旋转轴31旋转；以及带33，其将旋转马达32的旋转驱动力向旋转轴31传递。旋转轴31是筒状，在旋转轴31的内部配置有流体供给轴71。流体供给轴71被固定，不与旋转轴31一起旋转。
第1液供给部40对在保持部20保持的基板W的上表面Wa供给液体。第1液供给部40例如具有：喷嘴41，其用于喷出液体；移动机构42，其使喷嘴41沿基板W的径向移动；以及供给管线43，其对喷嘴41供给液体。喷嘴41设于保持部20的上方，向下喷出液体。
移动机构42例如具有保持喷嘴41的回旋臂42a和使回旋臂42a回旋的回旋机构42b。回旋机构42b也可以兼用作使回旋臂42a升降的机构。回旋臂42a水平地配置，在其长度方向一端部保持喷嘴41，以从其长度方向另一端部向下方延伸的回旋轴为中心回旋。另外，移动机构42也可以具有导轨和直线运动机构来代替回旋臂42a和回旋机构42b。导轨水平地配置，直线运动机构沿着导轨使喷嘴41移动。
供给管线43例如包括共用管线43a和与共用管线43a连接的多个独立管线43b。独立管线43b按照液体的每个种类设置。作为液体的种类，例如，列举出第1化学溶液L1、第2化学溶液L2以及纯水L3。第1化学溶液L1和第2化学溶液L2中的一者是酸性，另一者是碱性。酸性的化学溶液例如是DHF(稀盐酸)等。碱性的化学溶液例如是SC1(包含过氧化氢和氢氧化铵的水溶液)等。纯水L3例如是DIW(去离子水)。在独立管线43b的中途设有对液体的流路进行开闭的开闭阀45和控制液体的流量的流量控制器46。
另外，第1化学溶液L1、第2化学溶液L2以及纯水L3在图1中从一个喷嘴41喷出，但也可以从不同的喷嘴41喷出。在喷嘴41的数量是多个的情况下，对于每个喷嘴41设置供给管线43。
第2液供给部50与第1液供给部40同样地，对在保持部20保持的基板W的上表面Wa供给液体。第2液供给部50例如具有：喷嘴51，其用于喷出液体；移动机构52，其使喷嘴51沿基板W的径向移动；以及供给管线53，其对喷嘴51供给液体。喷嘴51设于保持部20的上方，向下喷出液体。第2液供给部50的喷嘴51和第1液供给部40的喷嘴41独立地移动。
移动机构52例如具有保持喷嘴51的回旋臂52a和使回旋臂52a回旋的回旋机构52b。回旋机构52b也可以兼用作使回旋臂52a升降的机构。回旋臂52a水平地配置，在其长度方向一端部保持喷嘴51，以从其长度方向另一端部向下方延伸的回旋轴为中心回旋。另外，移动机构52也可以具有导轨和直线运动机构来代替回旋臂52a和回旋机构52b。导轨水平地配置，直线运动机构沿着导轨使喷嘴51移动。
供给管线53对喷嘴51供给IPA等有机溶剂L4。在供给管线53的中途设有对有机溶剂L4的流路进行开闭的开闭阀55和控制有机溶剂L4的流量的流量控制器56。
与纯水L3相比，有机溶剂L4使用具有较低的表面张力的有机溶剂。在将基板W的上表面Wa的液膜从纯水L3的液膜替换为有机溶剂L4的液膜的基础上，能够对基板W进行干燥。在基板W干燥时，能够抑制由表面张力而引起的凹凸图案的倒塌。
凹凸图案预先形成在基板W的上表面Wa。凹凸图案也可以不预先形成在基板W的下表面Wb。因而，有机溶剂L4只要向基板W的上表面Wa供给即可，也可以不向基板W的下表面Wb供给。
在本实施方式中，如后述那样，在将基板W的上表面Wa的液膜从纯水L3的液膜替换为有机溶剂L4的液膜时，为了不使液膜中断，使纯水L3的供给位置和有机溶剂L4的供给位置独立地移动。具体地说，在将有机溶剂L4的供给位置固定于基板W的上表面Wa的中心的状态下，使纯水L3的供给位置向基板W的径向外侧移动。因此，第2液供给部50和第1液供给部40分别设置。
但是，根据基板W的凹凸图案的尺寸和形状、基板W的材质等的不同，也存在以下情况：在将有机溶剂L4的供给位置固定于基板W的上表面Wa的中心的状态下，也可以不使纯水L3的供给位置向基板W的径向外侧移动。在该情况下，也可以不设置第2液供给部50，第1液供给部40的喷嘴41也可以喷出有机溶剂L4。
