CN115295402A - 一种晶圆清洗方法及清洗设备 - Google Patents

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CN115295402A CN202211223887.1A CN202211223887A CN115295402A CN 115295402 A CN115295402 A CN 115295402A CN 202211223887 A CN202211223887 A CN 202211223887A CN 115295402 A CN115295402 A CN 115295402A
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唐斌
张志敏
朱红波
龙思阳
余威明
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Abstract

本申请公开了一种晶圆清洗方法及清洗设备，晶圆清洗方法包括：采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液；采用第二清洗液对所述晶圆进行第二清洗，其中，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液；采用第三清洗液对所述晶圆进行第三清洗，其中，所述第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。本申请可以避免清洗过程产生较厚的二氧化硅层而对器件的电性能造成影响，并且本申请的清洗步骤更少，可以提高清洗效率。

Description

一种晶圆清洗方法及清洗设备
技术领域
本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种晶圆清洗方法及清洗设备。
背景技术
半导体器件制作过程中，在进入相关工艺前都要保证晶圆的清洁程度，因此，需要对晶圆进行清洗，包括相关薄膜的刻蚀清洗，例如，可以采用相关的酸对晶圆进行化学清洗，再用超纯水清洗使晶圆表面达到要求的洁净度。
相关技术中，炉管生长栅氧化层(二氧化硅)前的清洗，主要包括四道清洗过程，依次是SPM(硫酸、双氧水)清洗、氢氟酸清洗、SC1(氨水、双氧水)清洗以及SC2(盐酸、双氧水)清洗，以清除晶圆表面的污染物，包括微粒、有机物及金属离子等杂质。
上述清洗方法不仅流程复杂、耗时长，而且清洗过程形成较厚的二氧化硅层会影响器件的性能。
发明内容
针对上述技术问题，本申请提供一种晶圆清洗方法及清洗设备，可以改善相关技术中晶圆清洗效率低且会影响器件的性能的问题。
为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种晶圆清洗方法，包括：
采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液；
采用第二清洗液对所述晶圆进行第二清洗，其中，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液；
采用第三清洗液对所述晶圆进行第三清洗，其中，所述第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。
可选的，所述第一清洗液中，所述硫酸、所述双氧水和水的体积比为1: (0.05~0.2): (10~100)。
可选的，所述第一清洗液的温度为110℃~140℃，所述第一清洗的清洗时间为0.5~30min。
可选的，所述第二清洗液中，所述氨水、所述双氧水和水的体积比为1:(1.5~4):(10~100)。
可选的，所述第二清洗液的温度为20℃~50℃，所述第二清洗的清洗时间为0.5~30min。
可选的，所述采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗之后，还包括：
采用纯水对所述晶圆进行第四清洗；和/或，
所述采用第二清洗液对晶圆进行第二清洗之后，还包括：
采用纯水对所述晶圆进行第五清洗；和/或，
所述采用第三清洗液对晶圆进行第三清洗之后，还包括：
采用纯水对所述晶圆进行第六清洗。
可选的，所述第三清洗液中，所述盐酸、所述双氧水、所述氢氟酸和水的体积比为1:(1~2):(0.2~0.5):(5~100) 。
