CN115332371A - 硅片的制绒方法及太阳能电池的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种硅片的制绒方法及太阳能电池的制备方法，其中，硅片的制绒方法，包括采用第一碱溶液对所述硅片进行两次以上碱刻蚀，且前一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度大于后一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度，前一次碱刻蚀的反应时间大于后一次碱刻蚀的反应时间；采用含有臭氧的第一酸溶液对碱刻蚀后的所述硅片进行第一清洗；采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的所述硅片进行第二清洗。上述方案可以降低硅片表面的反射率，提高太阳能电池的转换效率。

Description

硅片的制绒方法及太阳能电池的制备方法
技术领域
本发明一般涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种硅片的制绒方法及太阳能电池的制备方法。
背景技术
硅属于间接带隙，厚度的减薄意味着对光的吸收减少，因此采用表面绒面化最大限度的降低硅片表面反射率，提高陷光能力，增加光吸收，以提高太阳能电池的转换效率。如何优化硅表面的绒面结构，进一步降低硅片表面反射率是本领域技术人员所要解决的技术问题。
发明内容
本申请期望提供一种硅片的制绒方法及太阳能电池的制备方法，至少用以降低硅片表面的反射率，以提高太阳能电池的转换效率。
第一方面，本发明提供一种硅片的制绒方法，包括：
采用第一碱溶液对所述硅片进行两次以上碱刻蚀，且前一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度大于后一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度，前一次碱刻蚀的反应时间大于后一次碱刻蚀的反应时间；
采用含有臭氧的第一酸溶液对碱刻蚀后的所述硅片进行第一清洗；
采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的所述硅片进行第二清洗。
作为可实现方式，采用第一碱溶液对所述硅片进行两次碱刻蚀，依次为第一次碱刻蚀和第二次碱刻蚀；
所述第一次碱刻蚀采用碱的质量百分比浓度为2.1％-4％的第一碱溶液，反应温度为81℃-83℃，反应时间为280S-310S；
所述第二次碱刻蚀采用碱的质量百分比浓度为1％-2％的第一碱溶液，反应温度为81℃-83℃，反应时间为110S-120S。
作为可实现方式，在碱刻蚀过程中，以460ml-560ml/400psc的频次对所述第一次碱刻蚀的第一碱溶液进行补充；以80ml-150ml/400psc的频次对所述第二次碱刻蚀的第一碱溶液进行补充。
作为可实现方式，所述碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
作为可实现方式，所述第一酸溶液包括盐酸，所述第二酸溶液包括氢氟酸。
作为可实现方式，所述第一清洗的清洗时间为100S-120S，所述第一酸溶液中所述臭氧的浓度为21±3ppm，所述第一酸溶液中氯化氢的质量百分比浓度为0.005％-0.02％。
作为可实现方式，所述第二清洗的清洗时间为100S-120S，所述第二酸溶液中所述第一双氧水的质量百分比浓度为6％-9％，所述第二酸溶液中氟化氢的质量百分比浓度为6％-9％。
作为可实现方式，在碱刻蚀前，对所述硅片依次进行第一预清洗、粗抛、第二预清洗以及第一漂洗；
