CN115333356B - 一种软启动电路及开关电源 - Google Patents

Abstract

本申请提出一种软启动电路及开关电源，软启动电路包括电流源单元、第一电流镜单元、补偿单元、反馈单元、输出单元、恒流源、第一电容C1和反馈信号输入端；所述电流源单元用于提供软启动电流ISS，所述软启动电流ISS在启动阶段对所述第一电容C1充电；所述第一电流镜单元根据所述恒流源的电流I1为所述反馈单元提供第二偏置电流I2，所述反馈单元根据所述反馈信号输入端提供的反馈电压VFB大小调节流经所述补偿单元的电流大小；所述输出单元的输出端根据所述软启动电流ISS和第一电容的状态输出软启动电压VSS。

Description

一种软启动电路及开关电源

技术领域

本发明涉及集成电路领域，更具体来说，涉及一种可以有效控制输出过冲电压的具有短路恢复功能的软启动电路。

背景技术

通常情况下，开关电源会在启动时产生可能超出负载所能承受的瞬间过冲电压，造成负载电路的不稳定甚至失效。采用软启动电路可以限制输出电压上升速率，避免出现启动时出现输出电压过冲。传统的软启动电路使用恒流源向软启动电容进行充电，并连接到主比较器，这样开关电源的输出电压可以跟随电容电压缓慢上升。当电容电压大于参考电压时，软启动完成，开关电源输出稳定电压。当开关电源输出端负载发生短路时，通常采用限制输出电流或者关闭电源自身的方式来实行保护，但是传统的开关电源的软启动电容上的电压并没有降低，于是当短路条件撤去时，软启动功能不再生效，此时输出端电压快速上升并发生过冲，可能导致负载电路的损毁。

发明内容

针对上述短路恢复后软启动电路不能工作的问题，本发明提出了一种短路恢复软启动电路。软启动电路对电容器进行充电，获得一个缓慢上升的斜坡电压，并且输入到主比较器，与基准电压和反馈电压进行比较，控制开关电源的输出电压在软启动阶段随电容上的电压变化，限制了输出电压的上升速率。当电容上的电压大于基准电压时，软启动完成，开关电源输出稳定电压。开关电源输出端发生短路时，反馈电压被拉低，此时会将软启动电容放电，进入短路保护状态。短路状态解除时，软启动电容再次充电，实现输出电压的缓慢上升。

根据本发明的实施方案，提供一种软启动电路，包括：

电流源单元、第一电流镜单元、补偿单元、反馈单元、输出单元、恒流源、第一电容C1和反馈信号输入端；

所述电流源单元用于提供软启动电流I _SS ，所述软启动电流I _SS 在启动阶段对所述第一电容C1充电；所述第一电流镜单元根据所述恒流源的电流I ₁ 为所述反馈单元提供第二偏置电流I ₂ ，所述反馈单元根据所述反馈信号输入端提供的反馈电压V _FB 大小调节流经所述补偿单元的电流大小；所述输出单元的输出端根据所述软启动电流I _SS 和第一电容的状态输出软启动电压V _SS 。

进一步的，所述第一电流镜单元包括第一NMOS管MN1和第十二NMOS管MN12；

所述第一NMOS管MN1的源极连接到低电平输入端，所述第一NMOS管MN1的漏极连接其栅极并连接到所述恒流源；所述第十二NMOS管MN12的源极连接到低电平输入端，所述第一NMOS管MN1的栅极连接所述第一NMOS管MN1的漏极，所述第十二NMOS管MN12的漏极连接所述反馈单元，并为所述反馈单元提供第二偏置电流I ₂ 。

进一步的，所述反馈单元包括第七PMOS管MP7和第十PMOS管MP10；

所述第七PMOS管MP7的栅极连接所述反馈信号输入端，所述第十PMOS管MP10的栅极连接至N2节点，其中所述N2节点位于所述输出单元和所述第一电流镜单元之间，所述第七PMOS管MP7和第十PMOS管MP10的源极分别连接至高电平输入端，所述第七PMOS管MP7的漏极连接至低电平输入端，所述第十PMOS管MP10的漏极连接所述补偿单元的第二端，所述补偿单元的第一端连接至N1节点，所述N1节点位于所述电流源单元和所述第一电容C1之间。