可选的，所述第三清洗液的温度为20℃~50℃，所述第三清洗的清洗时间为10~600s。
第二方面，本申请实施例还提供了一种清洗设备，包括依次连接的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽内设置有第一清洗液，所述第二清洗槽内设置有第二清洗液，所述第三清洗槽内设置有第三清洗液，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液，所述第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。
可选的，所述清洗设备还包括第一纯水槽，所述第一纯水槽与所述第三清洗槽连接；和/或，
所述清洗设备还包括第二纯水槽，所述第二纯水槽连接在所述第一清洗槽和所述第二清洗槽之间；和/或，
所述清洗设备还包括第三纯水槽，所述第三纯水槽连接在所述第二清洗槽和所述第三清洗槽之间。
可选的，所述清洗设备还包括干燥槽，所述干燥槽与所述第一纯水槽连接。
如上所述本申请的晶圆清洗方法，由于第三清洗液中包括盐酸、双氧水与氢氟酸三种主要组分，盐酸可以与一些金属/金属离子进行反应，对于无法与盐酸直接反应的金属，双氧水可以将其进行氧化以形成金属氧化物，盐酸再与该金属氧化反应，从而可以去除晶圆表面的金属成分。双氧水在氧化金属的同时，也会对晶圆表面的硅进行氧化形成二氧化硅薄层副产物，第三清洗液中的氢氟酸可以对该二氧化硅薄层进行刻蚀，避免该二氧化硅层对器件的电性能造成影响。并且本申请的清洗步骤更少，可以提高清洗效率。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种晶圆清洗方法的流程示意图，该晶圆清洗方法；
图2是本申请实施例提供的一种清洗设备的结构示意图；
图3a-3c分别是对比例1、对比例2和实施例1的样品进行表面颗粒检测的图片。
本申请目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。通过上述附图，已示出本申请明确的实施例，后文中将有更详细的描述。这些附图和文字描述并不是为了通过任何方式限制本申请构思的范围，而是通过参考特定实施例为本领域技术人员说明本申请的概念。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
应当理解，尽管在本文可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本文范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。
相关技术中，炉管生长栅氧化层(二氧化硅)前的清洗，主要包括四道清洗过程，依次是SPM(硫酸、双氧水)清洗、氢氟酸清洗、SC1(氨水、双氧水)清洗以及SC2(盐酸、双氧水)清洗，以清除晶圆表面的污染物，包括微粒、有机物及金属离子等杂质。上述清洗方法不仅流程复杂、耗时长，而且最终生长出的栅氧化层介电性能也常常无法满足器件的设计要求。
申请人研究发现，相关技术最终生长出的栅氧化层介电性能也常常无法满足器件的设计要求，主要原因在于，进行SC1和SC2的清洗过程中，由于双氧水的氧化作用，会在晶圆的表面形成一层大概8埃厚度的二氧化硅，其形成机理为：
Figure 256146DEST_PATH_IMAGE001
；
虽然后续工序炉管生长栅氧化层也是制作二氧化硅层，但是由于清洗步骤氧化形成的二氧化硅结构比较疏松，而炉管生长的二氧化硅层则比较致密，两者微结构的不同，会导致介电常数不同，进而使得器件的电性能无法达到设计目标。基于此，本申请提供了一种晶圆清洗方法及清洗设备。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的一种晶圆清洗方法的流程示意图，该晶圆清洗方法，包括：
101、采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗，其中，第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液。