分别采用含有第二双氧水的第二碱溶液对硅片进行所述第一预清洗和所述第二预清洗；
采用第三碱溶液对所述硅片进行所述粗抛；
所述第三碱溶液中碱的质量百分比浓度大于所述第二碱溶液中碱的质量百分比浓度。
作为可实现方式，所述第一预清洗和所述第二预清洗的温度均为65℃-80℃，所述第一预清洗和所述第二预清洗的时间为60S-130S，所述第二碱溶液中碱的质量百分比浓度为0.3％-0.7％，所述第二双氧水的质量百分比浓度为1.5％-2.5％；
所述粗抛的温度为81℃-83℃，所述粗抛的时间为60S-130S，所述第三碱溶液中碱的质量百分比浓度为1％-2％。
第二方面，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，包括上述的硅片的制绒方法。
上述方案，采用第一碱溶液对硅片进行两次以上碱刻蚀，前一次采用浓度较高的第一碱溶液，以使第一碱溶液与硅片剧烈反应，迅速的形成金字塔形式的绒面结构，然后再使用浓度较低的第一碱溶液，再次对硅片进行碱刻蚀，对前一次碱刻蚀形成的绒面结构进行修复，提高绒面的尺寸、高度以及比表面积，以降低反射率，增强对光的吸收。此外，在第一清洗后采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的硅片进行第二清洗，在第二次清洗时，利用第一双氧水的氧化性，可以将绒面结构底部碎小的多孔硅去除，进一步增强对光的吸收。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的硅片的制绒方法的流程图；
图2为本发明另一实施例提供的硅片的制绒方法的流程图；
图3为实施本发明方法获得的硅片绒面结构与传统方案的电子显微镜放大对比图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
如图1所示，本发明提供一种硅片的制绒方法，包括：
S1：采用第一碱溶液对所述硅片进行两次以上碱刻蚀，且前一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度大于后一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度，前一次碱刻蚀的反应时间大于后一次碱刻蚀的反应时间；
例如可以对硅片先后进行两次碱刻蚀；当然，根据实际需要还可以进行更多次的碱刻蚀，如三次、四次等，这里不做具体限定。
本文所指的各碱溶液可以但不限于包括添加剂、无机碱以及水。根据实际工艺的需要，各溶液中的水可以是纯水、去离子水等。
其中，添加剂包括但不限于绒面成核剂、绒面缓蚀剂、微结构修饰剂、稳定剂等。
绒面成核剂包括聚谷氨酸、聚天冬氨酸、聚赖氨酸、聚二氨基丁酸、聚二氨基丙酸中的一种或多种。
绒面缓蚀剂包括十二烷基苯磺酸钠、对甲苯磺酸钠、甲基丙烯磺酸钠、异丙苯磺酸钠、聚苯乙烯磺酸钠中的一种或多种。
微结构修饰剂包括羧甲基纤维素钠、瓜儿豆胶、黄原胶中的一种或多种。
稳定剂包括六聚甘油、十聚甘油中的一种或两种。
无机碱包括氢氧化钠、氢氧化钾中的一种或两种。
该示例中，第一碱溶液采用的无机碱(后文也可称之为碱)为氢氧化钠。
S2：采用含有臭氧的第一酸溶液对碱刻蚀后的所述硅片进行第一清洗；
采用第一酸溶液对硅片进行第一清洗，以中和硅片上残留的碱，在第一清洗时，向第一酸溶液中通入臭氧，以去除硅片中的金属离子，并对绒面结构的微结构进行优化。
S3：采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的所述硅片进行第二清洗。
在第一清洗后，采用含有第一双氧水的第二酸溶液再次对硅片进行清洗，此时，利用第一双氧水的氧化性，将绒面结构底部碎小的多孔硅去除。