进一步的，所述软启动电路还包括第十NMOS管MN10和第十一NMOS管MN11;

所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11分别与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11的栅极均与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11的源极分别与低电平输入端连接，所述第十NMOS管MN10的漏极连接所述输出单元，所述第十一NMOS管MN11的漏极连接所述第七PMOS管MP7的漏极，也即所述第七PMOS管MP7的漏极通过第十一NMOS管MN11连接至低电平输入端。

进一步的，所述反馈单元还包括第九PMOS管MP9、第十三NMOS管MN13和第二电容C2；

所述第九PMOS管MP9的栅极连接至所述第七PMOS管MP7的漏极，所述第九PMOS管MP9的源极连接至所述高电平输入端，所述第九PMOS管MP9的漏极连接至所述低电平输入端；所述第十三NMOS管MN13的栅极连接至N1节点，所述第十三NMOS管MN13的漏极连接至所述补偿单元的第二端，所述第十三NMOS管MN13的源极连接至所述第十二NMOS管MN12的漏极；所述第二电容C2的第一极板连接至所述第九PMOS管MP9的栅极，所述第二电容C2的第二极板连接至所述低电平输入端。

进一步的，所述补偿单元包括第八NMOS管MN8；

所述第八NMOS管MN8的漏极连接其栅极，并连接至N1节点，所述第八NMOS管MN8的漏极连接至所述第十PMOS管MP10的漏极。

进一步的，所述软启动电路还包括第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第八PMOS管MP8；

其中所述第二NMOS管MN2与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第一PMOS管MP1与第八PMOS管MP8组成电流镜结构，为所述反馈单元提供偏置电流；

所述第二NMOS管MN2的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第二NMOS管MN2的源极连接所述低电平输入端，所述第二NMOS管MN2的漏极连接所述第一PMOS管MP1的漏极和栅极，所述第一PMOS管MP1的源极连接高电平输入端，所述第八PMOS管MP8的栅极连接所述第一PMOS管MP1的栅极，所述第八PMOS管MP8的源极连接至所述高电平输入端，所述第八PMOS管MP8的漏极连接至所述反馈单元。

进一步的，所述输出单元包括第九NMOS管MN9和负载元件R1；

所述第九NMOS管MN9用于依据所述第一电容C1的当前储电限制所述负载元件R1上的负载电流；

所述第九NMOS管MN9的栅极连接至N1节点，所述第九NMOS管MN9的漏极连接到高电平输入端，所述第九NMOS管MN9的源极连接至所述输出单元的输出端；所述负载元件R1的一端连接至所述输出单元的输出端，所述负载元件R1的另一端连接至所述低电平输入端。

进一步的，所述电流源单元包括第一复合NMOS管、第二PMOS管MP2和第一复合PMOS管；

所述第一复合NMOS管包括至少两个串联的共栅NMOS管，所述第一复合NMOS管与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第一复合PMOS管包括至少两个串联的共栅PMOS管，所述第二PMOS管与所述第一复合PMOS管组成电流镜结构；

所述第一复合NMOS管的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第一复合NMOS管的源极连接低电平输入端，所述第一复合NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管MP2的漏极和栅极，所述第二PMOS管MP2的源极连接高电平输入端，所述第一复合PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极，所述第一复合PMOS管的源极连接高电平输入端，所述第一复合PMOS管的漏极连接N1节点，所述N1节点位于所述电流源单元和所述第一电容C1之间。

根据本发明的实施方案，还提供给了一种开关电源，包括上述的软启动电路。

与现有技术相比，本发明采用软启动电路，限制了输出电压的上升斜率，避免了开关电源启动过程输出电压过冲现象。在短路发生时，能将软启动电容放电，使得软启动电路复位。在短路条件撤除后再次以软启动的方式提高输出电压，解决了输出电压可能存在的过冲。