等离子体制程或者刻蚀制程完成后，需要进行清洗，去除晶圆表面的光刻胶并确保晶圆表面的洁净度。由于光刻胶的主要成分是碳氢氧有机物，若只采用硫酸进行清洗，则光刻胶会被碳化形成大量的黑色悬浮物，污染整个第一清洗液，晶圆表面也会有较多残留。
因此，本实施例的第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液，双氧水与硫酸生成过氧单硫酸(H2SO5)，又称卡罗酸，卡罗酸分解产生自由基，自由基和光刻胶发生化学反应形成水溶性产物，从而达到剥离晶圆上的光刻胶的目的，该过程中光刻胶不会碳化，并且清除光刻胶的效率更高。
在一个实施例中，硫酸、双氧水和水的体积比为1: (0.05~0.2): (10~100)，例如，硫酸、双氧水和水的体积比可以是1:0.2:100、1:0.05:10、1:0.1:50等等。本实施例的第一清洗液中，相比双氧水，若硫酸过多则可能使部分光刻胶碳化，污染了第一清洗液；若硫酸过少则形成的自由基数量有限，降低了清洗效率。
在一个实施例中，第一清洗液的温度可以是110℃~140℃，第一清洗的清洗时间为0.5~30min。该温度下可以提高自由基与光刻胶的反应速率，从而提高第一清洗的清洗效率。以硫酸、双氧水和水的体积比是1:0.1:50为例，可以将晶圆在110℃的第一清洗液中清洗30min，也可以将晶圆在140℃的第一清洗液中清洗0.5min，还可以将晶圆在120℃的第一清洗液中清洗20min。
在一个实施例中，采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗之后，还可以采用纯水对晶圆进行第四清洗。进行第四清洗后可以避免第一清洗液的成分带入下一清洗工序中并产生化学反应而降低了下一清洗工序中清洗液（第二清洗液）的有效成分的浓度，影响清洗效率。作为一个示例，第四清洗步骤中，纯水的温度为50~90℃，由于经过第一清洗后，晶圆的温度较高，第四清洗采用较高的水温可以减少晶圆受到的温度冲击。
102、采用第二清洗液对晶圆进行第二清洗，其中，第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液。
第一清洗主要是清洗晶圆表面的有机物，晶圆经过第一清洗后，表面可能会存在一些无机物颗粒，可以通过第二清洗进行清除。第二清洗液中的双氧水与晶圆表面的Si反应形成薄二氧化硅层（如上文化学反应方程式），然后第二清洗液中的氨水对该薄二氧化硅层具有一定的溶解刻蚀作用，从而可以去除无机物颗粒。
在一个实施例中，氨水、双氧水和水的体积比为1:(1.5~4):(10~100)，例如，氨水、双氧水和水的体积比可以是1:1.5:10、1:4: 100、1:3:60等等。本实施例的第二清洗液中，相比氨水，若双氧水过多则可能使二氧化硅层过厚，氨水难以将无机物颗粒从晶圆表面去除，或者需要清洗较长的时间，降低了清洗效率；若双氧水过少则可能无法在晶圆表面形成二氧化硅层，达不到去除无机物颗粒的目的。
在一个实施例中，第二清洗液的温度可以是20℃~50℃，第二清洗的清洗时间可以是0.5~30min。由于氨水容易挥发，因此第二清洗液的温度不可以太高，可以采用室温或进行第二清洗。以氨水、双氧水和水的体积比是1:3:60为例，可以将晶圆在20℃的第二清洗液中清洗30min，也可以将晶圆在50℃的第二清洗液中清洗0.5min，还可以将晶圆在30℃的第一清洗液中清洗20min。
在一个实施例中，采用第二清洗液对晶圆进行第二清洗之后，还可以采用纯水对晶圆进行第五清洗。进行第五清洗后可以避免第二清洗液的成分带入下一清洗工序中并产生化学反应而降低了下一清洗工序中清洗液（第三清洗液）的有效成分的浓度，影响清洗效率。
103、采用第三清洗液对晶圆进行第三清洗，其中，第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。
经过第一清洗和第二清洗后，晶圆表面还可能存在一些颗粒、金属或金属离子，这些杂质会影响器件的电性能，此外，晶圆表面还存在二氧化硅薄层。
第三清洗液中包括盐酸、双氧水与氢氟酸三种主要组分，盐酸可以与一些金属/金属离子进行反应，对于无法与盐酸直接反应的金属，双氧水可以将其进行氧化以形成金属氧化物，盐酸再与该金属氧化反应，从而可以去除晶圆表面的金属成分。
双氧水在氧化金属的同时，也会对晶圆表面的硅进行氧化形成二氧化硅薄层，如上文所述，申请人研究发现，该二氧化硅薄层结构疏松，会影响器件的电性能，不可以直接作为栅氧化层的一部分，需要尽可能去除。第三清洗液中的氢氟酸可以对该二氧化硅薄层进行刻蚀，此外，颗粒可以在刻蚀二氧化硅薄层的同时一同被清除。