如图6等所示，喷嘴单元60包括与由保持部20保持的基板W的下表面中央相对配置的多个喷嘴61A、61B、61C。下表面中央例如是指距下表面中心50mm以内的区域。多个喷嘴61A、61B、61C形成在喷嘴单元60的上表面，分别向上方喷出流体。喷嘴61A例如向上方喷出第1化学溶液L1、第2化学溶液L2以及纯水L3。喷嘴61B例如向上方喷出纯水L3。喷嘴61C例如向上方喷出N2气体等气体。
在喷嘴单元60的上表面设有包围多个喷嘴61A、61B、61C的环62。环62从喷嘴单元60的上表面的周缘向上方突出，在内部积存纯水L3。环62例如包括：倾斜部62a，其从喷嘴单元60的上表面的周缘越朝向铅垂上方越向基板W的径向外侧倾斜；以及铅垂部62b，其从倾斜部62a的上端向正下方延伸。
喷嘴单元60配置于环状的导水槽63的内侧。导水槽63积存从环62溢流的纯水L3。导水槽63包括：内壁63a，其包围喷嘴单元60；外壁63b，其配置于内壁63a的外侧；槽63c，其形成在内壁63a和外壁63b之间；以及底壁63d，其形成槽63c的底。
在导水槽63的槽63c插入环62的铅垂部62b的下端。沿着铅垂部62b流下来的纯水L3暂时积存于导水槽63的槽63c，从导水槽63的外壁63b向外侧溢流。向导水槽63的内壁63a和喷嘴单元60之间供给N2气体等气体，以使纯水L3不从导水槽63的内壁63a向内侧溢流。
如图1所示，流体供给单元70对喷嘴单元60供给第1化学溶液L1、第2化学溶液L2、纯水L3以及气体。流体供给单元70具有在上端设有喷嘴单元60的流体供给轴71。流体供给轴71配置于旋转轴31的内部，不与旋转轴31一起旋转。在流体供给轴71设有与多个喷嘴61A、61B、61C连接的多个供给管线72A、72B、72C。
供给管线72A与喷嘴61A连接，向喷嘴61A供给第1化学溶液L1、第2化学溶液L2以及纯水L3。供给管线72A例如包括共用管线72Aa和与共用管线72Aa连接的多个独立管线72Ab。独立管线72Ab按照液体的每个种类设置。在独立管线72Ab的中途设有对第1化学溶液L1等的流路进行开闭的开闭阀75A和控制第1化学溶液L1等的流量的流量控制器76A。
同样地，供给管线72B与喷嘴61B连接，向喷嘴61B供给纯水L3。在供给管线72B的中途设有：开闭阀75B，其对纯水L3的流路进行开闭；流量控制器76B，其控制纯水L3的流量；以及调温器77B，其调节纯水L3的温度。调温器77B例如包括对纯水L3进行加热的加热器。另外，供给管线72B的纯水L3的供给源和供给管线72A的纯水L3的供给源在图1中设置一个共用的供给源，但也可以设置各自的供给源。
此外，供给管线72C与喷嘴61C连接，向喷嘴61C供给N2气体等气体。在供给管线72C的中途设有对气体的流路进行开闭的开闭阀75C和控制液体的流量的流量控制器76C。
杯80回收对基板W供给的各种液体。杯80包括圆筒部81、底盖部82以及倾斜部83。圆筒部81具有比基板W的直径大的内径，铅垂地配置。底盖部82堵塞圆筒部81的下端的开口。倾斜部83形成在圆筒部81的上端整周的范围内，越朝向圆筒部81的径向内侧越向上方倾斜。在底盖部82设有：排液管84，其排出在杯80的内部积存的液体；以及排气管85，其排出在杯80的内部积存的气体。
控制部90控制旋转部30、第1液供给部40、第2液供给部50以及流体供给单元70。控制部90例如是计算机，包括CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)91和存储器等存储介质92。存储介质92存储用于控制在基板处理装置10中执行的各种处理的程序。控制部90通过使CPU91执行在存储介质92存储的程序，来控制基板处理装置10的动作。