附图说明

图1为本发明提出的一种软启动电路示意图；

图2为本发明提出的一种软启动电路100示意图一；

图3为本发明提出的一种软启动电路100示意图二；

图4为本发明提出的一种软启动电路100示意图三；

图5为本发明提出的一种软启动电路100示意图四；

图6为本发明提出的一种软启动电路100示意图五；

图7为本发明提出的一种软启动电路100示意图六；

图8为本发明提出的一种软启动电路的具体电路图；

图9为本发明提出的软启动电路工作的关键节点时序图；

图10为本发明提出的软启动电路在启动和短路保护动作的仿真波形图。

具体实施方式

为了使本领域的技术人员更好地理解本申请中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

需要说明的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”、“若干个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

根据本发明的实施方案，图1为本发明提出的一种软启动电路示意图。如图1所示，本发明提供了一种软启动电路，包括电流源单元、第一电流镜单元、补偿单元、反馈单元、输出单元、恒流源、第一电容C1和反馈信号输入端。

所述电流源单元用于提供软启动电流I _SS ，所述软启动电流I _SS 在启动阶段对所述第一电容C1充电；所述第一电流镜单元根据所述恒流源的电流I ₁ 为所述反馈单元提供第二偏置电流I ₂ ，所述反馈单元根据所述反馈信号输入端提供的反馈电压V _FB 大小调节流经所述补偿单元的电流大小；所述输出单元的输出端根据所述软启动电流I _SS 和第一电容的状态输出软启动电压V _SS 。

作为一种可行的实施方式，图2为本发明提出的一种软启动电路100示意图一。如图2所示，所述第一电流镜单元101包括第一NMOS管MN1和第十二NMOS管MN12；

所述第一NMOS管MN1的源极连接到低电平输入端GND，所述第一NMOS管MN1的漏极连接其栅极并连接到所述恒流源，所述恒流源I _bias 提供第一偏置电流I ₁ ；所述第十二NMOS管MN12的源极连接到低电平输入端GND，所述第一NMOS管MN1的栅极连接所述第一NMOS管MN1的漏极，所述第十二NMOS管MN12的漏极连接所述反馈单元，并为所述反馈单元提供第二偏置电流I ₂ 。所述第一NMOS管MN1和第十二NMOS管MN12组成电流镜结构，I ₂ =aI ₁ ，其中a为该电流镜结构的比例系数。

作为一种可行的实施方式，图3为本发明提出的一种软启动电路100示意图二。如图3所示，所述反馈单元102包括第七PMOS管MP7和第十PMOS管MP10；

所述第七PMOS管MP7的栅极连接所述反馈信号输入端，所述第十PMOS管MP10的栅极连接至N2节点，其中所述N2节点位于所述输出单元和所述第一电流镜单元101之间，所述第七PMOS管MP7和第十PMOS管MP10的源极分别连接至高电平输入端VDD，所述第七PMOS管MP7的漏极连接至低电平输入端GND，所述第十PMOS管MP10的漏极连接所述补偿单元的第二端，所述补偿单元的第一端连接至N1节点，所述N1节点位于所述电流源单元和所述第一电容C1之间。由于第十二NMOS管MN12下拉电流I ₂ 不变，当流经第十PMOS管MP10的电流减小时，减小的电流由软启动电流Iss补充。

作为一种可行的实施方式，图4为本发明提出的一种软启动电路100示意图三。如图4所示，所述软启动电路还包括第十NMOS管MN10和第十一NMOS管MN11;

所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11分别与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11的栅极均与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11的源极分别与低电平输入端连接，所述第十NMOS管MN10的漏极连接所述输出单元，所述第十一NMOS管MN11的漏极连接所述第七PMOS管MP7的漏极，也即所述第七PMOS管MP7的漏极通过第十一NMOS管MN11连接至低电平输入端。

作为一种可行的实施方式，图5为本发明提出的一种软启动电路100示意图四。如图5所示，所述反馈单元还包括第九PMOS管MP9、第十三NMOS管MN13和第二电容C2；