上述方案，采用第一碱溶液对硅片进行两次以上碱刻蚀，前一次采用浓度较高的第一碱溶液，以使第一碱溶液与硅片剧烈反应，迅速的形成金字塔形式的绒面结构，然后再使用浓度较低的第一碱溶液，再次对硅片进行碱刻蚀，对前一次碱刻蚀形成的绒面结构进行修复，提高绒面的尺寸、高度以及比表面积，以降低反射率，增强对光的吸收。此外，在第一清洗后采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的硅片进行第二清洗，在第二次清洗时，利用第一双氧水的氧化性，可以将绒面结构底部碎小的多孔硅去除，也就是，利用双氧水的氧化性将底部的碎小金字塔结构氧化成二氧化硅，氢氟酸与二氧化硅反应进一步修复金字塔绒面，进而增强光的吸收。
作为可实现方式，采用第一碱溶液对所述硅片进行两次碱刻蚀，依次为第一次碱刻蚀和第二次碱刻蚀；
所述第一次碱刻蚀采用碱的质量百分比浓度为2.1％-4％的第一碱溶液，例如但不限于为2.1％、2.6％、2.9％、3％、3.2％、3.3％、3.9％等；反应温度为81℃-83℃，反应时间为280S-310S；
所述第二次碱刻蚀采用碱的质量百分比浓度为1％-2％的第一碱溶液，例如但不限于为1.1％、1.6％、1.9％等；反应温度为81℃-83℃，反应时间为110S-120S。
该示例中对硅片进行两次碱刻蚀，第一次碱刻蚀的第一碱溶液的浓度高于第二次碱刻蚀的第一碱溶液的浓度，并且第一次碱刻蚀的反应时间长于第二次碱刻蚀的反应时间，使得硅片具有足够的时长与浓度较高的第一碱溶液进行相对激烈的反应，以形成金字塔形式的绒面结构的基本样貌；然后在采用浓度相对较低的第一碱溶液对绒面结构进行修饰，最终提高绒面结构中金字塔的高度以及金字塔塔基的大小。
作为可实现方式，在碱刻蚀过程中，为了维持碱刻蚀的持续性以及连续性，以460ml-560ml/400psc的频次对所述第一次碱刻蚀的第一碱溶液进行补充；以80ml-150ml/400psc的频次对所述第二次碱刻蚀的第一碱溶液进行补充。也即，每加工400片硅片，向进行第一次碱刻蚀的槽体内补充460ml-560ml第一碱溶液，例如但不限于为460ml、480ml、500ml、520ml等，向进行第二次碱刻蚀的槽体内补充80ml-150ml第一碱溶液，例如但不限于为80ml、90ml、115ml、130ml等。向第一次碱刻蚀的槽体内补充的第一碱溶液的浓度，与向第二次碱刻蚀的槽体内补充的第一碱溶液的浓度可以不同，例如但不限于，向第一次碱刻蚀的槽体内补充的第一碱溶液的浓度同样大于向第二次碱刻蚀的槽体内补充的第一碱溶液的浓度。
作为可实现方式，所述第一酸溶液包括盐酸，所述第二酸溶液包括氢氟酸。
作为可实现方式，所述第一清洗的清洗时间为100S-120S，所述第一酸溶液中所述臭氧的浓度为21±3ppm，所述第一酸溶液中氯化氢的质量百分比浓度为0.005％-0.02％。
作为可实现方式，所述第二清洗的清洗时间为100S-120S，所述第二酸溶液中所述第一双氧水的质量百分比浓度为6％-9％，所述第二酸溶液中氟化氢的质量百分比浓度为6％-9％。
作为可实现方式，在碱刻蚀前，对所述硅片依次进行第一预清洗、粗抛、第二预清洗以及第一漂洗；
分别采用含有第二双氧水的第二碱溶液对硅片进行所述第一预清洗和所述第二预清洗；
采用第三碱溶液对所述硅片进行所述粗抛；
所述第三碱溶液中碱的质量百分比浓度大于所述第二碱溶液中碱的质量百分比浓度。
在粗抛前，采用含有第二双氧水的第二碱溶液对硅片进行第一预清洗，用于去除硅片表面的杂质，以提高粗抛效果。