接着，参照图2等，对基板处理方法进行说明。图2等所示的各步骤S101～S108在控制部90的控制下实施。在各步骤S101～S108中，基板W被水平地保持，且以铅垂的旋转轴31为中心旋转。此外，在各步骤S101～S108中，喷嘴单元60的喷嘴61C持续喷出气体。
首先，在步骤S101中，如图3所示，向基板W的上表面Wa和下表面Wb这两者供给第1化学溶液L1。第1化学溶液L1从第1液供给部40的喷嘴41向基板W的上表面中央供给，在离心力的作用下，在整个上表面上润湿扩展，对整个上表面进行处理。此外，第1化学溶液L1从喷嘴单元60的喷嘴61A向基板W的下表面中央供给，在离心力的作用下，在整个下表面上润湿扩展，对整个下表面进行处理。
在上述步骤S101中，第1化学溶液L1通过与基板W的下表面Wb的碰撞而飞散，形成液滴。该液滴附着于喷嘴单元60之上。
接着，在步骤S102中，如图4所示，向基板W的上表面Wa和下表面Wb这两者供给纯水L3，将在上述S101中形成的第1化学溶液L1的液膜替换为纯水L3的液膜。纯水L3从第1液供给部40的喷嘴41向基板W的上表面中央供给，在离心力的作用下，在整个上表面上润湿扩展，冲洗在上表面Wa残留的第1化学溶液L1，在上表面Wa形成纯水L3的液膜。此外，纯水L3从喷嘴单元60的喷嘴61A向基板W的下表面中央供给，在离心力的作用下，在整个下表面上润湿扩展，冲洗在下表面Wb残留的第1化学溶液L1，在下表面Wb形成纯水L3的液膜。
接着，在步骤S103中，如图5所示，向基板W的上表面Wa和下表面Wb这两者供给第2化学溶液L2，将在上述S102中形成的纯水L3的液膜替换为第2化学溶液L2的液膜。第2化学溶液L2从第1液供给部40的喷嘴41向基板W的上表面中央供给，在离心力的作用下，在整个上表面上润湿扩展，对整个上表面进行处理。此外，第2化学溶液L2从喷嘴单元60的喷嘴61A向基板W的下表面中央供给，在离心力的作用下，在整个下表面上润湿扩展，对整个下表面进行处理。
在上述步骤S103中，第2化学溶液L2通过与基板W的下表面Wb的碰撞而飞散，形成液滴。该液滴附着于喷嘴单元60之上。其结果是，在喷嘴单元60之上，产生第1化学溶液L1和第2化学溶液L2的中和反应，析出结晶。析出的结晶形成微粒P。
接着，在步骤S104中，如图6所示，向基板W的上表面Wa和下表面Wb这两者供给纯水L3，将在上述S103中形成的第2化学溶液L2的液膜替换为纯水L3的液膜。纯水L3从第1液供给部40的喷嘴41向基板W的上表面中央供给，在离心力的作用下，在整个上表面上润湿扩展，冲洗在上表面Wa残留的第2化学溶液L2，在上表面Wa形成纯水L3的液膜。此外，纯水L3从喷嘴单元60的喷嘴61A向基板W的下表面中央供给，在离心力的作用下，在整个下表面上润湿扩展，冲洗在下表面Wb残留的第2化学溶液L2，在下表面Wb形成纯水L3的液膜。
在本实施方式中，在上述步骤S104中，喷嘴单元60的一喷嘴61B喷出纯水L3，在喷嘴单元60之上形成纯水L3的清洗膜F。清洗膜F覆盖喷嘴单元60的全部的喷嘴61A、61B、61C。清洗膜F也覆盖微粒P，溶解微粒P并将其去除。因而，能够清洗喷嘴单元60。
喷嘴单元60与基板W的下表面中央相对配置，配置于基板W的下表面Wb的附近。因此，若在喷嘴单元60的上表面产生微粒P，则产生的微粒P飞散，污染基板W的下表面中央。根据本实施方式，由于能够去除在喷嘴单元60的上表面产生的微粒P，因此，能够提高基板W的清洁度。
在喷嘴单元60的上表面设有包围多个喷嘴61A、61B、61C的环62。环62在其内部积存纯水L3。能够在环62的内部收集纯水L3，能够利用清洗膜F可靠地覆盖喷嘴单元60的全部的喷嘴61A、61B、61C。在多个喷嘴61A、61B、61C的高度不同而形成有台阶的情况下，环62特别有效。环62相对于全部的喷嘴61A、61B、61C向上方突出。另外，如果利用纯水L3的凝聚力，则即使没有环62，也能够形成清洗膜F。