所述第九PMOS管MP9的栅极连接至所述第七PMOS管MP7的漏极，所述第九PMOS管MP9的源极连接至所述高电平输入端VDD，所述第九PMOS管MP9的漏极连接至所述低电平输入端GND；所述第十三NMOS管MN13的栅极连接至N1节点，所述第十三NMOS管MN13的漏极连接至所述补偿单元的第二端，所述第十三NMOS管MN13的源极连接至所述第十二NMOS管MN12的漏极；所述第二电容C2的第一极板连接至所述第九PMOS管MP9的栅极，所述第二电容C2的第二极板连接至所述低电平输入端GND。软启动电路100对第一电容C1进行充电，获得一个缓慢上升的斜坡电压，并且输入到主比较器(反馈单元)，与基准电压Vref和反馈电压V_FB进行比较，控制开关电源的输出电压V_SS在软启动阶段随第一电容C1上的电压变化，限制了输出电压的上升速率。

作为一种可行的实施方式，图6为本发明提出的一种软启动电路100示意图五。如图6所示，所述软启动电路还包括第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第八PMOS管MP8；

其中所述第二NMOS管MN2与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第一PMOS管MP1与第八PMOS管MP8组成电流镜结构，为所述反馈单元提供偏置电流；

所述第二NMOS管MN2的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第二NMOS管MN2的源极连接所述低电平输入端，所述第二NMOS管MN2的漏极连接所述第一PMOS管MP1的漏极和栅极，所述第一PMOS管MP1的源极连接高电平输入端，所述第八PMOS管MP8的栅极连接所述第一PMOS管MP1的栅极，所述第八PMOS管MP8的源极连接至所述高电平输入端，所述第八PMOS管MP8的漏极连接至所述反馈单元。

作为一种可行的实施方式，图7为本发明提出的一种软启动电路100示意图六。如图7所示，所述补偿单元包括第八NMOS管MN8；所述第八NMOS管MN8的漏极连接其栅极，并连接至N1节点，所述第八NMOS管MN8的漏极连接至所述第十PMOS管MP10的漏极。第八NMOS管MN8为二极管接法，只允许电路从其漏极向源极单向流动，第八NMOS管MN8在此提供了电平位移的作用。

作为一种可行的实施方式，图8为本发明提出的一种软启动电路的具体电路图。如图8所示，所述输出单元包括第九NMOS管MN9和负载元件R1；

所述第九NMOS管MN9用于依据所述第一电容C1的当前储电限制所述负载元件R1上的负载电流，也即所述第九NMOS管MN9用于依据所述第一电容C1的当前储电钳制至少一标准电源向所述负载元件R1提供的负载电流；

所述第九NMOS管MN9的栅极连接至N1节点，所述第九NMOS管MN9的漏极连接到高电平输入端，所述第九NMOS管MN9的源极连接至所述输出单元的输出端；所述负载元件R1的一端连接至所述输出单元的输出端，所述负载元件R1的另一端连接至所述低电平输入端。

作为一种可行的实施方式，如图8所示，所述电流源单元包括第一复合NMOS管（MN3、MN4、MN5、MN6和MN7）、第二PMOS管MP2和第一复合PMOS管（MP3、MP4和MP5）；

所述第一复合NMOS管包括至少两个串联的共栅NMOS管，所述第一复合NMOS管与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第一复合PMOS管包括至少两个串联的共栅PMOS管，所述第二PMOS管与所述第一复合PMOS管组成电流镜结构；所述第一复合NMOS管和第一复合PMOS管串联的数量不是一定的，可以根据实际需要设置，一般情况下串联的晶体管的数量在10以内，本申请不做具体限定。

所述第一复合NMOS管的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第一复合NMOS管的源极连接低电平输入端，所述第一复合NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管MP2的漏极和栅极，所述第二PMOS管MP2的源极连接高电平输入端，所述第一复合PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极，所述第一复合PMOS管的源极连接高电平输入端，所述第一复合PMOS管的漏极连接N1节点，所述N1节点位于所述电流源单元和所述第一电容C1之间。

作为一种可行的实施方式，如图8所示，所述软启动电路还包括第六PMOS管MP6，所述第六PMOS管MP6的栅极连接所述第九PMOS管MP9的源极，所述第六PMOS管MP6的源极连接所述高电平输入端VDD，所述第六PMOS管MP6的漏极连接所述第七PMOS管MP7的源极。