作为可实现方式，所述第一预清洗和所述第二预清洗的温度均为65℃-80℃，所述第一预清洗和所述第二预清洗的时间为60S-130S，所述第二碱溶液中碱的质量百分比浓度为0.3％-0.7％，例如但不限于为0.3％、0.4％、0.5％、0.55％等，所述第二双氧水的质量百分比浓度为1.5％-2.5％，例如但不限于为1.5％、1.7％、1.9％、2.2％等；
所述粗抛的温度为81℃-83℃，所述粗抛的时间为60S-130S，所述第三碱溶液中碱的质量百分比浓度为1％-2％，例如但不限于为1.1％、1.23％、1.46％、1.8％等。
下面以若干具体实现方式，对本发明的硅片的制绒方法予以示例性说明，其不应理解为对本发明的唯一性限定。
示例1
如图2所示，本发明提供的硅片的制绒方法，包括：
S201：第一预清洗：采用含有第二双氧水的第二碱溶液对硅片进行第一预清洗，第二碱溶液为NaOH溶液，第二碱溶液中NaOH的质量百分比浓度为0.5％，第一预清洗的时间为60S，第一预清洗的温度均为65℃，第二双氧水的质量百分比浓度为1.5％。
S202：粗抛：采用第三碱溶液对硅片进行粗抛，第三碱溶液为NaOH溶液，第三碱溶液中NaOH的质量百分比浓度为1.5％，粗抛的时间为60S，粗抛的温度为81℃。
S203：第二预清洗：采用含有第二双氧水的第二碱溶液对硅片进行第二预清洗，第二碱溶液为NaOH溶液，第二碱溶液中NaOH的质量百分比浓度为0.5％，第二预清洗的时间为60S，第二预清洗的温度均为65℃，第二双氧水的质量百分比浓度为1.5％。
S204：第一漂洗：采用纯水对第二预清洗后的硅片进行第一漂洗，第一漂洗的时间为60S，温度为25℃。
S205：第一次碱刻蚀：采用NaOH的质量百分比浓度为2.53％的第一碱溶液对第一漂洗后的硅片进行第一次碱刻蚀，第一次碱刻蚀的反应温度为81℃，反应时间为280S；每加工400片硅片，向进行第一次碱刻蚀的槽体内补充460ml，NaOH的质量百分比浓度为2.53％的第一碱溶液。
S206：第二次碱刻蚀：采用NaOH的质量百分比浓度为1.7％的第一碱溶液对第一次碱刻蚀的硅片进行第二次碱刻蚀，第二次碱刻蚀的反应温度为81℃，反应时间为110S。每加工400片硅片，向进行第二次碱刻蚀的槽体内补充80ml，NaOH的质量百分比浓度为1.7％的第一碱溶液。
S207：第二漂洗：采用纯水对第二次碱刻蚀后的硅片进行第二漂洗，第二漂洗的时间为60S，温度为25℃。
S208：第一清洗：采用含有臭氧的第一酸溶液对第二次碱刻蚀后的硅片进行第一清洗；第一酸溶液为盐酸，第一清洗的清洗时间为150S，第一酸溶液中臭氧的浓度为21ppm，第一酸溶液中氯化氢的质量百分比浓度为0.01％。
S209：第二清洗：采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的所述硅片进行第二清洗。第二酸溶液为氢氟酸，第二清洗的清洗时间为100S，第二酸溶液中第一双氧水的质量百分比浓度为7.4％，第二酸溶液中氟化氢的质量百分比浓度为7.8％。
S210：酸洗：采用盐酸和氢氟酸的混合酸溶液，对第二清洗后的硅片进行酸洗；混合酸溶液中HF体积浓度为5％，HCL体积浓度7％，酸清洗温度为20℃，时间为60S。
S211：第三漂洗：采用纯水对酸洗后的硅片进行第三漂洗，第三漂洗的时间为60S，温度为25℃。
S212：慢提拉：将第三漂洗后的硅片放入到慢提拉槽进行预脱水。慢提拉槽内的温度为60℃，预脱水的时间为60S。
S213：烘干：将慢提拉预脱水后的硅片放入到烘干槽进行烘干。烘干槽内的温度为80℃，烘干的时间为200S。