也可以是，在清洗膜F的形成中，喷嘴61B持续喷出纯水L3，使纯水L3从环62的内部向外部溢流。从微粒P向纯水L3溶出的成分也与纯水L3一起从环62的内部向外部流出。因此，能够较高地维持在环62的内部积存的清洗膜F的纯水浓度，能够较高地维持微粒P的溶解速度。
清洗膜F也可以由预先进行了温度调节的纯水L3形成。纯水L3在被调温器77B温度调节之后，从喷嘴61B喷出。纯水L3的温度设定为比凝固点高且比沸点低。纯水L3的温度调节为能够有效地溶解微粒P，优选的是，调节为比室温高的温度。如果利用调温器77B加热纯水L3，则能够有效地溶解微粒P。
在清洗膜F的形成中，形成有将清洗膜F和基板W的下表面Wb隔开的空间S。空间S形成在清洗膜F和在基板W的下表面Wb形成的纯水L3的液膜之间。能够利用空间S限制微粒P从喷嘴单元60的上表面向基板W的下表面Wb移动。
由于一喷嘴61A以到达基板W的下表面Wb的方式喷出纯水L3，因此，例如以800ml/min～1600ml/min、优选的是1000ml/min～1400ml/min的流量喷出纯水L3。
由于另一喷嘴61B以无法到达基板W的下表面Wb的方式喷出纯水L3，因此，例如以250ml/min～500ml/min、优选的是300ml/min～450ml/min的流量喷出纯水L3。
喷嘴61B以比喷嘴61A低的流量喷出纯水L3。纯水L3在从喷嘴61B喷出之后，几乎不向上流动而是向横向流动，覆盖全部的喷嘴61A、61B、61C。能够抑制纯水L3飞溅。
在一喷嘴61A向基板W的下表面Wb供给纯水L3的期间，另一喷嘴61B在喷嘴单元60之上形成清洗膜F。也就是说，在纯水L3去除在基板W的下表面Wb残留的第2化学溶液L2的期间，清洗喷嘴单元60。能够在基板W的处理中实施喷嘴单元60的清洗，能够抑制生产率的降低。
接着，在步骤S105中，如图7所示，将纯水L3的液膜替换为有机溶剂L4的液膜。使纯水L3的供给位置从中心位置P0移动至第1偏心位置P1，有机溶剂L4向第2偏心位置P2供给。第2偏心位置P2和第1偏心位置P1是指隔着中心位置P0的位置。中心位置P0是基板W的上表面Wa的中心。
之后，使纯水L3的供给位置从第1偏心位置P1朝向与中心位置P0相反的方向(基板W的径向外侧)移动。同时，使有机溶剂L4的供给位置从第2偏心位置P2移动至中心位置P0。
之后，在将有机溶剂L4的供给位置固定于中心位置P0的状态下，使纯水L3的供给位置移动至达到基板W的周缘。在使有机溶剂L4从中心位置P0向径向外侧扩展时，能够在有机溶剂L4的前方补充纯水L3，能够抑制液膜中断。
在本实施方式中，在上述步骤S105中，将清洗膜F抽吸到喷嘴单元60的内部，从喷嘴单元60之上去除清洗膜F。能够抑制清洗膜F的干燥，能够抑制由清洗膜F的残渣而产生微粒。
如图1所示，排出线72D与供给管线72A、72B连接。在排出线72D的中途设有对流路进行开闭的开闭阀75D和控制流量的流量控制器76D。在开闭阀75D开放流路时，清洗膜F在重力的作用下被抽吸到喷嘴61A、61B的内部。
接着，在步骤S106中，如图8所示，向基板W的上表面Wa供给有机溶剂L4。有机溶剂L4从第2液供给部50的喷嘴51向基板W的上表面中央供给，在离心力的作用下，在整个上表面上润湿扩展，冲洗在上表面Wa残留的纯水L3，在上表面Wa形成有机溶剂L4的液膜。
接着，在步骤S107中，如图9所示，使有机溶剂L4的供给位置从基板W的上表面Wa的中心移动至周缘。在有机溶剂L4的液膜的中心形成有开口，该开口从基板W的上表面Wa的中心朝向周缘逐渐扩展。为了压住有机溶剂L4的液膜的开口缘，也可以朝向开口缘供给N2气体等气体。气体的供给位置追随着有机溶剂L4的供给位置而移动。
最后，在步骤S108中，如图10所示，水平地保持基板W并使其旋转，使基板W干燥。
接着，参照图11等，对变形例的基板处理方法进行说明。在上述实施方式中，如图2所示，在向基板W的上表面Wa和下表面Wb这两者供给纯水L3的步骤S104中，在喷嘴单元60之上形成清洗膜F。另一方面，在本变形例中，如图11所示，在向基板W的上表面Wa供给有机溶剂L4的步骤S106中，在喷嘴单元60之上形成清洗膜F。以下，主要说明上述实施方式和本变形例的不同点。