本发明的工作原理如下：开关电源启动阶段，软启动电流Iss对第一电容C1充电，第一电容C1上的电压升高，在第九NMOS管MN9输出一个缓慢上升的电压V _SS ，使得开关电源的输出电压升高，反馈输入电压V _FB 升高。第一电容C1电压的上升斜率为Iss/C ₁，此斜率也近似为软启动电路输出端电压V _SS 上升的斜率。输出端电压V _SS 上升到开关电源的参考电压时，软启动完成，开关电源输出稳定电压。V _SS 继续上升，此时第十PMOS管MP10栅极电压大于第七PMOS管MP7栅极电压V _FB ，故电流主要流过第七PMOS管MP7，流经第十PMOS管MP10的电流减小，由于第十二NMOS管MN12下拉电流不变，减小的电流由软启动电流Iss补充，不再向第一电容C1充电，达到稳态时，软启动电路输出电压为V _SS =V _FB +I _bias ×R1。在发生短路时，反馈输入电压V _FB 被拉低，使其源极电压随着变低，第十PMOS管MP10进入截止状态，第十二NMOS管MN12下拉电流大于软启动电流Iss，故第一电容C1进入放电状态，第九NMOS管NM9的栅极电压降低，输出电压V _SS 随着降低，直到满足V _SS =V _FB +I _bias ×R1，从而实现短路保护功能。当短路条件撤去时，第一电容C1再次充电，稳压器进入软启动状态，输出电压缓慢上升恢复至稳定。

图9为本发明提出的短路恢复软启动电路工作过程的时序图。如图9所示，电源启动时，软启动电压V _SS 缓慢上升，因此输出电压V _OUT 和反馈电压V _FB 也随着上升。反馈电压V _FB 达到基准电压V _REF 后，输出电压V _OUT 达到稳态。软启动电压V _SS 继续升高至略大于V _FB 后达到稳态。在短路保护触发信号V _SCP 施加后（也即负载电流过大），输出电压迅速下降，同时软启动电压V _SS 也下降。撤除短路条件后，开关电源再次以软启动方式提高输出电压。

利用仿真软件对本例的方法进行仿真分析，图10为本发明提出的短路恢复软启动电路在启动和触发和撤除短路条件下，开关电源输出电压，电感电流和短路控制信号的仿真波形图。仿真条件：输入电压12V，输出电压5V，在5ms处加入短路保护触发信号，并在5.1ms时撤去短路保护触发信号。从图10可以看出，软启动电路在短路恢复后能正常工作，避免了输出电压的过冲。

根据本发明的实施方案，本发明还提供了一种开关电源，包括上述的软启动电路。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种软启动电路，其特征在于，包括：

电流源单元、第一电流镜单元、补偿单元、反馈单元、输出单元、恒流源、第一电容C1和反馈信号输入端；

所述电流源单元用于提供软启动电流ISS，所述软启动电流ISS在启动阶段对所述第一电容C1充电；所述第一电流镜单元根据所述恒流源的电流I1为所述反馈单元提供第二偏置电流I2，所述反馈单元根据所述反馈信号输入端提供的反馈电压VFB大小调节流经所述补偿单元的电流大小；所述输出单元的输出端根据所述软启动电流ISS和第一电容的状态输出软启动电压VSS；

所述反馈单元包括：

第七PMOS管MP7和第十PMOS管MP10；

所述第七PMOS管MP7的栅极连接所述反馈信号输入端，所述第十PMOS管MP10的栅极连接至N2节点，其中所述N2节点位于所述输出单元和所述第一电流镜单元之间，所述第七PMOS管MP7和第十PMOS管MP10的源极分别连接至高电平输入端，所述第七PMOS管MP7的漏极连接至低电平输入端，所述第十PMOS管MP10的漏极连接所述补偿单元的第二端，所述补偿单元的第一端连接至N1节点，所述N1节点位于所述电流源单元和所述第一电容C1之间。

2.根据权利要求1所述的一种软启动电路，其特征在于，所述第一电流镜单元包括：

第一NMOS管MN1和第十二NMOS管MN12；

所述第一NMOS管MN1的源极连接到低电平输入端，所述第一NMOS管MN1的漏极连接其栅极并连接到所述恒流源；所述第十二NMOS管MN12的源极连接到低电平输入端，所述第一NMOS管MN1的栅极连接所述第一NMOS管MN1的漏极，所述第十二NMOS管MN12的漏极连接所述反馈单元，并为所述反馈单元提供第二偏置电流I2。