如下表所示，采用该示例方案所获得的硅片，相较于传统一步碱刻蚀工艺获得硅片，如图3所示，分别在电子显微镜下放大3700倍和9000倍进行观察，其金字塔形式绒面结构的塔基大小变大，高度增高，且第二次碱刻蚀后绒面结构较第一次碱刻蚀后进一步增大；由于本申请中塔基大小变大，高度增高，则在电子显微镜相同视角下金字塔数量减少(也即视角数量减少)，相应地，同面积下金字塔数量减少；在电子显微镜相同视角下所有金字塔的总表面积增加(也即视角面积)，相应地，比表面积增大，反射率降低，具体数据参见下标：
Figure BDA0003767493270000091
示例2
该示例与示例1的不同主要在于：
第一次碱刻蚀采用NaOH的质量百分比浓度为2.1％的第一碱溶液，第一次碱刻蚀的反应温度为82℃，反应时间为290S；每加工400片硅片，向进行第一次碱刻蚀的槽体内补充500ml，NaOH的质量百分比浓度为2.1％的第一碱溶液。
第二次碱刻蚀采用NaOH的质量百分比浓度为1％的第一碱溶液，第二次碱刻蚀的反应温度为82℃，反应时间为115S。每加工400片硅片，向进行第二次碱刻蚀的槽体内补充90ml，NaOH的质量百分比浓度为1％的第一碱溶液。
第一酸溶液中臭氧的浓度为22ppm，第一酸溶液中氯化氢的质量百分比浓度为0.005％。
第二酸溶液中第一双氧水的质量百分比浓度为6％，第二酸溶液中氟化氢的质量百分比浓度为6％。
示例3
该示例与示例1的不同主要在于：
第一次碱刻蚀采用NaOH的质量百分比浓度为3.5％的第一碱溶液，第一次碱刻蚀的反应温度为83℃，反应时间为290S；每加工400片硅片，向进行第一次碱刻蚀的槽体内补充520ml，NaOH的质量百分比浓度为3.5％的第一碱溶液。
第二次碱刻蚀采用NaOH的质量百分比浓度为2％的第一碱溶液，第二次碱刻蚀的反应温度为83℃，反应时间为115S。每加工400片硅片，向进行第二次碱刻蚀的槽体内补充120ml，NaOH的质量百分比浓度为2％的第一碱溶液。
第一酸溶液中臭氧的浓度为23ppm，第一酸溶液中氯化氢的质量百分比浓度为0.015％。
第二酸溶液中第一双氧水的质量百分比浓度为7％，第二酸溶液中氟化氢的质量百分比浓度为8％。
第二方面，本发明提供一种太阳能电池的制备方法，包括上述的硅片的制绒方法。
例如但不限于，在上述的硅片的制绒方法获得的硅片上进行扩散制结、去除磷硅玻璃、沉积减反射膜、电极制备等工艺获得太阳能电池。
采用本方案方案制备的太阳能电池，较常规的采用一步碱刻蚀制备的太阳能电池，其至少各电学性能有了提升，具体参照下表所示：
Figure BDA0003767493270000111
其中，常规方案中，对硅片采用的一步碱刻蚀制绒的工艺，可以但不限于包括以下顺序实施的工艺过程：采用无机碱溶液对硅片进行粗抛，无机碱溶液例如为NaOH溶液→采用含双氧水的有机碱溶液对粗抛后的硅片进行预清洗→对预清洗后的硅片进行第一漂洗→采用无机碱溶液对第一漂洗后的硅片进行一步(一次)碱刻蚀，以在硅片表面形成金字塔形式的绒面结构→对碱刻蚀后的硅片进行第二漂洗→采用含臭氧的盐酸对第二漂洗后的硅片进行后清洗→对后清洗后的硅片进行第三漂洗→采用氢氟酸和盐酸的混合溶液对第三漂洗的硅片进行酸洗→对酸洗后的硅片进行第四漂洗→对第四漂洗后的硅片进行慢提拉→对慢提拉后的硅片进行烘干，以获得制绒后的硅片；常规方案中，与本创新方案对应的工艺过程，可以但不限于采用与本创新方案相同的工艺参数。可以在采用该常规方案获得的硅片上进行扩散制结、去除磷硅玻璃、沉积减反射膜、电极制备等工艺获得对应的太阳能电池。
本次技术创新发明的两步碱刻蚀(也可称为两次碱刻蚀)新工艺做出来的硅片跟踪到成品电池片，较对常规一步碱刻蚀做出来的电池片效率高0.06％左右。两步碱刻蚀相比于一步碱刻蚀，硅片表面的绒面结构陷光效果更好，从而达到晶硅电池的发电转换效率的明显上升。同时，因为第一、二步碱刻蚀槽工艺时间总和跟原来的一步碱刻蚀工艺时间相等，所以对生产的产能也无影响。