在步骤S106中，如图12所示，向基板W的上表面Wa供给有机溶剂L4。有机溶剂L4从第2液供给部50的喷嘴51向基板W的上表面中央供给，在离心力的作用下，在整个上表面上润湿扩展，冲洗在上表面Wa残留的纯水L3，在上表面Wa形成有机溶剂L4的液膜。
在本变形例中，在上述步骤S106中，喷嘴单元60的一喷嘴61B喷出纯水L3，在喷嘴单元60之上形成纯水L3的清洗膜F。清洗膜F与上述实施方式同样地形成，因此，在本变形例中也得到与上述实施方式同样的效果。此外，能够在基板W的处理中实施喷嘴单元60的清洗，能够抑制生产率的降低。
接着，在步骤S107中，如图13所示，使有机溶剂L4的供给位置从基板W的上表面Wa的中心移动至周缘。在有机溶剂L4的液膜的中心形成有开口，该开口从基板W的上表面Wa的中心朝向周缘逐渐扩展。为了压住有机溶剂L4的液膜的开口缘，也可以朝向开口缘供给N2气体等气体。气体的供给位置追随有机溶剂L4的供给位置而移动。
在本变形例中，在上述步骤S107中，将清洗膜F抽吸到喷嘴单元60的内部，从喷嘴单元60之上去除清洗膜F。能够抑制清洗膜F的干燥，能够抑制由清洗膜F的残渣而产生微粒。
接着，参照图14～图16，对挡板64的第1例进行说明。基板处理装置10具备挡板64。如图14所示，挡板64设置在比形成清洗膜F的喷嘴61B靠上方的位置。喷嘴61B喷出纯水L3，在喷嘴单元60之上形成纯水L3的清洗膜F。清洗膜F覆盖喷嘴单元60的全部的喷嘴61A、61B、61C。
在喷嘴单元60的上表面设有包围多个喷嘴61A、61B、61C的环62。环62从喷嘴单元60的上表面的周缘向上方突出，在内部积存纯水L3。环62例如包括：第1倾斜部62a，其从喷嘴单元60的上表面的周缘越朝向铅垂上方越向基板W的径向外侧倾斜；以及第2倾斜部62b，其从第1倾斜部62a的上端越朝向铅垂下方越向基板W的径向外侧倾斜。
环62还包括包围喷嘴单元60的外周面的圆筒部62c。在圆筒部62c的下端设有向圆筒部62c的内侧突出的凸缘部62d。在喷嘴单元60的外周面形成有台阶，凸缘部62d与该台阶抵接。另一方面，在圆筒部62c的上端设有第1倾斜部62a。
喷嘴单元60配置于环状的导水槽63的内侧。导水槽63积存从环62溢流的纯水L3。导水槽63包括：内壁63a，其包围喷嘴单元60；外壁63b，其配置于内壁63a的外侧；槽63c，其形成在内壁63a和外壁63b之间；以及底壁63d，其形成槽63c的底。向导水槽63的内壁63a和喷嘴单元60之间供给N2气体等气体，以使纯水L3不从导水槽63的内壁63a向内侧溢流。
如图15所示，挡板64设置在比由保持部20保持的基板W靠下方的位置。挡板64例如架设于环62。挡板64承接从喷嘴61B向上喷出的纯水L3，使纯水L3的朝向从向上转向为横向。能够抑制纯水L3附着于基板W的下表面Wb，能够降低附着于基板W的下表面Wb的微粒的数量。
喷嘴61B例如在向基板W的上表面Wa供给有机溶剂L4的步骤S106中，喷出纯水L3。挡板64通过抑制纯水L3相对于基板W的下表面Wb的附着，而抑制因纯水L3的附着而引起的基板W的温度变化。其结果是，能够降低附着于基板W的下表面Wb的微粒的数量。
此外，喷嘴61B在向基板W的上表面Wa供给有机溶剂L4的步骤S106中，喷出纯水L3，利用纯水L3稀释由杯80(参照图1)回收的有机溶剂L4。纯水L3积存在环62的内部之后，向环62的外部溢出，在旋转的底板21之上流动。纯水L3在离心力的作用下向底板21的径向外侧流动，在被从底板21甩开时与有机溶剂L4混合，稀释有机溶剂L4。