3.根据权利要求2所述的一种软启动电路，其特征在于，所述软启动电路还包括：

第十NMOS管MN10和第十一NMOS管MN11;

所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11分别与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11的栅极均与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第十NMOS管MN10与第十一NMOS管MN11的源极分别与低电平输入端连接，所述第十NMOS管MN10的漏极连接所述输出单元，所述第十一NMOS管MN11的漏极连接所述第七PMOS管MP7的漏极。

4.根据权利要求2或3所述的一种软启动电路，其特征在于，所述反馈单元还包括：

第九PMOS管MP9、第十三NMOS管MN13和第二电容C2；

所述第九PMOS管MP9的栅极连接至所述第七PMOS管MP7的漏极，所述第九PMOS管MP9的源极连接至所述高电平输入端，所述第九PMOS管MP9的漏极连接至所述低电平输入端；所述第十三NMOS管MN13的栅极连接至N1节点，所述第十三NMOS管MN13的漏极连接至所述补偿单元的第二端，所述第十三NMOS管MN13的源极连接至所述第十二NMOS管MN12的漏极；所述第二电容C2的第一极板连接至所述第九PMOS管MP9的栅极，所述第二电容C2的第二极板连接至所述低电平输入端。

5.根据权利要求4所述的一种软启动电路，其特征在于，所述补偿单元包括：

第八NMOS管MN8；

所述第八NMOS管MN8的漏极连接其栅极，并连接至N1节点，所述第八NMOS管MN8的漏极连接至所述第十PMOS管MP10的漏极。

6.根据权利要求2所述的一种软启动电路，其特征在于，所述软启动电路还包括：

第二NMOS管MN2、第一PMOS管MP1和第八PMOS管MP8；

其中所述第二NMOS管MN2与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第一PMOS管MP1与第八PMOS管MP8组成电流镜结构，为所述反馈单元提供偏置电流；

所述第二NMOS管MN2的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第二NMOS管MN2的源极连接所述低电平输入端，所述第二NMOS管MN2的漏极连接所述第一PMOS管MP1的漏极和栅极，所述第一PMOS管MP1的源极连接高电平输入端，所述第八PMOS管MP8的栅极连接所述第一PMOS管MP1的栅极，所述第八PMOS管MP8的源极连接至所述高电平输入端，所述第八PMOS管MP8的漏极连接至所述反馈单元。

7.根据权利要求1所述的一种软启动电路，其特征在于，所述输出单元包括：

第九NMOS管MN9和负载元件R1；

所述第九NMOS管MN9用于依据所述第一电容C1的当前储电限制所述负载元件R1上的负载电流；

所述第九NMOS管MN9的栅极连接至N1节点，所述第九NMOS管MN9的漏极连接到高电平输入端，所述第九NMOS管MN9的源极连接至所述输出单元的输出端；所述负载元件R1的一端连接至所述输出单元的输出端，所述负载元件R1的另一端连接至低电平输入端。

8.根据权利要求2所述的一种软启动电路，其特征在于，所述电流源单元包括：

第一复合NMOS管、第二PMOS管MP2和第一复合PMOS管；

所述第一复合NMOS管包括至少两个串联的共栅NMOS管，所述第一复合NMOS管与所述第一NMOS管MN1组成电流镜结构，所述第一复合PMOS管包括至少两个串联的共栅PMOS管，所述第二PMOS管与所述第一复合PMOS管组成电流镜结构；

所述第一复合NMOS管的栅极与所述第一NMOS管MN1的栅极连接，所述第一复合NMOS管的源极连接低电平输入端，所述第一复合NMOS管的漏极连接所述第二PMOS管MP2的漏极和栅极，所述第二PMOS管MP2的源极连接高电平输入端，所述第一复合PMOS管的栅极连接所述第二PMOS管MP2的栅极，所述第一复合PMOS管的源极连接高电平输入端，所述第一复合PMOS管的漏极连接N1节点，所述N1节点位于所述电流源单元和所述第一电容C1之间。

9.一种开关电源，其特征在于，包括如权利要求1-8任意一项所述的软启动电路。

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