需要说明的是，把氢氟酸单独放在最后一步也可以去除二氧化硅薄层，但是单独设置一步氢氟酸清洗会增加工艺时间，降低了生产效率，并且表面颗粒的清洗效果也不太好。原因在于晶圆表面的颗粒不容易去除，而本申请第三清洗液中同时包括盐酸、双氧水与氢氟酸，氢氟酸容易把晶圆表面的二氧化硅清洗掉露出硅，硅又会被双氧水再氧化为二氧化硅，然后再被氢氟酸清洗，这样动态的清洗更容易清洗掉晶圆表面的颗粒。本实施例可以边去除金属杂质，边去除二氧化硅薄层和颗粒，不仅可以减少二氧化硅薄层刻蚀时间，而且缩短了工序（减少单独的氢氟酸清洗步骤），还能提高对颗粒的清洗效果。
在一个实施例中，盐酸、双氧水、氢氟酸和水的体积比为1:(1~2):(0.2~0.5):(5~100)，例如，盐酸、双氧水、氢氟酸和水的体积比可以是1:1:0.2:5、1:2:0.5:100、1:1.5:0.3:60等等。本实施例的第三清洗液中，双氧水主要是起氧化金属的作用，若过多则可能使二氧化硅层过厚，进而需要更多的氢氟酸进行刻蚀，浪费原料。此外，氢氟酸过多则刻蚀速率不好控制，过少则降低了刻蚀效率。
在一个实施例中，第三清洗液的温度可以是20℃~50℃，第三清洗的清洗时间可以是10~600s。例如，以盐酸、双氧水、氢氟酸和水的体积比是1:1.5:0.3:60为例，可以将晶圆在20℃的第三清洗液中清洗600s，也可以将晶圆在50℃的第三清洗液中清洗10s，还可以将晶圆在30℃的第三清洗液中清洗200s。
在一个实施例中，采用第三清洗液对晶圆进行第三清洗之后，还可以采用纯水对晶圆进行第六清洗。进行第六清洗后可以避免第三清洗液的成分在晶圆表面的残留，以便进行后续的干燥步骤。
本实施例的晶圆清洗方法，首先采用第一清洗液进行第一清洗，以去除晶圆表面的光刻胶及有机杂质，然后采用第二清洗液进行第二清洗，以去除晶圆表面的无机颗粒，同时在晶圆的表面形成二氧化硅薄层副产物，最后采用第三清洗液进行第三清洗，由于第三清洗液中同时包括盐酸、双氧水与氢氟酸，盐酸和双氧水共同作用去除晶圆表面的金属杂质，氢氟酸可以去除晶圆表面的二氧化硅薄层，防止疏松的二氧化硅层形成在栅氧化层底层，影响器件的性能。同时由于氢氟酸与盐酸、双氧水混在一起，清洗步骤较少，可以提高生产效率。
本申请实施例还提供了一种清洗设备，请参阅图2，图2是本申请实施例提供的一种清洗设备的结构示意图，该清洗设备包括依次连接的第一清洗槽10、第二清洗槽20和第三清洗槽30，第一清洗槽10内设置有第一清洗液，第二清洗槽20内设置有第二清洗液，第三清洗槽30内设置有第三清洗液，其中，第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液，第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液，第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。
在一个实施例中，该清洗设备还可以包括第一纯水槽40，第一纯水槽40与第三清洗槽30连接，晶圆经过前面三个清洗步骤后，在第一纯水槽40中进行最后的清洗，可以去除晶圆表面残留的第三清洗液。
在一个实施例中，该清洗设备还可以包括第二纯水槽50，第二纯水槽50连接在第一清洗槽10和第二清洗槽20之间，第二纯水槽50可以去除晶圆表面残留的第一清洗液，防止硫酸被带入至第二清洗槽20与氨水反应，对氨水造成不必要的消耗。
在一个实施例中，该清洗设备还可以包括第三纯水槽60，第三纯水槽60连接在第二清洗槽20和第三清洗槽30之间，第三纯水槽60可以去除晶圆表面残留的第二清洗液，防止氨水被带入至第三清洗槽30与氢氟酸反应，对氢氟酸造成不必要的消耗。
在一个实施例中，该清洗设备还可以包括干燥槽70，干燥槽70与第一纯水槽40连接。在晶圆清洗完成后，可以通过干燥槽70进行干燥。
需要说明的是，本清洗设备的各个清洗工位可以通过传送带连接，每个工位中，传送带的传送速度可以单独调节，从而可以对各工位的清洗时长进行单独控制。
有关本实施例清洗设备的清洗原理，参见前述本申请各晶圆清洗方法实施例的说明，此处不再赘述。
下面以具体实施例对本发明的清洗效果作进一步说明。
实施例1