有机溶剂L4在被纯水L3稀释的状态下，由杯80回收，不滞留在杯80的内部，而经由排液管84向杯80的外部排出。因此，能够抑制有机溶剂L4的挥发，能够降低在排出气体中包含的有机溶剂L4的浓度。纯水L3的喷出量越多，该效果越显著。即使增大纯水L3的喷出量，也能够利用挡板64抑制纯水L3向基板W附着。
如图15所示，挡板64例如是三棱柱状，包括朝向上方呈尖细状的一对锥面64a、64b(参照图16)。一对锥面64a、64b具有倒字母V状的截面形状。在停止纯水L3的供给之后，能够使纯水L3在重力的作用下向斜下方掉落，能够从挡板64之上去除纯水L3。另外，在喷嘴单元60之上残留的清洗膜F在重力的作用下被抽吸到喷嘴61A、61B的内部。能够抑制清洗膜F的干燥，能够抑制由清洗膜F的残渣而产生微粒。
如图15所示，与环62的上端的高度相比，挡板64的下表面64c(参照图16)的高度较低。利用挡板64使纯水L3向环62的内部溅回，能够可靠地在环62的内部积存纯水L3。更优选的是，与环62的上端的高度相比，挡板64的上端64d(参照图16)的高度较低。能够在环62的内部容纳挡板64，能够抑制挡板64和基板W的干扰。
挡板64的下表面64c也可以如图16所示那样为平坦，但也可以如图17所示那样包括与喷嘴16B相对的圆锥状的凹陷64e。能够利用凹陷64e形成向下的流动，能够可靠地在环62的内部积存纯水L3。
如图18所示，也可以是，形成有从凹陷64d至锥面64a、64b横向地贯通挡板64的贯通孔64f、64g。能够利用贯通孔64g、64g形成横向的流动，能够冲走附着于锥面64a、64b的微粒。
以上，对本公开的基板处理方法和基板处理装置的实施方式等进行了说明，但本公开不限定于上述实施方式等。在权利要求书所记载的范围内，能够进行各种变更、修改、替换、添加、删除和组合。这些也当然属于本公开的保护范围。
例如，在上述实施方式和上述变形例中，在向基板W的下表面Wb依次供给第1化学溶液L1和第2化学溶液L2之后，进行清洗膜F的形成，但本公开的技术不限定于此。例如，也可以是，在第1化学溶液L1的供给和第2化学溶液L2的供给之间，例如在步骤S102中，进行清洗膜F的形成。
此外，在上述实施方式和上述变形例中，向基板W的下表面Wb供给第1化学溶液L1和第2化学溶液L2这两者，但也可以仅供给第1化学溶液L1。能够利用清洗膜F去除附着于喷嘴单元60之上的第1化学溶液L1的液滴。若使第1化学溶液L1的液滴干燥，则有可能由于残渣而产生微粒。如果在第1化学溶液L1的液滴干燥前利用清洗膜F去除第1化学溶液L1的液滴，则能够抑制微粒的产生。
本申请主张基于2020年4月10日向日本特许厅申请的特愿2020－071070号和2021年2月1日向日本特许厅申请的特愿2021－014519号的优先权，将特愿2020－071070号和特愿2021－014519号的全部内容援用于本申请中。
附图标记说明
60、喷嘴单元；61A、喷嘴；61B、喷嘴；F、清洗膜；L1、第1化学溶液；L2、第2化学溶液；L3、纯水；W、基板；Wa、上表面；Wb、下表面。

Claims (15)

1.一种基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
在水平地保持基板并使其旋转的状态下，从包括与所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴的喷嘴单元，向所述基板的下表面依次供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水；
水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥；以及
在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴以使纯水无法到达所述基板的下表面的方式喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，