需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含有指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含有地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含有义是两个或两个以上。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种硅片的制绒方法，其特征在于，包括：
采用第一碱溶液对所述硅片进行两次以上碱刻蚀，且前一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度大于后一次碱刻蚀的第一碱溶液浓度，前一次碱刻蚀的反应时间大于后一次碱刻蚀的反应时间；
采用含有臭氧的第一酸溶液对碱刻蚀后的所述硅片进行第一清洗；
采用含有第一双氧水的第二酸溶液对第一清洗后的所述硅片进行第二清洗。
2.根据权利要求1所述的硅片的制绒方法，其特征在于，采用第一碱溶液对所述硅片进行两次碱刻蚀，依次为第一次碱刻蚀和第二次碱刻蚀；
所述第一次碱刻蚀采用碱的质量百分比浓度为2.1％-4％的第一碱溶液，反应温度为81℃-83℃，反应时间为280S-310S；
所述第二次碱刻蚀采用碱的质量百分比浓度为1％-2％的第一碱溶液，反应温度为81℃-83℃，反应时间为110S-120S。
3.根据权利要求2所述的硅片的制绒方法，其特征在于，在碱刻蚀过程中，以460ml-560ml/400psc的频次对所述第一次碱刻蚀的第一碱溶液进行补充；以80ml-150ml/400psc的频次对所述第二次碱刻蚀的第一碱溶液进行补充。
4.根据权利要求2所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
5.根据权利要求1-4任一项所述的硅片的制绒方法，其特征在于，
所述第一酸溶液包括盐酸，所述第二酸溶液包括氢氟酸。
6.根据权利要求5所述的硅片的制绒方法，其特征在于，
所述第一清洗的清洗时间为100S-120S，所述第一酸溶液中所述臭氧的浓度为21±3ppm，所述第一酸溶液中氯化氢的质量百分比浓度为0.005％-0.02％。
7.根据权利要求5所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述第二清洗的清洗时间为100S-120S，所述第二酸溶液中所述第一双氧水的质量百分比浓度为6％-9％，所述第二酸溶液中氟化氢的质量百分比浓度为6％-9％。
8.根据权利要求1-4任一项所述的硅片的制绒方法，其特征在于，
在碱刻蚀前，对所述硅片依次进行第一预清洗、粗抛、第二预清洗以及第一漂洗；
分别采用含有第二双氧水的第二碱溶液对硅片进行所述第一预清洗和所述第二预清洗；
采用第三碱溶液对所述硅片进行所述粗抛；
所述第三碱溶液中碱的质量百分比浓度大于所述第二碱溶液中碱的质量百分比浓度。
9.根据权利要求8所述的硅片的制绒方法，其特征在于，所述第一预清洗和所述第二预清洗的温度均为65℃-80℃，所述第一预清洗和所述第二预清洗的时间为60S-130S，所述第二碱溶液中碱的质量百分比浓度为0.3％-0.7％，所述第二双氧水的质量百分比浓度为1.5％-2.5％；
所述粗抛的温度为81℃-83℃，所述粗抛的时间为60S-130S，所述第三碱溶液中碱的质量百分比浓度为1％-2％。
10.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的硅片的制绒方法。
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