（1）将晶圆在125℃的第一清洗液中清洗10min，其中，第一清洗液中，硫酸、双氧水和水的体积比为1:0.2:80；
（2）将晶圆在65℃的纯水中清洗2min；
（3）将晶圆在25℃的第二清洗液中清洗10min，其中，第二清洗液中，氨水、双氧水和水的体积比为1:2:50；
（4）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（5）将晶圆在25℃的第三清洗液中清洗100s，其中，第三清洗液中，盐酸、双氧水、氢氟酸和水的体积比为1:1:0.5:50；
（6）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（7）将晶圆进行干燥。
对比例1
（1）将晶圆在125℃的第一清洗液中清洗10min，其中，第一清洗液中，硫酸、双氧水和水的体积比为1:0.2:80；
（2）将晶圆在65℃的纯水中清洗2min；
（3）将晶圆在氢氟酸溶液中清洗100s，其中，氢氟酸与水的体积比为1：100；
（4）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（5）将晶圆在25℃的第二清洗液中清洗10min，其中，第二清洗液中，氨水、双氧水和水的体积比为1:2:50；
（6）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（7）将晶圆在25℃的盐酸和双氧水的混合水溶液中清洗5min，其中，盐酸、双氧水和水的体积比为1:1:50；
（8）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（9）将晶圆进行干燥。
对比例2
（1）将晶圆在125℃的第一清洗液中清洗10min，其中，第一清洗液中，硫酸、双氧水和水的体积比为1:0.2:80；
（2）将晶圆在65℃的纯水中清洗2min；
（3）将晶圆在25℃的第二清洗液中清洗10min，其中，第二清洗液中，氨水、双氧水和水的体积比为1:2:50；
（4）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（5）将晶圆在25℃的盐酸和双氧水的混合水溶液中清洗5min，其中，盐酸、双氧水和水的体积比为1:1:50；
（6）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（7）将晶圆在氢氟酸溶液中清洗100s，其中，氢氟酸与水的体积比为1：100；
（8）将晶圆在23℃的纯水中清洗2min；
（9）将晶圆进行干燥。
按照实施例1、对比例1和对比例2进行清洗，得到的清洗良率数据分别为：97.82%、97.35%、97.17%。
对实施例1、对比例1和对比例2清洗的样品进行二氧化硅膜厚测试，实施例1和对比例2的二氧化硅膜厚大致为3埃，而对比例1的二氧化硅膜厚大致为8埃。
对实施例1、对比例1和对比例2清洗的样品表面进行全反射X射线（TXRF）测试，测试结果如下表1所示；
表1. TXRF测试结果
Figure 438865DEST_PATH_IMAGE002
对实施例1、对比例1和对比例2清洗的样品表面进行颗粒检测，具体是采用激光照射，通过分析反射的散射光，从而得到表面的颗粒数量以及分布情况。颗粒检测结果如表2及图3a-3c所示。
表2. 清洗效果测试结果
对比例1 对比例2 实施例1
样品1表面颗粒数 73 47 31
样品2表面颗粒数 65 50 35
通过上述测试结果可以看出：
（1）实施例1最后一步清洗的清洗液为氢氟酸、盐酸和双氧水的混合水容液，可以将晶圆表面的金属彻底清洗干净，并且通过氢氟酸还可以同时去除二氧化硅薄层，使最终的样品表面二氧化硅薄层较薄，仅为2埃；
（2）对比例1最后一步清洗的清洗液为盐酸和双氧水的混合水容液，能够将晶圆表面的金属彻底清洗干净，但由于氢氟酸清洗是在步骤（3），因此，无法有效去除后续形成的二氧化硅薄层，导致最终的样品表面二氧化硅薄层较厚，为8埃；
（3）对比例2的最后一步清洗是采用氢氟酸，虽然可以去除二氧化硅薄层，使最终的样品表面二氧化硅薄层较薄，仅为2埃，但是由于最后一步清洗中氢氟酸不可避免地引入了部分金属，导致最终的样品表面残留微量金属，清洗不够彻底。