在所述清洗膜的形成中，形成有将所述清洗膜和所述基板的所述下表面隔开的空间。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
在所述喷嘴单元的一所述喷嘴向所述基板的所述下表面供给纯水的期间，所述喷嘴单元的另一所述喷嘴形成所述清洗膜。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
在包围所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的环的内部积存纯水，形成所述清洗膜。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
在所述清洗膜的形成中，使纯水从所述环的内部向外部溢流。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
利用设置在比所述基板靠下方的位置的挡板承接从形成所述清洗膜的所述喷嘴向上喷出的纯水，使纯水的朝向从向上转向为横向。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述挡板包括朝向上方呈尖细状的一对锥面。
8.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述挡板在下表面包括与形成所述清洗膜的所述喷嘴相对的圆锥状的凹陷。
9.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述挡板包括朝向上方呈尖细状的一对锥面，在下表面包括与形成所述清洗膜的所述喷嘴相对的圆锥状的凹陷，
所述挡板形成有从所述凹陷至所述锥面横向地贯通所述挡板的贯通孔。
10.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
所述挡板的下表面的高度比所述环的上端的高度低。
11.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
在所述基板干燥前，从所述喷嘴单元之上去除所述清洗膜。
12.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述清洗膜由预先进行了温度调节的纯水形成。
13.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
所述喷嘴单元向所述基板的所述下表面依次供给所述第1化学溶液和与所述第1化学溶液不同的第2化学溶液，之后，进行所述清洗膜的形成，
所述第1化学溶液和所述第2化学溶液中的一者为酸性，另一者为碱性。
14.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，
该基板处理方法包括：
向所述基板的上表面依次供给所述第1化学溶液、纯水以及有机溶剂，
在所述有机溶剂的供给中，进行所述清洗膜的形成。
15.一种基板处理装置，其中，
该基板处理装置具有：
保持部，其用于水平地保持基板；
旋转部，其使所述保持部旋转；
喷嘴单元，其包括与由所述保持部水平地保持的所述基板的下表面中央相对配置的多个喷嘴；
流体供给单元，其对所述喷嘴单元供给酸性或碱性的第1化学溶液、和纯水；以及
控制部，其控制所述旋转部和所述流体供给单元，
所述控制部实施以下动作：
在水平地保持所述基板并使其旋转的状态下，从所述喷嘴单元向所述基板的下表面依次供给所述第1化学溶液和纯水；
水平地保持所述基板并使其旋转，使所述基板干燥；以及
在供给所述第1化学溶液后且所述基板干燥前，从所述喷嘴单元的一所述喷嘴以使纯水无法到达所述基板的下表面的方式喷出纯水，在所述喷嘴单元之上形成覆盖所述喷嘴单元的全部的所述喷嘴的纯水的清洗膜。
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