（4）实施例1清洗后的晶圆表面的颗粒缺陷更少，这是由于实施例1的清洗液中同时包括盐酸、双氧水与氢氟酸，氢氟酸容易把晶圆表面的二氧化硅清洗掉露出硅，硅又会被双氧水再氧化为二氧化硅，然后再被氢氟酸清洗，这样动态的清洗更容易清洗掉晶圆表面的颗粒。
综上所述，本申请的晶圆清洗方法清洗的晶圆，不仅表面无金属残留，良率较高，而且表面形成的二氧化硅更薄，避免对器件的性能造成影响，以及表面的颗粒缺陷更少。此外，本申请的清洗方法步骤更少，清洗时间可以缩短，从而可以提高生产效率。
以上对本申请所提供的一种晶圆清洗方法及清洗设备进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述。需要说明的是，在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。
本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本申请记载的范围。
以上仅为本申请的优选实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (11)

1.一种晶圆清洗方法，其特征在于，包括：
采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液；
采用第二清洗液对所述晶圆进行第二清洗，其中，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液；
采用第三清洗液对所述晶圆进行第三清洗，其中，所述第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液中，所述硫酸、所述双氧水和水的体积比为1: (0.05~0.2): (10~100)。
3.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液的温度为110℃~140℃，所述第一清洗的清洗时间为0.5~30min。
4.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液中，所述氨水、所述双氧水和水的体积比为1:(1.5~4):(10~100)。
5.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液的温度为20℃~50℃，所述第二清洗的清洗时间为0.5~30min。
6.根据权利要求1所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述采用第一清洗液对晶圆进行第一清洗之后，还包括：
采用纯水对所述晶圆进行第四清洗；和/或，
所述采用第二清洗液对晶圆进行第二清洗之后，还包括：
采用纯水对所述晶圆进行第五清洗；和/或，
所述采用第三清洗液对晶圆进行第三清洗之后，还包括：
采用纯水对所述晶圆进行第六清洗。
7.根据权利要求1-6任一项所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第三清洗液中，所述盐酸、所述双氧水、所述氢氟酸和水的体积比为1:(1~2):(0.2~0.5):(5~100) 。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗方法，其特征在于，所述第三清洗液的温度为20℃~50℃，所述第三清洗的清洗时间为10~600s。
9.一种清洗设备，其特征在于，包括依次连接的第一清洗槽、第二清洗槽和第三清洗槽，所述第一清洗槽内设置有第一清洗液，所述第二清洗槽内设置有第二清洗液，所述第三清洗槽内设置有第三清洗液，其中，所述第一清洗液为硫酸与双氧水的混合水溶液，所述第二清洗液为氨水与双氧水的混合水溶液，所述第三清洗液为盐酸、双氧水与氢氟酸的混合水溶液。
10.根据权利要求9所述的清洗设备，其特征在于，还包括第一纯水槽，所述第一纯水槽与所述第三清洗槽连接；和/或，
所述清洗设备还包括第二纯水槽，所述第二纯水槽连接在所述第一清洗槽和所述第二清洗槽之间；和/或，
所述清洗设备还包括第三纯水槽，所述第三纯水槽连接在所述第二清洗槽和所述第三清洗槽之间。
11.根据权利要求10所述的清洗设备，其特征在于，还包括干燥槽，所述干燥槽与所述第一纯水槽连接。
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